UNIVERSITATEA TEHNIC Gh.

ASACHI IAI FACULTATEA TIINA I INGINERIA MATERIALELOR CATEDRA DE STIINTA MATERIALELOR Sesiunea Cercurilor tiinifice Mai 2010

Materiale pentru electronic Circuite integrate

Coordonatori: Nicanor Cimpoeu Sergiu Stanciu Mihai tefan

Autori:Filimon Diana an II Adriana Cimpoiau an I

Corccel Roxana an I Andriescu Adrian B. an I Ctlin Vzdoag an IV

2009

Ntrau Constantin an I

1. Circuite integrate. Generaliti

n electronic, un circuit integrat (de asemenea cunoscut i ca IC, microcircuit,microchip, silicon chip sau chip) este un circuit electronic n miniatura (constnd n principal n dispozitive semiconductoare, dar i n componente pasive) care au fost introduse n suprafaa unui strat subire de material semiconductor. Circuitele integrate sunt folosite aproape n toate echipamentele electronice din ziua de azi i au revoluionat electronica. Un circuit integrat hybrid este un circuit electronic miniaturizat construit din materiale semiconductoare individuale, dar i componente pasive implementate pe un substrat sau pe o plac de circuit. Circuitele integrate au fost fcute posibile datorit descoperirilor experimentale care au artat ca dispozitivele semiconductoare au aceleai funcii precum tuburile cu vid, i pn la mijlocul secolului 20 tehnologia a avansat n fabricarea dispozitivelor semiconductoare. Integrarea unui numr mare de tranzistori intr-un cip mic a fost o mbuntire enorm fa de asamblarea manual a circuitelor folosind componente electronice discrete. Capacitate de a produce n masa circuitele, capacitate de reproducere a parametrilor n numeroase rnduri i designul asemntor a asigurat adoptarea circuitelor integrate standardizate n locul celor fcute cu tranzistori discrete. Sunt 2 mari avantaje ale IC fata de circuitele discrete: costul si performanta. Costul este sczut pentru ca cipurile chiar daca au multe component ele sunt introduse ca o unitate folosind fotolitografia, nu sunt asamblai cate un transistor pe rnd. Pe lng asta este folosit si mult mai puin material pentru un pachet de circuite integrate dect pentru cele discrete. Performanta este mare din moment ce componentele se schimba uor si consuma putina energie electrica, pentru ca ele sunt mici si apropiate una de alta. Din 2006 aria cipurilor este de la civa milimetri la 350 mm2 cu pana ala 1 milion de tranzistori pe mm2. Ideea de circuite integrate a fost conceput de un specialist n radare angajat al companiei Royal Radar Establishment al Ministerului Aprrii Britanice, Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002), care a prezentat ideea la un simpozion de progrese n calitatea componentelor electronice n Washington, D.C. pe 7 mai 1952. El a fcut mult publicitate la simpozioane pentru a-i prezenta ideea. Dummer a ncercat s construiasc un astfel de circuit in 1956 ns fr succes. Circuitele integrate au fost create de ctre inventatorii Jack Kilby i Robert Noyce care au lucrat independent. Kilby a nregistrat ideile lui iniiale privind circuitele integrate n iulie 1958 i a demonstrat cu succes funcionarea primului circuit integrat pe 12 septembrie 1958. n lucrarea sa din 6 februarie 1959 el a descris noul sau dispozitiv precum un corp din material semiconductor in care toate componentele electronice sunt complet integrate. Kilby a castigat premiul Nobel in 2000 in fizica pentru munca depusa in descoperirea circuitelor integrate. Robert Noyce a venit cu o ideie proprie a circuitelor integrate cu jumtate de an dup Kilby. Cipul lui Noyce a rezolvat multe probleme practice pe care cipul lui Kilby nu a reusit. Circuitul lui Noyce, facut la Fairchild era alctuit din silicon, pe cnd cel al lui Kilby din germanium. Evoluia timpurie a circuitelor integrate dateaz din 1949, cnd inginerul german Werner Jacobi a depus un brevet pentru un circuit integrat ca fiind un semiconductor amplificator artnd 5 tranzistori pe un substrat comun amenajat in 2 etape de aranjamente amplificate. Jacobi a scos in evident dispozitive mici si ieftine ca fiind aplicaii industrial tipice ale lucrrii lui. O utilizare comercial a brevetelor sale nu a fost nregistrat.

Ideia precedent legata de CI a fost de a crea patrate mici ceramic, fiecare continand un singur component miniaturizat. Componentele pot fi integrate si legate intre ele apoi intr-o retea compacta bidimensonala sau tridimensionala. Aceasta ideie ce parea promitatoare in 1957 a fost propusa armatei US de catre Jack Kilby si a dus la un program de scurta durata (similar proiectului Tinkertoy din 1951). Insa pe parcursul dezvoltarii acestuia Kilby a venit cu o noua ideie revolutionara: circuitul integrat. Primele circuite integrate contineau doar cativa tranzistori. Numit "la scar mic de integrare" (SSI), circuite digitale care conin zeci de tranzistori de numerotare au oferit exemple logice, n timp ce circuitele integrate liniare timpurii, cum ar fi Plessey SL201 sau TAA320 Philips a avut doar doi tranzistori. Termenul pe scar larg de integrare a fost folosit prima data de omul de tiin IBM Rolf Landauer atunci cnd descrie conceptul teoretic, de acolo a venit termeni pentru SSI, MSI, VLSI, i ULSI. Progresele n circuite integrate Printre cele mai avansate circuite integrate sunt microprocesoarele sau "miezuri", care controleaza tot de la computere la telefoane celulare la cuptoare cu microunde digitale. Cipuri de memorie digital i ASIC sunt exemple de alte familii de circuite integrate care sunt importante pentru societatea informaional modern. n timp ce costul de proiectare si dezvoltare al uni circuit integrat complex este destul de mare, de obicei, atunci cnd sunt mprtiate n ntreaga lume in milioane de uniti de producie individuale costul este redus la minimum. Performana C.I. este ridicata, deoarece dimensiunile mici permit urme scurte , care la rndul lor permit logica redus de energie (cum ar fi CMOS) s fie folosite la viteze mari de comutare. C.I. au migrat n mod constant la dimensiuni mai mici de-a lungul anilor, permitand mai multor circuite s fie asamblate pe fiecare cip. Aceast capacitate crescuta pe unitate de suprafa poate fi utilizata pentru scderea costurilor i / sau creterea funcionalitii, care, n interpretarea modern, afirm c numrul de tranzistori ntr-un circuit integrat se dubleaz la fiecare doi ani. n general, dup cum se micsoreaza dimensiunea caracteristic, aproape totul se imbuntete costul pe unitate i consumul de putere scad, iar viteza creste. Cu toate acestea, C.I. cu dispozitive de nanometri-scar nu sunt fr probleme lor, principala fiind pierderile de curent, cu toate c aceste probleme nu sunt insurmontabile, vor fi probabil rezolvate sau, cel puin ameliorate. Desi aceste ctiguri de vitez i consumul de energie sunt vizibile pentru utilizatorul final, exist o concuren acerb n rndul productorilor de a utiliza geometrii fine. Acest proces, precum i progresele ateptate n urmtorii civa ani, este bine descris de Institutul de Tehnologie Internaional Roadmap pentru Semiconductori. Producerea circuitelor Semiconductorii tabelului periodic al elementelor chimice au fost identificai ca fiind materialele cele mai potrivite pentru a crea un tub solid de vid de ctre cercettori precum William Shockley la Bell Laboratories ncepnd din anii 1930. ncepnd cu oxid de cupru, trecnd la germaniu, apoi siliciu, materialele au fost sistematic studiat n anii 1940 i 1950. Astzi, monocristale de siliciu sunt principale substraturi utilizate pentru circuitele integrate, dei unii compui III-V din tabelul periodic, cum ar fi arseniur de galiu sunt folosite pentru aplicaii specializate cum ar fi LED-uri, lasere, celule solare i a circuitelor integrate de mare vitez. A fost nevoie de decenii pentru a perfeciona metodele de a crea cristale fr defecte n structura cristalin a materialului semiconductor.

Wolframul (numit i Tungsten) este un element chimic din grupa metalelor situat n poziia 74 n tabelul periodic al elementelor. Simbolul chimic este "W". Wolfram este un metal cu luciu alb, casant n stare pur, dur, i de mare densitate. Din toate metalele pure, punctul lui de topire este cel mai ridicat, iar punctul lui de fierbere este al doilea ca mrime (dup carbon). Utilitatea lui cea mai cunoscut este ca filament n becuri electrice.

Wolfram pur Wolfram

tabelul periodic Proprieti generale Nume, atomic Simbol, Numr Wolfram, W, 74 metal 6, 6, d 19,25 7,5 g/cm3;

Serie chimic Grup, Perioad, Bloc Densitate, Duritate Proprieti atomice Mas atomic Raz atomic Raz covalent Raz van der Waals Configuraie electronic e- pe nivel de energie

183,84 u 135 (193) pm 146 pm pm [Xe] 4f145d46s2 2, 8, 18, 32,

12, 2 Numr de oxidare (Oxid) Structur cristalin Proprieti fizice Stare de agregare Prop. magnetice Punct de topire Punct de fierbere Volum molar Energie de vaporizare Energie de combinare Presiunea vaporilor solid 3695 K (3422 C) 5828 K (5555 C) 9,47 m3/mol 106 6, 5, 4, 3, 2 cubic

824 kJ/mol 35,4 kJ/mol 4,27 Pa bei 3680 K 5174 (long.), 2900 (trans.) m/s bei 293,15 K 0,09 V + (WO2 + 4H + 4e W + 2H2O) 2,36 (PaulingSkala) 130 J/(kg K) 18,9 106 S/m 174 W/(m K) 770 kJ/mol 1700 kJ/mol

Viteza sunetului Diverse

Electronegativitate

Capacitate caloric Conductivitate electric Conductibilitate termic Potenial de ionizare

Inflamabil Cei mai stabili izotopi izo SN Semivia MD ED MeV PD

182

W
183

26,3 % stabil 14,3 % stabil 30,67 % stabil 28,6 % stabil

W
184

W
186

Uniti n SI i TPS. Istoria i etimologia n secolul 16 mineralologul Georgius Agricola din Freiberg a descris existena unui mineral care ngreuna extracia de cositor. Segmentul "wolf" (lup) din denumirea wolframului de aici provine, deoarece "mnca" cositorul ca un lup. Georgius Agricola l numea lupi spuma. Denumirea de tungsten n englez i francez este derivat din tung sten (n suedez "piatr grea"). n Suedia denumirea se referea ns la wolframat de calciu. Wolfram pur a fost produs prima dat n 1783 de ctre fraii spanioli Fausto i Juan Jos Elhuyar prin reducia de trioxid de wolfram din wolframit.

Procentajul de wolfram n scoara pmntului este de circa 0,0001 g/t, sau 0,0064 procentaj de greutate (Valoarea Clarke). Wolframul nu apare n form curat, ci n form de oxizi i wolframate. Cele mai importante minereuri de wolfram sunt wolframit (Mn, Fe)WO4 i scheelit CaWO4. Alte minereuri de wolfram sunt stolzit PbWO4 i tuneptit WO3 H2O. Zcmintele cele mai importante se gsesc n China, SUA, Korea, Bolivia, Kazahstan, Rusia, Austria i Portugalia. Volumul total de wolfram n zcmintele pe pmnt se apreciaz actualmente ca corespondnd 2,9 de milioane de tone de wolfram pur. n anul 2006 producia global de wolfram era de 73.300 t. Cel mai mare productor de wolfram este China cu circa 80% (62.000 t/an) din producia global anual. Utilizarea

Figura 1 Filament din Wolfram al unui bec de 200W Datorit punctului de fuziune ridicat (peste 3000 C) este ntrebuinat pentru construirea filamentelor, figura 1, de la lmpile cu incandescen, filamentele tuburilor electronice, anozii tuburilor radiogene (vezi Aparat roentgen) i a tuburilor electronice de putere mare. Wolframul are o densitate i o duritate foarte mare, lucruri care l fac utilizat la construcia de capete tietoare la maini de forat, la burghie. Se aliaz cu oelul (2-3%) pentru obinerea unor oeluri speciale, foarte dure, care se uzeaz greu, metalul n stare pur fiind casant. Datorit densitii sale mari wolframul este folosit i pentru ecranaje ca protecie de raze. Efectul de ecranaj este mai bun dect cel al plumbului, dar este mai rar folosit datorit costurilor mai mari i pentru c wolframul e greu de prelucrat. Tot datorit densitii sale mari, wolframul este utilizat pentru muniie anti-blindaj. Proiectile din carbid de wolfram, cu nucleu din carbid de wolfram (muniie APFSDS), sau coninnd multe sgei mici de Wolfram (muniie AHEAD - Advanced Hit Efficiency And Destruction, care este un tip de muniie ABM - Air Burst Munition) sunt mai costisitoare dect cele corespunztoare din uraniu srcit, dar nu sunt toxice i nici radioactive ca acesta. Fiziologie Dup cunotinele actuale wolframul nu este toxic. Cazuri de cancer pulmonar la muncitori din firme productoare i care prelucreaz metale tari s-au dovedit a fi cauzate de cobalt. [3] n ncercri cu animale s-a constatat c cea mai mare parte a wolframului care ajunge n corp este excretat prin urin. Doar o foarte mic parte se depoziteaz n rinichi i n oase. [4] Note de securitate n form de praf wolframul se aprinde uor. Sub form compact nu arde. Legturi - Oxizi Wolfram formeaz mai muli oxizi[5]: trioxid de wolfram WO3 galben citron dioxid de wolfram WO2 brun W10O29, WO2,92-WO2,88 W4O11, WO2,76-WO2,73 W18O49, WO2,72 W20O50, WO2,50 Utilizri ale legturilor de wolfram

Carbid de wolfram de folosete ca reflector de Neutroni la arme nucleare pentru a reduce masa critic. Carbizi de wolfram se folosesc n prelucrarea materialelor datorit duritii lor. Datorit duritii i densitii mari se folosesc i la muniii anti-blindaj. Wolframate se utilizeaz pentru impermeabilizri pentru a le face rezistente la temperaturi mari. n industria ceramic i n pictur se folosesc culori baznd pe pigmeni care conin wolfram. Wolframat de plumb se utilizeaz ca scintilator modern n fizica particulelor elementare. Alte legturi wolframat de sodiu Na2WO4 wolframat de circoniu ZrW2O8 - una din puinele substane care se contract la nclzire bronz de wolfram NaxWO3 wolframat de calciu CaWO4 carbid de wolfram WC - legatur extrem de dur folosit ca metal dur. Exist i diwolframcarbid W2C. hexafluorid de wolfram WF6 wolframat de plumb PbWO4

2. Rezultate experimentale
Primul microscop electronic a fost construit n 1931 de ctre inginerii germani Ernst Ruska i Max Knoll. Acesta era bazat pe ideile i descoperirile fizicianului francez Louis de Broglie. Dei primitiv i nepotrivit utilizrilor practice, instrumentul era capabil s mreasc obiectele de patru sute de ori. Reinhold Rudenberg, directorul de cercetri al companiei Siemens, a patentat microscopul electronic n 1931, dei Siemens nu fcea cercetri n domeniul microscoapelor electronice la acea vreme. n 1937 Siemens a nceput s-i finaneze pe Ruska i pe Bodo von Borries pentru dezvoltarea unui microscop electronic. Siemens l-a angajat i pe fratele lui Ruska, Helmut s lucreze la aplicaii, n particular cu specimene biologice. n acelai deceniu, Manfred von Ardenne a inventat microscopul electronic cu scanare i un microscop electronic universal. Siemens a nceput producia comercial a microscopului electronic cu transmisie n 1939, dar pn atunci primul microscop electronic cu utilizare practic fusese construit la Universitatea Toronto n 1938, de ctre Eli Franklin Burton i studenii Cecil Hall, James Hillier i Albert Prebus. Dei microscoapele electronice moderne pot mri obiectele de pn la dou milioane de ori, toate se bazeaz pe prototipul lui Ruska. Microscopul electronic este nelipsit n multe laboratoare. Cercettorii l folosesc pentru a examina material biologic (cum ar fi microorganisme i celule), diferite molecule mari, probe de biopsie medical, metale i structuri cristaline, i caracteristicile diferitelor suprafee. Microscopul electronic este folosit extensiv pentru inspecia i asigurarea calitii n industrie, inclusiv, n mod deosebit, n fabricarea dispozitivelor semiconductoare. Cel mai puternic microscop din lume a fost anunat la nceputul lui 2008. Transmission electron aberration-corrected microscope, prescurtat "TEAM" atinge rezoluia de 0,5 ngstrm, n jur de 1 milion de ori mai mic dect diametrul unui fir de pr. Forma original a microscopiei electronice, microscopia electronic cu transmisie implic o raz de electroni la tensiune nalt emis de un catod, de regul filament de tungsten, i focalizat de lentile electrostatice i electromagnetice. Raza de electroni care a fost transmis printr-un specimen parial transparent pentru electroni transport informaie despre structura

intern a specimenului n raza care ajunge la sistemul de formare a imaginii. Variaia spaial a acestei informaii ("imaginea") este apoi mrit de o serie de lentile electromagnetice pn cnd este nregistrat la coliziunea cu un ecran fluorescent, plac fotografic, sau senzor de lumin cum ar fi un senzor CCD. Imaginea detectat de CCD poate fi afiat n timp real pe un monitor sau transmis pe loc unui calculator.

2.1 Analize prin microscopie electronic

Avansul micro-electronici, cauzat cu certitudine de infuzia enorm de capital n acest domeniu a fost realizat i prin aportul microscopului electronic. n figura 2 sunt prezentate cteva imagini electronice ale conectorilor, firelor de contact i a asamblrilor acestora innd cont de faptul c dimensiunile acestora sunt de ordinul micronilor.

a)

b)

c)

d)

e)

f)

g)

Figura 2 Microscopii electronice a contactelor utilizate n microprocesoare

n toate imaginile se pot observa dimensiunile extrem de reduse ale elementelor electronice ct i starea finisat a suprafeei acestora. Microstructurile prezint o calitate excepional a suprafeelor, a tuturor elementelor de conexiune ct i a substratului. Elementele de conectare nu au mai mult de 5 m n diametru fiind comparabile cu firele de pr uman.

a)

b)

c)

d)

e)

f)

g)

h)

Figura 3 Microscopii electronice ale unui circuit integrat, un driver video, cu prezentarea arhitecturii acestuia i mai ales a structurii de legtur

Circuitele integrate realizate n acest caz ajung la dimensiuni ale traseelor de pn la 0.5 - 2 m utiliznd arhitecturi complexe i tehnologii excepionale de realizare. Imaginile au fost obinute prin analiz SEM, lao alimentare cu 30 kV a filamentului de tungsten i un detector de electroni secundari pentru formarea imaginii i o distan de lucru de 15.5 mm.

2.2 Analiza chimic a materialelor investigate

Microscopia electronic cu scanare (SEM), precum i micro analiza calitativ i cantitativ se poate realiza cu un sistem SEM-EDX model VEGA II LSH TESCAN. Microscopul electronic cu scanare de electroni este cuplat cu un detector EDX tip QUANTAX. Microscopul este controlat integral prin computer si dispune de un flux de electroni generat de un filament din wolfram. Microscopul poate ajunge la o rezoluie de 3nm la 30KV, avnd o putere de mrire ntre 13 si 1.000.000 X n modul rezoluie cu o tensiune de accelerare ntre 200 V la 30 kV, si o viteza de scanare ntre 200 ns si 10 ms pixel-1. Presiunea de lucru este mai mica de 1x10-2 Pa. Quantax QX2 este un detector EDX folosit pentru micro-analiza calitativ i cantitativ ce permite msurtori fr a fi folosite standarde specifice de calibrare. Are o arie activa de 10 mm2, putnd analiza toate elementele mai grele dect carbonul, probe lefuite sau cu suprafaa neregulata, filme subiri sau particule. Quantax QX2 folosete un detector de tip X-ray flash, care nu are nevoie de rcire cu azot lichid si este de cca. 10 ori mai rapid dect detectorii convenionali Si(Li). Sistemul Quatax ofer o microanaliz de vrf att la nivel calitativ ct i la nivel cantitativ pentru probe brute, probe lefuite, straturi subiri particule i suprafee neuniforme cu ajutorul unor metode automate sau iterative de analiz spectral optimizate a unor modaliti de abordare a parametrilor fundamentali (P/B YAF, OLEQ) i a unei compilaii i baze de date atomice disponibile. Etapele unei analize spectral generale sunt: Achiziia spectrului Corectarea efectelor detectorului (escape, shelf, tail i shift) Identificarea elementelor i selectarea unei serii de linii pentru fiecare element Calcularea radiaiei de frnare a mediului Deconvoluia picurilor suprapuse i estimarea intensitilor nete Calcularea concentraiilor prin raportarea sau nu la etaloane Editarea rezultatului i prezentarea

Din punct de vedere al analizei calitative radiaiile X tipice sunt constituite din linii de emisie subiri, care sunt caracteristice elementelor chimice coninute de prob. Energia acestor linii este aproape independent de starea chimic a atomilor afectai. n spectrul de energie dispersiv rezultat razele X tipice corespund unor picuri vizibile. Identificarea acestor picuri ofer informaii despre elementele prezente n prob. Din punct de vedere al analizei cantitative informaiile privind compoziia probei rezult din diferitele intensiti ale picurilor printr-un proces matematic complex, denumit adesea rectificarea matriceal ZAF sau PhiRhoZ. Diferite abordri, cu sau fr raportare la etaloane sunt folosite n mod general i pot fi utilizate cu software-ul Quantax. Analiza spectral complet automat este folosit n cazul analizelor de rutin att n industrie ct i n multe laboratoare. Principalele caracteristici tehnice ale detectorului EDX sunt prezentate n tabelul 1 iar imaginea acestuia n figura 4.

Figura 4 Detector EDX Bruker pentru microanaliz

Tabelul 1 Caracteristici tehnice ale detectorului EDX utilizat pe un echipament SEM pentru microanaliz cantitativ i calitativ Tipul de detector Aria activ Materialele ferestrei Materialul colimatorului Intrarea radiaiilor Stabilitate Viteza maxim de numrare Timpul de formatare recomandat Rezoluia energiei Rcire Modurile de rcire Temperatura de operare Temperatura de depozitare UHV-Si(Li) 10/20/30/80 mm2 Dura-Berylium 8 m zirconiu Axial sau nclinat 01.2 bari (-15+3 psi), <0.3 bari/s (5psi/s) 1 000 000 cps (n funcie de procesorul de semnal) 1 50 s >129 eV (MnKa, 1000 cps) Azot lichid Aprox. 0.5 l/zi 0 .35 C -10 +55 C, < 90% umiditate relativ

n ceea ce privete modul de utilizare, detectorul EDX beneficiaz de tunul de electroni i de incinta vidat a microscopului cu scanare de electroni dar n rest are separat unitatea de preluare a semnalului i de procesare i nregistrare a acestuia. Pentru analiza datelor captate de detectorul EDX este folosit soft-ul Quantax care se pornete prin dublu clic pe iconia de pe desktop sau din programul Start. 2.2.1 Analiza chimic n punct Toate analizele cantitative efectuate cu acest echipament se refer la arii reduse de investigare fiind caracteristice acelei zone i nu pentru tot materialul.

Pentru analiza punctelor sistemul de scanare Quantax preia controlul asupra fluxului de electroni i l direcioneaz n punctele de analiz. Punctele individuale sunt analizate n modul point. nainte de efectuarea unei analize a obiectului, este necesar s se capteze o imagine electronic a suprafeei probei n cazul n care nu exist deja o astfel de imagine n fereastra aferent. n modul Point este definit (i implicit selectat) ntotdeauna un spor de analiz, acesta poate fi deplasat prin tragere cu mouse-ul sau dnd clic pe imagine. Modul Point este prevzut cu o funcie implicit de examinare care ncepe msurarea spectrul final fiind urmrit n fereastra corespunztoare. De fiecare dat cnd obiectul selectat este deplasat achiziia de date este repornit. n figura 4 se exemplific modul de lucru Point prin analiza cantitativ ntr-un punct a diverselor materiale utilizate n electronic. n figurile urmtoare sunt prezentate micrografiile materialelor realizat cu un detector de electroni secundari pe o suprafa de 30 m cu specificarea punctului n care s-a realizat analiza. Analiza cantitativ este prezentat n tabelele urmtoare. Se observ pe lng materialele de baz din structura aliajului i alte elemente carbon, siliciu i oxigen care se gsesc n procente reduse. Au fost realizate 7 analize chimice, pe diferite arii de investigare selectate i marcate n figura 5 a- g, spectrul energiilor n figura 6 iar rezultatele effective sunt prezentate n tabelele

a)

b)

c)

d)

e)

f)

g)

Figura 5 Microscopii electronice ce situeaz puncte de analiz chimic

n figura 6 este prezentat spectrul energiilor elementelor chimice componente pe circuitul integrat analizat.

Figura 6 Spectru energiilor elementelor chimice ntlnite n cazul materialelor pentru electronic

Principalele elemente chimice ntlnite n materialele electronice sunt pe baz de siliciu, suportul, aur, contactele, aluminiu i wolfram contactorii de nclzire sau iniializare dar i elemente oxidante, oxigen, fosfor sau carbon.

Tabel 2 Compoziia chimic n punctul 1

Bruker AXS Microanalysis GmbH, Germany Quantax Results Date: Element Silicon Oxygen Aluminium Carbon Phosphorus Acquisition 1016 17/05/2010 AN 14 8 13 6 15 series K-series K-series K-series K-series K-series Net 93537 16261 73382 2163 3002 Sum: [wt.%] 37,33746 28,07948 19,82362 3,361908 2,208518 90,81098 [norm. wt.%] 41,11557 30,9208 21,82954 3,702094 2,431994 100 [norm. at.%] 31,87777 42,0834 17,61739 6,711692 1,709749 100 Error in % 1,693244 3,713735 1,023452 0,65034 0,129269 17/05/2010

Tabel 3 Compoziia chimic n punctul 2

Bruker AXS Microanalysis GmbH, Germany Quantax Results Date: Element Silicon Oxygen Aluminium Carbon Tungsten Acquisition 1017 17/05/2010 AN 14 8 13 6 74 series K-series K-series K-series K-series L-series Net 95263 15643 55906 2157 1230 Sum: [wt.%] 39,82936 30,87914 17,27252 3,673035 1,606177 93,26024 [norm. wt.%] 42,70776 33,11073 18,52078 3,938479 1,722253 100 [norm. at.%] 32,95817 44,85424 14,87753 7,107024 0,203035 100 Error in % 1,939581 4,100492 0,896766 0,708645 0,087826 17/05/2010

Tabel 4 Compoziia chimic n punctul 3

Bruker AXS Microanalysis GmbH, Germany Quantax Results Date: Element Silicon Oxygen Aluminium Tungsten Acquisition 1018 17/05/2010 AN 14 8 13 74 series K-series K-series K-series L-series Net 76652 20949 68499 3389 [wt.%] 32,10055 31,0441 20,657 5,404422 [norm. wt.%] 33,93611 32,81926 21,8382 5,713456 [norm. at.%] 27,24148 46,24617 18,2474 0,700626 Error in % 1,581473 3,987343 1,06592 0,190663 17/05/2010

Carbon Phosphorus

6 15

K-series K-series

2002 3495 Sum:

2,815575 2,569473 94,59111

2,976574 2,7164 100

5,587124 1,9772 100

0,558237 0,162017

Figura 7 Spectrul elementelor chimice n punctul 4

Tabel 5 Compoziia chimic n punctul 4
Bruker AXS Microanalysis GmbH, Germany Quantax Results Date: Element Gold Nitrogen Carbon Rubidium Tungsten Acquisition 1020 17/05/2010 AN 79 7 6 37 74 series L-series K-series K-series K-series L-series Net 34688 887 1460 692 2073 Sum: [wt.%] 49,46077 43,5544 6,618477 2,344557 2,132606 104,1108 [norm. wt.%] 47,50781 41,83466 6,357147 2,251982 2,048401 100 [norm. at.%] 6,356123 78,70821 13,9477 0,694356 0,29361 100 Error in % 1,680695 10,22953 1,379665 0,772123 0,485169 17/05/2010

n tabelul 5 este evideniat elementul aur, care pe lng combinaiile cu oxigenul probabil este ntr-un procent foarte ridicat, fiind ntr-o cantitate redus dar bazat pe proprieti excelente de prelucrabilitate.
Tabel 6 Compoziia chimic n punctul 5
Bruker AXS Microanalysis GmbH, Germany Quantax Results Date: Acquisition 1021 17/05/2010 17/05/2010

Element Gold Oxygen Nitrogen Carbon Rubidium Tungsten

AN 79 8 7 6 37 74

series L-series K-series K-series K-series K-series L-series

Net 24169 507 331 1045 650 1496 Sum:

[wt.%] 43,14453 36,03813 14,61547 5,176654 2,860962 2,040615 103,8764

[norm. wt.%] 41,5345 34,6933 14,07006 4,983477 2,754199 1,964465 100

[norm. at.%] 5,489104 56,44516 26,1484 10,80036 0,838837 0,278141 100

Error in % 1,628925 10,03131 4,697826 1,183264 0,870508 0,466373

Tabel 7 Compoziia chimic n punctul 6

Bruker AXS Microanalysis GmbH, Germany Quantax Results Date: Element Gold Nitrogen Carbon Tungsten Rubidium Aluminium Acquisition 1022 17/05/2010 AN 79 7 6 74 37 13 series L-series K-series K-series L-series K-series K-series Net 18682 465 690 3006 449 775 Sum: [wt.%] 49,61065 41,6007 6,117504 5,333766 2,622644 1,159587 106,4449 [norm. wt.%] 46,60691 39,08193 5,747111 5,010826 2,463852 1,089378 100 [norm. at.%] 6,569591 77,46769 13,28467 0,756704 0,800373 1,120966 100 Error in % 2,071487 11,89979 1,568578 0,865745 0,992006 0,225895 17/05/2010

Tabel 8 Compoziia chimic n punctul 7

Bruker AXS Microanalysis GmbH, Germany Quantax Results Date: Element Oxygen Aluminium Silicon Chromium Calcium Potassium Titanium Acquisition 1023 17/05/2010 AN 8 13 14 24 20 19 22 series K-series K-series K-series K-series K-series K-series K-series Net 909 8416 2032 619 638 217 180 Sum: [wt.%] 30,39881 27,68695 8,936817 2,43973 1,968398 0,631849 0,585308 72,64787 [norm. wt.%] 41,84405 38,11117 12,30155 3,358296 2,709506 0,869742 0,805678 100 [norm. at.%] 56,40045 30,46057 9,445617 1,392841 1,45793 0,479717 0,362877 100 Error in % 50,37299 1,487058 0,510116 0,149283 0,130612 0,076418 0,074512 17/05/2010

Apariia unor elemente ciudate, rubidiu, potasiu sau calciu este pus pe seama confuziilor de energii corespunztoare sau a contaminrii suprafeei materialelor.

2.2.2 Analiza n linie a elementelor chimice aparinnd materialelor utilizate n micro-electronic

Mediul de lucru Line Scan din grupul Objects din mediile de lucru asigur instrumentele pentru nregistrarea unui profil de concentraie dimensional pentru elementele chimice selectate. Pentru scanarea liniar sistemul de scanare Quantax preia temporar controlul asupra fasciculului de electroni pentru a scana n mod repetat suprafaa probei de-a lungul unei linii drepte care este definit n afiajul iamginii electronice ca linia de scanare. n timpul procedurii de scanare rezultatele cantitative rapide sau complete sunt proiectate ntr-o diagram de profil, care msoar cantitatea de elemente individuale n domeniul liniei de scanare. n cazul detectorului EDX numrul de elemente chimice care pot fi analizate simultan este nelimitat. Datorit actualizrii bazei de date a spectrelor selecia elementelor se poate realiza n orice moment, nainte de scanare, n timpul scanrii sau dup finalizarea acesteia. n diagrama profilurilor sunt afiate pofilele de concentraie aferente elementelor chimice selectate, n funcie de codurile de culoare. n ceea ce privete timpul de desfurare a testului pentru scanarea liniar este valabil opiunea de scanare manual sau automat a timpului dar i setarea unui timp fix. Distribuiile elementelor componente pe o linie selectat, pe cteva aliaje i materiale utilizate m electronic sunt prezentate n figurile 8-11.

a)

b)

Figura 8 Distribuia elementelor chimice aur, oxigen, carbon siliciu i crom pe o zon selectat a) aria selectat i b) distribuia calitativ i cantitativ a elementelor

Se observ o cretere a procentului de aur n toate zonele de contact i o evideniere a siliciului n jurul acestora, pe suportul electronic.

a)

b)

Figura 9 Distribuia elementelor chimice aur, oxigen, carbon i crom pe o zon selectat prezentat n imaginea a)

n diagrama profilurilor sunt afiate pofilele de concentraie aferente elementelor chimice selectate, n funcie de codurile de culoare. n ceea ce privete timpul de desfurare a testului pentru scanarea liniar este valabil opiunea de scanare manual sau automat a timpului dar i setarea unui timp fix.

a)

b)

c)

Figura 10 Distribuia elementelor chimice aur, oxigen, carbon i crom pe o zon selectat prezentat n imaginea a) iar n b) i c) sunt prezentate variaiile elementelor chimice, inclusiv siliciu n b) i fr acest element cu un procent ridicat n c) Analiza chimic n linie prezint diferitele legturi la care particip elementele componente, observndu-se compui pe baz de aur, siliciu i aluminiu i cu precdere oxizi. Din analizele realizate s-a observat c micro electronica se bazeaz pe materiale deosebite cu caracteristici speciale i proprieti excepionale.

a)

b)

c) Figura 11 Figura 10 Distribuia elementelor chimice aur, oxigen, carbon i crom pe o zon selectat prezentat n imaginea a) iar n b) i c) sunt prezentate variaiile elementelor chimice, inclusiv siliciu n b) i fr acest element cu un procent ridicat n c)

2.2.3 Distribuia elementelor prin mapare

Mediul de lucru Mapping din grupul Objects permite nregistrarea maprilor distribuiei bidimensionale a elementelor chimice selectate pe suprafaa probei. Pentru realizarea maprii Quantax preia temporar controlul defleciei fasciculului de electroni. n timp ce fasciculul de electroni scaneaz continuu suprafeei probei, datele sunt evaluate i memorate n baza de date pentru mapri (mapare rapid).

n mod alternativ fasciculul este focalizat asupra fiecrui timp suficient de mult pentru a se nregistra un spectru corespunztor pentru cuantificare (mapare cantitativ complet). n cazul detectorului EDX numrul de elemente chimice care pot fi mapate simultan este practic nelimitat. Maprile individuale pot fi post procesate i mixate cu imagini electronice de nalt definiie pentru a crea imagini multicolore, de nalt rezoluie a elementelor. Mediul de lucru mapping include un ecran mprit n patru zone distincte, n stnga sus se afl fereastra de captare a imagini, dedesubt se afl comenzi specifice pentru filtre de imagine i pentru procesul de mapare. n fereastra principal din dreapta este afiat imaginea final a elementelor (imagine mixt) iar dedesubt este situat clipboard-ul pentru imaginea elementelor. Imaginea principal de pe partea dreapt a mediului de lucru poate afia o singur mapare sau o imagine mixat, maprile de elemente individuale sunt caracterizate de coduri de culoare introduse dintr-o agend special. Pentru mapare opiunile legate de timp disponibile sunt setarea manual a timpului, un timp fix de msurare i numrul de repetare al cadrelor. O opiune special de mapare este media cadrelor n micare care mpiedic formarea unor imagini neclare la un timp de mapare foarte lung. Exemplificarea utilizrii modului Mapping de analiz pe materiale electronice este realizat n figurile 12 i 13.

a)

b)

c)

d)

e)

f)

Figura 12 Distribuia elementelor chimice prin mapare n cazul unei zone de inciden pe un micro procesor de tip Intel a) zo0na selectat pentru analiz, b) distribuia tuturor elementelor chimice urmrite, c) distribuia siliciului, d) distribuia aurului, e) distribuia aluminiului i f) distribuia carbonului

a)

b)

c)

d)

e)

f)
Figura 13 Maparea elementelor componente n cazul zonei active i parial de trecere a unui circuit integrat, un driver video, la o putere de mrire de 2500x

Distribuia elementelor chimice componente relev informaii importante despre procedura de realizare a acestor componente electronice, n special zonele sensibile, de contact sau cele de dimensiuni foarte mici i automat deosebit de pretenioase.

3. Concluzii
Domeniul aliajelor i a materialelor pentru micro electronic prezint un interes crescnd pe baza multitudinilor de aplicaii n care acestea sunt implicate. Analiza chimic n linie prezint diferitele legturi la care particip elementele componente, observndu-se compui pe baz de aur, siliciu i aluminiu i cu precdere oxizi. Din analizele realizate s-a observat c micro electronica se bazeaz pe materiale deosebite cu caracteristici speciale i proprieti excepionale. Un domeniu de vrf al aplicaiilor industriale necesit, n mod evident, elemente cu proprieti deosebite acestea gsindu-i proprietile la elemente precum aur, siliciu, aluminiu etc.

Bibliografie 1. O. Iancu- Materiale i componente electronice, Ed. UPB, Bucureti, 1988 2. P. chiopu, S. Vasilescu Teoria i proiecterea componentelor pasive, Ed. UPB, Bucureti, 1976 3. I. S. Jeludev Cristale electrice, Bucureti, Editura Tehnic, 1973 4. O. Iancu, P. chiopu, S. Vasilescu Dispozitive dielectrice i magnetice, Editura UPB, Bucureti, 1976