Curs CTEE

CONSTRUCIA I
TEHNOLOGIA
ECHIPAMENTELOR
ELECTRONICE
Prof. Dr. Ing. Horia
Crstea
2
CONSTRUCIA I TEHNOLOGIA ECHIPAMENTELOR ELECTRONICE
Clasificarea echipamentelor electronice dup destinaie

a) Echipamente electronice de uz general
b) Echipamente electronice de uz profesional
c) Echipamente electronice de uz special
Clasificarea echipamentelor electronice dup felul produciei

a) Echipamente de serie mic (sute de buci pe an)
b) Echipamente de serie medie (zeci de mii de buci pe an)
c) Echipamente de serie mare (sute de mii de buci pe an)
CAPITOLUL 1: CONCEPII ACTUALE N CONSTRUCIA I TEHNOLOGIA
ECHIPAMENTELOR ELECTRONICE
3
Clasificarea echipamentelor electronice dup securitatea
oferit n funcionare
a) Echipamente n clasa I de protecie
4
b) Echipamente n clasa a II-a de protecie
5
c) Echipamente n clasa a III-a de protecie
6
Calitatea echipamentelor electronice
Costuri
Costul
asigurrii calitii
Costuri totale
Costuri datorate defeciunilor
Nivel
Nivel optim de calitate
Definirea nivelului optim al calitii
7
Calitatea echipamentelor electronice
CALITATEA ECHIPAMENTELOR ELECTRONICE
La un moment dat ntr-un interval de timp
CONFORMITATE MENTABILITATE FIABILITATE
Coninutul noiunii de calitate la echipamentele electronice
8
Tehnologia cablajelor imprimate

Clasificare:

a) Dup proprietile mecanice ale suportului:
cablaje pe suport rigid
cablaje pe suport flexibil

b) Dup numrul de plane n care se situeaz conductoare :
Cablaje monostrat (simplu)
Cablaje dublustrat
Cablaje multistrat
CAPITOLUL 2: TEHNOLOGIA SUBANSAMBLELOR FUNCIONALE
9
c) Dup modalitatea de realizare a contactelor ntre conductoarele
situate n plane diferite:
cablaje cu guri nemetalizate
cablaje cu guri metalizate
d) Dup tehnologia de realizare :
tehnologii substractive
tehnologii aditive
tehnologii de sintez
10
Tehnologii substractive de realizare a cablajelor imprimate
a) Tehnologii substractive de realizare a cablajelor imprimate simplu
sau dublu stratificate cu guri nemetalizate
Cupru
Semifabricat placat pe ambele Izolator
fee. Splare, curare, degresare
Cupru
Lac protector
Imprimarea desenului n pozitiv, (masc fa)
serigrafie, fotolitografie, offset
Lac protector
(masc fa)
Corodare chimic
ndeprtare lac protector
Prelucrri mecanice
Gurire, tiere, decupare
Masc de
Imprimare masc selectiv lipire
de lipire
Lac de
Acoperire cu lac de protecie protecie
prin pensulare pulverizare sau (fondant pt. lipire)
vluire
Cupru dup
corodare
11
b) Tehnologii substractive de realizare a cablajelor imprimate dublu
stratificate cu guri metalizate
Folie decupru
Semifabricatdubluplacat Suportizolator
spalare,degresare,curatare
Gaurire,curatire de span
Catalizator
Acoperireagaurilor cu
catalizator
Cuprudepuschimic
Cuprarechimica
1-2m
Lac protector
Imprimarea desenului in negativ
Serigrafie,foto, offset
Metalizare de protecie
Cupru depus galvanic
Creterea galvanic a cuprului (n10m)
i metalizare de protecie
Zn, Pb, Sn, Ag, Au
Lac protector
ndeprtarea lacului de
protecie i corodare selectiv Gaura nemetalizat
Masca selectiva
de lipire
Executareagaurilormetalizate
si imprimareamastii selecte
Gaur
12
c) Tehnologii substractive de realizare a cablajelor multistrat
Folie de cupru
Obinerea cablajelor fiecrui strat
dup procedeul descris la paragraful Izolator (suport)
2.2.2.a
Folii intermediare
Suprapunerea cablajelor cu pelicule adezive (termoplaste)
intermediare din folii impregnate
cu adezivi sau folii termoplaste
Subansamblu rigid
Presare i sintetizare
Gaur nemetalizat
Gurire, curarea gurilor i corodarea
interioar a foliilor izolatoare
Gaur metalizat
Masc selectiv
de lipire
Metalizarea gurilor i imprimarea
mtii selective lipire
13
Tehnologii aditive de realizare a cablajelor imprimate
Etapele de realizare a unui cablaj imprimat dublu strat cu guri
metalizate prin tehnologii aditive
Aditiv
Suport neplacat acoperit cu Suport izolator
aditiv pe ambele fee
Catalizator
Gurire, curarea gurilor i
acoperire cu catalizator
Lac protector (masc)
Imprimarea desenului n
imagine negativ
(
serigrafie, fotolitografie)
Cupru depus chimic
Depunere chimic de cupru
n strat subire (1 2m)
Cupru crescut galvanic
Creterea galvanic a stratului
de cupru
Gaur metalizat
nlturarea lacului protector
Masc selectiv de lipire
Practicarea gurilor nemetalizate
i formarea mtii selective
de lipire
Gaur nemetalizat
14
Seciune printr-un cablaj imprimat multistratificat realizat prin
tehnologii aditive
Gaur metalizat
Conexiuni inter straturi
Straturi
izolatoare succesive
Izolator
intermediar
Trasee de
interconectare
15
Tehnologii de sintez pentru realizarea cablajelor imprimate
Seciune printr-un cablaj imprimat multistratificat realizat prin
tehnologii de sintez
Conexiune ntre straturi
Gaur metalizat Metalizri fa
Conductor
imprimat
Izolator
intermediar
Suport
izolator
Metalizri spate
16
Imprimarea prin metoda fotolitografic
s permit depunerea sub form de straturi subiri continue i
uniforme att pe suprafee conductoare ct i dielectrice sau
semiconductoare;

s fie rezisteni la aciunea acizilor tari cu care se lucreaz n
microelectronic;

s aib maximul sensibilitii spectrale n domeniul ultraviolet;

s fie stabili, s nu contamineze i s nu impurifice necontrolat;

s aib o rezoluie ridicat i un pre de cost acceptabil.
Caracteristicile pe care trebuie s le ndeplineasc fotorezitii sunt
urmtoarele:
17
Etapele tehnologice ale procesului fotolitografic de mascare cu
fotorezist pozitiv
Folie cupru
Pregtire semifabricat
curare, decapare splare Izolator
Fotorezist pozitiv
Depunere fotorezist centrifugare
vluire, pulverizare
Lumin UV
Masc contact
Aplicare masc de contact (clieu foto)
(clieu foto) i expumere
n ultraviolete
Fotorezist
Developare, fixare, splare polimerizat
decontaminare
Cupru dup
Corodare chimic i corodare
ndeprtare fotorezist
18
Imprimarea prin metoda serigrafic
Exemplu de masc serigrafic
Ochiuri obturate
cu subst. fotosensibil
Cadrul sitei
Firele sitei
Ochiuri libere
19
Aplicarea mtii serigrafice la imprimare
Raclet Cerneal serografic Ram fixare
Masc serigrafic
Reglet
pentru Semifabricat
poziionare placat cu cupru
asiu
Pompa de vid
20
Etapele tehnologice ale imprimrii prin procedee serigrafice
Folie de cupru
Pregtire semifabricat Izolator
curare, decapare, splare
Masc serigrafic
Realizarea mtii
serigrafice
Raclet Cerneal serigrafic
Imprimarea desenului
n imagine pozitiv
Cerneal serigrafic
ndeprtarea mtii uscarea protectoare
i stabilizarea cernelii serig.
Cupru dup
Corodare chimic i corodare
ndeprtare cerneal serig
21
Tehnologii de echipare a cablajelor imprimate
a) Plantarea terminalelor componentelor n guri b) Plantarea componentelor cu terminalele
direct pe padurile de lipire

Component Component
Suport izolator Pastil (pad)
de contactare
Paduri contactare
Modaliti de echipare cu componente a cablajelor imprimate
22
Procedee de contactare pentru componentele implantabile
Ordinograma
procesului
tehnologic de lipire
manual
Aliaj de A Stabilirea materialelor F
M
Flux
lipire corespunztoare aplicaiei de lipire
O
1
Curarea suprafeelor
de contactare
T
1
Aplicarea fluxului
corespunztor
Aducerea materialului de
T
2
baz i a padului de
contactare la temp. optim
O
2
Topirea aliajului
Umectarea i ntinderea aliajului
T
3
pe suprafaa terminalului i a
padului de contactare
Refacerea O3 Difuzia reciproc a materialului de
lipiturii baz i a aliajului de lipit.
Formarea stratului intermolecular
T
4
Rcirea i solidificarea aliajului
Ru.
Controlul vizual al lipiturii
Bun
O4 Acoperirea conexiunii cu lac
protector
23
Structura unei linii automate de lipire cu val
Fixarea plcilor Fluxarea Splare,
cu cablaj imprimat - cu jet Prenclzire Lipire decontaminare,
n ramele de - cu val cu uscare,
transport - spumare val subansamblu
24
Principiul lipirii cu val dublu
25
Caracteristicile necesare unei lipituri pentru a fi acceptat:
forma s fie tronconic, prile laterale ale lipiturii s aib o form
concav

s acopere terminalul complet i uniform

nlimea trunchiului de con s fie aproximativ 3/4 din lungimea
terminalului vzut dinspre faa pe care se execut lipitura. nlimea
sa maxim s nu depeasc 0,50,8 din diametrul pastilei de lipire.

unghiurile de contact att cu terminalul ct i cu pastila de lipire s
fie ct mai mici (maxim 30), dovada unei bune umectri a acestora
de ctre aliajul de lipit.

suprafaa s fie lucioas i strlucitoare fr asperiti sau
crpturi
26
Seciunea printr-o lipitur evideniind cele 6 unghiuri de contact
formate la interfeele terminal-aliaj-pad contactare
o
3
Component
o
4
Izolator
o
5
Pad de contactare
o
6
o
1
o
2
Lipitur
Terminal
27
Principalele defecte ale conexiunilor electrice prin lipire ntlnite n procesele
de contactare automat :
defecte de form (puni de aliaj, stalactite)

defecte de aspect (umectare, deumectare necorespunztoare)

defecte de montaj (terminale scurte, oxidate)

alte defecte (lipituri false, reziduuri albe, lipituri galbene)
28
Tehnologia montrii pe suprafa(SMA)
Exemplu comparativ de subansamblu funcional realizat n tehnologie
tradiional i tehnologia SMA
29
Schema de principiu a fluxului
tehnologic de asamblare a
componentelor electronice prin
montarea pe suprafa
30
Echipamente robotizate pentru montarea pe suprafa
Schema bloc de principiu a unui echipament automat pentru montarea pe
suprafa
31
Pentru exemplificare se prezint sintetic principalele caracteristici tehnice ale
instalaiei automate de implantat componente electronice n tehnica montrii pe
suprafa, tip ONSERTER II, fabricat de firma UNIVERSAL :

dou module independente de asamblare simultan prevzute fiecare cu cte
patru pipete de plantare succesiv

viteza de implantare este de 10.000 componente/or, ceea ce reprezint 1,44
secunde/component/modul

sistemul de poziionare a componentelor n coordonate carteziene, asigur
precizii de +0,051 mm

sistemul de orientare spaial permite rotaii cu unghiuri de pn la 360,
programabil n trepte de cte un grad cu o precizie de 0,1

manipuleaz componente electronice cu diferite forme geometrice i suprafee
cuprinse n domeniul: min l,02 mm2 - max 31,8 mm2

32
(Continuare)

presiunea aplicat la implantare poate varia de la 10 la 400 N/m2 n trepte de
cte 10 N/m2

conine dispozitive de alimentare cu componente electronice, interschimbabile,
sub form de jgheab, role sau caviti matriciale

detecteaz absena componentelor i iniiaz un ciclu finit de ncercri pentru
prinderea i amplasarea corect a componentelor electronice

analizeaz continuitatea traseelor metalice de interconexiuni i calitatea
conexiunilor electrice prin lipire i decide asupra plcilor asamblate care necesit
remedieri

instalaia este prevzut cu un sistem de captare i prelucrare numeric a
imaginilor, organizat n jurul microprocesorului 8086. Decizia de acceptare sau
respingere a produselor inspectate este luat pe baza unor criterii de potrivire,
care pot fi modificate prin soft.
33
Masa electronic de semnal
Exemplificarea perturbaiilor generate pe traseul de mas ntr-un sistem de
amplificare.

e perturbati
m c a i
Z I I U U - + + = ) (
1 1 01 2

e perturbati
m c a i S
Z I I A U A A U - + + - = ) (
1 1 2 1 2 1
34
Masa electronic de semnal monopunct
Schema de interconectare la mas de semnal monopunct serie
UG3 = Z3Ia3+Z2(Ia3+Ia2)+Z1(Ia3+Ia2+Ia1) > UG2 > UG1
35
Schema de interconectare la masa de semnal monopunct paralel
I
a1
I
a2
I
a3
Z
m1
Z
m3
Z
m2
36
Schema de interconectare a unui stabilizator integrat la mas monopunct
serie:
a) Schema electric; b) Circuit imprimat incorect; c) Circuit imprimat corect.
perturbaie
37
Regula paralelogramelor: pentru reducerea cuplajelor parazite, att tensiunile
de alimentare, ct i cele de semnal vor fi conduse cu retur propriu, ochiurile de
reea care se formeaz fiind organizate sub form de paralelograme, care vor
avea un singur punct comun de mas.
Regula paralelogramelor cu un singur punct comun de referin
38
Interconectarea la masa monopunct paralel optimal a unui sistem de alimentare
39
Masa electronic de semnal multipunct
Schema de interconectare la masa electronic de semnal multipunct
I
a1
I
a2
I
a3
40
Influena traseului de mas asupra caracteristicii de ieire a
surselor stabilizate de tensiune continu
Caracteristicile de ieire obtenabile pentru diferite modaliti de conectare la mas
a referinei i a divizorului tensiunii de comparat
41
Conectarea la mas a etajelor de amplificare
Exemplu de perturbaie cuplat galvanic la intrarea unui amplificator prin traseul
de mas
a) Cablaj incorect; b) Cablaj corect
42
Schema pentru atenuarea influenei perturbatoare a cderii de tensiune
parazite pe traseul de mas
43
Canal excitat
Canal neexcitat
Schema bloc de principiu a unui amplificator stereofonic
I
I
r
r r
AB
AB
AB
AB AB
2
1
1
1 2
=
+
I
I
r
r r
AB
AB
AB
AB AB
2
1
1
1 2
=
+
r >> r
AB1
44
nserierea de rezistoare pe traseul de mas pentru reducerea diafoniei la
amplificatorul stereofonic
neexcitat
U
U
max
= A
1
1
2
2
AB
S
rAB
S
r
R
U
U
~ = A
45
Modaliti posibile de interconectare a sursei de semnal la masa unui
amplificator audio integrat
46
Legtur ct mai scurt i
ct mai aproape de pinii
integratului
Conectarea corect la mas a unui amplificator audio de putere integrat
47
Referinta
Referinta
si sarcina
Referinta
semnal
Referinta
alimentare si
sarcina
Sistem de interconectare al etajelor de amplificare
48
Modalitate corect de conectare la mas a unui lan de amplificatoare
49
Masa analogic i masa digital
Separarea masei analogice de masa digital
50
R
A
Calibrarea curentului prin rezistena de sarcin la un CNA
51
R
Configuraie ameliorat perturbativ care asigur i calibrarea curentului prin
rezistena de sarcin
52
Glitchuri (ciupituri) n caracteristica de transfer a unui CNA
53
Printre procedeele recomandate pentru atenuarea glitch-urilor:
utilizarea unor circuite de memorare a informaiei analogice pe durata

comutrii strilor

pentru convertoarele foarte rapide se recomand reinerea n

registre intermediare a informaiei digitale de la intrare

utilizarea unor pori cu diode comandate sincron, care s scurtcircuiteze

vrfurile glitch-urilor

pentru conversii mai lente se recomand utilizarea de diode montate n
antifaz i conectate la masa convertorului, nserierea de filtre trece jos etc.
54
Deglicizor cu limitor comandat sincron
Conectarea traseelor de mas ntr-un sistem ce conine CAN
55
Masa sistemelor electronice care conin att circuite analogice
ct i digitale sau de for
Echipament de comand numeric cu sensibiliti de ordinul milivolilor
56
Masa sistemelor electronice care conin att circuite analogice
ct i digitale sau de for
Sistem de electronic industrial coninnd o parte de for perturbativ
57
Atenuarea perturbaiilor prin decuplarea surselor de
alimentare
alimentare
ieei
1
U
U
A
PSRR
CC
A
A
=
mV U A PSRR U
CC
300
alim ieei
= A = A
Realizarea decuplrii corecte a alimentrilor unui amplificator operaional
58
alimentare
Modalitatea eficient de decuplare a surselor de alimentare la un AO
59
alimentare
Modaliti posibile de realizare a decuplrii surselor de alimentare n sisteme de
amplificare:

a) La un amplificator cu reacie "Feed forward''; b) la un amplificator de band larg.
60
alimentare
Schema de interconectare i decuplarea alimentrilor ntr-un sistem complex
de prelucrare analogic a informaiei
61
Realizarea mpmntrii de protecie i conectarea masei
electronice la mpmntare
Z
fuga
I
Faza
RETEA
220V
Z
in
NUL
Echipamentul
Conductor de pamnatare protejat cu
pamantare
Conductor de masa masa electronica
R
p
Nerecomandat
Pamantare I Pamantare
generala Zonala
Conectarea masei electronice la pmntare n echipamentele electronice
protejate mpotriva electrocutrii
62
Reeaua pmntrii de protecie
Realizarea reelei de pmntare se face practic n dou moduri:

prin plantarea vertical a unui ru metalic ngropat n sol la adncimi
mai mari de 2m

prin pozarea unei grile (site) de conductoare orizontale sudate ntre ele
i conectate la bara de pmntare
Zon de
Centur pmntare Cldire Ciment cu Cablu de pmntare
extern Ciment cu nisip centur >30cm
pietri
<20m
>2m >30cm
Sol
ru
metalic
Modaliti practice de realizare a reelei de pmntare
63
Reeaua pmntrii de protecie
I
Priz de U Electrod
msurat 1 2 Electrod 3 de injecie
de masur
l/2 l/2
R
T
=U/I
R
T
I
Schema de msurare industrial a rezistenei unei pmntri de protecie
64
Calitatea legturii potenialelor de referin
Conductor de protecie
a altor instalaii
Echipament
general de Ctre sistemele
alimentare de
prelucrare
Born principal
de pmnt
Born de
pmntare local
Priz de Mas
pmntare local
Schema de interconectare cu punct comun la pmntarea de protecie
65
Conectarea potenialelor de referin ntre sisteme dispuse n
incinte metalice diferite
Etaj final Etaj intermediar Etaj diferenial
+V
CC
R R
Cablu bifilar
ecranat
C
d
I
1
I
2
C
d
C
d
I
3
+
Ieire A
1
A
2
A
3
-
asiu
Pmntare
Masa Semnale cu amplitudine de protecie
electronic Cresctoare
Descreterea consumurilor de
la sursa de alimentare
Sistem de prelucrare cu masa flotant
66
Unitate Cablu semnal
central Periferic
I
M
0
Conexiune M
1
scurt
I
Perturbator I
I Legtur
nerecomandat
Pmntare de protecie
Conectarea perifericelor la unitatea central
67
Conectarea potenialelor de referin ntre sisteme dispuse n incinte metalice diferite
68
Conectarea traductoarelor la sistemele electronice de
prelucrare
Ecran cablu
AMPLIFICATOR
TRADUCTOR - RECEPTOR
A
C
P
C
p

+
T C
p
C
p
C
p
C
p
C
p
I
p
Ecran cablu I
p
M
1
M
2
U
MC
Modaliti de cuplare parazit a perturbaiilor la conectarea traductoarelor cu
sistemul de prelucrare
69
prelucrare
a) Traductorul posed mpmntare obligatorie
TRADUCTOR
NEIZOLAT Ecran cablu
+
A
T
C
P
-
U
MC
TRADUCTOR AMPLIFICATOR
NEIZOLAT R Ecran cablu IZOLAT
C
+
T FTJ A
-
U
MC
a) Ecran conectat la pmntare b) Ecran conectat la masa electronic
Modaliti practice de conectare a traductoarelor neizolate
70
prelucrare
b) Amplificatorul receptor are mpmntare obligatorie
a) Ecran conectat numai la un capt b) Ecran conectat la ambele capete
Modaliti practice de conectare a traductoarelor izolate
Amplificator
neizolat
Ecran cablu
T A
C
P
U
MC
Ecran izolat de mas
Amplificator
Ecran cablu Neizolat
T A
C
pi
U
MC
71
prelucrare
c) Traductor conectat intrisec la mpmntarea zonal i amplificatorul
receptor conectat la o alt mpmntare
asiu
NEIZOLAT R IZOLATOR
C
Ecran cablu
T
Gard
U
MC
NEIZOLAT OPTO CUPLOR NEIZOLAT
Ecran cablu
T - A
+
U
MC
Modaliti practice de interconectare a traductoarelor neizolate cu amplificatoarele
receptoare neizolate
72
Cuplarea parazit capacitiv
2
0
12
1
|
|
.
|
\
|
+

=
e
e
e C R
U
U
i
P
N
) (
1
2 12
0
M i
C C R +
= e
, unde
73
n domeniul frecvenelor sczute ( e<<e0):
12
0
C R
U
U
i
P
N
=
<<
e
e e
2
1
2 12
12
0
+
=
=
M P
N
C C
C
U
U
e e
M P
N
C C
C
U
U
2 12
12
0
+
=
>>e e
la frecvena e=e0 :
la frecvene ridicate, pentru care e>>e0
74
Dependena de frecven a nivelului diafoniei datorat cuplajului parazit capacitiv
75
Cuplarea parazit capacitiv cu traseul perturbat ecranat
76
0
0
2 2 12
12
1
e
e
e
e
j
j
C C C
C
U
U
E M P
N
+
+ +
=
Schema real a cuplajului parazit capacitiv avnd conductorul perturbat ecranat
) (
1
2 2 12
0
E M i
C C C R + +
= e
77
Soluii tehnologice de atenuare a perturbaiilor cuplate
capacitiv n sistemele analogice de semnal
a) ndeprtarea traseului perturbat fa de traseul perturbator, ceea ce
echivaleaz cu scderea capacitii de cuplaj.

b) Reducerea rezistenei de intrare a receptorului pn la limita acceptat de
schem i de consumuri, sau micorarea ei selectiv cu frecvena, prin filtrare
adaptiv. Trebuie reinut c nencrcarea liniei perturbate conduce ntotdeauna
la perturbaii foarte mari ( cazul amplificatoarelor operaionale cu impedan
de intrare foarte mare).

c) Ecranarea traseului perturbat fa de traseul perturbator. Legtura la mas
a unui ecran are influene favorabile antiperturbativ i este suficient s se
realizeze ntr-un singur punct cu conductoare avnd lungimea ct mai mic
(1</10 unde reprezint lungimea de und a radiaiei perturbatoare).
78
Soluii tehnologice de atenuare a perturbaiilor cuplate
capacitiv n sistemele analogice de semnal
(continuare)

d) Torsadarea celor dou trasee de semnal de la intrarea receptorului analogic
constituie o msur eficient de reducere a cuplajelor parazite inductive i
capacitive, mai ales dac se utilizeaz recepia diferenial. n aceast situaie,
torsadarea uniformizeaz i balanseaz influenele cuplajelor capacitive, oferind
posibilitatea rejeciei difereniale. Prin torsadare, apare i un efect de ecranare
electrostatic (incomplet), care reduce cuplajele capacitive ale firului de semnal.

e) Aplicarea procedurilor geometrico-spaiale de separare, sortare, scurtare,
distanare, perpendicularizare, simetrizare, radializare etc. au efecte favorabile
antiperturbativ.

f) Reducerea nivelului i spectrului semnalului perturbator prin aplicarea tehnicilor
de sortare n clase de legturi, funcie de nivelurile transmise i de sensibilitile
la perturbaii acceptate. n general aplicarea unor capaciti conectate la mas att n
circuitul perturbat ct i la ieirea circuitului perturbator atenueaz fronturile rapide
perturbatoare i prin aceasta are influene favorabile perturbativ.
79
Atenuarea cuplajelor parazite capacitive prin gardri i
ecranri active
Cuplaje parazite capacitive la ecranarea unui amplificator:
a)Ecranare incorect; b)Ecranare corect
80
ecranri active
Perturbarea amplificatorului receptor datorit generatorului parazit pe mod comun
81
ecranri active
Amplasarea i conectarea la mas a ecranului de gard
82
ecranri active
In
Modaliti de interconectare a ecranului de gard la un amplificator
operaional de precizie
83
ecranri active
Schema de principiu a ecranrii active
84
Cuplarea parazit inductiv
Determinarea nivelului diafoniei produs la cuplarea parazit
inductiv
Modelul fizic i schema echivalent a cuplajului parazit inductiv
= =
2 2
'
S S N
U U U ) (
) )( (
2 2 2
12
2
12
2
2 2 2 1 1
2 12
L j R R
M j
U
M L j R R L j R
R M j
S g
P
S g S
S
e
e
e e e
e
+ +
+
+ + + +
=
85
inductiv
Schema cuplajului parazit inductiv cu traseul perturbat ecranat
C
C
P
N
j
j
K
U
U
e
e
e
e
+
=
1
86
inductiv
Dependena de frecven a nivelului diafoniei datorat cuplajului parazit inductiv
E
E
C
L
R
f f
t 2
5
5 = =
87
Soluii tehnologice de atenuare a perturbaiilor cuplate inductiv
n sistemele analogice de semnal
a) Reducerea inductivitii mutuale de cuplaj aplicnd proceduri geometrico-
spaiale de perpendicularizare, scurtare, distanare, radializare i simetrizare.
Se estimeaz urmtorii coeficieni de reducere a perturbaiilor:
prin perpendicularizarea legturilor cu circa 30%;
prin egalizarea (simetrizarea i balansarea) legturilor n cabluri cu circa 10%;
prin distanare i radializare cu circa 20%.

b) ntruct tensiunea perturbatoare indus ntr-o bucl conductoare de arie A,
datorat variaiei sinusoidale a fluxului magnetic este:

u e cos A B j U
N
=
88
Soluii tehnologice de atenuare a perturbaiilor cuplate inductiv
n sistemele analogice de semnal
Micorarea ariei de recepie a buclei conductorului receptor
Atenuarea perturbaiilor de natur inductiv prin torsadare i ecranare
89
Atenuarea radiaiei externe a cablurilor prin ecranare
C
C
I E
j
j
I I
e
e
e
e
+
=
1
cu: e
C
=R
E
/L
E

90
Exemplificarea curentului de ntoarcere prin planul de mas la un
conductor ecranat
91
Schema de interconectare la mas a ecranului cu forarea returului prin ecran.
a) Cu emitor flotant; b) Cu receptor flotant
92
Formarea unei bucle radiante la
tresa cablului coaxial ecranat
Exemplu de ecranare
cu mare eficien
93
Reguli de cablare a conductoarelor de legtur
1) Conductorul de retur trebuie condus ntotdeauna n vecintatea conductoarelor
de semnal sau de alimentare
94
2) Conducei toate legturile interne (fire sau fascicule) sub form de mnunchiuri
n apropierea structurilor echipoteniale de mas
95
3) este recomandat s se ecraneze cablurile zgomotoase conduse n apropierea
cablurilor sensibile la perturbaii
96
4) Numai perechile de cabluri din aceeai familie pot fi conduse unele lng
altele n cadrul aceluiai fascicol
97
5) Dac la acelai conector se leag att semnale analogice ct i digitale este
necesar s se separe cele dou familii prin contate racordate simultan att la
masa analogic ct i la masa digital
98
6) Toate conductoarele libere (excedentare) dintr-un mnunchi de cabluri care
transmit semnale digitale sau de for trebuie conectate la anvelopa metalic a
asiului cu ambele capete
99
7) ndeprtai cablurile perturbatoare (circuite de comand, control, acionare,
de alimentare a sectoarelor, de putere n comutaie sau de reglaj a convertoarelor
cu ciopare) de cablurile sensibile la perturbaii (analogice sau numerice) mai ales
dac se afl o distan mare fa de planul de mas
100
8) n acelai mnunchi de cabluri nu trebuie conduse niciodat cabluri care
transmit semnale ale unor familii sensibile la perturbaii alturi de cabluri care
conduc semnale de putere sau perturbatoare.
101
9) Cablurile care transmit semnale perturbatoare (de putere, comenzi,
acionri) nu trebuie neaprat ecranate, dar este necesar s fie bine filtrate
102
10) Dac un conductor de semnal mpreun cu returul su, este condus n
vecintatea conductorului de pmntare, este posibil (dac normativele solicit)
s se conecteze returul la pmntarea de protecie, dar intersectarea trebuie
realizat la 90 pentru a limita diafonia ntre conductorul de pmntare i cablul
de interconectare
103
Cuplarea parazit prin radiaii electromagnetice
Impedana unui ecran
ec o
e
j
j
Z
w
+
=
Pentru ecranele conductoare: o>>jec
4
t
o
e
o
e
j
w
e
j
Z = =
unde: o- conductivitatea, - permeabilitatea, c - permitivitatea, caracterizeaz
mediul nconjurtor. Pentru vid aceast mrime are valoarea Z0=377O
104
Impedana unui ecran

Z
d
W
E
=
1
ec
Z
max
=18000/(fd)
Z
W
50kO
cmp electric
(imp. ridicat) Z
0
=120t
Z
0
cmp magnetic
377O (imp. sczut)
50O
Z d
W
H
= =
Z
min
=7,9fd
0,5/2t /2t 5/2t Distana fa
zona cmpului zona de zona cmpului de surs (n/2t)
apropiat tranziie deprtat
Dependena impedanei de und de valoarea cmpului electric i magnetic aplicat
Expresia normalizat a impedanei de und a unui ecran:
f K Z
r
r
w
=
o
unde:
, / 10 68 , 3
7
Hz K O =

, /
Cu r
=
. /
Cu r
o o o =
105
Impedana unui ecran
Dac studiem comportarea n domeniul frecven a impedanei de suprafa (sau
de barier) a unui ecran, constatm urmtoarele:

La frecvene sczute sau pentru ecrane subiri (x<0,7o) curentul se nchide prin
volumul ecranului i impedana de suprafa este pur rezistiv:

RS=1710-6/orx
unde: or este conductivitatea relativ raportat la cupru
x grosimea ecranului n mm

La frecvene ridicate curentul se nchide numai printr-un strat superficial din
grosimea ecranului i deci impedana superficial crete proporional cu radicalul
frecvenei (i este independent de grosimea ecranului dac se respect
inegalitatea x>0,7o);
r
r
S
f
Z
o
=
6
10 370
unde: f este frecvena exprimat n MHz
r permeabilitatea relativ
or - conductibilitatea relativ a metalului
106
Impedana unui ecran
Z
S
[O/]
R
S
=(1710
-6
)/(o
r
x)

Z
f
S
r
r
=

=
370 10
6

o
R
S
x<0,7o x>0,7o
R
S
Z
S
F
j
F
s
Frecventa
Dependena de frecven a impedanei de suprafa a unui ecran
107
Eficacitatea ecranelor
] [ lg 20
1
0
dB
E
E
S
E
=
Cmpul electric/magnetic incident E0/H0 i transmis E1/H1 printr-un ecran
] [ lg 20
1
0
dB
H
H
S
H
=
S=A+R+B
Se numete eficacitatea (eficiena) ecranului la cmp electric (magnetic) i
se noteaz cu mrimea exprimat prin relaia:
Se poate scrie eficacitatea ecranelor S (n decibeli) ca o sum de trei termeni:
108
a) Atenuarea prin absorbie
) exp( 0 1
o
x
E E =
) exp( 0 1
o
x
H H =
Dependena cmpului electric i magnetic de grosimea ecranului
109
a) Atenuarea prin absorbie
Adncimea de ptrundere o:
eo
o
2
=
] [
066 , 0
m
f
r r

=
o
o
o
x
E
E
A 6 , 8 lg 20
0
= =
- dac se folosete ca referin cuprul:
] [ 131 , 0
] [ ] [
dB f x A
Hz
r r
mm
o =
110
b) Atenuarea prin reflexie
Exemplificarea atenurii prin reflexie n ecrane electromagnetice
111
H
r
w
w
r
E
H
H
Z Z
Z Z
E
E
I = =
+
= = I
0 0
0
0
0
0
2
Z Z
Z
T
w
E
+
=
0
2
Z Z
Z
T
w
w
H
+
=
2
0
0
0
21
1
) (
4
Z Z
Z Z
E T E E
w
w
t
+
= =
2
0
0
0
21
1
) (
4
Z Z
Z Z
H T H H
w
w
t
+
= =
112
n situaiile practice Z0=377 O iar ecranul fiind conductor are Zw<<Z0

=>
0
0
4
Z
Z
E E
w
t =
0
0
4
Z
Z
H H
w
t =
Considerand expresia normalizat a impedanei de und a unui ecran:
f K Z
r
r
w
=
o
rezult expresia atenurii prin reflexie n ecrane:

f
E
E
R
r
r
t
= =
o
lg 10 168 lg 20
0
113
c tfd
Z
E
2
1
0
=
tfd Z
H
2
0
=
t 2 / s d
cu
Dependena atenurii prin reflexie de frecven i de calitatea materialelor utilizate la ecranare.
114
c) Factorul de corecie B
] [ 1 log 20
2
dB e B
x
|
|
.
|
\
|
=

o
f
e
f x S
r
r
x
r r
+ + =

o
o
o
2
2
) 1 (
lg 10 131 , 0 168
115
c) Factorul de corecie B
Dependena factorului de corecie B
de atenuare prin absorbie la construcia
ecranelor groase
Dependena de frecven a
eficacitii unui ecran confecionat
din diferite materiale
116
Ecranarea compartimentelor. Fante i guri de aerisire n
ecrane
micorarea (prin proiectare) a induciei magnetice n miez, mult sub valoarea
corespunztoare saturaiei. Aceast soluie conduce ns la creterea
dimensiunilor de gabarit ale transformatorului;

utilizarea miezurilor de tip jug sau toroidal n locul tolelor de tip E.+I;

amplasarea n jurul transformatorului a unui inel metalic din cupru masiv sudat
la capete sub form de spir n scurtcircuit, care asigur, atenuri ale cmpului
radiat de aproximativ 15 dB;

ecranarea complet a transformatorului ntr-o caset confecionat din materiale
magnetice groase, mbinrile fiind realizate cu uruburi de strngere aplicate pe
feele opuse. n sistemele pretenioase de prelucrare analogic, pentru atenuarea
perturbaiilor cuplate parazit prin reeaua de alimentare sunt utilizate
transformatoarele ultraizolatoare (Fig.4.38) combinate cu elemente de limitare
(varistoare) i disipare a energiilor parazite prin filtrare.
117
ecrane
Exemple de capcane electromagnetice sub form de spir n scurtcircuit
118
Construcia i conectarea unui transformator ultraizolator.
a)Sistemul de conectare a unui transformator ultraizolator. b) Detaliu constructiv.
CTEE
119
ecrane
Izolarea compartimentelor conectate prin cablu ecranat
120
ecrane
Exemple de perturbaii generate de practicarea fantelor rectangulare n ecrane
A
I Linii de camp
A L
B
l B
L~ 1nH/cm:l /E
/H /R
121
ecrane
Exemple de fante pentru aerisire practicate n ecrane
3
e
g
g
d <
d
l
S 30 =
122
ecrane
Orificii de aerisire tubulare practicate n ecran
123
ecrane
Creteri locale ale densitii de curent n ecrane
Camp incident
/H
E
/E
Zona cu densitate
Sectiune prin ecran q /H ridicata de
curent (zona calda)
Zona cu densitate scazuta de
curent (zona rece)
124
ecrane
Aplicarra antiperturbativ a garniturilor conductoare la montarea elementelor de
comutare (a) i la mbinarea capacelor (b), (c).
125
Aplicarea antiperturbativ a amplificatoarelor de
instrumentaie
Schema bloc de principiu a unui amplificator de instrumentaie
R
1
10k
10k
100
Ajustabil pt CMMR>90dB
la f=50Hz
126
instrumentaie
Principalele caracteristici ale amplificatoarelor de instrumentaie sunt:

Banda de trecere: 01MHz (variabil funcie de amplificare);

Tensiunea de mod comun: 5V tip (300V pentru cteva modele);

CMRR (rejecia modului comun): 120dB la f=100Hz;

Avantaje:
- offset i zgomot redus;
- amplificare mare i band larg;
- dimensiuni sczute i
- fiabilitate ridicat.

Incoveniente:
- nu suport tipic dect 10V pe mod comun;
- cost ridicat (de zece ori mai mare dect preul unui amplificator operaional);
- necesit alimentare diferenial.
127
instrumentaie
100k
1 -
U
MC
=1V U
MD
=6,3mV A1
2 + CMRR=120dB la
100k f= 50Hz
R
V1
R
V2
(1V
MC
=>1V
MD
)
(C
1
=2,2nF) (C
2
=2nF)
Degradarea CMRR la un AI datorit asimetriei capacitive la intrare
128
Aplicarea antiperturbativ a amplificatoarelor izolatoare
+U
izolat
+U
alim
=
=
convertor cc-cc
Ref. Intrare Ref. iesire
In
+
Iesire
AD Con. Frecv.. Rec. si conv. A
In
-
emisie analogic
Gard Ecran electrostatic
Izolare optic sau magnetic
Schema bloc a unui amplificator izolator
Principalele caracteristici ale unui amplificator izolato sunt:
Banda de trecere 0n10kHz;

Rigiditatea dielectric 5002500V;

Capacitatea parazit 550pF tip;

avantaje i dezavantaje similare ca cele prezentate la amplificatoarele de instrumentaie
129
IMMR
V
V R
PA
V
ISO iz
=
(
20
0
lg
Schema de principiu a unui amplificator izolator
130
Exemple de amplificatoare izolatoare
a) Cu izolare prin transformator; b) Cu izolare optic.
131
Sistem multiplexat de achiziie a datelor utiliznd amplificatoare izolatoare.
132
Aplicarea antiperturbativ a comparatoarelor
Comparator analogic utilizat la rejecia perturbaiilor n transmisiile balansate
133
Configuraie pentru compararea semnalelor cu niveluri sczute afectate de perturbaii.
134
V
CC
1k
- C1 1 Linie ntrerupt
+
1k 2,2k
R1 470O
- C2 1 Contact inchis
Fire 100k
-
+ 0 Contact deschis
Contact interconexiune
2,2k
R2 1,5k - C3 1 Linie n scurtcircuit
22O
-
+
1k C
-
100nF
Schema de securizare a unei transmisii nchis-deschis prin detecia ntre neperilor
sau a scurtcircuitelor.
135
Msuri antiperturbative aplicate la construcia variatoarelor
electronica pentru comanda motoarelor electrice
Exemple de msuri antiperturbative aplicate la construcia unui variator electronic
136
Perturbaii n sisteme logice. Modaliti de cuplare a perturbaiilor
Clasificarea perturbaiilor ce acioneaz n sisteme logice
CAPITOLUL 5
137
Analiza perturbaiilor generate prin cuplaje galvanice
Vrfuri parazite de curent i tensiune pe traseele de alimentare la comutarea strilor logice
138
Schema electric a unei pori logice SI - NU
mA
R
T U T U U U
I
CEsat CEsat D CC
CCP
31
)
4
( ) (
4
3
=

=
139
Incrcarea capacitiv la ieire a porilor logice i curenii parazii care apar
1 0 1 0
A > A
CCn CCP
I I
0 1 0 1
A > A
CCp CCn
I I
1 0 0 1
A >> A
CCp CCn
I I
140
Incrcarea capacitiv la ieire a porilor logice i curenii parazii care apar
141
Schema unui sistem simplu de interconectare a circuitelor logice i
curenii parazii ce apar la comutarea strilor
142
Schema electric echivalent a unui sistem simplu de interconectare a
circuitelor logice
mA
Z R
U
I
H
LMax
CCp
2 , 2
min 0 0
0 1 0
s
+
= A

mA
Z R
U
I
L
H
CCn
40
min 0 0
min 0 0 1
>
+
= A

143
Generarea de oscilaii parazite pe durata tranziiilor logice:
a) Schema de cuplare; b) Forma de und
144
mV
ns
mA
nH
dt
di
L U 200
20
100
8 5 8
1
= = =
Organizarea unui modul de memorie RAM
mV
dt
di
L U 1600 8 8
8
= =
145
Soluii tehnologice de atenuare a perturbaiilor cuplate galvanic
a) Montarea ct mai aproape de terminalele circuitului integrat a unei capaciti de
decuplare C
d
din care circuitul s-i absoarb energia necesar curentului tranzitoriu.

Decuplarea alimentrii cu capaciti
ceramice de nalt frecven.
C
d CC
t
U
C I
A
A
= A
Pentru un curent la tranziie AICC=50mA, un front de AtC=20ns i o cdere de
tensiune acceptat pe bara de alimentare AU=100mV, rezult o capacitate de decuplare
Cd=10nF pentru fiecare circuit integrat
146
b) Filtrarea tensiunii de alimentare cu filtre discrete LC (Fig.5.11) chiar la intrarea
plcii, ct mai aproape de sistemul de interconectare .
Capacitile: C1=1050F/Ta decupleaz perturbaiile de joas frecven
(ine palierul);
147
c) Realizarea traseelor de alimentare sub form de STRIP LINE (Fig. 5.12) n care traseul
de mas acoper bara de alimentare, ntruct prin aceast soluie tehnologic are loc o
reducere de cteva ori a impedanei caracteristice a traseelor de alimentare, cu influene
favorabile antiperturbativ .
Trasee de alimentare sub form de STRIP-LINE
Traseu de U
CC
Dielectric
Plan de mas
148
d) Utilizarea cablajelor imprimate multistratificate (Fig. 5.13) cu plan de mas (ground
plane) i plan de alimentare (power plane) reduce n mare msur perturbaiile cuplate
galvanic pe traseele de alimentare .
Seciune transversal printr-un cablaj imprimat multistratificat
149
e) Realizarea sistemului de alimentare a cartelelor echipate cu circuite logice prin
intermediul bus-barre"
Prin utilizarea de rini poliamidice n amestec cu materiale ceramice ca
izolator ntre planul de mas i planele de UCC1, UCC2 se asigur capaciti specifice
mari ( ~20nF/cm), inductiviti parazite reduse (~ 0,1nH/cm) i implicit impedane
caracteristice foarte sczute (~16O).
Bus-barre cu implantare vertical
150
Perturbaii prin cuplaje parazite ntre linii de semnal
Exemplu de cuplare parazit ntre linii de semnal alturate:
a) schema de analiz; b) scheme echivalent
151
Definiie: Nivelul de diafonie reprezint raportul dintre tensiunea parazit
indus n linia perturbat i tensiunea perturbatoare care o genereaz:

r perturbato
perturbat
U
U
= A

152

Caracteristica de transfer a unui circuit logic TTL cu indicarea marginilor de
zgomot garantate
153
Diafonia la linii lungi de semnal

Exemplificarea diafoniei la linii lungi de semnal.
154

Valorile rezistenelor de intrare R
in
i d ieire R
0
, ale circuitelor integrate logic din familia TTL.
STAREA R
in
R
0

STATIC DINAMIC
1
(H)
6080 kO 2,3mO

R
0H
= 130O
0
(L)
3 kO

4kO
R
0L
= 10O
1kO la tranz
155

Schema electric echivalent a circuitului exemplificat pentru diafonisa la linii
lungi de semnal.
156

U U U
r P
2 ) 1 ( = I + =
3
03 01 0
01
0
)
2
(
g
c
E
R R Z Z
R
Z
U
+ + +
+
=
3
03 01 0
01 0
g
c
c
g
E
R R Z Z
R Z Z
U
+ + +
+ +
=
01 0
01
0
)
2
( 2
R Z Z
R
Z
U
U
c g
P
+ +
+
= = A
ntruct pentru cablurile de transmisiune uzuale este asigurat condiia
R01<<Z0 expresia de mai sus se simplific la forma:

0
1
1
Z
Z
c
+
= A
157

Exemple
a) Dac liniile de transmisiune sunt realizate din conductori de cupru avnd |=1mm,
aezai la o distan mai mic de l mm unul fa de cellalt i la o distan mai mare de
20mm fa de orice conductor de mas, impedanele vor avea valorile: Z0=200O , Zc=80O
i nivelul diafoniei este:
A1 = 0,71
Acest raport zgomot/semnal este inacceptabil ntruct nici un circuit logic standard nu
are o margine de zgomot mai mare dect o treime din valoarea saltului logic. O astfel de
diafonie posibil poate fi evitat prin dispunerea liniilor de semnal la o distan mai mare
una de alta sau prin introducerea unui plan de mas ntre cele dou trasee.

b) Dac n exemplul de mai sus se introduce un plan de mas la distana de 1mm
fa de fiecare conductor, impedanele capt valorile:
Z0 = 50O, Zc = l25O i diafonia este A2 = 0,28
Dei acest grad de diafonie nu produce efecte inacceptabile, marginea de siguran
este nc prea mic.

c) Dac att linia emitoare ct i linia receptoare se realizeaz cu cablu bifilar
torsadat (apropiate unele de celelalte) impedanele devin:
Z0 = 80O, Zc = 400O i diafonia este A3 = 0,16

158
Diafonia la linii scurte de semnal

Exemplificarea diafoniei la linii scurte de semnal
Max r
m
f
c
t c d
c 10
10
1
0
min
= s
f
TTL
100
max
s MHz
sC
R R
s
U U E
s I
g in
c g
1
1
) (
0 01
+ +
+
=
159

= +
+ +
+
=
s
U
sC
R R
R
s
U U E
s U
g in
in
C g
P
01
01 0
1
) (
s
U
s
R R
R
U U E s U
c
g in
in
C g P
01
01 0
1
1
) ( ) ( +
+
+
+ =
t
Schema electric echivalent
tc=C(Rin+Rg)
01 01 0
) exp( ) ( ) ( U
t
R R
R
U U E t u
c g in
in
C g p
+
+
+ =
t
160

) exp(
) (
01 0
c g in
in
g
C g
g
p
t
R R
R
E
U U E
E
t U
t

+
+
= = A +
U
E
g
01
Dac: tc<<tt
01 01 0
) 1 ( ) ( ) ( U
t
R R
R
U U E t u
c g in
in
C g p
+
+
+ =
t
161

A. Linia perturbat se afl pe 0 logic
R
01
= R
0L
, R
in2
= R
inL
, U
01
= U
0L

A.1. Linia perturbatoare efectueaz tranziia 01

;
0H g
U E =
;
0 01 H g
R R R = =
; 0
0
=
C
U
L in in
R R R R
0 01 2
~ =
V U R
R R
U U
U U
L L
L H
L H
L p
2 , 0 ) " 0 (" '
0 0
0 0
0 0
0
+ ~
+
+ =
162

A.2. Linia perturbatoare efectueaz tranziia 10
Eg = U0L; UC0 = -(U0H-U0L); Rin = R0L; Rg = R0L

V U
U U
U U
L
L H
L p
1
2
) " 0 ("
0
0 0
0
, ,
=
=
t1=2CR
0L

B. Linia perturbat se afl pe 1 logic
R01 = R0H; Rin2 = RinH >>R0H; U01 = U0H;
B.1. Linia perturbatoare efectueaz tranziia 01
Eg = U0H; Rg = R01 = R0H; UC0 = U0H - U0L
V U R
R R
U U
U U
H H
H H
L H
H p
1 ) " 1 (" '
0 0
0 0
0 0
0
+ =
+
+ =
163

Impulsuri parazite de tensiune cuplate prin diafonie pe linia perturbat aflat pe 1 logic
164

B.2. Linia perturbatoare efectueaz tranziia 10
Eg = U0L; Rg = R0L; UC0 ~ 0
Up(1) = U0H - (U0H-U0L) = U0H - 2V
Aceast perturbaie de amplitudine aproximativ U
0H
i durat mare t
2
=CR
0H
, perturb poarta P
2

transmind un 0 fals, dac energia nmagazinat n impuls depete marginea de zgomot a
circuitului. Diafonia corespunztoare acestei situaii
1
2
~ A
' '
indic un cuplaj capacitiv parazit perturbator, care solicit protecii suplimentare, pentru evitarea
comutrilor false.
Observaie
O schem echivalent de analiz a diafoniei la linii scurte de semnal mai corect ar
trebui s in seama i de capacitile parazite ale fiecrui traseu fa de mas CeM, CrM.
165

Schema echivalent a cuplajului parazit capacitiv completat cu capacitile
fiecrui traseu fa de mas
166
Soluii tehnologice de atenuare a perturbaiilor cuplate prin diafonie

a) Pentru lungimi ale traseelor de semnal de pn la 25 - 30 cm se aplic limitrile
prezentate n Tabelul 5.2. Este bine de reinut c pentru circuitele integrate logice din
familia TTL este favorabil antiperturbativ limitarea traseelor de semnal sub 10 cm ( cu
excepia semnalelor nesemnificative, a celor din configuraii combinaionale sau urmate de
circuite de integrare). Ori de cte ori este posibil se recomand conducerea traseelor de
semnal deasupra planului de mas, deoarece prin aceast procedur are loc reducerea
impedanei caracteristice, cu efecte favorabile antiperturbativ.

b) Pentru lungimi ale traseelor de semnal cuprinse ntre 0,3 - 2 m (lungimi considerate
critice), se recomand aplicarea terminatoarelor adaptate i utilizarea cablurilor coaxiale
ecranate, sau a traseelor torsadate (eventual ecranate) cu fir de mas conectat att la emisie
ct i la recepie. Toate traseele de semnal inclusiv extremele din mnunchi, trebuie conduse
cu trasee de mas independente, ntruct altfel impedana caracteristic Z0 crete
defavorabil cu cca. 50%.

n tabel sunt prezentate sintetic principalele protecii i adaptri solicitate de
reducerea perturbaiilor datorate att diafoniei ct i reflexiilor.
167

Tabelul 5.2. Lungimile maxime ale traseelor de cablaj imprimat, limitate numai de
diafonie (nu i de reflexii). Limea traseului 0,3 mm, fr plan de mas.
CAZ 1: Dou trasee de semnal alturate:
1.a. Distana dintre axele traseelor 1,27 mm;
1.b. Distana dintre axele traseelor 2,54 mm

CAZ 2: Trasee ale aceluiai semnal de
ambele pri ale unui semnal
perturbator
CAZ 3:Traseu de semnal separat
prin traseu de mas de traseul
perturbator

CAZ 4:Trasee ale aceluiai semnal separate prin trasee
de mas dispuse de o parte i de alta a unui traseu
perturbator

168

Se constat c divizorul 180O la +5V i 390O la mas reduce imunitatea pe
starea 1 logic n raport cu schema de conectare la receptor a unei singure
rezistene de 330O la +5V, deoarece apropie starea configuraiei de zona de
basculare. Modificarea marginii de zgomot fa de zona de basculare este n
general mai defavorabil dect avantajul realizat prin reducerea impedanei de
intrare.

Prin reducerea valorii terminatorului rezistiv de la intrarea receptorului
conectat la linia perturbatoare, are loc o cretere a amplitudinii perturbaiilor
acceptate deoarece se reduce durata fronturilor perturbatoare (crescnd deci
spectrul de frecven al perturbaiilor acceptate pe linia perturbat).
169
CTEE

170

Starea de 1 logic a liniei perturbatoare este mult mai stabil fiind agreat ca
stare staionar pentru multe tipuri de magistrale. Perturb ns capacitiv traseele vecine cu
aproximativ 30% mai mult dect traseele perturbatoare avnd terminatori rezistivi 180O la
+5V i 390O la mas. Pentru a proteja intrarea porii receptoare se recomand montarea
unor diode de comutaie la Vcc (ntruct impulsul parazit de tensiune nu va depi acum
5,6V - valoarea maxim acceptat la intrarea circuitelor integrate din familia TTL).

c) Pentru lungimi mai mari de 3m (pn la cteva sute de m) se aplic tehnici speciale
de transmitere a datelor, ca de exemplu: transmisia diferenial, ridicarea nivelurilor de
tensiune, utilizarea circuitelor integrate cu imunitate ridicat la perturbaii, adaptare i
filtrare etc.

ntruct efectul favorabil antiperturbativ al impedanei reduse de ieire a
circuitelor din familia TTL (mai ales pe starea de 0 logic) dispare odat cu creterea
lungimii traseelor de semnal, se recomand de asemenea aplicarea procedurilor geometrico
- spaiale de distanare, perpendicularizare, scurtare i conducerea traseelor de semnal prin
cabluri ecranate cu masa conectat att la emisie ct i la recepie
171
Perturbaii prin reflexii pe linii ce conecteaz circuite integrate logice

Determinarea reflexiilor multiple prin metoda tabelar cu zbrele
0
0
0 0
Z Z
Z
U U
G
G
+
=
Datorit neadaptrii la receptor ) ( 0 = I
S
se reflect tensiunea
0
0
0
1 1
U
Z Z
Z
U U
G
S d S rS

+
I = I =
172

Pe sarcin la momentul de timp t = Te avem tensiunea:
) 1 ( 1 1 1 1 S d rS d S U U U U I + = + = 1 1 1 d S G rS G rg U U U I I = I =
La
mo
me
ntu
l
de
tim
p
t=2
T
e

un
da
refl
ect
at
a
sos
it la
ge
ner
ato
r i
dat
orit

ne
ad
apt
rii
em
it
oru
lui
) 0 ( = IG
se reflect tensiunea i la ieirea generatorului rmne tensiunea
) 1 ( 1 1 1 0 2 G S S d rg rS G G U U U U U I I + I + = + + =
Procedura se continu similar pn se stabilizeaz tensiunea att la emitor
ct i pe sarcin. Pentru a determina dup cte intervale de timp Te reflexiile stabilizeaz
nivelurile logice trebuie comandate tensiunile corespunztoare diferitelor momente de
timp att la emisie ct i la recepie cu valorile garantate
,
max 0L GK
U U =
,
min 0H
U
,
max IL SK
U U =
min IH
U
173

Exemplu
Considerm un sistem de transmitere a datelor format din dou pori logice TTL din
seria normal conectate ntre ele printr-o linie lung, (Fig.5.25) fr pierderi cu
impedana caracteristic Z0 = l20O . Vom analiza numai tranziia 10 a porii
emitoare, pentru care sunt cunoscute R0L=20O, Rit=1kO , U0H=3,6V i U0L=0V.
Prima und direct emis de generator are valoarea:
V U U
Z R
Z
U
H L
L
d
08 , 3 ) (
0 0
0 0
0
1
=
+
=
Schema sistemului de transmitere a datelor considerat pentru analiza reflexiilor
174

Exemplu(continuare)

Calculm coeficienii de reflexie
71 , 0
0 0
0 0
=
+
= I
Z R
Z R
L
L
G
77 , 0
0
0
=
+
= I
Z R
Z R
it
it
S
Pe durata intervalului 0 - 2T
e
la generator tensiunea are valoarea
V U U U
d H G
52 , 0
1 0 0
= + =
La momentul de timp t = Te unda transmis de generator ajunge la receptor i se reflect
tensiunea:
V U U
S d rS
37 , 2
1 1
= I =
i tensiunea la receptor va fi pentru urmtoarele dou perioade de
propagare a semnalului pe cablu te(Te, 3Te)
V U U U
S d H S
85 , 1 ) 1 (
1 0 1
= I + + =
La momentul de timp t=2Te unda reflectat de receptor ajunge din nou la generator
unde se va reflecta din nou .a.m.d. n Tabelul 5.4 sunt prezentate sintetic rezultatele
obinute pe durata a 10Te att pentru tensiunile reflectate de generator i de sarcin, ct
i pentru nivelurile tensiunilor la care se afl ieirea emitorului i intrarea receptorului.
175

Exemplu(continuare)

Formele de und la ieirea emitorului i la intrarea receptorului
pentru tranziia 10.
176

Observaie

U
d
r
I
U
U
Z
U
Z
U
I
I
I = =
= = I
1
2
0
1
0
2
177

178

Determinarea reflexiilor multiple prin metoda diagramelor Bergeron

Caracteristicile de intrare i de ieire ale unui circuit integrat tipic din familia TTL.
179


Construirea diagramei Bergeron pentru o tranziie logic din 1 n 0.
180


Formele de und la emitor i receptor pentru tranziia "1 0.
181


Construirea diagramei Bergeron pentru o tranziie logic din 0 n 1.
182

Soluii tehnologice de atenuare a perturbaiilor produse de reflexii
Formele de und la emitor i receptor pentru tranziia 0 1.
183

Perturbaii-produse de reflexii n sistemele logice
Nivelurile parazite de tensiune la intrarea porilor receptoare, generate de reflexii.
a)Salt care depete UILmax n tranziia 10; b) Salt prea mic de tensiune n tranziia 01;
c) Salt prea mare de tensiune n tranziia 01.
a) Perturbaii produse de reflexii asupra porilor receptoare
La comutarea strilor logice apar reflexii perturbatoare care pot genera interpretri
greite sau comenzi false n sistemele digitale de recepie a informaiei. Pentru tranziia
1 0 a) nivelurile parazite de tensiune generate de reflexii cere depesc UiLMax pot
conduce la bascularea multipl a porii receptoare. n tranziia 01(b i c) dac saltul
iniial de tensiune este mai mic dect UiHmin aduce poarta n zona de indecizie, iar dac
saltul depete UIHmax poate distruge jonciunea de intrare.
184

b) Perturbaii produse de reflexii asupra porilor apropiate
ntruct reflexiile pe fronturile pozitive produc forme de und de tipul celor
prezentate n Fig, determin ca un circuit Ra aflat n imediata apropiere a emitorului s
fie afectat n mod diferit fa de un alt receptor Rd cu o alt amplasare. Pe lng efectele
parazite produse de reflexii asupra porilor deprtate (exemplificate anterior) pot aprea
i urmtoarele efecte parazite asupra porilor apropiate:
- ntrzierea comutrii porii Ra pn la momentul tb cnd sosete unda reflectat
(foarte deranjante n funcionarea schemelor sincrone),
- fenomenul de oscilaie pe fronturi ca rezultat al evoluiei diferite a tensiunii n
punctul de emisie fa de punctul de recepie
Efecte parazite
produse de reflexii
asupra porilor
apropiate
185

c) Perturbaii produse de reflexii asupra funcionrii bistabilelor
Oscilaiile produse de reflexii pot determina hazarduri n sistemele de numrare i
afecteaz funcionarea corect a bistabilelor de tip JK Master Slave.
Prin folosirea bistabilelor ca emitori de linie, unda reflectat poate provoca
rebascularea lor, iar dac semnalul recepionat se aplic pe intrarea de tact au loc hazarduri
de basculare, ntruct pot fi recunoscute ca impulsuri utile fronturile negative datorate
reflexiei. Mai mult, prin aplicarea unei tensiuni negative pe intrarea de tact, are loc saturarea
simultan a tranzistoarelor T1 i T2 indiferent de starea iniial a bistabilului Master.
Schema de principiu
a bistabilului JK
Master Slave
186


a) Se recomand minimizarea lungimii traseelor de conexiuni astfel nct s se
asigure condiia:
t
front
>>2T
e

(linia s devin scurt pentru frontul respectiv).
Prin asigurarea condiiei unda reflectat sosete la generator pe durata emiterii
frontului i creeaz un impuls cu front rapid cresctor
Forma de und la emisie pentru linii scurte de semnal.

187

Configuraii de adaptare a impedanelor la recepie.
a) Adaptarea cu un rezistor; b) Adaptarea cu dou rezistoare
b) Reducerea coeficienilor de reflexie ctre zero prin adaptarea impedanelor este deosebit
de important mai ales la recepie, ntruct IR = 0 ntrerupe prima reflexie. Principalele
configuraii recomandate pentru adaptarea impedanelor la recepie sunt prezentate n Fig.
188

Configuraii de atenuare a perturbaiilor produse de reflexii:
a)Disiparea energiei de reflexie cu rezistoare nseriate la recepie ;
b)Limitarea amplitudinii reflexiilor negative cu diode de comutaie.
c) Disiparea energiei transportat de undele reflectate cu diferite tipuri de disipatori
(Fig.5.38) ca de exemplu: rezistene nseriate la emitor sau diode de limitare a
amplitudinii oscilaiilor negative.
189

Sistem antiperturbativ de comand a unitilor de memorie
(continuare c)n unele aplicaii cu memorii semiconductoare, n special pentru semnalele
de tact i "chip enable se nseriaz rezistoare n apropierea i pe traseul circuitului de
comand n vederea asigurrii adaptrii emitorului, amortizrii reflexiilor i obinerii unei
forme optime a semnalului de comand.
190

Realizarea unui sistem corect de transmitere a datelor numerice
d) Circuitele utilizate ca emitoare de linie (obligatoriu pori i n nici un caz bistabile) trebuie
s fie folosite numai n acest scop, iar circuitele utilizate ca receptoare de linie trebuie s aib
toate intrrile conectate mpreun la linia de transmisiune
e) Masa liniei de transmisiune trebuie interconectat att la captul dinspre emisie ct i la
cel de recepie, fiind obligatorie decuplarea alimentrii emitorului i receptorului ct mai
aproape de pinii de alimentare.
f) Pentru transmisiuni digitale la distane mari se recomand adaptarea liniilor i utilizarea unor
circuite specializate de emisie i recepie cu imunitate ridicat la perturbaii.
191

Atenuarea perturbaiilor cumulate n sistemele logice
Perturbaii cumulate prin reflexii i cuplaje parazite (diafonia).
192

Exemplu de atenuare a perturbaiilor cumulate n sistemul logic
193

Schema unui sistem de transmitere nebalansat a datelor numerice.
Schema unui sistem de transmitere balansat a datelor numerice.
194

Sistem de transmisie a datelor numerice cu imunitate ridicat la perturbaii.
195

Filtre utilizate n transmiterea digital a datelor. .
196

Circuit cu imunitate ridicat la perturbaii pentru condiionarea semnalelor digitale.
197

Principii antiperturbative de proiectare a cartelelor TTL
a) Pentru cartelele ce conin circuite TTL rapide att masa (condus pe faa inferioar) ct i
bara de Vcc = +5V (condus pe faa superioar) nconjur circuitul.(Fig a)
Deasupra planului de mas se vor proiecta traseele de +5V care se vor conecta la pinii extremi
ai conectorului. Decuplarea sursei de alimentare (C1=1050F/Ta i C2=47 100nF ceramic) se va
realiza la intrarea plcii ct mai aproape de conector. Versiunea modern (Fig.b) utilizeaz
alimentarea cu bus-barre, comun sau independent (dac permite cupla). Pentru realizarea
interconexiunilor fa-spate se utilizeaz guri metalizate.
Exemplu de organizare a unei cartele pentru circuite TTL din seria rapid.
198

b) Pentru cartelele ce conin circuite TTL standard este preferabil realizarea (pe faa inferioar)
unui plan de mas care reduce att impedana caracteristic a barelor de alimentare ct i a traseelor
de semnal. n lipsa planului de mas se vor avea n vedere urmtoarele recomandri:
- traseul de mas s fie ct mai gros posibil peste tot, chiar dac limea lui variaz destul de
mult funcie de spaiul disponibil,
- s se formeze o bucl de mas n jurul plcii (Fig.5.49.a). Ambele fee ale plcii s fie aduse la
sistemul de mas al fundului de sertar prin borne separate conduse la extremitile conectorului,
- plcile s conin o reea ct mai deas de linii de mas, sau o organizare sub form de
pieptene (interdigital) (Fig.5.49.b),
- traseele impulsurilor de tact se vor conduce perpendicular (cuplaj mutual nul) pe restul
traseelor de semnal, pe ct posibil, gardate ntre bare de mas,
- traseele de interconectare ntre circuite, conduse pe cele dou fee ale plcilor dublu
stratificate, se vor realiza pe ct posibil dup direcia celor dou axe rectangulare de coordonate,
- traseele de circuit imprimat perturbatoare se distaneaz i se separ prin trasee de mas fa
de traseele perturbabile ale semnalelor sensibile la perturbaii,
- nu se vor realiza conexiuni mai lungi de 12,5cm ntre oricare dou borne de alimentare sau
intre oricare dou capsule de circuite integrate. Dac se utilizeaz linii de transmisiune mai lungi, este
obligatorie folosirea terminatoarelor de linie.
199

Exemplu de organizare a unei cartele pentru circuite TTL din seria normal.
(Continuare b)
200

c) Recomandri tehnologice pentru amplasarea emitoarelor i receptoarelor de linie:
- ca emitoare i receptoare de linie se vor utiliza numai pori logice i n nici un caz bistabile
sau numrtoare,
- porile care emit sau recepioneaz impulsuri pe linii lungi trebuie s aib sursa de alimentare
decuplat ct mai aproape de pinii capsulei. Borna de mas a condensatorului de decuplare, masa
circuitului integrat i masa liniei de transmisiune se vor conecta mpreun ntr-un singur punct
(Fig.5.50).
Sistem de poziionare i interconectare a emitoarelor i receptoarelor de linie.
201

(Continuare c)
- porile emitoare i receptoare vor fi poziionate ct mai aproape de cupla cartelelor i vor
avea masa conectat direct la masa fundului de sertar. Chiar dac nu este posibil realizarea acestei
condiii pentru emitor, ea se va respecta ntocmai pentru receptor;
- toate intrrile nefolosite ale porii receptoare se vor conecta mpreun la linia de transmisiune
care va avea masa conectat att la captul dinspre emisie ct i la captul dinspre recepie,
- asiul (partea metalic a sistemului) se va conecta la bara potenialelor de referin att electric
ct i mecanic. Punerea incorect la mas a unor pri din sistem sau fenomenul de flotare, nu numai
c distruge integritatea punerii la mas, dar poate s acioneze ca un sistem aleatoriu de distribuire a
zgomotului.
202

(Continuare c)
Pentru exemplificare se prezint n Fig.5.51 organizarea unei cartele TTL dublu eurocard
configurat antiperturbativ prin separarea zonei inferioare i dedicarea ei condiionrii
antiperturbative a semnalelor digitale aduse la conector
Organizarea unei cartele TTL dublu eurocard
203

Sisteme speciale pentru transmiterea datelor numerice
Sisteme de transmitere a datelor cu niveluri ridicate de tensiune
pentru R= Z
0
= 150O, R
d1
= 680O, R
d2
=270O i Vcc =12V rezult la emitor
o putere maxim disipat:
W
Z
V
P
cc
1
0
max
= =
Schema unui translator simplu de niveluri TTL
204

Varianta mbuntit a translatorului de niveluri logice
205

Schema unui translator de niveluri logice cu modificarea duratei semnalelor emise
206

Sisteme de transmitere a datelor pe linii simetrice
Schema unui sistem de transmisie numeric pe linii simetrice
207

Sisteme de transmitere a datelor pe linii simetrice
Schema de conectare a posturilor de emisie - recepie la o linie simetric de
transmisiune
208

Sisteme de transmitere a datelor utiliznd cuploare optoelectronice
Schema unui sistem de transmisie a datelor numerice izolat cu optocuplor
Scheme de cuploare optoelectronice
min min 2
max max
min
max 0
TR
IL cc
TR
F
C R
V V
C
I
I

= >
209

Configuraii simple de adaptare:
a) Recomandat pentru I
L
>>I
F
; b) Recomandat pentru U
L
>U
F
.
210

Configuraie de adaptare care minimizeaz i reflexiile
211

Diferite tipuri de terminatori pasivi i modaliti de conectare a ecranului
212

Schema de adaptare cu terminator activ
213

Recomandri:
circuitul de intrare se conduce separat i ecranat fa de alte trasee semnal;
traseele de mas ct mai late i extinse;
legturile ntre A i B ct mai scurte.
214

Msuri tehnologice i constructive, antiperturbative aplicate la utilizarea
optoizolatorilor
215

Sisteme multiple de transmitere-recepie a datelor pe o singur linie
Schema bloc a unui sistem conversaional emisie-recepie pe o singur linie de
transmisiune
216

Sisteme multiple de transmitere-recepie a datelor pe o singur linie
Schema de principiu a sistemelor Party-line
217

Configuraii logice de recepie cu imunitate ridicat la perturbaii
Supresia diferenial numeric
Schema de principiu a unui supresor diferenial numeric
2
1 2
1 A A A A a + = - =
2
1 2
1
A A A A b + = - =
218

Q
n
A
1
A
2
a b
Q
n+
1

OBSERVAII
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
1
Tranziie normal
Stare normal
Perturbaie pe A
2

Perturbaie pe A
1

Perturbaie pe A
2

Tranziie normal
Stare normal
Perturbaie pe A
2

Tabela logic de funcionare a circuitului prezentat mai sus
219

Supresor diferenial numeric, adaptat, filtrat i prevzut cu translator de
niveluri logice
220

Supresor diferenial numeric cu intrarea izolat cu optocuplor
221

Supresia digital a regimurilor tranzitorii
Schema de principiu a unui supresor numeric de regimuri tranzitorii
y I Q Q
1 2
=
222

Formele de und n principalele puncte ale supresorului digital de regimuri tranzitorii
223

t
n
t
n+1
Q
n
Q
n+1

A
1
A
2
B A
1
A
2
B 0 1
1 1 1 0 1 1
Combinaia logic corespunztoare comutrii strilor
Q Q I y =
2
2 ln
1 1 1
C R t
p
=
2 ln
2 2 2
C R t
p
=
224

Compatibilitatea electromagnetic a circuitelor din familia ECL
SERIA
CARACTERISTICA
ME
CL
MECL
II
MECL
III
MECL 10.000
10.10
0
10.50
0
10.200
10.600
Timp de propagare
Frecvena maxim
Puterea
disipat/poart
Produs putere x
vitez
1.n
s
2.M
Hz
31
mW
250
pJ
1.ns
2.MHz
22
mW
88 pJ
1.ns
500
MHz
50
mW
67 pJ
1.ns
125
MHz
1.m
W
50
pJ
1,5 ns
1.MHz
2.mW
37 pJ
Principalele caracteristici ale circuitelor din familia ECL
225

Interfari ale familiei ECL cu familia TTL
a) Modul I de alimentare
U
ccI
= U
cc
= 5 - 7V (5,2 V tipic)
U
EE
= 0V
U
BB
= -1,29V (referin intern)
Schema de interfaare pentru modul I de alimentare
226

ntruct saltul logic are U
salt
= 0,8V axat pe U
BB
= 1,29V, pentru U
CC
= +5V
rezult potenialele la ieirea porii ECL:
V
U
U U U
salt
BB CC y
11 , 4
2
= + + =
V
U
U U U
salt
BB CC
y
31 , 3
2
= + =
227

Ca urmare se asigur condiia:
V U U U
y
y EB
7 , 0 > =
tranzistorul T se satureaz i transmite la intrarea porii TTL, un nivel de 1 logic:
V U I R U U
CEsat E E y
4 , 2
1
> =
Dac y = 0 , tranzistorul T se blocheaz, avnd jonciunea EB polarizat invers cu
0,8V, iar la intrarea porii TTL, se aplic un nivel de 0 logic dac rezistena RC
este suficient de mic:
250
max
= <
IL
IL
C
I
U
R
228

a) Modul II de alimentare
U
cc1
= U
cc
= 0V
U
EE
= -5 -7V (-5,2V tipic)
U
BB
= -1,29V
Schema de interfaare pentru modul II de alimentare
Valori
uzuale:
R
C
= 25 kO
R
E
< 20 O
R
1
, R
2
~ nkO
229

a) Modul II de alimentare
Dac y = 1 atunci:
V U U U U U
H L y
y
BE
8 , 0
0 0
= = =
Tranzistorul T avnd baza polarizat invers se blocheaz i transmite la intrarea
porii TTL nivelul UIH = 5V.
Dac y = 0 se obine:
> =
E E y
y
BE
I R U U U
0,6 0,7 V
230

a) Modul III de alimentare
U
CC1
= U
CC
= 1,25 - 2 V
U
EE
= -3,75 -3 V
U
BB
= 0 V
Schema de interfaare pentru modul III de alimentare
231

Modaliti i tehnici de ncrcare a circuitelor din familia ECL pentru
transmisii de date numerice
a) Transmisia pe linie neadaptat prezentat mai jos este contraindicat a se
utiliza n sisteme cu mai muli receptori sau pentru scheme de tip party-line.
Transmisia datelor pe linie neadaptat
232

(continuare a) Rezistena R
S
avnd rolul numai de descrcare a curentului de
linie, se dimensioneaz din condiia ca tranzistorul final din etajul repetor pe
emitor s nu se blocheze la tranziia1 0:
0
0 0
Z
U U
R
U U
L H
S
EE BB

>
rezultnd:
0
0 0
Z
U U
U U
R
L H
EE BB
S

s
Pentru Z
0
= 50O se obine R
S
244O s
n vederea reducerii puterii disipate pe tranzistorul final i pe rezistena RS se
recomand conectarea acestei rezistene la o tensiune mai mic (UT = -2V).
Datorit coeficientului de reflexie la recepie IS =1 apar reflexii pe linie i oscilaii
deranjante la intrarea receptorului.
233

b) Transmisia pe linie adaptat paralel la recepie este indicat att pentru
recepii sincrone ct i pentru recepii asincrone:
recepie sincron
recepie asincron
234

(Continuare b)Rezistena RS = Z0 este necesar att pentru descrcarea
curentului liniei de transmisiune ct i pentru asigurarea adaptrii la recepie.

ntruct pentru sistemele de recepie sincron este necesar ca toate
receptoarele s se gseasc pe aceeai plac, s-au elaborat circuite de emisie
specializate cu mai multe etaje de ieire care emit sincron semnale ce pot fi
conduse pe plci diferite.

Pentru reducerea puterii disipate de rezistorul RS se recomand conectarea lui
la un potenial mai sczut (VT = -2V) sau n lipsa lui se va utiliza
semiadaptarea.

235

Sistem de transmisie sincron cu emitor specializat coninnd mai multe etaje
de ieire
(Continuare b)
236

Transmisia datelor pe linie semiadaptat la recepie
(Continuare b)
237

c) Transmisia pe linie adaptat serie la emisie prezentat n Fig.6.27 este
deosebit de avantajoas din punct de vedere al puterii consumate i se
recomand s se utilizeze pentru funcionarea la viteze ridicate.
Transmisia datelor pe linie adaptat serie la emisie
238

(Continuare c)Prin asigurarea condiiei de adaptare la emisie:
R
g
+ R
S
= Z
0

tensiunea direct transmis pe linie este:
2 ) (
) (
0 0
0 0
'
0
0 0
L H
S
L H d
U U
Z Z R
Z
U U U

=
+ +
=
Dup timpul de propagare pe cablu (t = T
1
) la receptor datorit neadaptrii (
I
S
=1) apare tensiunea:
U
S
= (1+ I
S
) U
d
= U
0H
U
0L

adic chiar saltul de tensiune iniial obinut la ieirea emitorului. Ca
dezavantaj trebuie notat c aceast schem nu se poate utiliza pentru
transmisii party-line.
239

d) Sisteme de transmisie de tip party-line realizate cu circuite din familia ECL.
Pentru transmisii de date numerice pe linii bifilare torsadate se pot realiza
sisteme de tip party-line cu emitoare nespecializate conectate ca n Fig.6.28.
Sistem de transmisie party-line cu emitor nespecializat
240

(continuare d) Schema prezentat exploateaz faptul c etajul de ieire al
porilor ECL fiind un repetor pe emitor, exist posibilitatea de realizare a funciei
SAU cablat. Numrul maxim de participani la conversaie este ns limitat la
20, deoarece se apreciaz c fiecare ieire cuplat la linie atenueaz fronturile
cu circa 50ps. Soluia modern (Fig.6.29) utilizeaz att pentru emisie ct i
pentru recepie circuite specializate n transmisii de tip party-line. Datorit
etajului diferenial de la intrarea receptorului specializat tip MECL 10.115 i
capacitilor mici la ieirea emitoarelor tip MECL 10.192 numrul
participanilor la conversaie pe linii bifilare torsadate n sisteme de transmisie
party-line poate crete pn la 50.
241

Sistem de transmisie party-line cu emitor i receptor specializat
242

Fundul de sertar la sistemele logice echipate cu circuite integrate
din familia ECL
a) La frecvene mari (f > 150MHz) fundul de sertar se execut de tip strip-
line din semifabricat triplu placat, avnd feele exterioare conectate la mas, iar
planul interior dedicat liniilor de semnal, UCC i UEE. La frecvene foarte mari se
vor lua msuri suplimentare pentru reducerea la minimum a lungimii liniilor de
semnal.
n acest scop se recomand realizarea fundului de sertar sub form de arc
de cerc cu plcile dispuse radial. Fig.6.30 prezint fundul de sertar la sisteme
echipate cu circuite din familia ECL pentru frecvene f > 150 MHz.
Fundul de sertar la sisteme echipate cu circuite din familia ECL pentru frecvene
f >150MHz
243

Fundul de sertar la sistemele logice echipate cu circuite integrate
din familia ECL
b) n domeniul frecvenelor mai mici dect f < 150MHz fundul de sertar se
poate construi i din semifabricat dublu placat sau chiar n aer cu condiia
realizrii unei grile de mas i de alimentare aa cum se arat n Fig.6.31.
Fundul de sertar la sisteme echipate cu circuite din familia ECL pentru frecvene f<150MHz
ntre cuple conexiunile pot fi realizate prin wrappare sau prin fir bifilar torsadat i
cositorit. Traseele de semnal mai lungi de 15cm vor fi de tip conductor pe plan de
mas, adaptate la intrare i ieire pe terminatorii standardizai.
244

Compatibilitatea electromagnetic a circuitelor din familia MOS i CMOS
Marginile statice de imunitate la perturbaii
Marginile statice ale imunitii la perturbaii, determinate de ecartul dintre
tensiunea garantat oferit la ieire i tensiunea acceptat la intrare pot fi
calculate cu relaiile:
M
[0]
= V
0[0]
- V
I[0]max
M
[1]
= V
0[1]
- V
I[1]min
Schema unui circuit CMOS i caracteristica sa de transfer intrare-ieire.
a) Circuit CMOS; b) Caracteristica de transfer.
245

Dependena i ecarturile de tensiune garantate n raport cu valoarea tensiunii
de alimentare pentru circuitele din familia MOS i CMOS sunt reprezentate n
Fig.6.33.
Se constat c la circuitele din familia MOS/CMOS marginea de imunitate
static la perturbaii este mai mare dect 30% din VDD, dependent direct de
VDD, stabilitatea la perturbaii crescnd deci proporional cu creterea nivelului
surselor de alimentare.
246

Pe msura creterii tensiunii de alimentare, timpii de transfer scad,
crescnd viteza de comutaie simultan cu creterea imunitii la perturbaii.
Trebuie menionat ns c pentru VDD = 5V (i VSS la mas)
circuitele din familia CMOS sunt mai sensibile la perturbaii pe starea 1 logic
dect circuitele din familia TTL ntruct devine pregnant influena
impedanelor mari de intrare (zeci de MO) i de ieire mai mari (~ 500O). Din
punct de vedere antiperturbativ, circuitele CMOS alimentate la VDD > 10V sunt
mai puin perturbabile dect circuitele TTL standard, accept lungimi de linii
mai mari fr reflexii, i perturbaiile galvanice cuplate prin traseul de mas
sunt nesemnificative.
247

Perturbaii produse n sisteme de comutare cu circuite din familia MOS i
CMOS
Circuitul echivalent n regim staionar al comutatorului MOS.
a) Schema comutatorului MOS nchis; b) Schema comutatorului MOS deschis.
248

a) Erorile n regim staionar se datoreaz rezistenei n starea de conducie
t
ON
, a curentului de fug I
DGOFF
i rezistenei finite r
OFF
n starea blocat. Cnd
tranzistorul comutator se afl n conducie, rezistena t
ON
introduce o atenuare
K
U
a semnalului util:
CMOS
K
U
U
R
r R
u
i
S
ON S
'
= =
+
0
i produce o eroare c
1
asupra amplitudinii semnalului transmis:
c
1
(%) = =

+
AU
U
r
r R
i
ON
ON S
100
100
Eroarea poate fi corectat n principiu - pentru un domeniu restrns de
temperatur - mrind amplificarea semnalului obinut la ieire.
249

(continuare a) Cnd tranzistorul comutator este blocat, la bornele sarcinii apare
o tensiune parazit de eroare U
0
,atorat valorii finite a rezistenei r
FF
i
curentului rezidual al drenei I
DGOFF'
CMOS
Eroarea procentual produs n acest caz :
poate deveni semnificativ la temperaturi mari (I
DGOFF
se dubleaz la fiecare
10C), dac rezistena sarcinii este mare.
S DGOFF
S OFF
S
i
R I
R
R
U U +
+
=
t
"
0
c
r S
OFF S
DGOFF
i
R
r R
I
U
(%) =
+
+
|
\
|
.
|
1
100
250

(continuare a) innd seama de relaiile (6.23) i (6.25) se poate calcula
coeficientul de transfer n tensiune ieire-intrare:
CMOS
care permite evaluarea rezistenei de sarcin maxim pe care poate lucra
comutatorul MOS:
Pentru asigurarea unor erori mici n regim staionar concomitent cu un
coeficient de transfer n tensiune satisfctor, n toate aplicaiile se impune
condiia:
K
U U
U
R
r R r R
u
i
S
ON S OFF S
=
+
=
+

+
|
\
|
.
|
0 0
1 1
' ''
R r r
S ON OFF max
~
r
N
<< R
S
<< r
FF

251

b) Erorile n regim dinamic sunt datorate n principal urmtoarelor cauze:
- modularea tensiunii VGS de ctre amplitudinea semnalului de intrare, care
produce o distorsionare a semnalului de ieire, datorit variaiei rezistenei rON
n conducie ;
- comportamentul de tip filtru trece jos a comutatorului n starea nchis, datorit
prezenei capacitilor parazite de la ieire ;
- scurgerile parazite ale curenilor reziduali din starea deschis prin capacitile
parazite ale comutatorului;
- paraziilor cuplai galvanic pe traseul intrare-ieire, prin circuitul de comand
sau prin sursele de alimentare.
CMOS
252

(continuare b) n general, comanda transistorului comutator pe gril se
realizeaz n practic, cu semnale dreptunghiulare avnd fronturile exponeniale
(Fig.6.35.a):
CMOS
) 1 ( ) (
i
t
CM c
e U t u
t
=
Formele de und ale tensiunii de comand i ale tensiunii parazite la ieire.
a) Tensiunea de comand. b) Tensiunea parazit la ieire.
Combinaia paralel de rezistene i capaciti echivalent la ieire, formeaz un
circuit de difereniere, care face s se genereze impulsuri parazite de tensiune la
ieire, pe fiecare front al semnalului de comand, aa cum se ilustreaz n
Fig.6.35.b.
253

(continuare b) Considernd c se aplic o tensiune de comand dreptunghiular simetric
cu factor de umplere 0,5, trecerea comutatorului de la blocare spre conducie se produce
ntr-un timp foarte scurt, deoarece capacitatea de sarcin este iniial izolat de surs prin
rezistena t
OFF
de valoare foarte mare.
Cnd tranzistorul a intrat n conducie, se asigur n continuare o constant de
timp sczut:
CMOS
t
0
' ( || ) ( ) = + + r R C C C
ON S gd gs S
datorit rezistenei r
ON
de valoare mic.
Trecerea comutatorului din conducie spre blocare se produce practic cu
constanta de timp :
) (
"
0 s gd S
C C R + = t
msurat din momentul n care s-a atins tensiunea de prag. Ca urmare, la ieire apare un
impuls parazit de tensiune, care scade n timp dup o lege exponenial:
) exp( ) ( ) (
"
0
0
t
t
C C
C
U U t u
S gd
gd
P CM

+
=
Aria impulsului mediat pe durata unei semiperioade, d tensiunea parazit rezidual la ieire:
C
gd S
P CM
C
C R
U U dt t u U
i
t t
t
~ =
}
) ( 2 ) (
2
2 /
0
0 02
254

(continuare b) Dac se compar relaiile (6.33) cu (6.34) i se analizeaz graficul
prezentat n Fig.6.35 se constat c trecerea de la conducie la blocare este mai
deranjant din punct de vedere al amplitudinii i duratei impulsului parazit, produs
de fenomenul tranzitoriu de comutaie la ieire.
n cazul general, timpii de comutaie de la conducie la blocare t
OFF
i de la blocare
la conducie t
ON
sunt diferii i n urmtoarele relaii de inegalitate:

x t
OFF
< t
ON
la comutatoarele CMOS (Break Before Make)
x x t
ON
< t
OFF
la comutatoarele MOS (Make Before Break)

Funcie de natura aplicaiei se va alege comutatorul cu aciunea dorit.
CMOS
255

a) Realizarea de comutatoare electronice cu tranzistoare avnd capacitatea C
gd

ct mai mic. ntruct tehnologic scderea capacitii C
gd
implic o cretere a
rezistenei rds, pentru aplicaiile de comutaie se recomand utilizarea
tranzistoarelor MOS cu canal iniial. Capacitatea C
gd
pentru un tranzistor
disponibil poate fi redus prin neutrodinare cu ajutorul unei capaciti variabile
de valoare sczut (220pF), excitat cu o tensiune de aceeai form, dar n
antifaz cu tensiunea de comand (Fig.6.36).
Recomandri de reducere a perturbaiilor produse n sistemele de
comutare cu circuite din familia MOS i CMOS
Reducerea tensiunii parazite la ieirea unui comutator cu MOS prin
neutrodinarea capacitii Cgd.
256

b) Aplicarea semnalului de intrare prin intermediul unui repetor, care s reduc
la minim rezistena intern a sursei de semnal.

c) Elaborarea unor scheme mai complexe cu dou sau mai multe
tranzistoare n regim de comutare, de acelai tip sau complementare,
comandate sincron sau n antifaz. Schema prezentat n Fig.6.37, utilizeaz ca
element de comutare un sistem de dou tranzistoare MOS complementare,
conectate n paralel i comandate n antifaz.
Semnalele parazite care se produc la comanda tranzistoarelor din starea
de conducie n starea de blocare i invers, vor fi de polariti diferite i se vor
anula la bornele sarcinii. Pentru egalarea capacitilor C
gd
, n paralel cu
tranzistorul avnd cea mai mic capacitate se conecteaz un condensator
ajustabil C
v
.
Performane sporite se pot obine cu ajutorul comutatoarelor serie-unt
(Fig.6.38) pentru orice combinaie de valori ale rezistenelor generatorului i
sarcinii.
257

Schema unui comutator electronic cu
tranzistoare MOS complementare
conectate paralel.
Schema unui comutator serie-unt
realizat cu tranzistoare MOS.
258

Pentru a evita scurtcircuitarea sarcinii RS cnd T2 conduce se recomand
utilizarea schemei de comutator n T prezentat n Fig.6.39. Trebuie remarcat c
soluiile de reducerea perturbaiilor produse n sistemele de comutaie cu circuite
din familia MOS i CMOS impun o cretere a complexitii montajelor, ceea ce
desigur se reflect n dinamica preului de cost.
Schema unui comutator n T realizat cu tranzistoare MOS.
259

ZGOMOTUL N ECHIPAMENTE ELECTRONICE
Componentele zgomotului
Curentul direct al jonciunii pn este format de golurile din regiunea p
i electronii din regiunea n care au suficient energie s traverseze bariera de
potenial din regiunea srcit. n realitate pe lng acest curent mediu ID se
suprapun componente fluctuante de curent datorate difuziei purttorilor de
sarcin minoritari (Fig.b). Aceti cureni pulsatorii depind de geometria
jonciunii, de concentraia purttorilor de sarcin i de nlimea barierei de
potenial din regiunea srcit cu purttori de sarcin.
Zgomotul de alice (shot noise)
CONCENTRAIA PURTTORILOR
I
P
P
n
n
I I
D
REGIUNE
P N SRCIT
+ -- n
p
P
n
V
DISTAN
t
REGIUNEA p o REGIUNEA n x
a) Jonciunea pn b) Curentul direct c) Concentraia purttorilor
260

Fluctuaiile curentului direct al jonciunii sunt denumite generic zgomot de alice
i se exprim n termeni ale variaiei fa de valoarea medie ptratic:
}
= =

T
D
T
D
dt I I I I i
0
2 2 2
) ( lim ) (
Considernd curentul I compus dintr-o serie infinit de impulsuri statistic
independente axate pe valoarea medie ID, dup calcule, se obine pentru
valoarea medie ptratic a curentului zgomotului de alice, expresia:

f I q i
D
A = 2
2
|A
2
|
unde: q reprezint sarcina electronului (1,610-19C); iar Af este banda de
frecven n hertz.
261


i
f
2
A

A
Hz
2
(
2qI
D
0 0,5/u 1/u 1,5/u 2/u f[Hz]
Densitatea spectral a
zgomotului de alice.
Densitatea de
probabilitate
-3o I
D
+3o Curentul direct
Amplitudinea
armonicilor
I
D
610
6
GHz 1210
6
GHz f
Funcia densitii de probabilitate Spectrul zgomotului de alice
a curentului direct printr-o diod
262

Zgomotul termic (Thermal noise)

Zgomotul termic n dispozitivele electronice se genereaz printr-un
mecanism diferit dect producerea zgomotului de alice. Aceast component a
zgomotului se datoreaz n principal micrii haotice a purttorilor de sarcin
(electroni) n conductoare i este independent de prezena au absena curentului,
ntruct mobilitatea tipic a driftului electronilor este mult mai mic dect
mobilitatea lor termic. Acest tip de zgomot apare n toate conductoare i crete
direct proporional cu temperatura absolut T, datorit creterii agitaiei termice.
ntr-un rezistor R zgomotul termic poate fi reprezentat printr-un
generator serie al tensiunii echivalente de zgomot (Fig.a)
f KTR v A = 4
2
respectiv printr-un generator paralel al curentului echivalent de zgomot (Fig. b)
KT /R i
f
A
=
4
2
263

Zgomotul termic (Thermal noise)

R

R R i
2

v
2

a) Generator serie b) Generator paralel
Reprezentri alternative al generatoarelor echivalente al
zgomotului termic dintr-un rezistor
unde: K=1,3810-23 J/K este constanta lui Boltzmann. La temperatura camerei
4KT=1,6610-20 VC
264

Zgomotul de licrire (Flicker noise)

Zgomotul de licrire (denumit uneori i zgomotul de plpire sau zgomot
invers proporional cu frecvena) este prezent n toate dispozitivele
semiconductoare i n rezistoarele cu pelicul de carbon. Este asociat trecerii
fluctuante a curentului prin corpul dispozitivului i apare numai dac materialul de
baz prezint defecte i trape (nivele energetice) care capteaz i elibereaz
electroni. Acest tip de zgomot nu apare la metale i este foarte redus la
rezistoarele construite pe baz de oxizi metalici. Valoarea constantelor de timp,
asociate procesului de captare i eliberare a purttorilor de sarcin, face ca
zgomotul de licrire, care ia natere s aib puterea maxim concentrat
ndeosebi n domeniul frecvenelor sczute.
Zgomotul de licrire, dependent de curentul direct care strbate
dispozitivul i de banda de frecven, are densitatea spectral de forma:

f
f
I
K i
b
a
A =
1
2
unde: Af banda de frecven
I curentul continuu direct
K1 constant constructiv
a, b constante n domeniul 0,52
265


Pentru b=1 n relaia densitii spectrale a zgomotului de licrire are o
dependen invers de frecven cum se prezint n Fig (de aici i denumirea
alternativ de zgomot 1/f).
i
f
2
A
Scar logaritmic
1/f
f
Scar logaritmic
Densitatea spectral a zgomotului de licrire funcie de frecven
266


Dei n aparen zgomotul de licrire este predominant numai de
domeniul frecvenelor sczute, exist numeroase dispozitive pentru care aceast
component de zgomot este semnificativ pn la frecvene de ordinul
megaherilor. Trebuie remarcat ins c zgomotul de licrire trebuie asociat
curentului continuu direct care strbate dispozitivul. Spre exemplu ntr-un rezistor
cu pelicul de carbon zgomotul de licrire este prezent numai cnd rezistorul este
parcurs de curent (spre deosebire de zgomotul termic care nu depinde de
valoarea curentului atta timp ct corpul rezistorului este meninut la temperatur
constant. Ca urmare rezistoarele cu pelicul de carbon se vor utiliza ca elemente
externe n circuitele de zgomot redus care funcioneaz la joas frecven numai
dac sunt parcurse de cureni foarte mici. Pentru astfel de circuite se recomand
utilizarea rezistoarelor cu straturi metalice sau a rezistoarelor fabricate din pelicule
de oxizi metalici.
267

Zgomotul de explozie (Burst or popcorn noise)

Este o alt component a zgomotului prezent ndeosebi n domeniul frecvenelor
sczute att la circuitele integrate ct i la tranzistoarele discrete. Sursa acestui tip
de zgomot se regsete n contaminarea cu ioni metalici ncrcai cu sarcin.
Dispozitivele semiconductoare dopate cu aur prezint o component important a
zgomotului de explozie. Acest tip de zgomot este numit de explozie ntruct pe
ecranul unui osciloscop cu memorie se pot vizualiza numeroase impulsuri scurte ale
nivelelor discrete, aa cum se prezint n Fig.
Amplitudinea zgomotului
t
Forma de und tipic a zgomotului de explozie
268


Frecvena de repetiie a impulsurilor de zgomot este tipic n domeniul
audio (civa kilohertzi sau mai puin) i produc uzual pocnituri n difuzoare, atunci
cnd se ascult muzic de calitate. Acesta este motivul pentru care n literatura de
specialitate (audio Hi-Fi)acest fenomen este cunoscut i sub denumirea de
zgomot de floricele (popcorn noise).
Densitatea spectral a zgomotului de explozie, poate fi scris sub forma:
f
f
f
I
K i
C
C
A
|
|
.
|
\
|
+
=
2
2
2
1
unde: K
2
este o constant constructiv
I este curentul continuu direct
C este o constant n domeniul 0,52
f
C
este frecvena critic
Af este banda de frecven
269


n Fig. este reprezentat grafic dependena densitii spectrale a
zgomotului de explozie funcie de frecven. Se constant c n domeniul
frecvenelor ridicate spectrul zgomotului de explozie scade proporional cu ptratul
frecvenei. Ca i n cazul zgomotului de licrire constanta K
2
se determin
experimental pentru fiecare dispozitiv, iar amplitudinea zgomotului de explozie nu
respect distribuia Gaussian.
i
f
2
A
Scar log.
3dB
1/f
2
f
f
c
Scar log.
Dependena densitii
spectrale a zgomotului
de explozie de frecven.
270

Zgomotul de avalan (Avalanche Noise)

Generatorul de tensiune continu V
Z
reprezint tensiunea de stabilizare
a diodei Zener iar rezistena serie r
Z
are valori tipice ntre 10100O.
Amplitudinea generatorului de zgomot echivalent este dificil de estimat
ntruct depinde de structura dispozitivului i de uniformitatea cristalului de siliciu.
Valorile tipice msurate pentru diodele de mic i medie putere indic diodele
fiind polarizate la un curent de aproximativ 1mA. De notat c aceast valoare este
mult mai mare dect componenta zgomotului termic la temperatura camerei
datorat prezenei rezistenei echivalente serie. Densitatea spectral a zgomotului
de avalan la diodele Zener este aproximativ plat, iar distribuia amplitudinii nu
respect legea Gaussian.
+
V
z
+ --
r
z

v
2
--
Schema electric echivalent a
diodei Zener completat cu
generatorul echivalent al
zgomotului de avalan.
271

Modele de zgomot pentru componentele circuitelor integrate
Rezistoare integrate

Rezistoarele monolitice i cele cu straturi subiri prezint n general
numai zgomot termic. Schema electric echivalent este prezentat n Fig. , iar
relaiile de calcul, pentru generatoarele echivalente de zgomot termic sunt (v)
respectiv (i). Rezistoarele cu pelicul de carbon utilizate ca elemente externe n
plachetele echipate cu circuite integrate prezint pe lng zgomotul termic i o
component important a zgomotului de licrire, care poate fi calculat cu relaia:

R

R R i
2

v
2

a) Generator serie b) Generator paralel
f KTR v A = 4
2
KT /R i
f
A
=
4
2
min
max
2
3 2
0
2
ln
f
f
l
c
R I v zg |
.
|
\
|
=
unde:
v
zg
|V| este amplitudinea zgomotului de licrire
I
0
|A| este curentul continuu care strbate rezistorul
R |MO| este rezistena nominal
C=0,11 constant constructiv
l |dm| lungimea liniilor de curent n rezistor
fminfmax, domeniul de frecven
272


Prin calcule se poate demonstra i merit reinut, c zgomotul termic
generat la borne de o rezisten cu pelicul de carbon, aflat la temperatura
camerei prin care nu trece curent continuu, este de acelai ordin de mrire, cu
zgomotul de curent generat la bornele mai rezistente cu pelicul metalic de
aceeai valoare alimentat la tensiunea nominal.
273

Exemplul 7.3
Considerm dou rezistoare R1 i R2 conectate n serie aa cum se arat n
Fig.7.11. Rezistoarele au respectiv generatoarele echivalente de zgomot termic
f KTR v A =
1
2
1
4
f KTR v A =
2
2
2
4

Vom proceda la calculul valorii medii ptratice a tensiunii generatorului de zgomot termic
echivalent
2
S
v
produs de cele dou rezistoare conectate n serie.

I
S
R
1
v1
2
v
s
2
R
1
+R
2
=R
S
Adaptare
R
2
v2
2
Circuitul pentru calculul generatorului de tensiune
echivalent al zgomotului termic v
s
2
produs de
dou rezistene conectate n serie
274

Notm cu vS(t) valoarea instantanee a tensiunii generatorului de zgomot echivalent celor
dou rezistoare conectate n serie i cu v1(t) i v2(t) valorile instantanee ale tensiunilor
generatoarelor individuale. Atunci:

ntruct cele dou generatoare v1(t) i v2(t) sunt independente valoarea medie a produsului
este nul i
Mai general, putem concluziona c ntruct tensiunile generatoarelor de zgomot termic
produse de fiecare rezistor sunt independente, valoarea medie ptratic echivalent
conexiunii serie este egal cu suma valorilor medii ptratice a tensiunilor generatoarelor
individuale:
) ( ) ( ) (
2 1
t v t v t v
S
+ =
) ( ) ( 2 ) ( ) ( ) (
2 1
2
2
2
1
2
t v t v t v t v t v
S
+ + =
) ( ) (
2 1
t v t v
f R R KT t v t v t v
S
A + = + = ) ( 4 ) ( ) ( ) (
2 1
2
2
2
1
2

= =
A = =
n
j
j
n
i
i S
f R KT v v
1 1
2 2
4
275


i puterea medie de zgomot maxim care poate fi cedat sarcinii este
adic, aceeai ca i n cazul existenei unui singur rezistor, chiar dac tensiunea
echivalent a zgomotului termic se sumeaz statistic.
n mod analog se demonstreaz c pentru conectarea paralel a dou rezistoare
(Fig.), valorile medii ptratice ale curenilor de zgomot termic, se sumeaz statistic:.
n condiii
de
adaptare
=
=
n
j
j S
R R
1
S
S
S
R
v
I
2
=
P R I KT f
S S max
= = A

i
p
Adaptare

i
1
G
1

i
2
G
2
G
S
=G
1
+G
2
G=1/R
(conductan)
Circuitul pentru calculul generatorului de curent
echivalent de zgomot termic (i
p
2
) produs de dou
rezistoare conectate n paralel
2
2
2
1
2
i i i
p
+ =
276


i puterea medie de zgomot termic maxim care poate fi cedat sarcinii la adaptare
(GS=G1+G2, cu G=1/R conductana rezistorului) este:
f KT P A =
max
n concluzie: Indiferent de numrul rezistoarelor legate n serie (sau n paralel)
puterea medie de zgomot termic maxim, ce poate fi cedat sarcinii (la
adaptare)este aceeai, chiar dac valorile medii ptratice ale generatoarelor
individuale de tensiune (sau curent) se sumeaz statistic.
277


i puterea medie de zgomot termic maxim care poate fi cedat sarcinii la adaptare
(GS=G1+G2, cu G=1/R conductana rezistorului) este:
f KT P A =
max
n concluzie: Indiferent de numrul rezistoarelor legate n serie (sau n paralel)
puterea medie de zgomot termic maxim, ce poate fi cedat sarcinii (la
adaptare)este aceeai, chiar dac valorile medii ptratice ale generatoarelor
individuale de tensiune (sau curent) se sumeaz statistic.
278

Condensatoare i inductoare integrate

Condensatoarele i inductoarele ca elemente de circuit se utilizeaz
foarte rar n construcia circuitelor integrate monolitice, de obicei ele atandu-se
sub form de componente discrete n exterior i prin urmare zgomotul lor poate fi
neglijat.
n realitate att condensatoarele ct i inductoarele integrate ca
elemente parazite de circuit introduc ndeosebi zgomot termic datorit
rezistenelor parazite introduse de metalizrile de contactare sau interconexiune.
Aceste rezistene parazite au uzual valori foarte sczute i trebuie
considerate n serie att cu inductorul ct i cu capacitorul analizat.
279

Dioda semiconductoare

n funcionarea diodei semiconductoare polarizat direct apare att un
generator al tensiunii de zgomot termic (datorat rezistenei seriale rS a siliciului)
ct i un generator de curent al zgomotului de alice combinat cu zgomotul de
licrire, n paralel cu rezistena dinamic rd. Circuitul echivalent complet al diodei
semiconductoare la semnal sczut este prezentat n Fig.
A

vs
2
I
D
A r
s
I
D

i
2

r
KT
q I
d
D
=
C
C
Schema electric echivalent la semnal
mic a diodei semiconductoare completat
cu generatoarele echivalente de zgomot
Cele dou generatoare echivalente
se calculeaz cu relaiile:

termic zgomot
s s
f r KT v
..
2
4 A =

lic rire
de zgomot
a
D
alice
de zgomt
D
f
f
I
K f I q i
..
1
..
2
2 A + A =
280

Tranzistorul bipolar
Analiznd procesele fizice care stau la baza funcionrii tranzistorului bipolar
rezult existena unor componente de zgomot att n circuitul de intrare ct i
n cel de ieire (baza respectiv colectorul tranzistorului).

Pe lng zgomotul termic ce apare n rezistenele parazite ale jonciunilor,
datorit impuritilor din cristalul de siliciu, semnalm existena unor
componente aleatoare ale zgomotului de alice de licrire sau de explozie
produse de driftul i de purttorii minoritari care traverseaz regiunea activ
normal a caracteristicilor.

Schema electric echivalent la semnal mic a tranzistorului bipolar trebuie
completat cu generatoarele echivalente de zgomot n baz:
281

r
b

v
b
2
B' C
r
c
C
B
C
CS
+

i
b
2
r
t
C
t
v
1
g
m
v
1
r
0

i
c
2
--
E E

termic zgomot
b b
f r KT v
..
2
4 A =

lozie
de zgomotul
c
c
B
licicr
de zgomotul
a
B
alice
de zgomot
B b
f
f
f
I
K f
f
I
K f I q i
exp
...
2
2
...
1
..
2
1
2 A
|
|
.
|
\
|
+
+ A + A =
respectiv cu generatorul echivalent al curentului de zgomot de alice din colector
f I q i
c c
A = 2
2
282

Dac neglijm pentru simplificare componenta zgomotului de explozie din
expresia generatorului echivalent al curentului de zgomot din baza tranzistorului
variaia densitii spectrale a zgomotului este:
i
f
b
2
A
Scar log.

K
I
f
B
a
1
2qI
b
f
f
a
Scar log.
283

Tranzistorul cu efect de cmp
S G D
D p J
1
G n-well I
D
J
2
S Sip
metal
B (Baz)
a) J-FET n-canal
G
S D
SiO
2
D n
+
n
+
B
G canal n-indus
Sip
S
B (Baz)
b) MOS-FET canal n-indus
G
S SiO
2
D
D n
+
n
+
G B canal n-initial
Sip
S
B (Baz)
c) MOS-FET canal n- initial
Structura fizic a FET
284

G
v
i
2
C
gd
D

i
g
2
r
gs
C
gs

g v
m gs
r
ds

i
d
2
S S
Schema electric echivalent la semnal mic a FET
completat cu generatoarele echivalente de zgomot
285

Cele dou generatoare echivalente de zgomot pot fi calculate cu relaiile:

lozie de zgomot
G g
f I q i
exp
2
2 A ~

licicr de zgomot
b
a
D
f
termic zgomot
m d
f
f
I
K f g RT i A + A
|
.
|
\
|
~
3
2
4
2
unde:
G
I - curentul de scurgeri din gril
D
I
- curentul de dren
f
K
- constant constructiv pentru fiecare dispozitiv
a, b - constante ntre 0,5 i 2
g
m
- transconductana dispozitivului n punctul de operare
Af - banda de frecven
286

Pentru calculul generatoarelor echivalente de zgomot la intrarea FET trebuie
considerat schema electric simplificat:
G
v
i
2
i
0
D
+

i
i
2
C
gs
- v
g
g
m
v
g
r
d
S S
n acest caz, zgomotul la intrare este calculat neglijnd capacitatea Cgd i fcnd
scurtcircuit pe sarcin:
2
2
2
m
d
i
g
i
v =
287

nlocuind pe
2
d
i
b
m
a
D
f
m
i
f g
I
K
g
KT
f
v
+ =
A
2
2
1
3
2
4
f C WL
R
g
KT
f
v
ox
f
m
i
1 1
3
2
4
2
+ =
A
se obine:
Similar pentru MOS-FET densitatea spectral a generatorului echivalent de
zgomot la intrare se poate scrie:
unde W, L sunt dimensiunile canalului, C
ox
este capacitatea stratului de SiO
2
i
valoarea tipic pentru constanta K
f
este 3
.
10
-24
V
2
F.
Rezistena de zgomot echivalent la intrare R
zg
pentru FET este definit prin

relaia:
zg
i
R KT
f
v
=
A
4
2
de unde se obine:
b
m
D
f
m
zg
f g
I
KT
K
g
R
2
a
4
1
3
2
+ =
288

Generatorul echivalent al curentului de zgomot de la intrarea FET,
2
i
i
se poate calcula fcnd gol la intrarea circuitului i egalnd componentele
zgomotului la ieire. Se poate scrie:
d
gs
m
g
gs
m
i
i
C j
g
i
C j
g
i + =
e e
2
2
2 2
2 2
d
m
gs
g i
i
g
C
i i + =
e
Cunoscnd c
g
i
i
d
i
reprezint generatoare de zgomot independente
(se sumeaz statistic) dup simplificri se obine:
Rezult:
|
|
.
|
\
|
+ + =
A
b
a
D
f m
m
gs
G
i
f
I
K g KT
g
C
qI
f
i
3
2
4 2
2
2 2
2
e
289

Densitatea spectral a tensiunii echivalente de zgomot la intrare pentru un
tranzistor cu efect de cmp funcie de frecven este reprezentat grafic:

v
f
V
Hz
i
2
2
A
....
(
10
-12
10
-13
1/f
10
-14
10
-15
10
-16
4kT(2/3)(1/g
m
)
10
-17
10
-18
0 10 10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
f [Hz]
290

Se constat c n domeniul frecvenelor mai mici dect 100 kHz predominant
este zgomotul de licrire, pe cnd n domeniul frecvenelor ridicate cea mai
important component o are zgomotul termic.

Mai mult, constatm c zgomotul de licrire este invers proporional cu
suprafaa grilei i scade o dat cu creterea capacitii stratului de SiO
2
.

Dac comparm acum performanele de zgomot ale tranzistorului bipolar cu
cele ale tranzistorului cu efect de cmp, se constat c mai ales la joas i
medie frecven, FET-ul este superior tranzistorului bipolar, datorit
curentului de gril I
G
foarte mic (10
-12
A sau mai mic) pentru o gam larg a
impedanelor de sarcin.
291

Zgomotul amplificatoarelor operaionale
Zgomotul AO cu tranzistoare bipolare
n fig urmtoare este prezentat schema electric simplificat a AO 741
(reprezentativ pentru AO cu tranzistoare bipolare).
+V
CC
-
v
i
Q
1
Q
2
+
Q
3
Q
4
i
0
12A 12A
Q
6
Q
5
1k R
1
1k R
3
-V
cc
292
Admind c dioda Q
5
i a rezistorul R
1
prezint impedan sczut pentru baza

tranzistorului Q
6
,

ntruct tranzistoarele Q
3
i Q
4
prezint impedan ridicat pentru sarcina
activ, zgomotul datorat sarcinii active Q
6
i R
3
este reprezentat prin

generatoarele echivalente la intrare
2
6 i
v
2
6 i
i
i
2
6 i
i
se poate neglija.
Considernd preponderent zgomotul termic i neglijnd celelalte componente ale
zgomotului se poate scrie:
v
f
KT r
g
R
i
b
m
6
2
6
6
3
4
1
2 A
= + +
|
\
|
.
|
293

i
0A

v
i 6
2
Q
6

i
5
2
Q
5

i
i 6
2
1k R
3
R
1

v
1
2
Schema echivalent de curent alternativ incluznd zgomotul
i sarcina activ pentru AO 741
294
Dac impedana diodei Q
5
la semnal mic este r
d
=KT/qI
5
=1/g
m5
transformnd cu

teorema lui Thevenin zgomotul
Un alt generator al tensiunii de zgomot n serie cu Q5 se datoreaz rezistenei
de baz a acestui tranzistor:

Zgomotul de curent datorat diodei Q
5
poate fi scris:
5
2
5
2
C
qI
f
i
=
A
2
5
i
5
2
5
5
2
5
2
1
4
1
2
m m
C
g
KT
q
qI
f
v
=
A
ntr-un generator echivalent de tensiune n
serie cu dioda, putem scrie
5
2
5
4
b
b
r KT
f
v
=
A
295
Combinnd relaiile ntr-un singur generator echivalent de zgomot

n final zgomotul termic datorat rezistenei R
1
poate fi scris:
1
2
1
4 R KT
f
v
=
A
2
A
v
n serie cu baza tranzistorului Q
6
se obine:
|
|
.
|
\
|
+ + + + + =
A
1 5
5
3
6
6
2
2
1
2
1
4 R r
g
R
g
r KT
f
v
b
m m
b
A
Pentru a evalua acest generator de zgomot ntr-un caz concret considerm
curenii de colector ai lui Q5 i Q6 aproximativ 12A i corespunztor
1
2
1
2
1 08
5 6
g g
k
m m
= = , O
296

ntruct R
1
=R
3
=1kO i valoarea tipic a lui r
b
pentru tranzistoare de mic putere
este 500O rezult:
) 5160 ( 4
2
=
A
KT
f
v
A
3160
1
1
3
6
A
A
m
oA
v
v
R
g
i ~
+
~
care produce un curent de zgomot la ieire I
oA
avnd valoarea:
Combinnd relaiile se obine:
2
2
3160
5160
4 =
A
KT
f
i
oA
297

n aplicaiile practice:
2
1 0 m
i
g
v
i
=
2
0
2
2
0
4
1
v
g
i
m
=
2
oA
i
i deci
Egalnd curentul de zgomot la ieire cu curentul de ieire se obine generatorul
echivalent de tensiune a zgomotului de la intrarea AO datorat lui
dat de relaia: ) 9640 ( 4
4
3160
5160
4
2
1
2
2
KT
g
KT
f
v
m
iA
= =
A
Rezult de aici c sarcina activ contribuie cu o rezisten de 9,64kO la circuitul
echivalent de zgomot corespunztor intrrii AO741. Un calcul similar arat c
tranzistoarele Q
1
, Q
2
, Q
3
i Q
4
contribuie la schema echivalent cu un generator

de zgomot
2
iB
v
care se calculeaz cu relaia:
) 6320 ( 4
2
1
2
1
2
1
2
1
4
4 3 2 1
4 3 2 1
2
KT r r r r
g g g g
KT
f
v
b b b b
m m m m
iB
=
|
|
.
|
\
|
+ + + + + + + =
A
298

Sumnd statistic contribuia celor dou generatoare, rezult c pentru
amplificatoarele operaionale cu tranzistoare bipolare, generatorul echivalent al
tensiunii de zgomot la intrare este:
) 16000 ( 4
2
KT
f
v
i
=
A
Pentru calculul generatorului echivalent al curentului de zgomot la intrarea AO
trebuie luat n considerare valoarea curentului de baz I
b
al tranzistorului Q
1
i :
( )
i
f
qI q
i
b
2
6
2 2 0 2 10
A
~ =

,
299

Cu aceste generatoare de zgomot la intrare calculate, schema AO real poate fi
reprezentate
v
i
2
I
n
--

i
i
2
AO
ideal OUT
I
n
+

v
i
2

i
i
2
300

Zgomotul AO cu tranzistoare CMOS
+V
DD
I
D

v
zg1
2
v
zg2
2
I
in2
Q
1
Q
2

i
0
2
Q
3

v
zg3
2

v
zg4
2
Q
4

-V
SS
Schema etajului de intrare la AO cu
tranzistoare CMOS completat cu
generatoarele echivalente de zgomot.
2
1 zg
v
Schema electric a etajului de intrare la AO cu tranzistoare CMOS este
prezentat n Fig.7.26. Zgomotul tranzistoarelor a fost reprezentat prin
generatoarele echivalente ale tensiunilor de zgomot notate cu ,
calculabile cu relaiile prezentate n paragraful 7.3.5.
2
1 zg
v
2
2 zg
v
2
3 zg
v
2
4 zg
v
301

Reprezentarea generatorului echivalent
de zgomot la intrarea AO cu tranzistoare
CMOS
2
1 zg
v
Pentru calculul generatorului echivalent de zgomot la intrare:
(Fig.7.27) trebuie egalate componentele zgomotului la ieire pentru schemele
din Fig.7.26 i Fig.7.27 obinnd:
2
0
i
( )
v v
g
g
v v
zgT zg
m
m
zg zg
2
2
2 3
1
2
3
2
4
2
=
|
\
|
.
| +
+V
DD
I
D

v
zg
T
2
I
in2
I
in1
Q
1
Q
2
i
o
2
Q
3
Q
4
-V
SS
302

Cunoscnd c zgomotul de licrire este aproximativ independent de
condiiile de alimentare dar depinde de dimensiunile geometrice ale canalului prin
relaia:
f L W C
f k
v
ox
f
f

A
=
2
/ 1
f
L K
L K
C L W f
k
v
p p
n n
ox
p
lic
A
|
|
.
|
\
|

+

=
2
3
2
1
1 1
2
1
2
utiliznd formula (7.49) se obine pentru generatorul echivalent al zgomotului de

licrire al circuitului din Fig.7.27 expresia:
unde Kn i Kp sunt coeficienii zgomotului de licrire pentru canal de tip n respectiv
p, iar n i p reprezint mobilitatea electronilor respectiv golurilor ca purttori de
sarcin majoritari n cele dou tipuri de canale.
Performanele zgomotului termic pentru circuitul din Fig.7.27 se
calculeaz asemntor. La paragraful 73.5 am artat c zgomotul termic la
intrarea unui tranzistor MOS este:
f
g
KT v
m
zgt
A
|
|
.
|
\
|
=
3
2
4
2
303

Aplicnd aceleai aproximaii i procednd similar ca i la zgomotul de
licrire, se obine pentru zgomotul termic echivalent de la intrarea AO cu CMOS
din Fig.7.27 expresia:
unde I
D
este curentul de dren al fiecrui tranzistor.
n expresia de mai sus primul termen reprezint zgomotul termic
corespunztor tranzistoarelor de la intrare iar termenul din parantez reprezint
contribuia la zgomotul termic datorat sarcinii active. Datorit dimensiunilor fizice
sczute obtenabile pentru canale tranzistoarelor integrate prin tehnologiile actuale,
se poate considera cu bun aproximaie c zgomotul termic echivalent la intrarea
AO este dictat numai de performanele tranzistoarelor de la intrare. ntruct cele
dou componente ale zgomotului sunt independente vom putea scrie pentru
zgomotul echivalent la intrarea AO cu tranzistoare CMOS expresia:
f
L W
L W
I L W C
KT v
p
n
D ox p
Th
A
|
|
.
|
\
|
+

=
) / (
) / (
1
) / ( 2 3
4
4
1 1
3 3
1 1
2
v v v
K I
g f
f KT
g
f
zg lic Th
D
m m
T
2 2 2
2
4
2
3
1
= + ~

+ A A
304

Schema de principiu a reacie serie unt
Efectul reaciei asupra performanelor de zgomot
Efectul reaciei serie - unt asupra zgomotului amplificatoarelor
n Fig.7.28 este prezentat schema general a reaciei serie - unt
aplicat unui amplificator, iar n Fig.7.29 aceeai schem completat cu
generatoarele echivalente de zgomot.
In
+ +
a v
0
=av
i
- -
R
F
R
E
305

Fig.7.29. Schema reaciei serie - unt incluznd i generatoarele
echivalente de zgomot

v
ia
2
+ v
o
v
i
v
i
a

i
ia
2
-

v
f
2
R
F
R
E

v
e
2

v
i
2
v
i
+ +

i
i
2
a v
0
-- --
R
F
R
E
a) Reacia serie - unt completat cu
generatoarele de zgomot
b) Reprezentarea echivalent a
schemei din Fig.7.29.a
306


R
e
e
a
u
a
d
e
r
e
a
c
ie
e
st
e
c
o
n
st
it
ui
t

di
n
di
vi
z
o
r
ul
r
e
zi
st
iv
r
e
al
iz
a
t
c
u
R
E
i
R
F
.
D
a
c

z
g
o
m
o
t
ul
a
m
pl
ifi
c
a
t
o
r
ul
ui
d
e
b
a
z

e
st
e
r
e
p
r
e
z
e
n
t
a
t
d
e
g
e
n
e
r
a
t
o
a
r
el
e
e
c
hi
v
al
e
n
t
e

i
ia
r
r
e
zi
st
o
a
r
el
e
p
r
e
zi
n
t

n
u
m
ai
z
g
o
m
o
t
t
e
r
m
ic
i
a
a
c
u
m

s
e
r
e
p
r
e
zi
n
t

n
F
ig
.
7
.
2
9
.
b
,
c
a
r
e
c
o
n
c
e
n
tr
e
a
z

g
e
n
e
r
a
t
o
a
r
el
e
e
c
hi
v
al
e
n
t
e
d
e
z
g
o
m
o
t
la
in
tr
a
r
e
i
.

P
e
n
tr
u
c
al
c
ul
ul
g
e
n
e
r
a
t
o
r
ul
ui
e
c
hi
v
al
e
n
t
al
t
e
n
si
u
ni
i
d
e
z
g
o
m
o
t
c
o
n
si
d
e
r
m

p
e
n
tr
u
s
c
h
e
m
el
e
di
n
F
ig
.
7
.
2
9
.
a
i
b
s
c
u
rt
ci
r
c
ui
t
la
in
tr
a
r
e
i
e
g
al
m

t
e
n
si
u
ni
le
e
c
hi
v
al
e
n
t
e
d
e
z
g
o
m
o
t
la
ie
i
r
e
a
di
c
:
iia
2
via
2
vf
2
ve
2
vi
2
ii
2
v
i
2
v v i R
R
R R
v
R
R R
v
i ia ia
F
F E
e
E
F E
f
= + +
+
+
+
cu R=R
F
,,R
E
.
ntruct rezistenele prezent numai zgomot termic:
v KT R f
e E
2
4 = A v KT R f
F F
2
4 = A
i considernd, c toate sursele de zgomot din relaia (7.54) sunt independente,
putem scrie:
v v i R KTR f
i ia ia
2 2 2 2
4 = + + A
307

Aceast relaie arat c n cazurile practice, la amplificatoarele
crora li s-a aplicat reacia serie-unt, generatorul tensiunii de zgomot
echivalent la intrare, conine pe lng generatoarele echivalente de zgomot
de la intrarea amplificatorului de baz i generatorul echivalent al
zgomotului termic al rezistoarelor din reeaua de reacie. n practic ultimul
termen din relaia (7.57) se poate neglija, ntruct:
R=R
E
,,R
F
~R
E
i
Curentul echivalent de zgomot la intrare se calculeaz fcnd gol la intrarea
circuitelor din Fig.7.29.a i b i egalnd componentele zgomotului la ieire. Se
obine:
adic curentul zgomotului echivalent la intrare practic nu este afectat de zgomotul
rezistoarelor, fiind untat la mas de reeaua de reacie.
4
2 2 2
KT R f v sau i R
E ia ia E
<< A
2
i
i
i i
i ia
2 2
~
308

Efectul reaciei unt - unt asupra zgomotului amplificatoarelor
n Fig.7.30 este prezentat schema bloc a unui amplificator cruia i
s-a aplicat o reacie unt-unt, iar n Fig.7.31, a fost desenat aceeai
schem completat cu generatoarele echivalente de zgomot.
R
F
+ +
v
i
v
i
a v
0
=av
i
- -
Schema amplificatorului cu reacie unt - unt
309

n Fig.7.30 este prezentat schema bloc a unui amplificator cruia i
s-a aplicat o reacie unt-unt, iar n Fig.7.31, a fost desenat aceeai
schem completat cu generatoarele echivalente de zgomot.

i
f
2
R
F

v
ia
2
+ +
v
i
a v
o

i
ia
2
- -
a) Reacia unt-unt completat cu
generatoarele de zgomot
R
F

v
i
2
v
in
+ + v
0

i
i
2
a
-- --
b) Reprezentarea echivalent a schemei
din Fig.7.31.a.)
Schema reaciei unt - unt incluznd i generatoarele echivalente de zgomot.
310


C
u
i
s
-
a
u
n
o
t
a
t
g
e
n
e
r
a
t
o
a
r
e
l
e
d
e
z
g
o
m
o
t
a
l
a
m
p
li
fi
c
a
t
o
r
u
l
u
i
d
e
b
a
z

i
a
r
c
u
g
e
n
e
r
a
t
o
r
u
l
z
g
o
m
o
t
u
l
u
i
t
e
r
m
i
c
a
l
r
e
z
i
s
t
e
n
e
i
d
e
r
e
a
c
i
e
.
n
F
i
g
.
7
.
3
1
.
b
)
a
c
e
s
t
e
g
e
n
e
r
a
t
o
a
r
e
d
e
z
g
o
m
o
t
a
u
f
o
s
t
r
e
f
e
r
e
n
i
a
t
e
f
a

d
e
i
n
tr
a
r
e
a
a
m
p
li
fi
c
a
t
o
r
u
l
u
i
c
u
r
e
a
c
i
e
i
n
o
t
a
t
e
c
u
r
e
s
p
e
c
ti
v
.

F
n
d
g
o
l
l
a
i
n
tr
a
r
e
a
s
c
h
e
m
e
l
o
r
d
i
n
F
i
g
.
7
.
3
1
.
a
)
i
F
i
g
.
7
.
3
1
b
)
i
e
g
a
l
n
d
z
g
o
m
o
t
u
l
l
a
i
e
ir
e
s
e
o
b
i
n
e
:
i
ia
2
v
ia
2
i f
2
vi
2
ii
2
i i
v
R
i
i ia
ia
F
f
= + +
cu i KT
R
f
f
f
= 4
1
A - zgomotul termic al rezistenei de reacie.
ntruct toate cele trei componente de zgomot din relaia (7.60) sunt independente
se pot suma statistic adic:
i i
v
R
KT
R
f
i ia
ia
F F
2 2
2
2
4
1
= + + A
311

Rezult aadar c generatorul curentului de zgomot echivalent
prezent la intrarea unui amplificator, cruia i s-a aplicat reacia unt-unt
este suma componentelor de zgomot datorate amplificatorului de baz i
rezistenei de reacie. n cazurile practice datorit valorilor vizuale ale
rezistenei RF ct mai ales datorit inegalitii
ultimul termen se poate neglija.
Fcnd scurtcircuit, la intrrile schemelor din Fig.7.31 i egalnd
generatoarele zgomotului la ieiri se obine:
4
1
2
2
2
KT
R
f i sau
v
R
F
ia
ia
F
A <<
v v
i ia
2 2
~
adic tensiunea echivalent de zgomot la intrarea amplificatoarelor cu reacie unt-
unt este practic dictat de zgomotul amplificatorului.
312

Banda de zgomot

v
i
2
A
v
(jf)
v
OT
2
Fig. 7.32. Circuit pentru exemplificarea
metodei de determinare
a zgomotului la ieirea unui amplificator

S f
v
f
i
( ) =
0
2
A
[V
2
/Hz]
S
io
Scar log. f
|A
v
(jf)|
2
A
2
vo
f
1
Scar log. f
a) Densitatea echivalent a tensiunii b) Ptratul funciei de transfer c) Densitatea spectral
a de zgomot la intrare tensiunii de
zgomot la ieire

S f
v
f
o
( ) =
0
2
A
A
2
vo
S
io
f
1
Scar log. f
Fig.7.33. Principalii parametrii ai circuitului din Fig.7.32
313

Banda de zgomot
Presupunem pentru simplificare c densitatea spectral a
zgomotului la intrarea circuitului este constant i independent de
frecvena, aa cum se reprezint n Fig.7.33.a).
De asemenea presupunem c valoarea ptrat a amplificrii n tensiune ,Av(if),2
are dependena prezentat n Fig.7.33.b. Densitatea spectral a tensiunii de
zgomot la ieirea amplificatorului
este produsul dintre densitatea spectral a zgomotului la intrare i ptratul
amplificrii n tensiune la frecvene medii aa cum se arat n Fig.7.33.c. Tensiunea
de zgomot total la ieirea amplificatorului se obine sumnd contribuiile termenilor
S0(f) cnd frecvena crete de la 0 la
v
f
S f S
i
i ia
2
A
= = ( )
S f
v
f
A S
v i 0
0
2
0
2
0
( ) = =
A
v S f f S f df A jf S df S A jf df
T
f
v io io v 0
2
0
0
0
2
0 0
2
0
= = = =
=
} } }
( ) ( ) ( ) ( ) A
314

Banda de zgomot
Calculul integralei din relaia (7.66) este deosebit de dificil, cu
excepia funciilor de transfer simple. De aceea se pune problema transformrii
funciei de transfer ntr-o form normalizat, care s permit determinarea
zgomotului la ieire prin calculul unor integrale cunoscute. n acest scop, se
consider pentru simplificare funcia de transfer din Fig.7.33.b) n forma ei
simplificat, prezentat n Fig.7.34. n aceast situaie rezult:
v S A f
OT io v N
2
0
2
=
,A
v
(jf),
2
A
2
vo
f
N
f
Funcia de transfer normalizat pentru calculul
tensiunii echivalente de zgomot la ieire
Egalnd ultimele dou relaii se determin:
f
A
A jf df
N
v
v
=
}
1
0
2
2
0
( )
unde f
N
reprezint banda echivalent de zgomot a circuitului.
315

Banda de zgomot
Calculul benzii echivalente de zgomot, utiliznd funcia de transfer
normalizat ofer informaii importante privind comportarea diferitelor circuite
din punct de vedere al performanelor de zgomot. Spre exemplu, considernd
un amplificator care, are o funcie de transfer cu un singur pol al rspunsului n
frecven:
A jf
A
j
f
f
v
v
( ) =
+
0
1
1
unde f1 este frecvena de tiere (amplificarea scade cu -3dB fa de valoarea la
medie frecven. Calculnd banda echivalent de zgomot a acestui circuit se
obine:
f
df
f
f
n
f f
N
=
+
|
\
|
.
|
= =
}
1
2
1 57
1
2 1 1
0
,
Rezult aadar c banda de zgomot a unui circuit avnd o funcie de transfer cu
un singur pol, este mai mare dect banda de frecven a amplificatorului cu un
factor de multiplicare egal cu 1,57.
316

Factorul de zgomot i temperatura de zgomot
iesire la zgomot semnal raportul
rare la zgomot semnal raportul
F
/
int /
=
se msoar n valori absolute sau n decibeli.
317

CIRCUIT ELECTRONIC
S
i
, N
i
G S
0
, V
0
Reprezentarea schematic a
semnalului i zgomotului att la
intrarea ct i la ieirea unui
circuit electronic
Se poate scrie factorul de zgomot ca raportul:
0
0
S N
N S
F
i
i
=
Dac G reprezint amplificarea n putere a circuitului: S0=GSI
relaia factorului de zgomot devine:
i
N G
N
F
=
0
adic factorul de zgomot reprezint raportul dintre zgomotul total la ieire N0 i acea
parte a zgomotului la ieire datorat rezistenei sursei de semnal. ntruct F este
specificat n raport de puteri valoarea n decibeli este dat de F
[db]
=10lgF
[uniti]
.
318
Calculul efectiv al factorului de zgomot pentru un circuit electronic poate fi realizat
analiznd schema electric echivalent prezentat n Fig.7.36.

v
i
2
+ +

i
g
+

i
i
2
v
x
Z
i
Av
x
v
o
R
L
R
S

i
S
2
-
- -
Fig.7.36. Schema electric
echivalent pentru calculul
factorului de zgomot.
x vv A 0 =
n

a
c
e
a
s
t

r
e
p
r
e
z
e
n
t
a
r
e

r
e
p
r
e
z
i
n
t

a
m
p
l
i
f
i
c
a
r
e
a

n

t
e
n
s
i
u
n
e

e
s
t
e

z
g
o
m
o
t
u
l

t
e
r
m
i
c

d
a
t
o
r
a
t

r
e
z
i
s
t
e
n
e
i

i
n
t
e
r
n
e

a

g
e
n
e
r
a
t
o
r
u
l
u
i

d
e

s
e
m
n
a
l

i
a
r

i

s
u
n
t

g
e
n
e
r
a
t
o
a
r
e
l
e

e
c
h
i
v
a
l
e
n
t
e

d
e

z
g
o
m
o
t

d
a
t
o
r
a
t
e

i
n
t
r
r
i
l
o
r

c
i
r
c
u
i
t
u
l
u
i

a
n
a
l
i
z
a
t
.

Z
g
o
m
o
t
u
l

l
a

i
n
t
r
r
i
l
e

c
i
r
c
u
i
t
u
l
u
i

d
a
t
o
r
a
t
e

g
e
n
e
r
a
t
o
a
r
e
l
o
r

i

e
s
t
e
:
2 S i 2 i v2 i i 2 i v2 i i
v v
z
R z
i
R z
R z
x i
i
S i
i
S i
S i
1
=
+
+

+
respectiv
2
2
2
2
2
2
1
i S
i S
i
i S
i
i x
z R
z R
i
z R
z
v v
+
+
+
=
319
Puterea de zgomot pe sarcina RL datorat componentelor i este
2
i
v
2
i
i
|
|
.
|
\
|
+
+
+
= =
2
2
2
2
2
2
2
2
1
2
01
i S
i S
i
i S
i
i
L
x
L
z R
z R
i
z R
z
v
R
G
v
R
G
N
Puterea de zgomot la ieire produs de generatorul de zgomot al rezistenei

generatorului de semnal este:

2
S
i
2
2
2 2
02 S
i S
i S
L
i
z R
z R
R
G
N
+
=
320
ntruct generatorul i
s
2
este datorat n principal zgomotului termic
i KT
R
f
s
S
2
4
1
= A
nlocuind n relaia zgomotului produs de rezistena generatorului obinem:
N
G
R
R z
R z
KT
R
f
o
L
S i
S i
S
2
2
2
2
4
1
=

+
A
Folosind definiia factorului de zgomot obinem
f
R
KT
i
f R KT
v
N
N N
F
S
i
S
i
A
+
A
+ =
+
=
1
4
4
1
2 2
02
02 01
321
Constatm c factorul de zgomot este independent fa de parametrii circuitului
(G, Z
i
, R
L
) cu excepia rezistenei generatorului de semnal R
S
i de generatoarele
echivalente ale zgomotului la intrare. De asemenea pentru rezistene sczute ale
generatorului de semnal componenta este dominant pe cnd la rezistene

ridicate ale generatorului de semnal conteaz generatorul

2
i
v
2
i
i
, aa cum se prezint
n Fig.7.37.
F
[dB]
10dB/dec
- 10dB/dec
R
S opt
R
S
[O]
Fig.7.37. Dependena factorului de
zgomot de valoarea rezistenei
generatorului de semnal.
322
Derivnd n raport cu R
S
relaia (7.80) se poate determina valoarea R
S opt
pentru
care factorul de zgomot este minim:
2
2
2
i
i
i
v
R
opt S
=
f
I
q f I q i
F
C
B i
A = A =
|
2 2
2
b m
m
F
opt S
r g
g
R 2 1+ =
|
Spre exemplu calculnd factorul de zgomot pentru un tranzistor bipolar la medie
frecven n care se neglijeaz zgomotul de licrire (vezi paragraful 7.4.1).
v KT r
g
f
i b
m
2
4
1
2
= +
|
\
|
.
| A
se obine:
respectiv:
b m
F
opt
r g F 2 1
1
1 + + ~
|
323
La un curent de colector I
C
=1mA, |
F
=100, r
b
=500O se obin: R
S opt
=572O i
F
opt
=1,22 (adic 0,9dB). Notm c F
opt
descrete cnd |
F
crete i r
b
respectiv gm
scad.
Un alt parametru utilizat uneori la evaluarea performanelor de zgomot ale
dispozitivelor electronice este temperatura de zgomot T
n
. Ea se definete ca
reprezentnd temperatura la care zgomotul datorat rezistenei sursei de semnal:
f
R
KT
Z R
Z R
R
G
N
S
n
i S
i S
L
A
+
=
1
4
2
2 2
`
02
324
T
T
N N
n
=
02
`
02
egaleaz zgomotul la ieire datorat circuitului de intrare.
Comparnd relaiile (7.77) cu (7.84) se obine:
unde T este temperatura circuitului la care sunt specificate performanele de
zgomot (de obicei temperatura camerei T=290K). Din relaia (7.85) se deduce
imediat legtura ntre temperatura de zgomot Tn i factorul de zgomot F.
1 = F
T
T
n
n care F este dat n uniti i nu n decibeli.
Spre exemplu pentru F=2 (3dB) corespunde o temperatur de
zgomot T
n
=290K pe cnd la F=1,1 (0,4dB) rezult T
n
=29K.

Curs CTEE

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs CTEE

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CONSTRUCIA I

rezult expresia atenurii prin reflexie n ecrane:

utiliznd formula (7.49) se obine pentru generatorul echivalent al zgomotului de

S-ar putea să vă placă și