Laborator 2

Dioda semiconductoare
1. Schemele de principiu pentru ridicarea caracteristicilor directe i inverse ale diodelor

Schema de principiu pentru ridicarea carecteristicilor directe ale diodei

Circuit pentru determinarea PSF

Montaj pentru msurarea curentului invers

Montaj pentru deteminarea caracteristicii diodei Zener

2. Tabelele cu rezultatele msurtorilor Ex1.

0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20

506 mV 527 mV 574 mV 593 mV 640 mV 697 mV 742 mV 785 mV

30 mV 38.5 mV 62 mV 76.9 mV 101 mV 137 mV 164 mV 192 mV

182 mV 195.5 mV 218 mV 232 mV 250 mV 276 mV 295 mV 312 mV

681 mV 697 mV 744 mV 769 mV 753 mV 779 mV 800 mV 1.08 mV

1.57 1.59 1.63 1.66 1.708 1.77 1.84 1.96

1.77 1.79 1.82 1.85 1.899 1.97 2.05 2.19

3.1 3.18 3.29 3.37 3.48 3.67 3.86 4.1

Se observa ca o data cu cresterea intensitatii curentului electric, tensiunea pe diode creste si ea. Ex2. Prin aplicarea unui curent I = 5 mA si incalzirea cu mana a diodei 1N4148 se poate observa o scadere a tensiunii masurata la bornele diodei de la 0.693 V la 0.680 V. Datorita regiunii de rezistenta negativa instabilitatea termica nu este de dorit in stabilizatoarele de tensiune si ea trebuie evitata. Ex3. Ex4.1.

Ex4.2.
UD (V) ID (mA) Siliciu 0.689 4.8 Germaniu 0.137 5.2 Schottky 0.277 5.2 Zener 0.778 4.8 LED R 1.74 3.7 LED G 1.93 3.5 LED A 3.45 2

Concluzie Ex5.1. E (V) 0 -5 -10 -20 I (mA) 0.19*10-3 0.5 0.9 2.1