Dioda si redresarea curentului electric

Autori:Dumitriu Danut Drumea Alexandru

Caracteristicile DIODELOR
Prezentarea

teoretica Parti componente Functionare Montarea in circuit Aplicatii

Dioda semiconductoare
Este

format din dou zone semiconductoare, una de tip p i una de tip n, iar la suprafaa lor de contact definim jonciunea p-n. n figur am desenat golurile cu rou , electronii cu albastru, iar zona desenat cu verde este chiar jonciunea.

Dioda cu jonctiuni

Cea mai utilizata proprietate a diodelor semiconductoare cu jonctiuni este comportarea lor diferita la tensiuni de polarizare directe si tensiuni de polarizare inverse. Diodele cu jonctiuni se folosesc la constructia redresoarelor ce lucreaza cu semnale mari si frecvente mici, de obicei 50Hz. Se pot realiza atat din Ge, cat si din Si. Performantele unei diode redresoare sunt caracterizate prin doua marimi limita, care nu trebuie sa fie depasite in timpul functionarii:

Intensitatea maxima a curentului direct I(max);

Tensiunea inversa maxima (U inv max). Exista in prezent diode redresoare cu siliciu care suporta curenti maximi directi de mii de amperi si tensiuni inverse de 1600V. Un dezavantaj important al diodelor cu jonctiuni este acela ca ele nu pot fi utilizate la frecvente mari de lucru.

Polarizarea invers a diodei

n continuare aplicm pe jonciune un cmp electric extern cu + pe catodul diodei i - pe anod. Dioda este polarizat invers, electronii care sunt purttori majoritari n zona n (desenai cu albastru) sunt atrai de borna +, golurile care sunt purttori majoritari in zona p (desenate cu rou) sunt atrase de borna -, regiunea de trecere desenat cu verde se mrete i prin ea nu vom avea circulaie de purttori majoritari de la zona p la zona n i invers i deci nu circul curent electric prin jonciune.

Polarizarea direct a diodei

Inversm acum polii sursei de alimentare aplicnd + pe zona p i - pe zona n. tim c, n acest caz, dioda conduce i prin ea trece un curent semnificativ format din purttori majoritari (electronii din zona n i golurile din zona p). Pentru ca dioda s conduc, este necesar ca potenialul sursei exterioare s fie mai mare de 0,2 V pentru Germaniu i de 0,6 V pentru Siliciu pentru ca s fie depit bariera de potenial din zona jonciunii care apare n mod natural atunci cand am realizat jonciunea p-n, dar nu aplicm nici un cmp electric exterior.

Caracteristica de transfer a diodei semiconductoare

Graficul din figura de alaturi reprezint caracteristica de transfer a diodei semiconductoare. Ud reprezint tensiune de polarizare direct a diodei iar UINV este tensiunea invers de polarizare a diodei. n polarizare direct dioda ncepe s conduc numai dac tensiunea direct aplicat pe ea este mai mare dect valoarea barierei de potenial care este de 0,2 V la Ge i 0,6 V la Si. n cazul n care tensiunea de polarizare invers, UINV, aplicat diodei depete valoarea tensiunii de strpungere invers, dioda va conduce din nou. Acest mod de lucru al diodei este ns periculos i poate conduce la distrugerea diodei, dac nu limitm curentul invers prin diod cu rezistene exterioare. Fenomenul de strpungere al jonciunii p-n n polarizare invers este numit: efect Zener, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mic de 5V; efect de avalan, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mare de 5V; Dioda semiconductoare este foarte folosit n schemele electronice de amplificatoare, oscilatoare, circuite de detecie i modulaie dar i n alimentatoare ca diod redresoare.

Aplicatii ale diodelor :

-circuitele de redresare D2,D3,D4,D5 formeaza un redresor bialternanta