UNI VERSI DAD NACI ONAL DE TRUJI LLO- FACULTAD DE CC.FF.

Y MM -ESCUELA PROFESI ONAL DE F SI CA

Daz Desposorio Flix. N.

1
ANLISIS TERICO DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMUN
OBJETIVOS:
Analizar y Determinar tericamente los parmetros de un amplificador
bajo el modelo r
c
.
FUNDAMENTO TEORICO
TRANSISTOR:
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
"transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia").
Actualmente se los encuentra prctica-mente en todos los enseres domsticos
de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo,
hornos de microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras,
impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos,
ecgrafos, etc.
Tipos de Transistor:
Transistor de punta de contacto
Transistor de unin bipolar: BJT
Fototransistor,
Transistor de unin unipolar.
Transistor de efecto de campo: FET
Existen dos subclases y pueden ser: NPN o PNP.

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Las corrientes de los transistores NPN y PNP guardan una relacin entre
ellas, como se indica a continuacin:
I
L
= I
c
+ I
B
I
c
= [I
B
I
L
= oI
c
[ =
u
1-u
o =
[
[+1

AMPLIFICADOR:
El anlisis del transistor como amplificador, se hace bajo condiciones
donde se encuentra linealidad entre las caractersticas de la seal de entrada y
la seal de salida. Estas son las de tener pequea amplitud y baja frecuencia;
es decir cuando la entrada es menor de 26mV con el fin de no sobrepasar la
linealidad entre las curvas de entrada como diodo BE y utilizando frecuencias
en la banda de audio-frecuencia que es de 100Hz a 10KHz, pudiendo
abarcar alta fidelidad hasta 30KHz y ultra sonido hasta 100KHz.
Una de las configuraciones al ubicar un transistor dentro de un circuito
amplificador tiene como resultado que el emisor forma parte tanto de la malla
de entrada como de la malla de salida para la seal AC, por lo que el
amplificador recibe el nombre de emisor comn.
Despus que el transistor se haya polarizado con su punto Q cerca del centro
de la lnea de carga de DC, se puede acoplar una pequea AC en la base. Esto
produce fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la malla del colector pero
amplificada. Si la amplitud de la seal AC es pequea, el transistor slo usar
una pequea parte de la lnea de carga y la operacin ser lineal, por lo que su
comportamiento puede ser predicho (mediante el anlisis de circuito) por uno
de los modelos ms populares de representacin lineal del transistor.
El circuito requerido tiene una configuracin de polarizacin por divisor de
voltaje, por tanto, podemos usar el anlisis aproximado para determinar con
alto grado de certeza los valores tericos requeridos en esta configuracin.
La resistencia R
1
es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el
transistor con un resistor de emisor R
L
. La resistencia reflejada entre la base y
el emisor est definida por:
R

= ( [ + 1) R
L
( 1)
Si R

es mucho mayor que la resistencia R

2
, la corriente I
B
ser mucho menor
que I
2
debido a que la corriente siempre busca la trayectoria de menor
resistencia, e I
2
ser aproximadamente igual a I
1
. Si se acepta la aproximacin
que I
B
es esencialmente cero comparada con I
1
o I
2
, entonces, I
1
= I
2
y R
1
y R
2

pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a travs de R
2
, que en
realidad es el voltaje base puede calcularse mediante el uso de la regla del
divisor de voltaje.
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Entonces tenemos:
I
B
=
R
2
I
CC
R
1
+ R
2
( 2 )
Debido a que
R

= ( [ + 1) R
L
[R
L

En consecuencia la condicin que definir, si se aplica o no la aproximacin,
ser la siguiente:
[R
L
10 R
2
( 3)
En otras palabras, si beta a veces es el valor de R
L
es por lo menos 10 veces
mayor que el valor de R
2
, la aproximacin podr aplicarse con un alto grado de
precisin.
Una vez determinado I
B
, el nivel de I
L
puede calcularse a partir de:
I
L
= I
B
I
BL
( 4)
La corriente del emisor se puede calcular a partir de:
I
L
=
I
L
R
L
( 5 )
Adems:
I
C
Q
I
L
( 6)
El voltaje colector-emisor se encuentra determinado por:
I
CL
= I
CC
I
C
R
C
I
L
R
L
( 7)
Pero dado que
I
C
I
L

Tenemos:
I
CL
Q
= I
CC
I
C
( R
C
+ R
L
) ( 8 )
Obtuvimos ecuaciones independientes de beta, demostrando la independencia
del punto Q respecto a esta.


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DISEO DEL CIRCUITO

ANLISIS TERICO DEL CIRCUITO
Para usar esta aproximacin, necesitamos que se cumpla condicin impuesta
en la inecuacin (3). Segn los valores de las componentes del circuito
mostrado, tenemos que:
1.5 k [ 10 2.2 k 14.67
Como el transistor 2N3904 tienen como mnimo un [ = 100, entonces es
evidente que la condicin dada en la ecuacin (3) se cumple para nuestro
circuito.
De la ecuacin (2) y los datos del circuito tenemos:
I
B
=
10 I 2 .2 10
3

( 2.2 + 10) 10
3

= 1.803 I
F
B
= 1. 83 F( 11)
Entonces, de (4) obtenemos:
I
L
= 1.803 I 0.7 I = 1.103 I
F
F
= 1. 13 F( 12)
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Usando ahora (5) calculamos:
I
C
= I
L
=
1.103I
1 .5 k
= 0.735 mA
I
C
= . 735 mA( 13)
Finalmente, de las ecuaciones (6) y (8) tendremos que:
I
CL
= 10 I 0.735 mA ( 4 .7 + 1 .5) k = 5.443 V
F
CF
= 5. 443 V ( 14)
Para la configuracin de polarizacin por divisor de voltaje tenemos que:
I
C
= I
CL
+ I
L
= 5 .443 V + 1.103 I
F
C
= . 54 F( 15)

CONCLUSIONES:
Se calcularon tericamente los parmetros de un amplificador emisor comn,
cuyos resultados se muestran en las expresiones (11) (12) (13) (14) y (15)
cuyos valores se comprobaran experimentalmente y el anlisis de dichos datos
empricos se presentaran en el siguiente informe.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS:
Antoln Prieto M. y Vilma Mndez G. / El amplificador emisor comn/
laboratorio de Electrnica de la Universidad Nacional de Trujillo, 2011,
Trujillo.
R. Boylestad y L. Nashelsky/ Teora de Circuitos/ Ed. Pearson, sexta
edicin, Mxico, 1997.