Sunteți pe pagina 1din 10

P a g i n a | 9

Dioda semiconductoare
LUCRAREA NR. 2

DIODA SEMICONDUCTOARE



Scopul lucrrii - Ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor parametri ai diodelor
semiconductoare; studiul comportrii diodei semiconductoare n circuite elementare.

1. Caracteristica static
) 1 (
0
=
kT
qu
D
D
e I i

(2.1)
Reprezint dependena curent-tensiune, teoretic, a unei diode semiconductoare dedus prin
analiza fenomenelor fizice n jonciunea PN ideal ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior.
Semnificaia mrimilor din formul este:
0
I
- curentul de saturaie al diodei;
u
D
- tensiunea de polarizare;
k - constanta lui Boltzman;
q - sarcina electronului;
T - temperatura n Kelvini;
- constant.


















Fig 2.1 Caracteristica static a diodei semiconductoare

Curentul de saturaie I
o
este dependent de parametrii fizici, tehnologici i geometrici ai jonciunii
PN:
A
N L
D
N L
D
qn I
A n
n
D p
p
i
) (
2
0
+ = (2.2)
A - suprafaa jonciunii;
i
n
- concentraia intrinsec de purttori;
u
D
(V)
I
0

0.6
10
0.4 0.2
15
5
i
D(mA)

10 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic
p
D
,
n
D
- constantele de difuzie;
p
L
,
n
L
- lungimile de difuzie ale purttorilor de sarcin;
D
N
,
A
N
- concentraiile de impuriti.
Valori uzuale ale curentului de saturaie: 10100 nA pentru dioda din siliciu de mic putere; 1
100 A pentru dioda din germaniu.

La cureni direci de ordinul 110 mA (valori des ntlnite n practic) tensiunea direct pe diod
este de 0,2 0,3 V pentru diodele din germaniu respectiv 0,6 0,8 V pentru diodele din siliciu.

Constanta este un coeficient cuprins ntre 1 i 2 (pentru germaniu este mai apropiat de 1 iar
pentru siliciu mai aproape de 2). Rezult din considerarea efectului de recombinare din zona de sarcin
spaial la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importan mai mare la diodele din siliciu la
temperatura camerei).

La tensiuni directe mai mari, caracteristica static tinde s se liniarizeze datorit cderilor de
tensiune pe zonele neutre ale jonciunii PN, care nu mai pot fi neglijate.

2. Dependena de temperatur a caracteristicii statice a unei diode semiconductoare este foarte
puternic, nregistrndu-se o dublare a curentului de saturaie la fiecare 10
0
C pentru diode din
germaniu, respectiv la fiecare 6
0
C pentru diodele din siliciu. Aceast dependen poate fi pus n
eviden i prin coeficientul de variaie a tensiunii directe de pe diod cu temperatura, la curent
constant. Teoretic, aceast variaie este de circa 2 mV per grad Celsius, pentru ambele tipuri de
material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.

3. Determinarea mrimilor
0
I i
Se reprezint ecuaia diodei semiconductoare la scar semilogaritmic (ca n figura 2.2).
Pe abscis se reprezint tensiunea aplicat pentru conducie direct la scar liniar i pe
ordonat curentul prin diod la scar logaritmic.
Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului . n relaia (2.1) se neglijeaz -I
0
i se logaritmeaz, dup care se face separarea de variabile pentru obinerea relaiei lui :
D
D
i
u
kT
q
lg 3 , 2
1
A
A
= (2.3)














Fig. 2.2 - Caracteristica static a diodei la polarizare direct, la scar semilogaritmic
lg i
D
(mA)
u
D
(V)
1000
100
10
lg
i
D

u
D
I
0

0,2 0,4 0,6
P a g i n a | 11



Dioda semiconductoare
Prin prelungirea aceleiai drepte, la intersecia cu axa ordonatei se obine curentul de saturaie
0
I .

4. Punctul static de funcionare
n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ndeplini mai multe funciuni (redresare,
detecie, limitare, etc.), n multe situaii fiind necesar stabilirea unui regim static de funcionare.
E
+
-
R
D
i
D
u
D


Fig. 2.3 Circuit pentru determinarea punctului static de funcionare al diodei



Fig. 2.4 Determinarea teoretic a punctului static de funcionare al diodei

Pentru circuitul elementar din figura 2.3 punctul static de funcionare se determin prin
rezolvarea grafoanalitic a sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a diodei (2.1) i
ecuaia dreptei statice de funcionare :
D D
i R E u = (2.4)
Punctul static de funcionare M are coordonatele ) , (
D D
I U M , iar n acest punct de
funcionare dioda este caracterizat din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplicate n
serie cu tensiunea continu E ) printr-o rezisten dinamic, pentru care se deduce relaia :
D
d
qI
kT
r = (2.5)
Rezistena dinamic d
r
se determin experimental prin calculul pantei caracteristicii statice, n
punctul static de funcionare M conform relaiei:
M
D
D
d
i
u
r
A
A
= (2.6)
12 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic
5. Polarizare invers
La polarizare invers, conform ecuaiei teoretice (2.1), curentul este constant i egal cu -
0
I , aa
cum se constat n figura 2.1, pentru partea de tensiuni negative. n realitate, la polarizare invers,
regiunea de sarcin spaial se mrete i apare un curent de generare, dependent de tensiunea
aplicat, cu valori relative importante pentru diodele din siliciu (n figura 2.1 contribuia acestui curent la
caracteristica diodei a fost reprezentat punctat).
La tensiuni de polarizare invers mai mari, datorit fenomenului Zener i fenomenului de
multiplicare n avalan (predominant de obicei), curentul invers crete, valoare lui fiind limitat numai
de circuitul exterior.

Observaie: Fenomenul Zener reprezint smulgerea de purttori din reea prin cmpul electric
impus. Fenomenul de multiplicare n avalan se suprapune peste fenomenul Zener i presupune
creterea semnificativ a numrului de purttori de sarcin. Acest lucru se ntmpl prin generarea de
purttori n semiconductor (dioda), accelerarea lor n cmpul electric impus i ciocnirea cu ali electroni.
Rezultatul este transfer de energie, care nseamn creterea numrului total de astfel de purttori de
sarcin.

Tensiunile de strpungere, la care apare aceast cretere a curentului, sunt dependente de
natura materialului semiconductor, din care este realizat dispozitivul, precum i de concentraiile de
impuriti, fiind cu att mai mici cu ct concentraiile de impuriti sunt mai mari.

6. Dioda Zener (stabilizatoare de tensiune)
Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu dar frecvent denumite diode Zener) sunt
caracterizate printr-o tensiune de strpungere bine definit (datorit efectului de multiplicare n
avalan care determin o cretere foarte puternic a curentului invers n zona de strpungere).
Tensiunea de strpungere este controlat prin concentraia de impuriti. Funcionarea normal a
diodei se face n zona reprezentat n figura 2.5 (caracteristica static, att cea direct ct i cea
invers). Aceasta permite nelegerea noiunii de tensiune stabilizat,
Z
U , precum i determinarea
rezistenei dinamice a diodei,
Z
r
, conform relaiei:
. ct I
Z
Z
Z
Z
I
U
r
=
A
A
= (2.7)

Fig. 2.5 Caracteristica static a diodei Zener
P a g i n a | 13



Dioda semiconductoare
7. Dioda Schottky
Diodele Schottky se realizeaz prin contact metal-semiconductor de tip redresor. La contactul
metal-semiconductor se formeaz o barier de potenial i o regiune de sarcin spaial extins numai n
semiconductor. Astfel, dioda Schottky funcioneaz numai cu purttori majoritari, electroni n cazul
semiconductorului de tip N i goluri pentru P.
La echilibru termodinamic, curentul prin diod este nul.
La polarizare direct (u
D
> 0) bariera de potenial se micoreaz i apare un curent prin
jonciune, prin deplasarea electronilor din semiconductor n metal.
) 1 (
0
=
kT
qu
D
D
e I i
q
, cu 1 ~ q . (2.8)
La polarizare invers (u
D
< 0) bariera de potenial crete, iar fluxul de electroni de la
semiconductor spre metal scade foarte mult. Nu exist curent rezidual.
Proprieti:
- cdere de tensiune direct mai mic (0,4V Schottky, 0,75V diod de Siliciu) n comparaie cu
o diod semiconductoare de tip PN;
- funcionare foarte bun la frecvene mari i timpi de comutaie foarte mici (mai mici de 100
ps).

8. Dioda electroluminiscent (LED Light Emitting Diode)
LED-urile sunt realizate din jonciuni GaAs, semiconductor avnd banda interzis de circa 1,6
1,7 eV. Ca urmare a recombinrilor directe, se emit cuante de lumin n spectrul vizibil, cu diferite culori,
n funcie de lungimea de und a luminii emise. Diferite lungimi de und se obin prin adugarea de
impuriti n procesul de dopare. Diodele electroluminiscente funcioneaz doar la polarizare direct, la
cureni de ordinul a 20 mA.

Culori i materiale RGB
Se poate observa c tensiunea direct corespunztoare este mai mare dect cea a diodelor de
siliciu.







Culoare Lungime de und (nm) Tensiune (V) Material
Rou (R) 610 < < 760 1,63 < V < 2,03
AlGaAs
GaAsP
AlGaInP
GaP
Verde (G) 500 < <570 1,9 < V < 4
InGaN / GaN
GaP
AlGaInP
AlGaP
Albastru (B) 450 < < 500 2,48 < V < 3,7
ZnSe
InGaN
SiC ca substrat
14 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic














Fig. 2.6 Curbe spectrale pentru LED albastru, galben-verzui i rou.

(en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting-diode)
P a g i n a | 15



Dioda semiconductoare

DESFURAREA LUCRRII


Se identific montajul din figura 2.7, n care se folosete o schem electric ajuttoare ca surs de
curent reglabil cu ajutorul poteniometrului P.
Alimentat n curent continuu ntre bornele 3 (+18 V(tensiunea efectiv de alimentare a circuitului,
dup elementele de protecie, este de 12V)) i 2 (mas), circuitul furnizeaz la borna 4 un curent reglabil
ntre 0 i 50 mA.

3
5 6
7
8
1 4
8
2
10 9 11 12 13 14 15
D2 D
1
D
3
D
Z
L
R
L
G
L
B
R1
R2


Fig. 2.7 Montajul de laborator

Conectarea bornelor pentru sursa de curent:
+18V la borna 3, borna 1 la mas;

1. Se conecteaz diodele pe rnd la borna 4. Borna 2 se conecteaz la borna 1. Se traseaz
caracteristicile statice la polarizarea direct pentru diodele:
1
D - 1N4148 (diod din siliciu, de vitez) (borna 9 este anodul);
2
D - EFR 135 (diod redresoare din germaniu) (borna 10 reprezint anodul);
3
D
- 1N5819 (diod Schottky) (borna 11 reprezint anodul);
4
D - BZX 85 C5V6 (diod stabilizatoare de tensiune) (anodul este borna 2).
R
L - LED rou (anodul la borna 13);
G
L - LED verde (anodul la borna 14);
B
L - LED albastru (anodul la borna 15).

Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din figura 2.8; curentul prin diod se
msoar cu un miliampermetru, pe o scar corespunztoare de cureni, iar tensiunea la bornele diodei
cu un voltmetru electronic (de preferin voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care
se poate face o reprezentare comod la scar logaritmic adic multiplii i submultiplii zecimali ai
numerelor 1, 2 i 5 (ai cror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0,3 respectiv 0,7). Mai exact, setul de
valori se va folosi setul de valori: 0,1mA, 0,2mA, 0,5mA, 1mA, 2mA, 5mA, 10mA, 20mA.
16 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic
Pentru realizarea montajului, sursa de curent (borna 4) se conecteaz la (+)-ul
miliampermetrului, borna (-) a miliampermetrului la (+)-ul diodei (bornele 9, 10, 11, 13, 14, 15). Borna 2
se cupleaz la mas (borna 1). Voltmetrul se conecteaz ntre borna de (+) a diode i mas (borna 1).
Atenie! Dioda BZX 85 C5V6 (diod stabilizatoare de tensiune) este montat cu (-) ul la borna
12! Montajul va fi diferit fa de montajul folosit la celelalte diode (borna 2 va fi decuplat de la mas,
borna 12 dus la mas, iar (-)-ul ampermetrului va fi cuplat la borna 2).
D
VN I
+
-
-
i
+


Fig. 2.8. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor directe

Rezultatele msurtorilor se vor trece ntr-un tabel de forma:

I
D
(mA)
I(mA)
U
Si
(V) U
Ge
(V) U
Schottky
(V) U
Zener
(V) U
LR
(V) U
LG
(V) U
LB
(V)

2. La curentul I
9
= 5 mA se nclzete (cu mna) dioda 1N4148 i se constat, calitativ, modificarea
tensiunii directe pe diod.

3. Se traseaz caracteristicile statice ale celor trei diode la scar semilogaritmic (ca n figura 2.2) i se
determin parametrii
0
I i (care se vor trece ntr-un tabel).

lg I
D
U
Si
(V) U
Ge
(V) U
Schottky
(V) U
Zener
(V) U
LR
(V) U
LG
(V) U
LB
(V)

... ... ...


Siliciu Germaniu Schottky Zener LED R LED G LED A
I
0




4.1. Se vor trasa caracteristicile la scar liniar pe acelai grafic (numai n domeniul de cureni comun
diodelor).
Pentru 1N4148 se va trasa i dreapta static de funcionare (ecuaia (2.4), cu E i R )
i se va determina punctul static de funcionare M (prin precizarea coordonatelor sale,
D
U i
D
I ). n
punctul static de funcionare astfel stabilit, se va determina, grafic, rezistena dinamic (cu relaia (2.6));
se va calcula i valoarea teoretic a rezistenei dinamice cu formula (2.5) n care
q
kT
= 26 mV, are
valoarea dedus la punctul anterior iar
D
I are valoarea din punctul de funcionare i se vor compara
rezultatele.

4.2. Se realizeaz circuitul din figura 2.9 pentru fiecare diod cu E = 5 V i R1 = 1K i se msoar
mrimile caracteristice punctului static de funcionare,
D
U (cu voltmetru numeric) i
D
I (cu un
P a g i n a | 17



Dioda semiconductoare
miliampermetru montat n serie cu dioda) i se compar cu rezultatele obinute prin metoda
grafoanalitic, la punctul precedent. Se deconecteaz bornele 3 i 4. Se conecteaz sursa E la borna 5,
iar anodul diodei la borna 6. (Atenie la conectarea diodei Zener!).


E
+
-
R1
D
i
D
u
D
-
i
+
VN
+
-


Fig. 2.9 Circuit pentru determinarea PSF

5.1. Cu montajul din figura 2.10 se msoar curentul invers prin dioda de Ge la tensiunile E = 0, -5 V,
-10 V, -20 V.

E
-
+
R2
D
+
i
-
VN
+
-


Fig. 2.10 Montaj pentru msurarea curentului invers

Pentru aceasta, se conecteaz 7 la minusul sursei de tensiune (prin intermediul unui
miliampermetru) i 2 la plusul sursei de tensiune. Borna 8 se conecteaz la anodul diodei. Bornele 1 i 2
sunt i ele cuplate.

5.2. Se msoar caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune BZX 85 C5V6 cu montajul din
figura 2.11, pentru cureni ntre 0,1 mA i 20 mA. Pentru aceasta, generatorul de curent se alimenteaz
cu +18 V (la borna 3), bornele 4 i 12 se conecteaz mpreun printr-un miliampermetru iar tensiunea se
msoar cu un voltmetru (bornele 1 i 2 sunt i ele cuplate).


Fig. 2.11 Montaj pentru deteminarea caracteristicii diodei Zener

Se traseaz caracteristica invers a diodei stabilizatoare la scar liniar pe un grafic pe care se
traseaz, spre comparaie i caracteristica direct. n punctul static de funcionare caracterizat prin
Z
I
=
18 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic
10 mA, se determin rezistena dinamic cu relaia (2.7), msurnd tensiunea pe diod la curenii:
Z
I
=
5 mA i
Z
I
= 15 mA.

Referatul va conine:

- schemele de principiu pentru ridicarea caracteristicilor directe i inverse ale diodelor (1p);
- tabelele cu rezultatele msurtorilor (2p);
- graficele i determinrile fcute pe baza acestora (3p);
- rezultatele teoretice (1p)
- simularea circuitului (schem i valori) (2p);
- compararea datelor experimentale cu cele teoretice (1p).

Exemple de datasheet-uri pentru diodele folosite:

- http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/15021/PHILIPS/1N4148.html (D
1
)
- http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/2818/MOTOROLA/1N5819.html (D
3
)
- http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/good-ark/BZX85C6V8.pdf (D
4
)
- http://www.led-lights.co.uk/datasheets/YZ-RV5N30N.pdf (LED rou)
- http://www.led-lights.co.uk/datasheets/YM-GZ5S15Y.pdf (LED verde)
- http://www.led-lights.co.uk/datasheets/YM-BV5S15Y.pdf (LED albastru)

Caracteristici principale pentru EFR 135 (D
2
):
I
DMax
= 5A
V
inv max
= 100 V
I
0
= 100 A
V
d
< 0,6 V