Sunteți pe pagina 1din 6

CAPITOLUL 6

MODELAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR IN CURENT CONTINUU

Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor bipolar pnp sub forma circuitului echivalent este prezentat in figura de mai jos. El contine doua diode si doua generatoare de curent comandate de curentii prin diode. In cazul tranzistorului complementar (de tip npn) diodele, generatoarele curentii si tensiunile la borne isi schimba sensul.

Figura 6.1. Circuitul echivalent Ebers-Moll al tranzistorului bipolar. Ecuatiile corespunzatoare modelului sunt (in curent continuu, dar sunt valabile si la semnal mare in regim cvasistatic): qV IC = F I F I R curentii prin diode fiind: I F = I ES exp EB 1 kT qV IE = IF R IR I R = I CS exp CB 1 kT Cei patru parametrii de model IES, ICS, F si R nu sunt independenti, intre ei existand relatia F I ES = R ICS . 6.1. Sa se rescrie ecuatiile modelului Ebers-Moll si sa se deseneze circuitul echivalent corespunzator pentru tranzistorul npn, astfel incat generatoarele de curent sa fie comandate de curentii de la borne IE si IC. Raspuns Se elimina IF si IR din ecuatiile precedente. Rezultatul este: qV qV I C = F I E ICBO exp BC 1 I E = R I C + I EBO exp BE 1 kT kT I EBO = (1 F R ) I ES unde: ICBO = (1 F R ) ICS 6.2. Sa se particularizeze modelul Ebers-Moll al unui tranzistor bipolar npn pentru regiunile de polarizare: a) activa directa; b) saturatie; c) blocare daca tensiunile aplicate pe jonctiuni sunt (in valoare absoluta) mai mari de 78 mV (la temperatura camerei).
1

Raspuns Regiunea activa directa. Deoarece VBE > 0, | VBE| kT/q si VBC < 0, | VBC| kT/q rezulta ca se poate scrie: q VBE I F I ES exp I R ICS kT Deoarece IF >> ICS circuitul echivalent Ebers-Moll al tranzistorului bipolar devine cel din figura de mai jos.
emitor I
E

IF

I ES

F IF

colector IC

VBE baza

VBC

Regiunea de saturatie. Deoarece VBE > 0, | VBE| kT/q si VBC > 0, | VBC| kT/q rezulta ca se poate scrie: q VBC q VBE I F I ES exp I R ICS exp kT kT Circuitul echivalent nu poate fi simplificat, el ramanand cel din figura 6.1. Regiunea de blocare. Deoarece VBE < 0, | VBE| kT/q si VBC < 0, | VBC| kT/q rezulta ca se poate scrie: I F I ES I R ICS Desenarea unui circuit echivalent nu este utila in analiza circuitelor, dar se poate calcula: I C = F I ES + I CS = I CS (1 R ) I E = I ES + R I CS = I ES ( 1 + F )

Deoarece F 1 , rezulta ca se poate considera: I E 0 si I C I B


6.3. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru tranzistorul bipolar din circuitul alaturat (baza este in gol). Tranzistorul are parametrii IES = 1 A, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

Raspuns Se observa ca iB = 0. Se poate presupune ca vBE > 0 (jonctiunea este deschisa, dar caderea de tensiune pe ea nu poate fi prea mare) si vBC < 0, cu |vBC| 3 kT/q. Rezulta: I R I CS

I E = IC deci Inlocuind, se calculeaza:

I F R I R = FI F I R
2

1 R ICS 1 F I 1 R IC = I E = ICS + R I CS = CBO = I CEO 100 A 1 F 1 F Se poate calcula caderea de tensiune pe jonctiunea BE: k T 1 - R I CS k T F VBE = ln1 + 1 - I = q ln1 + = 0.12 V q F ES R Tensiunea pe jonctiunea BC (neglijand caderea de tensiune pe rezistenta R1) rezulta: VBC 12 V IF =

6.4. Sa se calculeze parametrii diodelor obtinute din conectarea unui tranzistor bipolar intr-una din configuratiile de mai jos. Care dintre configuratii asigura o cadere de tensiune minima pentru polarizarea in direct la acelasi curent I = 1 mA ? Tranzistorul are parametrii IES = 1 A, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K. Care este efectul rezistentei distribuite a bazei rbb = 30 ?

Cazul Q1. Colectorul este in gol IC = 0, deci I = IE = IB. Rezulta: qV I = (1 F R ) I ES exp 1 kT Numeric rezulta V = 0.1974 V. Rezistenta distribuita a bazei rbb este rezistenta serie a diodei astfel formate. Caderea de tensiune pe aceasta rezistenta este de 30 mV, deci caderea de tensiune la bornele diodei reale este de V = 0.2274 V. Cazul Q2. Emitorul este in gol (cazul este similar celui precedent). Deci: qV I = (1 F R ) I CS exp 1 kT

I qV I = (1 F R ) F ES exp 1 R kT deci curentul de saturatie al diodei este dublu fata de cazul precedent. Numeric: V = 0.1796 (fara rezistenta serie a bazei) si V = 0.2096 V.
Cazul Q3. Tensiunea VBE = 0, deci curentul de saturatie al diodei care rezulta este chiar ICS. Caderea de tensiune la bornele diodei este V = 0.162 V (daca se neglijeaza rezistenta serie a bazei). Daca se ia in considerare rezistenta serie a bazei, circuitul care trebuie analizat este prezentat in figura de mai jos:

Se observa ca: V = VBC VBE


V I = I R FI F = R I R I F BE rbb' Prezenta rezistentei serie a bazei in circuit face ca sistemul de ecuatii de mai sus sa devina puternic neliniar, nefiind posibila obtinerea unei expresii analitice explicite I = I(V). Eliminand curentul IR din relatiile de mai sus, rezulta:

6.5. Sa se calculeze expresia caderii de tensiune la saturatie VCE,sat pentru un tranzistor bipolar in functie de curentii de baza IB si de colector IC. Sa se faca calculul numeric pentru: IB = 0.05 mA, IC = 1 mA. Tranzistorul are parametrii IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K. Rezultatul este: k T I C (1 R ) + I B VCE,sat = ln F 86.2 mV q F I B I C (1 F ) R 6.6. In circuitul de mai jos Q are parametrii IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K. Sa se calculeze punctul static de functionare daca a) RC = 4 k; b) RC = 8 k;

6.7. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru circuitul de mai jos. Tranzistorul Q are parametrii IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

6.8. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru circuitul de mai jos. Tranzistorul Q are parametrii IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

6.9. In circuitul de mai jos Q are parametrii: 6.10. In circuitul de mai jos Q are parametrii: IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar IES = 1 pA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K. Sa se calculeze punctul static de T = 300 K. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru cele doua pozitii ale functionare pentru cele doua pozitii ale comutatorului. comutatorului.
RC 6k
S1

RC 8k
+ VCC

RB

S1 RB Q VBB 4V + 200k

+ VCC 12V

Q
VBB 4V +

12V

400k

6.11. Pentru generatorul de curent constant din figura sa se calculeze curentul generat IO si tensiunea minima VO,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

6.12. Pentru generatorul de curent constant din figura sa se calculeze curentul generat IO si tensiunea minima VO,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

6.13. Pentru generatorul de curent constant din figura sa se calculeze curentul generat IO si tensiunea minima VO,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

6.14. Pentru generatorul de curent constant din figura sa se calculeze curentul generat IO si tensiunea minima VO,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: IES = 1 pA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

6.15. Pentru generatorul de curent constant din figura sa se calculeze curentul generat IO si tensiunea minima VO,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: IES = 1 nA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.

6.16. Pentru generatorul de curent constant din figura sa se calculeze curentul generat IO si tensiunea minima VO,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: IES = 1 pA, F = 0.99 si R = 0.5, iar T = 300 K.