Sunteți pe pagina 1din 6

CAPITOLUL 6

MODELAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR IN CURENT CONTINUU

Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor bipolar pnp sub forma circuitului echivalent este prezentat in figura de mai jos. El contine doua diode si doua generatoare de curent comandate de curentii prin diode. In cazul tranzistorului complementar (de tip npn) diodele, generatoarele curentii si tensiunile la borne isi schimba sensul.

curentii si tensiunile la borne isi schimba sensul. Figura 6.1. Circuitul echivalent Ebers-Moll al tranzistor

Figura 6.1. Circuitul echivalent Ebers-Moll al tranzistorului bipolar.

Ecuatiile corespunzatoare modelului sunt (in curent continuu, dar sunt valabile si la semnal mare in regim cvasistatic):

I

I

nu sunt independenti, intre ei existand

relatia

V

q

V

EB

1

I

C

I I

F

F

R

curentii prin diode fiind:

F

R

= I

= I

ES

CS

exp

exp

k

q

T

CB

k

T

1

I = I −α I

E

F

R

R

Cei patru parametrii de model I ES , I CS , α F si

α I

F

ES

I

R

CS

.

α R

6.1. Sa se rescrie ecuatiile modelului Ebers-Moll si sa se deseneze circuitul echivalent corespunzator pentru tranzistorul npn, astfel incat generatoarele de curent sa fie comandate de curentii de la borne I E si I C .

Raspuns Se elimina I F si I R din ecuatiile precedente. Rezultatul este:

I

C

F

I

E

unde:

I

CBO

q V

exp

BC

k T

⎟ − 1

I

CBO

= 1−αα I

F

R

(

)

CS

I

I

E

R

I

C

+

I

EBO

q V

exp

BE

k T

EBO

= 1−αα I

F

R

(

)

ES

⎟ − 1

Raspuns

Regiunea activa directa. Deoarece V BE > 0, | V BE | kT/q si V BC < 0, | V BC | kT/q rezulta ca se poate scrie:

I

F

I

ES

exp ⎜ ⎛ q V kT

BE

I

R

≅ −

I

CS

Deoarece I F >> I CS circuitul echivalent Ebers-Moll al tranzistorului bipolar devine cel din figura de mai jos.

α I F F colector emitor I ES I E I F I C I
α
I
F
F
colector
emitor
I ES
I E
I F
I C
I B
V BC
V BE

baza

Regiunea de saturatie. Deoarece V BE > 0, | V BE | kT/q si V BC > 0, | V BC | kT/q rezulta ca se poate scrie:

I

F

I

ES

exp ⎜ ⎛ q V kT

BE

exp ⎜ ⎛ q V kT

BC

I

R

I

CS

Circuitul echivalent nu poate fi simplificat, el ramanand cel din figura 6.1. Regiunea de blocare. Deoarece V BE < 0, | V BE | kT/q si V BC < 0, | V BC | kT/q rezulta ca se poate scrie:

I

≅−I

F ES

I

R

≅−I

CS

Desenarea unui circuit echivalent nu este utila in analiza circuitelor, dar se poate calcula:

I

C

(

=−α I + I = I 1−α

F ES

CS

CS

R

)

I

E

(

=−I I = I 1

ES

R

CS

ES

Deoarece

α ≅

F

1

, rezulta ca se poate considera:

I

E

0

si

I

C

≅−I

B

F

)

6.3. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru tranzistorul bipolar din circuitul alaturat (baza
6.3. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru tranzistorul bipolar din circuitul alaturat (baza

6.3. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru tranzistorul bipolar din circuitul alaturat (baza este in gol). Tranzistorul are parametrii I ES = 1 µA, α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

este in gol). Tranzistorul are parametrii I E S = 1 µ A, α F =
este in gol). Tranzistorul are parametrii I E S = 1 µ A, α F =
este in gol). Tranzistorul are parametrii I E S = 1 µ A, α F =

Raspuns Se observa ca i B = 0. Se poate presupune ca v BE > 0 (jonctiunea este deschisa, dar caderea de tensiune pe ea nu poate fi prea mare) si v BC < 0, cu |v BC | 3 kT/q. Rezulta:

I ≅−I

R

CS

= I

Inlocuind, se calculeaza:

I

E

C

deci

I −α I I I

F

R

R

F

F

2

R

I

I

F

C

=

=

1

1

−α

−α

R

F

I

CS

 

I

=

1

−α

R

I

I

=

I CBO

E

1

−α

F

CS

R CS

−α

F

1

=

I

CEO

100

µ

A

Se poate calcula caderea de tensiune pe jonctiunea BE:

V BE

=

k T

ln 1

+

1- α

R

I ln 1

CS

⎟ =

k T

+

F

q

1- α

F

I ES

q

 

β

R

β ⎞

⎟ ⎠

⎟ = 0.12

V

Tensiunea pe jonctiunea BC (neglijand caderea de tensiune pe rezistenta R 1 ) rezulta:

V

BC ≅−

12 V

6.4. Sa se calculeze parametrii diodelor obtinute din conectarea unui tranzistor bipolar intr-una din configuratiile de mai jos. Care dintre configuratii asigura o cadere de tensiune minima pentru polarizarea in direct la acelasi curent I = 1 mA ? Tranzistorul are parametrii I ES = 1 µA, α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K. Care este efectul rezistentei distribuite a bazei r bb = 30 ?

ezistentei distribuite a bazei r b b ’ = 30 Ω ? Cazul Q1. Colectorul este

Cazul Q1. Colectorul este in gol I C = 0, deci I = I E = I B . Rezulta:

I

(

1

= −αα

F

R

)

I

ES

qV ⎞ ⎤

exp

⎟− 1

kT

Numeric rezulta V = 0.1974 V. Rezistenta distribuita a bazei r bb este rezistenta serie a diodei astfel formate. Caderea de tensiune pe aceasta rezistenta este de 30 mV, deci caderea de tensiune la bornele diodei reale este de V’ = 0.2274 V. Cazul Q2. Emitorul este in gol (cazul este similar celui precedent). Deci:

I

(

1

= −αα

F

(

I = 1 −αα

F

R

R

)

)

I

CS

qV ⎞ ⎤

exp

⎟− 1

kT

α

I

F ES

qV ⎞ ⎤

exp

⎟− 1

α

R

kT

deci curentul de saturatie al diodei este dublu fata de cazul precedent. Numeric: V = 0.1796 (fara rezistenta serie a bazei) si V’ = 0.2096 V.

Cazul Q3. Tensiunea V BE = 0, deci curentul de saturatie al diodei care rezulta este chiar I CS . Caderea de tensiune la bornele diodei este V = 0.162 V (daca se neglijeaza rezistenta serie a bazei). Daca se ia in considerare rezistenta serie a bazei, circuitul care trebuie analizat este prezentat in figura de mai jos:

3

Se observa ca: V = V BC − V BE I = I −α I

Se observa ca:

V = V

BC

V

BE

I = I −α I I I

R

F

F

R

R

F

V BE

r bb'

Prezenta rezistentei serie a bazei in circuit face ca sistemul de ecuatii de mai sus sa devina puternic neliniar, nefiind posibila obtinerea unei expresii analitice explicite I = I(V). Eliminand curentul I R din relatiile de mai sus, rezulta:

…………………

6.5. Sa se calculeze expresia caderii de tensiune la saturatie V CE,sat pentru un tranzistor bipolar in

functie de curentii de baza I B si de colector I C . Sa se faca calculul numeric pentru: I B = 0.05 mA,

I C = 1 mA. Tranzistorul are parametrii I ES = 1 nA, α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

Rezultatul este:

V

CE,sat

=

k T

q

ln

I

C

(

1

)

−α +

R

I

B

α

F

I

B

I

C

(

1

−α

F

)

×

α ⎤

α

F

R

86.2 mV

6.6.

In circuitul de mai jos Q are parametrii I ES = 1 nA, α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K. Sa se

calculeze punctul static de functionare daca a) RC = 4 k; b) RC = 8 k;

 
 
   
 

6.7.

Sa se calculeze punctul static de functionare

6.8. Sa se calculeze punctul static de functionare pentru circuitul de mai jos. Tranzistorul Q are parametrii I ES = 1 nA, α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

pentru circuitul de mai jos. Tranzistorul Q are parametrii I ES = 1 nA, α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

 
       
   
       
 
 

4

6.9. In circuitul de mai jos Q are parametrii:

 

6.10.

In circuitul de mai jos Q are parametrii:

 

I ES

=

1

nA,

α F = 0.99

si

 

α R = 0.5,

iar

I ES

=

1

pA,

α F = 0.99

si

α R = 0.5, iar

T = 300 K. Sa se calculeze punctul static

de

T = 300 K. functionare

Sa

se calculeze punctul static de

functionare

pentru

cele

doua

pozitii

ale

pentru

cele

doua

pozitii

ale

comutatorului.

 

comutatorului.

 
 
  RC   RC

RC

 
  RC   RC

RC

6k

8k

 

VBB

4V

S1

S1 + VCC 12V RB Q + 400k

+ VCC

12V

RB

Q + 400k
Q
+
400k
S1 + VCC 12V RB Q + 400k
 

VBB

4V

S1

S1 + VCC 12V RB Q + 200k

+ VCC

12V

RB

Q + 200k
Q
+
200k
S1 + VCC 12V RB Q + 200k

6.11. Pentru generatorul de curent constant din figura sa se calculeze curentul generat I O si tensiunea minima V O,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: I ES = 1 nA, α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

6.12.

Pentru generatorul de curent constant din

figura sa se calculeze curentul generat I O si tensiunea minima V O,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: I ES = 1 nA,

α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

 
 
       
   
       
 
 

5

6.13.

Pentru generatorul de curent constant din

6.14.

Pentru generatorul de curent constant din

figura sa se calculeze curentul generat I O si tensiunea minima V O,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: I ES = 1 nA,

figura sa se calculeze curentul generat I O si tensiunea minima V O,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: I ES = 1 pA,

α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

 

α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

 
   
 
   
 

6.15.

Pentru generatorul de curent constant din

6.16.

Pentru generatorul de curent constant din

figura sa se calculeze curentul generat I O si tensiunea minima V O,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: I ES = 1 nA,

figura sa se calculeze curentul generat I O si tensiunea minima V O,MIN de la care trebuie polarizat circuitul pentru ca el sa functioneze ca generator de curent constant. Tranzistoarele sunt presupuse identice si au parametrii: I ES = 1 pA,

α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

α F = 0.99 si α R = 0.5, iar T = 300 K.

 
 
 

6