Academia Tehnica Militar

Catedra E1

LABORATOR Polarizarea tranzistorului bipolar

Obiective
Msurarea punctului static de funcionare (PSF) a tranzistorului bipolar Identificarea anumitor parametri ai tranzistorului bipolar n catalogul de componente Identificarea situaiei n care tranzistorul bipolar este blocat Identificarea situaiei n care tranzistorul bipolar este n saturaie

SCHEMA DE LUCRU
+VCC RC RB1 56k T1 VCE 18k RB2 VB VBE VE RE 2,4k 1k Componente i echipamente utilizate: Tranzistor bipolar npn BC107, BC108, BC109, etc. Rezistoare de polarizare baz (RB1, RB2 ) zeci k Rezistoare de polarizare E,C : RE, RC k Sursa de tensiune VCC =12V Conectori VC Voltmetru curent continuu

CONSULTARE CATALOG
S se consulte catalogul pentru a vedea urmtoarele valori de catalog ale tranzistorului utilizat! Se noteaz: h fe = F = ___________(min) ... ___________(max) , VCesat = , configuraia terminalelor : E, B, C.

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

1. MSURTORI PRACTICE PE MACHET

a) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea activ normal (RAN) se realizeaz schema de mai sus utiliznd macheta de lucru; atenie la poziionarea terminalelor tranzistorului conform datelor de catalog! Tote determinrile se vor face cu ajutorul voltmetrului prin determinarea de poteniale electrice (tensiuni). Curenii vor fi determinai indirect prin msurarea tensiunii pe rezistoare i aplicarea legii lui Ohm. Tensiunile se vor determina indirect prin diferen de poteniale. Voltmetru CC Sond C E

.B

VE Mas

- se determin direct cu voltmetrul valorile tensiunilor n punctele: baz VB = ______, emitor VE = ______, colector VC =________. - indirect se determin VBE = VB-VE = ___________ i respectiv VCE =VC - VE=__________. V VC VE = ____________, I C = CC = _________ - indirect se determin I E = RE RC b) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de saturaie Schema de lucru rmne aceeai cu cea din RAN, cu excepia faptului c RC se seteaz la o valoare foarte mare, de ordinul zeci de k (exemplu RC=56k). - se determin direct cu voltmetrul valorile tensiunilor n punctele: baz VB = ______, emitor VE = ______, colector VC =________. - indirect se determin VBE = VB-VE = ___________ i respectiv VCE =VC - VE=__________. V VC VE = ____________, I C = CC = _________ - indirect se determin I E = RE RC c) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de blocare - se determin direct cu voltmetrul valorile tensiunilor n punctele: baz VB = ______, emitor VE = ______, colector VC =________. - indirect se determin VBE = VB-VE = ___________ i respectiv VCE =VC - VE=__________. V VC VE = ____________, I C = CC = _________ - indirect se determin I E = RE RC

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

2. DETERMINRI N SIMULARE (ORCAD)

a) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea activ normal (RAN) - se determin direct n analiza Bias Point Detail valorile urmtoarelor mrimi: IC = ______ , IE = ______, IB = ______, VE = ______, VC = ______, VB = ______ se determin indirect urmtoarele mrimi: IC VBE = ______, VCE = ______, F = = __________ IB b) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de saturaie Schema de lucru rmne aceeai cu cea din RAN, cu excepia faptului c RC se seteaz la o valoare foarte mare, de ordinul zeci de k (exemplu RC=56k). - se determin direct n analiza Bias Point Detail valorile urmtoarelor mrimi: IC = ______ , IE = ______, IB = ______, VE = ______, VC = ______, VB = ______ se determin indirect urmtoarele mrimi: IC VBE = ______, VCE = ______, F = = __________ IB c) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de blocare Schema de lucru rmne aceeai cu cea de la RAN, excepia faptului c RB2 se scurtcircuiteaz (RB2=0). - se determin direct n analiza Bias Point Detail valorile urmtoarelor mrimi: IC = ______ , IE = ______, IB = ______, VE = ______, VC = ______, VB = ______ se determin indirect urmtoarele mrimi: IC VBE = ______, VCE = ______, F = = __________ IB

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

3. CALCUL PSF
a) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea activ normal (RAN) - curentul de colector RB 2 RB1 RB2 RB = RB1 || RB 2 = = _______, VBB = VCC = ______, RB1 + RB2 RB1 + RB2

IC =

VBB VBE RB V = 0,65 V. + RE = ______, unde F este parametru de catalog i BE F

b) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de saturaie Schema de lucru rmne aceeai cu cea din RAN, cu excepia faptului c RC se seteaz la o valoare foarte mare, de ordinul zeci de k (exemplu RC=56k). - curentul de colector nu va mai respecta formula din RAN i poate fi determinat astfel: V VCEsat I C = CC = ______, unde VCEsat este parametru de catalog. Evident VCE = VCEsat iar RB + RE
VBE = 0,65 V.

- potenialele la nivelul celor trei terminale E, B, C

VE = RE I C =
__________ ,

VB = VE +VBE =

___________

, VC = VCC RC I C = ___________

- tensiunea VCE = VCC ( RC + RE ) I C c) Tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de blocare Schema de lucru rmne aceeai cu cea de la RAN, excepia faptului c RB2 se scurtcircuiteaz (RB2=0). - curentul de colector nu va mai respecta formula din RAN i poate fi determinat astfel: I C 0 . Evident VCE = VCC ( RC + RE ) I C = VCC = _______ iar VBE = 0 V. - potenialele la nivelul celor trei terminale E, B, C - tensiunea VCE = VCC ( RC + R E ) I C =
VE = RE I C = 0 VB = VE +VBE = 0 VC = VCC RC I C = VCC = , , ___________

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

4. APLICAIE SENZOR DE NIVEL AP BAZAT PE TRANZISTORUL

BIPOLAR N REGIM DE COMUTAIE BLOCAT/CONDUCIE

+VCC LED

Observaii: - se msoar tensiunile VBE , VCE , i curentul IC n cele dou situaii ON/OFF

T1 Vas cu ap

RB2 RE

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

ntrebri de verificare a cunotinelor Care sunt mrimile care caracterizeaz punctul static de funcionare pentru un tranzistor bipolar? Cum se determin PSF n practic? Cum se determin PSF n simulare? Care sunt diferenele i asemnrile ntre valorile determinate prin calcul i cele din simulare? Care sunt diferenele i asemnrile ntre valorile determinate prin calcul i cele din practic? Care este ordinul de mrime al parametrului F i care este diferena dintre valoarea lui din simulare i gama indicat de catalog? Prin ce se caracterizeaz tranzistorul saturat? Prin ce se caracterizeaz tranzistorul blocat? Explicai principiul de funcionare a senzorului de ap

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE