Sunteți pe pagina 1din 23

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

SUBST AN E TE HNI CE CU UTI LI Z RI N D OME NI UL E L E C T RI C I E L E C T R ONI C


A. S e mico nd u ct o r ii A.1. Propriet ti generale Materialele semiconductoare se cunosc de mult timp. Cu toate acestea, propriet tile lor au nceput s fie studiate abia dup descoperirea fenomenului fotoelectric, prezentat de seleniu, i a fenomenului piezoelectric, ntlnit la cuart (1876 1899). Semiconductorii sunt materiale cu rezistivitatea electric de ordinul a 10 -6 103 cm, cuprins ntre rezistivitatea metalelor (de 10- 6 10 -4 cm) i cea a substantelor dielectrice (10 1 0 102 2 cm). Semiconductorii se diferentiaz de conductorii metalici i de izolatori prin comportarea lor sub actiunea unor factori exteriori, ca: a) temperatur ; b) cmpul electric; c) cmpul magnetic; d) actiuni mecanice.

Fig. 1. Variatia rezistivit tii cu temperatura Aceste propriet ti se refer la: 1. existenta unui coeficient negativ al variatiei rezistivit tii electrice cu temperatura, spre deosebire de metale, unde rezistenta crete la ridicarea temperaturii (fig. 26.); 2. aparitia unei forte termoelectromotoare, att pozitive, ct i negative, de valoare mare n raport cu metalele; 3. sensibilitate la lumin , pus n evident fie prin aparitia unei forte electromotoare, fie prin variatia rezistivit tii la iluminare; 4. efectul de redresare a curentului electric. De asemenea, s-a remarcat c un rol foarte important n caracterizarea semiconductorilor l au impurit tile pe care acetia le contin. Toate aceste fenomene specifice au c p tat o explicatie teoretic satisf c toare n 1931, cnd A. H. Wilson a aplicat n cazul semiconductorilor rezultatele teoretice obtinute de F. Bloch privind micarea electronilor n corpurile cristaline. n acest scop se folos esc rezultat ele meca nicii cuantice. Conform modelului benzilor de energie din teoria orbitalilor moleculari, solidele se clasific , n functie de l timea benzii interzise ce separ banda de valent de banda de conductie, n: 1) conduct oar e (E = 0); 2) semiconduct oare (0 < E < 3 eV); 3) izolat oare (E > 3 eV).
1

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

L timea benzii interzise este egal cu diferenta ntre marginea superioar a benzii de valent i marginea inferioar a benzii de conductie. n cazul conductorilor electronici, precum metalele, banda de conductie se ntrep trunde sau este n continuarea benzii de valent , astfel c , sub actiunea cmpului electric, electronii pot trece uor dintr-o band n alta, participnd la transmiterea curentului electric. n cazul semiconductorilor puri, ntre banda de valent i banda de conductie exist un interval energetic interzis nenul . La creterea temperaturii, electronii de valent excitati termic pot trece n banda de conductie, participnd la fenomenul de conductibilitate electric . Propulsarea electronilor din banda de valent n banda de conductie se poate face pe diverse c i. A. 2. Condu ct ibilit at ea i ntr i ns ec a s emi c ondu ct or il or Conductibilitatea electric a unui semiconductor poate fi cauzat , n cazul elementelor foarte pure (precum borul, siliciul, germaniul, staniul cenuiu), de electronii proprii, situatie n care vorbim de conductibilitate intrinsec .

a) b) c) Fig. 2. Conductia intrinsec a semiconductorilor: a) dispunerea n cristalul de siliciu; b) tranzitia electronului din banda de valent n banda de conductie prin absorbtia unei cuante de lumin ; c) generarea i recombinarea purt torilor de sarcin : BV band de valent , BC band de conductie, BI band interzis Sub influenta unui excitant exterior (energie termic , energie electromagnetic raze X sau ), electronii pot fi smuli din banda de valent i propulsati n banda de conductie, cu conditia ca acetia s primeasc o energie mai mare dect l timea benzii interzise. Ca urmare, n banda de conductie apar electroni, iar n banda de valent un num r egal de goluri (cu sarcin pozitiv ). Att electronii, ct i golurile particip la transmiterea curentului electric, determinnd conductibilitatea intrinsec a semiconductorului. Conductibilitatea benzii de valent este de tip p (datorit golurilor pozitive), iar a benzii de conductie este de tip n (din cauza sarcinii negative a electronilor). La aplicarea unui cmp electric, electronii din banda de conductie se vor deplasa n sens opus cmpului, iar golurile din banda de valent se vor mica n sensul cmpului. Astfel are loc generarea unei perechi electron gol care, dup un timp, poate disp rea, prin revenirea electronului n banda de valent . Acest fenomen se numete recombinarea sarcinilor. Cele dou procese (generare recombinare) pot fi considerate ca o reactie de forma: e + h  eh unde: e electronul; h golul; eh stare neexcitat .
2

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

La creterea temperaturii, num rul purt torilor de sarcin se m rete, astfel nct crete exponential conductibilitatea electric a semiconductorilor. Generarea perechilor electron gol se poate face i prin iradiere cu o radiatie electromagnetic (radiatie luminoas ) a c rei energie trebuie s fie mai mare dect l timea benzii interzise. Apare astfel fotoconductibilitatea. A. 3. Condu ct ibil it at ea ext r i ns ec a s emic ondu ct or il or Atomii str ini, substituiti izomorf n reteaua unui semiconductor, modific conductibilitatea sa electric , putnd duce la aparitia de electroni n banda de conductie sau de goluri n banda de valent . Sub actiunea unor factori energetici exteriori, electronii, respectiv golurile create de impurit ti, se pot deplasa prin cristal, genernd astfel o conductibilitate extrinsec prin electroni, respectiv prin goluri. Semiconductorul, n acest caz, se numete semiconductor extrinsec Semiconductorii de siliciu i germaniu, folositi frecvent n practic , se dopeaz cu cantit ti foarte mici de atomi str ini circa 1 atom str in / 10 8 atomi de siliciu sau germaniu. Exist dou feluri de dopanti: donori (dopanti de tip n) i acceptori (dopanti de tip p).

a) b) Fig. 3. Semiconductori extrinseci de tip n: a) structura retelei cristaline; b) structura benzilor energetice: BV band de valent , BC band de conductie, ND nivel donor Dac siliciul, element tetravalent, este dopat cu un element din grupa a 15-a, ca fosforul, arsenul, stibiul, atunci doar patru din cei cinci electroni de valent ai acestor elemente intervin n formarea leg turii. Al cincilea element necesit o energie foarte mic pentru a se desprinde de sfera de atractie a atomului pentavalent. Energia termic a retelei, la temperatura camerei, este suficient pentru a-l promova din banda de valent n banda de conductie a s emiconduct orului i a-l face s s e mite liber prin cristal, participnd la fenomenul de conductibilitate electric . Atomul de impuritate se ncarc pozitiv. Deoarece energia necesar promov rii electronului n banda de conductie este foarte mic , rezult c el are nivelul energetic situat imediat sub banda de conductie. Prin urmare, introducerea atomilor unui element din grupa a 15-a n reteaua cristalin a siliciului sau a germaniului are ca efect aparitia unui nou nivel energetic, situat n banda interzis , n apropierea benzii de conductie. Dopantii de acest fel, care determin existenta unui num r mare de electroni liberi, se numes c dopanti de tip n sau donori, iar conductibilitat ea care apare est e doar condu ctibilitat e ext rins ec de tip n i se ma nif est nu mai n banda de conductie. Semiconductorul este, n acest caz, un semiconductor de tip n. Dac doparea se realizeaz cu elemente din grupa a 13-a, ca borul, aluminiul, galiul, indiul, care, fiind trivalente, au un electron de valent mai putin dect siliciul, atunci la acest atom str in este localizat un gol. Pentru stabilirea celei de-a patra covalente, golul poate captura un electron de la o leg tur siliciu siliciu vecin .
3

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

a) b) Fig. 4. Semiconductori extrinseci de tip p: a) structura retelei cristaline; b) structura benzilor energetice: BV band de valent , BC band de conductie, NA nivel acceptor Electronul capturat va avea o energie mai mare dect ceilalti electroni din banda de valent . Prin urmare, introducerea n retea a unui atom din grupa a 13-a are ca efect aparitia unui nivel energetic n banda interzis , situat n imediata vecin tate a benzii de valent . Deoarece diferenta de energie dintre nivelul suplimentar i banda de valent este foarte mic , la temperatura camerei, electronii din banda de valent pot fi promovati pe acest nivel energetic, l snd n urm goluri (pozitive). Semiconduct orul astfel dopat se numet e semiconductor de tip p. Acest e element e, care pot s primeasc cte un electron, nc rcndu-s e negativ i genernd goluri pozitive n banda de valent se numes c impurit ti acceptoare sau de tip p. Conductibilitatea care ia nater e s e numet e conductibilitate extrinsec de tip p. A. 4. J onctiunea pn Dac ntr-un monocristal dintr-un material semiconductor exist portiuni vecine cu dopanti de tip diferit, ntr-o parte donori i n cealalt acceptori, atunci frontiera dintre ele se numete jonctiune p-n. Golurile i electronii au tendinta de a difuza n ntregul cristal. Astfel, golurile vor difuza c tre regiuni n, iar electronii c tre regiuni p. Ca urmare, are loc recombinarea electronilor cu golurile. Aceasta face ca din portiunea p s dispar goluri i s devin negativ , iar din portiunea n s dispar electroni i s devin pozitiv . De aceea, la jonctiunea p-n apare o barier de potential care determin atingerea unei st ri stationare. Dac se aplic acestui semiconductor o diferent de potential, atunci curentul va trece doar dac partea p este conectat la electrodul pozitiv i partea n la electrodul negativ. n acest fel, golurile i electronii sunt respini c tre jonctiunea p-n. n caz contrar, golurile i electronii sunt atrai c tre electrozii de semn contrar i nu mai traverseaz jonctiunea p-n (prin jonctiune nu trece curent electric). Ca urmare, curentul electric trece ntr-un singur sens, deci jonctiunea p-n poate fi utilizat ca redresor de curent. A.5. Utiliz rile s emiconductorilor Semiconductorii au numeroase aplicatii, la construirea de dispozitive care m resc durata de functionare a aparatelor, reducndu-le dimensiunile n conditiile unei mai uoare utiliz ri. Cele mai importante dispozitive pe baz de semiconductori sunt: a) diodele; b) tranzistorii; c) fotoelementele (bateriile solare, fotodiodele, fotorezistentele).
4

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

B. Su pr aco nducto rii B.1. Scurt istoric F en ome n ul de s upr a c o ndu c t i bi l i t at e a fo st des c op er it n 19 11 de He i k e Kammerling Ones, care cerceta variatia cu temperatura a conductibilit tii electrice a unei srme de mercur. n acei ani se tia c rezistenta electric a metalelor scade liniar pn la circa 20 K, dup care variatia este mai lent . Pentru temperaturi mai mici de 20 K, se considera c exist trei posibile comport ri la sc derea temperaturii: 1. sc derea continu a rezistentei (fig. 5. a); 2. existenta unei rezistente remanente, chiar la 0 K (fig. 5. b); 3. sc derea rezistentei pn la atingerea unui minim, urmat de creterea foarte puternic a rezistentei electrice atunci cnd temperatura tinde spre 0 K, ntruct electronii ar fi localizati n atomi i micarea lor ar nceta (fig. 5. c).

Fig. 5. Tipuri de comport ri ale rezistentei electrice n apropiere de 0 K considerate posibile nainte de descoperirea supraconductibilit tii: a sc derea continu a rezistentei; b - existenta unei rezistente remanente; c - sc derea rezistentei pn la atingerea unui minim, urmat de creterea foarte puternic a rezistentei electrice atunci cnd temperatura tinde spre 0 K Spre surprinderea sa, Ones a observat c , ntr-un interval foarte ngust de temperatur (de cteva sutimi de grad), are loc o sc dere brusc a rezistentei electrice, p n sub posibilit tile de m surare (10 -6 pe vremea aceea, 10 -2 5 n prezent). La mercur, aceast sc dere brusc a rezistentei avea loc la 4,15 K (fig. 6.). Ones a numit noua stare a mercurului supraconductoare. Pentru aceasta descoperire, Ones a primit Premiul Nobel n 1913.

Fig. 6. Variatia rezistentei electrice a mercurului cu temperatura n apropiere de 0 K ncepnd cu primii ani dup descoperirea supraconductibilit tii, s-a ncercat creterea temperaturii critice (temperatura la care avea loc tranzitia conductor normal supraconductor), pentru a se putea nlocui criogenura de heliu cu cea de hidrogen
5

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

(pentru care temperatura critic minim era de 20 K) sau de azot (cnd temperatura critic minim atins era de 77 K). Pn n 1986 aceste descoperiri au avut loc ntr-un ritm destul de lent. n primii ani s-au descoperit propriet ti supraconductoare la unele elemente. ncepnd din anii 30, supraconductibilitatea a fost observat i la aliaje intermetalice. Astfel s-au obtinut aliaje cu temperaturi critice din ce n ce mai ridicate, n 1973 obtinndu-se aliajul Nb 3 Ge, cu temperatura critic de 23,3 K cea mai mare temperatur critic atins pn n acel moment. Descoperirea, n 1986, a unui material cu temperatura critic de 30 K a fost o mare surpriz . Surpriza o constituia, ns , faptul c nu era un metal sau un aliaj, ci un oxid care continea lantan, bariu i cupru: (La1, 9 Ba 0,1 )CuO4 . Aceasta a permis reorientarea cercet rilor, nct nc din 1987 s-a obtinut un material supraconductor cu temperatura critic superioar temperaturii azotului lichid. Compusul supraconductor cu temperatura critic cea mai mare a fost obtinut n 1988 i este un oxid de taliu, bariu, calciu i cupru, a c rui temperatur critic este de 125 K. B. 2. M r i mi ca ra ct er ist i c e i pr opr i et t i fu nda me nt a l e a l e s upr a c o nduc t or il or B.2.a) Temperatura critic

Fig. 7. Variatia rezistivit tii electrice cu temperatura n cazul staniului pur i a staniului impurificat Temperatura critic T c este temperatura la care are loc o sc dere brusc (prin salt) a rezistentei electrice pn sub valoarea de 10 -25 , limita care poate fi determinat experimental n prezent. Temperatura critic este o m rime caracteristic fiec rui material, iar pentru acelai material depinde de puritate (fig. 32.), compozitia chimic i structura cristalin . Tranzitia din starea de conductor normal n starea supraconductoare are loc ntr-un interval foarte ngust de temperatur (10 -2 10 -5 K). S-a constatat c element ele bune conduc toare n stare normal (precum cuprul, argintul, aurul) nu pot fi aduse n stare supraconductoare. B.2.b) Curentii persistenti n materialele supraconductoare, rezistenta electric fiind foarte mic , intensitatea curentului r mne constant timp ndelungat. Dac consider m un solenoid dintrun material supraconductor, atunci sc derea n timp a intensit tii curentului ar trebui s aib loc dup o lege de forma: R t 0 i  !i  exp t  L  n care: i(0) intensitatea initial a curentului; i(t) intensitatea curentului la momentul t; R rezistenta supraconductorului;
6

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

L inductanta circuitului. Urm rind n timp intensitatea curentului indus ntr-un inel de plumb aflat n stare supraconductoare, nu s-a constatat nici o sc dere a curentului respectiv dup doi ani i jum tat e. M sur tori prin metoda rezonantei magnetice nucleare ale cmpurilor curentilor indui n s olenoizi de niobiu i zirconiu, adui n star e supraconduct oare, au dus la concluzia c aceti curenti pot persista mai mult de zece ani. B.2.c) Cmpul magnetic critic n 1913, Ones a observat c , dei temperatura probei est e mai mic dect temperatura critic , la o anumit valoare a curentului continuu care str bate supraconductorul are loc tranzitia din starea supraconductoare n starea de conductor normal.

a) b) Fig. 8. Comportarea supraconductorilor ca diamagneti ideali: a) starea de conductor normal; b) expulzarea liniilor de cmp magnetic dintr-un supraconductor Explicatia acestei tranzitii, dat ctiva ani mai trziu, a fost c starea supraconductoare este distrus de cmpul magnetic creat de curent. Valoarea cmpului la care are loc tranzitia din supraconductor n conductor normal dei temperatura este mai mic dect temperatura critic se numete cmp magnetic critic Hc . B.2.d) Efectul Meissner Ochsenfeld n 1933, W. Meissner i R. Ochsenfeld au stabilit c substantele supraconductoare sunt diamagnetice ideale. La sc derea cmpului magnetic exterior aplicat probei, cnd se atinge valoarea Hc (cnd are loc tranzitia din conductor normal n supraconductor), fluxul magnetic este total expulzat din volumul probei, care devine diamagnetic . La unii supraconductori, trecerea la starea de diamagnet ideal este brusc ; este vorba despre supraconductorii de tip I, la care efectul Meissner Ochsenfeld este total. La altii, supranumiti, supraconductori de tipul al II-lea, expulzarea fluxului magnetic are loc ntr-un interval de valori ale cmpului magnetic exterior. B.2.e) Efectul izotopic Observarea leg turii dintre temperatura critic i masa atomic a elementelor a constituit o confirmare c la atingerea supraconductibilit tii contribuie i interactiunile electroni retea cristalin . O dovad n plus o constituie dependenta, la unele elemente, a cmpului magnetic critic de masa atomic . B.3. Teoria microscopic a supraconduct ibilit tii Teoria a fost elaborat n 1957 de Bardeen, Cooper i Schriefer, fiind cunoscut ca teoria BCS. Teoria trebuia s explice existenta unei benzi interzise de ordinul a 10-4 eV, pus n evident prin m sur tori de absorbtie cu radiatie infraroie. De asemenea, trebuia s se explice faptul c reteaua cristalin i propriet tile ei nu se
7

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

modific n timpul tranzitiei conductor normal supraconductor, ca i faptul c reteaua este implicat n aparitia st rii supraconductoare. Cooper a fost primul care a intuit c existenta unei interactiuni, orict de slabe, ntre doi electroni ar putea explica supraconductibilitatea. Calculele au ar tat c , dac ntr e doi electroni se exercit o atractie slab , ei pot for ma o pereche. Star ea energetic minim a celor doi electroni este aceea n care impulsul total al perechii este nul (cei doi electroni au impulsurile egale ca modul, orientate pe aceeai directie, dar n sens contrar). Concluzia cea mai important a teoriei BCS este c , dac ntre electroni apare o interactiune atractiv , electronii vor forma perechi cu eliberare de energie. Prin urmare, energia perechii formate este mai mic dect energia initial a fiec rui electron. Aceasta determin o instabilizare a st rii de conductor normal pe seama st rii supraconductoare. Cnd el ectr onii s e mic printr-un conductor nor ma l, micar ea a cest ora est e frnat de ciocnirile cu vibratiile retelei cristaline, care determin aparitia rezistentei electrice. ntr-un supraconductor, perechile Cooper se deplaseaz coer ent, efectund toate aceeai micar e. Reteaua vibreaz concomitent cu electronii, care nu mai pot fi deviati individual, i rezistenta electric dispare. Pentru a rupe o pereche Cooper, trebuie furnizat o energie cel putin egal cu energia de leg tur . Prin urmare, supraconductorii nu pot absorbi o valoare mai mic dect o anumit valoare, numit band interzis a supraconductorului: E !3,528k B c T unde: kB = 1,3810 -23 J/K constanta lui Boltzmann. La creterea temperaturii, l timea benzii interzise scade, astfel c la temperatura critic banda interzis se anuleaz i substanta se transfor m ntr-un conductor normal. B.4. Aplicatii ale supraconduct orilor Materialele supraconductoare au numeroase au numeroase aplicatii, n special cele ale c ror temperaturi critice sunt superioare valorii de 77 K. Principala lor aplicatie o constituie utilizarea supraconductorilor ca magneti, ntruct asigur o stabilitate mare i o intensitate mare a cmpului magnetic creat. Din acest motiv, astfel de magneti, creati din materiale supraconductoare, sunt folositi n domenii precum: 1. Fizic n cercetarea particulelor elementare; 2. Industria chimic pentru sinteza unor substante n cmp magnetic; 3. Medicin la dispozitive pentru m surarea cmpurilor magnetice asociate unor organe interne; 4. Electronic jonctiunile Josphson (formate din doi supraconductori separati printr-un strat izolator foarte subtire). C . Cr i s t a le l e l i c h id e Cristalele lichide prezint o fluiditate asem n toare st rii lichide, propriet ti reologice caracteristice precum i linii de difractie a razelor X, caracteristice st rii solide cristaline. C.1. Scurt ist oric Trecerea unei substante din stare solid n stare lichid se realizeaz , de obicei, la o temperatur precis , punctul de topire fiind un parametru definitoriu n identificarea i caracterizarea substantelor din punct de vedere al purit tii. Descoperirea cris-

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

talelor lichide pornete tocmai de la g sirea unor substante care se abat de la aceast regul . nceputul studiului cristalelor lichide este legat de numele botanistului austriac Friedrich Reinitzer. Acesta studia, n 1888, rolul colesterolului din plante. Unul din experimentele sale consta n expunerea benzoatului de colesteril la c ldur . Astfel, el a constatat c substanta trecea printr-o stare fluid , asem n toare unui lichid cetos, la 145,5C. La cre terea, n continuare, a temperaturii, substanta se transforma ntrun lichid transparent cnd se atingea valoarea 178,5C. Prin urmare, substanta solid avea dou puncte distincte de topire. Reinitzer a mp rt it descoperirea sa fizicianului german Otto Lehmann, care a descoperit c lichidul cetos poseda reale propriet ti specifice cristalelor, n special n ceea ce privete interactiunea sa cu radiatia electromagnetic (lumina). Lehmann a denumit aceast substant cristal lichid. n 1922, Friedel denumet e mez ofaz aceast stare curioas a mat er iei. Termenii de cristal lichid, mezofaz sau stare mezomorf au aceeai semnificatie i se refer la substante care au o comportare reologic asem n toare lichidelor, dar care prezint i o ordonare molecular specific substantelor cristaline, pus n evident prin difractie cu raze X. Cristalele lichide sunt, deci, st ri distincte ale materiei, care prezint n aceeai m sur , ordine i dezordine. Ele se ncadreaz ntre cristale, cu ordine tridimensional bine precizat , i starea fluid , dezordonat . Num rul substantelor care prezint aceast proprietate a crescut de la descoperirea lor pn n 1930, dup care interesul pentru aceast clas de substante s-a diminuat, din cauza costului lor ridicat. Cercet rile au fost reluate abia n 1960, cnd cristalele lichide au nceput s aib aplicatii practice n tehnic i n medicin . n 1964, americanul George Helmeier realiza primul ecran cu cristale lichide. C.2. Tipur i de st ri mez omorf e n functie de modul n care se atinge starea mezomorf , cristalele lichide se clasific n: 1. cristale lichide termotrope starea mezomorf se atinge prin nc lzire; 2. cristale lichide liotrope la starea mezomorf se ajunge prin dizolvare ntrun solvent adecvat. Cristalele lichide termotrope apar la dezordonar ea partial a cristalelor unei substante prezentnd molecule dipolare alungite. Aceast dezordine este indus de creterea energiei termice, magnetice sau electrice peste o valoare critic . Cristalele lichide liotrope se formeaz n urma actiunii unor solventi asupra unor molecule amfifile, cu o structur capabil de a forma micele de asociatie. Majoritatea surfactantilor, dei formeaz cristalele lichide liotrope, formeaz rar cristalele lichide termotrope. Exceptie fac s punurile. La cristalele lichide liotrope, domeniul de existent a mezofazei este limitat de dou concentratii (la care apare faza de cristal lichid i, respectiv, la care acesta trece n lichid izotrop). C.3. Consideratii generale privind surfactantii Cristalele lichide liotrope se formeaz ca urmare a asocierii moleculelor amfifile de surfactanti sub actiunea unui solvent. Surfactantii sunt substante care modific tensiunea superficial a solventului n care se afl . Propriet tile lor deosebite se datoreaz structurii specifice a acestor substante. Moleculele surfactantilor (numiti i compui amfifili, agenti activi de suprafat , tensioactivi sau substante superfi9

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

cial active) sunt for mat e, de regul , dintr-o caten hidrocarbonat (grupare hidrofob , nepolar sau lipofil ) i o grupare ionic sau polar (hidrofil sau lipofob ). Schematic, un tensioactiv se reprezint printr-o portiune dreapt ce indic partea nepolar i un cerc corespunz tor partii polare (fig. 9.).

a) b) Fig. 9. Reprezentarea schematic a unei molecule de surfactant: a) tensioactiv cu caten n conformatie trans; b) tensioactiv cu caten n conformatie gauche Cea mai important caracteristic a moleculelor amfifile este marea lor tendint de a se adsorbi la interfata dintre aer i ap atunci cnd sunt solubilizati n ap , sc znd tensiunea interfacial . La concentratii foarte mici (sub 10-4 M), cei mai multi surfactanti sunt solubili n ap , formnd solutii simple. Unele dintre aceste molecule vor fi adsorbite preferential la suprafata solutiei. La creterea concentratiei de substant tensioactiv , adsorbtia se intensific , pn cnd suprafata lichid se satureaz n molecule amfifile (fig. 10.).

a) b) Fig. 10. Reprezentarea schematic a moleculelor amfifile n ap : a) la concentratii reduse; b) la concentratii superioare concentratiei critice micelare Creterea n continuare a concentratiei surfactantului conduce la for marea de agr egate de tensioactiv cunoscut e sub numele de micele. Acestea au o structur n care portiunea hidrofob a moleculelor de surfactant asociate formeaz o regiune din care solventul apos este exclus. Grup rile hidrofile r mn pe suprafata exterioar a micelei, fapt care face ca interactiunea dintre micele s fie maxim , deoarece aceste grup ri sunt nc rcate cu acelai tip de sarcin . C.4. Cristalel e lichide t er motr ope n cazul cristalelor lichide termotrope, la o temperatur suficient de mare sau o presiune mic , ordinea moleculelor se modific , ducnd la transformarea unui cristal n cristal lichid. Invers, dac temperatura este suficient de sc zut sau presiunea este mare, moleculele cristalului lichid nceteaz s se mai mite i acesta se transform n cristale solide. Un caz tipic de transformar e mezomorf la nc lzire est e aceea care apare n cazul s punurilor i acizilor grai. S punurile sunt s ruri de sodiu, potasiu, calciu sau magneziu ale acizilor grai. Acizii grai sunt acizi carboxilici cu un num r mare i par de atomi de carbon, cu caten liniar , alifatic , saturat . La temperatur sc zut , att s punurile, ct i acizii grai nesaponificati afecteaz starea solid cristalin , n care catenele nu prezint dect conformatia trans, nu i conformatia gauche, astfel nct interactiunea dintre catenele alifatice s fie minim (fig. 11.). Grup rile hidrofile ale substantei tensioactive se plaseaz astfel nct cele dou grup ri carboxil ale acizilor grai s se g seasc fat n fat i s formeze un dimer
10

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

prin leg turi de hidrogen (fig. 12.).

Fig. 11. Structura cristalin a acizilor grai

Fig. 12. Formarea puntilor de hidrogen ntre grup rile carboxilice din moleculele acizilor grai n structura cristalin solid a acizilor grai Se constat existenta unei structuri lamelare, format din catene hidrocarbonate paralele ntre ele terminate prin capete polare situate n acelai plan. Acest cristal bidimensional constituie o faz lamelar la scar macroscopic . Faza este anizotropic , moleculele fiind organizate astfel nct s existe dou axe refringente. O astfel de structur o prezint stratul dublu de fosfolipide din componenta membranei celulare (fig. 14.). Creterea temperaturii deter min int ensificarea agitatiei ter mice i, ca ur mare, modificarea structurii cristaline. Chiar dac ridicarea temperaturii este insuficient pentru ca grup rile hidrofile s -i schimbe pozitia, ea este ns suficient pentru ca lanturile hidrocarbonate s -i modifice conformatia, care devine gauche. Se spune c o parte a catenelor s-a topit. Substanta i mentine aspectul solid, dar are loc o modificare a conformatiei catenelor (fig. 13.).

Fig. 13. Structura fazei lamelare L a s punurilor anhidre


11

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

Fig. 14. Schema membranei celulare Aceast tranzitie de faz este foarte important pentru regnul biologic, ntruct topirea catenelor hidrocarbonate este procesul care permite penetrarea membranei celulare de c tre substante, respectiv schimbul de substante dintre celul i exterior. Remarcabil din acest punct de vedere este adaptarea pe care o prezint renii. Compozitia bistratului lipidic care formeaz membrana celulelor acestui animal este variabil , asigurnd variatii treptate ale gradului de fluiditate al peretelui celular ntrun interval larg de temperatur i, deci, un control mai exact asupra functiilor celulei, corespunz tor temperaturii mediului ambiant. Astfel, laba piciorului este supus la temperaturi mult mai reduse dect punctul de articulatie a piciorului cu trunchiul. Pentru a asigura o corect functionare a membranei celulare n acest caz, natura fosfolipidelor variaz de-a lungul piciorului: membrana celulelor din apropierea labei piciorului este mai bogat n fosfolipide nesaturate (cu temperatura de solidificare cea mai sc zut ) dect a celor din apropierea trunchiului. Modificarea confor matiei catenelor compuilor a mfifili permite mpachetarea acestor substante n diferite structuri de cristal lichid (fig. 15.).

Fig. 15. Mezofaze bidimensionale nelamelare inverse de gr simi anhidre: a) mezofaz oblic ; b) mezofaz rectangular centrat ; c) mezofaz hexagonal
12

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

Tranzitiile de faz pe care le sufer surfactantii pot fi evidentiate sub forma unor diagrame de faz .Cum num rul axelor unei diagrame este egal cu num rul variabilelor, n cazul transform rilor pe care le sufer compuii amfifili puri ar trebui s existe dou variabile presiunea i temperatura. Deoarece presiunea influenteaz foart e putin aceste procese, tranzitiile de faz depind doar de temperatur , iar diagramele corespunz toare au urm torul aspect.

Fig. 16. Diagrama de faze n cazul surfactantilor puri C.5. Cristalele lichide liotrope In cazul surfactantilor solubili n apa, acetia se asociaz spontan pentru a forma agregate numite micele de asociatie, la o concentratie critic denumit concentratie critica micelar (CCM). Creterea concentratiei surfactantului peste concentratia critica micelar (la o temperatur constant ) produce o cretere a num rului micelelor de asociatie pn la o valoare la care are loc o tranzitie ordine/dezordine cu formarea cristalelor lichide liotrope. Fazele cristal lichide liotrope sunt de obicei n echilibru cu alte tipuri de structuri coloidale: solutii micelare, lipozomi sau micr oemuls ii. Compozitia solutiilor de surfactanti sau de surfactanti n amestec cu alti compui sunt descrise de diagrama de faze. Aceasta este foart e importa nt n localizarea zonei cu o faz unic sau a domeniului unde coexist mai multe faze, fapt care furnizeaz infor matii asupra structurii, ct si microstructurii lor prin diferite metode fizico-chimice foarte moderne: difuzia dinamic a luminii, difuzie de raze X, difuzia luminii la unghiuri mici, spectroscopie electronic , rezonanta magnetic nuclear . In sistemele bicomponente ap / surfactant sau tricomponente ap / surfactant / ulei se pot forma trei tipuri de cristale lichide liotrope: mezofaze lamelare, mezofaze hexagonal e i mezofaz e cu bi ce. n sis t emel e bi c omp onent e s e ma i p ot for ma i mezofaze nemati ce. C.5.a) Concentratia critic micelar Amestecul tensioactivilor cu apa complic mult tratarea sistemelor astfel formate. n acest caz, n afar de temperatur , un rol important l joac concentratia surfactantului. n functie de aceti doi parametri, sistemele pot adopta diverse structuri. Concentratia la care se formeaz primele micele n solutie se numete concentratie critic micelar (CCM). Concentratia critic micelar poate fi determinat experimental, ntruct la atingerea acestei concentratii sistemul i modific radical propriet tile. Structura micelelor depinde de temperatur i de concentratia n compus amfifil, dar i de structura moleculei: m rimea capului polar, lungimea i num rul catenelor hidrocarbonate, prezenta ramificatiilor, a leg turilor multiple sau nucleelor aromatice. Astfel, dei micelizarea are loc ntr-un interval foarte larg de temperatur , exist totui o temperatur la care concentratia critic de micelizare este minim . n cazul

13

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

tensioactivilor ionici , micelizarea este posibil doar peste aceast temperatur , numit punct Krafft. La compuii activi de suprafat neionici , formarea de agregate are loc sub o temperatur critic , numit punct de ceat .

Fig. 17. Influenta temperaturii asupra concentratiei critice de micelizare n cazul dodecil-sulfatului de sodiu (surfactant ionic): TCM temperatur critic de micelizare, CCM Concentratie critic de micelizare n functie de concentratia n surfactant, se pot obtine diverse tipuri de micele i mezofaze. Acestea sunt redate n fig. 10., n functie de ordinea creterii concentratiei n compus amfifil.

Fig. 18. Micele i mezofaze n solutii apoase de compui amfifili Geometria moleculei impune, la rndul ei, geometria micelei for mate. Astfel, dac c este lungimea catenei hidrocarbonate, v volumul portiunii hidrofobe i 0 aria capului polar al moleculei, se constat existenta urm toarelor cazuri: v 1 a) micele sferice directe: H (fig. 19);  c 3 0 
14

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

Fig. 19. Reprezentarea schematic a micelelor sferice 1 v 1  H (fig. 20); b) micele de form cilindric : 3  c 2 0

a) b) Fig. 20. Reprezentarea schematic a micelelor cilindrice: a) sectiune longitudinal ; b) sectiune transversal 1 v c) vezicule (lipozomi): H1 (fig. 21);  2  c 0

Fig. 21. Reprezentarea schematic a veziculelor v d) micele sferice inverse: "1 (fig. 22).  c 0 

Fig. 22. Reprezentarea schematic a micelelor sferice inverse C.5.b) Mezofaze de cristal lichid Solutiile ce contin micele se caracterizeaz prin concentratii mici de surfactant. Fenomenele care se produc n aceste intervale de concentratie sunt caracteristice pentru un num r mare de structuri moleculare. Totui, la concentratii intermediare i mari, fazele lichide corespunz toare, numite mezofaze, formeaz sisteme intermediare ntre sistemele diluate, fazele micelare izotropice, fazele cristaline i surfactantul pur. Acest e faze sunt numite i faze liotropice pentru a ar ta c moleculele de solvent nu sunt distribuite uniform de-a lungul acestor structuri, ci se concentreaz n anumite regiuni mai mult dect n altele. Aceste faze sunt date n fig. 23. i tab. 1.

15

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

Fig. 23. Tipuri de faze liotropice Formarea mezofazelor de cristal lichid poate fi descris i printr-o diagram de faze, n functie de cantitatea de ap ad ugat tensioactivului (fig. 24.). ab. 1. Succesiunea fazelor liotrope Nr. Denumirea Simbol Structura de baz crt. mezofazei 1 Solutie micelar (izotropic ) Faz intermediar normal (anizotropic ) Faz limpede (anizotropic ) Faz intermediar invers (anizotropic ) Solutie micelar invers (izotropic ) Micele mai mult sau mai putin sferice ce contin lichid organic solubilizat. Tije paralele cu lungime indefinit dispuse ntr-un aranjament hexagonal. Tijele sunt alc tuite din molecule amfifile aranjate mai mult sau mai putin radial, partea lor hidrofil fiind n contact cu mediul apos nconjur tor. Bistraturi coerente de molecule amfifile cu p rtile hidrofile situate n interfetele cu straturile apoase Tije paralele cu lungime indefinit dispuse ntr-un aranjament hexagonal. P rtile lipofile sunt aranjate astfel ca s fie n contact cu faza organic continu nconjur toare Micele inverse mai mult sau mai putin sferice ce contin ap solubilizat

S1 M1

G M2

S2

16

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

Fig. 24. Diagram ipotetic de faze liotropice binare n cazul n care tranzitiile de faz sunt induse de variatia continutului de ap : HI faz hexagonal format din micele cilindrice directe; HII faz hexagonal format din micele cilindrice inverse; L faz lamelar n care catenele hidrocarbonate au conformatie gauche; a, b, c, d faze cubice Structura fazelor cubice este mai putin cunoscut . Ele au o structur tridimensional , bicontinu , putnd pr ezenta att un aranjament cu fet e centrat e, ct i un aranjament centrat intern. Cteva exemple de faze cubice sunt cele din fig. 25.

Fig. 25. Mezofaze cubice n afara acestora, mai pot exista i alte tipuri de mezofaze tridimensionale, precum cele romboedrice (ntlnite la fosfatidilcolin ) sau tetragonale (ntlnite la s punurile de calciu), conform fig. 26. n cazul sistemelor care sunt formate din trei componente ap , substant activ de suprafat i ulei microstructurile care se pot obtine sunt reprezentate schematic pe diagrama de faze din fig. 27. Aceasta este o diagram de faze ternar . Fiecare colt al diagramei corespunde unui component pur, simbolizat pe diagram , n timp ce fiecare latur a triunghiului ce alc tuiete diagrama este corespondenta unui
17

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

sistem bicomponent, format din substantele aflatele la capetele segmentului respectiv, pe diagram . Orice punct din interiorul diagramei este un sistem tricomponent.

a) b) Fig. 26. Mezofaze tridimensionale: a) mezofaz romboedric ; b) mezofaz tetragonal

Fig. 27. Diagrama de faze ulei ap surfactant i reprezentarea schematic a microstructurilor aferente C.6. Clasificar ea cristalelor lichide utiliza t e n practic n functie de modul de aranjare a moleculelor n mezofazele amintite anterior, cristalele lichide se pot clasifica n: 1. cristale lichide nematice;

18

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

Moleculele prezint o orientare paralel a axelor longitudinale, putnd realiza mic ri de translatie de-a lungul axelor longitudinale i de rotatie n jurul acestor axe.

a) b) Fig. 28. Cristale lichide nematice: a) reprezentarea schematic a dispunerii moleculelor unui cristal lichid nematic; b) imaginea unui cristal lichid nematic n lumin polarizat 2. cristale lichide s mectice;

a) b) Fig. 29. Cristale lichide smectice: a) reprezentarea schematic a dispunerii moleculelor unui cristal lichid smectic; b) imaginea unui cristal lichid smectic n lumin polarizat Aceste substante prezint o structur stratificat , n interiorul unui strat moleculele fiind orientate paralel. Aceste cristale lichide au un grad de ordonare mai mare dect cele nematice. 3. cristale lichide colesterice.

a) b) Fig. 30. Cristale lichide colesterice: a) reprezentarea schematic a dispunerii moleculelor unui cristal lichid colesteric; b) imaginea unui cristal lichid colesteric n lumin polarizat Aceste cristale lichide pot fi considerate ca fiind cristale lichide nematice r suci19

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

te. Moleculele sunt aezate n straturi; n interiorul unui strat, ele sunt aliniate paralel la o directie preferential , care se modific de la un strat la altul, rezultnd o structur elicoidal . Distanta dintre dou straturi care au aceeai nclinatie a axei longitudinale s e nu met e p as . C.7. Propriet tile cristalelor lichide C.7.a) Vscozitatea cristalelor lichide Vscozitatea cristalelor lichide scade la creterea temperaturii, dar prezint variatii brute n apropierea punctelor de tranzitie T 1 i T 2 , crescnd pn la o valoare maxim , dup care scade din nou. La compuii care prezint mai multe st ri mezomorfe, vscozitatea scade liniar cu temperatura, dar la punctele de tranzitie se constat variatii brute. C.7.b) Anizotropia electric a cristalelor lichide Cristalele lichide supuse actiunii unui cmp electric sufer anizotropie electric pozitiv sau negativ . Sub actiunea cmpului electric, cristalele lichide se orienteaz cu momentul de dipol paralel cu directia cmpului. Dac momentul dipolar este paralel cu axa longitudinal a moleculei, variatia permitivit tii electrice este pozitiv , iar dac este perpendicular pe axa longitudinal , variatia permitivit tii este negativ . C.7.c) Anizotropia magnetic a cristalelor lichide Acest fenomen apare la cristalele lichide ale c ror molecule contin nuclee benzenice. La aplicarea unui cmp magnetic exterior, se ntlnesc dou situatii: a) ciclul benz enic est e paralel cu cmpul magnet ic n acest caz liniile de cmp nu sunt perturbate; b) ciclul benzenic este perpendicular pe cmpul magnetic aceasta produce o perturbare a liniilor de fort . C.7.d) Propriet tile optice ale cristalelor lichide 1 Indicele de refractie Att la cristalele lichide nematice, ct i la cristalele lichide smectice se constat existenta fenomenului de birefringent . Cristalele lichide colesterice prezint , datorit structurii lor elicoidale, un dicroism accentuat. 2 Fenomenele electrooptice Cnd cristalele lichide se afl sub actiunea unui cmp electric, propriet tile lor optice se modific , fapt care st la baza utiliz rii lor. Dintre aceste fenomene amintim urm toarele: - mpr tierea dinamic a luminii

a) b) Fig. 31. mpr tierea dinamic a luminii de c tre cristalele lichide: a) comportarea n absenta cmpului electric; b) aranjarea moleculelor n cmp electric Consider m dou pl ci de sticl acoperite cu cte o pelicul transparent , bun conduc toare de electricitate, ce constituie electrozii. ntre cele dou pl ci se aplic
20

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

un strat de cristal lichid, cu grosimea de 5 50 m, dopat cu ioni pozitivi i negativi. Iluminnd sistemul n absenta cmpului electric, stratul de cristal lichid apare transparent. n prezenta cmpului, ionii se deplaseaz spre electrozii de semn contrar, iar moleculele dipolare din stratul de cristal lichid i schimb orientarea. Ca urmare, lumina se mpr tie de-a lungul axelor lungi ale moleculelor, iar pl cile de sticl devin opace. Pe acest fenomen se bazeaz folosirea cristalelor lichide la dispozitivele alfanumerice de afiaj. - rotirea planului luminii polarizate Lumina natural vibreaz n toate planele, dup directii perpendiculare pe directia de propagare. Lumina polarizat vibreaz ntr-un singur plan. Datorit propriet tii cristalelor lichide de mpr tiere dinamic a luminii, prin schimbarea directiei sale de propagare dup directia axei longitudinale a moleculei de cristal lichid, se produce rotirea planului luminii polarizate. n acest scop se folosesc cristale lichide colesterice. Practic, pe display se poate obtine un punct alb sau negru folosind un dispozitiv de tipul celui din fig. 32.

Fig. 32. Dispozitiv pentru controlul ilumin rii pixelilor de pe display Practic, se folosesc doi nicoli ncruciati. Lumina polarizat trece prin stratul de cristal lichid. n absenta cmpului electric, cristalul lichid este incapabil s roteasc planul de vibratie al luminii polarizate i, ajungnd la nicolul analizor, raza de lumin nu l str bate, astfel c pe display se obtine un punct ntunecat. Aplicnd un cmp electric cristalului lichid, are loc o rotire a planului de vibratie a luminii polarizate, nct aceasta este capabil s str bat nicolul i s se obtin un punct luminos pe display. - efecte electrooptice de culoare Dizolvnd n cristalele lichide nematice substante colorate ale c ror molecule se orienteaz n cmp electric similar moleculelor de cristal lichid, se pot obtine efecte de culoare. Sub actiunea cmpului electric se poate provoca reorientarea att a moleculelor cristalului lichid, ct i ale celor ale colorantului.

a) b) Fig. 33. Dispozitiv pentru punerea n evident a efectelor electrooptice ale cristalelor lichide: a) stare necolorat ; b) stare colorat Astfel, dac se introduce ntre dou pl ci de sticl prev zute cu electrozi o pelicul de cristal lichid nematic n care s-a dizolvat un colorant, se constat c , n pre-

21

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

zenta cmpului electric, cnd toate moleculele (att cele de cristal lichid, ct i cele de colorant) se dispun paralel cu cmpul, colorantul nu absoarbe lumin , aceasta fiind total transmis . n absenta cmpului electric moleculele se rearanjeaz dup directia preferential a cristalului lichid i absorb lumina polarizat , sistemul ap rnd colorat. 3 Efecte termooptice Cristalele lichide colesterice au proprietatea de reflexie selectiv a luminii, n functie de modul de aranjare a moleculelor. Fenomenul se produce cnd lumina cade pe suprafata cristalului lichid n directia axei sale elicoidale. ntre lungimea de und a radiatie reflectate 0 de cristalul lichid i pasul elicei acestuia p0 exist relatia: !p 0 n 0 n care: n indicele de refractie al cristalului lichid. Cum pasul cristalului lichid variaz foarte mult cu temperatura, la variatii de temperatur au loc modific ri ale culorii peliculei de cristal lichid. Pe acest fenomen se bazeaz folosirea cristalelor lichide ca indicatori ai gradientului de temperatur . C.8. Aplicatii ale cristalelor lichide Dei costul acestora este foarte ridicat, cristalele lichide i-au g sit aplicabilitate n multe domenii, precum electronica, arhitectura, medicina, cercetarea fundamental , att n realizarea unei game largi de produs e, ct i n efect uarea a numer oase studii i cercet ri. C.8.a) Dispozitivele de afiare alfanumeric i analogic Datorit posibilit tii cristalelor lichide de a absorbi doar radiatiile electromagnetice de o anumit lungime de und , au ap rut display-urile color, n care fiecare pixel este divizat n trei subpixeli, fiecare din acetia fiind acoperit cu filtre de cristal lichid rou, ver de i albastru. Fiecar e astfel de triad est e controlat de un tranzistor, care genereaz voltajul s u individual, iar acesta determin cristalele lichide din fiecare subpixel s se mite sub un anumit unghi. Acest unghi deter min cantitatea de lumin care trece prin subpixeli, care creeaz imaginea pe ecran. C.8.b) Control industrial nedistructiv Cristalele lichide se utilizeaz la verificarea sudurilor dintre p rtile componente ale aripilor avioanelor i structura celular care constituie part ea intern . n acest scop, un strat de cristale lichide colesterice se depune pe o fat a aripei, n timp ce cealalt este nc lzit . O sudur necorespunz toare duce la un transfer slab de c ldur i, n consecint , la o variatie a culorii cristalelor lichide. O tehnic similar se folosete la verificarea function rii pl cutelor de circuite electronice integrate; functionarea anormal a acestora determin nc lziri locale, care se evidentiaz cu ajutorul cristalelor lichide colesterice. De asemenea, n acest mod se poate verifica evolutia temperaturii superficiale a aparatelor de dimensiuni mari. C.8.c) Controlul polu rii mediului Impurit tile modific pasul elicei cristalelor lichide colesterice. De aceea, impurit tile pot fi identificate cu ajutorul cristalelor lichide. C.8.d) Termometrie Termometrul cu cristale lichide este alc tuit din mai multe substante cu asemenea propriet ti, fiecare ncapsulat i acoperit cu un capac pe care se nregistreaz temperatura la care cristalul reflect radiatiile luminoase. Fiecare tip de cristal lichid devine reflector ntr-o gam diferit de temperaturi, totdeauna foarte redus i apropiat de a cristalului vecin. Temperatura apare sub forma unei cifre.
22

Substante tehnice cu utiliz ri n domeniul electric i electronic

C.8.e) Medicin Cu ajutorul cristalelor lichide se realizeaz cartografierea termic a sistemului vascular uman. Metodele termografice permit urm rirea traiectoriei vaselor sanguine i determin prezenta cheagurilor de snge. Cristalele lichide sunt utile n verificarea st rii febrile la copii, prin plasarea unei pastile de cristal lichid colesteric pe fruntea acestora. Apare un simbol N pentru starea nefebril sau F pentru starea febril (temperatura m surndu-se doar n ultimul caz). Cristalele lichide se folosesc n diagnosticarea i localizarea cancerului pielii i snului, ntruct reproducerea celulelor canceroase se asociaz cu un metabolism ridicat, deci cu o cr etere a temperaturii, ce poate fi evidentiat cu ajutorul cristalelor lichide colesterice. C.8.f) Chimie Cristalele lichide sunt folosite n cercetarea tiintific , n spectroscopia n infrarou i n spectroscopia de fluorescent , precum i n rezonanta magnetic nuclear . n acest fel, aceste sisteme ajut la stabilirea formei, structurii i propriet tilor optice ale unor molecule complexe.

23