7

DIODA SEMICONDUCTOARE
1.1. Caracteristici statice
Dispozitivele electronice sunt componente electronice a cror
funcionare se bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin
n diferite medii (gaz, solid, lichid).
Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces,
prin intermediul crora se realizeaz controlul purttorilor de
sarcin. n condiiile n care are 2 borne de acces se numete dipol
(figura 1.1, a), iar dac are 4 borne de acces se numete cuadripol
(figura 1.1, b).
Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre
exemplu tranzistorul) se trateaz ca i un cuadripol, una din borne
fiind comun intrrii i ieirii. n figura 1.1,b borna 3 este notat cu
1

- born de intrare i cu 2

care este born de ieire.







a) b)
Fig. 1.1

Bornele de acces sunt numite de intrare (i notate cu 1) sau de
ieire (notate cu 2) n funcie de sensul transferului de putere sau n
funcie de sensul de circulaie al semnalului. La bornele de intrare
se conecteaz sursa de semnal iar la bornele de ieire se percepe
rezultatul prelucrrii semnalului de ctre cuadripol. n figura 1.1
sensul circulaiei puterii este figurat prin sgei.
Descrierea funcionrii circuitului n regim static se face prin
intermediul unor funcii numite caracteristici statice, care exprim
2 1
I
U
2 1

1 2
3

1
1



8
dependena mrimilor de ieire de semnalul aplicat la intrare i de
structura intern a circuitului.
Regimul static precizeaz faptul c mrimile sunt constante n
timp, ceea ce nseamn c timpul nu este o variabil - toate
mrimile rmn la aceeai valoare din momentul cnd s-a aplicat
semnalul la intrare i pn la infinit.
Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate n
mai multe moduri:
- prin intermediul unor relaii analitice (matematice);
prin intermediul unor relaii grafice.
Caracteristicile statice reprezint un mod de exprimare a
modelului circuitului .
Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regul sunt
neliniare, ceea ce nseamn c i caracteristicile statice vor fi la fel.
Liniaritatea se refer la faptul c mrimile de ieire depind de
mrimile de intrare printr-o relaie de forma:
mrime de ieire = (coeticient
1
)

x (mrime de intrare) +
(coeficient
2
),
unde cei doi coeficieni depind de structura circuitului. n cazul
modelelor neliniare cei doi coeficieni depind de structura
circuitului i de mrimile de intrare (uneori nici nu poate fi
explicitat mrimea de ieire, ca n relaia de mai sus).
Spre exemplu n figura 1.2,a este prezentat un dipol (o diod
semiconductoare) pentru care caracteristica static poate fi
exprimat prin relaia ( ) U f I = .












Dac relaia ntre intrare i ieire este liniar caracteristica
static poate fi exprimat grafic ca n figura 1.2,c ceea ce nseamn
c dioda poate fi definit prin rezistena intern R. Caracteristica
static se exprim analitic prin relaia de definiie a rezistenei
electrice
neliniar
U
1
U
2
U
I
R
U
I =
liniar
I
U
I
1 2
U
D
a) b) c)

Fig. 1.2.


9
GU
R
U
I R = = ,
unde G este conductana.
Att modelele matematice ct i caracteristicile statice nu sunt
unice (spre exemplu exist modele matematice specifice zonelor de
funcionare). Uneori, putem avea un model matematic general i o
caracteristic static unic, dar datorit complexitii modelului se
prefer a se utiliza modelele matematice mai simple care s fie
valabile pentru anumite zone de funcionare.
Spre exemplu caracteristica static neliniar din figura 1.2,b
poate fi exprimat prin dou drepte, ca n figura 1.3 , sau poate fi
descris aproximativ prin dou ecuaii, (fiecare valabil pe
domeniul specificat)












2
0 U U < < U
r
1
I
on
= ,

0 < U U
r
1
I
off
= ,

unde ( ) = 1K 50 r
on
K este rezistena diodei la polarizarea direct i
( ) = 10M 100K K
off
r [4] reprezint rezistena intern a diodei la
polarizarea invers a dispozitivului.
n cazul cuadripolului, deoarece avem de-a face cu 4 borne,
deci 4 mrimi la borne (figura 1.4).






IN

OUT
C
I
1
I
2
V
1
V
2
1 2
1 2
Fig. 1.4.
off
r
U
I =
on
r
U
I =
U
1
U
2
U
I
Fig. 1.3.


10
Modelul matematic trebuie s conin 2 ecuaii care s exprime
dependena dintre mrimile de ieire i cele de intrare care poate fi

( )
( )

=
=
1 1 2 2
1 1 1 2
,
,
I V f I
I V f V
,
sau poate fi
( )
( )

=
=
2 1 2 2
2 1 1 1
,
,
I I g V
I I g V
.

n majoritatea aplicaiilor cele dou funcii (f
1
i f
2
) pot fi
liniarizate n raport cu mrimile de la bornele cuadripolului astfel
nct modelul este exprimat ca sum a contribuiei fiecrei variabile
independente

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
I Z I Z V
I Z I Z V
,

n care termenii Z
ij
-

numii parametrii de cuadripol (de natura unor
impedane) nu depind de mrimile independente de la borne
(cureni sau tensiuni ).
Dac drept variabile independente se adopt tensiunile la borne
modelul cuadripolar conine admitanele Y
ij

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V Y V Y I
V Y V Y I
.

Sunt patru tipuri de modele cuadripolare, fiecare avnd alte
mrimi independente.
Not: Pentru a fixa noiunile n figura 1.5 este prezentat o
form de und (sinusoidal) a unei mrimi variabile n timp.










T
t
V
M
v
ef
V 2
v(t)
Fig. 1.5


11
Dac perioada T este suficient de mare, regimul este
cvasistaionar la fiecare timp (n T) mrimea v are aceeai
valoare, iar trecerea de la o valoare la alta are loc prin intermediul
unei succesiuni de regimuri staionare.
Mrimea este caracterizat, n afar de perioada T prin
valoarea efectiv V
ef
i valoarea medie V
M
, definite astfel

( )

=
T
ef
dt t v
T
V
0
2
1
,

( )

=
T
M
dt t v
T
V
0
1
.


Regimul static este regimul n care mrimile sunt aceleai la
orice moment de timp.
n cazul figurii 1.5, pentru regimul cvasistaionar, mrimile
constante n timp sunt V
M i
V
ef
.

1.2. Semiconductori intrinseci
Dispozitivele semiconductoare sunt realizate cu elemente din
grupa a IV-a datorit faptului c legtura dintre atomi este
covalent (legtur chimic care se realizeaz prin punerea n
comun a electronilor de valen a 2 atomi nvecinai). Dintre
elementele grupei se utilizeaz cu precdere Siliciul i apoi
Germaniul.
Caracteristic elementelor semiconductoare este faptul c
energia electronilor se gsete pe nivele energetice situate n benzi.
Banda de valen BV conine nivele energetice ale electronilor
de energie mic, electroni care sunt prini n legturi covalente.
Energia maxim a benzii de valen se noteaz W
v
.
Electronii care au posibilitatea s se deplaseze n spaiul
interatomic (electronii liberi) au energii situate pe nivele energetice
corespunztoare benzii de conducie BC. Energia minim a benzii
de conducie se noteaz Wc.
ntre cele dou benzi permise (BC i BI) se afl banda
interzis BI, (vezi figura 1.6) a crei lime energetic W = Wc -
W
v
, este o constant de material fiind specific naturii
semiconductorului spre exemplu Semiconductori realizai din Si
au limea benzii interzise 1,12 eV [2].


12
Un electron cu energia W
v ,
pentru a se desprinde din legtura
covalent, ca s devin electron liber, trebuie s primeasc pe o cale
oarecare (spre exemplu prin impuls, adic prin ciocnirea cu un
electron de vitez mai mare) o energie suplimentar de cel puin
W. n aceste condiii energia electronului va depi BI i va trece
pe un nivel din interiorul BC electronul este liber. Prsirea
legturii covalente de electronul care a primit suficient energie
determin o legtur covalent nesatisfcut n structura
semiconductorului numit gol.




n cazul metalelor, conducia curentului electric se face prin
electroni.
n cazul semiconductorilor, conducia curentului electric se
face att prin electroni ct i prin goluri.
nelegem prin conducie a curentului electric transferul de
sarcin electric printr-o suprafa .
Curentul electric este o micare ordonat a unor purttori de
sarcin printr-o suprafa , caracterizat prin intensitatea curentului
electric de conducie.
Intensitatea curentului electric i de conducie este definit
prin variaia a sarcinii electrice care trece prin suprafaa n
unitatea de timp.




Pentru figura 1.7, avnd n vedere c 3 goluri g trec de la
stnga la dreapta prin suprafaa i doi electroni e trec de la
dreapta spre stnga, rezult c prin suprafaa trece o sarcin
electric pozitiv egal cu sarcina electric transportat de un gol
(q
p
= - q
e
= 1,6 10
-23
C). Dac considerm c situaia se menine
dinamic pentru un interval de timp de 1 secund, prin suprafa va
circula un curent electric de conducie, cu sensul de la stnga spre
dreapta, cu intensitatea de 1,6 10
-23
A.

W [eV]
W
c
W
v
}BC
}
( )
( )

= =
Ge eV 67 , 0
Si eV 12 , 1
W BI
}BV
Fig. 1.6.

=
dt
dq
i



13










Conducia curentului este realizat de goluri (legturi
covalente nesatisfcute) prin intermediul electronilor prini n
legturi covalente ale atomilor nvecinai golului. Un electron dintr-
o legtur covalent, datorit unei fore (spre exemplu datorit
forei determinate de un cmp electric), pleac din legtur i se
poziioneaz la atomul cu legtur covalent nesatisfcut. Golul
din poziia veche nu mai exist - legtura a fost refcut de
electronul sosit, dar apare un gol n poziia din care aplecat
electronul. Aceast deplasare este echivalent cu deplasarea golului
n sens invers micrii electronilor. Electronul care s-a deplasat i a
ocupat legtura covalent nesatisfcut are o energie aflat n BV.
n condiiile n care legtura covalent nesatisfcut (golul)
este ocupat de un electron a crui energie este n banda de
conducie BC procesul se cheam de recombinare. Electronul nu a
plecat dintr-o legtur covalent, ca s determine formarea unui nou
gol. Dispare, pentru procesul de conducie, att electronul ct i
golul, pentru c electronul liber a fost prins n legtura covalent
nesatisfcut numit gol.
La temperatura camerei, numrul de electroni liberi este egal
cu numrul de goluri, pentru c fiecare electron devenit liber a
plecat dintr-o legtur covalent care a devenit nesatisfcut (gol).
Concentraia de electroni liberi
0
n egal cu concentraia de
goluri
0
p se numete concentraie intrinsec n
i
.

i
n p n = =
0 0
[numr de purttori/cm
3
].

S-au folosit notaiile
0
n i
0
p cu indice zero pentru a specifica
faptul c semiconductorul se afl la echilibru termodinamic.
Cele dou concentraii fiind egale semiconductorul este
electric neutru.

g
Fig.1.7.



14
Concentraia intrinsec poate fi exprimat n principal n
funcie de limea benzii interzise W i de temperatura T, prin
relaia


kT
W
i
e AT n
2 2
3

=

n relaie intervine constanta lui Boltzman (k = 1,38 10
-23
J/K) i
o constant (A) care s preia influenele factorilor nespecificai.
Orientativ n cazul unui semiconductor din Si, aflat la T = 300
K, care are o concentraie de atomi
22
10 =
i
n atomi/cm
3
, concentraia
intrinsec este
10
10 5 , 1 x n
i
= purttori/cm
3
, ceea ce nseamn c la
fiecare 10
12
atomi exist o legtur covalent nesatisfcut (un gol)
i un electron liber.
Relaia dintre concentraiile purttorilor, la echilibru
termodinamic,

2
i
n p n =

este valabil att n cazul semiconductoarelor intrinseci ct i n
cazul semiconductorilor extrinseci.
Modificarea numrului de purttori se face prin:

- creterea temperaturii semiconductorului;
- iradiere;
- iluminare;
- injecie de purttori din exterior.

Primele trei metode de modificare a concentraiei intrinseci
determin un aport energetic din exteriorul semiconductorului. O
parte din electroni, prin acest aport energetic, i cresc energia peste
W
c
, devenind electroni liberi. Se genereaz totodat i un gol
datorit apariiei unei legturi covalente nesatisfcute, legtur din
care a plecat electronul respectiv. Concentraia de electroni i
goluri fiind egal semiconductorul va fi tot neutru.
Numrul de purttori este condiionat n principal de
temperatur, pentru care concentraiile la echilibru termodinamic
sunt notate n
0
i p
0
. n condiiile n care apare o perturbare (injecie
de purttori din exterior ) astfel nct s se modifice concentraia
unuia dintre purttori, intervine procesul de generare sau
recombinare de purttori astfel nct concentraiile s revin la
echilibrul stabilit de valoarea temperaturii, respectiv n
0
i p
0
. Odat
cu ncetarea perturbaiei semiconductorul acioneaz n scopul


15
anulrii excesului de purttori pentru a ajunge n vechea stare de
echilibru.
Semiconductori intrinseci sunt folosii la realizarea rezistorilor
i a termistorilor (rezistoare a cror rezisten se modific cu
temperatura, proprietate utilizat la msurarea pe cale electric a
temperaturii).

1.3. Semiconductori extrinseci
Semiconductorul extrinsec este format dintr-un material
semiconductor intrinsec n structura cruia s-au introdus elemente
din grupa a III-a (Bo, Al, .a.) sau din grupa a V-a (P, As, St, .a.).
Concentraiile de elemente strine, voit introduse, sunt foarte mici
(10
12
...10
18
atomi/cm
3
) n raport cu numrul atomilor
semiconductorului ( 10
22
atomi) motiv pentru care sunt numite
impuriti [8].

Semiconductorul de tip N este realizat prin introducerea de
elemente din grupa a V-a ceea ce conduce la prinderea n legturi
covalente a 4 electroni ai impuritii cu atomii semiconductorului
de baz rmnnd un electron foarte slab legat de atomul de
impuritate, care electron la temperatura camerei este electron liber
(are energia n BC). Impuritile din grupa a V-a sunt donoare (de
electroni) i introduc un nivel energetic apropiat de banda de
conducie W
c
notat W
n
n figura 1.8.










Notm cu
18 14
D
10 10 N K = [atomi/cm
3
] concentraia de
impuriti introdus. Impuritile fiind ionizate (au pierdut un
electron) vor modifica numai concentraia de electroni liberi

= =
+ = + =

i
D D i D
n p p
N N n N n n
0
0


W
W
c
W
v
W
n
Fig. 1.8.


16
innd seam de relaia dintre concentraiile la echilibru se
obine

D
i i
i
N
n
n
n
p n p n
2 2
2
= = = .

Semiconductorul se numete N pentru c, conducia curentului
electric este asigurat n principal de electroni i anume de
electronii liberi furnizai de impuriti.

Semiconductorul de tip P realizeaz prin introducerea n
structura semiconductorului de baz de elemente din grupa a III-a,
ceea ce face ca cei 3 electroni ai impuritii s formeze legturi
covalente cu atomii semiconductorului, rmnnd o legtur
covalent nesatisfcut.
Impuritile introduc un nivel energetic W
p
n banda interzis
a semiconductorului de baz, nivel apropiat de limita benzii de
valen W
V
, ca n figura 1.9.










Notnd cu N
A
concentraia de impuritate introdus, obinem
concentraiile de purttori n semiconductorul de tip P

+ =
=
A a
A
i
N N p p
N
n
n
0
2


Semiconductorii intrinseci se numesc de tip P i de tip N dup
semnul sarcinii purttorilor majoritari, respectiv golurile de sarcin
pozitiv (pentru P) i electronii de sarcin negativ (pentru N).
Nivelul Fermi W
F
, este acel nivel energetic sub care se gsete
energia tuturor electronilor unui solid n condiiile n care
temperatura acestuia este de zero grade Kelvin.
W
W
c
W
v
W
p
Fig. 1.9.


17
Concentraia purttorilor de sarcin poate fi exprimat n
funcie de poziia nivelului Fermi prin relaiile
) exp(
2
3
0
kT
W W
AT n
F c

= ,
) exp(
2
3
0
kT
W W
AT p
v F

= ,
care verific condiia de echilibru termodinamic ( n p =
2
i
n ).
Deoarece nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec este la
jumtatea benzii interzise se noteaz acest nivel cu

2
v c
i
W W
W
+
= ,

n funcie de nivelul intrinsec pot fi exprimate concentraiile
purttorilor pentru semiconductorul extrinsec

) exp(
0
kT
W W
n n
i F
i

= , ) exp(
0
kT
W W
n p
F i
i

= .

Se remarc faptul c la semiconductorii extrinseci nivelul Fermi
este diferit de nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec, fiind
tras de impuriti.


1.4. Densiti de curent n semiconductori
Curentul electric de conducie este definit prin micarea
ordonat a purttorilor de sarcin printr-o suprafa dat.














F
r


a) b)

Fig. 1.10
F
r

e
F
r

n
q
p
q
e
F
r



18
n general, dac nu acioneaz nici o for curentul este zero.
Curentul electric de conducie apare n condiiile n care asupra
purttorilor de sarcin acioneaz o for (electric sau de difuzie)
care s orienteze vitezele
purttorilor ctre suprafaa n cauz, ca n figura 1.10a.
Fora electric este datorat prezenei unui cmp electric de
intensitate E n semiconductor.
Valoarea forei electrice cu care acioneaz cmpul electric de
intensitate E asupra unui purttor de sarcin q
e
este

E q F
e
r r
= ,

unde C 10 6 , 1 q
23
e

= (semnul minus pentru electroni i plus pentru
goluri).
Fora de difuzie este acea for care apare datorit
neuniformitii de concentraie a purttorilor n diferite zone ale
semiconductorului fiind proporional cu gradientul concentraiei

n
d
F grad
r


Pentru a caracteriza local starea de conducie electric se
folosete densitatea j a curentului electric de conducie. Integrala
de suprafa a densitii de curent exprim valoarea curentului
electric de conducie care strbate respectiva suprafa

= A d j i j
r r r
.

n condiiile unei densiti de curent uniforme avem

I
S
i
j const j = = ,

unde S
j
este aria suprafeei .
Fora electric determin apariia unei densiti de curent prin
suprafa care este proporional cu V
m
(viteza medie a
purttorilor), concentraia purttorilor p i sarcina electric
transportat de un purttor q
p

m p p
V p q j
r r
= .



19
Viteza medie a purttorilor poate fi exprimat prin intermediul
coeficientului
p
numit mobilitate

E V
p m
=

Se obine expresia densitii de curent a golurilor aflate ntr-un
cmpului electric
E q p j
p p p
r r
=

Sub influena cmpului electric electronii vor determina o
densitate de curent
E n q j
n n n
r r
= ,

Semnul minus se datoreaz faptului c electronii se mic
invers liniilor de cmp electric, ca n figura 1.10b. Cele dou
densiti de curent se nsumeaz dac exist dou tipuri de purttori
de sarcin.

( ) ( ) E n p q E n q p q j j j
n p e n n p p n p e
r r r r r
+ = = + = .

Expresia din final se obine deoarece
e n e p
q q q q = = , .
Legea de material a conduciei poate fi utilizat pentru a stabili
expresia rezistivitii a unui semiconductor

E E j
r r r

1
= =
( )
n p e
n p q

+
=
1
.

Expresie care sugereaz modalitile de modificare a
rezistenei unui semiconductor, i anume prin modificarea
concentraiei de impuriti.
Mobilitatea purttorilor este afectat
- de temperatur crescnd odat cu creterea
temperaturii,
- de concentraia de impuriti care determin scderea
mobilitii,
- de intensitatea cmpului electric aplicat din exterior (la
intensiti mari mobilitatea scade).
Fora de difuzie determin densiti de curent n semiconductor
a cror expresii se pot exprima



20

=
=
n D q j
p D q j
n e nd
p e pd
grad
grad
r
r
,

n funcie de gradientul de concentraie, de sarcina purttorilor i de
coeficienii de difuzie D
p
, D
n
ai fiecrui tip de purttor de sarcin.
Coeficienii de difuzie sunt mrimi dependente de materialul
semiconductorului, fiind corelate cu mobilitatea purttorilor prin
relaiile Euler

n
e
p
e
p
q
KT
q
KT
D = =
n
D ; .

Densitile de curent ale celor doi purttori de sarcin se
nsumeaz

pn pd d
j j j
r r r
+ = .

Densitatea de curent care se stabilete printr-o suprafa a unui
semiconductor cnd acioneaz att fora electric ct i fora de
difuzie sumeaz efectul celor dou fore

dt
E d
j j j
d e
r
r r
+ + = ,

Expresia densitii de curent conine un termen (ultimul)
dependent de viteza de variaie n timp a cmpului electric

dt
E d
j
v
r
= ,

care poart numele de densitate de curent de deplasare.
Densitatea curentului de deplasare este semnificativ cnd
intensitatea cmpului electric are o vitez mare de variaie n timp.

Generarea i recombinarea purttorilor de sarcin
Fenomenul de recombinare const n scderea energiei unui
electron liber sub valoarea nivelului W
v
, ceea ce determin fixarea
acestuia ntr-o legtur covalent nesatisfcut.
Dac legtura covalent provine de la materialul
semiconductor de baz rezult dispariia a 2 purttori de sarcin
(att un electron ct i un gol).


21
Dac electronul este prins ntr-o legtur a impuritii sau a
unui centru de recombinare se pierde numai un electron pentru
procesul de conducie, vezi figura 1.11a, deoarece atomul de
impuritate este ionizat i primind un electron devine neutru.








Generarea purttorilor de sarcin se poate face n perechi (un
electron i un gol) dac electronul provine dintr-o legtur
covalent.
Se genereaz numai un purttor dac electronul provine de la
un atom de impuritate care, prin cedarea sau acceptarea, unui
purttor se ionizeaz. Semiconductorul rmne neutru pentru c
sarcina purttorului generat este egal i de semn opus sarcinii
ionului format, vezi figura 1.11.
Viteza net de recombinare a purttorilor U este definit drept
variaia excesului de sarcin n unitatea de timp fa de sarcina
stabilit de echilibrul termodinamic
) ( ) (
2
t p t n
i
p p n n
n pn
U
+ + +

=

,

unde
n
i
p
reprezint timpul de via al electronului i respectiv
al golului, n i p sunt concentraiile de purttori iar n
t
i p
t

reprezint concentraii fictive de purttori dac acetia ar avea
energia corespunztoare nivelului de captur (n cazul recombinrii
prin neutralizarea unei impuriti ionizate, energia nivelului de
captur corespunde nivelului energetic introdus de impuritate ca
n 1.11 a).
La echilibru termodinamic ntre concentraiile de purttori
avem relaia

n p = n
i
2

U= 0,
W
W
c
W
v
recombinare cu
centru de captur
(1 e
-
)
recombinare
band-band
(2 purttori)
W
W
c
W
v
Ion pozitiv
(1 purttor
generat)
gol
(2 purttori)
Fig. 1.11.
a)
b)


22

pentru c U este viteza net de recombinare, adic diferena ntre
viteza de recombinare a purttorilor i viteza de generare a acestora,
viteze care la echilibru termodinamic sunt egale.

1.5. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic
Jonciunea PN este linia care separ dou zone
semiconductoare diferite - una de tipul P i cealalt de tipul N -
care au fost puse n contact.
La echilibru termodinamic temperatura este constant i nu
exist schimb de energie cu exteriorul.
Concentraiile purttorilor n cele dou zone semiconductoare
sunt prezentate n tabelul de mai jos.










Datorit faptului c n zona P avem multe goluri, n condiiile
n care se pune n contact cu N, apare fenomenul de difuzie care
determin transferul de goluri din zona P n zona N.
La fel se pune problema pentru electronii din zona N, aa nct
plecnd golurile de la suprafaa semiconductorului de tip P aceast
zon este srcit n purttori i plecnd electroni de la suprafaa
semiconductorului din zona N aceasta este srcit n sarcini
negative, ca n figura 1.12.









n zona de jonciune, datorit plecrii purttorilor de sarcin,
rmn numai ionii de impuritate.
dp
E
r

-l
p
+l
n
N P
Fig. 1.12
P N

=
+ =
A
2
i
A 0 A
N
n
n
goluri N p N p

=
+ =
D
2
i
D 0
N
n
p
electroni N n N n
D

goluri - majoritare
electroni - minoritari
electroni - majoritari
goluri - minoritare



23
Ionii de impuritate de la suprafaa semiconductorului de tip N
sunt sarcini pozitive (pentru c au cedat un electron) i determin o
densitate de sarcin

q = q
e
N
D
pe intervalul 0,..., l
n
,

(se nmulete sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona
semiconductoare N).
Ionii de impuritate de la suprafaa semiconductorului de tip P
sunt sarcini negative (pentru c au primit un electron) i determin
o densitate de sarcin q = -q
e
N
A
pe intervalul -l
p
,..., 0 (se
nmulete sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona
semiconductoare P).
Prezena celor dou acumulri de sarcin la jonciune conduce
la apariia unui cmp electric de intensitate notat cu E.
Intensitatea cmpului electric poate fi calculat pe baza legii
fluxului electric, care stabilete faptul c fluxul induciei D a
cmpului electric printr-o suprafa nchis este egal cu cantitatea
de electricitate-sarcin electric din volumul delimitat de suprafaa
respectiv

grad () = q .

n condiiile din figura 1.12, cnd intensitatea cmpului se
modific numai pe OX gradientul conine numai derivata pe axa x

q
dx
dE
=
.
Separnd variabilele se obin expresiile cmpului electric


n
D
n e
p
A
p e
l x pentru
N
x l q x E
x l pentru
N
x l q x E
=
+ =
0 ) ( ) (
0 ) ( ) (

,
ca n figura 1.13.
Din condiia de continuitate a cmpului n origine

E(-0) = E(+0),

se obine o relaie ntre limile zonelor de golire in cele dou zone
semiconductoare
N
A
l
p
= N
D
l
n
.


24














Considernd drept referin a tensiunii zona neutr a
semiconductorului P (V(-l
p
) = 0) i plecnd de la definiia cderii de
tensiune

=
1
0
p
p
r d E U
r
r
,

particularizat pentru jonciune

=
p
n
I
I
r d E U
r
r
0
,

se obine expresia tensiunii pe jonciune cunoscut sub numele de
barier de potenial
2 2
0 n
D e
p
A e
l
N q
l
N q
U

+ =


care se opune transferului de purttori prin jonciune.
De fapt cmpul electric determin fora electric F
e
, din figura
1.14, care este de sens opus forei de difuzie F
d
.






La conectarea celor dou zone ncepe procesul de difuzie a
purttorilor, zona de golire se extinde, sarcina de fiecare parte a
jonciunii crete, cmpul electric crete i fora electric crete aa
nct

-l
p
0 l
n

Fig. 1.13.
E
E
0
U
0
U
x[m]
x
Zona P Zona N
E q F
e e
r r
=
d
F
r

Fig. 1.14.


25
e d e
F F a m =

diferena celor dou fore se micoreaz.
Transferul de sarcin i extinderea zonelor golite n purttori
nceteaz cnd fora electric egaleaz fora de difuzie.
Notnd limea total a zonei de golire l = l
p
+ l
n
din ecuaia
barierei de potenial se obine

0
D A e
U
N
1
N
1
q
2
l
|
|

\
|
+

= .

Deoarece avem dou acumulri de sarcini opuse separate
printr-o zon de lime l n care se stabilete un cmp electric,
rezult c avem un condensator a crei capacitate
l
S
C
J
B

= ,

este numit capacitate de barier.
Expresia barierei de potenial poate fi dedus pe baze energetice,
innd seam de faptul c energiile benzilor de conducie din cele
dou zone semiconductoare trebuie s se racordeze

W
c
(-l
p
) = W
c
(+l
n
) + q
e
U
0


aa ca nivelul Fermi W
F
s fi acelai n toat structura (ca n figura
1.15).










Energiile benzilor de conducie se expliciteaz din expresia
purttorilor majoritari din zona semiconductoare N

)
) (
exp(
kT
W l W
A N n
F n c
D

= =

-l
p
0 +l
n
W
c
(-l
p
) W
c
(+l
n
)
q
e
U
0

Fig. 1.15
W
F


26
din care se determin W
c
(+l
n
) .
Din expresia purttorilor minoritari din zona semiconductoare P se
determin W
c
(-l
p
)
)
) (
exp(
2
kT
W l W
A
N
n
n
F p c
A
i

= =

nlocuind se obine expresia barierei de potenial ca funcie
numai de caracteristicile zonelor semiconductoare (N
D
, N
A
)

) (
2
0
i
D A
e n
N N
In
q
kT
U =

unde
i
n reprezint concentraia intrinsec i are valoarea

KT
W
i
e AT n
2 2
3

= .


1.6. Polarizarea jonciunii P-N

Polarizarea jonciunii P-N const n aplicarea din exterior a
unei surse de tensiune electromotoare cu bornele sursei pe zonele
neutre ale semiconductorului.
Dac borna pozitiv a sursei se aplic pe zona P polarizarea
este direct, iar cnd pe zona P se aplic borna negativ polarizarea
este invers.
n cazul polarizrii directe a jonciunii t.e.m. E
AA
determin
apariia unui cmp electric notat E
A
care este de sens invers
cmpului electric intern notat E
0
. Rezult c valoarea cmpului
electric care acioneaz asupra purttorilor se micoreaz, ceea ce
nseamn c o parte din purttori vor traversa datorit forei de
difuzie zona de golire. Golurile din zona P vor ajunge n zona N
pn la o distan L
p
= l
p
+ p (vezi figura 1.16), numit lungime
medie de difuzie a golurilor i definit drept acea distan pe care o
parcurge un golul pn la recombinarea cu un electron.
Lungimea medie de difuzie poate fi exprimat

p p p
D L =
prin
p
D - coeficientul de difuzie i
p
- timpul de via al golurilor
(definit drept timpul ct golul se mic n zona N de la intrare i
pn la recombinare).


27
Golurile, provenind din zona P, vor modifica, pe distana p,
concentraia purttorilor minoritari din zona N.













Concentraia de goluri, pe distana p, va diferi de concentraia
impus de echilibrul termodinamic. Vom avea o sarcin
suplimentar numit sarcin n exces.
Aceleai considerente se fac pentru electronii provenii din
zona N i injectai n zona P.
Acumulrile de sarcin excedentar determin definirea unei
capaciti numit capacitate de difuzie

AA
d
E
q
C

= .

Aceast teorie este valabil n cazul nivelelor mici de injecie
adic atunci cnd curentul electric de conducie prin semiconductor
nu are valori foarte mari, ceea ce nseamn c numrul de purttori
care sunt injectai prin suprafaa semiconductorului este mic n
raport cu numrul de purttori majoritari din zona respectiv.
Exemplu numeric:

=

12
18 15
10
10 10
inj
pot
P
P K


n zona P: ( ) + = + = +
15 3 12 12 15
10 1 10 10 10 10
inj pot
P P
la nivele mici concentraia de purttori majoritari (goluri
n zona P) nu se modific prin injecie de purttori minoritari.
Dar golurile care ajung n zona N (unde sunt minoritari) vor
modifica concentraia de purttori minoritari (pe distane mici). La
fel se prezint situaia pentru electronii care ajung n zona P.
0
E
r

-l
n
+l
p
N P
A
E
r

AA
E
0
p
P
D n
N n
0

0 P -l
n

+l
p

n p
Fig. 1.16.


28
Sursa de t.e.m. furnizeaz numai purttorii care au fost
injectai (spre exemplu furnizeaz electroni pentru zona N), dar
numrul acestora este mic fa de ce exist deja n zon, rezult c
vor determina un curent de valoare mic n zonele neutre (unde sunt
plasate bornele sursei). Curentul de valoare mic determin cderi
de tensiune mici, motiv pentru care se neglijeaz cderile de
tensiune pe zonele neutre. Reformulnd putem spune c ntreaga
tensiune furnizat de sursa de t.e.m. se aplic jonciunii.
La polarizarea invers a jonciunii intensitatea cmpului
intern
0
E are acelai sens cu valoarea cmpului
A
E - determinat de
sursa de t.e.m.
AA
E (vezi figura 1.17).












n acest caz, cmpul electric este favorabil micrii
purttorilor minoritari, micarea purttorilor majoritari fiind blocat
att de bariera de potenial ct i de cmpul stabilit n materialul
semiconductor de sursa extern.
Constatm c avem de-a face cu un transfer de goluri din
zona N n zona P care determin un curent electric de conducie de
valoare mic (pentru c exist puini purttori de sarcin goluri n
zona N).
La polarizarea invers curenii prin dispozitiv sunt determinai
de fenomenul de generare de purttori n zona de trecere sau n
zonele neutre.
n figura 1.18 se prezint densitile curenilor care circul
prin jonciunea P-N a)la polarizarea direct i separat b) la
polarizarea invers.
La polarizarea direct intervin densitile de curent datorate
difuziei purttorilor, care pot fi exprimate n funcie de tensiunea V
A

de pe jonciune (la nivele mici de injecie V
A
= E
AA
)

0
E
r

-l
n
+l
p
N P
A
E
r

AA
E
Fig. 1.17.


29
|
|

\
|
= 1
0
KT
A
qV
d
e j j .
Densitile de curent j
r
,reprezint curenii de recombinare
direct a purttorilor de sarcin (n zona de golire) i pot fi
exprimai prin relaia
|
|

\
|
= 1
2
0
KT
qV
r r
A
e j j .












Densitile j
0
i j
0r
sunt constante, dependente de natura
semiconductorului de baz i doparea acestuia cu impuriti.
Curentul prin dispozitiv se obine nmulind densitatea de
curent cu suprafaa transversal a semiconductorului.
Att pentru polarizarea direct ct i pentru polarizarea
invers, curentul prin jonciune poate fi descris de ecuaia

|
|

\
|
= 1
0
mKT
A
qV
e I I

unde m este coeficientul de neidealitate, 2 1 m K = iar
A
V este
valoarea tensiunii aplicate pe jonciune. Dispozitivul este ideal
pentru m=1.
n figura 1.19 este prezentat caracteristica static a jonciunii
P-N, conform cu modelul exponenial (caracteristica static
exprimat analitic).
La polarizarea direct curentul este mic pn cnd tensiunea de
polarizare ajunge la valoarea tensiunii V
p
numit tensiune de prag.
Tensiunea de prag are valori diferit n funcie de tipul
semiconductorului de baz V
p
= 0,7 V la Si,
V
p
= 0,3 V la Ge, V
p
= 1,0 V la As.
n
L
n
l
p
l
p
L
pd
j
nd
j
r
j
r
j

J
r

J
r
)
`

J
r
J
r

p
l
p
L
a) b)
Fig. 1.18.


30
La polarizarea invers curentul are valori foarte mici i crete
puin la creterea tensiunii inverse.













n figura 1.20 este prezentat jonciunea P-N n coresponden
cu dispozitivul semiconductor numit diod semiconductoare
realizat pe baza unei jonciuni P-N. Anodul diodei A este pe zona P
a jonciunii iar catodul K este pe zona semiconductoare N a
jonciunii.











Aplicarea tensiunii de polarizare pe jonciunii se face prin
intermediul unor electrozi metalici.

1.7. Fenomene care modific caracteristica static
a jonciunii P-N

A: Efectul nivelelor mari de injecie
n condiiile n care curentul prin dispozitiv are valori mari,
acesta fiind dat de purttorii injectai nseamn c putem spune c
dispozitivul funcioneaz la nivele mari de injecie.
K

A
I
A
V
AK
P

N

A K
Fig. 1.20
Polarizare
direct
Polarizare
invers
2000A
Fig. 1.19
I
V
V
P


31
Nu mai pot fi neglijate cderile de tensiune V
l
pe zonele
neutre ale fiecrui semiconductor, rezistena acestora se noteaz R
N

n figura 1.21a [8, 9].
Pe jonciune nu mai ajunge toat tensiunea sursei ci numai V
j

1 1
V V V V
j AK
+ + = ,
j AK
V V V + =
1
2 ,

ceea ce conduce la modificarea caracteristicii statice ca n figura
1.21,b.
Curentul prin dispozitiv se obine din sistemul de ecuaii

|
|

\
|
=
+ =
1
2
0
mKT
qV
A A
j A N AK
j
e I I
V I R V
( )
AK A
V I f =







B: Efectul creterii temperaturii
Temperatura determin concentraia intrinsec de purttori de
unde rezult c va crete numrul de purttori (minoritari i
majoritari) i curentul rezidual
0
A
I - se dubleaz curentul rezidual
la fiecare cretere cu 10C a temperaturii jonciunii.
Tensiunea pe jonciune V
AK
=V
j
scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la
fiecare cretere de 1C a temperaturii.
Tensiunea la temperaturi uzuale este mV V V
AK
650 65 , 0 = = .
Efectul temperaturii asupra cderii de tensiune pe jonciune
este utilizat la realizarea traductoarelor de temperatur, pentru o
gam de temperaturi din domeniul 10,..,+100
0
C.
P N
V
1
V
1 V
j
R
N
R
N
V
AK
AK
V
0
A
I
L 1
I
real
A
I
Fig. 1.21.
a)
b)


32
Temperatura jonciunii este limitat la T
jmax
= 125
0
C n cazul n
care semiconductorul de baz este Si. O temperatur mai mare
conduce la ambalarea termic a dispozitivului cu efecte ireversibile.

C: Efectul prelucrrii suprafeei semiconductorului
Prelucrarea necorespunztoare a suprafeei
semiconductorului determin absorbia pe suprafaa acestuia de
elemente strine, care se constituie n impuriti nedorite. Acestea
vor determin nivele energetice aflate n interiorul benzii interzise
BI a semiconductorului, numite centre de recombinare. Se modific
astfel necontrolat proprietile electrice ale semiconductorului
(crete curentul rezidual i curentul de recombinare).

D: Efectul creterii tensiunii inverse aplicate dispozitivului
Creterea tensiunii inverse aplicat jonciunii determin o
cretere a curentului invers. Pentru o anumit valoare a tensiunii
inverse notat cu
BR
U numit tensiune de strpungere (vezi figura
1.22), apare un canal conductor ntre anod i catod. Spunem c
dispozitivul s-a strpuns. Se comport n circuit ca un rezistor de
valoare foarte mic.
Strpungerea are loc prin 3 fenomene fizice:
- multiplicarea n avalan a curentului;
- tunelarea (efectul Zener);
- atingere.
1. Multiplicarea n avalan const n creterea
curentului datorit faptului c sub influena cmpului electric extern
crete energia electronului ( )
c
W astfel nct ciocnirea acestuia de un
atom neutru s determine smulgerea unui electron. Se genereaz
astfel doi purttori de sarcin, un electron i a unui gol.
La rndul lui electronul secundar poate s genereze prin
acelai mecanism ali puttori de sarcin.












Fig. 1.22.


33
Creterea numrului de purttori determin creterea curentului
n dispozitiv.
Dac curentul prin dispozitiv nu depete o anumit valoare
maxim fenomenul este reversibil - adic la scderea tensiunii
inverse curentul scade, altfel canalul conductor este permanent i
dispozitivul se comport rezistiv.
2. Efectul de tunelare se obine la dispozitivele
semiconductoare a cror concentraie de impuriti este mare
( )
3 18 16
imp/cm at 10 10 K . n aceste condiii, limitele benzii de valen
din una din zone ( )
c
W este apropiat de limitele benzii de conducie
din zona cealalt. Un electron dintr-o legtur covalent trecnd
peste zona de golire va deveni n cealalt zon electron liber (pentru
c energia lui corespunde energiei benzii de conducie BC). Apar
astfel puttori de sarcin suplimentari care determin creterea
brusc a curentului fr ca tensiunea s se fi modificat [18].
3. Fenomenul de atingere apare n condiiile n care
dispozitivul semiconductor este realizat cu zone semiconductoare
subiri. Creterea tensiunii inverse determin att o cretere a
cmpului electric intern ct i creterea limii zonei de golire,
astfel c la o valoare a tensiunii aplicate (notate cu
BR
V ), zona de
golire ajunge s ating electrodul de injectare. Cmpul electric
intern, datorat polarizrii inverse a jonciunii va fi favorabil
transferului n semiconductor a purttorilor de la sursa de t.e.m.
direct n zona de purttori majoritari (electroni furnizai de surs
sunt injectai n zona N). Curentul crete puternic determinnd
deteriorarea dispozitivului prin topirea jonciunii.

1.8. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim
static

Un circuit echivalent este un circuit realizat cu elemente
pasive i surse comandate sau necomandate, care poate nlocui
dispozitivul semiconductor fr ca regimul de tensiuni i cureni s
se modifice n exteriorul dispozitivului. Altfel spus aplicnd un
semnal la intrarea dispozitivului i acelai semnal la intrarea
circuitului echivalent cele dou rspunsuri vor fi identice, pentru un
anumit domeniu al semnalului de intrare sau pentru tot domeniul
permis.
n figura 1.23 a) este prezentat caracteristica static sub
form grafic a dispozitivului numit diod semiconductoare
(jonciunea PN), al crui simbol i model matematic sunt reluate n
1.23b.


34
Pornind de la caracteristica static se pot realiza scheme echivalente
pentru diferite domenii de funcionare al cror rspuns s fie
suficient de aproape de rspunsul real.















Caracteristica static din figura 1.23a poate fi liniarizat ca n 1.24.












Se definesc :
- tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este n
conducie (circul un curent semnificativ)

=
Si 0,7V
Ge V 3 , 0
V
p
;
- rezistena intern n conducie, este rezistena dispozitivului
pentru V
AK
> V
P
p A d AK
V V
A
AK
D
d
V I R V
I
V
R
p AK
+ = =
>
;

- rezistena intern n blocare, este rezistena pentru

P

N

K

A
I
A
V
AK
|
|

\
|
= 1 e I I
mKT
qV
A A
AK
0

V
AK
I
0
(I
R
)
I
A
(I
F
)
a) b)
Fig. 1.23.
R
inv
I
A
V
AK
V
P
R
d
Fig. 1.24.


35
V
AK
< V
P
,
p AK
V V
A
AK
D
inv
I
V
R
<
= .

Schema echivalent corespunztoare caracteristicii statice din figura
1.24 este prezentat n figura 1.25.











Circuitul din figura 1.25 conine dou comutatoare care
lucreaz n opoziie cnd este unul nchis cellalt este deschis.
Deasupra fiecrui comutator este nscris condiia care dac este
ndeplinit determin nchiderea comutatorului. Dac ntre cele
dou tensiuni exist relaia V
AK
< V
P
numai comutatorul de jos este
nchis i

V
AK
= R
inv
I
A
.

Pentru V
AK
> V
P
numai comutatorul de sus este nchis i

V
AK
= R
d
I
A
+ V
P
.












K A
V
AK
>V
p
V
AK
>V
p
R
d
R
inv

I
A
K A
V
AK
>V
p R
d
I
A
a) b)
Fig. 1.26.
K A
V
AK
>V
p
V
AK
<V
p
R
d
R
inv

+ -
V
p
I
A
Fig. 1.25.


36
n condiiile n care tensiunea de prag V
P
este mic n raport
cu tensiunea aplicat la bornele dispozitivului se poate folosi una
din schemele echivalente din figura 1.26 n care se consider
V
P
= 0.
Rezistenele interne au valori din domeniile
| | sute R
d
K , | | M K sute R
inv
K .
Dac rezistena la polarizarea invers este foarte mare se
folosete schema echivalent din figura 1.26b, considernd R
inv
=
infinit ,
pentru V
AK
> 0 , comutatorul este nchis i n circuit rmne
rezistena intern de la polarizarea direct R
d
,
pentru V
AK
< 0 , comutatorul este deschis i circuitul va fi n
gol (curentul I
A
= 0 ).

1.9. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim
cvasistaionar

Regimul cvasistaionar este caracterizat prin faptul c viteza
de variaie a mrimilor cmpului electromagnetic este suficient de
mic pentru a considera c trecerea de la un regim la altul se face
printr-o succesiune de regimuri staionare.
Regimul cvasistaionar se obine n cazul n care tensiunea
care se aplic este format prin suprapunerea a dou semnale - un
semnal de c.c. V
A
i un semnal de c.a. ( ) t v
a


( ) ( ) t v V t v
a A A
+ = .
Semnalul variabil n timp este un semnal periodic de perioad
T [s] sau de frecven | | Hz
T
f
D
1
= , a crei valoare medie
( ) 0
1
0
= =

T
a med
dt t v
T
V este nul.










T
f(t)
t
Fig. 1.27.


37
Semnalul din figura 1.27 este periodic, de perioad T
pentru c oricare ar fi momentul de timp t avem
egalitatea ( ) ( ) t f T t f = + .











Orice semnal periodic se poate descompune, cu ajutorul
seriilor Fourier, ntr-o sum format din componenta de curent
continuu i un numr de semnale sinusoidale de amplitudini diferite
i frecvene multiplii ai frecvenei semnalului. Rezult c este
suficient s aflm rspunsul sistemului liniar la un semnal format
din componenta de curent continuu i o singur sinusoid de
frecven neprecizat
( ) ( ) t v V t v
a A A
+ = ,

n care ( ) t V v
a
sin
max
= .
n figura 1.28 este prezentat a)semnalul aplicat i b) simbolul
diodei semiconductoare.
Pentru c tensiunea are variaii att pozitive ct i negative
modelul dispozitivului electronic folosit este modelul complet

|
|

\
|
= 1 ) (
0
mkT
qv
A A
A
e I t i .

Dac se aplic numai semnalul de curent continuu v
a
= 0

( ) ( )
A a A A
V t v V t v = + = ,

pentru curentul continuu prin dispozitiv I
A
se obine expresia

( )
mkT
qV
A
mkT
qV
A A A A
A A
e I e I I V v
0 0
1 c.c.
|
|

\
|
= = .

T
t
V
max
v
A
V
A
v
a D
i
A
v
A
(t)
a) b)
Fig. 1.28.


38
n condiiile n care se aplic semnalul complet (c.c +c.a),
curentul prin dispozitiv poate fi scris sub forma

( )
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=
+
1 1 1
0 0
0
mkT
qv
mkT
qV
A
mkT
v V q
A
mKT
qv
A A
A A A A A
e e I e I e I i .

Se noteaz tensiunea termic

q
mkT
V
D
T
= ,

i se scriu primii termeni ai dezvoltrii n serie de puteri

K +
|
|

\
|
+ +
2
2
1
1
T
a
T
a V
v
V
v
V
v
e
T
A

Constatnd inegalitatea de mai jos se pot reine numai primii
doi termeni din dezvoltarea n serie de puteri
<1
T
a
V
v

T
a V
v
V
v
e
A
a
+ 1 .
n condiiile aproximrii de mai sus expresia curentului

a A
T
a V
V
A
. c . c
V
V
A
V
V
T
a
A A
i I
V
v
e I 1 e I 1 e
V
v
1 I i
T
A
0
T
A
0
T
A
0
+ = +
|
|

\
|
=
(
(

|
|

\
|
+ =
43 42 1
,

va conine componenta de curent continuu I
A
(a crei expresie am
stabilit-o) i o component variabil, notat i
a
.
n expresia componentei variabile a curentului intervine
partea variabil a tensiunii i conform legii lui Ohm

a
ca
a
T
T
V
A
V
A
a
v
R
v
V
e I
i
1
0
=
|
|
|
|

\
|
= ,

putem identifica expresia rezistenei diodei n regim variabil
mkT
qI
q
mkT
I
V
e I
R
A A
T
V
V
A
D
ca
T
A
= = =
0
1



39
n condiii de regim variabil, dioda semiconductoare se
exprim la polarizarea direct printr-o rezisten notat cu
ca
R a
crei valoare

|
|

\
|
=
A
ca
qI
mkT
R ,

depinde de valoarea componentei de curent continuu ( )
A
I .
Rezistena invers a dispozitivului este de cele mai multe ori
considerat foarte mare, aa nct pentru regimul cvasistaionar se
utilizeaz schema echivalent din figura 1.29,a .






n cazul n care frecvena semnalului este mare, schema
echivalent se completeaz cu cele dou capaciti, i anume la
polarizarea direct cu capacitatea de difuzie i la polarizarea invers
cu capacitatea de barier. Se obine schema echivalent din figura
1.29,b .
Diodele semiconductoare se utilizeaz la realizarea circuitelor
redresoare, a detectoarelor de nivel a stabilizatoarelor de tensiune
continu (diode Zener) .a.

1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonciune
n prezentul paragraf se trec n revist principalele tipuri de
diode utilizate curent n aplicaii. Diferenierea se face n funcie de
zona de funcionare pe care o folosete aplicaia [3, 4, 26 ]
A. diode la care se utilizeaz caracteristica static de la
polarizarea n conducie a diodei, cealalt ramur a caracteristicii
fiind utilizat pentru blocarea curentului (ideal ar fi ca rezistena s
fie infinit)
B. diode se utilizeaz caracteristica static de la polarizarea
invers a diodei, cealalt ramur nefiind utilizat (dioda Zener)
A K
R
ca
C
d
C
B
A K
V
AK
>0 R
ca
R
inv
=
a) b)
Fig. 1.29.
V
AK
>0


40
Notaii:
F
I - curentul la polarizare direct;
F
V - cderea de tensiune la polarizarea direct;
max
R
V - tensiunea invers maxim ( )
BR
V ;

R
I - curentul la polarizare invers.

A. Diode n polarizare direct
Diode de comutaie sunt caracterizate prin viteza mare de
rspuns, pentru c evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra
la frecvene mari ale tensiunii de alimentare.
mA I
F
200
max
= ; mA I
F
100 10K = ; V 75 V
max
R
= ; V V
F
1 = ;
Diode de uz general
mA I
F
150
max
= ; mA I
F
800 = ; V 50 20 V
max
R
K = ; V V
F
1 = ;
Diode de nalt tensiune sunt caracterizate prin faptul c
suport tensiuni mari de polarizare invers. Spre exemplu TV13,
TV18, .a.
mA I
F
2 , 0
max
= ; kV V
R
13
max
= ;
Diode de putere sunt realizate pentru a vehicula puteri mari
i foarte mari.
A I
F
5500
max
= ; A I
F
1100 = ; mA I
R
6 = ; V V
R
1800 1300
max
K = ; V V
F
4 , 1 = ;

B. Diode n polarizare invers
Diode stabilizatoare sunt realizate aa fel nct s poat
funciona n zona reversibil de strpungere. Este cunoscut sub
numele de diod Zener.
V V
Z
200 75 , 0
max
K = ; A I
Z
700 5K = ; = 1500 2K
Z
r ; Puteri disipate
0,4W | 1W | 4W | 10W | 20W.
n figura 1.30 este prezentat caracteristica static a diodei
Zener.
Zona de polarizare invers, corespunztoare strpungerii
reversibile poate fi aproximat prin ecuaia


Z Z Z Z
I r V V + =
0
,

n care apar V
z0
tensiunea de stabilizare i r
z
rezistena intern a
diodei.
Rezistena intern se definete prin relaia

Z
Z
D
Z
I
V
r = .



41
Tensiunea de stabilizare
0
Z
V se modific cu temperatura
conform ecuaiei:

( ) T V V
Z T Z Z
+ = 1
0 0
,

n care coeficientul de variaie cu temperatura are valori din
domeniul

| | C
Z
=

/ 10 8 2
4
K
















Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n
domeniul 1,5...,200V.
0
L cu tensiunea < 5V avem
z
negativ pentru
c predomin fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V
z

este pozitiv pentru c predomin fenomenul de avalan.

1.11. Principiul superpoziiei

n cazul general circuitele electronice primesc la intrare un
semnal variabil a crui component de curent continuu este nenul.
Semnalul poate fi considerat ca fiind format prin suprapunerea unui
semnal de c.c. V
A
i un semnal periodic v
a
(t) fr component de
curent continuu, altfel spus a crui valoare medie este nul.
Fie semnalul
V
A
(t)=V
A
+ v
a
(t),

unde V
med
=

=
T
A a
V dt t v
T
0
) (
1
.
AK
V
A
I
0
Z BR
V V
min
I
max
I
Z
I
Z
V
NU

Zona de
strpungere
reversibil
Fig. 1.30


42
n figura 1.31 este prezentat un astfel de semnal unde componenta
variabil este sinusoidal
v
a
(t)= V
max
sin( t ), v
a
(t)= 2 V
ef
sin( t )

a crui frecven este f = ] [
1
Hz
T
.














Se definesc mrimile
dt t v
T
V
rad t
s rad f
T
A ef
) (
1
] [
] / [ 2
0
2

=
=
=


,
numite pulsaie, t = faz i V
ef
valoarea efectiv.
Orice semnal variabil poate fi exprimat printr-o sum de
semnale sinusoidale de frecvene (pulsaii) diferite:
v
a
(t)=

+ ) sin(
k ak
t k V =V
1
sin( t +
1
)+ V
2
sin( t +
2
)+... ,
unde tg
k
=
K
K
A
B
; V
ak
=
2 2
K K
B A + ,
iar termenii A
k
i B
k
provin din dezvoltarea n serie Fourier a
semnalului i pot fi calculai cu relaiile

A
K
=

tdt k t v
T
a
sin ) (
2
, B
K
=

tdt k t v
T
a
cos ) (
2
.
Valoarea efectiv i respectiv valoarea medie a semnalului se
calculeaz cu relaiile
V
ef
=

=
n
k
ak
V
1
2
, V
med
=
A
T
A
V dt v
T
=

0
1
.

V
A
(t)
T
V
max


t
t
Fig. 1.31.
V
A
v
a
(t)
,



43
Forma de und este caracterizat, din punctul de vedere al
apropierii acesteia de o mrime continu, de unul din factorii
factorul de form i de factorul ondulaie
A
ef
V
V
= ,
A
aef
V
V
= .
Pentru un semnal continuu factorul de form este zero iar factorul
de ondulaie este 1.
Principiul suprapuneri efectelor sau al superpoziiei afirm faptul
c rspunsul unui sistem este dat de suma rspunsurilor sistemului
la aplicarea mrimii de c.c. si la aplicarea mrimii de c.a.. astfel:
- se calculeaz mai nti rspunsul sistemului la aplicarea unei
tensiuni de curent continuu ;
- se calculeaz rspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni
de curent alternativ ;
- rspunsul sistemului este dat de suma celor doua rspunsuri.

pulsatia
T
perioada s T
tesiunii la fundamenta V
n k ordin de armonica V
c c de componenta este V
t k V V t v
k k
a x a

2
; ] [
,
,... 2
. .
) sin( 2 ) (
0
0
0
=
= + + =



Rezolvarea circuitelor neliniare
Exist dou metode consacrate i anume metoda grafic i
metoda analitic.
n cadrul metodelor grafice se utilizeaz caracteristici statice
ale dispozitivelor exprimate sub forma grafic.
n cadrul metodelor analitice se utilizeaz caracteristici statice
ale dispozitivelor exprimate sub forma unor ecuaii matematice.
Se exemplific ambele metode pentru circuitul cu diod
semiconductoare din figura 1.32.










V
A
I
A


V
I

R
V
AK

D
Fig. 1.32.


44
Metoda grafic
Teorema a II-a a lui Kirchhoff RI
A
+ V
AK
= V
A
, determin ecuaia
dreptei de sarcin.
Dreapta de sarcin se reprezint prin interseciile cu axele de
coordonate
I
A
=0, V
AK
=V
A
pentru

(V
A
, 0), V
AK
=0I
A
= |

\
|
R
V
R
V
A A
0 , ,
n planul caracteristicilor statice ale dispozitivului semiconductor
(n acest caz ale diodei). Soluia se obine la intersecia celor dou
curbe. Spunem c soluia determin punctul static de funcionare
al dispozitivului P.S.F. (V
Ao
,I
Ao
).














Metoda analitic
Ecuaiile din care se determin PSF sunt
1. V
1
+V
AK
=RI
A
+ V
AK
(dreapta de sarcin)
2. I
A
= I
o
(e
mKT
qV
AK
-1) (modelul analitic al dispozitivului)

Sistemul se rezolv printr-o metod oarecare spre exemplu direct

<
+
>
+
=
0 ;
0 ;
AK
inv
AK
AK
d
AK
v
R R
v
v
R R
v
i

Dac semnalul este cvasistaionar soluia analitic se obine
cu ajutorul transformrii n complex a circuitului.
Dac frecvena este mare, sau n condiiile tranziiei de la o
stare la alta a circuitului se folosete transformata Laplace.

V
Ao
V
A
V
AK

I
A


R
V
A


I
Ao

P.S.F.

Fig. 1.33.


45
1.12. Circuite de redresare

Circuitele de redresare au rolul de a transforma mrimea
alternativa de la intrare ntr-o mrime a crei component medie
este nenul.
Redresoarele pot fi monofazate sau polifazate, n funcie de
tensiunea aplicat la intrarea circuitului.
Dup modul de utilizare a alternanelor tensiunii variabile de
la intrare redresoarele pot fi:
- monoalternan, cnd numai una din alternanele tensiunii
de intrare particip la obinerea tensiunii de pe sarcin;
- bialternan, cnd ambele alternane sunt utilizate la
formarea tensiunii de curent continuu.

Redresorul monofazat monoalternan cu sarcin rezistiv

Redresorul din figura 1.34 este monofazat pentru c se
alimenteaz cu o singur tensiune ) sin( 2 t V v
i i
= , este
monoalternan pentru c avnd un singur element neliniar de
circuit, i anume dioda D, poate prelucra o singur alternan a
tensiunii de intrare v
i
(ca n figura 1.35) i este cu sarcin rezistiv
pentru c la ieire se afl rezistorul R
S
.








Dioda semiconductoare este modelat prin rezistena intern


R
int
=

<
>
0 ,
0 ,
AK inv
AK d
V R
V R
.


n circuitul avem un singur curent, circuitul fiind neramificat

i
=

<
+
> >
+
=
+


2 ; 0 0 , 0
0 ; 0 0 ,
int
t V v
R R
v
t V v
R R
v
R R
v
AK i
inv S
i
AK i
d S
i
S
i

v
i

i

V
L

R
S

V
AK

D
Fig. 1.34.


46
Valoarea de curent continuu este valoarea medie a curentului

+

+
= = =

2 ,
) sin( 2
0 ,
) sin( 2
) ( ) (
2
1
) (
1
2
0
2
0 0
0
t
R R
t V
t
R R
t V
t d t i t i
T
I
inv s
i
d s
i
T
,

max 0
0
2
0
2
0
0
2
) (
2
) ( 2
2 2
) cos(
) ( 2
2
) ( d ) sin(
2
2
1
) ( d ) sin(
2
2
1
) ( d
) sin( 2
) ( d
) sin( 2
2
1
I I
R R
V
R R
V
t
R R
V
t t
R R
V
t t
R R
V
t
R R
t V
t
R R
t V
I
d s
i
d s
i
d s
i
inv s
i
d s
i
inv s
i
d s
i

=
+
=
+

=
+

=
+
+
+
=
|
|

\
|
+
+
+
=











0 2 3 4



















S-a notat cu I
max
valoarea maxim a curentului n decursul
unei perioade a tensiunii de alimentare.
t
t

t
t

t
t

V
i
i
L

I
0

v
L

V
0
Fig. 1.35.


47
Din figura 1.35 se constat c valoarea medie se obine prin
egalarea ariei mrginit de curba i = f(t) cu aria unui dreptunghi
de lungime 2 i nlime I
0
nlime numit valoarea medie a
curentului.
Componenta de curent continuu a tensiunii se afl cu relaia
lui Ohm

i
s
d s
i
s
V
R
R R
V
I R V
2
) (
2
0 0

+
= = .

Din figura 1.35 constatm c tensiunea pe sarcin nu este
tocmai continu ci are variaii n jurul valorii medii. De fapt este un
curent (i tensiune) variabil n timp. Valoarea efectiv a acestui
curent este
2
2
2
2
0 2
2
0
2
2
0
2
2
0
2
2
0
2 2
) ( 2 ) ( 2
2
2 sin
2
) ( 2
) (
2
2 cos 1
) (
) ( ) sin(
2
2
1
) (
) sin( 2
2
1
) ( ) (
2
1
d s
i
d s
i
d s
i
d s
i
d s
i
d s
i
ef
R R
V
R R
V
t
t
R R
V
t d
t
R R
V
t td t
R R
V
t d
R R
t V
t d t i I
+
=
+

=
=
(

+
=

+
=
+

=
|
|

\
|
+
= =

De unde avem expresia valorii efective a curentului

) ( 2
d s
i
ef
R R
V
I
+
= .
Pentru a efectua o comparaie ntre valoarea efectiv i
valoarea de curent continuu se exprim una n funcie de cealalt

0
2
I I
ef

= .
Din reeaua de curent alternativ circuitul absoarbe numai
putere activ (pentru c nu conine dect rezistoare, ceea ce
nseamn c defazajul dintre tensiune i curent este nul)

0
2
cos I V I V UI UI P
i ef i ca

= = = = .
Randamentul este definit prin eficiena conversiei puterii de
curent alternativ (a puterii active) n putere de curent continuu.
Puterea n regim de curent continuu conine valorile medii


48
0 0 0
2
I V I V P
i CC

= = .
Randamentul este mic %) 40 ( = =
ca
cc
P
P
.

.










Pentru a exprima continuitatea tensiunii altfel spus ct de
aproape de o linie paralel cu axa timpului este tensiunea - se
folosete factorul de form [13, 14 ]

2
0 0

= = =
I
I
I R
I R
V
V
D
ef
S
ef S
A
Act
,

a crei valoare ar trebui (n condiii perfecte) s fie egal cu 1, sau se
folosete factorul de ondulaie

2
1 = ,

a crei valoare ar trebui s fie ct mai aproape de zero.
Dependenta dintre tensiunea de la ieire i curentul absorbit de
sarcin reprezint caracteristica extern a redresorului.
Caracteristica extern ne spune ce se ntmpl cu valoarea tensiunii
furnizate de o surs cnd crete numrul consumatorilor conectai
(n paralel) la respectiva surs, conform figurii 1.36.
Dioda este solicitat la valoarea medie a curentului
max 0
2
I I

=
i la o tensiune inversa egal cu valoarea maxima a
tensiunii de alimentare ( )
i AKinv
V V 2 = .

Caracteristicile reale ale dispozitivului semiconductor vor
modifica, n anumite condiii de funcionare, forma de und a
semnalului de pe sarcin.
I
L
V
L
V
0
Fig. 1.36.


49
Dioda nu ncepe sa conduc curentul de la o tensiune de 0V ci
de la o tensiune mai mare (0,5V) n aceste condiii forma de und
se modific n sensul c vom avea curent nul i n alternana
pozitiv a tensiunii de intrare. Curentul ncepe s creasc cnd
dioda intr n conducie i anume cnd v
i
depete pragul de
(0,5V).
La valori mici ale tensiunii de alimentare (pn la 1V) nu se
mai poate neglija modul de variaie al tensiuni care decurge dup
o lege exponeniala ceea ce nseamn c la tensiuni mici

|
|

\
|
= 1
mKT
AK
qV
AB A
e I I ,

curentul are o form exponenial i nu (ca tensiunea de intrare) o
form sinusoidal.
Daca inem seama ca R
inv
finita, n aceste condiii prin
dispozitiv va circula un curent i n alternana negativ a tensiunii
de alimentare, ca n figura 1.37.






















Orice form de und nesinusoidal (exponenial) poate fi
descompus ntr-o sum de sinusoide numite armonici ale
t
t
t
t
t
t
V
L
V
L
V
L
Fig. 1.37.


50
fundamentalei, de frecvene multiplu ntreg al frecvenei
fundamentalei. Este de dorit s nu apar armonici pentru c
deranjeaz ali consumatori.
n cazul circuitelor de redresare cu diode semiconductoare
avantajul este c armonicile apar la tensiuni mici, ceea ce nseamn
c amplitudinea lor este mic i acest fenomen poate fi neglijat n
majoritatea cazurilor. (Nu poate fi neglijat dac tensiunea de
alimentare este prea mic.)


Circuite de redresare bialternan

Circuitele de redresare monofazate bialternan sunt realizate
n dou variante:
- cu transformator cu priz median, ca n figura 1.38;
- cu diode n punte ca n figura 1.40.
n figura 1.38 este prezentat redresorul monofazat
bialternan cu transformator cu priz median, iar n figura
1.38 sunt prezentate formele de und asociate.












Transformatorul TR n fiecare alternan a tensiunii din primar
induce n fiecare seciune a secundarului o tensiune de aceeai
polaritate cu tensiunea de intrare.
Tensiunea din primar V
i
= t Vi sin 2 n alternana pozitiv
polarizeaz n conducie, prin tensiunea din secundar, dioda D
1
, iar
n alternana negativ polarizeaz n conducie dioda D
2
.

nseamn c n intervalul (0, ) conduce curent prin sarcin D
1

iar n intervalul 2 t conduce curent prin sarcin D
2
.
n alternana (+) tensiunea v
i

blocat
D
D
conductie n este
2
1


i
L
=i
D1
; 0 t
Fig. 1.38.
D1
D
2

V
i
V
L
i
1

i
2

i
L
R
S

TR


51






















n alternana (-) tensiunea v
i

conductie n este
blocat este
2
1
D
D

i
L
=i
D2
; 2 t

Tensiunea de pe sarcin

V
L
=R
s
i
L
V
L
=

i
L
V
dt t V
T
2
2 ) (
1
,
este de dubl fa de cazul redresorului monofazat monoalternan.
Solicitrile diodelor sunt diferite n funcie de schema
utilizat, n cazul redresorului monofazat bialternan cu
transformator fiecare diod este solicitat la valoarea medie a
curentului I
med
i la tensiunea invers V
inv max
=
i
V 2

Redresorul monofazat bialternan n punte este prezentat n
figura 1.39.
Formele de und sunt cele din figura 1.39.
t
t
t
t
t
t
i
L
U
L
V
L
Fig. 1.39.
D
1
D
2
D
1
D
2


52
n timpul alternanei pozitive (+) diodele D
1
i

D
4
sunt
polarizate

direct, pentru c avem (1)=(+) curentul se nchide pe
calea (1) D
1
R D
4
(2).
n timpul alternanei pozitive (-) diodele D
2
i

D
3
sunt
polarizate

direct pentru c avem (1)=(-) (2) D
2
R
D
3
(1).













Nici n acest caz nu avem o tensiune continu ci o tensiune
pulsatore, numai c pulsaiile tensiunii n jurul valorii medii sunt
mai mici dect n cazul redresorului monoalternan.
Valoarea tensiunii pe sarcin V
L
are aceeai expresie la
redresorul cu transformator i la redresorul n punte

V
L
=2

i
V 2
.

n cazul redresoarelor in punte diodele sunt solicitate la o tensiune
invers V
inv
=
2
2
i
V

mai mic dect n cazul redresorului cu transformator.
Diodele sunt solicitate la valoarea medie a curentului.



Filtre de netezire

Pentru micorarea ondulaiilor tensiunii pe sarcin se
utilizeaz filtre sau , ca n figura 1.41,a sau b.



D
2
D
4
D
3
D
1
I
2
V
L
i
L
R
(1)

V
i

(2)
Fig. 1.40.


53







Filtrele se intercaleaz ntre sarcin i circuitul de redresare.
Pot fi realizate cu condensatori i rezistori sau cu condensatori
i inductiviti.
Cel mai simplu filtru este reprezentat de un condensator n
paralel cu sarcina R
S
.

Redresorul monofazat monoalternan cu filtru capacitiv
( ) este prezentat n figura 1.42, cu formele de und din figura
1.43.









Calitatea de filtrare se bazeaz pe proprietatea capacitii C de
a nmagazina energia n timp ce prin dioda D trece curent i de a
ceda energia ctre sarcin ct timp dioda nu conduce.
n intervalul
a
-
b
dioda conduce, determin ncrcarea
condensatorului i asigur curentul prin sarcin. Condensatorul se
ncarc ctre valoarea maxim a tensiunii de intrare.
Dup ce tensiunea v
i
ajunge la valoarea maxim
i
V 2 ,
tensiunea v
i
ncepe sa scad. La
b
tensiunea de alimentare a
sczut sub valoarea la care s-a ncrcat condensatorul.
Dioda se blocheaz i circuitul va fi format dintr-o capacitate care
se descarc prin sarcin cu un curent scztor exponenial.
n cazul unor elemente ideale de circuit condensatorul se va
ncrca pan la
i
V 2 dup care se va descrca cu o constanta de
timp C R
S
= .
Plecnd de la definiia capacitii electrice i de la definiia
curentului electric de conducie se obine ecuaia diferenial a
circuitului.
a) b)
Fig. 1.41.
D
R
S
C
v
i
Fig. 1.42.


54


















C=
c
u
q
, i=
dt
dq

dt
di
C R i R
dt
d
C
dt
dv
C i C R V
dt
du
C i
L
s L s
c
c L s L c
= = = = = ) ( ,
C R
t
C R
t
k C R
t
k
c
S
c
S
C
c
S S S
e k e e e i k t
C R
i dt
C R
i
di
2
) (
1
ln = = = + = =
+
.

Factorul de form n cazul prezenei condensatorului este
C R
S

= .

Se constat c valoarea factorului de ondulaie scade la
creterea capacitii condensatorului, motiv pentru care circuitele de
filtraj au n componen capaciti de valori mari (mii de F).

1.13. Stabilizatorul parametric (cu diod Zener)

Stabilizatoarele de tensiune continu sunt circuite electronice
care au rolul de a menine constant tensiunea pe sarcin n
condiiile n care se modific valoarea tensiunii de intrare V
i
,
curentul absorbit de sarcin I
L
sau temperatura mediului ambiant de
funcionare al circuitului [5, 7, 26]

( ) . , , consant T I V f V
i i L
= =
Datorit cauzelor menionate tensiunea pe sarcin se modific

t
t
t
i
L
V
L
t

b
Fig. 1.43.


55
de la V
L
la
L L L
V V V + = , unde V
L
are att valori pozitive ct i
negative. Deoarece scopul circuitului de stabilizare este s menin
constant tensiunea V
L
rezult c se impune 0
L
V .











Putem diferenia funcia care exprim tensiunea de pe sarcin

T
T
f
I
I
f
V
V
f
V
T
S
ct
L
I
i
V
L
R
ct T
i
V
L
i
V
S
ct T
L
I
i
L

=
=
= =
43 42 1
43 42 1 43 42 1
,
0
,
1
,
.
Derivatele pariale au un corespondent fizic motiv pentru care
se noteaz astfel


ct T
L
I
i
L
ct T
L
I
i V
V
V
V
f
S
= =

=
, ,
1
sau altfel scris
ct T
L
I
L
i
V
V
V
S
=

=
,
numit coeficient de stabilizare a tensiunii;

ct T V
L
L
i
I
V
R
=

=
,
0
numit rezistena intern;

ct
i
I
i
V
L
T
T
V
S
=

=
,
numit coeficient de variaie cu temperatura;

Cu aceste notaii, variaia tensiunii pe sarcin se poate scrie,
evideniind condiiile pe care trebuie s le ndeplineasc schema
electronic a stabilizatorului pentru ca tensiunea de pe sarcin s
aib variaii ct mai mici, sub forma

I
i

V
i
ST
I
L
R
L
V
L
Fig. 1.44


56

+ +

=
mic S
mic R
mare S
T S I R
S
V
V
T
0
V
T L
i
L 0
]

Stabilizatorul se bazeaz pe caracteristice static a diodei
Zener, din figura 1.45, care poate fi exprimat printr-o ecuaie
liniar

V
Z
=V
Zo
+r
Z
I
Z




















Tensiunea de stabilizare (se modific cu temperatura dup o relaie
liniar

V
Zo
=V
Zo

(1+
z
T)

unde
z
=(1..8)10
-4
/
0
C are valoare negativ sau pozitiv.


Schema stabilizatorului parametric cu diod Zener este prezentat
n figura 1.46.









Fig. 1.46

I
Zmin

I
Zmax

V
Z

V
Z0

I
Z

D
Z


R
R

R
R
L


R
V
i


R
I
i

R
I
L


R
V
L


R
V
Z


R
Fig. 1.45.


57

Curentul prin rezistorul R se scrie prin diferena de potenial de
la capetele rezistorului
I
i
=
R
V V
R
V
L i R

= .

Suma curenilor n nod este

I
i
= I
Z
+ I
L
I
i
- I
Z
- I
L
=0.

Curentul prin diod poate fi exprimat din ecuaia caracteristicii
statice
V
2
=V
Zo
+r
Z
+I
Z
I
Z
=
L Z
Z
Zo L
Z
Zo Z
V V
r
V V
r
V V
=

,

Succesiv se determin expresia tensiunii pe sarcin.

0 =

L
Z
Zo L L i
I
r
V V
R
V V


L
Z
Zo i
L
I
V
V
R
V
R R
V + =
|
|

\
|
+
0
1 1

se nmulete cu
Z
Z
r R
Rr
+


Z
Z
L
Z Z
Zo
Z
Z
i L
r R
Rr
I
r R V
R
V
r R
r
V V
+

+
+
+
=
) (

Variaia tensiunii pe sarcin se obine prin difereniere

V
L
=
Zo
Z Z
Z
I
Z
Z
V
r R
R
I
r R
Rr
V
R r
r

+
+
+

+
2
,

de unde se determin parametrii stabilizatorului


Z Z
Z
CT T I
L
i
u
r
R
r
r R
v
V
S
L
+ =
+
=

=
=
1 ,


z
z
i
r R
r R
R
+
= ,


z z
z
T
V
r R
R
S
0
+
= .



58
Pentru ca S
u
s aib o valoare mare se impune a adopta un
rezistor R de valoare mare i o diod Zener cu rezisten intern
mic.
Rezistorul R este conectat n serie cu sarcina la sursa de alimentare.
Pentru ca pe sarcin s avem tensiunea nominal se impune a
crete tensiunea sursei aa ca s asigure i cderea de tensiune de pe
rezistorul R.
Pentru ca s nu se utilizeze surse de tensiune cu valori mult
mai mari ca tensiunea de pe sarcin se va adopta o valoare a
rezistorului R care s preia 20,...,30% din tensiunea furnizat de
surs.


































59





TRANZISTORI

Tranzistorii sunt elemente de circuit cu trei electrozi avnd
posibilitatea de modificare a puterii de la ieire printr-un consum
energetic mic.
n funcie de principiul de funcionare pot fi tranzistori bipolari
sau tranzistori cu efect de cmp.

2.1. Teoria elementar a TBP

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei
jonciuni realizat prin implementarea pe o pastil semiconductoare a
trei zone semiconductoare n ordinea PNP sau NPN, ca n figura
2.1.











S-au notat cu E zona semiconductoare a emitorului, B zona
semiconductoare a bazei, C zona semiconductoare a colectorului.
La fel se noteaz i terminalele, prin intermediul crora avem acces
la zonele semiconductoare asociate.
Pentru ca dispozitivul s poat funciona corespunztor se iau
urmtoarele msuri constructive:
- zona semiconductoare a emitorului se dopeaz mai puternic
dect celelalte zone (indicat n figur prin puterea +);

Fig. 2.1.
2
2



60
- zona bazei este mai subire dect celelalte zone
semiconductoare, teoretic trebuie s fie mai mic dect drumul
mediu pe care l poate strbate un purttor minoritar n aceast zon
[8, 9 ].
n figura 2.2 sunt prezentate, n coresponden cu figura 2.1,
simbolurile celor dou tipuri de tranzistori bipolari (tipul PNP i
tipul NPN) precum i regulile de asociere a curenilor i tensiunilor.











Se constat c simbolul tranzistorului conine o sgeat care
indic sensul curentului prin terminalul emitorului i tipul
tranzistorului. Dac sgeata este orientat ctre simbol tranzistorul
este PNP.
Sensurile celorlali doi cureni sunt invers dect sensul
curentului de emitor, aa nct s avem relaia

I
E
=I
C
+I
B
.

Tensiunile se noteaz cu indici n ordinea primul indice de
unde pleac iar al doilea unde ajunge ( s.ex. V
CE
= V
EC
) aa nct
avem relaia pentru tensiuni

V
EB
+V
BC
+V
CE
= 0.

Pentru a descrie comportarea dispozitivului trebuie s avem
relaiile dinte mrimile (3 cureni i 3 tensiuni) asociate
tranzistorului. Cele dou relaii elimin dou din variabile aa nct
rmn numai 4 mrimi.
De regul att modelele ct i caracteristicile statice consider
dou din mrimi independente (urmnd a fi impuse din exterior) iar
celelalte dou se exprim analitic sau grafic n funcie de mrimile
independente.
Teoria elementar a tranzistorului consider structura
tranzistorului din figura 2.3 cu jonciunile polarizate de cele dou

Fig. 2.2.


61
surse una n conducie (jonciunea EB emitor baz) i cealalt n
polarizare invers (jonciune CB colector baz).
Tensiunea pentru polarizarea direct a unei jonciuni este mic
(n jurul valorii de 0,65V) iar tensiunea de polarizare invers poate
fi mult mai mare, motiv pentru care considerm inegalitatea
V
BB
<<V
CC
.
Datorit polarizrii directe a jonciunii emitor baz (J
EB
)
apare un curent de goluri I
EB
care se transfer n zona bazei.
Grosimea bazei fiind mic (mai mic dect lungimea de
difuzie purttorilor minoritari - a golurilor n baz)puine goluri
se vor recombina cu electronii din zona bazei (fapt exprimat prin
curentul de recombinare notat cu i
r
n figura 2.3).

















Golurile, provenind din zona emitorului, ajunse n zona bazei
vor intra sub influena cmpului electric E
0
(datorat polarizrii
inverse a jonciunii colector baz J
CB
de ctre sursa V
CC
).
Cmpul electric E
0
este favorabil tranzitului golurilor din zona
bazei n zona colectorului pentru c cmpul electric al jonciunii
CB
J polarizate invers se opune transferului de electroni din zona N
n zona P.
Efectul de tranzistor consta in modificarea curentului de
goluri (care pleac de la emitor i ajunge la colector) prin
modificarea tensiunii de polarizare a unei jonciuni polarizate
direct i anume tensiunea de polarizare a jonciunii emitor baz.
Curentul de emitor nu este format numai din golurile i
EP
ci i
din electronii care traverseaz jonciunea i
En
din baz ctre emitor
Fig. 2.3.


62

En Ep E
i i I + = .

Se definete eficiena emitorului, drept capacitatea acestuia
de a emite goluri, prin intermediul coeficientului de injecie a
golurilor n baz

1 <
+
= =
En Ep
Ep
E
Ep
E
i i
i
I
i
.

Nu toate golurile care ajung (din zona emitorului) n zona
bazei vor reui s trac n zona colectorului, pentru c o parte se vor
recombina cu electronii (majoritari) din zona bazei. Recombinarea
se exprim prin curentul de recombinare i
r
al golurilor i avem
relaia

r Ep Cp
i i i = .

Se definete factorul de transport al golurilor prin baz

1 <
+
= =
r Cp
Cp
Ep
Cp
T
i i
i
i
i
.

Curentul de colector I
C
este format din golurile provenite din
emitor baz la care se adaug curentul rezidual al jonciunii
colector baz J
CB
(format din electronii minoritari din colector,
care sunt deplasate ctre baz de cmpul E
0
i din golurile
minoritare din zona bazei care vor trece n zona colectorului) notat
I
CB0

0 CB Cp C
I i I + = .
Putem exprima curentul prin intermediul coeficienilor mai sus
definii

0 0 0 CB E E T CB Ep T CB Cp C
I I I i I i I + = + = + = .

Se definete

E T F
= ;
F
) 999 . 0 ; 9 . 0 (



63
factorul static de amplificare n curent direct n conexiunea baz
comun cu ieirea n scurtcircuit (colectorul conectat la baz).
Aa nct avem relaia


0 CB E F C
I I I + = ,

care reprezint modelul matematic al tranzistorului bipolar n regim
static, pentru zona activ de funcionare; model dedus pe baza
teoriei simplificate a tranzistorului.

2.2 Modele n regim static

Regimul static este acel regim n care mrimile de stare a
cmpului electromagnetic nu se modific n decursul timpului.

Modelul general al tranzistorului bipolar
Tranzistorul are n componen dou jonciuni (emitor baz
i colector baz) i cele dou jonciuni determin att curentul de
emitor i
E
ct i curentul de colector i
C
.
Curentul unei jonciuni PN este:

) 1 (
0
=
kT
V
j
e I i .

Plecnd de la aceste observaii se construiete modelul general
al tranzistorului bipolar

|
|
|

\
|

|
|
|

\
|
=
|
|
|

\
|

|
|
|

\
|
=


1 1
1 1
22 21
12 11
KT
V q
KT
V q
C
KT
V q
KT
V q
E
CB EB
CB EB
e a e a i
e a e a i
,

curenii fiind condiionai de ambele jonciuni, prin intermediul
unor factori de pondere.
Deoarece tranzistorul este simetric n raport cu zonele extreme
PNP, rezult c va funciona i dac se inverseaz zona
semiconductoare P alocat emitorului cu zona semiconductoare P
alocat colectorului (regimul de funcionare se cheam inversat).


64
Performanele vor fi sczute n acest regim fa de regimul direct,
pentru c emitorul nu va mai fi P
+
i generarea de goluri va fi mai
slab.

21 12
a a = .

Coeficienii a
ij
depind de elemente constructive ale
tranzistorului (tipul semiconductorului, impuriti, dopri, .a.).

Modelul Ebbers-Moll al tranzistorului bipolar
Modelul Ebbers-Moll se construiete plecnd de la observaia
c modelul general al tranzistorului nu ine seam de polarizarea
jonciunilor [8, 32].

In cazul polarizrii RAD (regiunea activa direct),
jonciunea emitor
- baz este polarizata direct
EB
V > 0 ,
- jonciunea colector baz este polarizat invers
0 <
CB
V .
Pe de alt parte avem

CE CB EB
V V V << i 1 <<

KT
V q
CB
e .

nlocuind n ecuaiile modelului generalizat acesta se rescrie

22 21
11
12
12 11
1
1 1
a e a i
a
a i
e a e a i
KT
V q
C
E
KT
V q
KT
V q
E
EB
EB EB
+
|
|
|

\
|
=

= +
|
|
|

\
|
=

.

n continuare se expliciteaz curentul


11
21
11
21 12 22 11
11
21
22
11
21
21
a
a
a
a a a a
i
a
a
a
a
a I
a i
F
E
E
C
=

+ = +

i prin identificare cu relaia anterior dedus ( i
C
=
F
i
E
+ I
CB0
), se
obin

11
0
a
I
CB

= ,
11
21
a
a
F
= ,


65
unde:

2
12 22 11 21 12 22 11
a a a a a a a = = .

n cazul polarizrii in RAI (regiunea activ inversat),
jonciunea emitorbaz este polarizata invers, iar jonciunea
colectorbaz este polarizat direct (atenie zona colectorului este
n locul zonei emitorului) motiv pentru care avem ca variabil
independent curentul i
C
(colectorul emite purttori)


0 EB C R E
I i i = .

Modelul generalizat, pentru RAI se simplific pentru c
1 <<

KT
V q
EB
e , > 0
CB
V

) 1 (
) 1 (
22 21
12 11
=
=
kT
qV
C
kT
qV
E
CB
CB
e a a i
e a a i
.

Prin identificarea celor dou relaii ale curentului i
E
se obine


22
0
22
12
,
a
I
a
a
EB R

= = .

Modelul Ebbers-Moll se obine din modelul general,
explicitnd termenii a
ij
din cele 4 ecuaii subliniate.
Sistemul de ecuaii asociat modelului Ebbers-Moll este


R F F C
R R F E
i i i
i i i
=
=

,

n care apar notaiile


CS
KT
V
q
R
ES
KT
V
q
F
I e i
I e i
EC
EB
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=

1
1
,

unde i
F
este curentul furnizat de emitor cnd tranzistorul este n
RAD, iar i
R
este curentul furnizat de jonciunea polarizat direct
cnd tranzistorul este n RAI.


66
Curenii
CS ES
I I , sunt curenii de saturaie.
Corespunztor modelului n figura 2.4 este prezentat
schema echivalent.

















O parte din curentul i
F
se pierde n circuitul bazei aa nct la
colector ajunge o fraciune a acestuia
F F
i , din care se mai pierde
o parte prin dioda D
R
n polarizare invers.











Polarizarea in zona de blocare RB se face cu surse care s
polarizate invers ambele jonciuni < < 0 , 0
EB CB
V V apare o
bariera de potenial si la jonciunea EBnu avem transfer de goluri
din emitor n baz 0 =
E
i ,
0 CB B
I i = , ca n figura 2.5.
Starea de blocare este caracterizat prin

0 =
E
i , ,
0 CB B
I i =
0 CB C
I i = .

Fig. 2.4.
I
CB0
I
C
= I
CB0
0 =
E
i

B
i

Fig. 2.5.


67
Polarizarea n regiunea de saturaie RS se face trecnd n
conducie ambele jonciuni > > 0 , 0
EB CB
V V exist un curent de
goluri care pleac de la emitor la colector i un curent de goluri de
la colector la emitor astfel nct tranzistorul se comport ca o
rezisten de valoare mic.
Cderea de tensiune pe tranzistor ntre colector i emitor este
de valoare mic V
CEsat
fiind dependent de tipul i natura
materialului semiconductor.

2.3. Caracteristici statice ale TBP

Deoarece teoremele lui Kirchhoff determin dou relaii ntre
mrimile externe tranzistorului, este suficient s dispunem de relaii
ntre patru mrimi pentru a cunoate comportarea dispozitivului.
Se obinuiete s se declare drept variabile independente
(mrimi stabilite de circuitele exterioare dispozitivului) dou din
mrimile asociate tranzistorului, iar celelalte dou s fie exprimate
n funcie de mrimile independente.
Dac exprimarea este analitic spunem c dispunem de un
model matematic al tranzistorului.
Dac exprimarea este grafic spunem c dispunem de
caracteristici statice ale tranzistorului.
Dac exprimarea este realizat prin intermediul unor scheme
electronice spunem c dispunem de o schem echivalent a
tranzistorului.
Deoarece mrimile independente pot fi considerate oricare
dou din cele patru, caracteristicile statice nu sunt unice, depinznd
de modul n care s-au adoptat mrimile independente.
Tranzistorul avnd trei electrozi devine cuadripol dac unul din
electrozi este comun att intrrii ct i ieirii, astfel c tranzistorul
poate fi conectat n baz comun (BC), emitor comun (EC) sau
colector comun (CC).










I
E
V
CE
V
BE
I
C
I
B
Fig. 2.6


68

Caracteristicile statice pentru conexiunea EC din figura 2.6 sunt
exprimate prin familiile de curbe I
B
= f(V
EB
, V
CB
), I
C
= f(V
EB
, V
CB
).
Pentru c intrarea, n cazul conexiunii emitor comun EC, este
ntre baz i emitor, caracteristicile statice de intrare, sunt
reprezentate prin familia de curbe I
B
= f(V
BE
) cu parametrul V
CB
,
curbe prezentate n figura 2.7a. De fapt caracteristicile sunt ale unei
jonciuni (baz emitor) polarizate direct.
















Caracteristicile de ieire, din figura 2.7b, reprezint dependena
curentului de ieire (I
C
curentul de colector) de tensiunea de
polarizare invers a jonciunii colector baz n condiiile injectrii
unui curent constant I
B
= constant prin baz.
n regiunea activ de funcionare avem modelul

0 CB E F C
I I I + = .

ntre cureni exist relaia

C B E
I I I + = .

n conexiunea emitor comun curentul de ieire este I
C
, motiv
pentru care din cele dou relaii se elimin I
E
i se obine relaia
pentru conexiunea EC
0 CE B F C
I I I + = , ] 2000 .... 10 [
F
, unde

F
F
F

=
1

V
CE
I
C
I
B
=100
I
B
= 10
I
B
=0
I
B
V
BE
V
CE
=0 V
CE
>0
a) b)
Fig. 2.7


69

este factorul static de amplificare n conexiunea EC a TBP, iar
curentul I
CE0
este n relaie cu I
CB0


F
CB
CE
I
I

=
1
0
0
.
n figura 2.8 este prezentat o caracteristic tipic de intrare,
care permite separarea aproximativ a regimurilor de funcionare,
prin tensiunea de polarizare a bazei:
V
BE
< 0,5 V regiunea de blocare RB;
0,5 V<V
BE
< 0,8 V regiunea activ direct
RAD;
V
BE
> 0,8 V regiunea de saturaie RS.













Caracteristicile statice ale tranzistorului sunt modificate de valorile
parametrilor sau de condiiile de funcionare.
Efectul creterii tensiunii inverse aplicate jonciunii CB
determin multiplicarea n avalan a purttorilor, ceea ce poate
conduce la strpungerea jonciunii. Se limiteaz valoarea tensiunii
de polarizare invers a jonciunii
) ( 0 BR CB CB
V V < , sub valoarea
tensiunii de strpungere
) ( 0 BR CB
V .
n cazul conexiunii EC, pe lng aceast tensiune de
strpungere
) ( 0 BR CB
V se mai definete o tensiune numita tensiune de
susinere, cu referitoare la spaiul C-E care are valoarea
) ( 0 ) ( 0
) 3 . 0 ..... 1 . 0 ( |
BR CB sust CE BR CE
V V V = = .
Depirea acestei tensiuni duce la creterea tensiunii de
colector dar fr s conduc la strpungerea vreunei jonciuni a
tranzistorului.
0,5 0,8 V
BE
[V]

Fig. 2.8.
I
B


70
Temperatura determina scderea tensiunii cu 2mV la
creterea cu 1 grad Celsius, rezultnd creterea curentului
rezidual
0 CB
I , care se dubleaz la o cretere de 10 grade a
temperaturii si afecteaz factorul de amplificare static in
curent in modificrii dup relaia

|
|

\
|
+ =
P
T
F T
K
1 ,K
P
=50C.

Efectul creterii curentului de intrare determin o cretere
a curentului de colector care, dac depete o anumita
valoare
max C
I , poate conduce la strpungerea tranzistorului,
prin topirea jonciunii.
Se limiteaz
max C C
I I

.
Puterea disipata
C CE d
I V P = este o consecin a
necesitii de limitare a temperaturii jonciunii P
d
< P
dmax
, ceea ce
este echivalent cu

=
=
max
max
d C CE
d C CE
P I V
ct P I V


CE CE
d
C
V
ct
V
P
I = =
max














Relaia definete n planul caracteristicilor de ieire o curb
numit hiperbol de disipaie, marcat n figura 2.9.
n concluzie punctul static de funcionare al tranzistorului
trebuie s nu depeasc hiperbola de disipaie.
I
C


I
Cmax
V
CEmax
V
CE


Fig. 2.9.
hiperbola


71
Puterea maxim pe care o poate disipa tranzistorul indicat de
productor, pentru un tip de tranzistor, este puterea pe care o poate
disipa capsula fr radiator.
Montarea unui radiator termic permite creterea puterii
maxime pe care o poate suporta tranzistorul.

2.4. Polarizarea TBP n zona activ de funcionare

Polarizarea tranzistorului n zona activ de funcionare
nsemn proiectarea elementelor unei scheme electronice, aa nct
jonciunile tranzistorului s fie polarizate corespunztor RAD
(regiunii active de funcionare), adic jonciunea emitor - baz s
fie polarizat direct iar jonciunea colector baz s fie polarizat
invers. Se impune de asemeni s fie respectate toate limitrile
tranzistorului privind valorile tensiunilor i curentului (vezi
paragraful 2.3).
Se vor prezenta schemele de polarizare a TBP n conexiunea
emitor comun EC, pentru c schemele de polarizare pentru
celelalte moduri de conectare (BC i CC) au aceeai topologie.

Polarizarea TBP n conexiune EC
Polarizarea tranzistorului n zona activ de funcionare se
poate face cu dou surse de t.e.m. V
BB
i V
CC
, ca n figura 2.10, sau
cu o singur surs V
CC
, ca n figura 2.12.












Pentru ochiurile care conin sursele de t.e.m. se scrie teorema a
II-a a lui Kirchhoff

CC CE C C
BB BE B B
V V I R
V V I R
= +
= +

B
BB
B
BE BB
B
R
V
R
V V
I
65 . 0

=

C
R
BE
V
E
I

+
BB
V
-
B
R
CE
V
+
CC
V
-
C
I

I
B
Fig. 2.10.



72
Deoarece tranzistorul este n RAD tensiunea de polarizare a
bazei este n jurul valorii V
BE
= 0,65 V. Pentru c sursa V
BB
se
adopt de valoare mult mai mare ca V
BE
, n relaia de mai sus
termenul V
BE
poate fi neglijat, aa nct

B
BB
B
R
V
I = .

Curentul I
B
stabilete curba din planul caracteristicilor de ieire
pe care se va gsi punctul static de funcionare PSF.
n zona activ de funcionare curentul de colector poate fi
determinat n funcie de curentul injectat n baz

0 CE B F C
I I I + = ,

unde
F
este factorul static de amplificare n conexiunea EC
(cunoscut pentru un tranzistor dat), iar I
CE0
este curentul rezidual de
colector care poate fi neglijat n majoritatea aplicaiilor, ceea ce
nsemn c se va folosi relaia
B F C
I I = .
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff scris pentru ochiul de
ieire se poate exprima tensiunea

C C CC CE
I R V V = .















Valoarea tensiunii V
CE
i valoarea curentului I
C
stabilesc
punctul static de funcionare al tranzistorului PSF de coordonate
(V
CE
, I
C
) n planul caracteristicilor statice de ieire.
C
R
BE
V
E
I
+
BB
V
-
B
R
CE
V
+
CC
V
-
C
I

I
B
Fig. 2.11.

E
R


73
n scopul stabilizrii PSF cu temperatura se introduce un
rezistor n emitorul tranzistorului, ca n figura 2.11 [8, 34].
Relaiile se completeaz astfel:

CC CE C C
BB E E BE B B
V V I R
V I R V I R
= +
= + +

, ,
B F C C B E
I I I I I = + = ,

Din ultimele relaii avem
B F E
I I ) 1 ( + = i curentul prin baz
devine

E F B
BB
B
R R
V
I
) 1 ( + +
=

,

restul elementelor rmnnd neschimbate (ca expresiile de mai sus).
Schemele de polarizare cu o singur surs de alimentare
utilizeaz un rezistor, ca n figura 2.12,a sau un divizor de tensiune,
ca n figura 2.12,b, pentru a forma sursa V
BB
din sursa de t.e.m. V
CC
















Pentru figura 2.12,a curentul de baz se determin din ecuaia

= +
CC BE B B
V V I R
B
BE CC
B
R
V V
I

= ,
unde V
BE
= 0,65 V.
Pentru figura 2.12,b curentul de baz se neglijeaz n raport cu
I
D
, ceea ce nseamn c I
D
circul i prin rezistorul
1
B
R . Se pot scrie
relaiile
a) b)

Fig 2.12

R
C
R
B
V
CC
R
C
R
B1
I
D
R
B2
V
CC
T

T



74
2 1
B B
CC
D
R R
V
I
+
= ,
D B CC BE
I R V V
1
= .
De fapt se putea aplica direct regula divizorului de tensiune

CC
B B
B
BE
V
R R
R
V
2 1
1
+
= .

Impunnd o valoare pentru curentul I
D
i considernd
V
BE
= 0,65 V, se obin dou ecuaii prin intermediul crora se
calculeaz cele dou rezistoare din baza tranzistorului.

















n condiiile n care se cere ca impedana de intrare a
tranzistorului (cu circuitul de polarizare) s aib o valoare impus
s.ex. s fie ct mai mare calculele circuitului de polarizare se vor
face lund n considerare curentul care este absorbit de baza
tranzistorului.
n cele mai multe aplicaii schema de polarizare din figura
2.12b, va conine i o rezisten pentru stabilizare termic n
emitorul tranzistorului, ca n figura 2.13.

Polarizarea TBP n conexiune BC i CC

n figura 2.14 sunt prezentate circuitele de polarizare pentru
conexiunile a) colector comun CC i b) baz comun BC.
Constatm c modul de polarizare este identic tuturor
conexiunilor ( BC, EC, CC) ceea ce nseamn c metodologia de
Fig. 2.13.


75
proiectare a circuitelor de polarizare este aceeai indiferent de
conexiunea tranzistorului.
n cazul proiectrii elementelor de polarizare se cunosc
tensiunea pe V
BE0
,
0 0
,
C CE
I V , (s-a folosit n indice i zero pentru a
specifica faptul c mrimile sunt cele din punctul static de
funcionare). Deoarece PSF este plasat n zona n care
caracteristicile de ieire sunt paralele cu axa tensiunii, curentul de
colector nu va mai fi funcie dect de curentul bazei, aa nct se
utilizeaz dependena liniar a curentului de colector de curentul
bazei
0 CE B F C
I I I + = .
Condensatorii
B E
C C , sunt condensatori decuplare a
rezistoarelor pe care sunt conectai (n paralel) avnd rolul de
scurcircuitare a respectivelor rezistoare n regim variabil, motiv
pentru care reactana acestora se adopt mult mai mic dect
rezistena pe care o scurcircuiteaz.















Pentru a elimina perturbaiile datorate modificrii temperaturii
se utilizeaz diode sau termistori care s compenseze variaia cu
temperatura a elementelor schemei sau a parametrilor (n cele mai
multe cazuri) tranzistorului.
Termistorul i modifica rezistenta cu temperatura, motiv
pentru care poate fi conectat in locul uneia din rezistentele de
polarizare a bazei tranzistorului pentru a corecta variaia cu
temperatura a tensiunii V
BE
. O dioda de acelai tip cu tranzistorul,
polarizata direct, conectat n emitorul tranzistorului poate
compensa variaia cu temperatura a tensiunii
BE
V . O diod, n
polarizare invers, montat n circuitul bazei tranzistorului
compenseaz variaia cu temperatura a curentului rezidual
0 CB
I .

a) b)

Fig. 2.14.


76
2.5. Regimul variabil al TBP

Regimul variabil se consider regim de semnal mic dac
semnalele aplicate la intrare sunt suficient de mici pentru a nu
deplasa PSF din zona liniara a caracteristicilor ( PSF s nu intre n
zona de saturaie sau n zona de blocare ci s rmn tot timpul n
zona activ a caracteristicilor statice RAD).
n figura 2.15 se ncearc o explicare a regimului de semnal
mic.
La intrarea unui tranzistor (spre exemplu n conexiune EC, ca
n figura 2.13) se aplic o tensiune variabil ) sin( 2 ) ( t V t v v
i i BE
= = ,
care pe baza caracteristicii de intrare determin un curent i
B
.
Curentul i
B
, innd seam de ecuaia din figura 6.15 determin un
curent i
C
, care la rndul su, pe baza caracteristicilor statice de
ieire i a dreptei de sarcin determin o tensiune v
0
de ieire.
Dac PSF se deplaseaz ctre cureni mai mari, spre exemplu
aa nct n PSF curentul s fie
C
CC
C
R
V
I =
0
, alternana pozitiv a
curentului va fi tiat i tensiunea de la ieire va avea numai
alternana negativ.














Tensiunea de intrare este periodic dar de o form oarecare.
Pe baza dezvoltrii n serie Fourier orice tensiune periodic
poate fi scris sub forma

i i I
k
ik i
V v V t k V v
a
+ = + =

0
) sin( 2 , ( ) f V v
ik i
a

unde primul termen exprim regimul variabil iar al doilea regimul
de curent continuu.

Fig. 2.15.


77
Tensiunile sinusoidale determin pentru k=1 fundamentala
tensiunii, iar pentru alte valori ale lui k sinusoidele determin
armonicile semnalului.

Modele i scheme echivalente cuadripolare

n cazul regimului de curent alternativ se recurge la
transformarea n complex a semnalelor.
Transformarea n complex este valabil pentru o frecven
dat, dar se poate aplica principiul suprapunerii efectelor, rezult c
putem aplica transformarea n complex pentru orice frecven cu
observaia c schema echivalent a tranzistorului trebuie s fie
valabil pentru frecvena respectiv. Tranzistorul poate fi tratat ca
un cuadripol, cu structura din figura 2.16.
Descrierea lui se poate face prin intermediul unor ecuaii sau a
unei scheme echivalente. Datorit faptului c ntre cureni avem o
relaie I
E
=I
C
+I
B
i ntre tensiuni o alt relaie V
EB
+V
BC
+V
CE
=0.
rezult c din cele 6 mrimi asociate tranzistorului (vezi figura 2.2)
rmn 4 cu care avem 6
2
4
= C posibiliti de descriere a
cuadripolului, prin alegerea a dou mrimi independente.









Dac se iau ca mrimi independente tensiunile V
i
i V
0
ecuaiile care descriu cuadripolul sunt:

0
V y V y I
r i i i
+ =
0 0 0 0
V y V y I
i
+ =

Se noteaz cu y datorit faptului c reprezint raportul dintre
un curent i o tensiune. Dac se face tensiunea de ieire V
0
= 0 se
obin
0
V
i
i
i
V
I
y = admitana de intrare i
0
0
V
i
f
V
I
y = admitana de
transfer de la intrare la ieire. Similar pentru V
i
= 0 .


i
V

0
V
1`

2`
2
1

I
0
I
i
C
Fig. 2.16.


78











Corespunztor descrierii cuadripolului prin parametrii y n
figura 2.17 avem schema echivalent.
Cel mai folosit model cuadripolar al tranzistorului este modelul
cu parametri h pentru care mrimile independente sunt curentul
de intrare
i
I i tensiunea de ieire
0
U (s-a folosit sublinierea pentru a
specifica faptul c sunt mrimi vectoriale n complex, transformate
ale mrimilor variabile n timp).
n continuare toate mrimile cuadripolare i mrimile de la
bornele cuadripolului cu toate c sunt mrimi n complex nu vor fi
notate cu subliniere! Motiv - pentru a nu ngreuna scrierea.
Ecuaiile modelului cu parametri h sunt:

+ =
+ =
0 0 0
0
V h
i
I
f
h I
V
r
h
i
I
f
h
i
V


Semnificaia parametrilor modelului poate fi stabilit prin
anularea succesiv a mrimilor independente:
- impedana de intrare cu ieirea n scurcircuit
0
0
=
=
V
i
i
i
I
V
h ;
- admitana i respectiv rezistena de ieire cu intrarea n gol
0
0
0
0
=
=
i
I
V
I
h =>
0
0
0
0
0
1
=
= =
i
I
I
V
h
r ;
- factorul de amplificare n curent cu ieirea n scurcircuit

0
0
0
=
=
V
i
f
I
I
h ;
- factorul de reacie n tensiune cu ieirea n gol

i
V

1
0
V
I
i
1` 2`
2
i
Y
0
Y
0
V Y
r

i f
V Y
Fig. 2.17.


79

0
0
=
=
i
I
i
r
V
V
h .

Schema echivalent asociat modelului este n figura 2.18.









Parametrii de cuadripol depind de conexiunea tranzistorului iar
n cataloage se indic valorile pentru tranzistorul n conexiune
emitor comun EC.
Datorit faptului c, n cazul conexiunii EC, factorul de reacie
h
r
are valori mici influena lui poate fi neglijat i modelul se
rescrie,





iar schema echivalent asociat se poate urmri n figura 2.19.













Parametrii de cuadripol ai tranzistorului depind de conexiunea
n care au fost definii. n cataloage sunt indicai parametri de
cuadripol pentru tranzistorul aflat n conexiunea emitor comun EC.

+ =
=
0 0 0
V h
i
I
f
h I
i
I
f
h
i
V

1
i
V

1`
I
i
h
i
0
V
2`
2
0
1
h

h
f
I
i
I
0
Fig. 2.19.
i
V
I
i
0
V
h
i
h
r
V
0
h
f
I
i
Fig. 2.18.
0
1
0
h
r =
I
0


80
Circuitul echivalent natural al TBP

Circuitul echivalent, prezentat n figura 2.20, se numete
natural pentru c a fost dedus pe baza fenomenelor fizice ce stau
la baza modificrii concentraiilor de purttori n zona bazei.
Schema echivalent este valabil pentru frecvene
4

f
f ,
unde

f este frecvena pn la care factorul static de amplificare n
conexiune BC cu ieirea n scurcircuit nu scade cu mai mult de 3dB
fa de valoarea medie.
Elementele schemei echivalente sunt:
- '
bb
r este rezistena distribuit a bazei ; are valori mai mici
de 50 .
-

R - rezistena unei jonciuni polarizate direct; 0,1,2 k.

-

C
- capacitatea de difuzie a jonciunii emitor baz:
100,,500pF.
-

r - rezistena jonciunii polarizate invers: 10,..,20 M.

-

C - capacitatea de barier a jonciunii colector baz:
1,...,10pF.
-
0
r - rezistena dintre colector i emitor: 1,..,2 M.
-
CE
C - capacitatea dintre electrozii specificai: 0,5,,1 pF.
-g
m
panta tranzistorului; se determin n funcie de curentul
de colector din PSF cu relaia
PSF C
e
m
I
kT
q
g = .















0
r
B

R
E
B`
e b m
V g '
CE
C

r
C
Fig. 2.20.
'
bb
r

C

be
V


81
Frecvena de tiere (la care
F
=1) stabilete prin pulsaia de
tiere o relaie ntre capaciti

C C
g
m
T
+
= .
Factorul static de amplificare n curent n conexiunea EC
stabilete valoarea rezistenei jonciunii n conducie
m
F
g
r

= .
La frecvene medii, la care capacitile prezint reactan mare,
circuitul se simplific, ca n figura 2.21 (desenul este pentru
conexiunea EC).











Circuitul natural din figura 2.21 este echivalent cu circuitul
cuadripolar cu parametri h pentru relaiile de echivalen



Se va folosi circuitul natural sau circuitul echivalent exprimat sub
form de cuadripol n funcie de aplicaie, pentru a calcula mai
comod.

2.6. Caracteristici ale tranzistorilor cu efect de
cmp

Tranzistorul este un dispozitiv electronic care are rolul de a
modifica un curent electric important prin modificarea tensiunii de
polarizare a unui electod de comand sau prin modificarea
curentului absorbit de electrodul de comand. Scopul este atins cu
cheltuieli minime dac puterea cerut de electrodul de comand este
mult mai mic dect puterea din circuitul principal, exprimat aici
prin intermediul curentului important.
0
r
B

r
BE m
V g
C
E
bE
V
Ce
V
Fig. 2.21.
. ,
1
,
0
0 i m i f i
V g I h
h
r h r = =

82
Tranzistorul bipolar utilizeaz pentru formarea curentului
comandat dou tipuri de purttori de sarcin (goluri i electroni),
ceea ce determin anumite inconveniente.
Tranzistorii cu efect de cmp utilizeaz un singur tip de
purttori de sarcin, care circul printr-un canal semiconductor.
Electrodul de comand are rolul de a modifica conductivitatea
canalului, n acest fel modificndu-se valoarea curentului comandat
[12 ].
(Reamintim faptul c GU
R
U
I = = , iar rezistena canalului este
S
l
R = , unde l este lungimea canalului, S seciunea canalului.)
De fapt electrodul de comand acioneaz asupra seciunii canalului
S (prin modificarea limii), care determin modificarea rezistenei
R i care rezisten determin modificarea curentului I.
Tranzistorii cu efect de cmp se numesc astfel pentru c
modificarea conductivitii (inversul rezistenei electrice) canalului
se face cu ajutorul unui cmp electric mai intens sau mai slab n
funcie de potenialul electrodului de comand, numit gril.
Curentul se nchide printr-o zon semiconductoare (care reprezint
nsi canalul) ntre doi electrozi unul numit surs - pentru c
furnizeaz purttorii de sarcin i cellalt numit dren - pentru c
are rolul de a colecta purttorii.
De notat c prin canal circul purttorii majoritari. (Circul i cei
minoritari dar contribuia lor la curentul din canal este mic.)
n funcie de principiul conform cruia se modific
conductivitatea canalului tranzistorii cu efect de cmp pot fi
realizai n dou variante
- TEC-J , tranzistor cu efect de cmp cu jonciune,
- TEC-MOS, tranzistor cu efect de cmp de tipul
Metal-Oxid-Semiconductor.

Tranzistorul TEC-J are canalul dintr-un tip de semiconductor
(s.ex. de tipul N) iar grila este conectat la canal prin intermediul
unui semiconductor cu alt tip de purttori majoritari (pentru
exemplul dat, semiconductorul grilei este de tipul P). n figura 2.22
canalul este de tipul N iar grila este conectat la canal prin
intermediul unui strat semiconductor de tipul P
+
. Tranzistorul este
TEC-J cu canal n. Grila este polarizat aa fel ca jonciunea care
apare ntre canal i zona semiconductoare a grilei s fie blocat
(polarizare invers). n cazul figurii 2.22. grila trebuie s fie
negativ n raport cu canalul.


83
Jonciunea fiind polarizat invers zona de golire se extinde mai
mult n semiconductorul mai slab dopat, se extinde deci n zona
canalului. Extinderea zonei de golire micoreaz seciunea
canalului, adic micoreaz seciunea de trecere a electronilor care
pleac de la surs, prin canal, ctre dren. Pentru c electronii
trebuie s plece de la surs, cmpul electric din interiorul canalului
trebuie s fie orientat de la dren ctre surs (electronii au sarcin
negativ i se deplaseaz invers liniilor de cmp). Aceast
necesitate impune ca drena s fie polarizat pozitiv fa de surs.

















Zona P din figura 2.22 se numete substrat.
Grila este legat la electrodul substratului S
S
,aa nct
seciunea canalului s se modifice i prin intermediul acestei
jonciuni aflat n polarizare invers.
n figura 2.23 este prezentat simbolul TEC-J cu canal N
precum i polaritatea tensiunilor care se aplic electrozilor pentru ca
s poat fi modificat curentul prin canal curentul care se nchide
de la dren la surs (electronii avnd sarcin negativ circul invers
dect curentul pe care l determin).








V
DS
n
P
p
+
n
+
n
+
golire
canal
+
G
D
S

Ss
Fig. 2.22.
G
D
S
V
GS
< 0
Fig. 2.23.

D
I
V
DS
>0


84
Seciunea canalului se micoreaz crescnd tensiunea de
polarizare invers a jonciunii gril canal.

Tranzistorul TEC-MOS are dou zone semiconductoare de
acelai fel (de tipul N pentru tranzistorul din figura 2.24) alocate
una sursei i cealalt drenei, separate printr-un strat de tipul cellalt
(n cazul nostru de tipul P). Orice polaritate a tensiunii am aplica
ntre dren i surs una din jonciunile P-N va fi blocat aa nct nu
se va nchide nici un curent fr aportul electrodului de comand
respectiv grila tranzistorului.

















Grila este n contact cu semiconductorul de tipul P, fiind
separat de acesta printr-un izolator, care n cazul tranzistorului
MOS este un strat de oxid de siliciu ca n figura 2.24.
n condiiile aplicrii unei tensiuni pe gril pozitiv n raport
cu substratul, aceast tensiune, prin cmpul electric orientat de al
gril ctre S
S
mpinge golurile majoritare din zona P i atrage la
suprafaa de separaie a metalului grilei electronii minoritari. n
zona P, ntre cele dou zone N
+
apare un strat de electroni
minoritari care formeaz un strat de inversie a conduciei.
Creterea potenialului grilei determin creterea limii
stratului de inversie. Aplicnd o diferen de potenial ntre dren i
surs electronii din stratul de inversie se vor deplasa pe calea N
+

(surs) canal format din stratul de inversie - N
+
(dren),
determinnd curentul important al tranzistorului.
Tranzistorul descris mai sus se numete TEC-MOS cu canal n
- indus.
n
+
n
+
G
D
S

Ss
+
P
Fig. 2.24.


85
n figura 2.25 este prezentat simbolul tranzistorului TEC-MOS cu
canal N indus. Notaiile au semnificaiile : S - surs, D - dren,
Ss - substrat, G - gril (poart).











Tensiunea de polarizare a grilei este V
GS
pozitiv ca s formeze
canalul materializat prin stratul de inversie iar tensiunea V
DS

este pozitiv ca s antreneze electronii de la surs ctre dren -
pentru ca n circuit s se stabileasc curentul I
D
orientat de la D spre
S.
Not: Se construiesc tranzistori de tip MOS cu canal iniial
pentru care, (datorit doprii zonei P) exist un strat de inversie a
conduciei la suprafaa semiconductorului fr aplicarea unui
potenial pe gril (la V
GS
=0 ) .

Caracteristici de transfer

Funcia tranzistorului este s modifice curentul care circul de
la dren la surs, curent notat I
D
n figura 2.26, prin modificarea
potenialului V
GS
a grilei fa de surs. Caracteristicile de transfer
ilustreaz modul de variaie al curentului de ieire cnd se modific
tensiunea de comand.
Se noteaz V
T
tensiunea de tiere, care are semnificaii diferite n
funcie de tipul tranzistorului TEC:
- n cazul TEC-MOS tensiunea V
T
este tensiunea V
GS
de la
care ncepe s circule curentul I
DS
, (vezi caracteristica din figura
2.27,a) reprezentnd potenialul grilei de la care s-a format stratul
de inversie;
- n cazul TEC-J tensiunea V
T
este tensiunea V
GS
la care
curentul I
DS
se anuleaz, (vezi caracteristica din figura
2.27 ,b) reprezentnd potenialul grilei pentru care zona de
golire s-a extins n ntreg canalul (purttorii de sarcin
provenind de la surs ntlnesc n calea ctre dren o zon
de nalt rezisten).
Fig. 2.25.
V
DS
G
D
S
V
GS
< 0


86
















Principiile de modificare a curentului I
D
, n cazul TEC-J prin
modificarea tensiunii unei jonciuni polarizate invers iar n cazul
TEC-MOS prin modificarea tensiunii aplicate unui condensator,
determin valoarea foarte mic a curentului absorbit de electrodul
de comand (grila), rezultnd un consum foarte mic de putere
pentru comand (specific acestui tip de tranzistor).

Caracteristici de ieire
Caracteristicile de ieire sunt familii de curbe care prezint
dependena curentului de dren I
D
de tensiunea aplicat canalului
V
DS
, pentru diferite valori ale potenialului aplicat grilei V
GS
, ca n
figura 2.27.















V 2 =
T
V | | V
GS
V
D
I

a)
V
T
= - 5 V
GS
I
D
I
DS
b)
Fig. 2.26.
V
GS
= -2V
20
I
D
V
GS
= 0
V
V
DS
0.
V
GS
= - 4V
a)TEC-J
20
I
D
V
GS
= 5
V
V
DS
0.
V
GS
= 2
V
b)TEC-MOS
Fig. 2.27


87

Caracteristicile de ieire prezint dou zone de funcionare [12, 27]
- o zon liniar, n care pentru o tensiune V
GS
impus,
curentul de dren I
D
crete la creterea tensiunii aplicate
canalului V
DS
;
- o zon de saturaie, n care pentru o tensiune V
GS
impus,
curentul de dren I
D
nu se modific la creterea tensiunii
aplicate canalului V
DS
.

n zona de saturaie curentul de dren nu se schimb prin
modificarea V
DS
ci numai prin modificarea potenialului grilei V
GS
.
Aceast dependen este exprimat astfel relaii n care apar


2
) 1 (
T
GS
DSS D
V
V
I I = pentru TEC-J ,
( ) | | 2 , 1 , = m V V I
m
T GS D
pentru TEC-MOS,

mrimi dependente de tipul tranzistorului i de modul de realizare
practic a acestuia, numite dup cum urmeaz:
I
DSS
- curentul de saturaie,
- coeficient specific tranzistorului cu dimensiunea
1
,
V
T
- tensiunea de tiere,
m = 2 - coeficient teoretic are valoarea specificat.
Datele de catalog ale unui tranzistor dat specific, pe lng alte
caracteristici, setul de parametri (V
T
, I
DSS
) pentru TEC-J i (V
T
, )
pentru TEC-MOS.

n zona liniar a caracteristicilor statice curentul de dren I
D

, pentru o tensiune aplicat grilei constant (V
GS
= constant), se
modific liniar cu tensiunea V
DS
, ceea ce nseamn c dispozitivul
ntre dren i surs se comport ca o rezisten.
Pentru tranzistorul TEC-J zona liniar a caracteristicilor de ieire se
afl la tensiuni mici aplicate canalului V V
DS
1 , 0 .
Curentul de dren respect relaia lege lui Ohm pentru rezistene


DS
canal
DS
D
GV
R
V
I = = ,

unde G este conductana canalului (drenei).
Conductana drenei poate fi exprimat n funcie de mrimea
care o determin - i anume tensiunea V
GS
prin relaia


88

, 1
0 |
|

\
|
=
T
V
GS
V
G G














unde G
0
este o dat de catalog, specific modului de realizare a
tranzistorului TEC-J.

2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp

n figura 2.29 sunt prezentate schemele clasice de polarizare
a tranzistorului cu efect de cmp n zona activ de funcionare.















Structurile de polarizare, constatm c sunt aceleai indiferent
de tipul tranzistorului fie bipolar, fie cu efect de cmp.
I
D
V
GS
= - 4V
V
DS

0,1V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 2V
Fig. 2.28.
-
+
S
C
D
R
D
G
G
R S
R
S
DD
V
+
S
C
D
G
1
G
R
S
R
S
DD
V
2
G
R
S
R
Fig. 2.29.


89
Condensatorul C
S
n regim de curent alternativ decupleaz
rezistorul R
S
.
n cazul tranzistorului TEC-J, tensiunea de polarizare a grilei
este negativ, motiv pentru care rezistorul R
S
este obligatoriu
prezent n schem.
Considernd curentul absorbit de gril neglijabil, pentru
schema cu o singur rezisten n circuitul grilei tensiunea de
polarizare a grilei este
V
GS
= - R
S
I
D
,

iar pentru chema cu dou rezistene
DD
G G
G
D S GS
V
R R
R
I R V
2 1
1
+
+ = .

Tensiunea aplicat canalului, pentru ambele scheme din figura 2.29
este
V
DS
= V
DD
(R
S
+ R
D
) I
D
.


2.8. Circuite echivalente ale TEC

Circuitul echivalent de semnal mic al TEC la frecvene medii
Indiferent de tipul tranzistorului (TEC-J sau TEC-MOS), n
regim variabil schema echivalent se construiete plecnd de la
faptul c numai tensiunile modific valoarea curentului

( )
DS GS D
V V I , f = .

Variaia curentului de dren poate fi exprimat prin diferenierea
funciei f

DS
ct
GS
V
DS
GS
ct
DS
V
GS
D
V
V
f
V
V
f
i

=
= =
,



DS d GS m D
V g V g I + = .

Relaia pe baza creia se construiete schema echivalent
(prezentat n figura 2.9) conine notaiile derivatelor pariale
g
m
panta tranzistorului,
g
d
conductana drenei,


90
I
D
amplitudinea variaiei curentului de dren n jurul
punctului
static de funcionare.
Valorile n care se ncadreaz parametrii de regim variabil ai
tranzistorilor cu efect de cmp sunt
g
m
= 0,1 ... 10 mA/V;
r
d
= 0,1 ... 1 M.












Schema echivalent a TEC la nalt frecven

Cnd frecvena tensiunii de intrare este mare ncep s conteze
capacitile dintre electrozi, motiv pentru care schema echivalent
de la frecvene medii se completeaz cu capacitile C
GS
, C
GD
, C
DS

ca n figura 2.31.












Exist ntre gril i dren o legtur (ntre ieire i intrare) motiv
pentru care nu se utilizeaz aceast schem echivalent, ci se
transform, pe baza teoremei lui Miller, ntr-o alt schem
echivalent fr transfer de la ieire la intrare.


d
d
g
r
1
=
GS m
V g
GS
V
G
S
DS
V
Fig. 2.30.
I
D
GS
C
GD
C
D
D
I
GS
V
GS m
V g
G
S
d
r
DS
V
S
DS
C
Fig. 2.31


91






DISPOZITIVE MULTIJONCIUNE

Dispozitivele multijonciune sunt dispozitive semiconductoare
cu mai mult de dou jonciuni.
Tehnologia actual permite realizarea unor dispozitive
compuse avnd mai multe jonciuni (spre exemplu tranzistori
Darlington, sau tranzistori cu efect de cmp cuplai cu tranzistori
bipolari sau cu tiristori, .a.). n cadrul capitolului vor fi prezentate
dispozitivele clasice care pot constitui structuri de sine stttoare i
anume:
- dioda PNPN;
- tiristorul;
- triacul;
- tranzistorul unijonciune realizat aa cum spune numele cu
structuri unijonciune.

3.1. Dioda PNPN

Dioda PNPN este format din patru zone semiconductoare,
ca n figura 3.1a - zonele de conectare a electrozilor fiind mai
puternic dopate cu impuriti.
Accesul la dispozitiv se face prin electrozii A anod i K
catod.
Aplicnd tensiunea de alimentare
AA
V , jonciunile J
1
i J
3
vor
fi polarizate direct pentru c J
1
primete tensiune pozitiv pe zona
P
+
iar J
3
primete tensiune negativ pe zona N
+
a jonciunii.
Tensiunea pozitiv a sursei
AA
V se aplic prin rezistena mic
a jonciunii J
1
(n conducie) pe zona N a jonciunii J
2
. Tensiunea
negativ a sursei se aplic prin rezistena mic a jonciunii J
3
(n
conducie) pe zona P a jonciunii J
2
. Rezult c jonciunea J
2
va fi
polarizat invers.
Simbolul dispozitivului este prezentat n figura 3.1b.
3
3



92
Polarizarea invers a jonciunii J
2
determin zone de golire
n semiconductorii centrali N i P ceea ce conduce la apariia
cmpului electric intern E
0
ce se opune transferului de electroni din
N n P i transferului de goluri din P n N.
Odat cu creterea tensiunii ( )
AK AA
V V , zona de golire se
extinde i intensitatea cmpului E
0
crete; J
1
i J
3
fiind polarizate
direct rezult c exist un transfer de goluri din zona P
+
n N i de
electroni din zona N
+
n P.













n figura 3.2 este prezentat caracteristica static a diodei
PNPN [8].
n condiiile n care V
AK
ajunge la
0
m
A
V intensitatea cmpului
E
0
a crescut suficient pentru ca golurile provenite din zona P
+
s fie
preluate de fora datorat cmpului E
0
i s fie transferate n zona P
a jonciunii J
2
. La fel se petrec lucrurile cu electronii provenii din
zona P
+
care vor fi transferai n zona N a jonciunii J
2
.














+
J
1
p
+
AA
V
AK
V
p n n
+
A
I
J
2
J
3
K A
AA
V
K A
a) b)
Fig. 3.1.
AK
V

0
AB
V
A
B
m
I

A
I
D
BR
V
O
C
J
1/2/3
dir
J
1
, J
3
dir,J
2
inv J
1
, J
2
,J
3
inv
E
Fig. 3.2.


93


S-a stabilit un transfer de electroni i goluri prin J
2
=> J
2
a
basculat n conducie, astfel apare un curent de goluri care se
nchide de la zona P
+
la catodul K i un curent de electroni de la N
+

la anodul A.
Astfel vom avea de-a face cu trei jonciuni polarizate direct
(n conducie) care determin saltul din A n B.
Scderea tensiunii n punctul B este datorat faptului c toate
jonciunile sunt n conducie i V
B
ar trebui s fie 3x0,65V = 1,95 V.
Poriunea BC reprezint creterea curentului celor trei
jonciuni cnd tensiunea aplicat crete.
Curba ODE se obine pentru toate trei jonciunile n
polarizare invers.
Recapitulnd avem:
OA zon de blocare la polarizarea direct a dispozitivului,
pentru tensiunea
0
m
A AK
V V < (
0
m
A
V se numete tensiunea de
amorsare)
OD zon de blocare la polarizarea invers a dispozitivului
(se obine pentru tensiuni negative <
BR
V (tensiunea de
strpungere).
n ambele zone, OA i OD curenii sunt mici.
DE zona de multiplicare n avalane a purttorilor
BC zona de conducie a dispozitivului .
Funcionarea dispozitivului mai poate fi explicat pe baza
teoriei tranzistorului, constatnd c structura semiconductoare poate
fi descompus ca n figura 3.3.












Se constat c dioda PNPN este format din doi tranzistori
diferii Unul PNP i cellalt NPN interconectai.
n figura 3.4 sunt prezentate conexiunile celor doi tranzistori.
A
I
K
A
n p
n p
p
+
n
+
E
1
B
1
C
1
C
2
B
2
E
2
Fig. 3.3.


94












n figura 3.5 este prezentat variaia factorului static de
amplificare n conexiunea baz comun
F
la modificarea
curentului de emitor (de fapt curentul anodic al diodei PNPN).

F1
se refer la tranzistorul PNP

F2
se refer la tranzistorul NPN














Curenii de colector se exprim n funcie de curenii de emitor.

1 1 1
02 2 2 2
01 1 1 1
B C E A
CB E F C
CB E F C
i i i i
I i i
I i i
+ = =
+ =
+ =

.

Dar succesiv avem

2 1
C C A
i i i + = ,
02 2 2 01 1 1
CB E F CB E F A
I i I i i + + + = .
2 1
B C
I I =
1
E A
i I =
K
A
E
1
B
1
C
1
C
2
B
2
E
2
A E
I I =
2

2 1
C B
I I =
Fig. 3.4.
2 1
F F
+

2
F

1
F

1
1
E
i
0 0
Am E
V i
Fig. 3.5.


95

Conform relaiei de mai sus dintre curenii de emitor i curentul
anodic obinem:
02 2 01 1
CB A F CB A F A
I i I i i + + + = ,
( )
2 1
02 01
1
F F
CB CB
A
I I
i
+
+
= .

Expresia curentului anodic permite o explicaie a saltului
curentului cnd tensiunea V
AK
atinge valoarea tensiunii de amorsare.
Creterea V
AK
=> creterea i
A
,ceea ce conduce la creterea sumei
(
2 1
F F
+ ), conform figurii 3.5. Cnd tensiunea
0
Am AK
V V =
, curentul
i
A
(i
E
) a crescut suficient pentru ca (
2 1
F F
+ ) s fie egal cu
unitatea. Anulndu-se numitorul din expresia curentului i
A

efectueaz un salt din punctul A al caracteristicii statice n punctul
B . Curentul crete n continuare pe ramura BC a caracteristicii
statice. Creterea curentului se oprete la o valoare stabilit de
elementele externe dispozitivului.











Spre exemplu dac circuitul arat ca n figura 3.6 se poate scrie
teorema K II pe ochiul de circuit
AA A S AK
V I R V = + , relaie numit
dreapt de sarcin. Ecuaia dreptei de sarcin mpreun cu ecuaia
caracteristicii statice determin punctual static de funcionare (PSF),
determin de fapt valoarea la care se stabilete curentul n circuit
( )
AK A
V I PSF ,
0
.
n figura 3.7 este rezolvat grafic sistemul. Prin intersecia
dreptei de sarcin cu graficul caracteristicii statice se determin
poziia punctului static de funcionare, notat pe figur PSF.
Ieirea din conducia dispozitivului se face numai prin
scderea curentului prin dispozitiv sub valoarea curentului de
meninere I
m
.
Intrarea n conducie a dispozitivului poate avea loc:
AK
V
AA
V
A
I
D
R
S
Fig. 3.6.


96
- prin creterea tensiunii V
AK
peste valoarea tensiunii de
amorsare V
Am0
, cum s-a vzut mai sus;
- prin creterea temperaturii, care conduce la creterea
factorilor statici de amplificare i a curentului i
A
(prin
creterea curenilor reziduali
2
0
1
0
,
CB CB
I I
) determinnd
anularea numitorului i bascularea n conducie;
- prin viteze mari de cretere a tensiunii V
AK
(prin efectul
dt
dV
C I
dt
dV
AK
j A
AK
= (C
j
capacitatea jonciunii) care
conduce la creterea
2 1
,
F F
i la bascularea n conducie a
jonciunii J
2
.



















Ultimele dou moduri de intrare n conducie a dispozitivului
nu sunt dorite i se iau msuri pentru a fi prevenite.
Dispozitivul este utilizat la protecia mpotriva
supratensiunilor accidentale aplicate circuitelor, montndu-se n
paralel cu circuitul protejat. n condiiile n care tensiunea de
alimentare a circuitului protejat depete
0
Am
V , dispozitivul intr
n conducie i tensiunea scade la valoarea tensiunii de
amorsare
0
Am
V (n jur de 2V).



AK
V

AA
V
AA
V
0
Am
V
0
AK
V
PSF
A
I
0
A
I
m
I
( )
S
AA
AK
S
A
R
V
V
R
I + =
1

S
R
Fig. 3.7.


97

3.2. Tiristorul convenional

Tiristorul este realizat ca dioda PNPN, dar n apropierea
catodului, pe zona semiconductoare de tip P este montat un terminal
(electrod) cu funcia de comand numit gril sau poart, ca n
figura 3.8 a [4, 13, 14, 15 ].
Simbolul dispozitivului este prezentat n figura 3.8a.
Electrodul de comand al tiristorului (grila) injecteaz purttori
n zona jonciunii polarizate invers a structurii PNPN. Cmpul
electric intern crete ceea ce face ca purttorii din zona P
+
s intre
sub influena cmpului electric la tensiuni V
AK
mai mici i
jonciunea s basculeze din blocare n conducie. Rezult c grila,
prin curentul injectat, scade tensiunea de amorsare. Curentul I
A
se
stabilete n circuit pentru valori mai mici ale tensiunii aplicate.






















De aici ideea care a condus la aplicaiile tiristorului folosind
tensiuni de alimentare V
AA
< V
Am0
tiristorul nu va intra n conducie
dect dac se aplic un semnal de comand pe grila tiristorului,
altfel tiristorul rmne blocat.
Anularea curentului I
A
i ieirea dispozitivului din conducie se
face numai prin scderea, pe o cale oarecare, a valorii curentului I
A

K p+ n p n+
IG
G
A
VAK
I
A
Fig. 3.8 a
G
VGK
VAK
I
A
A K
Fig. 3.8 b


98
sub valoarea curentului de meninere (I
A
< I
m
). Grila nu are nici un
rol n blocarea tiristorului convenional.
Pentru a realiza blocarea exist dou posibiliti:
- scderea ctre zero a tensiunii de alimentare;
- aplicarea unei tensiuni de polaritate opus circuitului anod
catod.
Valori maxime:
I
Amax
= 5,500 A
V
AK inv max
= V
BR
= V
B0
=6,500 V
Utilizri : circuite de redresare, circuite pentru conversia puterii,
invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite
pentru comanda acionrilor electrice, circuite pentru mbuntirea
factorului de putere.
Domeniul: circuite de putere mare i de putere foarte mare.

3.3. Triacul

Triacul este un dispozitiv semiconductor realizat ca s
ndeplineasc funcia a doi tiristori conectai antiparalel [19, 22,
23].











n figura 3.9,a sunt evideniate zonele semiconductoare iar n
figura 3.9,b este prezentat schema echivalent a triaclui.






Fig. 3.10

Pentru c circulaia curentului poate avea loc n ambele sensuri
electrozii principali sunt numii anozi A
1
i A
2
, iar electrodul de
Fig. 3.9 a
A
1
p
+
n
+
A
2
n

p

n

G
A
2
A
1
A

Fig. 3.9 b
G
A
2 A
1


99
comand pstreaz numele de G gril, n figura 3.10 fiind prezentat
simbolul triacului.
Caracteristica static a triacului este format din caracteristicile
statice ale celor doi tiristori cuplai. Pentru tensiuni V
AK
= V
A1A2

pozitive caracteristica static este prezentat n figura 3.7.
Semnalul de comand aplicat pe gril poate avea orice
polaritate fa de anodul A
2
, dar sensibilitatea maxim a comenzii
se obine dac polaritatea tensiunii de comand V
GA2
este aceeai cu
polaritatea tensiunii V
A1A2
.
Valori maxime:
I
Amax
= 500 A
V
AK inv max
= V
BR
= V
B0
=4,500 V
Utilizri: circuite pentru comanda mainilor electrice,
invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite
pentru comanda iluminatului.
Domeniul: circuite de putere mic i medie.

3.4. Tranzistorul unijonciune

Tranzistorul unijonciune este un dispozitiv electronic avnd
o caracteristic static, prezentat n figura 3.11, care prezint o
zon de rezisten negativ.
Constatm c n zona AB panta curbei este negativ

( GV
R
V
I =

= ).
Tensiunea V
V
se numete tensiune de vale , corespunznd
punctului limit pn la care exist o rezisten negativ n
caracteristica static a dispozitivului.














VP
IV
IP
VV
VE
I
B
A
B
Fig. 3.11.


100
Tensiunea V
P
se numete tensiune de prag i delimiteaz,
npreun cu tensiunea de vale V
V
, zona de rezisten negativ.
Dispozitivul electronic numit TUJ are o implementare practic
n dou variante, una conine o singur jonciune numit TUJ clasic
(fig. 3.12a) iar cealalt conine trei jonciuni i se cunoate sub
numele de TUJ programabil (fig. 3.12b).












a) b)
Fig. 3.12

Electrozii dispozitivului se numesc baze B
1
i B
2
iar
electrodul de comand se numete emitor.
TUJ ul clasic, prezentat n figura 3.12a, este realizat dintr-o
bar semiconductoare de tipul N (formnd cele dou baze), iar la o
distan controlat de unul din capete s-au difuzat impuriti
acceptoare aa fel nct s se realizeze jonciunea PN a emitorului.
Baza semiconducuctoare prezint rezistena
1 B
r sub jonciune i
rezistena
2 B
r deasupra jonciunii, ca n figura 3.13. Jonciunea
emitorului este reprezentat de dioda din schema echivalent [21,
25, 30].








Fig. 3.13

Ct timp tensiunea de alimentare a emitorului V
E
este mic dioda,
constituita din jonctiunea PN, este blocata, ceea ce nseamna ca
+

R
s
I
0
B
2
V
CC n

B
1
V
E V
E
+
I
E

p

B
1
B
2
E

J
1
J
2
J
3
n

n

p

p

V
E
I
E
V
D
B
1

r
r
B
2

V
CC
R
S I
B


101
avem de-a face cu o zon de golire care se extinde cu precadere n
semiconductorul de tipul N.
Dida intr n conducie cnd este ndeplinit condiia
V
E
V
D
+V
A
, unde tensiunea V
A
se exprim n funcie de tensiunea de
alimentare V
CC

CC
B B
B
CC
S B B
B
A
V
r r
r
V
R r r
r
V
2 1
1
2 1
1
+

+ +
= .

Se poate face aproximarea de mai sus pentru c prin dispozitiv
circul un curent mic i cderea de tensiune pe R
S
poate fi neglijat.
Jonciunea PN intr n conducie determinind injectarea de
purttori n spatiul definit de rezistenta
1 B
r . Crescnd numrul de
purttori va crete conductivitatea zonei N aflata sub jonciune,
determinnd o scdere brusc a rezistenei
1 B
r , ceea ce conduce la
cresterea curentului I
E
.
Constatm c la tranziia din blocare n conducie a
dispozitivului nu avem o multiplicare n avalan a purttorilor ci
numai cu o scdere a rezistenei
1 B
r .
Se definete raportul intrinsec de divizare a bazelor prin

2 1
1
B B
B
r r
r
+
= .

n figura 3.14 sunt prezentate simbolurile celor dou tipuri de
tranzistori unijonciune:
a) tranzistorul unijonciune clasic;
b) tranzistorul unijonciune programabil.












a) b)
Fig. 3.14
B
2
B
1
E

R
2
R
1
+V
CC


102
Deosebirea ntre cele dou tipuri const n faptul c raportul
intrinsec de divizare a bazelor n cazul TUJ-ului clasic este fix, pe
cnd la TUJ-ul programabil raportul intrinsec de divizare se
stabilete din exterior, cu cele dou rezistoare din figura 3.14b,
avnd expresia
2 1
2
R R
R
+
= .
























Fig. 3. 15

n figura 3.15 se prezint schema i formele de und asociate
unui oscilator de relaxare cu TUJ [21, 30].
La conectarea sursei de alimentare, dispozitivul este blocat i
condensatorul C se ncarc, de la Vcc cu o tensiune, care tinde ctre
valoarea tensiunii de alimentare ntr-un timp notat cu T
0
.
Momentrul T
0
reprezint momentul de timp cnd tensiunea pe
condensator este suficient de mare pentru ca doda din schema
echivalent s intre n conducie, determinind scaderea rezistenei
de sub emitor.
Tensiunea pe condensator are valoarea:
n
2
B
2
B
1
E

R

C

+


TR

V
CC
n1

V
0
V
CC
V
CB
T0
V
CI
T
T0
k

T = T
0
+ T
B


103

V
C
(T
0
)=Vs+V
CC
= V
CC
.

La T
0
ncepe procesul rapid de descrcare a sarcinii de pe
condensator prin rezistena de valoare mic de sub zona emitorului
i primarul transformatorului TR.
Din condiia de mai sus se deduce valoarea timpului de
cretere a
impulsului
)
1
1
ln(
0

= T ,
unde s-a notat constanta de timp cu RC = .

3.5.Tiristorul MOS (MOS Controlled Thyristor)

Este o structur format din doi tranzistori care modeleaz un
tiristor, la care se adaug un tranzistor MOS care s realizeze
blocarea structurii.
Schema de principiu a dispozitivului este prezentat n figura
3.16. Tranzitorii bipolari complementari Q
1
, Q
2
modeleaz
tiristorul.
Dac se aplic un impuls pozitiv pe G
1
fa de K, tiristorul intr n
conducie. Tranzistorul MOS Q
3
este blocat, tensiunea V
DS
fiind
mic i anume egal cu V
G1K
. Pentru a bloca structura se impune
a aduce n conducie tranzistorul Q
3,
ceea ce se realizeaz

prin
aplicarea unui impuls pe G
2
(fa de K). Tranzistorul Q
2
se
blocheaz i astfel se anuleaz curentul anodic.
















G
1









G
2

Q
1




Q
2
Q
3
K
A
I
A

Fig. 3.16.


104

n figura 3.17 este prezentat a) o realizare fizic a MCT i b)
schema structural a MCT [40].


















Tranzistorul NPN este n paralel cu un canal de tipul N (on
FET) avnd rolul de a iniia procesul regenerativ de intrare n
conducie a structurii.
Tranzistorul PNP este n paralel cu un canal de tipul P (off
FET) avnd rolul de a iniia procesul regenerativ de blocare a
structurii.
Un impuls de tensiune pozitiv aplicat pe gril determin
acumularea de purttori de sarcin electroni - n canalul de tipul N
(care devine conductor). Se realizeaz astfel o legtur
conductoare ntre K N
+
- P(canalul) N
-
.
Apare o jonciune polarizat direct ntre A i K, ceea ce
nseamn c dispozitivul a basculat n conducie (se nchide un
curent ntre anod i catod).
Un impuls negativ aplicat pe gril V
GK
acioneaz asupra
canalului de tipul P determinnd ieirea din conducie a
dispozitivului.
Procesul de intrare n conducie i de blocare fiind regenerativ
nu este necesar s fie meninut tensiunea de comand pe gril.



3.6. Tiristorul GTO cu blocare pe poart (Gate turn off thyristor)
a) b)
Fig. 3.17.




105

Tiristorul cu blocare pe poart GTO este o structura
multijonciune similar cu cea a tiristorului convenional SCR
(Silicon controlled rectifiers), prezentat n figura 3.18a, dar
factorul de amplificare n curent al tranzistorului NPN din structur
este mult mai mare dect al tranzistorului PNP.
Factorul de amplificare n curent este sczut tehnologic, ceea
ce se reflect n schema echivalent din figura 3.18b, prin rezistena
R
s
, cu rol de untare a curentului ce se injecteaz n structur.
Att tiristorul convenional SCR ct i tiristorul cu blocare pe
poart GTO intr n conducie, cnd tensiunea V
AK
> 0, dac grila
primete un impuls pozitiv.















Procesul de intrare n conducie este regenerativ i se face ntr-
un timp foarte scurt (curentul injectat este amplificat de tranzistorul
NPN, care aplicat n baza tranzistorului PNP este amplificat din nou
i curentul de colector rezultat este adunat la intrare, rezult astfel o
reacie pozitiv sau altfel spus un proces regenerativ).
Blocarea structurii se face ntr-un timp relativ lung, dup
eliminarea sarcinii stocate, ceea ce stabilete frecvena maxim de
lucru la 1,.., 2 kHz.
Pentru blocarea tiristorului convenional SCR se recurge la
anularea curentului anodic sau la inversarea polaritii tensiunii
anodice V
AK
< 0 (ceea ce conduce, de fapt, tot la anularea curentului
anodic).
Pentru blocarea tiristorului GTO se aplic un impuls negativ pe
gril, la un curent de gril de 10,...,20% I
AK
din valoarea curentului
anodic.

a) b) c)

Fig. 3.18.


106
Rezult c factorul de amplificare n curent al GTO este mai
mic dect al SCR i consumul de putere pentru comand este mai
mare dar poate fi blocat cu impulsuri negative aplicate pe gril,
ceea ce nseamn c schema de comand este mai simpl.

















Dac n serie cu tiristorul se afl o inductivitate L atunci
blocarea acestuia este lent. Cu toate c s-a aplicat o comand de
blocare, curentul anodic nu se anuleaz pn nu s-a epuizat toat
energia acumulat n cmpul magnetic al inductivitii.
Pentru a creste viteza de blocare, n paralel cu tiristorul se
conecteaz o reea Snubber un circuit de accelerare a blocrii
prezentat n figura 3.19.
n timpul conduciei tiristorului condensatorul C este ncrcat
cu polaritatea din figur i prin circuitul derivaie nu circul curent
(aste mic).
Comanda de blocare determin creterea V
AK
I
L
va ncrca
condensatorul C prin dioda D, ca n figura 3.20.
Inductivitatea, prin energia nmagazinat n cmpul magnetic pe
perioada cnd tiristorul este n conducie, are tendina de a menine
sensul curentului chiar dup ce se d comand de blocare a
tiristorului.
Se constat c circuitul de accelerare a blocrii formeaz o cale
pentru descrcarea energiei inductivitii L, pentru ca s se poat
anula curentul prin tiristor nainte de anularea curentului prin
inductivitate.




Circuit de
accelerare a
blocrii
I
L


L
GTO
V
AK
R
D

+
-
C
Fig. 3.19.


107
















3.7. Tranzistorul Darlington

Tranzistorul Darlington este o structur, realizat pe o pastila
de siliciu, format din doi tranzistori bipolari n conexiune
Darlington, ca n figura 3.21. Tranzistorul Q2 este tranzistorul de
putere, iar tranzistorul Q1 are rolul de a crete factorul de
amplificare (global) n curent, astfel nct
2 1
f f f
h h h = (tiut fiind c
1
f
h al tranzistorului de putere are valori mici -
1
f
h < 30 - i scade
puternic pentru valori apropiate de curentul maxim suportat de
tranzistor.
Dioda D este dioda de accelerare a blocrii tranzistorului de
putere Q2. Dac lipsete Q
2
se va bloca dup ce se blocheaz Q
1
.
Cu dioda D ncepe simultan procesul de blocare pentru ambii
tranzistori.
Cderea de tensiune n conducie este mai mare dect cderea
de tensiune ce s-ar obine cu Q
2
singur - cnd tranzistorul
Darlington este saturat cderea de tensiune este 0,8 V fat de 0,2 V
[40].
Performanele din punctul de vedere al aplicaiilor de puteri
mari sunt stabilite pentru tranzistorul Darlington de ctre
tranzistorul final al structurii i anume de Q
2
.







Comanda blocare prin I
G
respectiv (V
GK
< 0)

Fig. 3.20.
V
AK
I
A
I
A
U
AK
= V
c
blocat


108














3.8. Tranzistorul I.G.B.T. (Insulated gate bipolar
transistor)

Structura I.G.B.T. este un montaj Darlington modificat, format
din doi tranzistori - un transistor bipolar PNP de putere i un
transistor pentru comanda tranzistorului de putere cu efect de cmp
MOS, ca n figura 3.22.
















Cderea de tensiune a IGBT n conducie este a unui tranzistor
bipolar saturat (0,2V) i anume a tranzistorului de putere.
Intrarea n conducie i blocarea tranzistorului IGBT se face ca
i n cazul oricrui tranzistor cu efect de cmp MOS - prin comanda
cu tensiune pozitiv aplicat pe gril acesta intr n conducie.
Procesul de intrare n conducie nefiind regenerativ comanda


G
E
C
G
E
C
V
G
V
CE
I
A
a) b)

Fig. 3.22.
E


B
C
Q
1
Q
2
D
Fig. 3.21.


109
trebuie meninut. Timpii de comutare sunt stabilii de tranzistorul
bipolar.

3.9.Aria de diode controlat FCD (Field controlled
diodes )

Structura semiconductoare numit arie de diode controlat,
prezentat n figura 3.23a este similar celei a unui transistor cu
efect de cmp cu jonciune J-FET cu deosebirea c n cazul acestui
dispozitiv zona drenei de tipul N
+
a fost nlocuit, cu un
semiconductor de tipul P
+
, pentru a realiza zona catodului .
















n figura 3.23,b este prezentat schema echivalent a
dispozitivului.
Emitorul tranzistorului este reprezentat de zona
semiconductoare P
+
, care constituie i anodul dispozitivului.
Colectorul tranzistorului este reprezentat de zona semiconductoare
N
+
, care constituie i catodul dispozitivului.
Zona bazei este zona mai puin dopat de tipul N
-
.
ntre grila G (zona P
+
) i zona semiconductoare a bazei (N
-
)
exist o jonciune polarizat invers care moduleaz rezistena bazei,
de fapt rezistena canalului conductor A N
-
- K.
Deoarece modificarea rezistenei canalului conductor se face prin
modificarea potenialului de polarizare invers a jonciunii
semiconductoare gril catod, se justific schema echivalent
3.23b.
Dispozitivul FCD nu funcioneaz pe baza unui proces
regenerativ, ca i IGBT, singura deosebire constnd n tipul

a) b)

Fig. 3.23.


110
tranzistorului de comand J-FET n primul caz i MOS-FET n
cellalt caz.
Modul de comand este diferit n funcie de dispozitiv
- FCD este normal n conducie i se blocheaz cu tensiune
negativ pe gril, iar
- IGBT este normal blocat i intr n conducie prin
aplicarea unei tensiuni pozitive pe gril.






































111



Teste de autoevaluare A (capitolele 1, 2 i 3)

1. Fenomenul de recombinare se refer la
a) ciocnirea a doi atomi
b) dispariia unui electron i a unui gol
c) ciocnirea unui electron cu un atom
2. Curentul de recombinare depinde de
a) concentraia de impuritati donoare
b) temperatur
c) tensiunea aplicat
3. Polarizarea n conducie a jonciunii PN se face
a) cu condensatori
b) aplicnd tensiune pozitiv pe anod i negativ pe catod
c) aplicnd tensiune negativ pe anod i negativ pe catod
4. Rezistena diodei n conducie fa de dioda n polarizare
invers este
a) mai mic
b) mai mare
c) egal
5. Cderea de tensiune pe o diod n conducie este
a) mai mic ca 1 V
b) mai mare ca 10 V
c) foarte mare

6. Tranzistorul bipolar are un numr de jonciuni egal cu
a) 1
b) 2
c) 3
7. Curentul principal, care se nchide de la E la C n cazul
tranzistorului PNP este:
a) de goluri
b) de electroni
c) de electroni i goluri
8. Tranzistorul NPN este polarizat n regiunea activ de
funcionare prin
a) polarizarea direct a jonciunii EB i invers a
jonciunii CB
b) cu tensiuni V
BE
>0 i V
CB
>0
c) cu tensiuni V
BE
>0 i V
CB
<0



112

9. Modelul cuadripolar h al tranzistorului NPN are n
structur
a) dou surse de tensiune
b) dou surse de curent
c) o surs de tensiune i una de curent
10. Precizai relaia ntre rezistenele de intrare i de ieire
pentru TBP n conexiune EC
a) intrare > ieire
b) intrare < ieire
c) intrare = ieire
11. Curentul tranzistorului cu efect de cmp este
a) de goluri sau de electroni
b) de electroni i goluri
12. Rezistena de intrare a TEC fa de rezistena de intrare a
TBP este
a) mai mare
b) mai mic
c) egala
13. Precizai tranzistorul pentru care curentul de dren este nul
dac tensiunea la intrare este nul
a) TEC-J
b) TEC-MOS
c) TBP
14. Precizai numrul de jonciuni ale diodei PNPN
a) 1
b) 2
c) 3
15. Tensiunea de amorsare a tiristorului se refer la tensiunea
dintre
a) gril i catod
b) anod i catod
c) gril i anod
16. Tiristorul convenional intr n conducie prin comand
a) pe gril
b) pe catod
c) pe emitor








113
CUPRINS
Modulul A

1. Dioda semiconductoare
1.1. Caracteristici statice
1.2. Semiconductori intrinseci
1.3. Semiconductori extrinseci
1.4. Densiti de curent n semiconductori
1.5. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic
1.6. Polarizarea jonciunii P-N
1.7. Fenomene care modific caracteristica static
1.8. Circuite echivalente n regim static
1.9. Circuite echivalente n regim cvasistaionar
1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonciune
1.11. Principiul superpoziiei
1.12. Circuite de redresare
1.13. Stabilizatorul parametric


2. Tranzistori
2.1. Teoria elementar a TBP
2.2. Modele n regim static
2.3. Caracteristici statice ale TBP
2.4. Polarizarea TBP n zona activ de funcionare
2.5. Regimul variabil al TBP
2.6. Caracteristici statice ale TEC
2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp
2.8. Circuite echivalente ale TEC

3. Dispozitive multijonciune
3.1. Dioda PNPN
3.2. Tiristorul convenional
3.3. Triacul
3.4. Tranzistorul unijonciune
3.5. Tiristorul MOS
3.6. Tiristorul GTO cu blocare pe poart
3.7. Tiristorul Darlington
3.8. Tiristorul I.G.B.T.
3.9. Aria de diode controlat

Teste de autoevaluare A

7
7
11
15
17
22
26
30
33
36
39
41
45
54

103
105
107
108
109

111
59
59
63
67
71
76
81
88
89
91
91
97
98
99



114
Soluiile testelor de autoevaluare

Teste A 1. b ; 2. a,b,c ; 3. b ; 4. a ; 5. a ; 6. b ; 7. a ; 8. a,c ; 9. c ; 10. b ; 11.
b; 12. a ; 13. b ; 14. c ; 15. a ; 16. a.