Electronic analogic

Lucrarea nr. 3 Partea I

TRANZISTORUL BIPOLAR
3.1.1. Scopul lucrrii Se studiaz comportarea tranzistorului bipolar n diferite regiuni de lucru, n regim static, prin verificarea modelelor de semnal mare (de curent continuu). 3.1.2. Observaii teoretice Structuri, simboluri i notaii pentru tranzistorul bipolar Tranzistorul bipolar (TB) este un dispozitiv semiconductor cu trei borne, ce conine dou jonciuni pn. TB se realizeaz ntr-un monocristal semiconductor i este alctuit din trei zone alternate ca tip de conductibilitate, numite emitor (E), baz (B) i colector (C). Exist dou tipuri de tranzistoare bipolare: npn i pnp. n fig. 3.1 sunt ilustrate structurile, simbolurile i notaiile pentru cele dou tipuri de TB. Sgeata din simbolul TB se pune ntotdeauna pe borna emitorului cu sensul de la zona p la zona n. Ea marcheaz sensul normal al curentului prin tranzistor. Un tranzistor bipolar este complet descris de cei trei cureni prin borne i de cele trei tensiuni dintre fiecare pereche de borne. S considerm un tranzistor bipolar npn, pentru care notaiile sunt cele din fig. 3.1a. ntre cei trei cureni i ntre cele trei tensiuni exist urmtoarele relaii (ecuaii) de legtur, general valabile:
VCE = VBC + VBE IE = IC + IB

(3.1) (3.2)

Din caracteristicile de catalog sau din modelul TB se obin dou ecuaii de dispozitiv, iar din circuitul de polarizare al TB se obin dou ecuaii de circuit. Cele ase ecuaii permit determinarea curenilor IC, IE i IB, precum i a tensiunilor VBE, VBC i VCE, tranzistorul fiind astfel complet determinat.

Emitor (E)

n p n Baz (B) E B VCE C

Colector (C)

Emitor (E)

p n p Baz (B) E B VEC C

Colector (C)

IE VBE
a)

IC IB B

IE VEB
b)

IC IB B

C VCB

VBC

Fig. 3.1. TB structuri, simboluri i notaii a) TB npn; b) TB pnp

1

Tranzistorului bipolar. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune

Regiunile de lucru ale tranzistorului bipolar Fiecare din cele dou jonciuni ale TB poate fi polarizat direct sau invers. Ca urmare exist patru situaii posibile, corespunztoare la patru regiuni de lucru ale TB, prezentate n tabelul 3.1. Tabelul 3.1 Nr. crt. 1 2 3 4 Jonciunea baz-emitor (BE) Polarizat direct Polarizat direct Polarizat invers Polarizat invers Jonciunea baz-colector (BC) Polarizat direct Polarizat invers Polarizat direct Polarizat invers Funcionarea TB Regiunea de saturaie (RS) Regiunea activ normal (RAN) Regiunea activ invers (RAI) Regiunea de blocare (RB)

Regiunea de blocare se mai numete i regiune de tiere. Pentru a stabili dac o jonciune a TB este polarizat direct sau invers se va determina cderea de tensiune ntre zona p i zona n. Dac aceasta este pozitiv, atunci jonciunea este polarizat direct, iar dac este negativ, atunci jonciunea este polarizat invers. n RAN se poate folosii relaia: I C F I B (3.3) Conexiune emitor comun (EC) Considernd tranzistorul ca fiind un diport cu o poart (dou borne) de intrare i o poart (dou borne de ieire) se pot realiza trei situaii distincte. n fiecare situaie va exista o born a tranzistorului care este comun i la intrare i la ieire. Aceast born va da numele conexiunii n care lucreaz TB. De exemplu, n fig. 3.2 TB are emitorul la mas, i deci comun i la intrare i la ieire. Ca urmare, aceast configuraie a TB Q1 se numete conexiunea emitor comun (EC). VCE B C 108C 3.1.3. Determinarea caracteristicilor de intrare i de transfer pentru TB n conexiunea emitor comun n fig. 3.2 este ilustrat schema circuitului pentru determinarea caracteristicii statice de intrare, IB = IB(VBE) i a caracteristicii statice de transfer, IC = 400uA IC(VBE) pentru tranzistorul bipolar BC108C. Aceste caracteristici sunt prezentate n fig. 200uA 3.3. Desfurarea lucrrii Se deseneaz n SPICE schema din fig. 3.2 i se seteaz parametrii pentru analiza de curent continuu folosind descrierea de mai jos:
PSpiceEdit Simulation Profile
Analzsis type: DC Sweep, Sweep variable: Voltage source, Name: VBE Sweep type: Linear, Start Value: 600m End value: 800m Increment: 0.5m 2
0A IB(Q2) 400mA V B E 0 .6 V d c 5V dc

0 Fig. 3.2. Schema circuitului cu TB n EC pentru determinarea caracteristicilor

200mA SEL>> 0A 600mV IC(Q2) 700mV V_VBE 800mV

Fig. 3.3. Caracteristica de intrare i caracteristica de transfer pentru BC108C

Electronic analogic

A. Se vizualizeaz curentul IB(Q1) i se completeaz tabelul 3.1. VBE [V] IB(Q1) [ A] 0,6 0,65 0,7 0,75 Tabelul 3.1 0,8

B. Se vizualizeaz curentul IC(Q1) i se completeaz tabelul 3.2. VBE [V] IC(Q) [ A] 0,6 0,65 0,7 0,75 Tabelul 3.2 0,8

C. Vizualizarea factorului de amplificare n curent continuu, F = IC(Q1)/IB(Q1) i completarea tabelului 3.3. Tabelul 3.3 VBE [V] 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8 IC(Q)/ IB(Q) D. Pentru analiza comportrii cu temperatura, n regim static, a tranzistorului BC108C se modific parametrii analizei astfel:
PSpiceEdit Simulation Profile
Analzsis type: DC Sweep, Sweep variable: Temperature, Sweep type: Linear, Start Value: 0 End value: 100 Increment: 0.1

Se vizualizeaz: IB(Q1), IC(Q1) i factorul de amplificare n curent continuu, IC(Q1)/IB(Q1) i se completeaz tabelul 3.4. Tabelul 3.4 o 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T [ C] IB(Q) IC(Q)
IC(Q)/ IB(Q)

3.1.4. Determinarea caracteristicii de ieire IC(VCE) Se utilizeaz circuitul din fig. 3.2. Se seteaz parametrii pentru analiza de curent continuu folosind descrierea de mai jos:
PSpiceEdit Simulation Profile Analzsis type: DC Sweep, Primary Sweep: Sweep variable: Voltage source, Name: VCE Sweep type: Linear, Start Value: 0 End value: 10 Increment: 2m Secondary Sweep: Sweep variable: Voltage source, Name: VBE Sweep type: Value list: 0.65 0.7 0.75

Tranzistorului bipolar. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune

Desfurarea lucrrii A. Se va vizualiza curentul de colector IC(Q1). Deoarece VBE este parametru al analizei, avnd 3 valori (0,65 V, 0,7 V i 0,75 V), se vor obine 3 caracteristici de ieire (o familie de caracteristici). Se va observa modificarea lui IC(Q1) la creterea tensiunii colector emitor, VCE. B. Se va completa tabelul 3.5. Tabelul 3.5 VCE [V] 0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 VBE = 0,65V IC(Q1) VBE = 0,7V [mA] VBE = 0,75V C. Se vizualizeaz factorul de amplificare n curent IC(Q1)/IB(Q1) pentru VBE = 0,7V. D. Se citesc valorile acestui factor, corespunztoare valorilor lui VCE, tabelul 1.10 i se completeaz tabelul 3.6. VBE = 0,7V Tabelul 3.6 VCE1[V] 0,1 0,5 1 2 10 IC(Q1)/IB(Q1) 3.1.5. Simularea n SPICE a amplificatorului cu TB n conexiunea EC
V C C R 1 8 4 k c C 1 V V V F O A R F M E F P Q = L = = 0 1 R 2 1 3m 8 V k 1 k C 2 R 4 2 2 0 u 3 k R 5 5 k 1 0 u Q 1 1 0 B C 0 u C V C C R 3 5 k C 3

A. Se realizeaz configuraia din figura 3.4 n mediul SPICE. Sursa V1 este de tip VSIN (aa o cutai n librrii). B. Se determin PSF-ul pentru tranzistorul Q1 setnd parametrii de analiz astfel:
Analysis type:

V C C 1 2 V d

1 0 8

Bias Point.

Pentru vizualizarea potenialelor din circuit, din meniul Fig. 3.4 principal, cel n care apare schema simulat se apas butonul V. Pentru cureni se apas butonul I. Se noteaz curentul de colector, IC = ... i tensiunile VCE = . i VBE = ... . C. Se realizeaz o analiz tranzitorie (n domeniul timp) astfel:
PSpiceEdit Simulation Profile Analysis type: Time Domain (Transient), General Setting: Run to time: 12ms Start saving data after: 10ms Transient options Maximum step size: 1us

Se vizualizeaz tensiunea de intrare, V1 i cea de ieire, pe rezistorul R5 i se salveaz ntr-un fiier Word. Se msoar amplitudinea tensiunii de intrare i amplitudinea tensiunii de ieire i se determin modulul amplificrii n tensiune (raportul dintre amplitudinea tensiunii de ieire i amplitudinea tensiunii de intrare). D. Se schimba sursa de semnal sinusoidal V1 cu o sursa tip Vac, cu amplitudinea de 1mVac i se realizeaz o analiz de curent alternativ (n domeniul frecven) astfel:
4

Electronic analogic

PSpiceEdit Simulation Profile Analysis type:

AC Sweep/Noise
General Settings AC Sweep Type Logarithmic Decade Start Frequency: 1 End Frequency:1G Points/Decade: 100

Se vizualizeaz i se salveaz amplificarea n tensiune (vezi fig. 3.5).

100

50

0 1.0Hz 1.0KHz V(C3:2)/V(V2:+)

1.0MHz Frequency

1.0GHz

Fig. 3.5. Amplificarea n tensiune funcie de frecven.

Tranzistorului bipolar. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune

Partea a II-a

TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP CU JONCIUNE

3.2.1. Scopul lucrrii Se studiaz caracteristicile TEC-J n regim static. Pentru caracteristica de transfer se are n vedere i influena temperaturii. 3.2.2. Observaii teoretice Propus de Shockley n 1952, TEC-J este un rezistor a crui seciune este modificat prin controlul regiunii de sarcin spaial a unei jonciuni pn. Denumirea efect de cmp este legat de existena cmpului electric n regiunea de sarcin spaial a jonciunii pn. n fig. 3.6 este ilustrat o structur de TEC-J. Conducia apare ntr-un canal de tip n, aflat ntre surs (S) i dren (D). Borna G reprezint poarta (gate poart). Jonciunea poart-canal se polarizeaz invers. Creterea regiunii de sarcin spaial face ca acest canal s se ngusteze i astfel rezistena canalului s creasc. Structurile, simbolurile i notaiile pentru TEC-J sunt ilustrate n fig. 3.7. Caracteristica de transfer pentru TEC-J cu canal n

n+

p+ n substrat p

n+

Fig. 3.6. Structur TEC-J cu canal n.

p p

S D - dren G - poart D
iD i G=0 v GS
a)

S D - dren G - poart D
iD vDS

S - surs

S - surs

G
v GS
b)

v DS

Fig. 3.7. TEC-J structuri, simboluri i notaii; a) canal n; b) canal p.

6

Electronic analogic

n zona de saturaie ( VDS , sat <VDS ), TEC-J poate fi folosit ca amplificator deoarece iD depinde numai de tensiunea de comand, VGS. Din acest motiv, zona de saturaie se mai numete i regiune activ. n aceast regiune, caracteristica de transfer este descris de relaia:
v iD = I DSS 1 GS VT
2

(3.4)

valabil pentru: VDS ,sat < VDS < VDS ,BR i VT < VGS < 0 . IDSS reprezint curentul prin canal pentru VGS = 0. VT este tensiunea de prag. Pentru TEC-J cu canal n, curentul de dren, ID = 0 dac VGS < VT. IDSS i VT sunt parametrii de catalog. Fig. 3.8 ilustreaz caracteristica de transfer pentru TEC-J cu canal n. n fig. 3.9 este ilustrat dependena de temperatur a caracteristicii de transfer.

iD

iD
IDSS (T1)

I DSS

T3 > T2 > T1 M

IDSS (T2) I DSS (T 3)

VT (T 3) VT (T 2)

Fig. 3.8. Caracteristica de transfer pentru TEC-J cu canal n.

Fig. 3.9. Influena temperaturii asupra caracteristicii de transfer a TEC-J cu canal n.

3.2.3. Determinarea caracteristicii de transfer ID(VGS) A. Folosind schema din fig. 3.10 se realizeaz o analiz de curent continuu cu baleierea tensiunii V GS ntre -1,5 V i 0 V. Se vizualizeaz curentul de dren, ID i se completeaz tabelul 3.7. Tabelul 3.7 VGS [V] -1,6 -1,4 -1,2 -1 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0 ID(Q) [mA] B. Considernd temperatura ca parametru, se va vizualiza caracteristica de transfer pentru 3 temperaturi la alegere (exemplu: 0oC, 50oC i 100oC). Se vor nota coordonatele punctului de pe caracteristica de transfer, I pentru care cele trei caracteristici se intersecteaz. J1 Este important acest punct n proiectarea unui circuit V G S B F245A V D S cu TEC-J? -0 . 5 V d c 5V dc 3.2.4. Determinarea caracteristicii de ieire ID(VDS) Se procedeaz ca la TB. VGS este parametru. recomand VGS: -1V, -0,5V i 0V. Se
0

Fig. 3.10. Schema circuitului pentru determinarea caracteristicilor TEC-J

VT (T 1)

VT

0 V GS

V GS