1

DCE Curs 2 Jonciunea p-n la echilibru termic. n practic se utilizeaz numeroase dispozitive electronice obinute prin alturarea de regiuni semiconductoare de polaritate complementar. Regiunea de tip p poate fi considerat simplist ca fiind format din ioni acceptori(-) , fici n reeaua cristalin i golurile drept purttori majoritari. Regiunea de tip n poate fi considerat ca fiind format din ioni donori(+), fici n reeaua cristalin i e- drept purttori majoritari. Dac considerm dou asemenea regiuni semiconductoare unite printr-o structur cristalin continu, suprafaa de separaie dintre cele dou regiuni poart numele de jonciune p-n. n regiunea p golurile n concentraie:
p p 0 =N A

sunt purttorii majoritari, iar e- n concentraie:

n p = n2 i N A

constitue purttorii minoritari. n regiunea n e- n concentraie:

n n 0 =N D

sunt purttorii majoritari, iar golurile n concentraie:

n2 i N D

constitue purttorii minoritari. Datorit concentraiei diferite n cele dou regiuni golurile majoritare n regiunea p i minoritari n regiunea n, respectiv e- majoritari n n i minoritari n p se tinde spre o stare de echilibru i ca urmare purttorii majoritari dintr-o regiune vor difuza spre cealalt regiune parial, unde ei constitue purttorii minoritari. Ca urmare n vecintatea suprafeei de separaie dintre cele dou semiconductoare apare o regiune de trecere, de lungime l, de ordinul m, unde n spaiul situat n regiunea p pleac goluri i sosesc e-, iar n spaiul regiunii n pleac e- i sosesc goluri. Ca urmare, n regiunea p apare o sarcin spaial pozitiv. Apariia acestei distribuii pentru sarcina spaial stabilete un cmp electric intern, orientat de la regiunea n spre regiunea p. Odat stabilit acest cmp are loc un transport de goluri din regiunea n spre regiunea p i de e- din regiunea p spre regiunea n. Sensurile acestor deplasri fiind opuse fluxurilor de difuzie stabilite n faza iniial. Din acest moment putem spune c o stare de echilibru a fost atins, iar la capetele regiunilor respective se stabilete o barier de potenial de valoare V0. Jonciunea p-n n regim staionar. Un semiconductor eterogen, prevzut cu dou contacte ohmice astfel nct s poat fi intercalat ntr-un circuit electric.

VA

-Inm -InM IpM Ipm

+V

VA V0

Presupunem c dispozitivul astfel obinut l conectm n circuit astfel nct regiunea p este legat la borna (-) a sursei de tensiune electromotoare ce furnizeaz VA iar regiunea n la borna (+) a aceleiai surse. Spunem n acest caz c jonciune p-n este polarizat invers. Lungimea zonei de trecere:

l =

2(V +V )( n 0 A n q n n p 0

0 0

+p

) 0 l =

2 V (n 0 n

+p ) p 0 0 qn p n p 0 0

l =l

1+

A V 0

La polarizarea invers a jonciunii limea jonciunii de trecere este majorat. n acest caz se constat apariia unor cureni datorai purttorilor majoritari i minoritari: InM curent datorat purttorilor majoritari de sarcin Inm curent datorat purttorilor minoritari de sarcin n acest caz se constat c practic curenii datorai purttorilor minoritari sunt mai mari dect cei datorai purttorilor majoritari. Cum concentraia purttorilor minoritari este mic n comparaie cu concentraia purttorilor majoritari, rezult c curentul stabilit prin circuit este mic. La o valoare suficient de mare a tensiunii electromotoare, curenii datorai purttorilor majoritari tind spre 0 iar cei datorai purttorilor minoritari tind spre valoarea de saturaie: Is=Ipm+Inm.
n

VA

+ +V

V0

VA

IpM

Ipm -InM -Inm Considerm regiunea eterogen respectiv, conectat ntr-un circuit electric. Regiunea p la borna (+) a sursei, regiunea n la borna (-) a sursei. Spunem despre jonciune c este polarizat direct, iar curenii stabilii sunt n principal datorai purttorilor majoritari.
l = 2(V V )( n 0 A n q n n p 0 0 0 +p p ) 0

l =l

A V 0

l < l

n extrem curenii datorai purttorilor minoritari tind la 0. IA=IpM+InM-(Ipm+Inm) Bariera de potenial n acest caz este diminuat cu valoarea tensiunii electromotoare. Dac se ridic caracteristica Voltamper n acest caz:
Id

Vi Vst

Vd

zon direct zon strpuns zon invers

Ii

n zona de conducie direct curentul crete relativ repede, n raport cu tensiunea la bornele jonciunii. n zona de conducie invers curentul este mic i aproximativ constant, ntr-o plaj larg de tensiune invers aplicat. Pentru tensiunii inverse de strpungere n dispozitiv au loc topiri i recristalizri locale care deterioreaz jonciunea, iar curentul crete mult, dispozitivul avnd capacitatea de a menine tensiunea constant la borne. Caracteristica static a jonciunii p-n n regim staionar. Vom considera n aceast abordare cteva ipoteze simplificatoare. Se consider nivelul de injecie ca fiind mic.

p p0 n p0
ne

n n0 p n0

pe

lp

ln

Lp

Ln

pp0 concentraia purttorilor majoritari, golurile n p nn0 concentraia purttorilor majoritari, e- n n l limea regiunii de trecere l=lp+ln np0 concentraia purttorilor minoritari, e- n regiunea neutr p la echilibru pn0 concentraia purttorilor minoritari, golurile, n regiunea neutr n la echilibru ne e- n exces la zona de separaie dintre regiunea de trecere i regiunea neutr ne<nn0 pe golurile n exces la zona de separaie dintre regiunea de trecere i regiunea neutr Lp,Ln lungimile de difuzie a e-, respectiv golurilor n condiiile ipotezei fcute, e- vor difuza din regiunea n spre regiunea p i golurile vor difuza dinspre p spre n. La marginile zonei de trecere aceti purttori ating valorile n exces ne,pe. Ca urmare a procesului de difuzie purttorii n exces n
L n = D n n
L p = D p p

zonele neutre se recombin cu purttorii majoritari din aceste regiuni dup o lege exponenial, putndu-se considera c procesul de recombinare este ncheiat dac ducem tg la curb n punctul respectiv.

Dn,Dp constante de difuzie n, p timpii de via a golurilor, respectiv eDeterminarea limii reduse a zonei de trecere putem considera densitile de cureni n aceste zone ca fiind constante. n zona de trecere distribuia purttorilor de sarcin urmeaz o lege exponenial:
p( x) = p V ( x ) V A) exp( p V 0 T

VT=25 mV(28 grade Celsius) Concentraia n exces a golurilor:

p e = p (l ) = p n p V V V V A) =p exp( 0 exp( 0 ) exp( A ) p V V V 0 0 T T T

V exp( 0 ) = p p n V 0 0 T V exp( 0 ) = n p V 0 0 T

=p

exp( 0

A) V T V A) V T

n =n e p

exp( 0

Se poate calcula curentul ce se stabilete prin jonciune pornind de la densitile de cureni, de goluri, respectiv e-. jp densitatea de curent corespunztoare golurilor n regiunea ln a zonei de trecere. Expresia jp funcie de constanta de difuzie i sarcina elementar:
qD j p (l n ) = L p p (p e p n ) 0

jn densitatea de curent corespunztoare e- n regiunea lp a zonei de trecere

qD n j ( l ) = (n n ) n p e p L 0 n

IA
I = A [ j (l ) + j (l )] A j p n n p

D I A =qA j (

p L

0 +

D n n p L n

0 )(exp

A 1) V T

II
D I = qA ( S j p L p n 0 + D n n p L n 0 )

I
I A =I S [exp( V A ) 1] V T

VA III IV

n cadranul I VA>>VT
exp V A > 1 > V T I A =I S exp V A V T

n cadranul II VA<0
V A < 1 < V T
= I

ex p

Comportarea jonciunii p-n la tensiuni inverse mari.

IA Iinv VA

Vinv

n cazul polarizrii inverse a jonciunii p-n cmpul intern care este de acelai sens cu cmpul extern aplicat acesta este ntrit foarte mult. Prezena unui asemenea cmp smulge e- din structurile lor i n drumul lor se ciocnesc cu alte particule. Pentru anumite valori ale cmpului aplicat procesul se desfoar n avalan, curentul invers crete dei tensiunea rmne constant. Tensiunea de la care se produce tensiune de strpungere.
I inv =M I s

M =

1 V 1 ( inv ) n V str

Vinv=Vstr. Curentul poate crete nelimitat de mult i dispozitivul poate fi deteriorat. Dac se realizeaz o dopare foarte puternic a jonciunii semiconductorului limea zonei de trecere se ngusteaz foarte mult. Limea de difuzie a purttorilor de sarcin devine mai mare dect lungimea zonei de trecere. Purttorii de sarcin nu vor mai ciocni alte particule Efectul Zenner. Strpungerea care are loc nu mai este una distructiv. Cmpul electric este foarte mare, astfel nct smulge e-, contribuind la creterea curentului invers. n acest caz nu mai avem multiplicare n avalan deoarece purttorii respectivi de sarcin nu mai ntlnesc alte particule n zona de trecere.