Cul es la diferencia entre MOSFET y el JFET?

JFET La polarizacin de un JFET (Junction Field-Effect Transistor) exige que las uniones PN estn inversamente polarizadas, para un JFET de canal N, el voltaje de drenado debe ser mayor que el voltaje de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs del canal, adems el voltaje de compuerta debe ser ms negativo que el de la fuente para que la unin PN se encuentre polarizada inversamente. Las curvas del JFET SON muy parecidas a las de los transistores bipolares, con la diferencia que los JFET SON controlados por tensin, mientras que los bipolares por corriente. MOSFET Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto de campo al igual que los JFET utilizan un campo elctrico para crear un canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de circuitos integrados digitales se construyen con tecnologas MOS. Al igual que los JFET Y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente, pero sus ecuaciones analticas son muy similares, por eso los transistores MOS Tiene las mismas regiones de operacin que los JFET. Explique el principio de funcionamiento del transistor MOSFET decremental. El sustrato est formado por una placa de material tipo P de silicio. En algunos casos, el sustrato est conectado internamente con la fuente y solo presenta tres terminales. El drenaje y la fuente estn formados de material tipo N unidos por un canal tambin de material tipo N. La puerta est conectada a una capa muy delgada de xido de silicio. El xido de silicio es aislante, lo que explica la alta impedancia de estos dispositivos. Cuando la tensin de la puerta VGS = 0 V y se aplica una tensin a los terminales de drenaje y fuente, se establece una corriente IDSS similar a la del transistor JFET. Si a la puerta se le aplica una tensin negativa, esto tendr como consecuencia una disminucin de la corriente de drenaje IDSS. Cuanta ms alta sea la tensin negativa de la puerta tanto ms se reducir la corriente de drenaje segn se puede ver en las curvas de la figura 1, hasta llegar al nivel de estrechamiento con una tensin de puerta de -6 voltios.

Figura 1. Para valores positivos de la tensin de puerta VGS, la corriente de drenaje aumentar. El espaciamiento vertical entra las curvas VGS = 0 V y VGS = +1 V en la figura 14.2 es una indicacin clara de cuanto ha aumentado la corriente de drenaje cuando cambia en un voltio la tensin de puerta.

Vemos que la aplicacin de una tensin positiva a la puerta incrementa la intensidad de drenaje. Por esta razn, a esta zona de tensiones de puerta positiva se le denomina regin incremental. Dibuje los smbolos de los transistores MOSFET

Cul es la diferencia entre el MOSFET decremental y MOSFET incremental?

La construccin de un transistor MOS-FET de tipo decremental de canal P es exactamente de forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal drenador-fuente que es de tipo P. Como consecuencia, las polaridades y direcciones de corriente tambin estn invertidas. Las caractersticas y el modo de funcionamiento son similares al tipo de canal N.

Explique el principio de funcionamiento del transistor MOSFET Incremental La construccin del MOS-FET tipo incremental es similar a la del tipo decremental. La nica diferencia es que se suprime el canal tipo N que une las regiones de drenaje y fuente. Si entre drenaje y fuente se le aplica una tensin, siendo la tensin de puerta VGS = 0 V, el resultado ser una ausencia de corriente entre los terminales de drenaje y fuente, debido a que existe dos regiones P-N con polarizacin inversa entre las regiones N y el sustrato P.

Si se aplica una pequea tensin positiva a la puerta, respecto a la fuente, se apreciar una corriente del drenador a la fuente. Conforme la tensin de puerta VSG contine aumentando, la corriente drenador-fuente tambin aumentar. El valor de la tensin de puerta VSG del que resulta un incremento significativo de la corriente de drenaje se denomina tensin de umbral, con smbolo VT (del ingls Threshold). Puesto que al aumentar la tensin de puerta aumenta la corriente de drenaje, a este tipo de MOS-FET se le conoce con el nombre de incremental. Cuando VGS se incrementa ms all de la tensin de umbral, se incrementa la intensidad de drenaje, Sin embargo, si se mantiene constante VGS y solo se aumenta la tensin VDS , la corriente de drenaje alcanzar un nivel de saturacin como ocurra en el JFET y en el MOS-FET decremental. Explique la funcin de cada terminal del MOSFET. Gate o puerta: Es el pin que al proporcionarle un voltaje circula una corriente en los terminales drenaje y fuente. Dibuje los smbolos del transistor MOSFET incremental.

Mencione las principales caractersticas de la hoja de especificaciones del transistor MOSFET

Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), as como su nivel correspondiente de VGS (encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para completar la curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuacin a partir de los datos de las hojas de especificaciones mediante la sustitucin en la ecuacin y resolviendo para k de la siguiente manera: ID = kVGS - VGS(Th) )2 ID (encendido) = k (VGS (encendido) - VGS (Th))2 Los transistores MOSFET tienen una desventaja cual es: Se pueden daar debido a la electricidad esttica. Como se deben de manipular los MOSFET. El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estticas durante la manipulacin del mismo en un da seco. Tambin causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no estn aislados de la lnea de corriente alterna (C.A.).

Para evitar que el MOSFET se dae de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el nodo hacia la compuerta y el ctodo hacia la fuente.

Este zener est diseado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensin compuerta - fuente) siempre se mantendr por debajo o igual al valor de esta tensin, y por ende por debajo del valor de tensin destructivo. Ver la figura.

Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se dae es almacenarlo y transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que cortocircuitan los terminales del MOSFET y as no exista tensin entre ellos.

Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la proteccin antes mencionada, la persona que manipular el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no est cargado de esttica. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para mantener descargado el cuerpo del usuario.