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Mezclador
Eo
F2 (VCO)
3 ( sin ( 1 . t ) i= 1
sin ( 1 . t ) sin ( 2 . t ) ( sin ( 1 . t )
2 sin ( 2 . t ) )
i sin ( 2 . t ) )
( sin ( 1 . t )
3 sin ( 2 . t ) )
( sin ( 1 . t )
2 sin ( 1 . t )
2 sin ( 2 . t ) ) 2 sin ( 2 . t )
1 2 1
1 2 1. 2
cos ( 2 . 1 . t ) cos ( 2 . 1 . t )
1 2 1. 2
cos ( 2 . 2 . t )
( sin ( 1 . t )
3 sin ( 1 . t )
3. 4
sin ( 1 . t )
1. 4
sin ( 3 . 1 . t ) 1 2
3.
1 2
1 3 . sin ( 1 . t ) . 2
cos ( 2 . 2 . t )
2 3. 4
m ,n = m 1 + n 2
Donde: n y m son enteros positivos m,n frec. angular del producto de intermodulacin (m x n)
cos (1 + 2 ) o cos (1 2 )
F1
Elemento no lineal
Red adaptadora
F3
F2
BJT
+B Rf
T3
Q2
R1
Rf
+B
FET
VGS I d = I DSS 1 V P
para n 2
FET
I DSS : Corriente desaturacin de Drain I D = I DSS cuando VGS = 0 y VD = VP VP : Tensin de Pinchoff (Tensin a la cual I D = 0) La mejor polarizacin para ley cuadrtica => VGS = Debemos satisfacerVP > VGSpol + E1 + E2 E1 y E2 valores pico de las seales de entrada V p 2
T1 seal f1
JFET N L
C1
C2 Rs T2 seal f2 C Cf Rf
seal f3
B+
JFET N
MOSFET
T1 C1 seal f1 C2 seal f2 L C C R C R Q R C seal f3
R B+
DIODOS
T1
D1
T3
seal f1
seal f2 D2
seal f3
T1
T3 D1 seal f2 D4 D3 D2 seal f3
seal f1