Sunteți pe pagina 1din 19

Procese tehnologice avansate

Procesele tehnologice avansate- solutia dezvolatarii circuitelor la scara micro si nano

Titularul de disciplin :Prof. Dr. Ing. Dan Dasc lu Cerc.st. gr. I, dr. Ing. Mircea Dragoman Dr. Emil Mihai Pavelescu (IMT). mircea.dragoman@imt.ro

Procese tehnologice avansate


Scara Micro/Nano

Tehnologia CMOS

NEMS

nanofire

nanotuburi de carbon

1Qm

100 nm

10 nm

1nm

BACTERII

VIRUSURI

PROTEINE

ADN

Procese tehnologice avansate


Procese tehnologice avansate: Tehnologii folosite pentru a produce circuite si circuite integrate bazate pe Si si semiconductori AIII-BV . Siliciul, materialul de baza pe care se realizeaza circuitele la scara micro, ramane un material major si la scara nano, dar alte materiale cum ar fi carbonul (nanotuburi,grafena) apar ca un material esential la scara nano. De asemenea, biomolecule ca de exemplu ADN. In principiu, tehnologia la scara micro/nano comporta doua etape esentiale: 1) Depunerea unui strat sau a mai multor straturi in etape deverse ale fabricatiei. 2) Transferul unei anumite geometrii unuia din sau multor straturi depusela pct 1.- proces denumit litografie 3) Tehnologia (fabricatia) unui dispozitiv/circuit la scara micro sau nano=secvente 1+2 intr-o ordine bine stabilita rezultata din proiectarea tehnologica.

Procese tehnologice avansate


Tehnici de depunere Cateva exemple
SiO2

Oxidarea siliciului pentru a obtine SiO2, este un proces cheie atat la scara micro cat si nano . SiO2 este un dielectric ce poate fi depus pe un substrat de Si cu o grosimea variind de la cativa nm pana la 2-3 microni. Este crescut la temperaturi de 1000-1200 de grade in instalatii speciale in atmosfera de oxigen. SiO2 se intalneste aproape in orice proces electronic avand rolul de a izola un proces de conductie de altul (de exemplu, electrodul unei porti de canalul portii)

Procese tehnologice avansate


Masurarea stratului de oxid prin elipsometrie

Procese tehnologice avansate


Tehnici CVD CVD (chemical vapor deposition) implica depunerea pe un substrat a unui film subtire dintr-un material identic sau diferit cu substratul, printr-o reactie chimica a catorva componente gazoase . Reactia chimica are loc in cateva situatii (a) prin incalzirea substratului la temperaturi inalte (b) excitatie in plasma prin exciatie optica cu un laser Cateva tipuri de baza a CVD: -low pressure CVD (LPCVD) LPCVD are loc in intalatii speciale unde temperatura este foarte scazuta (0.10.7

torr) cu ajutorul unui sistem de pompare)


Exemple: Depunere SiO2 (din componente gazoase :SiCl2H2 and N2O at 900 C), Si3N4 (din componente gazoase SiH4 and NH3 at 800 C), or polysilicon (from gaseous SiH4 at 600 C). Metale precum Ti, Cu, Mo, and Ta se pot depune cu LPCVD.

Procese tehnologice avansate


Plasma enhanced CVD (PECVD). Depeunerea PECVD este realizata ca ajutorul unei plasme creeate de o sursa puternica RF. Insa temperatura de incalzire a substratului este joasa (100-300 C ) Materiale : SixNy SiO2, siliciu amorf,CNT (NH3+C2H2), grafena

Instalatia PECVD

Procese tehnologice avansate


Tehnicile de crestere epitaxiale folosind tehnicile CVD au revolutionat industria semiconductorilor . Cu ajutorul lor se pot creste diverse nateriale cu grosime de cateva strturi atomice. Pe baza lor sau dezvoltat dipozitive eletronice cuantice bazate pe puncte,fire ,gropi cuantice posibie de realizat numai prin aceste tehnici. Exista doua tehnici epitaxiale de baza: -metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) -molecular beam epitaxy (MBE).

AlGaAs GaAs Ef

conduction

valence

Procese tehnologice avansate


Scaling down the MOSFET transistor

Ballistic transport Diffusive transport

Procese tehnologice avansate


EFL Lead 1 T Lead 2 EFR

2e 2 G! MT h

Conductor Contact Contact

I!

2 (2e
E

/ h) MTV
EFL  (E

EFR  (E

2e I! M ( E )T ( E )[ f L ( E )  f R ( E )]dE h
I=Q Distrbutia - Fermi Dirac I>>Q

Procese tehnologice avansate


MISCAREA COERENTA A ELECTRONILOR FARA COILIZIUNE =O UNDA

Procese tehnologice avansate


itografia
Litografia este al doilea a concept esential in fabricare unui dispozitiv/circuit electronic si poate atinge rezolutii de 1-2 nm ; insa rezolutia depinde de metoda de litografie folosita.

In litografie, o forma geometrica poata fi imprimata unui substrat. In litografia optica aceasta forma geometrica se numeste masca. Substratul se acopera cu un fotorezist in general un polimer sensibil la lumina sau la aexcitatii cu particule (electroni,ioni). Rezistul este iluminat prin masca si rezistul iluminat dispare in tip ce cel neiluminat ramane (se poate si invers) astfel ca formele geometrice ale masti sunt imprimate substratului. Orice fel de circuit electronic se poate in princiou realiza printr-o seventa : depuneri /masti.

Procese tehnologice avansate

Procese tehnologice avansate


Litografia si nanolitografia-topdown approach

SUBMICRON TECHNOLOGY

NANOTECHNOLOGY

ATOM TECHNOLOGY

EB FIB EUV Optical 1000 100 Nanoimprint 10 1

AFM, STM Atom lithography


Next lecture

0.1

Feature size (nm)

Procese tehnologice avansate


Matrite: bottom up apparoach

Stamping Resist Substrate

Stamped resist

RIE

Procese tehnologice avansate


Monolayer Glass plate Fat acid

Water

Metode Langmuir Blodgett (LB)

Procese tehnologice avansate


Al template

Si nanowire

GaN

CNT

ZnO

Procese tehnologice avansate

CNT arrays ZnO nanohelix

Procese tehnologice avansate


Acum 60 de ani am pornit de aici:

Primul tranzistor

Primul IC

Buna seara!