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Gustavo Camps-Valls†
†
Dept. Enginyeria Electrònica. Universitat de València. Spain.
gustavo.camps@uv.es, http://www.uv.es/gcamps
Semiconductores Diodo BJT Refs
Situación y escenario:
1 Ya hemos visto los elementos pasivos lineales fundamentales (R, C , L).
2 Ahora veremos la teorı́a de semiconductores.
3 Esto nos permite ver:
1 Elementos pasivos no lineales (los diodos).
2 Elementos activos (transistores).
4 Veremos la caracterización de estos elementos.
5 Aplicaciones reales.
6 Problemas y ejercicios.
Semiconductores Diodo BJT Refs
Contenidos
1 Estructura cristalina y conducción en semiconductores
Preliminares y recordatorio
El Sicilio. Propiedades
Conducción en el Sicilio.
Dopado de semiconductores
2 El diodo de unión
Semiconductores tipo N y tipo P
Diodo de unión P-N
Caracterı́sticas del diodo
El diodo como rectificador de señal
El diodo como recortador de señal
El diodo zener
3 El transistor de unión bipolar (BJT)
Conducción en un BJT
El BJT en zona activa y en saturación
Configuraciones de un transistor
El transistor en emisor común
Caracterı́sticas estáticas de un BJT en emisor común
Hipérbola de máxima disipación de potencia
4 Bibliografı́a adicional
Semiconductores Diodo BJT Refs
Preliminares y recordatorio
Enlaces quı́micos
La valencia es una medida del número de enlaces quı́micos formados por
átomos de un determinado elemento.
Es más común hablar de enlaces covalentes que de valencia.
Los elementos Si (]14) y Ge (]32) están en el grupo del carbono de la
tabla periódica y tienen valencia 4.
Semiconductores Diodo BJT Refs
El Sicilio. Propiedades
Conducción en el Sicilio.
Dopado de semiconductores
Semiconductores tipo N:
Lo semiconductores tipo N son semiconductores intrı́nsecos a los que se les
ha añadido una pequeña cantidad de sustancia pentavalente (cinco
electrones en la capa de valencia), llamada impureza.
En un semiconductor de tipo N el número de electrones es mayor que el de
huecos y, por tanto, en los enlaces donde haya un átomo de impureza
sobra un electrón.
Ası́, a temperatura ambiente hay más electrones que huecos y la
conducción se produce principalmente por medio de electrones.
V
Semiconductores Diodo BJT Refs
Semiconductores tipo P:
Los semiconductores tipo P son semiconductores intrı́nsecos a los que se
les ha añadido una pequeña cantidad de sustancia trivalente (tres
electrones en la capa de valencia).
Ahora aparecerán átomos de tipo trivalente (impureza de tipo P) y, por
tanto, en los enlaces donde haya un átomo de impureza faltará un
electrón, es decir, habrá un hueco.
Ası́, a temperatura ambiente hay más huecos que electrones y la
conducción se produce principalmente por medio de huecos.
Recordatorio Importante
Tanto en los semiconductores de tipo P como en los de tipo N, la
conductividad aumenta con la temperatura.
Los semiconductores extrı́nsecos se forman añadiendo pequeñas cantidades
de impurezas (dopantes) a los semiconductores puros.
El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al alterar la densidad
de portadores de carga libres.
En todos los casos, sin embargo, la carga neta del semiconductor es cero
(N + = N − ):
Cuando de rompe un enlace y aparece un electrón de conducción, el átomo
correspondiente queda ionizado con carga positiva y la carga neta siempre
es cero.
Los átomos ionizados están fijos en la red y no contribuyen a la conducción.
Semiconductores Diodo BJT Refs
P N P N
Vo I Vo I
R R
V0
V
Efectos de la temperatura
A mayor temperatura T , menor tensión de activación/conducción, Vγ .
Suponemos una relación lineal:
Vγ (T1 ) − Vγ (T0 ) = k(T1 − T0 ) (1)
donde T1 es la temperatura actual, T0 es la temperatura ambiente, y k es
la constante térmica del diodo.
k = −2,5mV /o C (Si), k = −2,0mV /o C (Ge)
“A mayor temperatura T , mayor corriente de saturación I0 :
Propiedades:
Esta es la primera función útil del diodo.
La rectificación es la primera fase en el proceso de convertir una señal
alterna (AC) en una continua (DC).
Podemos clasificar a los rectificadores con diodos en dos grupos:
1 Rectificador de media onda
2 Rectificador de onda completa
Semiconductores Diodo BJT Refs
RL RL
Vs = Ve,max = Vo
RLV(t)+ R RL + R
D3 + Ve
D1 Vo Vs
RL Vs
R
D2 D4 - 0V
+ (ms)
Ve
-Vo
-
+
+
Semiconductores
Ve Diodo BJT Refs
RL Vs 0V
t (ms)
-
El diodo como rectificador de señal-
-Vo
V(t)
D3 + Ve
D1 Vo Vs
RL Vs
R
D2 D4 - 0V
+ (ms)
Ve
-Vo
Propiedades:
Esta es una aplicación muy importante del diodo de unión.
Los diodos pueden recortar una señal de entrada o limitar alguna parte de
la señal.
Los recortadores también se llaman limitadores o selectores de amplitud.
Los circuitos rectificadores anteriores tienen un nivel de recorte
aproximadamente nulo: “por encima de cero se quedan con señal y por
debajo la eliminan”
Los recortadores son circuitos con diodos que permiten ajustar ese nivel de
recorte de la señal.
Semiconductores Diodo BJT Refs
Circuitos recortadores
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V
0
Semiconductores Diodo BJT Refs
“One-minute paper”
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V
0
Semiconductores Diodo BJT Refs
10’ y entregar
Circuito Señales entrada/salida Ecuaciones y función
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
t (ms)
-
-10V
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
R 0V
t (ms)
-
Vt -10V
Vin(t)
10V
Vs
Ve +
0V
t (ms)
-
-10V
0
Semiconductores Diodo BJT Refs
El diodo zener
Caracterı́sicas:
“Un diodo zener es un diodo de unión P-N que se ha construido (dopado)
para que funcione en la zona de ruptura”
Funciona aplicándole una tensión inversa superior a la tensión de ruptura o
tensión zener, Vz .
“El codo es muy abrupto y estable, y proporciona una tensión casi
constante entre los extremos del diodo, independientemente de que se den
variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y/o la
temperatura.”
I
Vo Vz
V
Q
VZ
Ánodo
- +
Cátodo
Vo/R
IZ
El diodo zener
Ve +
+ R +
Vz Iz RL IL Vz
-
-
-
0
iR = iz + iL −→ iz = iR − iL
Diseñar R = ve −V
iR
z
= viez−V
+iL
z
Dos casos:
1 RL ↑−→↓ iL −→↑ iz
2 RL ↓−→↑ iL −→↓ iz
Semiconductores Diodo BJT Refs
El diodo zener
Enunciado
Se tiene un regulador zener con entrada que varı́a entre 10V y 15V, y una carga
con corriente que varı́a entre 100mA y 500mA. Obtener:
1 La resistencia R
2 La corriente Iz,max
suponiendo que el zener fija 6V.
Ayuda: considerar Iz,min = 10 % Iz,max .
Más ayuda...
Dos casos:
Iz,min ↔ IL,max & Ve,min
Iz,max ↔ IL,min & Ve,max
Soluciones
Sol.: Iz,max = 1,32A, R = 6,36Ω, Pz = 7,92W , PR = 12,8W
Semiconductores Diodo BJT Refs
El diodo zener
+
+
+
Vz
Vin - Vout
-
Rz
-
El diodo zener
Conducción en un BJT
E C E C
B B
Semiconductores Diodo BJT Refs
Conducción en un BJT
Conducción en un BJT
Estructura y polarización:
El BJT como diodos: El transistor bipolar, tanto PNP como NPN,
está formado por dos uniones P-N, es decir, por dos diodos enfrentados.
Funcionamiento como amplificador: Es preciso polarizar directamente la
unión emisor-base e inversamente la unión base-colector.
Efecto transistor: La anchura de la base es muy pequeña y los huecos
inyectados en la base alcanzan, en su mayorı́a, el precipicio de potencial de
la unión colectora → el “diodo colector” conduce a pesar de estar
polarizado inversamente.
Conducción en un BJT
IE
IC
IB
VEE VCC
Configuraciones de un transistor
Posiciones de un BJT:
Existen tres configuraciones en que podemos encontrar el BJT: emisor,
base y colector común.
Se define en función de qué terminal del transistor es común a la entrada y
la salida del circuito amplificador.
(a) (b)
Entrada. Salida.
Terminal
común.
(c) (d)
Semiconductores Diodo BJT Refs
Zona de saturación
IC IC Zona de
disipación
prohibida
+ I C =Pmáx/V CE
Q
Zona activa
IB IB
creciente
VCE VCE
1 El Figura
punto2.8: deFamilia
operación del
de curvas BJT no puede
características del BJT estar
(emisoren la zona
común). de saturación
(b) Punto puesto
de operación de
queunen
BJT ella no haydecurvas
e hipérbola máxima caracterı́sticas;
disipación de potencia.
Referencias
¿Y ahora qué?
Los próximos dı́as haremos ejercicios en clase de los boletines.
Teneis una serie de proyectos propuestos/tutelados (0.05 - 0.1 puntos).