Sunteți pe pagina 1din 4

Laseri cu semiconductori Spre deosebire de atomi i molecule unde mi carea electronilor de valen este localizat ntr-un domeniu mic,

de ordinul 10-8cm, n corpul solid ele se pot deplasa n tot volumul macroscopic, trecnd de la atom la atom prin re ea cristalin . Dup caracterul lor mi carea electronilor de valen n cristale ocup o pozi ie intermediar ntre mi carea n cadrul atomului i deplasarea electronilor liberi n vid. n atomi, electronii pot avea numai anumite valori bine determinate ale energiei, formnd un ansamblu de nivele energertice discrete. Electronii liberi, dinpotriv , se pot mi ca cu orice energie, formnd un spectru energetic continu, valoarea energiei poate varia de la zero la infinit ( starea atomului ionizat ). Electronii puternic lega i de nucleu n straturile interioare r mn localiza i n atomi individuali. Electronii externi, de valen , sunt lega i mult mai pu in de nucleu i se pot deplasa aproape liber n re ea cristalin trecnd de la atom la atom. Valorile posibile ale energiei acestori electroni formeaz un domeniu cvasicontinu- zone energetice, constnd dintr-un num r foarte mare de nivele apriopiate. Zona energetic este cu att mai larg cu ct electronul este mai slab legat de atom. Caracterul zonal al spectrului energetic, al st rilor electronice n cristale, a permis l murirea multor probleme fundamentale ale corpului solid i nainte de toate a exixten ei metalelor, semiconductoarelor i dielectricilor, la care, la aceea i valoare a distan ei interatomice i a energiei de interac iune, conductibilitatea electric difer cu 25 ordine de m rime, ( de la ~ 106 ohm-1cm- 1 pentru metale la ~ 10-19 ohm-1cm-1 pentru dielectrici ). Zona complet ocupat n cristale se nume te zona de valen , iar cea ocupat par ial sau complet goal , zona de conduc ie. n cristale nemetalice mi carea termic aduce o parte a electronilor din zona de valen n cea de conduc ie. Din acest motiv numai la temperatura de zero absolut corpul devine izolator ideal. Dac la T { 0, l rgimea intervalulului dintre zona ocupat conduc ie este mic i cea vacant acest interval se nume te fant energetic sau zona interzis - este mare ( u c iva ev,) atunci concentra ia electronilor n zona de i cristalul r mne dielectric la toate temperaturile reale. Dac ns zona interzis este destul de ngust ( e 1 ev ), conductibilitatea ia valori semnificative chiar i la temperatura camerei. Asemenea corpuri sunt semiconductoare. Propriet ile electrice, optice, mecanice inclusiv cele termice i magnetice sunt determinate de electrionii de valen . Din aceast cauz teoria zonal ce trateaz legile de mi care ale electronilor de valen , joac un rol fundamental n fizica corpului solid.

Fiecare zon const dintr-un num r foarte mare de nivele energetice foarte apropiate ntre ele. Se poate ar ta c num rul nivelelor este de ordinul num rului de atomi dintr-un semiconductor. Conform principiului lui Pauli, pe fiecre nivel energetic nu pot sta mai mult de un singur electron. n acest caz, probabilitatea de populare f(E) a oric rei st ri este determinat de statistica Fermi- Dirac, f ( E ) ! e nivelul Fermi care are urm torul sens: la T =0, 1 pentruE F f (E ) ! . 0 pentruE " F 1
E F T

zona de conductie F zona interzis

, unde F este 1

Prin urmare, nivelul Fermi indic hotarul dintre nivelele complet ocupate i cele neocupate la T = 0. La un semiconductor nedegenerat nivelul Fermi se afl n zona interzis Dac printr-un mod oarecare electronii din zona de valen i exist popsibilitatea emisiei stimulate. n figura al turat este reprezentat schema energetic a unui semiconductor la care se g sesc electroni n zona de conduc ie, deci popula ii inversate. FC i FV, conform defini iei nivelului Fermi sunt nivelele Fermi n zona de conduc ie respectiv n cea de valen . Electroni n zona de conduc ie pot sta un timp foarte scurt, ele revin n zona recombin de valen unde se zona de valent
zona interzis

ajung n cea de conduc ie se ob ine o inversare a popula iei


zona de

cu golurile, tranzi ia ntre dou nivele oarecare E2 i E1 este nso it de emisia unui

foton de energie, hv ! E 2  E1 . Fenomenul de elctroluminiscen ntr-o jonc iune pn a fost observat pentru prima dat de c tre Heynes J.R. i Briggs H.B. Ei au studiat emisia luminiscent a jonc iunii la trecerea unui curent intens n direc ia de conduc ie. Electronii se mi cau n zona de conduc ie iar golurile n cea de valen , la recombinare se emite radia ie. n cazul germaniului maximul de emisie s-a ob inut la lungimea de und de 1,77 Qm, n cazul siliciului 1,22 Qm. n 1958 Aigrain P. a ar tat c emisia de recombinare a electronoilor cu goluri la injectarea lor prin zona interzis poate fi folosit pentru inversare de popula ii. Folosirea acestei emisii pentru ob inerea diodei laser a fost studiat n lucr rile lui: Dumke, Basov i Krohlin i al ii. Lucr rile acestori autori au condus repede la realizarea jonc iunii n (GaAs), cu un randament nalt, care a
2

zona de valent

conduc ie

electroni

E2

Fc

hv goluri
E1 Fv

servit ca baz ob inerii primului laser cu semiconductor. Era necesar ob inerea unui rezonator corespunz tor. Emisia stimulat n (GaAs) a ob inut independent unul de altul grupurile conduse de Hall R.N. ; Nathan M.I. ; Quist T.M. Pentru generare de radia ie laser trebuie ca: num rul de fotoni emi i stimulat > num rul de atomi absorbi i, adic, Bqf C (1  f V ) " Bqf V (1  f C ) , de unde rezult f c " f v , adic, 1 e
E 2  Fc KT

" e

1
E1  Fv KT

, de unde condi ia de emisie stimulat devine,

FC FV > E2- E1. La un semiconductori de tip p respectiv n puternic dopa i cu acceptor respectiv donori ( 1018 acceptor sau donor la 1 cm3 ) nivelul Fermi la tip p cade n zona de valen tip n. Dac jonc iunii nu se aplic o tensiune, FP i Fn sunt pe acea i orizontal (figura al turat a). Dac la jonc iune p-n se aplic o tensiune direct V, atunci ntre cele dou nivele apare o deplasare, (F ! eV i
fig.a FP Fn p

a semiconductorului de
n

ca urmare n stratul de baraj apare o inversare de popula ie, respectiv emisia stimulat deoarece condi ia este ndeplinit , saltul de nivel Fermi este (F~ Eg, unde Eg este l rgimea zonei interzise (fig.b), Dioda lui Hall avea o form aproximativ cubic cu latura 0,4 mm, lucrnd la cu
FC

Fn Eg

hv fig.b

temperatura azotului lichid, alimentat

un curent n impulsuri de durata microsecundei, densitate de curent 20.000 A/cm2, lungimea de und a radia iei laser emise 842 nm. Sub pragul de excitare, l rgimea liniei de emisie este de 125 Angstrom, la emisia stimulat aceasta se reduce la 15 A0 . Domeniul efectiv de emisie n laserul cu semiconductor a fost mic aproximativ 100x100 Qm2 la o grosime de c iva Qm, acest domeniu corespunde cu domeniul de jonc iune p-n. Divergen a fasciculului 150, gradul de monocromacitate mult mai slab fa de alte tipuri de laseri ob inu i pn la acea dat ( solide sau cu gaz ). Dup Hall, repede au fost ob inute i alte tipuri de laseri cu semiconductori care emit n domeniul vizibil.
3

n figura al turat monojonc iune

este prezentat

o diod

laser
strat metalic

innd seama de dimensiunea stratului de baraj, de ordinul micronului, fenomenul de difra ie face ca divergen a fasciculului emergent s sistem special de lentile. Pierderile n substan a de lucru sunt mari datorate mai multor fenomene, cea ce duce la un curent de prag mare Pentru a mic ora densitatea de curent
radiatie laser

fie mare.
P

Corectarea formei fasciculului de ie ire se face cu un

n
jonctiune

de prag la un laser cu semiconductor monojonc iune p-n, se poate mbun t i reflexia suprafe elor cavit ii, mic ornd astfel pierderile prin reflexie. ns prin aceasta va avea loc o puternic absor ie a undei fundamentale cea ce duce la o densitate de curent de prag mare. O exploatare ndulengat la temperatura camerei se poate face numai prin mic orarea curentului de prag pn la 103A/cm2. Un asemenea prag mic i o func ionare ndelungat se poate realiza cu dubl heterojonc iune. n figura al turat este prezentat o heterojonc iune, unde variind concentraia x de la 0 la 0,4 , poate fi variat lungimea de und a radia iei emise ntre 0,84 0,64 Qm. Un asemenea laser la temperatura camerei are un randament de ~ 30 %. Cavitatea rezonant de regul este de tip oglinzi plan- paralele format chiar de cele dou fe e lustruite ale semiconductorului.
metal metal GaAs-p AlxGa(1-x) As-p AlxGa(1-x)As-n GaAs- n

n principiu nu este nevoie de depunerei pe aceste suprafe e deoarece indicele de refrac ie la GaAs de exemplu este aproximativ 4 cea ce duce la un coeficient de reflexie de 36%. Conf.dr. t.Levai