Ministerul Invatamintului,Tineretului Si Sportului al Republicii Moldova Colegiul Financiar-Bancar A.

Diordita din Chisinau

Referat
Catedra Informatica

Tema: Evolutia tranzistoarelor.No utati

Eleva: Strainu Oxana Grupa: CB1104G Profesorul: Spinu Valentina

Chisinau 2012
Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are trei
terminale (borne sau electrozi), care fac legtura la cele trei regiuni ale cristalului semiconductor. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplica iei pentru care sunt destinate.

Tranzistoare de mic putere

Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau metal i nu sunt destinate montrii pe radiator.

Tranzistoare de putere
Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau metal i sunt destinate montrii pe radiator.

Tranzistoare de joas frecven

Sunt tranzistoare destinate utilizrii pn la frecven ade circa 100kHz, n circuite audio i de control al puterii.

Tranzistoare de nalt frecven

Sunt tranzistoare destinate aplicaiilor la frecvene peste 100kHz, cum este domeniul radio TV, circuite de microunde, circuite de comutaie etc.

Principiul de func ionare

n funcionare normal jonciunea emitor- baz este polarizat direct, iar jonciunea colector- baz este polarizat invers. Jonc iunea emitor- baz const, cu valori tipice de 0,6 - 0,7 V (Si) sau 0,2 -0,3V (Ge). , fiind polarizat direct, este parcurs de un curent direct(curent de difuzie) IE, mare n raport cu curentul invers (rezidual) i, ntr-o plaj larg de cureni, UEB Jonc iunea colector- baz, fiind polarizat invers, este caracterizat de un curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu i de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu. Caracteristic tranzistorului este cuplarea electric a celor dou jonciuni. Pentru aceasta trebuie satisfcute dou condiii: jonciunea emitorului s fie puternic asimetric, adic impurificarea emitorului s fie mult mai puternic dect cea a bazei. baza s fie foarte subire, astfel nct fluxul de purttori majoritari din emitor s ajung practic n totalitate n regiunea de trecere a colectorului.

Parametri specifici tranzistoarelor

2

Cei mai importani parametri ai unui tranzistor sunt:

Factorul de amplificare () Temperatura maxim a jonc iunilor

Valoarea temperaturii maxime a jonciunilor pn la care tranzistorul funcioneaz normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcioneaz corect pn spre 200 grade C, n timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate n funcionare n jurul valorii de 100 grade C.
Observaie: La temperaturi mai mari dect cele menionate, are loc creterea extraordinar de rapid a concentraiei purttorilor minoritari i semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzndu-si proprietile iniiale.

Puterea maxim disipat

Puterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din aceast putere este radiat n mediul ambiant i o parte produce nclzirea tranzistorului. Puterea disipat de un tranzistor este , n principal, puterea disipat n cele dou jonciuni ale acestuia: PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.

Curentul de colector maxim

Reprezint valoarea maxim pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fr ca acesta s se distrug. El este indicat n cataloage i depinde de particularitile tehnologice ale tranzistorului.

Tensiunea maxim admis

Reprezint valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor fr ca acesta s se deterioreze. Aceast valoare este limitat de tensiunea de strpungere a jonciunii colector baz (polarizat invers). Acest parametru are valori diferite n funcie de conexiunea tranzistorului i este prezentat n foile de catalog pentru fiecare situaie n parte.

Istoric

Replica primului tranzistor, inventat de Laboratoarele Bell

Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey n decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne.

Construc ie
Tranzistorii se realizeaz pe un substrat semiconductor (n general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare difer n funcie de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se

realizeaz pe un substrat de tip P, n care se creeaz prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui baza tranzistorului.

Utilizare
Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete n amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori. Simbolurile folosite n mod curent pentru tranzistori:

Tranzistor JFET

Tranzistor IGFET canal N

Fototranzistor

Tranzistor bipolar PNP

Noutati:

Fizicieni de la Purdue University din SUA si University of New South Wales din Australia au realizat un tranzistor dintr-un sigur atom de fosfor plasat cu maxima precizie pe un strat de siliciu.

Legea lui Moore (Gordon E. Moore, co-fondator al firmei Intel, a descris legea in 1965.

Aceasta realizare reprezinta un pas nou catre realizarea computerului cuantic despre care se spune ca va executa calcule ultracomplexe aproape instantaneu. Tranzistori monoatomici au mai fost realizati anterior, insa aleator, caracteristicile fiind nereproductibile. De aceasta data, folosind un microscop electronic, cercetatorii au reusit sa manevreze precis atomi de hidrogen in jurul unui atom de fosfor in interiorul unei camere cu vid inaintat. Legea lui Moore, arata ca numarul de tranzistori care pot fi integrati pe un singur cip se dubleaza la fiecare 18 luni. Aceasta lege s-a verificat pana in prezent. Prin extrapolare, in jurul anului 2020, se prevedea ca tranzitorul va avea dimensiunile unui singur atom.
5

Realizarea cercetatorilor de la cele doua universitati, bate legea lui Moore, insa pana la realizarea primului circuit integrat cu transiztori monoatomici, la preturi neprohibitive, mai este drum lung. Si inca un detaliu: pentru ca atomul de fosfor sa stea pe loc, trebuie racit la minus 235 grade Celsius.