Regimul de comutaie al

elementelor semiconductoare
Dioda
Tranzistorul Bipolar
Tranzistorul MOS Unipolar
Semiconductoare: materiale solide sau lichide cu o conductivitate
electric intermediar ntre materialele conductoare i cele izolatoare
conductoare (metale): rezistivitatea variaz ntre 10
-6
si 10
-4
ohmcm
rezistivitatea izolatorilor (diamant, cuar) este intre 10
10
si 10
20
ohmcm
Materialele semiconductoare (siliciul i germaniul): rezistiviti
intermediare (sute sau mii ohmcm); se gsesc pe coloana a IV-a a tabelei
Mendeleev, avnd patru electroni de valen.
Modificarea comportrii materialelor semiconductoare se face prin
adugare de impuriti, prin procesul de dopare
Tipuri de materialele semiconductoare:
tip n, unde electronii sunt in exces; obinute prin adugarea de impuriti
precum fosforul, arseniul, elemente care se gsesc pe coloana a V-a
tip p, unde purttorii de sarcin n exces sunt cei pozitivi (goluri);
obinute prin adugarea de impuriti precum borul sau aluminiul, aflate
pe coloana a III-a i avnd trei electroni de valen
Materiale semiconductoare
Dioda semiconductoare n regim de comutaie
Jonciunea pn la echilibru termic
Echilibru termic: nu se va produce nici un curent electric
prin semiconductor
Deplasare ordonata a purttorilor de sarcin: aplicarea
unui cmp electric exterior, neuniformizarea distribuiei
de purttori de sarcin (proces de difuzie)
In regiunea de tip p concentraia de goluri depete
concentraia de electroni, n regiunea de tip n concentraia
de electroni depete concentraia de goluri; n
apropierea planului jonciunii golurile tind s difuzeze din
regiunea de tip p n regiunea de tip n, n timp ce electronii
tind s difuzeze n sens invers; n imediata vecintate a
jonciunii din regiunea de tip p are loc o ncrcare cu
sarcin negativ, iar n imediata vecintate a jonciunii
din regiunea de tip n se acumuleaz sarcin pozitiv;
existena acestor sarcini determin un cmp electric de
difuzie (Ed) asociat unei diferene de potenial, numit
potenial de difuzie sau barier de potenial lng planul
jonciunii care se opune tendinei de difuzie
Difuzia de purttori este un proces cu autolimitare
O tensiune ce mrete nlimea barierei de potenial este numit
tensiune de polaritate invers
O tensiune extern de polaritate opus numete tensiune direct
Consideram o tensiune U aplicata la
bornele A (anod) i C (catod) ale
diodei semiconductoare:
U = Vp - Vn

Vp > Vn curent electric este mare
i este datorat purttorilor majoritari;
jonciunea este polarizat direct

Vp < Vn curent electric este
neglijabil i este datorat purttorilor
minoritari; jonciunea este polarizat
invers
Caracteristica curent-tensiune
Simbolul diodei
w
p -
c
eS =
I
m
dg
0
0
1) -
e
(
I
= I
U c
U
0
T r
/
11800
T
=
e
KT
=
U
T
Parametrii statici de comutare ai diodei semiconductoare
Pentru o jonciune pn ideal, relaia curent-tensiune este:
I
0
este curentul de saturaie invers al diodei
unde:
e: sarcina electric a electronilor (e=1,610
-19
C)
S: seciunea transversal prin jonciune
c
dg
: coeficientul de difuzie pentru goluri
p
m0
: concentraia purttorilor minoritari
w: grosimea zonei de recombinri
c
r
- coeficientul de recombinare a golurilor (are valarea 1 pentru Ge, valoarea 2
pentru Si)
U
T
este tensiunea termica:
Where:
K este constanta lui Boltzmann (K= 1,3810
-23
J/K)
T este temperatura absoluta
I
U
=
Rcc
I
U
=
Rd
A
A
Rezisten n curent continuu a diodei, valoare care depinde de punctul
de funcionare
Rezisten n curent alternativ, numit rezisten dinamic sau diferenial
Capacitatea barierei Cb, depinde n mod neliniar de tensiunea de
polarizare
Capacitatea de difuzie Cd, se datoreaz sarcinilor stocate prin difuzia
purttorilor minoritari. Ea depinde de tensiunea de polarizare direct
U
T
tensiunea de prag,
R
d
rezistena difereniala,
I
D0
curentul rezidual
dau aproximarea liniara a
caracteristicii volt-amper a
diodei
Valori tipice:
I
0
= 0,05A
U
T
= 0,5V
R
d
= 15ohm
doua drepte
i=0, u<U
T
i=u/R
d
, u>U
T

Parametrii dinamici de comutare ai diodelor semiconductoare
Timpul de comutare direct
Timpul necesar pentru ca dioda sa treac din
starea blocat la starea conductoare
la diodele de comutare acest timp este n
general Mai mic decat timpul de comutare
invers

Doua cazuri:
-impulsul de curent are o amplitudine mare i
frontul anterior scurt; supracresterea
tensiunii diodei (b)

-dac impulsul de curent are o amplitudine
mic i front anterior mai puin abrupt; dioda
poate fi reprezentat sub forma unui circuit
RC trece-jos (d)
Timpul de comutaie invers
Durata de trecere a unei diode din starea
conductoare n starea blocat
Analiza comutarii se face folosind
circuitul de mai jos
Doua componente de timp:
Timp de stocare :


Timp de cdere: t
c
= 2,3RC
b

C
b
este capacitatea de barier a diodei
)
I
I
+ (1 =
t
I
D
s
ln t
Timpul de comutare invers: t
ci
= t
c
+ t
s

Diode cu barier Schottky (diode cu purttori 'fierbini)
Bazate pe un contact metal-semiconductor
Curentul electric se realizeaz prin micarea purttorilor majoritari
Realizate dintr-un material semiconductor (siliciu) de tip
n, n contact cu un metal, aur sau aluminiu
Polarizarea direct (pozitiv) a metalului: ia natere un curent prin jonciune,
deplasarea prin jonciune a electronilor din semiconductor
Curentul este realizat prin deplasarea electronilor, purttori majoritari
Au o energie mai mare dect electronii liberi, numiti 'purttori fierbini'
Polarizarea invers: electronii care au ptruns n metal nu se disting de
electronii liberi ai metalului; nu exista curent rezidual
Timpul de comutaie invers al diodei Schottky este foarte mic ( 10ps )
Diodele Schottky sunt folosite pentru realizarea circuitelor de comutaie de
mare vitez

Cderea de tensiune direct pe o diod Schottky este de 0,4V, spre deosebire
de 0,75V pentru diodele cu siliciu i de 0,3V pentru cele cu germaniu.
Diode Zener
La aplicarea unei polarizri inverse pe o jonciune
pn: dac cmpul electric posed energia
necesar extragerii electronilor de pe orbitele de
rotaie, rezult o cretere brusc a curentului
Perechile electron-gol nou create contribuie la
generarea unui curent important, i se spune c
dioda lucreaz n regiunea Zener
Valoarea tensiunii de prag Zener depinde de
gradul de dopare i poate avea valori de la 2V la
sute de voli
Diode luminiscente
LED Light Emitting Diode
La polarizarea direct electronii din regiunea n se
recombin cu golurile din regiunea p elibernd energie
sub forma cldurii i a luminii
Prin adugarea de impuriti in procesul de dopare se
poate determina lungimea de und a luminii emise
determinand in acest fel culoarea LED-ului
fosfo-arseniur de galiu (GaAsP) - lumin roie sau galben
fosfur de galiu (GaP) - lumin roie sau verde
Tensiunea directa este mai mare dect cea
corespunztoare diodelor cu siliciu (1,2V - 3,2V)
Curentul direct trebuie s aib o valoare relativ mare
(10mA)
Display cu LED-uri 7-
segmente: 7 LED-uri
aranjate astfel nct s
poat fi afiate numerele
zecimale
dou tipuri:
catod comun - comanda se
face n anodul LED-urilor
folosindu-se un semnal
activ 1
anod comun - comanda se
face n catodul LED-urilor
folosindu-se un semnal
activ 0
Tranzistorul bipolar n regim de comutaie
Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar
Structura unui tranzistor bipolar
Jonciunea
emitor-baz,
polarizat
direct
Jonciunea
emitor-baz,
polarizat
invers
Jonciunea
colector-baz,
polarizat direct
Regiunea de
saturaie
Regiunea
activ invers
Jonciunea
colector-baz,
polarizat
invers
Regiunea
activ normal
Regiunea de
blocare
Relaiile de calcul cele mai importante pentru regiunea activ normal sunt:
I
C
= I
E
.

este ctigul n curent al tranzistorului cu baza comun
Aplicnd un curent I
B
n baz, va rezulta un curent de colector:
I
C
= I
B
(/(1-)) = I
B
.
este ctigul n curent pentru configuratia cu emitor comun, sau
amplificarea n curent (valori de la 10 la 1000)
Caracteristica de iesire Caracteristica de intrare
Regiunea de blocare cand ambele jonciuni sunt polarizate
invers;
Starea este definita de relatiile:
V
BE
0

V
CE
- V
BE
> 0
Regiunea de saturaie implic ca ambele jonciuni s fie direct
polarizate Relaiile pentru regimul de saturaie sunt:
V
BE
> V
CE

I
C
< I
B


V
CEs
0,2V
Regiunea activ invers se echivaleaz cu o funcionare in
regiunea activa normala, n care rolurile emitorului i colectorului
se inverseaz
Utilizare mai rara deoarece amplificarea n curent are valori foarte
mici (i 0,1)
Punctele de funcionare ale
tranzistorului n regim de comutare
Punctul S marcheaz saturarea i
punctul B blocarea
Parametri dinamici ai
comutarii directe si inverse
Parametri dinamici de comutaie ai tranzistorului bipolar
Timpul de comutare direct
t
cd
este definit ca timpul necesar comutrii unui tranzistor din starea
blocat n starea de conducie (incluzand starea de saturaie)
Doua componente:
t
i
, - timpul de ntrziere
t
r
, - timpul de ridicare
Timpul de ntrziere t
i
este format deci din trei componente:
- timpul necesar pentru ncrcarea capacitii jonciunii baz-emitor de la
valoarea iniial (U
2
), la valoarea corespunztoare nceperii polarizrii directe
- timpul necesar ca purttorii minoritari s traverseze baza
- timpul necesar ca valoarea curentului de colector s creasc de la I
C0
(sau de
la 0), la 0,1I
Cs
Valorile acestor timpi, componente ale timpului de ntrziere, sunt mici,
neglijabile, important fiind timpul de ridicare
Timpul de ridicare, notat t
r
se definete prin intervalul de timp pentru care
curentul din colector crete de la valoarea 0,1I
Cs
la valoarea 0,9I
Cs


Timpului este determinat de valoarea curentului direct prin jonciunea bazei I
Bd
,
si de obicei acesta este curentul de baza direct pentru atingerea punctului S
(inceputul saturatiei)
|
N0
Cs
Bds
I
=
I
Pentru deblocarea mai rapida: factor de supra-actionare
I
I
=
N
Cs
Bd
N0
d
|
Timpul de comutare invers
Comutarea tranzistorului din starea de conducie (regiunea activ
normal/saturaie), n starea de blocare
Timp numit t
ci
are dou componente:
timpul de stocare t
s

timpul de cdere t
c

Timpul de stocare t
s
are dou componente:
t
s1
reprezinta timpul necesar eliminrii excesului de sarcini din baz,
fa de situaia funcionrii tranzistorului n regiunea activ
t
s2
reprezinta timpul n care curentul de colector scade de la valoarea
I
Cs
la valoarea 0,9I
Cs

I
Bi
estecurentul invers de baz
t
c
, timpul de cdere (necesar scderii valorii curentului de colector de la
valoarea 0,9I
Cs
la valoarea 0,1I
Cs
)
N
b
reprezint coeficientul de supra-acionare la blocare
I
I
=
N
C0
Bi
N0
b
|
Metode de accelerare
Se specific urmtoarele metode
de micorare a timpilor de
comutare pentru un tranzistor:
- supra-acionarea la deblocare,
pentru micorarea timpului de
comutare direct
- supra-acionarea la blocare,
pentru reducerea timpului de
comutare invers
- evitarea intrrii n saturaie
pentru anularea timpului de
stocare
Condensatoare de accelerare
Constanta de timp pentru incarcarea condensatorului este:

inc
= C (R
g
+ R
in
)
curentul de baz scade exponenial,
cu aceeai constant de timp ctre o valoare constant
care nu permite intrarea n saturaie
I
Bd
=U
1
/(R
g
+R
B
+R
in
)
Aplicarea unui impuls de tensiune la intrarea
circuitului
U
1
nivel ridicat, U
2
nivel coborat
Pentru o comutare tensiune pozitiva:
Pentru o comutare tensiune negativa:
Curentul de baz scade la I
Bi
a carui valoare este determinat de U2 i Rin -
rezistena de intrare mare a tranzistorului blocat. Apoi, odat cu blocarea
tranzistorului i prin descrcarea condensatorului, curentul invers scade
exponenial ctre o valoare constant: I
Bi
= I
C0

Constanta de timp de descrcare a condensatorului are acum valoarea:
disc

CR
B

Folosirea reaciei negative neliniare de tensiune pentru evitarea saturaiei
Evitarea saturarii tranzistorului T prin
folosirea diodelor D
1
si D
2
Diodele au cderi de tensiune diferite
Folosirea unui circuit Darlington
T2 tranzistor de comand i T1 tranzistor
de ieire
T1 nu intr n saturare deoarece potenialul din
colectorul su este ntotdeauna mai mare dect
potenialul din baza sa:
U
C1
=U
CE2
+U
B1
Deci V
C1
>V
B1
, i jonciunea baz-colector
devine polarizat invers
Tranzistorul cu efect de cmp
Clasificare
-tranzistoare cu poart jonciune
-tranzistoare cu poart izolat
-tranzistoare cu substraturi subiri.
Studiul IGFET (insulated-gate field-effect transistor) (numit si MOSFET (metal-
oxide FET)) sau tranzistor cu poarta izolata
Grupate dup tehnologia de realizare in:
Grouped by the manufacturing technology in:
- tranzistoare MOS cu canal indus (n regim de mbogire )
- tranzistoare MOS cu canal iniial (cu strat srcit)
Este prezentata structura fizica a unui tranzistor MOS
Sectiune transversala a unui tranzistor MOS cu canal
indus n, numit si NMOS

Componente:
-substrat
-sursa
-drena
-grila (poarta)
NMOS PMOS CMOS
Simbolurile tranzistoarelor MOS
Funcionarea tranzistorului MOS
ntre surs i dren, prin intermediul substratului de baz,
se pot pune n eviden dou jonciuni pn
Dac ntre dren i surs se aplic o tensiune pozitiv, una
din jonciuni este polarizat invers; nu exista curent ntre
dren i surs; tranzistorul este blocat
Dac la poarta (gril) se aplic un potenial pozitiv fa de
regiunile sursei i drenei, sarcinile electrice de tip p din
substratul de baz vor fi respinse, iar electronii din regiunile
drenei i sursei vor fi atrai ctre suprafaa substratului de
siliciu aflat sub poart
Intre dren i surs se formeaz un canal, a crui
adncime crete odat cu tensiunea aplicat n poart
Pentru o valoare a tensiunii gril-surs, numit tensiune
de prag i notat V
T
, concentraia de electroni din zona
canalului va depi concentraia de goluri i atunci aceast
regiune i va inversa tipul, devenind regiune de tip n
Astfel s-a format un canal de tip n care unete regiunile de
tip n ale drenei i sursei
Conductibilitatea ntre dren i surs crete, crescnd
curentul de dren I
DS

Avantaje ale folosirii tranzistoarelor MOS:
fabricate mai usor decat tranzistoarele bipolare
densitate de intagrare mai mare
impedanta de intrare mare (10
14
-10
16
), curent de comanda mic
folosirea in structura MOS a unei rezistente active

Prezinta unele dezavantaje datorita precautiilor la depozitare si transport
Metode de implementare a rezistentei active
Caracteristica de intrare Caracteristica de iesire
Din caracteristica de iesire, pot fi deduse si analizate trei regiuni:
Regiunea de blocare: curentul de iesire, curentul drena-sursa I
DS
este
aproximativ nul si tensiunea de intrare, V
GS
, este mai mica decat tensiunea de
prag: V
GS
< V
T

Regiunea liniara (de trioda): regiunea situata la stanga caracteristicii de
curent, cand V
DS
= V
GS
- V
T
; curentul de drena I
DS
creste
rapid ca o functie de potential drena-sursa V
DS

Deasemenea: 0 <= V
DS
<= V
GS
- V
T

)
2
V
-
V
|)
V
| -
V
(( K =
I
2
DS
DS T GS DS
Regiunea de saturare: regiunea situata la dreapta caracteristicii de curent,
cand V
GS
-V
T
=V
DS

Urmatoarele relatii definesc aceasta stare:
0 <= V
GS
- V
T
<= V
DS


)
V
-
V
(
2
K
=
I
2
T GS DS
K, factorul de conducie (W/L), unde:

- este factorul de conducie intrinsec; are valoarea aproximativ de 10A/V2
- W este limea canalului; poate fi n gama 10-200m
- L este lungimea canalului, are valori n gama 1-10m
Parametrii dinamici pentru tranzistorul MOS
Schema unui inversor MOS Timpii de comutare
Se presupune c un tranzistor MOS trebuie s comande n gril unul sau mai
multe tranzistoare MOS. El trebuie s asigure ncrcarea, respectiv
descrcarea capacitilor de intrare ale tranzistoarelor comandate. Se noteaza
cu C
p
suma capacitilor de intrare ale tranzistoarelor comandate. Se pot
asocia timpii de comutare ai tranzistorului MOS timpilor de
ncrcare/descrcare ale capacitii Cp. Relaiile pentru constantele de timp ale
circuitelor RC sunt:

inc
= R
s
C
p

desc
= R
T
C
p
unde, R
T
este rezistena de trecere a tranzistorului conductor, iar R
s
rezistena
de sarcin.
Se alege, pentru ca tensiunea de ieire pentru nivelul cobort s fie ct mai
aproape de potenialul de mas, R
s
>> R
T
.
n aceste condiii timpii de ridicare i coborre ai tranzistorului MOS se dau
dup formula:
t
r
= 2,2R
s
C
p
t
c
= 2,2R
T
C
p
Probleme
1. Sa se proiecteze un circuit inversor realizat cu
tranzistor bipolar i componente pasive
Etape:
proiectarea n regim static, studiind realizarea funciilor
propuse
proiectarea n regim static, cu analiza cazului cel mai
defavorabil de funcionare
analiza funcionrii circuitului n regim dinamic, cu estimarea
parametrilor dinamici
Proiectarea n regim static
Dac U
i
=0V=0, la ieire
trebuie s se obin
U
e
E
C
=1, sau tranzistorul T
s fie blocat
Dac U
i
E
C
=1, la ieire
trebuie s se obin
U
e
0V=0, fapt care impune
ca tranzistorul T s fie saturat
Starea de blocare:
U
BEb
0V i I
B
=I
C0

I
R
+I
C0
=I
RB

R
E
+
U
=
I
+
R
U
-
B
B BEb
C
BEb
0
deoarece U
BEb
0V
I
E
R
C
B
B
0
s
Starea de blocare:
I
R
-I
RB
=I
B

I
B
I
Bs
=I
C
/
N0

Relaiile obinute pentru R i
R
B
trebuiesc ndeplinite i
pentru I
C0
=I
C0max
i
N0
=
N0min

Rezistena R
C
se calculeaza
cu formula:
R
E
+
U
+
R
E
U
-
E
R
B
B BEs
C
N0
C
BEs C
|
s
I
U
-
E
=
R
Cso
CEs C
C
I
Cso
- curentul de colector de
saturaie 'optim', pentru care
are valoarea maxim
Studierea cazului cel mai defavorabil
Se impune datorit multiplelor posibiliti de modificare a
valorilor ce caracterizeaz elementele unui circuit
Elementele circuitului nu au valorile calculate, ideale, iar o
nsumare nefericit a anumitor abateri poate duce la
schimbarea regimului de funcionare a circuitului
Obiective:
analiza influenei pe care o are modificarea valorilor elementelor din
schem asupra condiiilor de funcionare
determinarea combinaiei cele mai defavorabile pentru un anumit caz
Pentru R
B
, n cazul blocrii tranzistorului:
tranzistorul funcioneaz la temperatura maxim admis, ceea ce face ca
valoarea I
CB
la blocare s fie maxim, I
CBmax

E
B
este la valoarea minim (90% din normal)
tolerana R
B
este la limita superioar din cmpul de tolerane
Pentru R in cazul saturarii tranzistorului:
I
C
are valoare maxim, dat de o valoare
maxim admis pentru E
C
i o valoare
minim pentru R
C
(n cmpul de tolerane
admis)
factorii iau valori extreme
N0min
alimentarea bazei se face de la E
Bmin

Studiul influenei sarcinii asupra
comportrii circuitului
Portile comandate de catre inversor
sunt echivalate prin R
s
conectat la E
s
Cnd T este blocat, U
CEb
depinde de R
s

U
CEb
intervine n calculul rezistenei R
Influena sarcinii trebuie s fie
estompat
Conectarea unei diode D, avnd
catodul conectat la o tensiune de
limitare E
L
V
Cb
E
L
+V
D
Comportarea n regim dinamic
Trebuiesc avui n vedere parametri
dinamici de funcionare ai
tranzistorului, respectiv timpii de
comutare reprezentai funcie de
curenii de baz:
pentru deblocare t
r
=f(I
Bd
)
pentru blocare: t
c
=f(I
Bi
) i t
s
=f(I
Bi
)
I
E
=
I
E
R
Bi
B
C0
B
B
s
I
+
I
E
R
E
+
U
+
R
E
U
-
E
R
Bi Bd
C
B
B BEs
C
C
BEs C
~ s
|
Tensiunea la intrarea inversorului variaz de la 0V la E
C
Deblocarea tranzistorului se face n t egal cu t
r
Blocarea tranzistorului se face n t egal cu t
c
+t
s

Cazul deblocarii:
t
E
dt
du
C c
o
~
t
E
C
=
dt
du
C
=
I
db
C c
c 1 1
I I I Bd Bd C
=
0
I
Bd0
curentul de baz direct de supra-acionare la deblocare
BN0
Cs d
Bd0
I N
=
I
N
d
factorul de supra-acionare la deblocare
I
Bd
curentul de baz direct la frontiera dintre regimul activ
normal i cel de saturaie
E
t
)
I
-
I
(
=
C
C
r Bd Bd0
1
Cazul blocarii:
E
t t
)
I
-
I
(
=
C
C
s f Bi Bi0
) (
2
+
) , max(
2 1
C C C =
2. Pentru schema din figura sa se determine I
C
si V
CE
, stiind ca
|=200, V
1
=+12V si V
2
=5V.
Ce se intampla daca V
2
=0V?
Ce se intampla daca V
2
=12V?
V
V
V
mA
mA
V V V
I R V V
R I V
I I
I
I R V R I V
E C CE
C C C
E E E
B C
B
B E BE B B
4
8
4
4
02 , 0
) 1 (
1
2
= =
= =
= =
= =
~
+ + + =
|
|
RB
5k
Q1
RC
1k
V1
V2
VE
0
VC
RE
1k
Daca V
2
=0V tranzistorul este blocat
V V V
V
V V V
I I
CE C E
E C
12 , 12 , 0
0
= = =
~ ~
Daca V
2
=12V trebuie sa determinam daca tranzistorul se afla in
regiunea activa normala sau in saturatie
Presupunem ca tranzistorul se afla in regiunea activa normala
V
V
mA
mA
R I V
R
I
V V
I I
I
R I V R I V
E E E
C
C
C
B C
B
E B BE B B
10
2
1
10
05 . 0
) 1 (
2
= =
= =
= =
=
+ + + =

|
|
Prin urmare tranzistorul este saturat
V
mA
mA
V
I
I
I I R V I R V
I I R V I R V
CEsat
Bsat
Csat
Bsat Csat E BEsat Bsat B
Bsat Csat E CEsat Csat C
2 , 0
1
3 , 5
) (
) (
2
1
=
=
=

+ + + =
+ + + =
RB
5k
Q1
RC
1k
V1
V2
VE
0
VC
RE
1k
3. Pentru schema din figura sa se determine I
D
si V
DS
, stiind ca
V
T
=4V si K=400A/V
2
.
0
M1
VS
VD
VG
RG2
2M
RD
1k
VDD=15V
RG1
1M
RS
5k
V
mA
T GS
K
GS
T GS
K
T GS
K
V
I R R V V
V V I
V
V V
V V
V V
V V R V V V V
V V R I R V
V
R R
R
V
D S D DD DS
D
GS
T GS
GS GS
GS
S G S G GS
S D S S
DD
G G
G
G
2 , 10 ) (
8 , 0
2
6
6 , 1
0 6 ) 4 (
2
2
10
) (
) 4 (
) (
) (
2
2
2
2
2 1
2
= + =
= =
=
>
= =
= +
= =
= =
=
+