Sunteți pe pagina 1din 2

DIODA SEMICONDUCTOARE

1. Scopul lucrrii - Ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare; studiul comportrii diodei semiconductoare n circuite elementare. 2. Caracteristica static, curent-tensiune, teoretic a unei diode semiconductoare dedus prin analiza fenomenelor fizice ntr-o joncioune PN ideal
ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior este dat de legea: i = I (e kT 1) A 0 (1.1) n aceast relaie reprezentat grafic n fig.1.1, I 0 este curentul de saturaie
qu A

Dn ) S (1.2), i este dependent de L p N D Ln N A parametrii fizici i tehnologici ai jonciunii PN (suprafaa jonciunii, S , concentraia intrinsec de purttori ni , coeficienii de difuzie D p , Dn , lungimile de difuzie L p , Ln
2 al diodei dat de expresia : I 0 = qni (

Dp

, ale purttorilor de sarcin , precum i concentraiile de impuriti, N D , N A ), iar 1 < < 2 , un coeficient cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, i mai apropiate de 2 pentru Si, care rezult din considerarea efectului de recombinare din zona de sarcin spaial la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importan la diodele cu Si la temperatura camerei. n funcie de suprafaa jonciunii PN, la rndul ei, dependent de curentul maxim pe dreptei statice de funcionare : u A = E R i A (1.4) Punctul static de funcionare M are coordonatele M (U A , I A ) , iar n acest punct de funcionare dioda este caracterizat din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplizate in serie cu tensiunea continu E ) printr-o rezisten dinamic, pentru care se deduce relaia : rd =

KT (1.5). qI A u A i A

Rezistenta dinamic rd se determin experimental prin calculul pantei caractristicii statice, n punctul static de funcionare M conform relaiei : rd = (1.6). 8. Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu dar frecvent denumite diode Zener) sunt caracterizate printr-o tensiune de strpungere bine definit (datorit efectului de multiplicare n avalan care determin o cretere foarte puternic a curentului invers n zona de strpungere), controlat prin concentraia de impuriti, funcionarea normal a diodei fiind n aceast zon. fig..1.5 n care este reprezentat caracteristica static, att cea direct ct i cea invers, penrmite nelegerea noiunii de tensiune stabilizat, U Z , precum i determinarea rezistentei dinamice a diodei, rZ , conform relaiei: rZ =

U Z I Z

(1.7).
I Z = ct .

DESFURAREA LUCRRII

1. Se identific montajul din fig.1.6 n care se folosete o schem electric ajutoare ca surs de curent reglabil cu ajutorul poteniometrului P . Alimentat n curent continuu ntre bornele 3 (+5 V) i 2 (mas), circuitul furnizeaz la borna 7 un curent reglabil ntre 0 50 mA, iar la borna 8 un curent de maximum 500 mA, ambele nchizndu-se spre borna comun de mas (borna 2). 2. Se ridic caracteristicile statice la polarizarea direct pentru diodele D1 EFR 136 (diod redresoare din Ge) cu cureni cuprini ntre 0,5 500 mA (borna 4 reprezint anodul), D2 -BA 243 (dioad din Si, de uz general, de putere mic) cu
cureni n domeniul 0,1 50 mA (borna 5 este anodul) i D3 BZX 85 C7V5 (dioad stabilizatoare de tensiune) cu cureni n domeniul 0,1 20 mA (anodul este borna 6). Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din fig.1.7; curentul prin diod se msoar cu un miliampermetru, pe o scar corespunztoare de cureni, iar tensiunea la bornele diodei cu un volmetru electronic (de preferin voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care se poate face o reprezentare comod la scar logaritmic adic multiplii i submultiplii zecimali ai numerelor 1,2 i r (ai cror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0.3 respectiv 0.7). Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru cureni mai mari de 50 mA iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent. Rezultatele msurtorilor se vor trece ntr-un tabel. 2.a La curentul I A = 5 mA se nclzete (cu mna sau prin apropierea unui ciocan de lipit nclzit) dioda BA 243 i se constat, calitativ, modificarea tensiunii directe pe diod. 3. Se traseaz caracteristicile statice ale celor trei diode la scar semilogaritmic (ca n fig.1.2) i se determin parametrii I 0 i (care se vor trece ntr-un tabel). 4. Se vor trasa cele trei caracteristici la scar liniar pe un acelai grafic, pe hrtie milimetric (numai n domeniul de cureni comun diodelor). Pentru BA 243 se va trasa i dreapta static de funcionare (ecuaia 1.4, cu E = 5 V i R =820 ) i se va determina punctul static de funcionare M (rpin precizarea coordonatelor sale, U A i I A ). n punctul static de funcionare astfel stabilit, se va determina, grafic, rezistena dinamic (cu relaia 1.6); se va calcula i valoarea teoretic a rezistenei dinamice cu formula 1.5 n care

kT = 26 mV, are valoarea dedus la q

punctul anterior iar I A are valoarea din punctul de funcionare i se vor compara rezultatele. 5. Se realizeaz circuitul din fig.1.3 pentru dioda BA 243 cu E = 5 V i R =820 i se msoar mrimile caracteristice punctului static de funcionare, U A (cu voltmetru numeric) i I A (cu un miliampermetru montat n serie cu dioda) i se compar cu rezultatele obinute prin metoda grafoanalitic, la punctul precedent. Se repet msurtoarile privind punctul static de funcionare pentru dioda EFR 136 cu E = 5 V. Se compar cu rezultatele obinute cu dioda BA 243 in aceleai condiii. Powered by http://www.referat.ro/ cel mai tare site cu referate

S-ar putea să vă placă și