Electronic 1 1

ELECTRONIC ANALOGIC I DIGITAL I

1. Noiuni de fizica semiconductoarelor
1.1. Structura cristalin
Formarea fazei solide a materiei este determinat de apariia unor fore de interaciune ntre
particulele structurale atunci cnd acestea sunt apropiate le distane destul de mici. Pentru a forma o
structur stabil a corpului solid este necesar ca ntre particule s acioneze att fore de atracie ct i
de respingere.
n funcie de natura particulelor se disting patru tipuri de fore care asigur legtura cristalin
i anume:
- legtura Van der Vals;
- legtura ionic;
- legtura covalent;
- legtura metalic.
n cele ce urmeaz vom prezenta legtura covalent, legtur specific elementelor din grupa
a IV (Si, Ge) care sunt elemente pure.
Cele mai utilizate materiale semiconductoare sunt siliciul (Si) care are i cea mai mare
pondere n realizarea dispozitivelor electronice, germaniul (Ge), galiu-arsen (GaAs), indiu-fosfor
(InP).
Rezistivitatea electric a semiconductoarelor este n gama 10
-1
10
3
cm, fiind mai mare ca a
metalelor, dar mai mic ca a izolatoarelor.
Proprietile remarcabile ale materialelor semiconductoare se obin numai printr-o ordonare
ct mai perfect a atomilor n volumul materialului, ordine cunoscut sub numele de monocristal.
Semiconductorul pur din punct de vedere chimic poart denumirea de semiconductor
intrinsec. Reeaua cristalin a principalelor materiale semiconductoare este de tip diamant. n aceast
reea fiecare atom se nvecineaz cu patru atomi uniform distribuii n spaiul reprezentat simbolic
(bidimensional) din figura 1.1.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Fig. 1.1 Legtura covalent
Legtur covalent
inexistent (gol)
-
} cureni de difuzie
2 Electronic 1
Deoarece concentraiile de purttori n i p sunt egale n semiconductorul intrinsec, acesta i
gsete puine aplicaii.
Realizarea dispozitivelor electronice impune obinerea unor semiconductoare care s aib n
exces fie goluri (p) fie electroni (n). Pentru obinerea acestora n reeaua cristalin se introduce
controlat o anumit cantitate de impuriti, adic de atomi diferii de cei care formeaz reeaua
cristalin. Semiconductoarele astfel obinute poart denumirea de semiconductoare extrinseci.
n funcie de valena atomilor de impurificare se obin semiconductoare de tip n i
semiconductoare de tip p.
Semiconductori de tip n se obin prin impurificarea cu elemente pentavalente
( fosfor, arsen, stibiu) numite i donoare.(figura1.2.). Purttorii de sarcin generai prin impurificare
poart denumirea de purttori de sarcin majoritari.
Din cei cinci electroni de valen ai stibiului patru realizeaz legturi covalente cu atomii de
siliciu vecini, iar al cincilea rmne liber, la temperatura normal.
n cazul acestor semiconductori, conducia este determinat n special de electronii provenii
din banda de conducie de pe nivelele donoare.
Semiconductori de tip p se obin prin impurificarea cu elemente trivalente (bor,
indiu, galiu, aluminiu) numite i acceptoare. (figura 1.3.).
Si
Si
Si
Sb
Si
Element de dopare
Fig. 1.2.
Electron liber
Si
Si
Si
In
Si
Element de dopare
Fig. 1.3.
Legtur covalent
inexistent (gol)
-
} cureni de difuzie
} cureni de conducie
(de cmp)
Variaia real a intensitii cmpului electric
Electronic 1 3
Difuzia purttorilor de sarcin n semiconductori
n semiconductor este posibil realizarea unor zone cu concentraii diferite de purttori de
atomi de dopare.
Analog fenomenelor de la gaze, purttorii de sarcin vor difuza spre zonele mai srace,
aprnd curentul numit de difuzie. Prin convenie sensul pozitiv este sensul de deplasare a golurilor.
Difuzia sarcinilor determin aglomerarea sarcinilor n zonele mai srace, i deci apariia
unui cmp electric care la rndul lui genereaz un curent electric de cmp ( sau curent de conducie).
Acesta are sens contrar curentului de difuzie, iar echilibrul semiconductorului se obine la egalitatea
celor doi cureni. (figura 1.4.) .
1.2. Procese fizice n jonciunea p-n
Jonciunea p-n reprezint un material semiconductor, separat n dou regiuni sau straturi,
unul de tip p, cellalt de tip n, separate printr-o suprafa de separaie. n funcie de modul de variaie
a concentraiei impuritilor jonciunile se clasific n:
- jonciuni p-n abrupte
- jonciuni p-n gradate.
Realizarea fizic a unei jonciuni p-n se bazeaz pe metodele de impurificri controlate dintre
care mai importante sunt:
a) Metoda de aliere utilizat n special la germaniu (Ge). Pe pastila de germaniu se dispune
o bucat de indiu, iar apoi se supune unui proces termic.
b) Metoda difuziei utilizat mai ales la siliciu (Si). Suportul semiconductor de siliciu se
nclzete n prezena impuritilor care sub forma vaporilor ptrund n cristal, prin difuzie
obinndu-se o jonciune gradat.
c) Metoda creterii epitaxiale care const din depunerea din faza gazoas a unui strat
semiconductor care pstreaz orientarea reelei cristaline a semiconductorului iniial. Comportarea
specific unei jonciuni p-n poate aprea i la contactul dintre un material semiconductor i un metal.
gol
Curent de difuzie
Curent de cmp (de conducie)
+
-
Fig. 1.4.
E ( cmp electric de difuzie)
} cureni de difuzie
+ +
+ +
+ +
+ +
- -
- -
- -
- -
n
p
P
M
n
M
}
i
pM
i
nM
} cureni de conducie
(de cmp)
{
i
pm
i
nm
Fig. 1.5.
Variaia real a intensitii cmpului electric
4 Electronic 1
Datorit diferenei de concentraie de purttori de sarcin ntre cele dou zone va aprea un
proces de difuzie a purttorilor majoritari, avnd ca rezultat apariia unor poriuni de sarcin spaial
n vecintatea planului de separaie care devin srace n purttori de sarcin mobili. Sarcina spaial
fix const n goluri n zona n, respectiv electroni n zona p.
Limea total de sarcin spaial depinde de concentraiile de atomi donori respectiv
acceptori din regiunile respective.
ntre cele dou sarcini spaiale apare un cmp electric, care opune n calea sarcinilor care
difuzeaz o barier de potenial U
0
(tensiune de barier). Acest cmp electric se opune difuziei n
continuare a purttorilor majoritari dar favorizeaz circulaia purttorilor minoritari. (figura 1.6)
p
n
T
n
p
T
n
n
U
p
p
U U ln ln
0

unde: U
0
- tensiune de barier (tensiune de prag)
U
T
tensiune termic
) ( 26 mV
e
KT
U
T

unde: K constanta lui Boltzman
( )
K
V c
K
0
23
10 38 , 1



T- temperatura absolut (
0
K) 27
0
C 300
0
K
e sarcina electronului ( ( ) C e
19
10 6 , 1

)
n cazul jonciunii nepolarizate exist relaiile:
nm nM
pm pM
i i
i i

0
total
i
ntr-o jonciune nepolarizat curentul total este zero.
Polarizarea direct
Polarizarea direct a jonciunii pn const n alimentarea cu tensiune a acesteia astfel nct
semiconductorul de tip p s fie la un potenial mai pozitiv dect n (figura 1.7.)
Variaia ideal a intensitii cmpului electric
Variaia real a tensiunii
+ +
+ +
+ +
+ +
- -
- -
- -
- -
n
p
P
M
n
M
p
m
n
m
Regiune de tip n
neutr
Regiune de tip p
neutr
E
Variaia real a intensitii cmpului electric
x
U
x
U
0
Regiune de trecere
Fig. 1.6.
+ -
+ -
+ -
+ -
n
p
x
Q
D
x
n
n
+ -
+ -
+ -
+ -
i
U
D
+ -
U
U
D
U
0
U
/
0
P
n
p
p
n
p
Q
D
- Distribuia spaial de sarcin n
cazul polarizrii directe
Q
D
sarcin suplimentar n cazul
polarizrii directe
Fig. 1.7.
Electronic 1 5
Aplicarea unei polarizri directe duce la micorarea cmpului electric intern (sensul tensiunii
aplicate fiind contrar sensului cmpului intern la echilibrul termic). Aceasta duce la micorarea
curenilor de cmp i mrirea curenilor de difuzie, aprnd astfel prin jonciune un curent direct
mare.
La polarizarea direct bariera de potenial
0
U
se reduce cu tensiunea de polarizare direct
D
U . n acest caz regiunea de trecere scade:
D
U U U
0
'
0
.
Polarizarea invers
Polarizarea invers const n alimentarea cu tensiune a jonciunii astfel nct semiconductorul
p s fie la un potenial mai negativ dect n. (figura 1.8.)
Aplicarea tensiunii de polarizare duce la creterea cmpului electric intern ceea ce conduce la
anularea echilibrului curenilor de difuzie i de cmp. Curentul electric prin jonciune este numai
curentul datorat purttorilor minoritari, avnd deci o valoare foarte sczut. Acest curent poart
denumirea de curent invers i este direct influienat de procesul de formare a perechilor electron gol,
adic de temperatur.
La creterea tensiunii invers aplicate peste o anumit valoare, curentul poate crete la valori
mari marcnd strpungerea jonciunii.
Analiznd cele dou cazuri rezult proprietatea jonciunii pn de a conduce unidirecional.
Capacitatea de difuzie este capacitatea echivalent datorat sarcinilor care au fost injectate n
urma polarizrii directe sau inverse.
- -
- -
- -
- -
n
p
x
Q
I
x
n
n
+ +
+ +
+ +
+ +
U
I
+
-
U
U
I
U
0
U`
0
=U
0
+U
I
P
n
p
p
n
p
Q
I
p n
Fig. 1.8.
zona de
strpungere
zona de blocare
invers
zona de
blocare direct

1

2

3
6 Electronic 1
T
U
U
d d
e C C
0
Capacitatea de barier este capacitatea datorat ionilor din zona de trecere.
U U
U
C C
b b

0
0
0
Pentru 0 > U se poate considera
b
C mic deci rmne
d
C ;
Pentru 0 < U se poate considera
C
d
mic deci rmne C
b
.
Strpungerea jonciunii pn
Strpungerea jonciunii pn poate fi explicat pe baza a trei mecanisme principale:
- strpungerea termic
- strpungere de tip Zener sau prin efect de tunelare
- strpungere prin avalan
1. Strpungerea termic dac tensiunea invers este suficient de mare atunci curentul invers
poate provoca nclzirea semiconductorului, ceea ce determin creterea curentului invers i deci
creterea puterii disipate.
Se genereaz astfel un proces cumulativ care duce n final la strpungerea jonciunii.
Strpungerea jonciunii cu Ge are loc la tensiuni i temperaturi mai mici dect a jonciunii cu Si.
2. Prin efect Zener sau tunelare care apare la jonciunile puternic impurificate. Zona de
trecere fiind ngust cmpul electric este foarte puternic. Forele exercitate asupra sarcinilor electrice
sunt suficient de mari pentru a rupe legtura covalent, rezultnd sarcini libere pentru conducie.
Acest fenomen apare chear i la tensiuni inverse de valoare sczut.
3. Strpungerea n avalane apare la jonciunile slab impurificate cu zon larg de trecere.
Odat cu creterea tensiunii inverse sarcinile primesc energie suficient de mare prin creterea vitezei
lor, astfel nct ciocnirea cu un electron de valen s-l poat disloca pe acesta din legtura covalent,
prin ciocniri repetate aprnd procesul de multiplicare n avalan.
Dependena curent tensiune a jonciunii pn este dat de ecuaia:

,
_

1
T
U
U
i
e I I
n cazul polarizrii inverse:
i
U
U
T I
I I e U U
T
I
<< >>

1
n cazul polarizrii directe, dac
T
D
U
U
i D T D
e I I U U >>
n cazul n care temperatura se modific, se modific att tensiunea pe diod ct i curentul
invers.
Se definete coeficientul de temperatur:
C mV
dT
dU
K
D
U
0
/ 2
Variaia curentului invers este dat de relaia:
T
C t
C i
itj
j
I I

0
0
25
25
2
unde

'

Si la C
Ge la C
T
0
0
5 , 6
10
C
C
b
>>C
d
C
d
>>C
b
C
b0
C
d0
U
zona de
strpungere
zona de blocare
invers
zona de
blocare direct

1

2

3
Electronic 1 7
Caracteristica curent tensiune a jonciunii pn
) Ge ( A n I
) Si ( nA n I
i
i


10
10
Liniarizri posibile ale jonciunii pn
a) Se utilizeaz n electronica de putere cnd
tensiunile din circuit sunt mult mai mari dect tensiunea n
sens direct pe jonciune. Circuitul echivalent unui contact
nchis - deschis.
b) Circuitul echivalent cu un contact nchis deschis i o surs de tensiune i o surs de
tensiune continu U
D
se utilizeaz n cazul n care schema folosete tensiuni comparabile cu
U
d0
dar rezistenele din schem sunt mult mai mari dect rezistena diodei.
c) Se numete rezisten dinamic a diodei cotangenta unghiului pe care l formeaz tangenta la curb
cu axa U
D
.
t
j
=25

t
j
=50

t
j
=50

t
j
=25

zona de conducie
zona de
strpungere
zona de blocare
invers
zona de
blocare direct
U
0
(tens de prag) U
D
i
I
i
(I
0
)
I
d
U
I
I
D
U
D K
I
D
U
D
K
U
0

1

2

3
I
D
r
d
= n 10
r
d
= n 100
r
d
= n 1K
8 Electronic 1
Dac punctul n care funcioneaz dioda este fix i cunoscut liniarizarea poate fi:
Circuitul este echivalent cu o surs de tensiune U
D
i o rezisten.
Se utilizeaz la calculul cu precizie al schemelor cu diode, scheme care conin surse de
tensiune comparabile cu tensiunea pe o diod cu rezistene comparabile cu rezistena ei dinamic.
Jonciunea p-n n regim dinamic
Se presupune c schema conine o surs de tensiune continu i o surs de tensiune
alternativ.
Curentul este format dintr-un curent continu peste care se
suprapune un curent variabil.
n regim dinamic schema echivalent este dat n figura
urmtoare n care:
d b
C C C +
n caz de polarizare invers apare rezistena r
i
. n acest caz se poate neglija
d
C
i
i
r
,
jonciunea fiind echivalent doar de
b
C
.
Jonciunea p-n n regim de comutaie
Prin comutare se nelege trecerea brusc a jonciunii din regiunea de conducie n regiunea de
blocare sau invers.
Presupunem c iniial jonciunea este polarizat direct dup care se aplic un cmp invers
brusc.
UD
U
D
I
D
r
d
U
0
K
r
d

+
-
p
n
u = U
m
sin t
I
D
+i
U
D

u = U
m
sin t
C
r
d
(r
i
)
R
+
-
(U
i
)
U
d
A(p)
c(n)
i
(10V)
0,6V