Universitatea Politehnica din Bucuresti

Facultatea de Chimie Aplicata si Stiinta Materialelor Catedra de Stiinta si Ingineria Materialelor Oxidice si Nanomateriale

Microscopia electronica cu efect tunel

Coordonator stiintific: S.l. Dr. Ing. Stefania Stoleriu Student : Serban Alexandra

Bucuresti, 2012
1

Cuprins

Introducere .............................................................................................................................. 3 Bariera de potential. Tunelare................................................................................................... 3 Efectul piezoelectric................................................................................................................... 7 Principiu de functionare ......................................................................................................... 8 Moduri de operare a STM..................................................................................................... 13 Varful microscopului electronic cu efect tunel.........................................................................14 Ce informatii putem obtine din imaginile STM?................................................................ 15 Concluzii ................................................................................................................................. 22 Bibliografie.............................................................................................................................. 23

Introducere
Microscopia electronica cu efect tunel a fost fondata in anul 1981 de catre G. Binnig si G. Rohrer si pentru aceasta realizare de exceptie care a revolutionat stiinta si ingineria microscopiei au primit premiul Nobel pentru Fizica in anul 1986. Aceasta tehnica ofera posibilitatea de a analiza suprafete conductoare pana la scara atomica, adica de a traversa periodic rand cu rand intregul sector supus examinarii al obiectului de studiu. Astfel s-au realizat progrese in vederea cunoasterii lumii atomilor separati in orice substanta fara a o distruge. Microscopia electronica cu efect tunel se bazeaza pe cateva principii. Unul dintre aceste este efectul cuantic de tunelare care ne permite sa vedem suprafata. Alt principiu este efectul piezoelectric. Aceste este efectul care ne permite sa scanam la nivelul angstromilor.

Bariera de potential. Tunelare.

Daca privim un deal ca o bariera energetica, clasic va reusi sa treaca dealul o persoana care are energia E mai mare decat inaltimea energetica maxima a dealului. Daca energia E este mai mica decat inaltimea, dealul nu poate fi trecut.

Energia totala E va fi: E= + U(x) E > U (x) E < U (x) Se poate demonstra cuantic ca o microparticula poate trece, spunem ca particula va tunela, printr-o bariera de potential. Desi o astfel de comportare este imposibila clasic, cuantic acest straniu fenomen exista si are numeroase aplicatii. Cuantic, o bariera de potential este data de urmatoarea functie pentru energia potentiala:

Ecuatia Schrdinger in cele trei regiuni reprezentate mai sus este:

Vom analiza cazul E<U0. Notand

cele trei ecuatii devin

Se demonstreaza ca o functie de forma sensul negativ al axei (Ox), iar

reprezinta o unda care se deplaseaza in

reprezinta o unda care se deplaseaza in sensul pozitiv al

4

axei (Ox). Coeficientul D din a treia ecuatie (care descrie unda transmisa prin bariera de potential) va fi zero, deoarece in regiunea III nu exista unda care se propaga sensul negativ al axei (Ox). In regiunea I va exista o unda incidenta si o unda reflectata . Din continuitatea functiei de unda si a derivatei in puntele x=0 si x=a, se obtin urmatoarele ecuatii pentru coeficientii A, B, M, N, C:

Din rezolvarea ultimelor doua ecuatii se obtin coeficientii M si N:

Pentru o bariera puternica, U0 si a mari,

0M~0.

Din primele doua ecuatii se obtine pentru A expresia:

Se defineste coeficientul de transmisie prin bariera de potential prin relatia: T=

cu

semnificatia de probabilitate ca particula sa tuneleze prin bariera de potential, adica in regiunea III sa existe un flux de particule. Calculand acest raport, se obtine:

Functia de unda a microparticulei in cele trei regiuni are urmatoarea reprezentare grafica:

Se calculeaza ca in interiorul gropii densitatea de probabilitate de localizare exponential

scade

iar in regiunea III este constanta:

Deoarece probabilitatea de tunelare T este o functie exponentiala de K si a, va fi foarte sensibila la variatia acestor parametri. O mica variatie a grosimii barierei duce la modificarea sensibila a acestei probabilitati. Fenomenul de tunelare are numeroase aplicatii practice. Una dintre acestea este microscopul cu tunelare. Microscopul optic este limitat la obiecte de dimensiuni relativ mari, rezolutie mai mare are microscopul electronic, dar pentru vizualizarea atomilor individuali se foloseste microscopul cu tunelare. Consideram o suprafata care este formata din ioni pozitivi ficsi si electroni liberi. Pentru ca un electron sa paraseasca proba, trebuie sa invinga lucrul de extractie (in acest caz energia necesara parasirii probei este primita de electroni de la fotoni).

Curentul de tunelare

Curentul electric in reg. III

,W este lucrul de extractie (~ eV). Stratul de aer dintre suprafata probei si analizor fiind foarte mic, de latime L, electronii pot tunela prin bariera creata de aer si creaza un curent de tunelare de la proba la analizor. Acesta este foarte sensibil la variatia de grosime a stratului de aer (bariera de potential) si va detecta neregularitatile suprafetei la nivel atomic, adica distributia ionilor pe suprafata probei.

Efectul piezoelectric
Piezoelectricitatea a fost descoperita in 1880, de catre fratii Pierre si Jacques Curie. Termenul provine de la piezen (gr.) care inseamna a apasa, deoarece efectul piezoelectric direct presupune producerea electricitatii prin apasare. Efectul piezoelectric la o comprimare a cristalului sau efectul piroelectric la o modificare de temperatura T se manifesta prin aparitia unei polarizari electrice formandu-se o diferena de potenial cu generare de curent electric. Efectul piezoelectric este pus in evidenta prin aparitia unei diferente de potential electric la capetele unui dielectric sau feroelectric atunci cand asupra lui actioneaza o forta de compresie mecanica. Diferenta de potential se datoreaza polarizarii electrice a materialului piezoelectric sub actiunea deformatoare a solicitarii mecanice externe. Polarizarea electrica consta in aparitia unor sarcini electrice pe suprafata materialelor piezoelectrice supuse actiunii fortelor de intindere. Efectul piezoelectric poate fi :
7

- direct; - indirect; Direct este atunci cand materialele monocristaline sunt supuse actiunii unei presiuni mecanice ce genereaza tensiuni mecanice iar indirect este atunci cand sub actiunea unui camp electric sufera o deformare electrica. Efectul piezoelectric invers consta in aparitia unor deformatii ale cristalului (oscilatii mecanice) intr-un camp electric variabil

Principiu de functionare
Principiul de functionare al este simplu: catre suprafata de studiu se apropie un ac pana cand intre proba si ac se va crea un curent de tunel. Odata ce tunelarea este produsa, tensiunea si pozitia varfului pot fi variate ( depinzand de experiment) si datele se obtin din schimbarile de curent rezultate. Daca varful este miscat de a lungul probel in planul x-y, modificarile in inaltimea si densitatea suprafetei produc schimbari ale curentului. Aceste schimbari sunt mapate sub forma de imagini. Cu ajutorul computerului se dirijeaza deplasarea acului, mentinandu-se constanta distanta ac - proba sau curentul de tunel. Raza de curbura a virfului ascutit (de obicei din wolfram) este mai mica de 1000 , spatiul de lucru (de la varful acului pina la suprafata examinata a probei) este de circa 3 , tensiunea de lucru intre ac si proba este aproximativ de 0,1... 10 V, curentul de tunel, de obicei, se afla in limitele 0,1... 10 nA si variaza aproximativ cu ordinul de marime la variatia spatiului de lucru cu 1 . Rezolutia "pe orizontala" (in planul suprafetei examinate)este de ordinul dimensiunilor atomice circa 1 . Datorita dependentei exponentiale a probabilitatii de tunelare de distanta ac-proba r W = exp [(2r / ) , m0 masa electronului; constanta lui Planck; U inaltimea barierei de potential, rezolutia "pe verticala" atinge 10-1 . Deci, cu ajutorul acestui aparat se poate localiza un volum de aproximativ 10-2 3. Inventarea microscopului electronic cu efect tunel a largit esential limitele de utilizare a microscopiei electronice. Din punctul de vedere al aplicatiilor in domeniul fizicii corpului solid si al microelectronicii cu semiconductori STM prezinta interes prin faptul ca poseda un inalt grad de rezolutie (pana la 1 ) si poate functiona atat in vid cat si in medii lichide si gazoase, inclusiv poate servi drept sursa de informatie despre microrelieful suprafetei
8

examinate, spectrele starilor electronice, investigarea proceselor de crestere a peliculelor si de generare a defectelor etc. Pot fi studiate de asemenea oscilatiile curentului ce apar in spatiul ac-proba, fiind similare cu undele electronice stationare, emisia fotonilor, mecanismele de excitare ale plasmonilor etc. Ceea ce se masoara din punct de vedere fizic este densitatea electronica a suprafetei, nu pozitia atomilor. Imaginile sunt frecvent interpretate ca atomi, insa aceasta nu este in mod necesar adevarat in orice circumstante. Imaginile produse de STM sunt alb-negru, culorile fiind adaugate in post-procesare pentru un impact vizual al aspectelor importante. Moduri de operare a STM: - curent constant; - inaltime constanta. Modul de operare in curent constant este cel mai frecvent utilizat. Este aleasa o valoare a Itunel (0.1 - 1 nA). Pentru a pastra Itunel = constant, valoarea lui z trebuie ajustata in mod automat de un circuit de reactie inversa.

Componentele unui microscop de tunelare includ: varful conductor, tubul piezoelectric cu electrozi, amplificator al curentului de tunelare, unitatea pentru controlul distantei si a scanarii, sistem anti-vibratii si computer pentru procesarea datelor O alterarea a imaginii poate sa apara daca varful este format din doua parti si nu dintr-un singur atom caonducand la o imagine dubla, situatie in care ambele parti contribuie la tunelare. Din
9

acest motiv este esentiala dezvoltarea unor procese pentru a obtine varfuri ascutite. Varful este de obicei facut din wolfram sau platina iridiu, desi aurul este deasemenea folosit. Datorita sensibilitatii crescute a curentului de tunelare, pentru a se obtine rezultate utilizabile este imperativ sa se foloseasca fie un sistem anti-vibratii adecvat, fie un corp rigid al microscopului. Aditional, uneori sunti implamentate mecanisme pentru reducerea curentilor turbionari.Prim microscop realizat de Binnig si Roher pentru impiedicarea vibratiilor a fost folosita levitatia magnetica.

Rezolutie
Rezolutia laterala este <1 A, iar cea verticala este < 0,1 A. Rezolutia spatiala a STM-ului depinde de natura varfului. O aproximatie simpla a fost data de catre Sacks. Pentru a simplifica calculele, presupunem ca in capatul varfului STM exista un singur atom ce participa in procesul de tunelare. unde r =

Presupunand ca z>>x, (intr-un plan apropiat suprafetei S) poate fi aproximata cu o functie Gaussiana de x.

x=

exp(

), unde x este dispersia laterala.

, x da ordinul de marime al rezolutiei spatiale a STM-ului. .

Considerand k1 si z in angstrom atunci rezolutia este de ordinul 1,4

10

In teoria Tersoff-Hamann, z = d+R, unde d este distanta varf-proba iar R este raza capatului acului STM, rezolutia maxima fiind astfel 1,4 . In acest caz insa, intervine o problema de ordin practic ce consta in imposibilitatea de a masura cu exactitate R.

Contrast
Contrastul imaginilor obtinute prin STM trebuie interpretate cu foarte mare precautie deoarece o foarte mare importanta o au conditiile de masura (in particular, distanta dintre varf si proba) si natura microscopica a suprafetei (caracterizata prin parametrul de retea, a). Tersoff a obtinut urmatoarea expresie pentru contrast: z 2k exp[ 2z ( k2+ k )]

Pentru a >> /k, contrastul este mare, aproape independent de distanta. Pentru a<< /k, atunci z exp (varf si suprafata. ) , contrastul depinde exponential de distanta dintre

Interactia varf-suprafata
Cand varful este adus foarte aproape de proba, interactia varf-suprafata creste devenind astfel posibila smulgerea atomilor din suprafata sau manipularea atomilor adsorbiti. In continuare sunt prezentate trei modalitati de manipulare:

1. Modul atractiv (Pulling Mode)

Acest mod foloseste forta atractiva dintre varf si suprafata (adatom). Varful este adus foarte aprope de suprafata curentul de tunelare crescand. Varful este miscat pe orizontala, adatomul urmandu-l timp in care ramane prins pe suprafata.

2. Modul repulsiv (Pushing Mode)

11

Este similar modului atractiv, exceptand faptul ca acesta face uz de fortele de respingere dintre varf si suprafata.

3. Modul glisant (Sliding Mode)

In acest mod, fortele dintre varf si adatom sunt atractive, insa varful este adus atat de aproape fata de suprafata incat adatomul sare pe acesta. In final varful este ridicat iar adatomul cade pe suprafata.

In modul STM, varful poate interactiona cu suprafata la curenti si tensiuni mari. In acest caz, legaturi chimice pot fi distruse de catre campul electric datorita incalzirii locale (interactii inelastice) sau reactii chimice locale pot fi induse (de exeplu dehidrogenizari locale). Limita STM-ului este data de complexitatea interpretarii imaginilor obtinute prin aceasta metoda, imaginiile fiind un mixt de informatii topografice si informatii legate de structura eletronica sau natura chimica a probei. De aceea au fost invetate alte forme de microscop, precum AFM, folosite pentru investigarea suprafetelor.

Dificultatile STM:
Complexitatea interpretarii rezultatelor in cazul unor anumite suprafete: imaginea suprafetei nu este determinata doar de relief, ci si de: densitatea de stari electronice, semnul si valoarea tensiunii de polarizare, valoarea curentului etc.

Moduri de operare a STM:

12

Modul curent constant:

In acest mod se inregistreaza curenti de tunelare de pana la 30 pA, valoare suficient de mica pentru a putea investiga si: suprafetele cu conductivitate electrica scazuta, preparate biologice

Modul inaltime constanta:

In acest caz se fixeaza o anumita valoare a lui z, urmand a se masura Itunel direct fara feedback. Apare o variatie periodica a distantei dintre tip si atomii din regiunea de suprafata. In pozitia in care tip-ul va fi exact deasupra unui atom de pe suprafata, curentul de tunelare va fi maxim. Cand varful se va gasi deasupra unei adancituri, curentul de tunelare va fi mult mai mic. Folosit doar pentru suprafetele foarte plate!

Varful microscopului electronic cu efect tunel

13

Calitatea varfului este un factor important care determina performantele microscopului electronic cu efect tunel. Geometria acestuia ( cat de ascutit este ), forma ( rigiditatea mecanica), si compozitia chimica sunt foarte importante pentru calitatea imaginii si rezolutia microscopului. Varful este de obicei facut din wolfram sau platina iridiu, desi aurul este deasemenea folosit.

Varfurile care sunt folosite in conditii de vid foarte inalt sunt de obicei facute din wolfram, datorita temperaturii ridicate de topire, rezistentei mecanice ridicate si simplitatii producerii prin corodare electrochimica dar apare problema acoperirii cu un strat dens oxidic, ce poate schimba drastic proprietatile acestuia. Daca varful nu este metalic, poate fi dificila stabilirea curentului de tunelare, astfel ca rezolutia poate fi redusa, sau varful se poate prabusi pe proba. Numeroase tehnici au fost dezvoltate pentru curatarea electrochimica a varfului

Ce informatii putem obtine din imaginile STM?

14

1. Topografia Spre deosebire de microscoapele optice sau microscapele electronice, care se bazeaza pe producerea contrastului care este bazata pe inaltime, STM ofera informatii tridimensionale. Datele se stocheaza digital, permitand computerului sa manipuleze si sa afiseze datele sub forma unei interpretari tridimensionale.

Suprafata unei probe de cupru

Suprafata unei probe de platina

2. Defecte de suprafata Imaginea reprezinta suprafata (110) a aliajului Fe-3.5 at% Si. Aproximativ 1/3 din atomii de la suprafata sunt atomi de Si (de culoare inchisa in imaginea alaturata) care substituie atomi de Fe. Atomii de carbon nu sunt detectabili direct, dar ei mascheaza atomii de Fe din randurile centrale ale structurii de tip scara.

Suprafata aliajului Fe-Si

Defecte punctuale pe o suprafata de cupru

3. Procese de crestere la suprafata

15

Pb si Cu sunt metale non-miscibile: rPb= 1.37 rCu. Es Pb = 0.50 J/m2, in timp ce Es Cu = 1.96 J/m2. In conformitate cu teoria clasica a fenomenelor de crestere, Cu trebuie sa creasca sub forma de insule pe Pb. - Atomii de Pb sunt foarte mobili. - Insula de Cu formata pe Pb are, la randul ei o suprafata pe cele doua extremitati laterale ale ei, ceea ce se reflecta in cresterea energiei de suprafata. Configuratia cea mai favorabila (energie minima) este aceea in care aceste extremitatile sunt acoperite cu atomi de Pb.

Atomi de Gd pe suprafata Cd

4. Studiul proceselor dinamice ce au loc pe suprafete

Intelegerea dinamicii suprafetelor este importanta atatdin perspevtiva stiintifica cat si din perspectiva tehnologica. Dinamica suprafetelor joaca un rol important in reactivitate si procesele de transport de masa, ce pot afecta functionalitatea si stabilitatea unor structuri miniaturizate. Multe tehnici de investigare a suprafetelor ofera informatii despre dinamica proceselor, dar numai putine dintre ele poseda o rezolutie spatiala suficienta care sa ofere informatii detaliate despre procesele atomice care stau la baza acestor fenomene dinamice de suprafata.

16

In imaginea de mai sus este prezentata o secventa de imagini corespunzane Ge (111) inregistrate cu un microscop conventional cu efect tunel, la temperatura camerei. Perioada de timp trecuta intre realizarea imaginilor este de 2 minute. Cu ajutorul imaginilor se pot observa diferite procese dinamice cauzate de atomii mobili de germaniu adsorbiti pe suprafata.

5. Studiul proceselor de cataliza

Nevoia unei mai bune intelegeri a procesului de cataliza eterogena a condus la dezvoltarea unei serii de tehnici experimentale specializate care ofera informatii detaliate structurale si chimice asupra catalizatorilor complecsi sau asupra unor modele simple de sisteme. Multitudinea de tehnici utilizate in cercetarile asupra catalizei se indreapta aproape in intregime catre tehnicile de analizare a suprafetei sau starii solide cu aplicatii limitate asupra studiului catalizatorilor complecsi. Rezultatele excelente obtinute prin tehnica STM au condus la aplicarea acestei tehnici pentru rezolvarea unor probleme privind relevanta reactivitatii si suprafetei asupra catalizei eterogene

Nanoclusteri triunghiulari de MoS2 depusi pe un strat de aur

17

6. Alte aplicatii Nano-anodizarea

Se aplica o tensiune electrica intre varful conductor si suprafata metalica de anodizat; se produc procese electrochimice care conduc la formarea de nanostructuri oxidice. Folosind nano-anodizarea se pot modifica proprietatile geometrice si compozitionale locale ale suprafetei esantionului.

Trei linii de titan oxidat formate prin anodizare cu STM prin metoda Line.

Nano-litografia
Reprezinta o familie de metode de modificare si imprimare care au fost imbunatatite prin folosirea metodelo STM si AFM. Aceasta tehnica primeste din ce in ce mai multa atentie din partea dezvoltatorilor de aparate semiconductoare. Acest interes se datoreaza faptului ca permite nano-incriptarea directa pe suprafata intr-o maniera foarte precisa si usor controlabila. Astfel, tinde sa devina o alternativa promitatoare in comparatie cu bine-stabilita metoda de litografiere cu fascicul de electroni si cea de gravare chimica umeda.

18

Nanomanipularea
Dupa atingerea rezolutiei atomice, nu a mai fost decat un pas pana la utilizarea microscopului cu efect de tunel intr-o maniera cu totul inedita, mai precis pentru crearea si manipularea de structuri nanometrice. Varful conductor al microscopului, incarcat la un potential pozitiv fata de proba, poate actiona ca un brat de foarte mici dimensiuni, capabil sa ridice si sa deplaseze atomii pe suprafata probei, organizandu-i in orice forma plana dorita de utilizator. In acest fel, cercetatorii laboratorului Almaden de la IBM au creat asa numitii "corali cuantici", costituiti dintr-un lant atomic asezat sub forma unui cerc, a unei elipse, sau chiar sub forma de litere. O varianta de coral cuantic circular este cea din imaginea alaturata, creata si inregistrata cu ajutorul microscopului cu efect de tunel (efectul tridimensional este obtinut prin prelucrare computerizata).

Manipularea unui perete feromagnetic folosind varful unui SP-STM Primul tip de structura sub care cercetatorii de la IBM si-au prezentat noua tehnologie a fost insa un cuvant, mai precis acronimele firmei IBM "scrise" cu ajutorul unor atomi de Xenon pe o suprafata de Nichel.

Dincolo de caracterul estetic al structurilor create, manipularea individuala a atomilor cu ajutorul microscopului cu efect de tunel se anunta in domeniul nanotehnologiilor ca o metoda de mare perspectiva, care, in ciuda conditiilor speciale pe care le necesita, poate oferi fizicienilor precizia necesara producerii unor nanostructuri de inalta calitate.
19

Modelarea moleculelor de reactiv Lander in toate cele patru conformatii posibile, prin apropierea verticala a varfului

Coralii cuantici
Un exemplu de asemenea structura este oferit chiar de cercetatorii IBM, cu ajutorul unui coral cuantic de forma unei elipse. In interiorul coralului poate fi observat cu ajutorul microscopului cu efect de tunel un sistem complex de ondulatii, similare undelor stabilite intrun vas umplut cu apa. Aceste ondulatii sunt specifice tuturor structurilor de tip coral si sunt de fapt asa-numitele "unde de probabilitate" ale electronilor, semnificand faptul ca probabilitatea de localizare a electronilor in structurile de dimensiuni atomice se manifesta ondulatoriu.

Bine cunoscut inca din timpul teoriei undelor mecanice este faptul ca intr-o incinta de forma unei elipse, undele produse in unul dintre cele doua focare ale elipsei se strang in urma reflexiilor in celalat focar. Aceasta observatie este valabila si in optica, referindu-se la undele luminoase care se reflecta in interiorul unei oglinzi de forma eliptica (fenomenul este utilizat in unele dispozitive optice).
20

Data fiind aparitia undelor de probabilitate in interiorul unui coral cuantic de forma unei elipse, ne putem intreba daca, plasand un atom in unul dintre focarele coralului, vom putea culege vreo informatie asupra lui in celalalt focar. Cercetatorii de la IBM au aratat ca acest fenomen este posibil, undele de probabilitate "purtand" informatia asupra proprietatilor atomului in focarul neocupat al coralului, unde este detectabila experimental. Fenomenul poarta numele de "miraj cuantic" si este considerat o posibila solutie a problemei comunicatiilor electronice, a caror miniaturizare, o data cu apropierea de dimensiunile atomice, devine o problema din ce in ce mai dificila.

21

Concluzii
Aceasta tehnica prezinta o serie de avantaje, precum: Ofera posibilitatea de a analiza suprafete conductoare pana la scara atomica, Rezolutia laterala este <1 A, iar cea verticala este < 0,1 A Face posibila smulgerea atomilor din suprafata sau manipularea atomilor adsorbiti Datele se stocheaza digital, permitand computerului sa manipuleze si sa afiseze datele sub forma unei interpretari tridimensionale Poate oferi informatii excelente privind topografia, defectele sau diversele procese ce au loc la suprafata Dupa atingerea rezolutiei atomice, nu a mai fost decat un pas pana la utilizarea microscopului cu efect de tunel intr-o maniera cu totul inedita, mai precis pentru: crearea si manipularea de structuri nanometrice, nano litografierea sau nano anodizarea.

Dezavantaje STM:
Complexitatea interpretarii rezultatelor in cazul unor anumite suprafete: imaginea suprafetei nu este determinata doar de relief, ci si de: densitatea de stari electronice, semnul si valoarea tensiunii de polarizare, valoarea curentului etc. Pot fi analizate numai suprafete conductoare sau semiconductoare, aceasta tehnica neputand fi aplicata suprafetelor izolatore. Durata mica de viata a varfului conductor, fiind insa dezvoltate o serie de metode relativ usoare de fabricare sau sau ascutire a acestora.

22

Bibliografie
C. Richard Brundle, Charles A. Evans, Jr. Shaun Wilson- Enciclopedia of Materials Characterization, BUTTERWORTH-HEINEMANN Shigenori Mitsuoka, Akira Tamura - Scanning tunneling microscopic images and scanning tunneling spectra for coupled rectangular quantum corrals, J. Phys.: Condens. Matter 23 M.C. Tringides, M. Hupalo - Surface diffusion experiments with STM: equilibrium correlations and non-equilibrium low temperature growth, J. Phys.: Condens. Matter 22 Leonhard Grill - Large molecules on surfaces: deposition and intramolecular STM manipulation by directional forces, J. Phys.: Condens. Matter 22 (2010) 084023 (14pp) Daisuke Fujita, Keisuke Sagisaka Active nanocharacterization of nanofunctional materials by scanning tunneling microscopy, Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 013003 J.V. Lauritsen, R.T. Vang, F. Besenbacher - From atom-resolved scanning tunneling microscopy (STM) studies to the design of new catalysts, Catalysis Today 111 (2006) 3443 Z.Q. Yu, C.M. Wang, Y. Du, S. Thevuthasan, I. Lyubinetsky - Reproducible tip fabrication and cleaning for UHV STM, Ultramicroscopy 108 (2008) 873 877 R. Wieser, T. Stapelfeldt, E. Y. Vedmedenko, R. Wiesendanger -Manipulation of domain walls using a spin-polarized STM A. Saedi, B. Poelsema, H. Zandvliet - Study of dynamic processes on semiconductor surfaces using time-resolved scanning tunneling microscopy, J. Phys.: Condens. Matter 22 www. wikipedia.org http://www.almaden.ibm.com http://www.nanoscience.com http://www.fkf.mpg.de

23