Sunteți pe pagina 1din 9

Circuite basculante cu elemente discrete

P a g i n a | 19

LUCRAREA NR. 3

CIRCUITE BASCULANTE CU ELEMENTE DISCRETE


Scopul lucrrii: n lucrare sunt testate un circuit basculant monostabil i un circuit basculant astabil, ambele realizate cu tranzistoare bipolare, n configuraii de tip cuplaj colector-baz; se urmrete msurarea formelor de und n diferite puncte ale montajelor (amplitudine, durat, fronturi), dependena impulsurilor generate de elementele circuitului precum i experimentarea unor circuite de declanare a circuitului basculant monostabil. 1. Circuitul basculant monostabil cu cuplaj colector-baz are schema de principiu reprezentat n figura 3.1, iar formele de und rezultate n diferite puncte, n urma aplicrii unui impuls de declanare, sunt reprezentate n figura 3.2. n starea stabil (de ateptare), tranzistorul T2 este n conducie (deoarece are baza cuplat la un potenial pozitiv, VCC , prin rezistena Rb ), de obicei la saturaie, iar tranzistorul T1 este blocat datorit tensiunii de ieire V0 care are o valoare mic, VCEsat i datorit tensiunii de polarizare VBB (negative). Aceast stare este condiionat de relaiile:

Fig. 3.1 Schema standard a circuitului monostabil

20 | P a g i n a
declanare

ndrumar laborator Electronic Digital

t vC1 VCC
0.9VCC

t vB2 trev T

t VCC

v0 V0 t tf+ Fig. 3.2 Forme de und n diferite puncte ale circuitului


>

(3.1)

(n absena unei sarcini care s ncarce suplimentar tranzistorul T2)


1 1 +2

2 1 +2

<

(3.2)

unde VBEo este tensiunea de deschidere a tranzistorului T1. n starea cvasistabil, obinut n urma unui impuls de declanare care provoac schimbarea strii tranzistoarelor, tranzistorul T2 este blocat datorit saltului de tensiune, negativ, de pe baza sa, transmis din colectorul tranzistorului T1 prin capacitatea C, iar tranzistorul T1 este n saturaie. Pentru ca tranzistorul T1 s funcioneze la saturaie, este necesar ndeplinirea condiiei:
1 1

<

1 +2

+ 2

(3.3)

n starea cvasistabil, capacitatea C se ncarc de la sursa de alimentare VCC prin rezistena Rb i prin tranzistorul T1 saturat i determin variaia tensiunii de pe baza tranzistorului T2 dup legea: 2 = + 2 e cu: = (3.5)

(3.4)

Circuite basculante cu elemente discrete

P a g i n a | 21

Prin creterea tensiunii pe baza tranzistorului T2, se va atinge tensiunea de deschidere a acestuia; n urma deschiderii tranzistorului T2, tranzistorul T1 iese i el din saturaie i se nchide bucla de reacie pozitiv din circuit care duce la revenirea n starea iniial. Durata impulsului generat se calculeaz cu relaia: =
2

0,69

(3.6)

Impulsul de la ieirea circuitului (considerat la colectorul tranzistorului T2) va avea amplitudinea: 0 = i frontul cresctor:
+ = 2,3 1 2 1
1 +2

(3.7)

(3.8)

Capacitatea C1, cuplat n paralel pe rezistena R1, are rolul de a accelera procesele de comutare ale tranzistorului T2. Timpul de revenire al schemei, necesar pentru rencrcarea capacitii C i pus n eviden pe tensiunea din colectorul tranzistorului T1, va fi: = 2,3 1 (3.9)

2. Micorarea timpului de revenire al schemei se face prin micorarea rezistenei de colector Rc1 (micorare limitat de ndeplinirea condiiei de saturaie a tranzistorului T1), prin divizarea rezistenei Rc1 n dou rezistene nseriate (dar se micoreaz i durata impulsului), prin introducerea unui circuit de limitare a excursiei de tensiune pe colectorul tranzistorului T1 (dar se micoreaz amplitudinea impulsului disponibil la aceast ieire i durata impulsului) sau prin cuplarea capacitii C la colectorul tranzistorului T1 printr-un repetor pe emitor, ca n figura 3.3.

Fig. 3.3 Micorarea timpului de revenire utiliznd un repetor pe emitor


n acest ultim caz, timpul de revenire se micoreaz foarte mult, devenind: = 2,3( 1 + 3 )
0

(3.10)

22 | P a g i n a

ndrumar laborator Electronic Digital

unde (3 ) este rezistena de ieire a tranzistorului T3, mediat, avnd n vedere modificarea curentului prin tranzistor. 3. Declanarea circuitului basculant monostabil se poate face fie cu impulsuri pozitive aplicate pe baza tranzistorului T1, blocat, obinute printr-un circuit de derivare i de limitare, ca n figura 3.4.b, fie prin impulsuri negative, aplicate pe baza tranzistorului T2, saturat, obinute printr-un circuit de derivare i de limitare, ca n figura 3.4.a. Duratele impulsurilor de declanare sunt determinate de timpul necesar scoaterii din saturaie a tranzistorului T2 i deblocrii tranzistorului T1.

Fig. 3.4 a) Circuit de derivare i limitare utilizat pentru aplicarea impulsurilor de declanare n colectorul lui T 1

Fig. 3.4 b) Circuit de derivare i limitare utilizat pentru aplicarea impulsurilor de declanare n baza lui T 1
4. Pentru circuitul basculant astabil cu cuplaj colector-baz reprezentat n figura 3.5, formele de und n diferite puncte ale schemei sunt desenate n figura 3.6.

Circuite basculante cu elemente discrete

P a g i n a | 23

Fig. 3.5 Circuit basculant astabil voa Vo Va t trev1 vBa VBE t Vb T1 vob Vo Vb t vBb VBE t Va T2

Fig. 3.6 Forme de und n diferite puncte ale circuitului


Dac sunt ndeplinite condiiile:
+ 1 = 1 < 1 2 < 2

(3.11)

se deduc duratele strilor cvasistabile ale circuitului:

24 | P a g i n a

ndrumar laborator Electronic Digital


1 = 2 1 2 2 = 1 2 2 (3.12) (3.13)

Timpii de revenire, pentru tensiunile din colectoare, vor fi:


+ 1 = 1 2,31 1

(3.14)

i
2 = 2,32 2

(3.15)

Frontul anterior al impulsului generat la ieirea colectorului tranzistorului Tb va fi abrupt, deoarece circuitul de rencrcare a capacitii C2 este separat de circuitul de ieire prin dioda de izolare D. Frecvena impulsurilor generate va fi: =
1 1 +2

(3.16)

5. n starea de conducie, ambele tranzistoare lucreaz n regiunea de saturaie dac sunt ndeplinite condiiile:
1 2

>

1 1 1

2 2

(3.17)
2 1

>

1 2 2

(3.18)

6. Att pentru circuitul basculant monostabil ct i pentru circuitul basculant astabil, n cazul n care saltul de tensiune negativ din baza tranzistorului depete tensiunea de strpungere, acesta se deschide ca o diod stabilizatoare de tensiune i modific (micoreaz) durata impulsului generat.

Circuite basculante cu elemente discrete

P a g i n a | 25

DESFURAREA LUCRRII
Se identific montajul din figura 3.7 n care circuitul basculant monostabil cu cuplaj colectorbaz este realizat cu tranzistoarele T1 i T2, circuitele de declanare sunt realizate cu grupurile Cd , Rd i D respectiv Cd, Rd i D, iar tranzistorul T3 este folosit ca repetor pe emitor pentru cuplarea capacitii C la baza tranzistorului T2.

Fig. 3.7 Montajul de laborator circuitul monostabil

1. Pentru valorile tipice ale factorului de curent al tranzistoarelor folosite, BC548B (din anex), se verific condiiile de funcionare ale circuitului, pentru VCC = 8 V i VBB = -2 V, cu relaiile (3.1), (3.2) i (3.3). Se calculeaz durata impulsului pentru cele dou valori extreme ale rezistenei Rb (avnd n vedere c valoarea poteniometrului P este 10 k), cu relaia (3.6) i timpul de revenire, cu i fr repetor pe emitor, cu relaiile (3.9) i (3.10). 2. Se conecteaz capacitatea C la colectorul tranzistorului T1 (bornele 8 i 10 cuplate mpreun) i se alimenteaz schema cu VCC = 8 V (la borna 2) i VBB = 2 V (la borna 3). Se verific strile celor dou tranzistoare msurnd, cu osciloscopul, tensiunile pe cele dou colectoare. Se aplic impulsuri de declanare pe baza tranzistorului T1 (la borna 4) cu frecvena mai mic dect frecvena maxim posibil, calculabil cu relaia: = 1 +

i se vizualizeaz formele de und la ieire (borna 6), pe baza tranzistorului T2 (borna 7) i pe colectorul tranzistorului T1 (borna 8). Se msoar Tmin, Tmax, trev, tf+ i V0; se deseneaz formele de und.

26 | P a g i n a

ndrumar laborator Electronic Digital

Cu Rb = Rbmax i cu impulsuri de declanare de 1 sec, se mrete frecvena impulsurilor de declanare i se constat influena ei asupra duratei impulsurilor generate, dac: 1 < < 3. Se determin influena tensiunii de alimentare a circuitului (VCC) asupra duratei impulsului generat. Se vizualizeaz tensiunea de ieire i tensiunea pe baza tranzistorului T2 ,determinnd tensiunea de alimentare pentru care jonciunea baz-emitor a tranzistorului T2 se deschide ca diod stabilizatoare de tensiune n urma saltului de tensiune negativ primit dup declanarea circuitului. 4. n condiiile normale de polarizare, se fixeaz amplitudinea impulsului de comand la 3,5 V i se determin durata minim a impulsurilor de declanare. Apoi se fixeaz durata impulsului de declanare la 500 sec i se determin amplitudinea lui minim pentru declanare. Se repet msurtorile pentru circuitul de declanare cu impulsuri negative (aplicate la borna 5). 5. Se cupleaz capacitatea C prin repetorul pe emitor (se conecteaz mpreun bornele 9 i 10). Se aplic impulsuri de declanare, se vizualizeaz formele de und i se msoar parametrii impulsurilor generate, ca la punctul 2. 6. Se identific circuitul basculant astabil din figura 3.8 i, pentru valorile factorilor de curent ai tranzistoarelor utilizate, BC 547B, se verific condiiile de saturaie a tranzistoarelor cu relaiile (3.17) i (3.18). Se va seta VCC = 8 V.

Fig. 3.8 Montajul de laborator circuitul astabil


Cu valorile numerice ale elementelor din schem se calculeaz T1, T2max, T2min i timpii de revenire pentru cele dou valori extreme ale rezistenei Rb2; se vor folosi relaiile (3.12), (3.13), (3.14) i (3.15).

Circuite basculante cu elemente discrete

P a g i n a | 27

7. Se alimenteaz schema cu VCC = 8 V. Se vizualizeaz i se deseneaz formele de und n bazele i n colectoarele tranzistoarelor precum i la borna 7. Se msoar duratele impulsurilor generate, fronturile i timpii de revenire, completnd tabelul 1. Rb2 C2 C2 Rb2min C2+C2 Rb2 k C2 nF T1 sec T2 sec trev sec trev2 sec tf2+ nsec f kHz V0 V
calculat msurat calculat msurat

C2 Rb2max C2+C2

calculat msurat calculat msurat

8. Cu Rb2min i C2 = C2, se modific tensiunea de alimentare ntre 3 i 15 V. Se msoar frecvena de oscilaie a multivibratorului (prin msurarea perioadei impulsurilor obinute la colectorul tranzistorului T2 ) i se explic de ce aceasta depinde de tensiunea de alimentare a circuitului. 9. Cerine: Referatul va conine: - schemele circuitelor basculante monostabile realizate i testate (1p); - formele de und msurate n colectoarele tranzistoarelor i n baza tranzistorului T2 (1p); - msurtorile duratei impulsurilor, ale timpului de revenire i ale fronturilor impulsului generat (1p); - explicaii privind efectul temperaturii asupra parametrilor impulsului generat (0,5p); - alte scheme de reducere a timpului de revenire (n afara celei studiate n lucrare) (se recomand utilizare cursului) (1p); - schema circuitului basculant astabil studiat n lucrare (1p); - formele de und msurate n colectoarele i n bazele tranzistoarelor circuitului(1p); - tabelul 1 cu rezultatele msurtorilor i calculelor efectuate cu relaiile (3.12), (3.13), (3.14), (3.15) i (3.16) (2p); - explicarea influenei tensiunii de alimentare asupra frecvenei impulsurilor generate (0,5p); - cum se poate modifica, n limite foarte mari, factorul de umplere al impulsurilor generate (0,5p)? - care este influena factorului de curent al tranzistorului asupra formelor de und (0,5p)?