Tranzistoare unipolare Fia suport . Clasificare. Tipuri de tranzistoare unipolare.

Definiie
Tranzistoarele cu efect de cmp (numite uzual TEC sau FET Field Effect Transistor ) sunt dispozitive electronice a cror funcie se bazeaz pe modificarea conduciei unui canal semiconductor sub influena unui cmp electric. Deoarece conducia electric este determinat de un singur tip de purttori i anume purttorii majoritari, tranzistoarele cu efect de cmp se mai numesc i tranzistoare unipolare.

Clasificare
Exist trei categorii de tranzistoare cu efect de cmp : Tranzistoare cu poart jonciune ( TEC - J) Tranzistoare cu poart izolat semiconductor) Tranzistoare cu substraturi subiri ( TEC-MOS)( M-metal, O- oxid , S-

Tranzistoarele cu efect de cmp sunt preferate fa de tranzistoarele bipolare datorit urmtoarelor proprieti : ca dispozitive comandate n tensiune TEC prezint impedan de intrare foarte mare TEC pot fi utilizate ca rezistene comandate n tensiune i ocup n tehnologie integrat o arie mai mic dect rezistena echivalent, TEC au o arie mic n raport cu tranzistoarele bipolare ,rezult de aici avantaje pentru fabricarea circuitelor complexe( memorii,microprocesoare, etc) nivel de zgomot redus liniaritate bun a circuitului

Terminalele tranzistorului se numesc : Surs S, dren D ,Poart sau Gril - G

Marcare
Marcarea se face printr-o succesiune de litere i cifre imprimate pe capsula diodei . Exist foarte multe coduri pentru marcarea tranzistoarelor , dar cele mai utilizate sunt : Sistemul european Exemplu: B F 245 l materialul de baz------------------l C tranzistor de JF de mic putere D - tranzistor de JF de putere S - tranzistor de comutaie de mic putere F - tranzistor de . F. de mic putere Sistemul american 3 N l 4091 l--------------numrul de identificare l l l A l-----------------indicaii diverse l-------------------------numrul de serie

funcia de baz--------------------------l

Exemplu : 1 - diod 2 - tranzistor ,tiristor

Structura----------------------------l

3 dispozitiv cu patru electrozi (MOSTEC ) 4 dispozitiv optoelectronic

Aspect fizic ( Tipuri de capsule)

Fig 3.1. Tipuri de capsule pentru TEC-J

Date de catalog
Valori limit UGS tesiunea dintre surs i gril( TEC-J care nu sunt protejate n interior pot fi distruse uor prin depirea tensiunii directe pe jonciunea poart- surs) Ca orice dispozitiv semiconductor i la TEC depirea limitelor admise ale tensiunilor de alimentare sau polarizare duce la distrugere. UDS tensiunea dren- surs ID curentul de dren, este curentul de dren la UGS i UDS specificate, aproape de blocare. Pd puterea disipat maxim care este specificat pentru o temperatur ambiant de 25 C Parametrii specifici g
m

transconductana direct, este panta tranzistorului la variaii de semnal mic a

TEC rDS rezistena dren surs, este rezistena ntre dren i surs la UGS i ID specificate IDSS

curentul de dren de saturaie, este curentul de dren la o tensiune UDS

specificat.

Tranzistoare TEC-J

Fig. 3.2. Reprezentri convenionale pentru TEC-J

Funcionare i utilizri
Pe o anumit poriune a caracteristicii de ieire ( la UDS mici) dispozitivul se comport ca o rezisten comandat n tensiune.Ca aplicaii tipice pentru TEC-J n rol de rezisten variabil se menioneaz atenuatoarele controlate prin tensiune i circuitele pentru reglarea automat a amplificrii. La UDS mari tranzistorul TEC-J se comport fa de dren ca un generator de curent comandat de tensiunea UGS. Dac punctul de funcionare al TEC-J este stabilit pentru un curent de dren maxim IDmaxim, pentru o variaie destul de mare a tensiunii UDS vom obine o variaie neglijabil a lui ID. TEC-J sunt folosite i n etaje de amplificare de semnal mic la joas i nalt frecven.Tranzistoarele cu efect de cmp nu ofer ctiguri mari n tensiune ,dar ctigurile sunt foarte mari n curent i n putere.Ofer de asemenea impedan mare la intrarea amplificatorului i distorsiuni de neliniaritate reduse . Se mai pot utiliza ca i comutatoare de semnal analogic folosite n circuite de eantionare i memorare sau multiplexarea i demultiplexarea semnalelor analogice . Observaie. Aceste dispozitive nu acoper ns domeniul de aplicaii la puteri mari. Acest domeniu este rezervat tranzistoarelor bipolare i TEC- MOS de putere.

Tranzistoare TECMOS

Fig.3.3. Reprezentri convenionale pentru TEC-MOS

Funcionare i utilizri
TEC-MOS sunt foarte mult utilizate n realizarea circuitelor integrate n special n circuite digitale . Ele sunt utilizate att ca dispozitive active ct i ca rezistene sau capaciti . Circuitele integrate cu TEC pot fi produse cu un nivel mare de complexitate la preuri de cost reduse. Creterea gradului de integrare prin micorarea dimensiunilor duce la reducerea capacitilor parazite i la creterea vitezei de lucru.

O aplicaie important a tranzistorului TEC MOS este inversorul CMOS . Acesta face parte dintr-o familie de circuite care utilizeaz tranzistoare cu simetrie complementar . Avantajul principal al familiei CMOS este consumul de putere foarte mic.Inversorul CMOS poate fi utilizat i ca amlificator de semnal mic.

Pot fi folosite n comutaie, un circuit bilateral pentru semnale analogice,

CMOS important este comutatorul

Defecte

Un dezavantaj al TEC-MOS este marea fragilitate fa de apariia unor tensiuni accidentale pe poart. Sarcini extrem de mici pot determina tensiuni de ordinul sutelor care pot distruge tranzistorul . Din aceast cauz la utilizarea TEC-MOS trebuie luate precauii speciale de punere la mas a tuturor elementelor cu care iau contact( mna operatorului, ciocanul de lipit) . Pentru a evita distrugerea componentelor MOS pinii acestora vor fi scurt-circuitai printr-un fir conductor pn dup introducerea n circuit toate intrrile neutilizate vor fi conectate la mas , la ES sau la ED utilizatorul va evita folosirea n mbrcminte a unor materiale care favorizeaz acumularea de sarcini electrice este indicat folosirea unei brri metalice prin care mna operatorului s fie conectat la potenialul de referin Trebuie precizat c unele dispozitive MOS sunt prevzute cu circuite de protecie ncapsulate. Asemnri ntre TEC-J i TEC - MOS ambele sunt comandate n tesiune au curentul de intrare mic ( la TEC-MOS ID = 10 12 A) impedan de intrare foarte mare ( la MOS 10 12 - 10 18 ) frecvena de lucru foarte mare dependen mic de temperatur

Obsevaii. TEC-MOS sau TB ? Zgomotul tranzistoarelor TEC-MOS este destul de mare i ca urmare nu sunt adecvate aplicaiilor unde nivelul semnalului este mic.TB n general sunt mai performante dect TEC, au transconductana mai mare i comportarea cu frcvena mai bun de aceea sunt preferate n multe aplicaii.La puteri mari ns , TEC-MOS are o mai bun liniaritate dect TB. De asemenea , comutatoarele cu TEC-MOS au o comutaie rapid n comparaie cu TB, care are o semnificativ ntrziere datorit intrrii n saturaie. Preul de cost mai ridicat al tranzistoarelor TEC-MOS face ca alegera ntre cele dou tranzistoare s nu fie uoar.