Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

71





Captulo V:
Amplificadores de RF
pequea seal









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72


Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas


73

AMPLIFICADORES RF DE PEQUEA SEAL

5.1 Definicin
1. Las amplitudes de la seal de entrada son lo suficientemente pequeas como para que
los dispositivos activos puedan modelarse por parmetros de cuadripolo por circuitos
equivalentes lineales como el circuito hbrido pi
2. El voltaje de salida es linealmente proporcional al voltaje de entrada.

5.2 Amplificador RF sintonizado: Ver Fig. 5.1

Fig. 5.1 Amplificador RF sintonizado
Se supone:
a. C
E
y C
C
carecen de reactancia
b. Las capacidades internas del transistor son despreciables
c. Vi es lo suficientemente pequeo como para que el transistor opere en la regin lineal.
Ganancia de voltaje:
Rt g
v
v
Av
m
i
o
= =
(5.1)
g
m
= Transconductancia de Seal dbil (en operacin lineal)
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74

Rt = Impedancia en resonancia del circuito de colector en sintona
Corriente de colector:

(5.2)
I
ES
= Corriente de saturacin del emisor

(5.3)
Llamando:
ambiente a Temperatur
mVolts Vi
RT
Viq
x

26
) (
= =
(5.4)
1
( ) 2 ( )
c E
n
i I Io x In x Cos n t o e

=
(
= +
(

(5.5)

IE = Corriente de emisor en reposo
In(x) = Funcin de Bessel modificada en 1 clase
) (x Io I Ic
E
o =
= Componente c.c. de ic (constante)
1
( )
1 2
( )
c
n
In x
i Ic Cos n t
Io x
e

=
(
= +
(

(5.6)
Graficando las componentes fundamental y 2 armnica de i
c
contra la amplitud de la seal,
como se muestra en la Fig. 5.2, se aprecia la no linealidad de estas componentes de corriente,
lo cual generar en la salida componentes armnicas.
- Con transistores FET y MOSFET de agotamiento:
2
1
(

=
Vp
v
I i
GS
DSS D
(5.7)
I
DSS
= corriente de salida para V
GS
= 0 y V
DS
= Vp
Vp = Tensin de corte

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75


Fig.5.2 Fundamental y 2da. Armnica vs. Amplitud de la Seal
- Con transistores MOSFET de enriquecimiento:
2
0
1
(

=
VT
v
I i
GS
D D
(5.8)
VT= Voltaje de encendido
I
D0
= Valor saturado de corriente para V
DS
= V
GS
- VT
5.3 Modelos para el dispositivo activo
Modelos populares (para operacin lineal)
1. Circuitos equivalentes
a. Modelo hbrido pi del transistor (til hasta f
T
/5), ver Fig. 5.3
1
40
e
q Ic
gm Ic
kT r
= = ~ (5.9)
' ' b bb x
r r r r r hie = + =
t t
(5.10)
frecuencia baja a
0 0
0
hfe re
gm
r ~ = = | |
|
t
(5.11)

(5.12)
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76


Fig. 5.3 Modelo hbrido pi del transistor

(5.13)

(5.14)

(5.15)

(5.16)
b. Circuito equivalente para FET. Ver Fig. 5.4

Fig. 5.4 Circuito equivalente para un FET

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77

Estos circuitos carecen de utilidad para el anlisis de estabilidad y por esta razn es necesario
estudiar los parmetros Y.
5.4 Parmetros Y.
Son usados para caracterizar el comportamiento de un transistor en ciertas frecuencias y
puntos de polarizacin. La Fig. 5.5 muestra los montajes que se

A Emisor Comn B. Base Comn C. Colector Comn
Fig. 5.5 Montajes para un transistor BJT.
Una configuracin de caja negra es usada para crear la caracterizacin de los parmetros
Y. Fig. 5.6

Fig. 5.6 Cuadripolo generalizado
Los parmetros Y o de corto circuito para la configuracin de 2 puertos son:
2
1
1
0
i
V
I
y
V
=
=
1
1
2
0
r
V
I
y
V
=
=
2
2
1
0
f
V
I
y
V
=
=
1
2
2
0
o
V
I
y
V
=
= (5.19)
Donde: Y
i
= Admitancia de entrada de corto circuito
Y
r
= Admitancia de transferencia inversa de corto circuito
Y
f
= Admitancia de transferencia directa de corto circuito
Y
o
= Admitancia de salida de corto circuito
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78

Matemticamente, las ecuaciones que caracterizan el cuadripolo generalizado se
muestran en las ecuaciones (5.20) y (5.21).

(5.20)

(5.21)
5.5 Cuadripolo Generalizado

Fig. 5.7 Parmetros de Admitancia
Se emplean los parmetros de admitancia del cuadripolo en C.C.
- Para operacin lineal con seal dbil el dispositivo activo se puede caracterizar por
un cuadripolo con las siguientes ecuaciones:

; Donde:

Parmetros de admitancia

: Admitancia de fuente y de carga

De estas ecuaciones se derivan:
a. Ganancia de Voltaje:
+ |
+

= =
v L
1
2
A , Y Si
L o
f
Y Y
Y
V
V
Av
(5.22)
b. Ganancia de Corriente:
YfYr YiYo y
y
Y Y y
Y Y
I
I
A
L I
L f
I
= A
= A
+ A

= =

y de te determinan
1
2
(5.23)
c. Admitancia de entrada:
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79


1
1
1
L o
r f
Y Y
Y Y
Yi
V
I
Y
+
= =
(5.24)
d. Transferencia de Voltaje inversa:

2
1
S i
r
Y Y
Y
V
V
+
=
(5.25)
e. Admitancia de salida:

2
2
2
S i
r f
Y Y
Y Y
Yo
V
I
Y
+
= =
(5.26)
5.6 Estabilidad del Amplificador
El amplificador es inestable si parte de la energa de salida se retroalimenta al puerto de
entrada con la fase adecuada.
- El acoplamiento se efecta a travs de la capacitancia de retroalimentacin c y la
posibilidad de oscilar es mayor en RF
- El objeto del diseo en RF es alcanzar mxima ganancia en potencia xib un grado
de estabilidad predecible
a. Factor C de estabilidad: Estabilidad de Linvill
Es la medida de estabilidad bajo condiciones hipotticas del peor caso, es decir con ambos
puertos en circuito abierto.
El factor C de Linvill est dado por:
| | YfYr g g
YfYr
C
o i
Re 2
=
(5.27)

=parte real de ;

parte real de

, Re (...) denota la parte real de ()

- Si C=1 El dispositivo es CRITICAMANTE ESTABLE
- Si C<1 El dispositivo es ESTABLE INCONDICIONALMENTE
- Si C>1 El dispositivo es POTENCIALMENTE ESTABLE
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80

Muchos transistores son potencialmente inestables en algn rango de frecuencias a causa de
las capacidades internas de retroalimentacin
b. Factor K de estabilidad (STERN)
La adicin de impedancias de carga y de fuente finitas al dispositivo y tienden a mejorar la
estabilidad del amplificador. El criterio de STERN tiene en cuenta las admitancias de fuente y
de carga junto con los parmetros del circuito.
( )( )
| | YfYr YfYr
G g Gs g
K
L o i
Re
2
+
+ +
=
(5.28)
Gs= parte real de Ys; G
L
= parte real de Y
L

- Si K>1: Circuito ESTABLE
- Si K<1: Circuito POTENCIALMENTE INESTABLE
5.7 Modos de lograr la estabilidad
Conectando una red externa alrededor de la red activa, Fig. 5.8:

Fig. 5.8 Dispositivo activo con realimentacin
Los criterios de Linvill y de Stern pueden aplicarse aunque los parmetros a utilizar son los
parmetros compuestos de los dos circuitos en paralelo.
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81

Agregando: - Un subndice t a los parmetros del dispositivo
- Un subndice f a los parmetros de la red de realimentacin (feedback).
Los parmetros compuestos

pueden escribirse:


Yic Yit Yif Yoc Yot Yof
Yfc Yft Yff Yrc Yrt Yrf
= + = +
= + = +
(5.29)
- Cuando la red de realimentacin se reduce a una sola admitancia

(Fig. 5.9), sus

parmetros y se indican en las ecuaciones (5.30) y (5.31).

Fig. 5.8 Circuito de realimentacin simple

(5.30)

(5.31)
Los parmetros de esta red son:
Al escoger esta red, el amplificador es incondicionalmente estable.
- Si

es un condensador

:
{ } ; Yx j Cx Yif Yof j Cx Yff Yrf j Cx e e e = = = = =
El factor de estabilidad de Linvill para esta red:
| | YfcYrc g g
YfcYrc
C
oc ic
Re 2
=
(5.32)
con C>1: red potencialmente inestable
C<1: red estable incondicionalmente
- El factor K de estabilidad
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82

( )( )
( ) | | YfcYrc Yrc Yfc
G g Gs g
K
L oc ic
Re
2
+ +
+ +
=
(5.33)
con K<1: red potencialmente inestable
K>1: red estable
5.8 Maneras de asegurar estabilidad
La inestabilidad del amplificador se origina por lo general en la trayectoria de
retroalimentacin

del dispositivo por Yrc de la red compuesta.

1. Unilateralizacin.
La red de retroalimentacin se escoge de tal forma que:
Yrf = -Yrt entonces Yrc = 0 (no hay transmisin interna)
Cuando se cumple esta condicin se dice que el amplificador est unilateralizado

2. Neutralizacin.
En la mayora de los BJT y FET la admitancia de transferencia inversa es compleja

(5.34)

por lo general es despreciable frente a

en RF si la red externa tiene:

(5.35)
Entonces se cancela la retroalimentacin a travs de

(5.36)
Es suficientemente pequea como para asegurar una operacin estable. Entonces se dice que el
amplificador est neutralizado.

3. Diagrama de amplificadores neutralizados.
Mediante una combinacin

serie, se puede sintonizar y producir una suceptancia

negativa de colector, de tal forma que

sea positiva.

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83


Fig. 5.9 Unilateralizacin
El capacitor de neutralizacin se conecta al punto b. que tiene fase opuesta al punto a, respecto
al contacto central c de la derivacin a masa para RF.

Fig. 5.10 Neutralizacin
4. Estabilizacin por desacople
Por reduccin de la ganancia se puede evitar el uso de circuitos neutralizadores. Si G
L
y G
S

son lo suficientemente grandes para que el factor de STERN sea mayor 1 (K entre 1 y 4).
5.9 Ganancia de potencia en amplificadores
La potencia de un amplificador estable se puede definir de varias maneras dependiendo de los
acoplamientos de impedancias en los puertos de entrada y salida.



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84


Fig. 5.11 Ganancia en Amplificadores RF
1. Ganancia en potencia de operacin: GP
Es la ganancia desde la entrada del dispositivo a la admitancia de carga Y
L

1
2
1
2
2
entrada de puerto el en Pot.
carga la a entregada Pot.
G V
G V
Pi
Po
Gp
L
= = =
(5.37)
en trminos de los parmetros de la red (Yt Yc)
| |
(

+
= =
+
=
L
L
L
Y Yo
YfYr
Yi Y G
G Yo Y
G Yf
Gp Re Re
1 1
1
2
2
(5.38)
2. Ganancia disponible: GA
Supone acoplamiento de impedancias en los puertos de entrada y salida.
entrada de puerto el en Pot.
salida de puerto el en disponible Pot.

*
2
*
1
= =
= =
Pas
Pao
GA
Y Y Y Ys
L
(5.39)
En trminos de los parmetros de la red:
( ) | |
*
2
) ( Re Ys Yi YoYs YfYr YiYo
Gs Yf
GA
+ +
=
(5.40)
3. Ganancia de transconductor : G
T

Acoplamiento en el puerto de entrada
fuente la de disponible Pot.
carga la a entregada Pot.
= =
Pas
Po
G
T
(5.41)
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85

En trminos de parmetros de la red:
( )( )
2
2
4
YfYr Y Yo Ys Yi
Yf GsG
G
L
L
T
+ +
=
(5.42)
4. Mxima ganancia disponible = MAG
Es la ganancia en potencia terica de un dispositivo con su admitancia de transferencia inversa
Yr=0 y las admitancias de fuente y carga acopladas conjugadamente a Yi y Yo

\
|
= =
=
*
2
*
1
;
0
Y Yo Y Yi
Yr

2

4
representa el limite superior terico para la ganancia
i o
Yf
MAG
g g
=
(5.43)

5.10 Diseo de un amplificador a pequea seal con acoplamiento conjugado simultneo
(transistores incondicionalmente estables).
La ganancia de potencia ptima es obtenida de un transistor cuando Yi y Yo son acoplados
con el conjugado de Ys y Y
L
Respectivamente.
Para su mxima transferencia de potencia de la fuente y de la carga se pueden emplear las
siguientes ecuaciones de diseo.
Gs = conductancia de la fuente
Bs = suceptancia de la fuente
G
L
= conductancia de la carga
B
L
= suceptancia de la carga
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86

| |
| |
i
o L
i
o
i
o i
L
o
i
o
o i
g
YfYr
jb B
g
Gsg
g
YfYr YfYr g g
G
g
YfYr
jb Bs
g
YfYr YfYr g g
Gs
2
) Im(
2
) Re( 2
2
) Im(
2
) Re( 2
2 2
2
2
+ =
=

=
+ =

=
(5.44)
EJEMPLO 5.1: Un transistor tiene los siguientes parmetros Y a 100 MHz con V
CE
= 10V e
Ic=5mA
Yi = 8 +j5.7mMhos Yf = 52 j20mMhos
Yo = 0.4 + j1.5mMhos Yr = 0.01 j0.1mMhos
Disear un amplificador que provea mxima ganancia de potencia en la fuente con 50O y en
la carga con 50O a 100 MHz
Solucin:
1. Clculo del factor de estabilidad de Linvill:
| |
( )( )
( )( )
52 20 0.01 0.1
5.57
0.71
2 Re 6.4 1.47 2*8*0.4 Re 52 20 0.01 0.1
i o
j j YfYr
C
g g YfYr j j

= = = =
+ (


0.71 El dispositivo es incondicionalemente estable C =
2. Clculo de MAG
2 2
52 20
242.5 23.8dB
4 4*8*0.4
i o
Yf j
MAG
g g

= = =
3. Clculo de las admitancias de fuente y de carga para acoplamiento conjugado
simultneo:

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87

| |
| | ( )
mMhos j j j
g
YfYr
jb Bs
mMhos
g
YfYr YfYr g g
Gs
o
i
o
o i
41 . 12
4 . 0 * 2
37 . 5
7 . 5
2
) Im(
95 . 6
4 . 0 * 2
57 . 5 47 . 1 4 . 6
2
) Re( 2
2 2
2 2
=

+ = + =
=
+
=

=

Por tanto, la admitancia de fuente que el transistor debe ver para mxima transferencia de
potencia es 6.95 j12.41mmhos en consecuencia la admitancia de entrada del transistor debe
ser 6.95+j12.41mmhos.
Para la carga:
| |
mMhos j j j
g
YfYr
jb B
mMhos
g
Gsg
g
YfYr YfYr g g
G
i
o L
i
o
i
o i
L
84 . 1
8 * 2
37 . 5
5 . 1
2
) Im(
347 . 0
8
4 . 0 * 95 . 6
2
) Re( 2
2 2
=

+ = + =
= = =

=

Para mxima transferencia de potencia la admitancia de carga debe ser: 0.347-j1.84 mmhos,
luego la admitancia de salida del transistor debe ser el conjugado complejo: 0.347+j1.84
mmhos.

Fig. 5.12 Redes de entrada y de salida del ejemplo 5.1
Para el diseo de la red de acoplamiento de entrada se emplea la carta de Smith que se trabaja
con valores normalizados y para

.
Empleando N = 50, por tanto:

=50x(6.95-j12.41) mmhos = 0.34-j0.62 mhos

Esta admitancia normalizada es mostrada en la figura de la siguiente pgina. Obsrvese que la
impedancia correspondiente es Zs = 0.69 + j1.2 ohms. El circuito de acople de entrada debe
transformar la impedancia de fuente de 50O en la impedancia representada por Zs, se muestra
en la Fig. 5.13 que partiendo del punto A en la curva de la carta de Impedancia debe
interceptar la curva que parte que se origina en el punto C en la carta de admitancias.

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88


Fig. 5.13 Carta en la red de acople de entrada
En consecuencia se tiene una red de dos elementos que corresponden en la carta al camino
ms simple y conveniente por costos:
Arco AB = C en serie = - j1.3 O
Arco BC = L en paralelo = - j1.1 mhos
Valor de los componentes:
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89

nH
x wB
N
L
pF
x wXN
C
72
) 1 . 1 )( 10 100 ( 2
50
5 . 24
) 50 )( 3 . 1 )( 10 100 ( 2
1 1
6
1
6
1
= = =
= = =
t
t

El circuito correspondiente de la red de entrada y de salida se indica en la Fig. 5.14

Fig.5.14 Circuitos de acople de entrada de salida

4. Diseo de la red de acoplamiento de salida: con un procedimiento similar pero
empleando N=200 se normaliza Y
L
.
Y
L
=200(0.347-j1.84) mmhos = 0.069-j0.368 mhos
Z
L
= 0.495+j2.62O debe ser transformada a 50 O.
Escogiendo una red de 2 elementos, como se indica en la Fig. 5.15, se obtiene:
Arco AB = C en serie = -j1.9O
Arco BC = L en paralelo = -j0.89 mhos

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90


Fig. 5.15 Diseo de la red de acople de salida del ejercicio 5.1
nH
x
L
pF
x
C
358
) 89 . 0 )( 10 100 ( 2
200
18 . 4
) 200 )( 9 . 1 )( 10 100 ( 2
1
6
2
6
2
= =
= =
t
t

Diseo del circuito de polarizacin:
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91


Fig. 5.16 Circuito de Polarizacin del Ejemplo 5.1
a. Punto de trabajo: Ic=5mA V
CE
=10v Vcc = 20v |=50
b. Asumir V
E
=2.5v
c. I
E
~Ic=5mA |=50
d. Clculo de R
E

O = = =

500
10 5
5 . 2
3
x
v
I
V
R
E
E
E

e. Clculo de R
C
K
x
v v
Ic
Vc Vcc
Rc 5 . 1
10 5
) 5 . 2 10 ( 20
3
=
+
=

=


f. Clculo de I
B

mA
mA Ic
I
B
1 . 0
50
5
= = =
|

g. Clculo V
BB

v v v V V VBB
BE E
2 . 3 7 . 0 5 . 2 = + = + =

h. Asumir: I
BB
=1.5mA
i.
O = = =

2133
10 5 . 1
2 . 3
3
1
x
v
I
V
R
BB
BB

Clculo de R
1
:
Eligiendo: R1 = 2K
j. Conociendo Vco, V
BB
, I
BB
e I
B
Calcular R
2
:
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92

K K
x x I I
V Vcc
R
B BB
BB
12 25 . 11
10 6 . 1
8 . 17
10 ) 1 . 0 5 . 1 (
2 . 3 20
3 3
2
~ = =

=
+

=


7. Circuito final incluyendo la red de polarizacin

Fig.5.17 Circuito final del ejemplo 5.1
5.11 Diseo de amplificadores con transistor potencialmente inestable
Si C>1 el transistor es potencialmente es potencialmente inestable y puede oscilar. Si este es el
caso hay varias opciones que se pueden emplear:
1. Seleccionar un nuevo punto de polarizacin para el transistor
2. Unilateralizar neutralizar el transistor.
3. Seleccionar un desacoplamiento en la entrada y en la salida del transistor para reducir
la ganancia de la etapa.

Ejemplo: un transistor 2N5179 tiene los siguientes parmetros Y en 200MHz
Yi = 2.25 + j7.2 mmhos Yf = 40 j20 mmhos
Yo = 0.4 + j1.9 mmhos Yr = 0.05 j0.7 mmhos
Encuentre las admitancias de fuente y de carga que aseguren un diseo estable. Encuentre la
ganancia del amplificador.
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93

Solucin:
1. Clculo del factor C de estabilidad
| |
( )( )
( )( )
40 20 0.05 0.7
2.27 1
2 Re 2*2.25*0.4 Re 40 20 0.05 0.7

i o
j j YfYr
C
g g YfYr j j

= = = >
(


El dispositivo es potencialmente Inestable
2. De la hoja de datos del transistor 2N5179 se establece que la resistencia de fuente
ptima para mejor figura de ruido es 250O
1 1
4
250
Gs mmhos
Rs
= = =
O

3. Se escoge un factor de estabilidad de STERN K=3 para un adecuado margen de
seguridad.
( )( )
( ) | | ) 12 ( 35 . 31
) 4 . 0 )( 4 25 . 2 ( 2
3
Re
2
+
+ +
=
+ +
+ +
=
L L oc ic
G
YfcYrc Yrc Yfc
G g Gs g
K

Despejando de esta ecuacin G
L
G
L
= 4.24 mmhos
Tomando B
L
= -b
o
del transistor entonces B
L
= -j1.9 mmhos
Por tanto la admitancia de carga ser: Y
L
= 4.24 j1.9 mmhos
4. Clculo de la admitancia de entrada del transistor:
L L L
L
jB G Y
Y Yo
YrYf
Yi Yin =
+
=

(0.701 859 )(44.72 26.6 )
2.25 7.2 4.84 13.44
(0.4 1.9) (4.24 1.9)
o o
Yin j j mmhos
j j
Z Z
= + = +
+ +

Luego Bs = - j13.44 mmhos y Ys = 4.84 j13.44 mmhos

5. 12 Problemas propuestos:
5.12.1 Los parmetros y aproximados de un transistor npn en configuracin emisor comn,
trabajando en una frecuencia de 200 MHz, Vce = 10 volt., Ic = 2 mA, son:

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94

Suponer neutralizado el transistor con un condensador de realimentacin tal que:

a) Calcular los parmetros y compuestos.
b) El factor C de linvill para el transistor neutralizado.
c) Si Gs = 20 mmho y GL= - j 0.4 mmho, calcular el factor K de estabilidad de Stern.
5.12.2 Los parmetros y en milimhos de un transistor en Emisor-Comn con:
,

son:

a) Calcule el factor C de estabilidad y establezca criterio.
b) Unilateralice el transistor y calcule el valor de los componentes que realizan esta
operacin. Dibuje le transistor unilateralizado.
c) Determine los parmetros y compuestos (transistor unilateralizado).
d) Calcule la mxima ganancia disponible MAG del transistor unilateralizado.
5.12.3 Un amplificador de RF de pequea seal trabajando en

, emplea un
transistor en un montaje Emisor Comn,

, Tiene los siguientes

parmetros y en milimhos:

a) Calcule el factor C de estabilidad y establezca criterio.
b) Neutralice el transistor y determine los elementos que realizan esta operacin.
c) Dibuje el transistor con los elementos que llevan a cabo la neutralizacin.
d) Calcule los parmetros compuestos.
e) Calcule MAG (Mxima Ganancia Disponible) del transistor neutralizado.