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Electrnica Analgica II

e_mail: pablo.montejo@electrica.cujae.edu.cu
Centro de Investigaciones en Microelectrnica (CIME)
Facultad de Ingeniera Elctrica, CUJAE 10-11
Pablo Montejo Valds
Tema 2:
Amplificadores de seal grande
o de potencia
Distorsin de cruce.
Amplificador de Potencia Clase AB.
Efecto de Boostrap.
Anlisis esttico y dinmico.
Conclusiones.
Conferencia 5: Amplificadores Clase AB con simetra
complementaria y una sola batera.
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 1
Sumario
Bibliografa
Complementaria:
Notas de Clase.
Monografa: Amplificadores de Potencia.
Sitio Web: ftp://10.8.86.7/Docencia/Electrnica Analogica II
/Biomedica/EA2
Bsica:
Rashid H.,Muhammad. Circuitos Microelectrnicos,
Anlisis y Diseo, Tomo 2. (Pg.: 726-764)
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 2
Objetivos de la Conferencia

Conocer:
El amplificador de potencia Clase AB y sus
caractersticas.
Expresiones para el clculo de parmetros del
amplificador de potencia Clase AB.
Las configuraciones utilizadas para eliminar la
distorsin de cruce.
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 3
Recordando
Etapa de salida del Clase B :
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 4
Distorsin de cruce
1
t
BE
V
C
i
i
V
conduccin
V
2
t
t
t
1
t
2
t
o
V
t
1
t
2
t
Distorsin de cruce
por cero
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 5
Distorsin de cruce
Como eliminar la distorsin de cruce por cero del
amplificador Clase B ?
Aadiendo algn circuito que polarice los transistores de forma
que el punto de operacin este en la zona lineal.
Clase AB
C
I
CE
V
CQ
I
2
CC
CEQ
V
V =
BQ
I
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 6
Los diodos deben tener un
efecto de compensacin
(estabilidad con la temperatura) .
Amplificador de Potencia Clase AB
Configuracin con diodos:
Si:
BE D
T V V | + +

se mantiene constante las


corrientes de polarizacin.
Los diodos deben colocarse
cerca de los transistores.
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 7
Configuracin con
Multiplicador de :
BE
V
Vo
4 R
I
4 BQ
I
1 BQ
I
R
I
CE
V
A
V
4 BQ
I
4 R
I se desprecia al lado de
4
4
4
BEQ
R
V
I
R
=
2 1 4
4
3
4 4
1
EBQ BEQ CEQ
BEQ CEQ
V V V
R
R
V V
+ =
|
|
.
|

\
|
+ =
Amplificador de Potencia Clase AB
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 8
M
V
Polarizado con diodo
Amplificador de Potencia Clase AB
1
1
M
bmxQ
FEQ
I
I
h
=
M
I
1 bmxQ
I
D
I
Vs < 0 Vo > 0
3 3 3 . 1 .
2
CC
M CQ E EC sat be mx
V
V I R V V
+
=
2 . 3 3
2
CC
M eb mx CQ C
V
V V I R

=
Vs > 0 Vo < 0
M M
V V
+
>
Valor
grande de
resistencia
3 CQ
I
2 bmxQ
I
A
V
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 10
Amplificador de Potencia Clase AB
Capacitor de
Boostrap
Par
Complementario
Par complementario con Boostrap:
Vo < 0
b
C
se comporta como una
fuente interna.
"
3 3
2
b
CC
C CQ C
V
V I R =
Por
3
'
C
R
circula corriente
evitando que Q3 se corte.
'
3
2 .
C
b mx
R
I I >
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Efecto Boostrap
Ventajas del efecto Boostrap:
2) Incrementa la potencia efectiva que llega a la carga sin
distorsin y por tanto la eficiencia.
1) En el semiciclo negativo de Vo (para el caso del ejemplo
anterior), provee la corriente de excitacin necesaria al
transistor de salida Q2 para manejar seales grandes sin
distorsin, posibilitando que . Evita que Q3 se
corte y aparezca distorsin a la salida.
M M
V V
+
~
3) Incrementa la ganancia de voltaje del paso excitador Q
3
al
provocar una mayor.(Ver en la monografa )
3 . L equiv
R
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Anlisis esttico y dinmico.
Anlisis esttico:
0
i
V =
Cuando:
Se calculan los parmetros:
potencia disipada por cada
transistor.
parmetros del punto de operacin.
Q
1
-Q
2
(etapa de salida, Clase AB):

(Desprecio siempre )
1 1
.
CQ
I R
1 2
2
CC
CEQ CEQ
V
V V = =
1 2
1
CQ CQ
I I mA = =
( )
1 2
0.55
BEQ EBQ
V V V dato = =
para
1 2 1 1
.
CQ CQ CEQ CQ
P P V I = =
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2 2 2
3
' " ' "
3 3 3 3
2 2
CC CC
EBQ CQ EBQ
CQ
C C C C
V V
V I R V
I
R R R R

= ~
+ +
3 1 3
2
CC
CEQ BEQ CQ
V
V V I R =
Anlisis esttico y dinmico
Q
3
(etapa excitadora, Clase A, emisor comn):
Q
4
(multiplicador de , Clase A:
BE
V
4
4 3 1
4
BEQ
CQ CQ BQ
V
I I I
R
=
3
4 4
4
1
CEQ BEQ
R
V V
R
| |
= +
|
\ .
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 15
Anlisis dinmico: 0
i
V =
Cuando:
3 3 3 1
2
CC
m CQ EC sat be m
V
V I R V V I R
+ +
=
m m
m
L L
V V
I
R R R
+
+
= =
+
Sustituyendo:
m
I
+
3 3 3 1
2
1
CC
CQ EC sat be mx
m
L
V
I R V V
V
R
R
+

=
+
( )
( )
2
2
2 2 2
m
m L
m m
L
L
V
I R
V I
P
R
+
+
= = =
( )
2
1
2
100% 100%
m
L L
AB
CC
m
CC CQ
V
P R
x x
P
I
V I
q
t
+
+
= =
| |
+
|
\ .
Anlisis esttico y dinmico
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Clculo del disipador:
. . . J mx Amx JA Cmx
T T P u = +
. .
.
.
J mx Amx
JAcalc
Cmx
T T
P
u

=
( )
( )
2
. 1 1
2
4
CC
Cmx CEQ CQ
L
V
P V I
R R t
= +
+
( )
. . SA JAcalc JC CS
u u u u = +
. JAcalc JA fabricante
u u <
. . J calc J mx
T T >
Condiciones para
el uso del disipador.
Las dos condiciones
son vlidas.
Anlisis esttico y dinmico
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Conclusiones.
El amplificador de potencia Clase AB incorpora un circuito
que permite eliminar la distorsin de cruce que introduce
el Clase B.
El uso del capacitor de boostrap permite el incremento de la
potencia efectiva sin distorsin incrementando la ganancia del
paso excitador.
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 18
Estudio Individual
1) De la circuito mostrado:
a) Calcule q
AB
si V
CC
= 40V.
b) Calcule V
C5
en reposo, el valor de R1 y el valor de R4.
c) Analice si los transistores de potencia necesitan disipador, y si es as,
calcule su resistencia trmica.
d) Simule en Proteus el circuito y compruebe los resultados obtenidos, con
los de la simulacin.
Datos:
.
80, 10
FEmn CQ
h I mA = =
para
0.6 , 0.8 ,
BE bemx
V V V V = =
1 1
: Q Q
( ) ( ) ( )
0.3 , 30 / , 1.8 / , 0.5 /
cesat JA JC CS
V V C W C W C W u u u = = = =
o o o
3
: Q
.
0.65 , 0.2 , 180
BE cesat FE
V V V V h = = =
.
0.65 , 0.2 , 180
BE cesat FE
V V V V h = = =
4
: Q
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 19
Estudio Individual
Amplificadores de Potencia Electrnica Analgica II 20
Estudio Individual
2) Estudiar en la monografa la figura 6.19, y ver el anlisis de la
Lnea de carga dinmica en la caracterstica de salida de Q1.
Analizar como se obtienen las expresiones antes analizadas
en rgimen dinmico para el amplificador Clase AB.
m
I
m
V
CEQ
V
CE
V
C
I
1
L
m
R
=
m=
lcd
lce
CEQ
V
0 R =
CE sat
V
Q
CQ
I
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FIN de la
Conferencia 5
Autor Versin Original: Jorge Cabot Lpez.
Centro de Investigaciones en Microelectrnica (CIME)
Facultad de Ingeniera Elctrica

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