Estructura MOS

Cisneros Tafur M. Antonio sorensic@dragonjar.org 1 de noviembre de 2011

Resumen La estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de estado slido pues forma los transistores MOSFET, base de la electrnica o o digital actual. Pero, adems, es el pilar fundamental de los dispositivos de a carga acoplada, CCD, tan comunes en fotograf As mismo, funcionando a. como condensador es responsable de almacenar la carga correspondiente a los bits de las memorias dinmicas. a

Bsicamente, la estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) consiste a en un condensador, una de cuyas armaduras es metlica y llamaremos puerta a ; el dielctrico se forma con un xido del semiconductor del sustrato, y la otra e o armadura es un semiconductor, que llamaremos sustrato.

Capacidad MOS
En un condensador de capacidad C, aparece una carga Q, dada por la expresin: Q = C.V , donde V es la tensin entre armaduras. En el condensador o o MOS, la tensin entre la puerta y el sustrato hace que adquiera la carga Q, o que aparece a ambos lados del xido. Pero en el caso del semiconductor esto o signica que la concentracin de portadores bajo la puerta var en funcin de o a o la tensin aplicada a sta. Imaginemos que tenemos el sustrato de silicio tipo p, o e es decir, conteniendo un exceso de huecos. Lo conectamos a 0 V, y tenemos la puerta tambin conectada a 0 V. En estas condiciones, no existe una variacin e o en la concentracin de huecos. Cuando vamos aumentando la tensin de puerta, o o el condensador se va cargando, con carga positiva en la parte de la puerta y negativa en el sustrato que, en nuestro caso de semiconductor p, signica que el nmero de huecos va disminuyendo hasta alcanzar la carga correspondiente a la u tensin de puerta. Este modo de funcionamiento se llama deplexin, vaciamiento o o o empobrecimiento. Podemos continuar aumentando la tensin de puerta hasta o que ya no queden huecos en la banda de conduccin y el sustrato bajo la puerta o se vuelve aislante. Pero, si continuamos aumentando todav ms la tensin, el a a o 1

condensador MOS necesita ms carga, que los huecos ya no pueden proporcioa narle, por lo que aparecen electrones en la banda de conduccin, a pesar de ser o el sustrato tipo p. Este fenmeno se llama inversin y permite formar canales o o tipo n dentro de semiconductores p. Cuanto ms aumentamos la tensin, mayor a o carga introducimos y ms avanza la capa de inversin dentro del sustrato, con a o lo que la zona bajo la puerta se va haciendo cada vez ms conductora. Volvamos a a poner la puerta a 0 V y vayamos polarizndola con valores negativos. Ahora a la carga en el sustrato es positiva y el nmero de huecos aumenta, con lo que la u conductividad, tambin. Este modo de funcionamiento se llama de acumulacin e o o enriquecimiento, pues se aumenta el nmero de portadores. u

Cargas en el xido o
La descripcin anterior es terica y no se ajusta al caso real, debido a que o o durante el proceso de fabricacin diversas cargas quedan atrapadas en el xido o o que forma la estructura MOS. Esta carga es independiente de la tensin que o se aplique a la puerta, pero inuye sobre el comportamiento de la estructura, ya que se debe polarizar la puerta para compensar esta carga antes de que el condensador MOS se comporte como se ha descrito en el prrafo anterior. Estas a cargas han sido un quebradero de cabeza para los diseadores de circuitos inten grados MOS, pues var incontroladamente sus condiciones de funcionamiento. an En circuitos digitales, se suaviza el problema usando tensiones de alimentacin o elevadas, que se han ido reduciendo al poder controlar mejor la cantidad de carga atrapada. Modicando esta carga se var la tensin a la que se produce la a o inversin, de forma que se tiene estructuras que a cero voltios tienen resistencia o elevada, mientras que otras la tienen reducida.

Variaciones
Aunque el dixido de silicio es un buen dielctrico y se obtiene oxidando el o e sustrato, existen otras estructuras similares con otros aislantes, constituyendo la estructura MIS (Metal-Insulator-Semiconductor). Tambin puede haber varias e capas de dielctricos diferentes, como en el caso de las celdas MIOS. e