Amplificadores de Potencia

Savant, C.J at al; Diseo Electrnico.Addison Wesley iberoamericana Gray, P.R; Meyer, R.
G; Anlisis y diseo de circuitos integrados analgicos. Prentice Hall

1/22 J.D Aguilar/ D.Valero. Amplificadores de Potencia. Paraninfo
Savant, C.J at al; Diseo Electrnico.Addison Wesley iberoamericana Gray, P.R; Meyer, R.G; Anlisis y diseo de circuitos integrados analgicos. Prentice Hall Amplificadores de Potencia.J.D Aguilar/ D.Valero. Paraninfo
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TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA
4.1.- Introduccin Definicin: etapa de salida de un amplificador, cuyo objetivo es entregar la mxima potencia a la carga, con la mnima distorsin y con rendimiento mximo, sin mximo sobrepasar ni en las condiciones ms desfavorables de funcionamiento, los lmites mximos permitidos de disipacin de potencia de los elementos empleados. 4.2.- Clasificacin de los amplificadores Segn la frecuencia amplificar: de la seal a
de C.C.: entre 0 y algunos hercios. de Audiofrecuencia: 20Hz - 20KHz. de Radiofrecuencia: 20KHz - ?00 MHz. de Videofrecuencia: (de banda ancha), entre 30Hz y 15MHz.
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Segn el funcionamiento transistores de salida
de
los
Lineales: los transistores trabajan en zona lineal. De conmutacin: los transistores de salida trabajan en conmutacin (Off On). Segn el punto Q: CLASE A: Seal de salida circula A durante todo un ciclo de la entrada, incluso en ausencia de sta. CLASE B: Seal de salida circula B durante un semiciclo de la entrada. CLASE AB: la seal de salida circula < AB de un ciclo y > de un semiciclo de la entrada. CLASE C: Seal de salida circula C durante < de un semiciclo de la entrada. CLASE D: Los elementos de salida D trabajan en conmutacin. Se alcanzan 4/22 rendimientos prximos al 100%
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4.3.- Tipos de distorsin Definicin: Deformacin que sufre la seal de salida con respecto a la seal de entrada. Vamos a distinguir tres tipos de distorsin: Distorsin de Fase: Las componentes de una seal sufren distintos desplazamientos de fase a medida que van atravesando las etapas del amplificador, provocadas por los elementos capacitivos e inductivos que forman parte del sistema. Distorsin de Frecuencia: La ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las frecuencias (respuesta en frecuencia no plana), por lo que la seal plana de salida presentar deformaciones con respecto a la de entrada. Son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos. inductivos En general, stas distorsiones aparecen 7/22 conjuntamente en distors. fase y frecuencia.
Distorsin de amplitud: Aparecen por la alinealidad de los componentes de los amplificadores. La ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las amplitudes de la forma de onda de la seal de entrada, por lo que pueden aparecer amplificaciones o recortes desproporcionados en la seal de salida. En funcin de la seal de entrada: armnica: Para una seal de entrada senoidal pura, el amplificador aade frecuencias armnicas de la frecuencia de la seal de entrada, que se unen a sta, alterando su forma. intermodulacin: Cuando a la entrada de un amplificador aplicamos simultneamente dos seales de distinta frecuencia a la salida aparecen adems de stas, otras frecuencias no relacionadas armnicamente con ellas. Para dos seales de entrada (f1, f2), se obtienen a la salida seales: (f1, f2, 2f1, 2f2, ... nf1, ...nf2, f1+f2, ... n(f1+f2), f1-f2, 8/22 etc.).
Clculo de la distorsin armnica Teorema de Fourier: cualquier seal peridica puede descomponerse en un cierto nmero de seales sinusoidales cuyas amplitudes sumadas algebricamente dan como resultado la forma de onda de la seal peridica, con la particularidad de que la frecuencia de estas ondas sigue un orden armnico.
Vo(t) = VDC + V1cos( 0 t + 1 ) + Vn cos(n 0 t + n )

n =2
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VDC = valor medio o componente contnua de la seal de entrada. 0 = trmino de frecuencia fundamental, que correspondera con la respuesta deseada. Vn las dems componentes para N > 1 son los trminos que producen la distorsin. La falta de linealidad del circuito es:
d(t) = Vn cos(n 0 t + n )
n=2
Llamada distorsin armnica. armnica El valor eficaz vendr dado por la siguiente expresin:
1
VRMS
V2 V3 VN = + ... + + 2 2 2
2 2
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La distorsin armnica se mide en tanto por ciento y se define como:
V %THD = RMS 100 = V1 2
V2 V3 Vn + + ... + V V V 1 1 1
El factor armnico del n-simo mide la contribucin ideal armnico, y se define como:
armnico de cada
Vn HFn = V1
El factor de distorsin (DFn) indica la cantidad de distorsin armnica que queda en una forma de onda despus de que sta haya sido sometida a una atenuacin de segundo orden. Se define como:
1 DFn = V1
Vn n2 n = 2,3...
2
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V1 es el valor eficaz de la componente fundamental, Vn es el valor eficaz del componente armnico n-simo. El factor de distorsin de un componente armnico en particular viene dado por:
Vn DFn = 2 V1 n
Armnico de menor orden (LOH): Es el componente que no representa desfase respecto del fundamental y su amplitud es mayor o igual al 3% de la de ste. Estudio del armnico de menor orden mediante PsPice: Para obtener el listado de Fourier mediante Pspice, hacemos uso de la instruccin .four. Realizado el anlisis, el listado de las componentes se encontrar al final del archivo .out. En este archivo se reflejarn:
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Informacin correspondiente al nombre del archivo (.cir). Tipo de anlisis del parmetro indicado. Componente contnua que tiene la seal. Nmero de orden de cada armnico. Frecuencia de cada uno de los armnicos. Amplitud mxima de cada uno de los armnicos. Amplitud mxima normalizada o factor de distorsin de cada armnico. Fase de cada armnico con respecto al parmetro analizado. Fase de cada armnico normalizado con respecto al fundamental. (Se obtienen restndole la fase del fundamental a la columna ). Distorsin armnica total, empleando para el clculo los nueve armnicos que analiza.
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TEMA 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A
Clase A con acoplo directo a la carga

VCC R1 RL
Entrada R2
Recta de carga esttica = dinmica. dinmica Situaremos Q en el centro de stas rectas para que la excursin de la corriente de salida sea mxima. mxima Sin seal de entrada la disipacin de potencia en transistor es mxima
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VCEmx = VCC
I Cmx VCC = RL
VCEQ
VCEmx = 2
I Cmx = 2
I CQ = I mx
VCC VCEmx = RL = I Cmx I Cmx

La potencia de salida ser:
2 2 VCC R L VCC 2 = PL = I ef R L = 2 8 RL 8 RL
La potencia mxima disipada por el transistor ser:
PD = VCEQ I CQ
2 VCC = 4R L
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La potencia suministrada por la fuente de alimentacin ser:
PCC = VCC I CQ
El rendimiento ser:
2 VCC = 2R L
2 VCC 8R L PL = 2 = 0,25 = 25% = PCC VCC 2R L
Resumiendo:
PDMX = 2 PLMX PCC = 4 PLMX

Para obtener 4 vatios en la carga, debemos disear una fuente de 16 vatios y 18/22 elegir un transistor de 8 vatios.
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El valor de la corriente de colector con seal, viene determinada por la siguiente expresin:
i c (t) = I CQ + B0 + B1coswt + B 2 cos2wt + ...

Consideramos tres fases de excitacin: wt = 0, wt = /2 y wt = . wt = 0 wt = /2 wt = iC = Icmx iC = ICQ iC = ICmn
Y obtenemos finalmente: B0 = -0,025mA B1 = -0,62mA
B2 = -0,025mA Definimos el coeficiente de distorsin del armnico n mediante la expresin:
HFn = HD n =
Bn B1
HD 2 = 4%
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La potencia de salida debida al armnico fundamental viene dada por:

2 B1 R 'L 2 P1 = I ef R 'L = = 1.922 10 6 W 2
Vamos a definir el factor de distorsin o distorsin total (en %):

2 THD = HD 2 + HD 3 + HD 2 + ... 2 4
La potencia total de salida viene dada por la expresin:

2 2 2 B1 B1 + B2 + B3 + ... R 'L 2 2 PL = 2 = 1 + HD 2 + HD 3 + ... P1 2 B1 2
Para nuestro caso:
PL = (1 + D 2 ) P1 = 1.925 10 6 W
No cometemos demasiado error si consideramos como potencia total de salida la debida slo al armnico fundamental. 21/22
6.1.- Introduccin
La configuracin en contrafase o push-pull, se emplea en los casos en los que la potencia necesaria en la carga es superior a la que puede entregar un nico transistor. transistor Caractersticas: Empleo de dos transistores excitados con seales iguales, desfasadas 180. El primario del trafo de salida est recorrido por corrientes iguales y de sentido contrario en ausencia de seal alterna, el flujo resultante a travs del trafo = 0. La fuente de alimentacin no necesita filtrado riguroso. Se eliminan los armnicos pares, reducindose la distorsin. La potencia de salida es mayor que en el caso con un nico transistor.
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TEMA 6: AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CONTRAFASE
6.2.- Amplificador Clase A en contrafase Caractersticas y funcionamiento:
En reposo, la tensin base emisor de ambos transistores es igual. El amplificador se polariza en clase A mediante el divisor de tensin formado por las resistencias R1 y R2. La diferencia de potencial entre los extremos del primario del transformador de salida ser:
VAC = VA ( VC ) VAC = VA + VC
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Diseo: El diseo en contrafase en clase A es similar al ya estudiado con un nico transistor en clase A. El estudio es simtrico, por lo que el realizado para un transistor sirve igualmente para el otro, pudiendo deducirse la recta de carga dinmica compuesta.
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Distorsin: Suponemos que aplicamos una excitacin cosenoidal en las bases de los transistores, desfasada 180 una respecto de la otra. Las corrientes de colector tendrn la siguiente forma:
i c1 = I CQ + B0 + B1coswt + B 2 cos 2 wt + B3cos3wt + ...

i c2 = I CQ + B0 B1 cos wt + B 2 cos 2 wt B3 cos 3wt + ...
La corriente que circula por la carga ser:
N1 (ic1 ic 2 ) = iL = N2 N1 (B1 cos wt + B3 cos 3wt + B5 cos 5wt + ...) =2 N2

Qu ocurre en la amplitud de la seal y en los armnicos?
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6.3.- Amplificador Clase B en contrafase

Caractersticas y funcionamiento: El amplificador trabaja con polarizacin al corte. En corte ausencia de seal de entrada la prdida de potencia despreciable. Se obtienen potencias superiores a las conseguidas con la clase A, y los rendimientos pueden llegar al 78.5%. La principal desventaja es que tiene mayor distorsin que la clase A.
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supuesta Vmx = Vcc

2 Vmx I mx Vcc = PL = Vef I ef = 2 2 2R L
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La potencia suministrada y rendimiento por la fuente es: PL 2I V = = 78.5% PCC = 2I CC VCC = mx CC Pcc El rendimiento es bastante mayor que el de los amplificadores en clase A. Este valor procede de que no hay corriente si no hay excitacin, mientras que en clase A, la fuente de alimentacin entrega corriente incluso si la seal es cero. En clase B, la potencia disipada en el colector es cero en reposo y aumenta con la excitacin, mientras que el calentamiento de los colectores es mximo en reposo y disminuye conforme aumenta la seal.
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La potencia disipada en los transistores es:
PD(2 T) = PCC PL
Supuesta Vmx transforma en: = Vcc la expresin se
PD(2T)
2 Vcc (4 ) = R L 2
Potencia que disiparn los dos transistores cuando la potencia en la carga sea mxima. El valor de Vmx que hace que la potencia disipada en los transistores sea mxima es:
dPD =0 dVmx
Vmx
2 = Vcc
Resumiendo: la potencia disipada = 0 sin seal (Vmx = 0); conforme Vmx, y llega al mximo cuando Vmx = 0.636 Vcc. 32/22
El valor mximo de PDmx finalmente es:

PDmx(2T)
2 2Vcc = 2 = 0.4PLmx RL
PDmx(1T) = 0.2PLmx
La potencia mxima que puede entregarse a la carga se obtiene cuando Vmx = Vcc.
PLmx
2 Vcc = 2 R L
Para entregar 10W con un amplificador en contrafase clase B, la potencia mxima disipable PDmx = 4W: los transistores debern disipar cada uno 2W aproximadamente.
Podemos obtener una salida 5 veces la disipacin de potencia especificada para un slo transistor. Para obtener los 10W de potencia en clase A, con 1 transistor, ste deber disipar 20W, con 2 transistores en paralelo sern 10W. Sin excitacin, habra una prdida de 10W en cada transistor, mientras que en clase B la disipacin sin seal ser cero.
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Relacin de Potencias
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Si suprimimos una de las fuentes de alimentacin y aadimos un condensador de gran capacidad, la excursin mxima de salida se reduce a Vcc/2: /2
El condensador hace al circuito dependiente de la frecuencia. Conforme la frecuencia de la seal, la tensin en el condensador y disminuye en la carga, reduciendo la ganancia del amplificador. El punto de media potencia, o de 3 dB, especifica la potencia dB frecuencia ms baja de corte. Esta es la frecuencia que provoca una cada de 3 dB en la amplitud de salida. El punto est especificado por la expresin: 1 1 1 = RL = C1 = jC1 R L C1 2 f L R L
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El punto de media potencia, o de 3 dB, potencia dB especifica la frecuencia ms baja de corte. Esta es la frecuencia que provoca una cada de 3 dB en la amplitud de salida. El punto est especificado por la expresin:
RL = 1 jC1 = 1 R L C1
La impedancia del condensador con el de la frecuencia, por lo que el peor caso se produce a frecuencias bajas. Si suponemos que la frecuencia ms baja (frecuencia de corte) es fL, el valor para C ser:
1 C1 = 2 f L R L
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Ejemplo 6.1: Sea el amplificador clase B en contrafase de la figura. Cuando se excita con una seal Ve = A senwt, se pide: a.-) Potencia mxima de la seal de salida. b.-) Disipacin de potencia en cada transistor y rendimiento de la conversin de potencia para la condicin expresada en el apartado anterior. c.-) Mxima disipacin de potencia en los transistores y rendimiento de la conversin de potencia para estas condiciones. d.-) Sustituir la fuente doble simtrica por una sola fuente de alimentacin. Qu valor debe tener sta para obtener la misma potencia en la carga?. Datos: UC = 15V; RL = 4. Nota: Considerar comportamiento ideal del sistema.
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a.-)
PLtotal
U2 152 m = = = 28.125W 2RL 24

2 U C PLtotal = = 3.843W 2 R L
b.-) PD1T = Pcc1T PL1T
PLtotal = 100 = 78.53% Pcctotal

c.-)
2 UC PD1Tmx = 2 = 5.7 W RL PLtotal = 100 = 50% Pcctotal
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Distorsin: La principal fuente de distorsin es la debida a la alinealidad de las caractersticas de entrada de los transistores. Se conoce transistores como distorsin de cruce (crossover). Si crossover aplicamos una entrada senoidal a la entrada de un amplificador en contrafase clase B, no habr salida hasta que la entrada supere la tensin de umbral (V 0.5... 0.7V para el Si).
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Reduccin de la distorsin mediante realimentacin: Para ello, se introduce un lazo de realimentacin y un preamplificador con una gran ganancia en lazo abierto (A.O.). El circuito as configurado tiene una aplicacin fundamental en el caso de los servoamplificadores.
+56V R1 22k M1 +18V U2 input ein VOFF = 0 VAMPL = 0.495Vp FREQ = 100Hz 2 uA741 3 + R2 820 OS2 5 6 op_amp_out 1 R3 820 M2 IRF9140 R4 22k -56V output Rload 8 7 IRF150
V4
V+
OUT OS1
-fb Rf -18V 10k Ri 520
Sabras deducir y comentar porqu esta configuracin reduce la distorsin?
+18V V1 18V
-18V V2 -18V
+56V V3 +56V
-56V V4 -56V
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6.4.- Amplificador Clase AB en contrafase Caractersticas y funcionamiento:

La distorsin de cruce que se produce en clase B contrafase, se elimina si previamente polarizamos ligeramente los transistores la seal de entrada oscilar en torno a un nivel de polarizacin 0. Este modo de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de salida circular > ciclo y < de un ciclo completo. Se encuentra entre las clases A y B. B
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Diseo:
Se incorpora Cs para no emplear dos fuentes de alimentacin. Los diodos proporcionan la polarizacin a las bases de los transistores, adems de establilidad trmica frente a variaciones de temperatura. Estos diodos deben tener caractersticas similares a las del transistor y se deben montar en el mismo disipador. Con seal de entrada senoidal, durante el 1er semiciclo conduce T1. Cs se carga a Vcc/2. Durante el semiciclo negativo de la tensin, el Cs se descarga, alimentando al transistor T2. El inconveniente a la hora de evitar la distorsin de cruce es un pequeo consumo de potencia en ausencia de seal reduccin del rendimiento. rendimiento
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El diseo del amplificador requiere conocer la resistencia del diodo en directo (< 100 habitualmente). Tambin es importante que la corriente de polarizacin del diodo sea bastante grande para mantener los diodos en la zona lineal de su regin de polarizacin directa para todas las tensiones de entrada.
I D > i dp
idp = amplitud del componente de ca de la corriente del diodo.
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El cto equivalente en c.a. se muestra en la figura anterior, donde ib es la corriente en c.a. de la base del transistor y es la tensin en c.a. a travs de la carga RL + jXCS, a baja frecuencia. La corriente a travs del diodo (ID) es:
VCC 0.7 ID = 2 R2
La seal de corriente de pico a travs del diodo en direccin inversa, es: inversa
idp = ibp + iR2p = ibp +
Lp
R2
Igualando ID con idp, se encuentra la condicin de lmite de operacin del diodo en polarizacin directa. Consideramos R1 = R2. Finalmente:
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Finalmente:
VCC 0.7 vLp R2 = 2 i bp
Por tanto el valor de
Lp
= R L i bp = R L i Cp
La resistencia de entrada se determina del cto equivalente para la condicin de ZL = RL a frecuencias medias del amplificador, donde XC1 = 0. Ntese que RL se refleja como RL. El diodo tiene una resistencia en directo, Rf, y otra inversa, Rr.
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La resistencia de entrada la determinamos a partir de la figura anterior.
R en = (R f + R 2 )
[R + (R
f
R L )]
Finalmente, la ganancia de intensidad es:
vL v D1 = R f i bp + R2
v D1 + v L vL i en = + i bp + Rf + R2 R2
i D2
v D1 + v L = Rf + R2
ib Ai = i en
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Un mtodo alternativo, menos riguroso que alternativo el anterior es el siguiente: CS ser de gran capacidad, de forma que su reactancia es despreciable a las frecuencias de trabajo en las que nosotros lo vamos a usar. La potencia de salida viene dada por:
2 I mx Vmx VCC PL = Vef I ef = = 2 2R L
La mxima potencia disipada por los transistores (PDmx):
PDmx(1T) 0.2PL
Para la determinacin del punto de trabajo nos basamos en el concepto de espejo de corriente, cuya conclusin es que las corriente corrientes a travs de la resistencia R1 y de colector son equivalentes: IR1 IC.
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Como sabemos, VCEQ = VCC / 2
I CQ =
VCEQ VBE R1
La potencia suministrada por la fuente viene dada por la expresin:
PCC = VCC I CC
I CC I Cmx =
I Cmx VCC = 2 RL
El rendimiento terico viene dado por la expresin:
PL = = 78.5% PCC
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Para determinar el rendimiento real, real cuantificaremos las prdidas en un 20% de la potencia terica calculada. La fuente deber suministrar una potencia real dada por la expresin:
PCC(real) = PCC(teorica) + 20%PCC(terica)

6.5.- Servoamplificadores Introduccin:
Es la etapa de potencia encargada de actuar sobre un servomotor efectuando control de velocidad o posicin. Bsicamente hay dos tipos: lineales (los transistores bipolares trabajan en la zona lineal) y PWM (los transistores bipolares o Mosfet trabaja en conmutacin).
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El amplificador en clase B presenta el problema de la distorsin de cruce, lo que produce que el giro del motor no sea uniforme, por lo que se hace necesario configurar la entrada en clase AB.
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Servoamplificador corriente:
controlado
por
Hay aplicaciones en las que interesa que la corriente que circula por el motor est controlada directamente por la seal de entrada, porque el par desarrollado en el motor es el factor principal en la creacin del giro. Este par viene dado por:
m = KT im
donde: m = par instantneo im = corriente por el motor KT = constante del par del motor El control de la corriente se realiza introduciendo un detector de corriente y un A.O. como veremos en la figura de la pgina siguiente. Rs se emplea para detectar la intensidad. El A.O. est configurado en modo inversor, siendo su ganancia en tensin determinada por la expresin:
R2 vs = vi R1
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donde vs = im Rs. Finalmente, la corriente que circula por el motor, en funcin de la tensin de entrada es:
R2 im = vi R1 R s
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Amplificador PWM controlado por tensin: En la figura podemos apreciar el principio en el que se basa el control por tensin de amplificadores PWM. PWM
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El comparador tiene dos entradas. A la entrada positiva (+) se aplica la tensin de control y a la entrada negativa (-), la seal triangular. La seal a la salida del comparador ser una relacin entre las dos seales de entrada.
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6.6.- Protecciones sidades.
contra
sobreinten-
Consiste en proteger a los transistores frente a posibles cortocircuitos accidentales Limitacin por corriente constante: Es empleado con niveles bajos de corriente. Si se produce un circuito accidental (RL = 0 ) y est conduciendo T4, la cada de tensin en la resistencia de emisor aumentar conduccin de T3, que absorber parte de la corriente de la base de T4. Esto provoca que disminuya la tensin de salida y por lo tanto una limitacin de la corriente total suministrada a la carga. T5 es protegido por T1 en conexin con T2. La caracterstica tensin corriente de salida se muestra en la figura
VBE RE = ISC
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donde ISC es la corriente de cortocircuito. El principal inconveniente es que en caso de cortocircuito, la potencia que debe disipar el transistor de salida es muy elevada al estar aplicada en l toda la tensin de entrada y circular la mxima corriente de cortocircuito. En la eleccin del transistor debemos tener en cuenta este valor de potencia, para no superar las limitaciones de la curva SOA. El valor viene dado por:
PD = (VCC VBE ) ISC

Limitacin (foldback): de corriente regresiva
Se limita el valor de la corriente de cortocircuito a un valor inferior al de la mxima corriente permitida. El funcionamiento es similar al de limitacin de corriente constante.
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Vamos a determinar la corriente mxima (Imx).
VR3 = Vsal + VBE

V1 VR3 = R 3 R2 + R3
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V1 = Vsal + I mx R E
Sustituyendo y despejando:
I mx
(R 2 + R 3 )VR3 Vsal =
R ER3 RE
Si llamamos M al factor de realimentacin del divisor de tensin formado por R2 R3, vemos que su valor es:
R3 M= R2 + R3
Relacionando las expresiones anteriores:
I mx = ISC
(1 M ) Vsal +
M RE
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El valor de la corriente de cortocircuito viene dada por:
ISC
VBE = M RE
La resistencia de emisor ser:
ISC RE = Vsal I mx 1 + V I BE SC
La potencia disipada en los transistores de salida es menor que en el caso del apartado anterior:
Vsal
PD = (VCC Vsal V1 ) ISC

donde:
RE V1 = ISC
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En la figura podemos ver la caracterstica de salida en la que observamos que la corriente de cortocircuito es menor que la mxima que proporciona el circuito: circuito
En la figura siguiente se aprecian los puntos de funcionamiento cuando se usa este mtodo de limitacin. Como la mxima potencia se disipa durante el cortocircuito, y en este caso es menor que la que puede entregar la fuente, el aprovechamiento del rea de funcionamiento seguro (SOA) es mayor, lo que permite la utilizacin de transistores de salida ms pequeos.
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Ejemplo
Gray, P.R; Meyer, R.G; Anlisis y diseo de circuitos integrados analgicos. Prentice Hall
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71/22
Ejemplo
72/22
Ejemplo
73/22
Ejemplo
74/22
Ejemplo
75/22
Ejemplo
76/22
77/22
Ejemplo propuesto
78/22
Ejemplo propuesto
79/22
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Amplificadores de Potencia

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TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Segn el funcionamiento transistores de salida

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Vo(t) = VDC + V1cos( 0 t + 1 ) + Vn cos(n 0 t + n )

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

La distorsin armnica se mide en tanto por ciento y se define como:

V %THD = RMS 100 = V1 2

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

TEMA 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A

Clase A con acoplo directo a la carga

TEMA 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A

VCC VCEmx = RL = I Cmx I Cmx

La potencia mxima disipada por el transistor ser:

TEMA 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A

La potencia suministrada por la fuente de alimentacin ser:

2 VCC 8R L PL = 2 = 0,25 = 25% = PCC VCC 2R L

PDMX = 2 PLMX PCC = 4 PLMX

TEMA 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A

TEMA 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A

i c (t) = I CQ + B0 + B1coswt + B 2 cos2wt + ...

Y obtenemos finalmente: B0 = -0,025mA B1 = -0,62mA

B2 = -0,025mA Definimos el coeficiente de distorsin del armnico n mediante la expresin:

TEMA 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A

La potencia de salida debida al armnico fundamental viene dada por:

Vamos a definir el factor de distorsin o distorsin total (en %):

La potencia total de salida viene dada por la expresin:

Para nuestro caso:

TEMA 6: AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CONTRAFASE

6.2.- Amplificador Clase A en contrafase Caractersticas y funcionamiento:

TEMA 6: AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CONTRAFASE

TEMA 6: AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CONTRAFASE

i c1 = I CQ + B0 + B1coswt + B 2 cos 2 wt + B3cos3wt + ...

La corriente que circula por la carga ser:

N1 (ic1 ic 2 ) = iL = N2 N1 (B1 cos wt + B3 cos 3wt + B5 cos 5wt + ...) =2 N2

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6.3.- Amplificador Clase B en contrafase

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supuesta Vmx = Vcc

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La potencia disipada en los transistores es:

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El valor mximo de PDmx finalmente es:

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U2 152 m = = = 28.125W 2RL 24

b.-) PD1T = Pcc1T PL1T

PLtotal = 100 = 78.53% Pcctotal

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