THSE

Prpare au Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes du CNRS En vue de lobtention du Doctorat de lInstitut National des Sciences Appliques de Toulouse Spcialit: Conception des Circuits Microlectroniques et Microsystmes par

BENOIT TORBIERO

Dveloppement de microcapteurs lectrochimiques pour lanalyse en phase liquide.

Soutenance le 21 novembre 2006 devant le jury

Rapporteurs Examinateurs

Jean-Luc SEGUIN Tayeb MOHAMMED-BRAHIM Jean-Marie DILHAC Pierre GROS Augustin MARTINEZ Pierre TEMPLE-BOYER

Directeur de thse

Table des matires

Introduction gnrale 5

Partie I : Etat de lart 9

Introduction ... 10 Chapitre I : Principe, thorie et mthode de base de llectrochimie ... 13 I. Interface lectrolyte solide ... 14 II. Courant dans un lectrolyte 15 III. Transfert et transport de matire ... 17 IV. Voltampromtrie . 19 IV.1. Systme rapide .. 19 IV.2. Systme lent .. 20 IV.3. Systme quasi-rapide 20 V. Voltampromtrie cyclique 21 VI. Mthode exprimentale gnralement utilise .. 22 VI. Spectroscopie dimpdance ... 23 Chapitre II : Les capteurs chimiques en phase liquide .. 27 I. Principe de fonctionnement des ChemFETs .... 28 II. Principe physico-chimique de dtection . 29 III. Dtermination du potentiel chimique 30 III.1 Etude de linterface solide-lectrolyte ... 30 III.2. Interface Electrolyte/Isolant/Silicium (EIS) . 33 IV. Dtection du pH 36 V. Principe de mesure . 37 Chapitre III : Intgration des polymres .... 39 I. Introduction .. 40 II. Dfinition 41 III. Dpts .... 44 IV. Accroches .. 46 V. Encapsulation . 49 VI. Intgration des matriaux sensibles .. 52 Conclusion ...... 53 Rfrences bibliographiques 55

Table des matires

Partie II : Ralisations et rsultats ..... 61

Chapitre I : Dveloppement technologique des microcapteurs chimiques ......... 63 Introduction . 64 I. Dveloppement de microdispositifs gnriques .. 64 I.1. Conception et ralisation de ChemFETs . 64 I.1.1. Objectif .. 64 I.1.2. Fabrication des ChemFETs ... 65 I.1.2.1 Description du procd technologique . 65 I.1.2.2. Rsum de la fabrication des ChemFETs ... 78 I.2. Conception et ralisation de microlectrodes .. 80 I.2.1 Objectif ... 80 I.2.2. Fabrication des microlectrodes 80 II. Adaptation des capteurs en fonction de lapplication . 87 II.1 Ralisation de microcuves en PDMS .. 87 II.1.1. Prsentation du polydimthylsiloxane (PDMS) ... 87 II.1.1.1. Caractristiques chimiques 87 II.1.1.2. Domaines dapplications du PDMS ... 88 II.1.2. Conception de cuves en PDMS sans micro-canaux . 90 II.1.2.1. Ralisation des cuves . 90 II.1.2.2 Rticulation, collage, dmoulage et assemblage du PDMS 92 II.1.2.3. Avantages et inconvnients du procd ..... 93 II.1.3. Conception de cuves en PDMS avec micro-canaux 93 II.1.3.1. Ralisation des cuves .... 93 II.1.3.2. Ralisation des moules .. 94 II.1.3.3. Traitement de surface anti-adhsion .... 100 II.1.4. Conclusion ..... 100 II.2. Dpt des couches sensibles 101 II.2.1 Dpt la microgoutte ... 101 II.2.2. Procd de fabrication collective ... 103 II.2.3. Etude du dpt de PSX la tournette 106 II.2.3.1. Effet du temps dinsolation ...... 106 II.2.3.2. Effet de la vitesse de rotation de la tournette ... 108 II.2.4. Influence de lajout dionophore 115

Table des matires II.2.5. Conclusion . 116

Chapitre II : Caractrisations lectriques et chimiques .. 117 Introduction ... 118 I. Etude des ChemFETs . 118 I.1. Bancs de mesure 118 I.2. Prparation des chantillons .. 124 I.3. Caractrisation des MOSFETs .. 127 I.4. Caractrisation des pH-ISFETs . 128 I.4.1 Caractristique de fonctionnement ... 128 I.4.2 Drive temporelle . 129 I.4.3 Dtection du pH 129 I.4.4 Effet des ions potassium et sodium .. 132 I.5. Caractrisation des pK-ISFETs . 134 I.5.1 Dtection du potassium .... 134 I.5.2 Leffet du pH 135 I.6. Caractrisation des pNH4-ISFETs . 136 I.7. Caractrisation des pH-ISFETs en microvolume .. 137 I.7.1 Principe de mesure biologique . 137 I.7.2 Mesure du pH en microvolume 140 I.7.3 Dtection bactrienne ... 141 I.8. Conclusion ..... 144 II. Etude des microlectrodes 145 II.1. Bancs de mesure ... 145 II.2. Caractrisation des microlectrodes dor . 146 II.2.1 Caractrisation de llectrolyte .. 146 II.2.2 Choix de llectrode de rfrence ... 153 II.2.3 Effet de la tension de polarisation ... 156 II.2.4 Effet de la vitesse de balayage 157 II.2.5 Drive temporelle 158 II.2.6 Effet du travail en microvolume . 159 II.3. Caractrisation des microlectrodes or-PSX* .. 160 II.4. Conclusion .... 164 II.5. Autres caractrisations des microlectrodes 164 3

Table des matires II.5.1 Dtection dions lourds ... 164 II.5.2 Dtection du paludisme ... 166 II.5.3 Conclusion ...... 168 Conclusion . 168 Rfrences bibliographiques ..170

Conclusion gnrale .... 173 Annexe ........ 177

Introduction gnrale

Introduction gnrale
Les instruments classiques danalyse pour la dtection dune espce (bio)chimique sont gnralement complexes, coteux, volumineux et souvent difficiles mettre en uvre. De plus, les phases de prparation des chantillons, dincubation, et dexploitation des rsultats augmentent souvent trs fortement la dure totale danalyse. Depuis une trentaine dannes, ils font face lavnement des capteurs chimiques appels plus couramment microcapteurs [1]. Ceux-ci sont des dispositifs souvent simples et compacts transformant le signal (bio)chimique en un signal lectrique facilement exploitable. Ils sont pour la plupart issus des techniques de la microlectronique. Ils sont en gnral constitus dune partie slective (couche sensible), et dun systme transducteur transformant en signal lectrique les modifications physicochimiques induites par les interactions se produisant dans la couche sensible. Ils disposent aussi dun environnement dexploitation qui permet notamment le traitement lectrique des signaux. Ces dernires annes, le domaine des microcapteurs a connu un dveloppement remarquable sous la pression de trois facteurs principaux: le besoin en capteurs fiables quentrane la croissante svrit des normes dans les domaines tels que lenvironnement, la sant, lagroalimentaire, . la gnralisation de lautomatisation dans le gnie des procds; la recherche du moindre cot dans le domaine de lanalyse biomdicale ou environnementale. Lutilisation des techniques de la microlectronique dans le domaine des microcapteurs permet en particulier denvisager des productions massives faible cot. Ainsi a vu le jour la ralisation de diffrents types de microcapteurs tels que les microlectrodes, les microleviers, les transistors chimiques effet de champ, les microbalances quartz, Cependant, lintense activit de recherche na induit ce jour que peu de ralisations commerciales. Une des raisons du peu de commercialisation de ces capteurs est la svrit des contraintes de la fonctionnalisation dun transducteur par une molcule spcifique. Mais les dernires barrires qui empchent un dveloppement commercial gnralis des

Introduction gnrale microcapteurs ne vont certainement pas manquer de scrouler sous la forte pression que constitue lattrait dun quipement danalyse de taille rduite, permettant des tests simples et rapides, et ncessitant une prparation limite des chantillons. Le but de ce travail a t de dvelopper deux types de microcapteurs: les ChemFETs et les microlectrodes. Ce travail a t galement consacr lapport des polymres dans les microcapteurs sous deux aspects : lencapsulation travers la ralisation de microcuves, microcanaux et microcavits et lintgration de couches ionosensibles. Dans les annes 70, Bergveld a prsent le principe de mesure de la concentration des quantits chimiques prsentes dans une solution avec un dispositif lectronique, appel ChemFET (chemical Field Effect Transistor) [2]. Les avantages de ce composant par rapport aux grosses lectrodes de mesure de pH en verre (la mthode la plus couramment utilise pour la mesure du pH) sont la taille trs petite, la rapidit de rponse, la possibilit de production en volume lev, le bon rapport signal sur bruit, et enfin la possibilit dintgration de llectronique ensemble avec le capteur sur la mme puce. Nous retrouvons la plupart de ces avantages avec les microlectrodes qui sont elles aussi issues de la fabrication de la microlectronique. Leur simplicit de ralisation en fait des capteurs jetables trs concurrentiels. Lutilisation des lectrodes pour lanalyse et le traitement physicochimique en milieu liquide a t parmi les premires tre utilises dans le milieu industriel. La diminution en taille des lectrodes classiques en verre a atteint ses limites. Ainsi de nouvelles lectrodes de plus petites dimensions (microlectrodes) ont t dveloppes en utilisant les technologies issues de la microlectronique et les technologies polymres. Lutilisation des polymres dans la microlectronique est plus rcente (fin des annes 70) avec la ralisation des premiers systmes microfluidiques [3,4]. Ainsi, des laboratoires sur puces (lab on chips) ont vu le jour permettant dacheminer et de mlanger plusieurs petites quantits de liquides sur des zones prcises afin quelles soient analyses par des microcapteurs intgrs. Les polymres ont galement t utiliss comme couches sensibles en utilisant directement certaines de leurs proprits chimiques ou indirectement comme supports matriciels pour des agents actifs. 6

Introduction gnrale

Dans une premire partie nous ferons un tat de lart sur les capteurs lectrochimiques et les polymres qui y sont associs. Tout dabord, nous prsenterons dans un premier chapitre les principes fondamentaux de llectrochimie, travers les principales ractions se produisant aux interfaces. Nous aborderons galement les diffrentes mthodes de caractrisation des lectrodes. Puis, dans un deuxime chapitre nous approfondirons la thorie sur le fonctionnement des ChemFETs. Nous exposerons galement les principes de mesure lis ce type de capteurs chimiques. Ensuite, travers un troisime chapitre, nous prsenterons les polymres ainsi que leurs utilisations dans les capteurs chimiques en phase liquide. Nous verrons comment les polymres ont pu tre adapts pour encapsuler ou pour raliser des couches sensibles. Dans une deuxime partie, nous prsenterons les ralisations technologiques ainsi que les rsultats que nous avons obtenus. Dans le premier chapitre, nous montrerons les diffrentes tapes de fabrication des ChemFETs puis des microlectrodes avec les diffrentes optimisations effectues. Ensuite, nous prsenterons les diffrentes mthodes utilises pour la ralisation et pour le report des microcuves en polymre. Puis, nous exposerons les moyens employs pour le dpt des couches sensibles en polymre. Enfin, nous approfondirons ltude du dpt la tournette avec une analyse thorique de celui-ci. Dans le deuxime chapitre, nous prsenterons les rsultats que nous avons obtenus avec les diffrents capteurs en milieu ionique, bactrien et sanguin ainsi que les diffrents bancs de mesure utiliss pour les caractrisations.

Introduction gnrale

Rfrences bibliographiques
[1] L.C.Clark, C.Lyons Electrode systems for continuous monitoring in cardiovascular surgery, Ann. N.Y. Acad. Sci. 102, 1962, Pages 29-45 [2] P.Bergveld Development of an Ion-Sensitive solid-state device for Neurophysiological Measurements, IEEE Trans.Biomed. Eng., BME-17, 1970, Pages 70-71. [3] N.Giordano and J- T.Cheng. Microfluid mechanics : progress and opportunities J.Phys. : Condens. Matter, 13, 2001, Pages 271 295 [4] Darwin R.Reyes, Dimitri Iossifidis, Pierre-Alain Auroux, and Andreas Manz Micro total analysis systems 1. introduction, theory, and technology Anal. Chem., 74, 2002, Pages 2623

Partie I

PARTIE I Etat de lart

Partie I

Introduction :
Il existe de nombreuses familles de capteurs chimiques pour lanalyse en phase liquide. Chacune delles ayant des modes danalyse spcifiques et adapts au milieu tudier. Dtection optique : Lutilisation des transducteurs optiques est de plus en plus rpandue notamment pour les analyses en milieux biologiques. Deux types de dtection sont utiliss, une invasive via les fibres optiques, lautre non invasive via les dtecteurs optiques, les photodiodes et les camras (traitement de limage). Les fibres optiques, grce leurs faibles poids, leurs petites dimensions et leurs insensibilits aux interfrences lectromagntiques mais galement leurs possibilits deffectuer des mesures dans les endroits difficilement accessibles, sont des capteurs qui ont pris une place importante. Tous ces capteurs sont devenus depuis quelques annes trs concurrentiels grce au dveloppement intensif des fibres optiques et la banalisation des dtecteurs optiques. La dtection est ralise par les changements des proprits optiques (Fluorescence, rflexion, radiomarquage, absorption, rsonnance de plasmons de surface SPR, ) en solution ou en prsence de couches sensibles [1, 2]. De nombreuses espces (bio)chimiques et biologiques peuvent tre mesures avec ces types de dtection (pH, pCO2, glucose, bactries, cations des mtaux, ). Cependant, ce type de capteurs reste souvent couteux, non jetable et difficilement transportable. De plus, ils sont perturbs par la lumire naturelle. Dtection mcanique : Avec le dveloppement des microsystmes, de nombreuses investigations sont apparues rcemment notamment pour les dtecteurs mcaniques. En effet, avec la rduction en taille, la sensibilit de ces capteurs sest nettement amliore, car le rapport surface/volume augmentant, les phnomnes situs en surface ont tendance devenir prpondrants. Plusieurs types de dtecteurs existent tels que les capteurs thermomtriques, les dtecteurs onde de surface, les microbalances ou encore les microleviers [3]. Les transducteurs thermomtriques sont peu utiliss du fait quils sont limits aux analyses en milieu ractionnel produisant des variations thermiques. Ces capteurs calorimtriques tels que les thermistances permettent de quantifier, la variation de temprature lors dune raction biomtabolique. Les capteurs

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Partie I ondes de surface utilisent des ondes acoustiques de surface progressives [4] (SAW Surface Acoustic Wave). Ces capteurs sont constitus de deux paires dlectrodes interdigites spares par un matriau sensible. Une des paires dlectrodes exige un matriau pizolectrique crant une onde de surface (par exemple de Rayleigh ou de Love). Cette onde se propage la surface, elle est ensuite dtecte par lautre paire dlectrode interdigite. Cette technique est trs employe pour raliser des filtres hautes frquences utiles en traitement du signal, pour la tlvision ou la tlphonie mobile par exemple. Dans le cadre des capteurs, on regardera comment la propagation de londe de surface sera attnue selon des paramtres sensibles aux caractristiques mcaniques de la surface, entre autres la masse ajoute sur cette surface de propagation. Du fait des frquences trs leves des ondes (30500MHz), lutilisation en milieu liquide est compromise par labsorption considrable de londe par le liquide. Les microbalances quartz sont constitues dune fine pastille de quelques millimtres dpaisseur et de quelques centimtres de diamtre dun matriau pizolectrique. En mettant en vibration le quartz dans son premier mode de vibration transversal, sa frquence de rsonance tant comprise entre 5 et 25 MHz et du fait un excellent facteur de qualit aux alentours de 105, la frquence est trs sensible la masse totale en vibration. Ainsi, en ajoutant la surface dun tel quartz une couche sensible, et en ralisant un suivi de cette frquence de rsonance lors de la raction, on peut avoir accs une variation de masse. Notons quil nest pas ais dappliquer cette mthode en milieu liquide du fait de la forte sensibilit du facteur de qualit la viscosit du fluide, mais des amliorations techniques rcentes permettent dobtenir de bons rsultats [5]. Les microleviers sont utiliss suivant deux modes de dtection en dformation statique [6] en suivant par exemple les variations dune pizorsistance intgr dans le microlevier ou en mode rsonance en suivant la variation de la frquence de rsonance [7]. Ce type de capteur est trs sensible (jusqu' des concentrations de 10-18 mole) et donc peu appropri pour nos applications. Dtection lectrochimique : Les capteurs lectrochimiques oprent dans les milieux liquides et gazeux de manire continue. Nous pouvons les classifier selon leur mode de transduction : potentiomtrique, ampromtrique ou impdancemtrique [8, 9]. Les capteurs impdancemtriques sont surtout bass sur la mesure de la conductivit ou de la capacit entre deux lectrodes interdigites. La conductivit dune solution peut tre mesure car celle-ci dpendant de la concentration en ions. Il est aussi possible de mesurer une conductivit de surface entre lectrodes en ayant dpos une couche sensible la surface des lectrodes. Lorsque lespce dtecter a t 11

Partie I pige par la couche sensible, limpdance lectrique de cette couche sen trouve modifie. Les capteurs ampromtriques mesurent le courant issu de llectrolyse dune espce lectroactive en analysant les variations du courant autour dun potentiel donn [10]. Le courant est directement reli la concentration dans la solution des espces lectro-actives ou leur vitesse de production. Les ractions choisies sont souvent telles que les courants mesurs dpendent de la concentration des espces analyser, des proprits des matriaux, de la gomtrie des lectrodes et des mcanismes de transport des espces en solution (migration, convection, diffusion) [11]. Ces capteurs ont une bonne sensibilit et un temps de rponse assez rapide. Les plus populaires et les plus anciens des capteurs potentiomtriques sont les lectrodes ionosensibles (EIS) [12, 13]. Elles mesurent la diffrence de potentiel entre deux lectrodes qui se dveloppe travers une membrane sensible. Ce potentiel est proportionnel la concentration de lespce dtecter. Ces EIS balayent un grand domaine dapplications avec une large gamme de dtection. Nanmoins, elles sont fragiles, peu intgrables, relativement chres et ont besoin dune maintenance rgulire. Un autre capteur potentiomtrique, les ChemFETs (Chemical Field Effet Transistor) base de transistor MOS avec une grille mtallique isole a t propose par P.Bergveld dans les annes 70 [14]. Ce type de capteur remporte un grand succs dans diverses applications comme la biologie avec les BioFETs (biological FET), les ImmunoFETs, les EnFETs (Enzyme FET), ou encore pour la dtection des ions avec les ISFETs. Le principe de dtection est bas sur la variation du potentiel grille source (Vgs) pour un courant drain source (Ids) donn. Ce potentiel (Vgs) varie en fonction de la concentration de lespce dtecter grce la couche sensible dpose sur la grille du transistor. Les principaux atouts de ces capteurs chimiques ChemFETs sont leur compatibilit avec les microtechnologies, donc la possibilit de production de masse faible cot, leur simplicit dutilisation, leurs faibles dimensions et leur caractre gnrique.

12

Partie I

CHAPITRE I Principe, thorie et mthode de base de llectrochimie

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Partie I Dans ce premier chapitre, nous nous appuierons sur les ouvrages de synthses de B. Trmillon et F. Bedioui [15, 16, 17] qui donnent dans les diffrents domaines particuliers de llectrochimie : les bases thoriques et les mthodes danalyse.

I. Interface lectrolyte solide

Dans tous processus lectrochimiques, on relve plusieurs types de phnomnes associs un transfert de charge lectrique aux interfaces formes par la mise en contact dlectrodes (conduction lectronique) et dun lectrolyte (conduction ionique). Lors de ce transfert de charge, on assiste une transformation chimique : loxydorduction. Ces ractions doxydation et de rduction obissent au schma ractionnel suivant : Ox + n.e Red Oxydation Comme illustr par la figure I.1. Le potentiel dquilibre de la solution est dfini par la loi de Nernst : Eeq = E 0 +
sol sol cOx cOx RT kT . ln sol = E 0 + . ln sol nF nq c Re d c Re d

Rduction

(1)

Avec E0 constante appele potentiel standard apparent (thermodynamique) caractristique du systme considr, F constante de Faraday (9,65.104 C/mol), n nombre dlectron, R constante des gaz parfaits (8,31 J/K/mol), T temprature absolue, C sol et C sol d OX Re les concentrations des espces Ox et Red en solution.

Ox eCathode Red Figure I-1 : raction doxydorduction et transport du courant dans une chaine lectrochimique. Le potentiel dquilibre nest mesurable que lorsque le courant I dans la solution est nul. Ds lors quil existe un courant dans la solution, le potentiel E Eeq et le systme Ox/Red devient complet. eAnode

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Partie I

II. Courant dans un lectrolyte

Aprs avoir mentionn les expressions gnrales partir desquelles le courant est calcul, nous donnerons la relation de Butler-Volmer qui est reprise dans tous les traits de llectrochimie. Cette relation tient compte des constantes de vitesse, de transfert de charge et de lactivit faradique. Enfin, en nous plaant dans le cas de nos expriences, nous rappellerons les simplifications permettant daboutir la relation de Tafel et lexpression de la rsistance de transfert de charge. Dans le cas gnral, pour tout systme Ox + ne Red, les ractions lectrochimiques reliant les nombres de mole NOx ou NRed produites ou consommes aux lectrodes la charge lectrique totale Q transfre travers linterface lectrode/solution sont donnes par la loi de Faraday.

N Ox = N Re d =

Q n.F

(2)

Le courant lectrique I traversant linterface lectrochimique dpend de la vitesse du processus. Ces deux grandeurs sont relies par lexpression classique suivante :
j I = k a .c * d = Re n.F.A n.F k c .c * Ox (3)

Avec A(cm) aire de llectrode, I(A) intensit du courant, j(A/cm) densit du courant, ka et kc (cm/s) constantes de vitesse caractristiques du processus doxydation et de rduction, c * et c * d les concentrations respectives de Ox et Red la surface de llectrode. Ox Re Cest en tenant compte : - de ces vitesses de transferts de charges ka et kc qui obissent la loi dactivation dArrhenius, - de lactivit Faradique, - de lapplication dun surpotentiel = E Eeq que lon abouti la relation de ButlerVolmer :
j = j0 .[( c* d Re c sol d Re . exp( c* (1 ).n.F .n.F Ox .)) ( sol . exp( .))] R.T R.T c Ox

(4)

Avec j0 la densit de courant dchange lquilibre.

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Partie I Lorsque le courant dlectrolyte est faible ou que la solution est trs sature de telle sorte que lon puisse considrer les concentrations constantes dans toute la cellule dexprience (comme cest notre cas) la relation de Butler-Volmer se simplifie et devient : j = j0 .[exp( .n.F (1 ).n.F .)] .) exp( R.T R.T (5)

La relation de Tafel est dduite de cette expression lorsque la surtension applique au systme est relativement leve : log( ja ) = log( j0 ) + et log( jc ) = log( j0 ) (1 ).n.F . R.T .n.F . R.T (6) (7)

Avec respectivement ja et jc les densits de courant doxydation et de rduction. Ces expressions sont intressantes dun point de vue exprimental car elles permettent de dterminer les constantes j0, k0 et comme le montre la figure I.2.

Figure I-2 : dtermination exprimentale des constantes cintiques j0 et en utilisant la relation de Tafel [16]

La rsistance de transfert de charge peut tre calcule pour des surtensions trs faibles car la relation de Butler-Volmer se simplifie : j = j0 ( O le terme ( n.F ) R.T (8)

R.T 1 est la rsistance de transfert de charge au potentiel dquilibre, ). n.F j0

Rtc et dont la valeur est :

Rtc = R.T n .F.k 0 .(c sol d ) .(c sol ) (1 Re Ox
)

(9)

16

Partie I

III. Transfert et transport de matire

Que ce soit dans la matire solide ou la matire liquide, il est ncessaire pour tudier le transport et le transfert de matire de considrer les 3 modes suivants : - la diffusion : cest le mouvement des espces lectroactives provoqu par un gradient de concentration cr la suite doxydorduction des espces la surface de llectrode ; - la migration : cest le mouvement des espces charges provoqu par un gradient de potentiel appliqu llectrode ; - la convection : cest le mouvement des espces en solution provoqu par des forces mcaniques (exemple : agitation de la solution). Rappelons que dans notre cas, nous nous sommes toujours placs en solution sature ce qui nous permet de supposer que dans le volume de llectrolyte nous pouvons minimiser la migration des espces et que nous navons ni agit la solution, ni mis en mouvement les lectrodes et donc que nous minimisons le mode de convection. Nous ne considrerons donc dans ce paragraphe que le transfert de charge d la diffusion. Quel que soit le systme, la diffusion obit aux lois de Fick qui lient le flux au gradient de la concentration et la variation du profil de la concentration au cours du temps. Premire quation de Fick : elle permet deffectuer le bilan de matire sur un plan parallle la surface de llectrode et situ une distance x de celle-ci : = D.grad(c) = D.

c( x ) x

(10)

avec D (cm/s) coefficient de diffusion de lespce lectroactives, (mol/cm/s) flux de lespce lectroactive la concentration c en solution. A linterface lectrode/lectrolyte la condition de conversion Ox/Red saccompagne dun courant de conduction lectrique (figure I.3) :
D Ox ( c Ox c Re d j ) x = 0 = D Re d ( ) x =0 = nF x x

(11)

Seconde quation de Fick : elle permet de dterminer la variation de la concentration de lespce considre dans lespace et dans le temps :

c( x , t ) c( x , t ) = D. t x

(12)

17

Partie I

Figure I-3 : Reprsentation schmatique de lgalit des flux la surface de llectrode [16]

Pour rsoudre cette quation il est ncessaire de connaitre les conditions aux limites. Ainsi : - t = 0 (moment ou lon ferme le circuit), llectrolyse ntant pas commence, c(x, 0) = c sol que lon prenne les oxydants ou les rducteurs. - quand le circuit est ferm, le potentiel appliqu permet la consommation ou la production de substance prs de llectrode et donc il y a apparition dun gradient qui modifie le profil de concentration et qui donne naissance au phnomne de diffusion pure (figure I.4).

Figure I-4 : Profil de concentration des espces Red et Ox au cours de la raction Red ne Ox (ou Red est prsent seul en solution) en fonction de la distance x de llectrode, un potentiel o la substance est consomme par une lectrolyse en rgime de diffusion pure [16].

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Partie I Lintgration de la deuxime loi de Fick, nous donne le profile de concentration et nous permet dobtenir la concentration de substance llectrode considre. Le calcul du courant sen dduit ainsi et les expressions de c et j sont donns par les expressions suivantes :
1 n.F.( .D Re d )1 / 2 j( ) d )1 / 2

c * d = c sol d Re Re ja ( t ) =

(t
t 0

(13)

n.F.D Re d .c sol d Re ( .D Re d .t )1 / 2

(14)

La relation (14) est connue sous la relation de Cottrell et est obtenue pour des surtensions levs.

IV. Voltampromtrie
Dans ce qui suit, afin danalyser les caractristiques exprimentales obtenus sur nos systmes, nous rappellerons simplement les expressions donnant les courants en rgime de diffusion pure dans les trois cas quil est possible de rencontrer suivant les conditions opratoires que nous adopterons : systme rapide, lent et quasi-rapide.

IV.1. Systme rapide

Dans le cas dun systme rapide Ox/Red, la loi simplifie de Nernst suffit expliquer les diffrents phnomnes. Le profil de concentration est donn par lquation (13) et, aprs intgration, la densit de courant suit la loi suivante : j = n.F.c sol .( .D Ox )1 / 2 ( Ox n.F 1 / 2 . ) . (.t ) R.T (15)

O (.t) est une fonction de E, calcule numriquement pour certaines valeurs de (E-E1/2) et = n.F avec E1/2 le potentiel de demi-vague telle que reprsentait sur la figure R.T

I.5. La densit de courant j sera exprime en A/cm si D est exprim en cm/s, en V/s et la concentration c en mol/cm3, 25C. Ainsi, lors du balayage du potentiel pour le trac du voltamprogramme, on observe dabord une croissance du courant lorsque la raction lectrochimique commence se

19

Partie I produire (ceci correspond lacclration du processus par accroissement du surpotentiel), puis une dcroissance lorsque le ralentissement d au phnomne de diffusion devient prpondrant.

Figure I-5 : Courbe courant-potentiel thorique pour une raction rapide Ox + neRed en rgime de diffusion pure [16].

IV.2. Systme lent

Dans le cas dun systme lent, au lieu de la relation de Nernst, pour prendre en compte les vitesses ractionnelles la surface des lectrodes, on utilise la relation de Butler-Volmer et si le systme est vraiment lent, on peut prendre lapproximation de Tafel. Aprs intgration nous obtenons lquation suivante [18, 19, 20] : j = n.F.c sol .( .D Ox )1 / 2 ( Ox .n.F 1 / 2 .n.F . ) . ( .t ) R.T R.T (16)

IV.3. Systme quasi-rapide

Dans le cas dun systme quasi-rapide, il est ncessaire de prendre en compte la relation inverse et donc de prendre en compte la relation de Butler-Volmer complte. Les dveloppements thoriques ont t dvelopps par plusieurs auteurs [20, 21]. Rappelons que le courant est donn par la relation : j = n.F.c sol .D1 / 2 .( Ox Ox n.F 1 / 2 . ) .(E) R.T (17)

O est une fonction tabule pour diffrentes valeurs de (E E1/2). A partir de ces expressions, on constate que, suivant la vitesse de balayage que lon adopte pour appliquer les potentiels, on se trouve dans un systme ou dans un autre. Il sera donc important dans le trac des voltamprogrammes exprimentaux de bien apprhender ce paramtre de vitesse.

20

Partie I

V. Voltampromtrie cyclique
La voltampromtrie cyclique consiste effectuer un balayage aller-retour complet du potentiel appliqu. Dans le cas qui nous intresse (rgime de diffusion pure), la caractristique de I(E) aller est diffrente de la caractristique retour car entre laller et le retour, la couche de diffusion a t modifie dans sa composition. Lallure de la variation du courant au cours du temps et celle du voltamprogramme cyclique sont donnes par les figures I.6 et I.7.

Figure I-6 : Variation du courant en fonction du temps en rgime de diffusion pure [16]

Figure I-7 : Allure du voltamprogramme cyclique dun systme rapide en rgime de diffusion pure (Red seul prsent en solution) [16]

Compte tenu de ces modifications de composition, il est vident que la forme du voltamprogramme retour dpend du temps dinversion et du potentiel dinversion. Lanalyse de ces voltamprogrammes en fonction des potentiels de pics (hauteurs et espacements), des courants en fonction du temps et de la vitesse de balayage, nous permettrons ainsi de distinguer les diffrents systmes (lent, rapide, quasi-rapide) (figure I.8).

21

Partie I

Figure I-8 : Diffrentes allures des voltamprogrammes cycliques selon la rapidit du systme [16]

VI. Mthode exprimentale gnralement utilise

En gnral, on utilise des solutions contenant outre les espces lectroactives, un sel dlectrolyte support totalement dissoci permettant de saturer la solution afin de ce placer en rgime de diffusion pure. Dans ces conditions le trac dun voltamprogramme est de quelques millisecondes quelques minutes. Afin dliminer, quand il est ncessaire, loxygne dissous, le mode opratoire gnralement utilis est de faire barboter un gaz inerte pendant quelques minutes [22]. La figure I.9 donne le schma de base dun montage exprimentale couramment utilis dans toutes expriences lectrochimiques. Il est compos de trois lectrodes : - une lectrode de travail sur laquelle on examine les diffrents processus lectrochimiques explorer. - une lectrode de rfrence dont le potentiel est constant et connu, ce qui permet ainsi de contrler le potentiel llectrode de travail. - une lectrode auxiliaire appele aussi contre-lectrode qui permet de mesurer le courant circulant dans la cellule lectrochimique.

22

Partie I Le potentiostat permet de rguler la tension entre llectrode de travail et la contrelectrode de manire maintenir constante la diffrence de potentiel entre llectrode de travail et llectrode de rfrence (tension de consigne).
Cellule lectrochimique Contrelectrode Electrode de rfrence

Gnrateur

Potentiostat

Electrode de travail

Figure I-9 : Schma du dispositif exprimental pour les mesures potentiel contrl

VII. Spectroscopie dimpdance

De tous les travaux traitant de la spectroscopie dimpdance applique llectrochimie, nous citerons plus particulirement les ouvrages de B. Trmillon, J.-P. Diard, B. Le Gorrec, C. Montella et C. Gabrielli [15, 23, 24]. Tous systmes physiques ou chimiques peuvent se modliser par des circuits lectriques constitus de rsistances, condensateurs, inductances, sources de courant, sources de tension, Ainsi une cellule lectrochimique peut tre considre comme un diple lectrique dimpdance Z. Cette mthode danalyse de systmes lectrochimiques par des mesures impdancemtriques a t introduite en 1960 par Sluyters [25]. Elle consiste analyser la rponse du systme en fonction de la frquence du signal alternatif dexcitation. Le signal frquentiel de faible amplitude est superpos ou non une tension continue de polarisation. Une impdance Z() peut se prsenter soit sous forme polaire soit en coordonne cartsienne. Z() = |Z|.exp( j ) = Re(Z) + j.Im(Z) (18) Do il dcoule deux types de trac, le diagramme de Nyquist et le diagramme de Bode. Nous avons vu prcdemment que le courant tait d un transport de charge (figure I.3) qui donne un courant faradique IF et un courant capacitif IC d la variation de charges inter-faciales. En consquence, le circuit quivalent appel aussi schma de Randles, est donn figure I.10 o Re est la rsistance srie de llectrolyte et Cd et ZF sont respectivement les impdances capacitives et faradiques de linterface. 23

Partie I

IC I Re IF

Cd

ZF

lectrolyte

interface

Figure I-10 : circuit quivalent dun systme lectrochimique (Schma de RANDLES).

Calcul de limpdance faradique

Tout calcul dimpdance impose la connaissance de la relation liant le courant la tension en fonction du temps et donc de la frquence. Bien souvent cette impdance dpend du point de fonctionnement choisi pour analyser le systme considr. Les systmes lectrochimiques ne drogent pas la rgle et cest pour cela quil faut pour le calcul de limpdance, se placer dans les conditions opratoires choisies, en tenant compte que le signal alternatif de mesure doit tre de faible amplitude pour pouvoir linariser le systme ou effectuer des simplifications.

Cas dune couche de diffusion dpaisseur infinie [15, 24] :

Le courant faradique IF sexprime comme nous lavons montr prcdemment, sous la forme : IF = I [E, c * (t)] I
(19)

O c * reprsente les concentrations la surface de llectrode des espces (I I

reprsentant les indices Ox et Red) en solution. On peut supposer que c * (t) est de la mme forme que E(t) et I(t). Nous pouvons donc I lexprimer ainsi : c * (t) = c * 0 + c * (t) I I I O le terme dindice 0 correspond ltat stationnaire.

24

Partie I Dans ces conditions, les variations du courant en fonction des variations de tension et de concentration sont donnes en drivant lquation (3) qui exprime le courant faradique. Les lois de Fick relient quant elles, le courant la variation de concentration soit : j..c I ( x ) = D I .
c I ( x ) x

(20)

O x est laxe perpendiculaire au plan de llectrode, et la pulsation du signal. Lintgration de cette quation et la prise en considration des conditions aux limites pour la diffusion naturelle semi-infinie permettent dobtenir la variation du courant en fonction de la variation de la tension et permettent de tirer lexpression de limpdance faradique. K Ka 1 1 .E = I F .(1 + ( C + ). ) Rtc D Ox D Re d j Soit pour limpdance : ZF () = O : = KC D Ox E = Rtc.(1 + ) I F j + Ka D Re d (22) (23) (21)

On en dduit que limpdance faradique peut tre dcompose en une rsistance de transfert Rtc et une impdance issue du processus diffusionnel, appele impdance de Warburg (Zw) :
Zw = Rtc. j (24)

En consquence, le schma de Randles devient comme reprsent figure I.11 o limpdance faradique t remplace par la rsistance Rtc et limpdance de Warburg Zw. Le diagramme de Nyquist (figure I.12) permet de calculer la rsistance de llectrolyte Re pour les hautes frquences, limpdance de Warburg pour les basses frquences partir de lasymptote 45 et le demi-cercle aux moyennes frquences permet daccder la constante de temps Rtc.Cd. IC I Re IF Rtc Zw W Cd

Figure I-11 : circuit quivalent dun systme lectrochimique (Schma de RANDLES).

25

Partie I

Im

Re

Rtc..Cd

Re + Rtc

Re

Figure I-12 : Diagramme de Nyquist pour une couche de diffusion dpaisseur infinie

Cas dune couche de diffusion dpaisseur infinie [15,16] :

Dans ces conditions, lhypothse de Nernst est utilise. Les diffrents auteurs [15, 24] supposent que la concentration despce diffusante varie linairement sur toute la largueur de la couche de diffusion. De ce fait, nous avons les conditions aux limites en x = 0 (prs de llectrode) et en x = (largueur de la couche de diffusion) qui permettent de calculer lexpression du courant et donc de limpdance de Warburg. Cette expression est donne par lquation 25.
kC .th( . Z F ( ) = Rtc.(1 + j ) DOx ka .th( . + j ) DRe d

j.DOx

j.DRe d

(25)

26

Partie I

Chapitre II Les capteurs chimiques en phase liquide

27

Partie I

I. Principe de fonctionnement des ChemFETs

En 1970, Piet Bergveld dveloppa un nouveau procd lectronique permettant de mesurer lactivit des ions dans un milieu chimique et biochimique. Il utilisa le principe dune lectrode de verre et dun transistor effet de champ. Il mit en vidence la sensibilit aux ions H+ dun transistor MOS (Mtal-Oxyde-Semiconducteur) sans grille mtallique. Il introduisit ainsi le premier capteur chimique (ChemFET) effet de champ, lISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor) [26]. La mthodologie de l'ISFET pour la mesure d'ions est dveloppe sur la base du transistor MOSFET (transistor effet de champ command en tension par une grille mtallique). Le principe de base du transistor MOSFET est de pouvoir contrler le courant circulant entre deux zones de semi-conducteur (source et drain) par lapplication dune tension Vgs sur la grille. Electrode de rfrence lectrolyte Couche sensible Vgs

drain

source

Vds

Figure 1-13: Capteur chimique ChemFET

L'lectrode de grille mtallique est isole du drain et de la source au moyen dun oxyde de silicium (SiO2) et commande le courant drain source (Ids) lectrostatiquement. Limpdance d'entre, extrmement leve de l'lectrode de grille implique qu'il nest pas ncessaire dappliquer une grande tension d'entre pour commander ce courant (Ids). Dans le cas de l'ISFET, la grille mtallique est remplace par une lectrode de rfrence, llectrolyte

28

Partie I analyser et une grille isolante sensible la concentration en ion recherch (par exemple H+). Le systme fondamental de mesure du pH-ISFET est montr sur la figure I-13. Plusieurs matriaux ont t examins afin de produire une ionosensibilit. Parmi les couches sensibles l'ion H+, la premire avoir t tudie est l'oxyde de silicium SiO2. Aprs quoi, plusieurs matriaux tels que Si3N4 [27-28], Al2O3 [29-30], Ta2O5 [31,32], SnO2 [33-34] ont t utiliss comme membranes sensibles au pH. Dans notre procd technologique, nous utilisons du nitrure de silicium (Si3N4) car le LAAS a dvelopp, il y a quelques temps dj, la ralisation technologique et la caractrisation dISFET grille ionosensible SiO2 /Si3N4 en vue de mesure du pH [35]. Quand Bergveld prsenta pour la premire fois le composant ISFET, celui-ci fonctionnait sans lectrode de rfrence. Cependant, des travaux ultrieurs ont indiqu que les oprations propres l'ISFET demandent la prsence d'une lectrode de rfrence pour tablir un potentiel dans l'lectrolyte en contact avec le substrat en silicium [36].

II. Principe physico-chimique de dtection

Lquation qui rgit la tension de seuil dun MOSFET est la suivante :

Vt =

M Si Qox + Qss + Qb + 2.f q Cox

(26)

o : M- Si refltent la diffrence des travaux de sortie entre la grille mtallique (M) et le silicium (Si), Qox, Qss et Qb sont respectivement les charges dans loxyde, linterface oxyde-silicium et dans la couche de dpltion du substrat silicium et f est caractristique du niveau de dopage du substrat. Dans le cas de lISFET, le mme procd de fabrication est utilis. Cependant des contributions supplmentaires se manifestent ; en effet llectrode mtallique de grille du MOSFET tant remplace par une lectrode de rfrence, llectrolyte et la couche chimiquement sensible, lquation prcdente devient :

29

Partie I

Vt = Eref + sol

Si Qox + Qss + Qb + 2.f = Vt 0 q Cox

(27)

Le terme Eref reprsente le potentiel de llectrode de rfrence, est le potentiel chimique fonction du pH et sol est un paramtre constant reprsentant le potentiel de surface du solvant. Le principe de fonctionnement du capteur chimique ISFET est donc bas sur le pigeage dions au niveau de la couche sensible. Les charges piges induisent une variation du potentiel chimique et donc de la tension de seuil du transistor Vt.

III. Dtermination du potentiel chimique

Contrairement aux lectrodes ions spcifiques, le principe physico-chimique de dtection de lISFET est bas sur le cas dune lectrode idalement bloquante. Dans le cas o aucune charge ne pourrait traverser linterface lectrode-lectrolyte, il apparat cette interface une rgion trs dense en ions, paisse de quelques angstrms, qui est le sige de ractions lectriques et chimiques. Laccumulation de ces charges modifie le comportement de cette interface qui devient alors analogue un condensateur. Plusieurs modles ont t dvelopps pour rendre compte et expliquer les phnomnes lectrostatiques qui ont lieu linterface Electrolyte/Isolant/ Solide. Pour expliquer le fonctionnement de cette structure, la thorie du Site Binding semble tre lheure actuelle la seule thorie utilise [37-38].

III.1 Etude de linterface solide-lectrolyte

Du fait de la dimension finie des ions et des molcules de solvant dans une solution lectrolytique, il apparat une diffrence entre les zones de charge despace dun systme solide-lectrolyte. Ainsi, dans un systme lectrode idalement bloquante, la zone de charge despace est forme de plusieurs couches de structures diffrentes qui dfinissent la double couche lectrique de HELMOTZ [38-39]. La capacit de cette double couche est fonction du potentiel. Pour une lectrode charge ngativement, la distribution des espces est prsente de faon simplifie sur la figure I.14. La distribution du potentiel dans la couche diffuse est dcrite par le modle de GOUY-CHAPMAN-STERN [38-39]. 30

Partie I

Semi-Conducteur

Couche diffuse

Couche deau adsorbe Anion spcifiquement adsorb

Cation hydrat

PIH

PEH

Figure I-14 : Distribution des espces linterface-solide lectrolyte, reprsentation du modle de Gouy-Chapman-Stern. Ce modle considre trois rgions : La premire rgion, la plus proche du solide est appele couche interne. Elle contient les molcules deau et certaines espces (ions ou molcules) dont on dit quelles sont spcifiquement adsorbes. Cette rgion stend jusquau lieu des centres lectriques des ions spcifiquement adsorbs appel plan interne dHELMOTZ (PIH). Dans la littrature, cette couche interne est aussi appele couche de HELMOTZ. Lorientation des diples dpend de la charge de llectrode [39-40]. STERN a amlior ce modle en tenant compte de la taille des ions solvats et en considrant que ceux-ci ne pouvaient sapprocher de la surface que jusqu'au plan interne dHELMOTZ (PIH). La deuxime couche appele couche de Stern est rserve aux ions solvats. Cette rgion stend de la distance de contact entre les ions adsorbs et les ions solvats jusquau centre des ions solvats. Le centre des ions solvats, le plus proche de la surface du solide est appel plan externe de HELMOTZ (PEH) [39-40]. La chute de potentiel entre llectrode et la solution dans ce cas est linaire et linterface est quivalente du point de vue lectrique un condensateur plan parallle. 31

Partie I Une troisime rgion qui stend du plan externe de HELMOTZ jusquau sein de llectrolyte est appele couche diffuse. Cette couche, comprend les ions non spcifiquement adsorbs. Cette couche diffuse est comparable la zone de charge despace des MOSFETs ; lextension de cette couche dpend du potentiel et de la concentration en ions de llectrolyte. A partir de ce modle, il a t montr que le champ lectrique tait constant et que le potentiel variait linairement dans la couche compacte. La capacit de ce systme est donc quivalente la mise en srie de la capacit de la couche diffuse et de la capacit de la couche compacte. La relation entre le potentiel lectrique 0 (x) une distance x du plan PEH et la densit de charge despace (x) est donc :
d 2 0 (x) dx
2

=-

(x) r . 0

(28)

o r est la permittivit de leau et 0 celle du vide. La distribution des ions dans la double couche sous laction du potentiel et de lagitation thermique est dcrite par la statistique de Boltzmann :
C i (x) = C i0 .exp (q i 0 (x) ) k.T

(29)

o Ci et qi sont respectivement la concentration et la charge de lion i. La densit de charge est :

(x) =

C i .q i = q i .C i0 .exp (- q i 0 (x) ) k.T

i i

(30)

La combinaison des quations 1 et 3 conduit lquation Poisson-Boltzmann :

d 2 0 (x) dx
2

=-

1 r . 0

C
i

i0 .q i .exp (-

q i 0 (x) ) k.T

(31)

Pour un lectrolyte symtrique, dans lequel les ions ont une charge de valeur absolue q: q+ = -q- = q C+ = C- = C Il est possible dintgrer lquation 31 avec comme conditions aux limites :

0 (x) = 0 d x = 0

32

Partie I

0 (x) = 0 et

d 0 =0 x dx

La solution de lquation (31) est alors donne par :

d 0 (x) q. 0 (x) 8.k.T.C 1/2 = ( ) . sinh ( ) dx r . 0 2.k.T

(32)

En utilisant la loi de Gauss, on obtient la charge de la couche diffuse : d =

(8. r . 0 .k.T.C)1/2 . sinh (

q 0 d 2.k.T

(33)

Il est maintenant possible de calculer la capacit diffrentielle cd de la couche diffuse en diffrenciant lquation prcdente :
cd = q. 0 d d d 2.q. r . 0 .C 1/2 =( ) . cosh ( ) d 0 d k.T 2.k.T

(34)

Cette capacit diffuse, qui varie avec la concentration passe par un minimum. Cd crot rapidement de part et dautre de ce minimum. Stern, en tenant compte de la taille finie des ions, et du fait quils ne peuvent approcher la surface qu une distance finie, a montr que la capacit est en ralit constitue de deux composantes montes en srie :

une capacit indpendante du potentiel correspondant la capacit des charges portes par le plan externe dHelmholtz, une capacit en forme de V correspondant la capacit de la charge rellement diffuse.

III.2. Interface Electrolyte/Isolant/Silicium (EIS)

Dans la pratique, la sensibilit au pH mesure par un ISFET est infrieure la valeur prdite par la loi de NERNST. Un phnomne chimique propre aux membranes sensibles formes partir de couche de SiO2 est responsable de cette drive. Il ny a plus dquilibre thermodynamique entre les ions dans lisolant et les ions dans llectrolyte, par consquent la loi de NERNST nest plus applicable. La thorie du site-binding, inspire des travaux de BOUSSE, explique le procd qui se produit linterface isolant-lectrolyte [39-40]. Ce modle considre les groupes Si-OH sur la couche doxyde comme des centres actifs dont la

33

Partie I charge varie proportionnellement aux ions prsents la surface de lISFET. Ces centres actifs sont responsables de la formation de la double couche lectrique dcrite par la thorie de GOUY-CHAPMAN-STERN et donne le potentiel linterface oxyde-lectrolyte. Les ions H+ et OH-, prsents dans une solution aqueuse sont appels ions dterminants le potentiel . Ces ions sont responsables de ltat de charge linterface SiO2/lectrolyte. Au contact de la solution aqueuse, des groupements de silanol (SiOH) se forment la surface de lisolant. Ces groupements peuvent tre, suivant le pH de la solution, chargs positivement, chargs ngativement ou neutres. Le pH particulier pour lequel la surface de la membrane a zro charge est appel pH au point de charge nulle pH pcn. La prsence de ces groupements de charges amne une correction lquation de NERNST habituellement utilise en lectrochimie. La figure I.15 illustre les trois diffrents types de groupements silanols la surface dune membrane. OH OSite neutre

S O S O S

pH=pHpzc

Donneur de proton

pH>pHpzc

OH2+ Accepteur de proton

pH<pHpzc

O Oxyde Surface

Figure I-15 : Reprsentation schmatique de la thorie du site-binding

La manire la plus simple de calculer la relation reliant la diffrence de potentiel entre la surface de lisolant et llectrolyte (0) et la charge de surface de lisolant (0) est dutiliser les constantes dquilibres ka (constante dacidit) et kb (constante de basicit) des ractions de dissociation des sites hydroxyles amphotres.
+ Si OH Si - O - + H S + k a = [Si O ] [H S ] / [Si OH]

(35) (36)

+ Si OH + H S Si - OH + 2

+ k b = [Si - OH + ] / [Si OH] [H S ] 2

34

Partie I
+ O [H S ] reprsente la concentration en ions H+ la surface de lisolant et [ H + ]

reprsente la concentration des ions H+ dans llectrolyte. Comme dans lquation (29), la distribution des ions hydrogne dans llectrolyte peut tre dcrite par la statistique de Boltzmann : + (37) [H S ] = [H + ]e q0 /kT La thorie du site binding permet ainsi de montrer que :
[H + ] = (K a /K b )1/2 e (-q 0 /kT) F( 0 )

(38)

En prenant le logarithme de lquation prcdente, on aboutit : pH = -log(K a /K b )1/2 q 0 - logF( 0 ) kT(ln10) (39)

Ainsi, en isolant le potentiel 0, on obtient :

q 0 + G( 0 ) = ln(10)(pH pzc - pH) kT

(40)

Avec :

Ka 1 pH pzc = - log( ) 2 Kb

(41)

Ltude complte permet galement de montrer que [41] : G( 0 ) = argSh( Avec : = 2qN S Ka ( )1/2 C D kT Kb (43) q 0 ) kT (42)

Ce terme va rendre compte de la sensibilit finale. Il est fonction de lquilibre acide base relatif aux ractions de surface, du nombre total de sites amphotres la surface de lisolant NS et de la capacit de la double couche (quation 34) CD. Lorsque >>
q 0 , on a : kT

G( 0 ) Lquation 15 deviendra alors :

q 0 kT

(44)

35

Partie I

q 0 ln10(pH pzc - pH) = kT + 1 Ainsi, la sensibilit de lISFET sera dfinie par :

S= d 0 kT = ln10. . dpH q +1

(45)

(46)

Pour un bon nitrure ( >> 1), T = 300K, la sensibilit est Nernstienne (S 59 mV/pH)

IV. Dtection du pH
Le capteur pH-ChemFET avec la grille SiO2 possde une sensibilit faible et subNernstienne de 30 mV/pH. Lamlioration des proprits des micro-capteurs pH-ChemFETs passe par linvestigation et loptimisation des matriaux de dtection et de leur dpt sur la grille SiO2. De nombreuses membranes sensibles aux ions hydrogne (gnralement ce sont des matriaux non-organiques) ont t labores afin damliorer la sensibilit, la slectivit, la stabilit et la dure de vie. Notons les principales membranes sensibles aux ions hydrogne et leurs caractristiques:
Le nitrure de silicium (Si3N4). Le capteur pH-ChemFET avec la grille dilectrique

SiO2/Si3N4 est caractris par un court temps de rponse, un faible courant de fuite et une sensibilit quasi-Nernstienne (autour de 50 - 56 mV/pH). Ce matriau qui est bien connu et matris dans la technologie des circuits intgrs (IC) a t parmi les premiers impliqus dans les capteurs chimiques [42]. Gnralement, cet isolant est obtenu par dpt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD) [43-44] ;
Loxyde daluminium (Al2O3). La sensibilit de cette membrane est autour de 53 -

56 mV/pH, nanmoins les capteurs pH-ChemFETs avec la couche SiO2/Al2O3 possdent une importante drive temporelle. La couche sensible est habituellement obtenue par dpt chimique en phase vapeur (CVD). Cependant, il existe une technique alternative de dpt par laser puls (pulsed laser deposition PLD) qui est charge damliorer la sensibilit du capteur ainsi que sa stabilit temporelle par une meilleure qualit des couches obtenues [45] ;

36

Partie I
Loxyde de tantale (Ta2O5). Cette couche dilectrique est prometteuse pour la

dtection des ions hydrogne. Elle possde une bonne sensibilit de 58 59 mV/pH et une petite drive temporelle de 0,03 0,05 pH/jour. Les membranes de Ta2O5 ne sont pas slectives aux ions potassium K+, calcium Ca+2 et sodium Na+. Ce matriau est dpos soit par pulvrisation radiofrquence RF [46], soit par dpt chimique en phase vapeur assist par plasma (PECVD) [47] ; Pour aller plus loin, notons que les matriaux conducteurs tels que Pt, TiN sont galement sensibles aux ions hydrogne. On peut citer ici dautres types doxydes sensibles aux ions hydrogne: TiO2, PtO2, Ir2O3, OsO2, SnO2, WO3, ZrO2 ou encore le silicium amorphe hydrogn, le carbone structure diamant, etc. Ces couches sont dposes sur la grille dilectrique par pulvrisation. Leur sensibilit au pH est autour de 55 mV/pH. Cependant, elles ne sont pas trop utilises. Les membranes organiques qui sont rpandues pour la dtection de divers types dions sont rarement utilises pour la dtection du pH. Wakida & al. ont propos dutiliser la couche sensible base damines ternaires (tridodecylamine, methyldioctadecylamine) pour dtecter des ions hydrogne. Son rle consiste diminuer linterfrence de la force ionique et des charges contaminant la surface. Gnralement, ces membranes fonctionnent dans la gamme du pH [2-9], elles ont un coefficient important de non-linarit et une faible adhrence aux surfaces dilectriques. Ce type de capteurs pH-ChemFETs est destin des applications spcifiques.

V. Principe de mesure
Le principe de mesure est le suivant : la valeur du courant de drain (Ids) est maintenue constante une valeur I0 au moyen dun asservissement lectronique. Si la valeur du pH de la solution change, la tension de seuil de lISFET (Vt) change ainsi que le courant de drain. La rtroaction lectronique rajuste la tension fixe par l'lectrode de rfrence de telle manire que le courant de drain soit maintenu constant la valeur I0. Lcart entre la nouvelle tension de grille (VpH2) et lancienne (VpH1) est proportionnel la variation de pH (figure I-16).

37

Partie I

Figure I-16 : Rponse au pH dun capteur ISFET. Variation de la tension de seuil pour des mesures Ids(Vgs) effectues dans deux solutions diffrentes.
Ainsi, la sensibilit au pH est dtermine de la manire suivante :
S= d/dpH = (VpH2-VpH1)/(pH2-pH1)

(47)

38

Partie I

CHAPITRE III Intgration des polymres

39

Partie I

I. Introduction
Dans le cadre du dveloppement de la microlectronique dans le domaine de la biologie, les polymres apparaissent comme des biomatriaux trs prometteurs. En effet, leur utilisation est de plus en plus courante dans des domaines tels que la mdecine o ils sont utiliss dans certains procds chirurgicaux notamment oculaires, comme implants artificiels, prothses ou bien dans les systmes de distribution automatique de mdicaments [48]. Dans le domaine des biotechnologies, les polymres servent dj couramment de support pour limmobilisation des biorcepteurs classiques : protines, anticorps, oligonuclotides Mais dans lensemble, ces polymres doivent avoir des proprits bien spcifiques, notamment dans le domaine biomdical. Dans le domaine des microtechnologies, les polymres sont utiliss depuis trs longtemps comme encapsulant avec des proprits tels que la conduction thermique, la protection lectromagntique ou encore la protection anti UV. Pour nos applications de capteurs en milieu liquide, les polymres doivent galement protger les connections lectriques et donc tre impermables. De plus, ces polymres doivent pouvoir tre facilement modulables afin dobtenir des motifs tri-dimensionnels avec une rsolution submillimtrique correcte. Les polymres sont slectionns suivant diffrents critres tels que leur rsistance mcanique, leur dgradabilit, leur permabilit, leur solubilit ou encore leur transparence. Et, dans tous les cas, il est ncessaire doptimiser leurs proprits surfaciques et volumiques. Si toutes ces proprits ne sont pas forcment recherches, il en est deux qui elles sont quasiment obligatoires pour des polymres utiliss dans le cadre de la biologie et plus particulirement dans celui du biomdical. Il sagit des proprits de biomimtisme et de biocompatibilit. Il semble important ce niveau de dfinir ces deux termes caractrisant un polymre puisque nous y ferons rfrence plus loin. Biomimtisme : Il sagit de la capacit dun matriau artificiel se comporter de la mme manire que le matriau original que ce soit au niveau de la microstructure ou de la macrostructure. Actuellement, les comportements biomimtiques les plus courants sont observs en chimie o les ractions chimiques suivent un processus analogue un processus biochimique. En effet, certains polymres utiliss dans les biomatriaux sont constitus de regroupements chimiques qui sont ordonns de faon imiter les caractristiques de

40

Partie I molcules naturelles. Ces biomatriaux ou produits de synthse biomimtiques ne font pas obstacle la communication biochimique. Biocompatibilit : il sagit de la capacit dun matriau ragir de faon approprie la rponse de lhte lors dune application spcifique. Cette affinit fait que les biomatriaux sont bien tolrs par l'organisme hte et qu'ils ne provoquent pas de raction de rejet, de raction toxique, de lsion ou d'effet nocif sur les fonctions biologiques de ce dernier.

II. Dfinition
Un polymre est une macromolcule forme de lenchanement covalent dun trs grand nombre dunits de rptition qui drivent dun ou de plusieurs monomres (qui sont galement appels motifs) [49]. Initialement inspirs par la nature qui met profit les proprits de macromolcules telles que l'ADN et les protines, les chimistes se sont vite intresss aux polymres. La combinaison de monomres plus simples amne une grande varit de macromolcules. De homopolymre statistique squenc altern plus, il existe plusieurs types de polymrisation, influenant le nombre d'units, et par suite les proprits physiques et chimiques du polymre final. On distingue deux grandes familles de polymres :

des monomres thylniques (le squelette final tant uniquement carbon), des htroatomes qui peuvent servir de jonctions. Mais il existe galement une autre faon de classer les polymres :

Les homopolymres qui ne possdent quun seul type dunit MMMMMMM Les copolymres qui possdent plusieurs types dunits Copolymre statistique : MNNMMMMNNNMNMNMMNMNMN Copolymre squenc: ...MMMMMMMMMNNNNNNNM Copolymre altern: ...MNMNMNMNMN... Les polymres, quils soient homo ou copolymres, peuvent tre rticuls. Un

polymre rticul est un polymre dont certaines de ses chanes sont relies entre elles par des ponts chimiques covalents [49].

41

Partie I Lavantage des polymres par rapport aux autres matriaux comme les mtaux ou les cramiques, est de pouvoir modifier leur composition pour obtenir une plus grande varit de structures et de proprits. Sil existe des polymres dorigine naturelle tels que la soie ou la cellulose, les polymres dorigine synthtique sont, dune manire gnrale plus intressants par la mallabilit de leur composition. Linconvnient reste le manque de biocompatibilit de la majorit de ces matriaux qui sont la cause de ractions inflammatoires lors de la mise en contact avec un milieu vivant. Malgr cela, certain de ces matriaux sont dj trs utiliss dans le milieu mdical. La liste des applications prsente est loin dtre exhaustive, mais elle donne une vision globale du rle des polymres dans la mdecine actuelle. Il ne faut pas perdre de vue que les capteurs que nous souhaitons dvelopper sont principalement destins un usage biomdical qui peut tre tendu au domaine biologique et biochimique en gnral ou, en un mot, au domaine du vivant. Il apparat donc important, ce niveau de souligner les intrts avrs des polymres pour des applications de la microlectronique en biologie :

Ils sont relativement peu chers Ils peuvent tre dposs sur des types de substrats trs varis Les techniques de fabrication, de rticulation et de fonctionnalisation permettent de moduler assez facilement leurs proprits. Comme le montre le tableau I-1 [50], les polymres commencent dj tre bien

implants dans le monde de la microlectronique en prsentant la fois des avantages et des inconvnients. En effet, si la thorie laisse entrevoir un nombre quasi-infini de possibilits de dtection, il nen est pas de mme dans la pratique. Ltape limitante dans la fabrication de capteurs possdant une couche sensible base sur la chimie des polymres est le dpt mme de ce polymre et surtout, le mode dinsertion de llment dtecteur au sein de la macromolcule. Lorsquil sagit dintgrer une simple molcule chimique, les contraintes existent mais peuvent tre contournes plus ou moins aisment. Il nen va pas de mme lorsque le rcepteur est dorigine vivante. En effet, ds quil sagit dune entit biologique, les techniques sont vite limites. En effet, le choix des ractifs

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Partie I chimiques utiliser dans le procd est restreint et les tempratures appliques doivent tre basses (de lordre de 40C). Diverses mthodes ont dj t mises en uvre. Tout comme pour les modes daccroche directe, il va exister plusieurs faons damener llment biologique sensible sur la grille du capteur grce un polymre. Nous ne nous intresserons finalement ici que trs peu aux modes de dpt des polymres sur le substrat. Nous en citerons quelques uns sans entrer dans les dtails des techniques. Cette seconde partie de ltat de lart sattachera plutt aux modes dintgration de llment sensible au sein du polymre et ltat physique de ce dernier. Avantages Inconvnients Compar aux membranes inorganiques Effet CTP net dans Gamme de travail une large gamme de limite tempratures Trs grande Problmes de sensibilit, rsistance stabilit aux chocs Flexibilit, la meilleure imitation des doigts humains Grande sensibilit, Gamme de rsistance aux chocs tempratures limite Grande rsistivit Faible sensibilit thermique Grande sensibilit, Problmes de intgration possible stabilit Grandes sensibilit et slectivit, travail Drive long terme temprature ambiante Grande slectivit, large choix dionophores

Type de capteur Thermistance CTP (coefficient de temprature positif) Capteurs de pression Capteurs tactiles Capteurs acoustiques Capteurs infrarouges Capteurs dhumidit

Etat actuel Disponible sur le march Recherche et dveloppement Recherche et dveloppement Disponible sur le march Disponible sur le march Disponible sur le march Quelques uns disponibles sur le march, les autres sont en cours de dveloppement Electrodes disponibles sur le march, capteurs intgrs en cours de dveloppement Recherche et dveloppement Quelques uns sur le march

Capteurs de gaz

Capteurs sensibles aux ions

Courte dure de vie

Biocapteurs

Biocompatibilit, immobilisation relativement facile Courte dure de vie denzyme ou dautres composs biologiques

Tab. I-1: Rsum de la situation, des avantages et inconvnients des capteurs utilisant les polymres

43

Partie I

III. Dpts
Dpt par la technique de Langmuir-Blodgett
Historiquement, le physicien amricain Langmuir et son assistante Miss Blodgett mirent en vidence le fait qu'une goutte d'huile (molcule amphiphile) dpose sur une surface statique d'eau, s'tale jusqu' former un film monomolculaire. Ce film, moyennant quelques prcautions, peut tre rcupr sur une surface propre et prsente des proprits tout fait remarquables. Une petite quantit d'une solution d'un compos organique longue chane typiquement amphiphile, c'est dire possdant une extrmit hydrophile (fonction acide) et une extrmit hydrophobe (chane carbone) est introduite dans une cuve remplie d'eau. En raison de sa structure, aprs vaporation du solvant, ce matriau va former un film monomolculaire la surface de l'eau. Une barrire mobile va permettre de comprimer ce film afin de ne laisser aucun espace libre sur la surface. Dans ces conditions, toutes les molcules se disposent paralllement les unes aux autres et, de manire schmatique, perpendiculairement au plan de la surface liquide, avec l'extrmit hydrophile au contact de l'eau comme reprsent sur la figure I-17.

Barrire mobile Solvant

Eau Substrat recouvrir

Eau

a) Phase prliminaire

b) Compression du film

c) Obtention du dpt

Figure I-17: Mode de ralisation du dpt de couche de Langmuir-Blodgett On immerge alors perpendiculairement la surface le substrat support du futur capteur et on le retire doucement. Cette manuvre doit tre ralise l'aide d'un mcanisme de prcision automatique, c'est dire ne produisant aucune vibration latrale et se dplaant

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Partie I verticalement vitesse constante. En raison du phnomne de capillarit, le film se fixe sur le substrat avec une bonne adhrence et constitue une structure mono-molculaire pratiquement exempte de dfauts. En procdant plusieurs passes, il est possible d'empiler ainsi plusieurs dizaines de monocouches (la limite possible est dpendante du type de molcule) [51-53].

Dpt la microgoutte
Cette mthode consiste venir dposer manuellement une microgoutte laide dune micropipette directement sur la partie active du capteur. Cette technique est la plus utilise en laboratoire car elle est simple, ne ncessite pas de matriel spcifique, ni de comptence particulire. De plus, il ny a aucune perte du produit dpos (trs utilis pour le dpt de substance onreuse). Nanmoins, la reproductibilit de cette technique est trs alatoire (variation dpaisseur et de dimension). Toutefois, ces inconvnients sont en partie limins lorsque le dpt est accompli par un automate. Cette technique de dpt automatis est trs utilise pour les puces ADN permettant ainsi de crer des matrices (microarray) de plusieurs dizaines de microgouttes espaces rgulirement et de taille identique [54].

Dpt la tournette (spin-coating)

Cette mthode consiste dposer par centrifugation une solution dpose en excs sur un substrat. Cette technique a lavantage dtre facilement mise en uvre, pour des investissements relativement modrs. De plus, elle est considre comme une technique de base de la microlectronique classique. Cette mthode de dpt peut tre dcompose en quatre phases : 1) le dpt de la solution 2) le dbut de la rotation : la phase dacclration provoque lcoulement du liquide vers lextrieur du substrat 3) la rotation vitesse constante permet ljection de lexcs de liquide sous forme de gouttelettes et la diminution de lpaisseur du film de faon uniforme 4) lvaporation des solvants les plus volatils qui accentue la diminution de lpaisseur du film dpos

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Partie I En contrlant les paramtres de rotation, il est possible de calculer lpaisseur du film dpos : Meyerhoffer a publi un modle prenant en compte les paramtres entrant en jeu lors du dpt [55]. Nous tudierons ce modle un peu plus en avant de ce mmoire puisque cest cette technique de dpt que nous avons choisi dutiliser. Il est possible de trouver dans la littrature diffrents types de capteurs dont la membrane a t ralise par cette mthode. Cest le cas de dtecteurs chimiques pour les vapeurs organiques fabriqus partir de poly(thienylene vinylene) [56], de capteurs de gaz pour le monoxyde dazote [57], de capteurs pH magntolastiques [58] ou encore de capteurs optiques dure utilisant un film de poly(vinylchlorure) [59].

IV. Accroches
Polymrisation
Dans la polymrisation en chane, les monomres s'associent sans raction d'limination simultane. C'est le procd le plus utilis dans l'industrie : le polythylne, le polypropylne, le polystyrne, l'alcool polyvinylique et le polyttrafluorothylne (Tflon) sont des exemples de polymres obtenus par polymrisation en chane. Comme toute raction en chane, cette polymrisation comporte les tapes suivantes : l'amorage (formation des centres actifs partir du monomre); la propagation (croissance des chanes de polymre par additions successives); la terminaison (destruction du centre actif et interruption de la croissance des chanes). La polymrisation peut tre radicalaire, cationique ou anionique selon la nature de l'espce active. Dans le cas des polymrisations radicalaires, les plus courantes, l'amorage s'effectue sous l'action de la chaleur, par irradiation ou par des molcules spcifiques. Les espces actives sont des radicaux libres. Le polymre ainsi obtenu est dit atactique : il a une structure totalement dsorganise, ou amorphe. En 1983, on a dcouvert une nouvelle mthode de polymrisation par addition : la polymrisation par transfert de groupe, ou tlomrisation. Un groupe activant dans la molcule initiant le procd tablit une raction de transfert aux extrmits des chanes en croissance, et limite ainsi la longueur des chanes. La tlomrisation est par exemple utilise pour synthtiser les plastiques acryliques.

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Partie I Il existe quatre techniques principales de mise en uvre des ractions de polymrisation : les polymrisations en solution, en masse, en suspension et en mulsion.

Liaisons covalentes
Un autre grand mode de fixation sur une surface est la cration de liaisons covalentes entre le substrat et la particule immobiliser. Le couplage covalent se fait gnralement avec un support fonctionnalis insoluble dans leau. Lorsque cette technique est utilise avec un lment biologique, la raction implique des sites qui ne sont pas essentiels lactivit biologique de la molcule. De faon gnrale, lattachement dune entit biologique (enzyme, anticorps, protine) la surface dun capteur rsulte de deux tapes. La premire tape consiste en lactivation de la surface inerte du capteur, afin de lui donner une ractivit chimique. La seconde tape ncessite de lier le biorcepteur cette surface chimiquement active. La nature exacte des ractions chimiques impliques dpend fortement du type de surface. Bien que les surfaces mtalliques soient chimiquement inactives, elles peuvent tre fonctionnalises avec des ractifs tels que les chloro- ou alkylsilanes [60] lorsquelles sont recouvertes dun fin film doxyde. Par analogie avec les surfaces de silice, les surfaces Pt/PtO, Au/AuO et SnO2 possdent beaucoup de sites M-OH (o M reprsente le mtal). Lorsquils sont en contact, sous conditions anhydres, avec par exemple une solution de dichlorodimthylsilane [Cl2Si(CH3)2], les ractifs organosilanes sont immobiliss grce la cration de liaisons MOSi-, chimiquement trs stables (o MO reprsente loxyde de mtal de surface) [61].

Fig. I-18: Formation de la liaison covalente entre une enzyme et une lectrode mtallique par la formation dune liaison amide entre le groupement amine du silane et la fonction acide carboxylique de la protine [62].

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Partie I Bien que la raction dcrite ci-dessus produise une surface fonctionnalise, celle-ci nest pas forcment approprie au greffage dlments biologiques du fait du manque de ractivit des groupements mthyls. Pour lier un biorcepteur de faon covalente, il est important que lorganosilane utilis soit porteur, par exemple, dun groupement amine primaire ou encore dune fonction acide carboxylique. Un ractif trs utile dans ce contexte est le propylaminosilane [(CH3CH2O)3Si(CH2)3NH2] [62] qui fonctionnalise la surface mtallique tout en permettant de greffer chimiquement un lment biologique grce au groupement amine. Un schma de synthse classique utilisant ce ractif est prsent sur la figure I-18. Il permet de lier de faon covalente une enzyme sur une lectrode mtallique par la formation dune liaison amide entre le groupement amine du silane et la fonction acide carboxylique de la protine. Il faut toutefois noter que la fonction acide carboxylique doit tre active au pralable.

Rcepteur immobilis Acide dicarboxylique (AE6) Chanes aromatiques Oligonuclotides Anticorps Enzymes : Urase Penicillinase Laccase Glucose oxydase

Agent de fixation Chlorure de p-tolune sulfonyle Ractifs de Grignard, espces Lithium aryl Epoxysilane, 3aminopropyltriethoxysilane, Ethoxysilane, alkylthiols, Carbodiimide Carbodiimide, Glutaraldhyde ABTS (sel dammonium) MES (acide sulfonique)

Substrat Si/SiO2 Si Si/SiO2 SiO2, Au Si/SiO2 Non spcifi Pt

Elment(s) dtect(s) Fer NOx, SOx, CO, NH3 ADN Antignes associs Ure Pnicilline

Ref 61 62 63 64 65 66 67 68 69

Actilcholinestrase Amine-silanisation, sulfurhydryl-silanisation Organophosphate hydrolase

Indiumtin oxyde SiO2 Organophosphate 72

p-phnyldiamine, 70 p-aminophnol Glucose 71

Tab. I-2: Exemples dapplications utilisant le greffage covalent de divers rcepteurs sur diffrents substrats

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Partie I La synthse chimique dcrite sur la figure I-18 nest videmment quune manire de procder parmi de nombreuses possibilits. Le tableau I-2 prsente quelques exemples de systmes chimiques de dtection raliss par le biais de la fixation covalente de rcepteurs chimiques ou biologiques.

V. Encapsulation
Lencapsulation dun capteur chimique ou biochimique protge du milieu liquide les diffrentes connexions lectriques, le substrat de silicium et le support. Lenrobage des capteurs joue un rle important sur des paramtres tels que stabilit temporelle, temps de rponse et dure de vie des microcapteurs chimiques. Le concept habituel de lencapsulation doit satisfaire les demandes suivantes :
Bonne adhrence de lencapsulant sur la puce, sur le circuit imprim, sur les

parties conductrices qui assurent la connexion lectrique et sur la membrane ionosensible. De prfrence, une adhrence doit tre assure par des liaisons covalentes. Une attention particulire doit tre porte sur les zones telles que dfinies par le point A (figure I-19) o leau risque plus particulirement de pntrer vers les zones lectriquement actives;
Bonne stabilit chimique, lectrique et thermique; Faible absorption des espces dtecter; Commodit pour dessiner le motif de la zone sensible; Compatibilit avec la production de masse, de prfrence au niveau de la

plaquette. Egalement, selon les applications biologiques, il faut tenir compte des points suivants:
Biocompatibilit du systme entier; Possibilit de strilisation priodique.

Plusieurs matriaux ont t tudis dans la littrature comme encapsulant (poxy, polyimide, silicone, ) mais aucun de ces matriaux ne peut assurer toutes les exigences du cahier de charge.

Epoxy : Ces matriaux sont largement et habituellement utiliss dans la technologie du

capteur grce leur faible permabilit (trs faible par rapport au silicone), leur large gamme

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Partie I de viscosit, leur rigidit et leur duret [73]. Souvent pour amliorer certaines proprits de lpoxy, un remplisseur est commodment utilis.

Polyimide : Ce matriau est populaire dans la technologie des circuits intgrs (IC)
grce son excellente rsistance thermique (jusquau 350C), son lasticit leve par rapport lpoxy temprature ambiante et sa flexibilit [74]. Les polyimides gardent leurs proprits dans le volume et sur linterface avec les autres matriaux mme sils ont t soumis aux contraintes superficielles lies lhumidit et la temprature. Nanmoins, les polyimides montrent une sensibilit envers des solutions fortement alcalines.

Silicone: Ce matriau possde de bonnes proprits thermiques et dilectriques, il est

relativement mou et est biocompatible, donc il est destin dans la plupart des cas aux applications biomdicales. Notons brivement les principales techniques de caractrisation des matriaux encapsulants : spectroscopie infrarouge pour caractriser la liaison chimique, mesures capacit-tension (C/V) pour caractriser le systme "lectrolyte/isolant/semi-conducteur" et tudes de la rponse des capteurs aux ions pour lanalyse de la sensibilit dencapsulant envers ces espces chimiques analyser [75]. Initialement, la technique dencapsulation des capteurs a t drive des technologies des circuits intgrs. Les puces ont ainsi t protges par une couche paisse de passivation et ensuite enrobes. Cependant lencapsulation des capteurs possde des points particuliers: la zone sensible ne doit pas tre recouverte alors que le reste du capteur des connexions lectriques et du PCB doit tre entirement recouvert par un encapsulant (figure I-19).

solution membrane
A

Contact lectrique Puces support

encapsulation

Figure I-19: Encapsulation classique dun capteur chimique

Lors dun assemblage standard, la puce est reporte sur le circuit imprim, puis les connections lectroniques sont raliss par microsoudure wedge bonding de fils dor. Ensuite un enrobage de type glob-top (poxy ou silicone) est effectu au niveau des

50

Partie I connexions, de la puce et du circuit imprim assurant ainsi ltanchit du systme, seule la partie sensible du capteur tant pargne par cet enrobage. Dautres techniques plus spcifiques ont fait leur apparition comme lencapsulation par la tranche (wafer level packaging). Cette technique dencapsulation consiste venir sceller sur la premire plaquette de silicium ou se trouvent les circuits actifs, une deuxime plaquette qui a t au pralable grave afin de permettre des interactions entre les zones actives des capteurs et les milieux danalyses. La connexion se fait par des microbilles conductrices via des trous gravs et mtalliss de la plaquette dencapsulation (figure I-20). Mtallisation Isolant

Microbille

Zone active

Figure I-20: Encapsulation par tranche dun capteur chimique

Lutilisation de systmes microfluidiques permet lencapsulation des microcapteurs en ne faisant circuler les fluides uniquement sur des zones pralablement dfinies. Ces systmes sont de plus en plus utiliss car ils permettent en plus dune encapsulation simple, dutiliser de petites quantits de liquide, de les acheminer vers des zones prcises et de les mlanger entre elles, le tout dans des petits volumes (figure I-21). Systme microfluidique Prise contact

Zone active

Figure I-21: Encapsulation microfluidique dun capteur chimique

51

Partie I

VI. Intgration des matriaux sensibles

La dtection des cations et anions comme K+, Na+, Ca+2, NH4+, NO3-, etc est habituellement base sur des membranes organiques [76]. Ces membranes ionosensibles sont gnralement prpares partir dun mlange de polymre de haute masse molculaire, dun plastificateur/photoinitiateur, dun ionophore et dun sel lipophilique dissous dans un solvant organique. Le polymre sert de matrice pour la membrane sensible, le plastificateur assure un milieu favorable pour les composants lectroactifs, lionophore et le sel lipophilique contrlent la sensibilit aux ions et limpdance de la membrane. La performance lectroanalytique dune membrane sensible repose sur lensemble complexe des fonctions des composants qui la forment, et ncessite donc souvent dtre optimise. Le PVC est la matrice la plus communment utilise, cependant il faut reconnatre sa faible adhrence la surface SiO2/Si3N4, ce qui contribue une drive temporelle importante et une faible dure de vie. Nanmoins, il existe plusieurs mthodes pour amliorer son adhsion: traitement chimique de la surface, attachement mcanique de la couche, introduction dune couche dhydrogel. Il est aussi possible dutiliser dautres matriaux alternatifs (polysiloxane (PSX), polyHEMA/siloprene, polyurethane/acrylate, polyimide ). Les membranes base de couches ultraminces de type Lamgmuir-Blodgett ont une faible sensibilit pour la gamme de pX = [2 - 6]. Les membranes base de Polyimide adhrent bien en surface (liaison covalente) mais leur sensibilit est relativement faible par rapport aux membranes PVC. Dernirement, les membranes base de PSX ont t tudies [77]. Elles sont caractrises par une bonne adhrence en surface silanise, une bonne compatibilit avec la technologie silicium et une bonne sensibilit. Cest ce dernier, le polysiloxane, que nous avons utilis pour raliser nos couches sensibles dans lesquelles nous avons incorpor des ionophores spcifiques pour la dtection des ions K+, Na+, NH4+ et NO3- . Ces couches ont t dposes soit par dpt la micropipette, soit par dpt la tournette aussi bien sur les capteurs ISFETs avec des paisseurs plutt leves (10-50m), que sur les microlectrodes avec des couches trs fines (100-300nm). (voir chapitre II-3)

52

Partie I

Conclusion :
A partir dune structure de base de type pH-ChemFET, identique quelle que soit lapplication recherche, la spcificit du capteur sera finalement obtenue par ladjonction de la couche chimiquement sensible. Autrement dit, les capteurs chimiques ChemFETs prsentent une structure gnrique qui permet de concevoir sur la mme puce le systme de multi-capteurs selon leurs applications. Dautre part, les caractristiques des capteurs (sensibilit et slectivit) ne dpendent que des proprits chimiques des couches ionosensibles. Si lutilisation dune lectrode de rfrence ne permet pas leur intgration complte, des solutions, actuellement ltude, passent par la fabrication des microlectrodes de pseudo rfrence en faisant appel aux mtaux nobles (or, platine). De mme, une structure (motif) de base deux ou trois lectrodes peut tre ralise pour les capteurs microlectrodes laquelle on adjoint la couche chimiquement sensible, cette dernire donnant la slectivit aux capteurs. La sensibilit de ce type de capteur dpendant en plus des proprits chimiques de la couche ionosensible, de la distance inter-lectrode, des motifs des lectrodes, des tensions appliques (vitesse de balayage, gamme de tension, tension de polarisation). De nombreux travaux de recherche sont ainsi mens pour optimiser le dpt collectif de couches sensibles ainsi que leur sensibilit et leur slectivit. Le tableau (I-3) qui suit donne les avantages et les inconvnients de ces deux types de capteurs. Enfin, lavantage majeur reste li leur totale compatibilit avec la technologie silicium. Certainement, cette technologie ncessite la mise en uvre dinvestissements lourds et de matriels performants, mais en contrepartie, lutilisation des techniques de production collective de la microlectronique permet la conception et la ralisation de systmes multicapteurs intgrs avec de faibles cots, donc jetables. Cet avantage fait de ces deux capteurs des candidats srieux pour le dveloppement des analyses biochimiques en milieux aqueux.

53

Partie I
ChemFETs Microlectrodes

avantage inconvnient avantage inconvnient

Compatibilit avec la technologie silicium Faible cot Possibilit de conception des capteurs "jetables" Miniaturisation Intgration dans les systmes monolithiques Robustesse Facilit et commodit dutilisation Rsistance de sortie Caractre gnrique: adaptation tout type dions dans le cadre de systmes multicapteurs Temps de rponse Energie de consommation Interface avec la microfluidique Maintien spcial Drive temporelle Vieillissement Sensible la force ionique de la solution Calibration frquente Packaging Intgration des couches sensibles

X X X X X X X X X X X X X X X X X X X

X X X X X X X X X X X X X X X X X X X

Tableau I-3 : avantages/inconvnients des capteurs chimiques

54

Partie I

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58

Partie I

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59

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60

Partie II

PARTIE II Ralisations et rsultats

61

Partie II

62

Partie II

CHAPITRE I Dveloppement technologique des microcapteurs chimiques

63

Partie II

Introduction
Lintgration et la miniaturisation des microsystmes et microcapteurs chimiques sont des points essentiels pour amliorer les performances des analyses en milieux aqueux. Ces capteurs servent transformer les grandeurs chimiques en signaux lectriques qui seront traits afin de rduire les influences parasites (drive, temprature, lumire, ). Lutilisation des technologies de la microlectronique pour la ralisation de ces capteurs permet une intgration et de faibles cots de production grce la fabrication collective. Elles ont aussi permis la mise en place de procds technologiques dit gnriques pour la ralisation de microcapteurs chimiques en phase liquide tels que les transistors chimiques effet de champ ChemFETs ou les microlectrodes chimiques. Nous allons prsenter dans ce chapitre les ralisations et les dveloppements technologiques mis en place au cours de nos travaux de thse. Dans un premier temps, nous dcrirons les procds de fabrication des ChemFETs et des microlectrodes. Ensuite, dans une deuxime partie, nous prsenterons les apports des technologies polymres en vue de loptimisation des micro-capteurs chimiques dans le cadre dapplications donnes : analyse de microvolumes et intgration de couches chimiquement sensibles.

I. Dveloppement de microdispositifs gnriques

I.1. Conception et ralisation de ChemFETs
I.1.1. Objectif
Ltude en milieu biologique notamment avec des organismes vivants comme les bactries, ncessite un volume danalyse trs petit afin de navoir besoin que dune petite quantit de matire premire. Notre travail a consist faire une optimisation des capteurs ChemFETs, que nous ralisions et utilisions dj pour dautres applications telles que lanalyse des ions H+, K+, Na+, NO3-, NH4+ en solution. Ces modifications portent

64

Partie II essentiellement sur une intgration de llectrode de rfrence, sur les longueurs de pistes mtallises, sur la surface gnrale en silicium du capteur et dans une moindre mesure sur la largeur de grille. Les procds de ralisation ont t tudis, simuls et tests lors de thses prcdentes (thses de Melle Irina HUMENYUK et de Mr William SANT) [1-2]. Toutes ces modifications nous ont amens refaire une srie de masques ralise sous le logiciel CLEWIN.

I.1.2. Fabrication des ChemFETs

I.1.2.1 Description du procd technologique Pour effectuer le procd technologique des ChemFETs, sept niveaux de masques ont t ncessaires. Le logiciel CLEWIN a t utilis pour la cration de ces masques. Ce procd technologique des micro-capteurs est bas sur les tapes standards de la technologie silicium [3-4]. Nanmoins, il doit tre adapt aux particularits des capteurs chimiques. Au total, il y a 21 tapes dans la ralisation des ChemFETs partir du choix du substrat jusquau montage des puces.

Choix du substrat
Le substrat de silicium de type N (dop Bore) avec lorientation <100> a t choisi. La rsistivit du substrat est de 4 cm (Nd = 1013 at/cm3). La dimension des plaquettes est de 4 pouces, qui est dicte par lquipement disponible dans la centrale technologique du LAASCNRS. Lpaisseur de la plaquette est de 525 m ce qui assure de bonnes performances mcaniques. Du fait que notre processus technologique ne comporte que des interventions en face avant, les plaquettes utilises sont polies simple face. Afin de valider les diffrentes tapes du procd technologique, nous avons utilis des plaquettes tmoins ayant les mmes caractristiques que les substrats choisis et ayant suivi les mme tapes de fabrication.

Etape 1: Nettoyage des plaquettes de silicium

Le nettoyage des plaquettes est une des tapes rgulirement rptes au long de la fabrication des composants ChemFETs.

65

Partie II Cette procdure est communment appeler "attaque piranha". Elle est destine enlever les impurets et les composs organiques en surface du silicium, en faisant crotre une fine couche doxyde qui va piger ces impurets, puis en liminant cette couche. Cette tape seffectue de la manire suivante: Nettoyage des plaquettes dans le bain H2SO4(90%)/H2O2(10%) [1:1] en volume pendant 30 secondes, cration dun oxyde de silicium de quelques nanomtres dpaisseur; Rinage des plaquettes dans leau dionise EDI et schage sous azote; Attaque chimique dans le HF(10%) pendant 30 sec. pour enlever la couche doxyde; Rinage des plaquettes dans lEDI (11 Mcm et plus) et schage sous azote.

Etape 2: Oxydation de masquage

Cette tape a pour but de faire crotre une couche doxyde thermique de 700 nm. Le cycle thermique de loxydation de masquage est reprsent sur la figure 2.1.

1200 1100 1000 900 800 700 600 0 55

t ox = 700n m

N2 O2 N2

O2 O2

H 2 +O 2

Temprature,

1 10

1 65

2 20

275

330

tem ps, m inutes

Figure 2.1: Cycle thermique de loxydation de masquage Notons que lpaisseur doxyde de masquage doit tre suffisamment grande pour protger le reste de la plaquette des effets dimplantation et des autres oprations thermiques. Loxydation se fait sur les deux cots de la plaquette (figure 2.2).

66

Partie II

Si N type, Na = 1013 at/cm3

SiO2

Figure 2.2: Oxydation de masquage

Etape 3: Photogravure de loxyde de champ (# masque 1)

Cette tape est destine graver loxyde de masquage sur la face avant de la plaquette en vue de llaboration du caisson disolation de type P qui dlimitera la zone active du composant (figure 2.3). Elle se droule selon les squences suivantes: Etuvage 200C (30min) puis HMDS (30 min) comme promoteur dadhrence; Etalement de la rsine positive AZ 1529; Alignement + exposition aux UV; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1min; Gravure chimique de loxyde (buffer HF: 15 min); Nettoyage de la rsine lactone et rinage des plaquettes dans lEDI.

Si N type, Nd = 1013 at/cm3

SiO2

Figure 2.3: Photogravure de loxyde de masquage

Etape 4: Oxydation de pr-implantation

Pendant cette tape une mince couche doxyde de silicium sera forme (figure 2.4). Afin de limiter la cration de dfauts dans le silicium, nous allons implanter les dopants (bore et arsenic) travers cette couche pour crer le caisson P, le caisson profond P+ et les zones actives du composant (drain, source).

67

Partie II

Si N type, Nd = 1013 at/cm3

SiO2

Figure 2.4: Oxydation de pr-implantation Le profil thermique (figure 2.5) de cette tape a t optimis la centrale technologique du LAAS pour obtenir une paisseur doxyde de 40 nm.

O2
1000 t ox = 40nm

N2

Temprature, C

900

O2

N2

800

700

600 0 80 160

temps, minutes

Figure 2.5: Cycle thermique de loxydation de pr-implantation

Etape 5: Implantation du caisson P

Le caisson disolation de type P, analogue un caisson de type Pwell dans les technologies CMOS, est ralis par implantation ionique de bore. La concentration en surface aprs les diffrents recuits thermiques (Na) dterminera la valeur de la tension de seuil (VT). Implantation bore (dose: 1x1013 at/cm2; nergie: 50 keV; tilt: 7)

P Si N

SiO2

Figure 2.6: Implantation du P+

68

Partie II

Etape 6: Recuit de redistribution du caisson P

Cette tape thermique permet de redistribuer profondment les atomes de bore implants dans le silicium et de les activer lectriquement mais aussi de corriger les dfauts cristallins crs lors de limplantation ionique. Loxyde de pr-implantation est conserv et permet dviter une exodiffusion du bore. Le profil de la redistribution est dcrit dans la figure 2.7.

1200 1100

N2

Temprature, C

1000 900

N2
800 700 600 0 100 200 300

N2

400

temps, minutes

Figure 2.7: Cycle thermique de redistribution

Si N

SiO2

Figure 2.8: Redistribution du caisson disolation P

Etape 7: Photogravure P+ (masque #2)

Cette tape contient les procdures suivantes: Etuvage (30min) + HMDS (30 min); Etalement de la rsine positive AZ 1529;

69

Partie II Alignement + exposition; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1 min;

rsine SiO2

Si N

Figure 2.9: Photogravure des caissons P+ Le but de ces anneaux de garde est dviter les courants parasites en surface des composants. De plus, il favorise la conduction du courant au niveau du contact lectrique de la polarisation du caisson P (figure 2.9).

Etape 8: Implantation de la zone P+

Limplantation des ions bore seffectue avec la rsine de protection travers loxyde de pr-implantation (figure 2.10). Implantation de bore (dose: 1x1016 at/cm2; nergie: 50 keV; tilt: 7); Nettoyage de la rsine : Actone, Rinage EDI, schage; Plasma O2 (45 min); RT2 si ncessaire.

rsine P+ Si N P P+ SiO2

Figure 2.10: Implantation du P+

70

Partie II

Etape 9: Photogravure des sources et des drains N+ (masque #3)

Cette tape permet de matrialiser les zones actives des sources et des drains des composants (figure 2.11). rsine P+ Si N P P+ SiO2

Figure 2.11: Photogravure des zones N+ Cette tape seffectue de la faon suivante: Etuvage (30min) + HMDS (30 min); Etalement de la rsine positive AZ 1529 (lpaisseur de la rsine est de 2 m); Alignement + exposition; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1min.

Etape 10: Implantation N+

Les zones actives des composants sont ralises par limplantation dions darsenic travers loxyde de pr-implantation et avec la rsine de protection (figure 2.12). Notons que le positionnement de la source et du drain est symtrique par rapport laxe central du composant. Donc, la source va jouer le rle de la "vraie" source aprs sa liaison externe avec le caisson P du ChemFET. rsine P+ Si N P Source N+ Drain N+

P+

SiO2

Figure 2.12: Implantation des zones de source et de drain N+

71

Partie II Implantation de bore (dose: 1x1016 at/cm2; nergie: 100 keV; tilt: 7); Nettoyage de la rsine: Actone, Rinage EDI, schage; Plasma O2 (45 min); RT2 si ncessaire.

Etape 11: Redistribution sous atmosphre oxydante

La redistribution des diffusions N+ est commune avec la redistribution des diffusions P+.
1200 1100
H 2+O 2

N2
tox = 600nm

temprature, C

1000 900 800 700 600 0

O2

O2

N2

55

110

165

220

275

temps, minutes

Figure 2.13: Cycle thermique de redistribution Cette tape thermique permet donc dhomogniser le dopage et de diminuer les effets de surface. Ce cycle thermique de redistribution a lieu sous atmosphre oxydante, faisant ainsi crotre un oxyde protecteur de 600nm (figure 2.13). On constate laugmentation de la profondeur des jonctions et la diminution de la concentration en surface des zones actives (figure 2.14). On note que nous avons tenu compte de la diffusion du caisson disolation P durant le bilan thermique. Source N+ Drain N+

P+ Si N

P+

SiO2

Figure 2.14: Redistribution sous atmosphre oxydante

72

Partie II

Etape 12: Photogravure de grille (masque #4)

Cette tape est destine graver loxyde de silicium de pr-implantation prcdemment form sur la face avant de la plaquette par une attaque au buffer HF (figure 2.15). Ltape de photogravure de grille suivra les mmes squences que ltape 3 : Etuvage (30min) + HMDS (30 min) pour augmenter ladhrence; Etalement de la rsine positive AZ 1529; Alignement + exposition; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1 min; Gravure chimique de loxyde (buffer HF: 10 min); Nettoyage de la rsine lactone et rinage des plaquettes dans lEDI. Source N+ Drain N+

P+ Si N

P+

SiO2

Figure 2.15: Photogravure de grille

Etape 13: Nettoyage RCA

Avant deffectuer loxyde et le nitrure de grille qui serviront disolant et de couche sensible pour les capteurs chimiques, il faut que la surface entre le silicium et loxyde de grille soit extrmement propre. Aprs avoir mis le silicium nu, le nettoyage RCA permet damliorer les caractristiques dinterface entre loxyde et le silicium. La mthode de nettoyage RCA consiste en six bains successifs, o lon va tour tour enlever loxyde et faire un oxyde de quelques nanomtres. Ces bains permettent denlever les contaminations organiques, ioniques et mtaux lourds. Le contrle de la rsistivit de leau permet de sassurer du bon droulement du nettoyage.

73

Partie II Les bains de RCA: bain A* : plonger les plaquettes dans HF (10%) pendant 30 sec. pour enlever loxyde superficiel, puis rinage des plaquettes dans lEDI et schage sous azote; bain A : plonger les plaquettes dans lacide nitrique HNO3 80 C pendant 10 minutes pour crer nouveau un oxyde de silicium de quelques Angstrms, puis rinage des plaquettes dans lEDI et schage sous azote; bain A* : plonger des plaquettes dans le HF (10%) pendant 30 secondes pour enlever loxyde superficiel, puis rinage des plaquettes dans lEDI et schage sous azote; bain B : plonger les plaquettes dans la solution compose de NH4OH (28%), H2O2 (30%) et EDI [1:1:5] 80C pendant 10 minutes, puis rinage des plaquettes dans lEDI et schage sous azote; bain C : plonger les plaquettes dans la solution compose de HCl (37%) H2O2 (30%) et EDI [1:1:6] 80C pendant 5 minutes, puis rinage des plaquettes dans lEDI et schage sous azote ; bain A* : plonger les plaquettes dans le HF (10%) pendant 30 sec. pour enlever loxyde superficiel form prcdemment dans le bain C, puis rinage des plaquettes dans lEDI et schage sous azote.

Etape 14: Oxydation de grille

Les plaques doivent tre enfournes immdiatement aprs le nettoyage RCA pour viter la contamination de la surface. Loxyde de grille des composants ChemFETs est ralis par oxydation thermique sche du silicium qui assure la croissance dune mince couche de bonne qualit (figure 2.16). Le profil thermique de cette tape a t optimis pour obtenir une paisseur doxyde de 50nm (figure 2.17). Source N+ Drain N+

P+ Si N

P+

SiO2

Figure 2.16: Oxydation de grille

74

Partie II

1000

tox = 3 0 n m

O2 N2

Temprature, C

900

O2

N2

800

700

600 0

80 86

160

te m p s, m in u te s

Figure 2.17: Cycle thermique doxyde de pr-implantation

Etape 15: Dpt de nitrure de silicium Si3N4 par LPCVD

Aussitt aprs le dpt doxyde, nous dposons une couche de nitrure de silicium de 50 nm par dpt chimique en phase vapeur sous basse pression (LPCVD) qui assure une bonne qualit du dilectrique (figure 2.18). Cette couche est utilise comme une membrane sensible aux ions hydrogne. De plus, elle constitue une excellente barrire la diffusion des molcules aqueuses (H2O, H3O+, OH-). Les sources gazeuses utilises pour raliser cette couche sont lammoniac NH3 et le dichlorosilane SiH2Cl2. Dpt de Si3N4 par LPCVD (Temprature : 750C ; pression 330mTorr ; temps=20min); Source N+ Drain N+

Si3N4

P+ Si N

P+

SiO2

Figure 2.18: Dpt de nitrure de silicium Si3N4

Etape 16 : Photogravure douverture des contacts (masque #5)

Louverture des contacts consiste attaquer le nitrure de silicium par une gravure plasma (RIE) et ensuite enlever loxyde de silicium par gravure humide (buffer HF) (figure 2.19).

75

Partie II Lobjectif de cette tape est de dfinir les ouvertures qui assureront de bons contacts lectriques entre le mtal et les zones actives du composant (drain, source, substrat). Cette tape consiste : Etuvage (30min) + HMDS (30 min); Etalement de la rsine positive AZ 1529; Alignement + exposition; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1 min.; Gravure plasma du nitrure (GIR 100:1min30); Gravure chimique de loxyde (buffer HF: 10 min); Nettoyage de la rsine lactone et rinage des plaquettes dans lEDI.

Source N+

Drain N+

Si3N4

Si N

P+

P+

SiO2

Figure 2.19: Ouverture des contacts

Etape 17: Mtallisation titane/or

Pour former des contacts fiables avec des zones actives du composant, des couches titane/or (Ti/Au) ont t dposes sur la surface de la plaquette par vaporation thermique (figure 2.20). La couche de titane est utilise comme une couche daccrochage. Dpt 150C de Ti/Au (200nm/800nm) ;

76

Partie II Source N+ Drain N+

Si3N4

Si N

P+

P+

SiO2

Figure. 2.20: Mtallisation

Etape 18: Photogravure des mtallisations (masque #6)

Cette tape sert protger les rgions du composant o on souhaite conserver le dpt des mtaux (contacts : source, drain et substrat). Les zones non protges par la rsine vont tre enleves par une gravure humide (figure 2.21). Source N+ Drain N+

Si3N4

Si N

P+

P+

SiO2

Figure 2.21: Photogravure des contacts Dcrivons brivement cette tape: Etuvage (30min) + HMDS (30 min); Etalement de la rsine positive AZ 1529; Alignement + exposition; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1 min.; Gravure chimique de lor dans une solution de KI +I2 pendant 4 minutes; Gravure chimique du titane (buffer HF: 3 min); Nettoyage de la rsine lactone et rinage des plaquettes dans lEDI.

77

Partie II

Etape 19: Recuit de mtallisation

Nous avons effectu le recuit des plaquettes pendant 20 minutes sous azote hydrogn 250C. Ceci diminue les contraintes dans les zones mtallises et amliore les proprits daccrochage de la couche mtallique.

Etape 20: Ralisation des zones chimiquement sensibles.

Les couches sensibles vont tre dposes soit par dpt de microgouttes, soit laide des techniques de photolithographie (masque 7). Ce sujet sera dvelopp dans la troisime partie de ce chapitre.

Etape 21: Montage des composants

Aprs un dpt de rsine de protection, les plaquettes vont tre dcoupes laide dune scie diamante. Lutilisation dune commande numrique permet de dcouper la plaquette et dindividualiser les puces slectionnes en vue de leur montage. Ainsi, les puces vont tre colles par la face arrire sur des circuits imprims, soudes et encapsules. I.1.2.2. Rsum de la fabrication des ChemFETs La prsence des plaquettes tmoins a permis de contrler le bon droulement des procds technologiques. Quelques rsultats rels et simuls sont prsents dans le tableau 2.1.

Paramtres
Epaisseur oxyde de masquage Epaisseur de loxyde de primplantation Epaisseur doxyde de grille Epaisseur du nitrure de grille Rsistance carr P Rsistance carr P+ Rsistance carr N+

Valeurs souhaites Valeurs mesures

700nm 40nm 50nm 50nm 2120 /sqr 30 /sqr 12 /sqr Ellipsomtre : 730nm Ellipsomtre : 43nm Ellipsomtre : 55 nm Ellipsomtre : 47 nm 2500 /sqr 35 /sqr 16 /sqr

Tableau 2.1: Comparaison entre les valeurs simules et mesures

78

Partie II

Figure 2.22 : Photographie dune plaquette des ChemFETs La photo de la plaquette ralise est donne sur la figure 2.22. La plaquette contient au total 180 composants (ChemFETs avec les diffrentes formes dlectrode de grille et des transistors MOS comme composants de test). La figure 2.23 prsente le capteur ChemFET avec une lectrode de grille en anneau aprs la dcoupe. La structure btonnet ralise par Iryna HUMENYUK [14] est prsente sur la figure 2.24.

Figure 2.23: Photographie dun ChemFET (structure pour microcuve)

I.2. Conception et ralisation des microlectrodes dor

Figure 2.24: Photographie dun ChemFET (structure "btonnet")

79

Partie II

I.2. Conception et ralisation de microlectrodes

I.2.1 Objectif
Les microlectrodes que nous avons ralises sont destines pour des analyses aussi bien en milieu salin (analyse de leau) quen milieu biologique (analyse du sang). Pour ce faire, nous avons ralis plusieurs structures et motifs de microlectrodes suivant les applications et les contraintes. Par consquent, nous avons d raliser trois types diffrents de microlectrodes. De plus, notre travail a port sur une optimisation du dpt dor afin dobtenir une surface approprie pour une meilleure adhsion des agents chimiques et biologiques. Donc, une srie de masques a t ralise avec les diffrentes structures sur le logiciel CLEWIN (annexe II).

I.2.2. Fabrication des microlectrodes

Le procd technologique des microlectrodes dor est bas sur les tapes standards de la technologie silicium. De mme que pour les micro-capteurs ChemFETs, nous avons tenu compte des particularits de fonctionnement en milieu aqueux lors de la conception. Les tages technologiques 1, 2, 4, 5, 6 et 9 sont identiques pour les trois types de microlectrodes.

Choix du substrat
Nous avons choisi un substrat silicium standard de type P avec une orientation <100> ayant une rsistivit de 10.cm (Na = 1015 at/cm3) et une paisseur de 525 m. Les dimensions des plaquettes (4 pouces) ont t dictes par les quipements de la centrale technologique. Le choix de ce substrat a t motiv non pas sur des critres technologiques mais plutt conomiques du fait que le substrat ne sert que de support mcanique.

Etape 1: Nettoyage des plaquettes de silicium

Ce nettoyage (attaque piranha) est destin enlever les impurets et les composs organiques en surface du silicium, en faisant crotre une fine couche doxyde qui va piger ces impurets, puis en liminant cette couche. Cette tape seffectue de la manire suivante: 80

Partie II

Nettoyage des plaquettes dans le bain H2SO4(90%)/H2O2(10%) [1:1] en volume pendant 30 secondes, cration dun oxyde de silicium de quelques Angstrms; Rinage des plaquettes dans leau dionise EDI et schage sous azote; Attaque chimique dans le HF(10%) pendant 30 sec. pour enlever la couche doxyde; Rinage des plaquettes dans lEDI (11 Mcm et plus) et schage sous azote.

Etape 2 : Oxydation du substrat

Cette tape a pour but de faire crotre une couche doxyde thermique de 700 nm. Cette couche doxyde est ncessaire pour isoler les diffrentes pistes lectriques du capteur. Le cycle thermique de loxydation de masquage est reprsent sur la figure 2.25.
1200 1100 1000 900 800 700 600 0 55 1 10 1 65 2 20 275 330 t ox = 700n m

N2 O2 N2

O2 O2

H 2 +O 2

Temprature,

tem ps, m inutes

Figure 2.25: Cycle thermique de loxydation Loxydation se fait sur les deux cots de la plaquette (figure 2.26).

Si P type, Nd = 1015 at/cm3

SiO2

Figure 2.26: Oxydation du substrat

81

Partie II

Etape 3: Mtallisation
Les couches de titane/or (Ti/Au) ont t dposes sur la surface de la plaquette par vaporation thermique (figure 2.27). La couche de titane est utilise comme une couche daccrochage. En nous basant sur les caractristiques couramment utilises lors des dpts en microlectronique classique, nous avons optimis ces dpts pour les accroches des couches biochimiques. La couche dor doit tre la plus homogne possible afin dobtenir un maximum de sites daccroche. Par consquence, loptimisation porte essentiellement sur les vitesses et les paisseurs de dpt afin de diminuer les contraintes physiques. De plus pour viter une forte migration du titane travers la couche or, le dpt se fait temprature ambiante et le recuit de mtallisation a t supprim. Dpt de Ti/Au ; Vitesse de dpt Epaisseur Titane 2nm/s Or 1nm/s Titane 30nm Or 300nm

Etape 4: Photogravure mtal (# masque 1)

Cette tape sert protger les rgions du composant o on souhaite conserver le dpt des mtaux. Des zones non protges par la rsine vont tre enleves par une gravure humide (figure 2.27). Or Ti

Si P type, Nd = 1015 at/cm3

SiO2

Figure 2.27: Photogravure mtal

82

Partie II Dcrivons brivement cette tape: Etuvage (30min) + HMDS (30 min); Etalement de la rsine positive AZ 1529; Alignement + exposition; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1 min.; Gravure chimique de lor dans une solution de KI +I2 pendant 3 minutes; Gravure chimique du titane (buffer HF: 2 min); Nettoyage de la rsine lactone et rinage des plaquettes dans lEDI.

Etape 5: Dpt doxyde par PECVD

Cette tape consiste venir dposer une couche doxyde protectrice qui isolera les pistes lectriques du composant une fois le capteur plong dans la solution analyser. Cet oxyde est cr par un dpt chimique en phase vapeur assist par plasma (PECVD). Cette technique de dpt permet loxyde davoir une bonne adhrence sur lor (figure 2.28). Afin damliorer ladhrence et donc de diminuer les contraintes mcaniques du dpt doxyde sur lor, une tude portant sur les diffrents paramtres du dpt (temprature, pression, dure, ...) a t mene en collaboration avec le personnel de la salle blanche. Lpaisseur du dpt est de 300nm. Dpt de SiO2 par PECVD. (temprature : 380C ; BF ; Temps= 8 min); Or Ti SiO2
PECVD

Si P type, Nd = 1015 at/cm3

SiO2

Figure 2.28: Dpt doxyde de silicium SiO2 PECVD 83

Partie II

Etape 6: Photogravure SiO2 (# masque 2)

Cette tape permet de venir ouvrir les zones actives et les prises de contact en ne protgeant pas ces zones par de la rsine (figure 2.29). Loxyde non protg est limin par une attaque humide. Or Ti SiO2
PECVD

Si P type, Nd = 1015 at/cm3

SiO2

Figure 2.29: Photogravure SiO2 PECVD Dcrivons brivement cette tape: Etuvage (30min) + HMDS (30 min); Etalement de la rsine positive AZ 1529; Alignement + exposition; Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]); Rinage et vrification au microscope ; Post recuit 115C pendant 1 min; Gravure chimique de loxyde (buffer HF: 3 min); Nettoyage de la rsine lactone et rinage des plaquettes dans lEDI.

La prochaine tape est spcifique aux lectrodes utilises pour la dtection dions lourds.
Etape 7: Dpt de loxyde PECVD de 20nm.
Cette tape consiste venir dposer une couche doxyde trs fine sur lor (20nm) pour permettre laccroche de la couche sensible. Elle est galement dpose par dpt PECVD afin que cet oxyde puisse adhrer sur lor.

84

Partie II

Dpt de SiO2 par PECVD (20nm). SiO2

PECVD 20nm

Or

Ti SiO2
PECVD

Si P type, Nd = 1015 at/cm3

SiO2

Figure 2.30: Dpt doxyde de silicium SiO2 PECVD

La prochaine tape est spcifique aux lectrodes utilises pour le diagnostic du paludisme.
Etape 7: Dpt du PSX.
Cette tape consiste venir dposer un polymre, le polysiloxane (voir paragraphe II2) afin de raliser les microcavits danalyse. La hauteur de ces cavits est de 100m (figure 2.31). Une monocouche auto-assemble est dpose au pralable pour permettre au PSX dadhrer sur loxyde (voir paragraphe II-2). Le dveloppement du PSX non rticul aux UV se fait dans du xylne. Cette tape a ncessit une tude particulire dcrite dans le chapitre I-2-1. PSX 100nm Ti SiO2
PECVD

Or

Si P type, Nd = 1015 at/cm3

SiO2

Figure 2.31: Dpt du PSX

85

Partie II

Etape 8: Ralisation des zones chimiquement sensibles.

Le dpt des couches sensibles est lune des tapes les plus dlicates, cest ce qui confre au capteur toute sa spcificit. Les techniques denduction sont diverses et spcifiques aux types de matriaux (polymre, SAM, plastique, ). Pour nos applications, nous avons utilis les techniques de dpts par trempage (Langmuir-Blodgett), par dpt de microgouttes, par dpt la tournette et utilisation des techniques de photolithographie (masque7), ou enfin par greffage chimique. Ce sujet sera dvelopp dans la troisime partie de ce chapitre.

Etape 9: Montage des composants

Aprs un dpt de rsine de protection, les plaquettes vont tre dcoupes laide dune scie diamante. Lutilisation dune commande numrique permet de dcouper la plaquette et dindividualiser les puces slectionnes en vue de leur montage. Ainsi, les puces vont tre colles par la face arrire sur des circuits imprims, soudes et encapsules (figure 2.32).

Figure 2.32: Photo des composants raliss

86

Partie II

II. Adaptation des capteurs en fonction de lapplication

II.1 Ralisation de microcuves en PDMS
II.1.1. Prsentation du polydimthylsiloxane (PDMS)
Le PDMS est un lastomre largement rpandu dans le domaine des micro et nanotechnologies notamment par le biais de techniques mergentes telles que la micro-impression ou micro contact printing , ou encore la micro-fluidique. Hormis ses proprits lectriques, ses caractristiques chimiques confrent ce polymre un grand intrt en termes dadhsion, de greffage, de moulage, de stabilit et de transparence. De plus, la simplicit et la reproductibilit de la raction qui transforme les prcurseurs du PDMS en polymre en font un matriau plus quattractif dans les procds technologiques actuels qui requirent des qualits dadaptation la fabrication collective un cot le plus bas possible. II.1.1.1. Caractristiques chimiques En gnral, le PDMS utilis en laboratoire est dlivr sous la forme dun kit en deux parties. La premire contient des chanes polydimthylsiloxane dune soixantaine de monomres termines par un groupement vinyle. La seconde partie est compose dune solution de copolymres mthylhydrosiloxane / dimthylsiloxane dune dizaine de monomres chacun et dun catalyseur base de platine. Une reprsentation semi-dveloppe de ces composs est donne sur la figure 2.33.

Chane de copolymres mthylhydrosiloxane dimthylsiloxane

Chane polydimthylsiloxane termine par un groupement vinyle

Figure 2.33 : Formules semi-dveloppes des composs ncessaires la prparation du polymre PDMS [5] 87

Partie II La raction qui permet la cration de liaisons Si-CH2-CH2-Si provient dune hydrosilylation, rsultant dune raction de polyaddition des liaisons Si - H sur les terminaisons vinyles. Cette raction, qui permet dobtenir finalement le polymre est prsente sur la figure 2.34.

Figure 2.34 : Raction de rticulation des prcurseurs du PDMS [6] II.1.1.2. Domaines dapplications du PDMS Le PDMS ne trouve pas encore beaucoup dapplications directes dans lindustrie. Il est utilis dans le domaine de limpression grande chelle pour le transfert dimages (Presstek, Inc). Il peut tre galement utilis, dans lindustrie chimique comme base de prparation dmulsions de silicone, anti-mousse ou encore comme lubrifiant. Par contre, dans un avenir proche, il est trs grandement pressenti dans la cration de membranes slectives dans les industries chimiques pour sparer notamment les composs organiques volatils des effluents rejets. Il pourra galement tre utilis comme moule. Pour le moment, lutilisation du PDMS est plutt rserve au domaine de la recherche. Il est notamment utilis dans les procds de nanolithographie. Il a t dmontr que la reproduction de micro et nanostructures est possible, en utilisant des paramtres de pression et de temprature trs accessibles par rapport aux procds habituels pour les matriaux thermoplastiques [8]. Les mmes auteurs ont galement dmontr que le PDMS, une fois ltat rticul, est compatible avec les techniques classiquement utilises dans les procds technologiques comme le lift-off, la gravure RIE ou llectrodposition. De plus, les dimensions dont il est question avec le PDMS sont comprises dans une large gamme. Des

88

Partie II microstructures peuvent tre imprimes dans des films dpaisseur infrieure 1 micron tandis que des microstructures peuvent tre reportes dans des couches de 100 microns. Le PDMS trouve galement beaucoup dapplications dans le domaine de la microfluidique et celui des laboratoires sur puce (lab-on-chip). En effet, ses caractristiques permettent des interactions trs faibles avec de nombreuses biomolcules ce qui assure une non-dnaturation des solutions biologiques. De plus, les structures obtenues par micro et nano impression peuvent directement tre utilises en tant que micro-canaux et micro-chambres dans lesquels sont mlangs et analyss les ractifs et les chantillons. La surface trs lisse et trs rgulire du PDMS est galement trs avantageuse dans le cadre de la micro-fluidique de mme que sa transparence qui permet de coupler de tels dispositifs avec de la dtection base sur la fluorescence. Un autre grand avantage du PDMS est de pouvoir tre scell trs facilement sur des surfaces planes sans ncessiter des techniques dancrages labores. En effet, il est possible pour les groupements siloxanes de former des liaisons hydrognes avec, par exemple, la surface oxyde de silicium par lintermdiaire de groupements hydroxyls terminaux comme prsent sur la figure 2.35.

Si O H O

Surface du PDMS

Liaison hydrogne
Surface du silicium oxyde

Figure 2.35 : Description schmatique de la liaison hydrogne entre les chanes de PDMS et la surface oxyde du Silicium La surface oxyde peut tre obtenue avec loxyde natif du silicium ayant subi un traitement UVOCS (ultraviolet ozone cleaning system) ou en utilisant un procd conventionnel base dacide fluorhydrique suivi dune oxydation par traitement lacide sulfurique et peroxyde dhydrogne (H2SO4 H2O2). De mme, il existe galement des traitements anti-adhsifs tels que loctadecyltricholorosilane bien tablis qui permettent le dmoulage du PDMS sans problme. 89

Partie II

II.1.2. Conception de cuves en PDMS sans micro-canaux

II.1.2.1. Ralisation des cuves Les premires microcuves que nous avons fabriques, ont t ralises sans microcanaux. Cette premire tude a t amorce lors de la thse de Mme pourciel Marie-Laure [9]. Il sagissait de cubes de 2 millimtres de cot ayant en leur centre une cuve cylindrique dun millimtre de diamtre. Dans loptique dun procd de fabrication collective, nous avons donc choisi de travailler avec un moule en acier inoxydable (figure 2.36b). Celui-ci nous a permis dobtenir, aprs une thermo-rticulation du polymre, une micro-cuve circulaire. La cuve a t reporte directement sur le silicium aprs avoir subi un traitement plasma O2 afin de rendre ladhsion du PDMS sur le substrat plus efficace en modifiant ses caractristiques de surface. Une fois aligne sur la grille laide dun microscope, la cuve est scelle au capteur de manire dfinitive grce aux liaisons covalentes (figure 2.36a). Lensemble est laiss lair libre pendant un minimum de 24 heures afin quil y ait un grand nombre de ces liaisons. Le systme est prt tre utilis et est prsent sur la figure 2.37. Le moule a t ralis au Masuzawa Lab., CIRMM/LIMMS, de luniversit de Tokyo. Un moule positif des cuves a tout dabord t usin par fraisage puis usin par EDM (Electro Discharge Machining) afin dobtenir la partie concave infrieure. Le mme processus a t utilis pour obtenir la partie suprieure en perant des trous puis en utilisant cette partie perce pour obtenir les cylindres qui formeront la cavit. De plus, le moule est quip dentretoises qui permettent de fixer lpaisseur de lopercule suprieure 300, 500 ou 1000 microns. Pour toutes nos expriences, nous avons prfrentiellement utilis lentretoise de 300 microns dpaisseur. Enfin, ltat de surface du moule fabriqu par EDM a permis dobtenir une micro-cuve transparente ce qui a rendu possible un alignement relativement facile du dispositif sur la zone sensible du capteur.

90

Partie II

a )

b ) b) Schma du moule matriciel en acier

Figure 2.36 : a) Schma de principe de la micro-cuve reporte sur le composant

Une fois montes, les microcuves sont perces avec deux aiguilles de 300 microns de diamtre. La premire servant de remplissage pour les fluides est relie une seringue via un tuyau souple trs fin de diamtre interne de 200 microns. La seconde est pralablement mtallise avec un dpt dor de 200 nanomtres et est soud un fil. Cette dernire sert la fois dlectrode de rfrence pour lISFET et de vidange pour les fluides.

a)

b)

c) Figure 2.37 : a) Dtail de lintrieur de la cavit avec les aiguilles dentre et de sortie b) Vue de dessus de lISFET avec la prise de contact des pointes c) Vue de la grille sensible du capteur aprs avoir arrach la cuve de PDMS

91

Partie II II.1.2.2 Rticulation, collage, dmoulage et assemblage du PDMS Le PDMS que nous avons choisi dutiliser est le Sylgard 184. Ce polymre est un lastomre silicone utilis notamment dans lindustrie pour lencapsulation de matriel lectrique. Cest un bon dilectrique et il dispose dune excellente transparence. Ce produit se trouve sous forme dun kit bi-composant, le silicone et lagent rticulant. Les composs sont mlangs vigoureusement avec une proportion 10:1, puis lensemble est mis dans une enceinte sous vide afin dliminer toutes les bulles dair. Le mlange est ensuite coul sur le moule. Le tout est plac dans une tuve permettant ainsi la thermo-rticulation du PDMS. Le temps de rticulation dpend de la temprature de ltuve allant de 24h temprature ambiante 10min 150C (figure 2.38). La couche de polymre rticul est dmoule puis est dcoupe laide dun scalpel. Lensemble est report sous microscope sur le capteur en prenant bien soin daligner la cuve sur la partie sensible du capteur. Lassemblage PDMS/silicium est ralis par un traitement au plasma oxygne. Ce traitement une puissance de 200W pendant 20 60s a pour but de modifier les nergies de surface du PDMS comme du silicium en formant des groupements hydroxyles. Lors de la mise en contact entre les deux lments, il y a formation de liaisons covalentes Si-O-Si du fait des proprits lastomres du polymre. Le collage ainsi ralis est irrversible.

1600 1400 Temps de reticulation (min) 1200 1000 800 600 400 200 0 0 20 40 60 80 temprature (C) 100 120 140 160

Figure 2.38 : Temps de rticulation du PDMS en fonction de la temprature

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Partie II II.1.2.3. Avantages et inconvnients du procd Le gros avantage de ce procd est quil est simple mettre en uvre. Le report de la cuve se fait sur des capteurs dj monts et encapsuls sur des circuits imprims. Ceci induit une bonne connectique mais galement nous permet de tester au pralable les capteurs par les techniques classiques de caractrisation. De plus, lalignement de la microcuve sur la grille sensible est facilit par ses dimensions extrieures qui sont trs proches des dimensions de lISFET. Nanmoins, des inconvnients sont apparus lors du placement des aiguilles et lors de la caractrisation proprement dite. Lintroduction des aiguilles dans le PDMS se faisant manuellement et vue la taille des diffrents lments mis en jeu, la dextrit de loprateur est trs vite mise mal. En outre, une fois les aiguilles plantes, la manipulation du systme est dlicate. De plus lors de linjection des liquides, la tuyauterie dalimentation bouge toujours plus ou moins et dchire la fine paisseur de PDMS autour de laiguille entrainant des fuites. Par ailleurs la surface de PDMS en contact avec le silicium tant relativement petite et vues toutes les forces mises en jeu lors des diffrentes tapes (introduction des aiguilles, injection des fluides, et dplacement divers), la cuve se dcolle ou le plus souvent se dchire.

II.1.3. Conception de cuves en PDMS avec micro-canaux

II.1.3.1. Ralisation des cuves Dans la perspective dutiliser ces capteurs dans un systme microfluidique, nous avons donc dcid de modifier totalement la gomtrie des cuves. Non seulement, nous avons opt pour une surface de PDMS beaucoup plus grande facilitant son report et son accroche sur silicium, mais de plus, nous avons cherch un moyen de nous affranchir du problme dinjection des fluides que nous avons rencontr prcdemment. La solution que nous avons choisie est prsente sur la figure 2.39. Si la cavit est toujours de mme taille (cylindre dun millimtre de diamtre), des nouveaux canaux ont t rajouts donnant ainsi une dimension supplmentaire au PDMS. Enfin, la grosse amlioration provient de la partie dinjection des liquides dans la cuve avec une introduction des aiguilles sur la partie suprieur du PDMS a laide dun bras qui maintient laiguille fixe par rapport au PDMS. Cette immobilit entre tous ces lments vite le dchirement du polymre est donc tout problme li a lvaporation. De

93

Partie II plus, la grande surface de contact entre le PDMS et le composant amliore le collage et donc les proprits mcaniques du systme.

Figure 2.39 : microcuve avec microcanaux report sur un composant Le PDMS utilis est le mme que prcdemment (sylgard184). Une fois les deux lments qui le composent mlangs, il est coul sur le moule puis est thermo-rticul ltuve. Aprs dmoulage et dcoupe, on vient percer le PDMS au niveau de la cuve et lextrmit du canal de vidange, laide dun petit poinon. Ensuite, on vient sceller ce PDMS sur un autre morceau de PDMS ne contenant aucun motif mais ayant t fabriqu de la mme manire. Afin obtenir un collage irrversible, les deux morceaux subissent au pralable un traitement au plasma oxygne crant ici aussi des liaisons covalentes Si-O-Si. Lensemble est report sur le composant ayant subi un plasma oxygne, laide dun microscope afin daligner la cuve sur la partie sensible du capteur (figure 2.39). II.1.3.2. Ralisation des moules De nombreuses possibilits se sont prsentes nous pour la ralisation de ces matrices de rplication, telles que les gravures profondes de silicium humide (attaque KOH) et sche (DRIE) ou des dpts de rsines paisses (SU8) ou encore des solutions un peu plus marginales qui utilisent la technologie des circuits imprims. Cette dernire bien que peu coteuse noffre pas une reproductibilit et un respect des dimensions suffisant pour nos applications et na donc pas t retenue. La surface totale de PDMS tant dune taille importante dun point de vue microlectronique (1.8mm par 0.9mm), seul un petit nombre de motifs peut tre place sur une plaquette 4. Cet inconvnient est compens par le fait que

94

Partie II cette matrice de rplication nest fabrique quune seule fois mais utilise comme moule un grand nombre de fois. Par consquent, mme si le cot de fabrication du moule en lui-mme reste lev, au final, vu quil est utilis plusieurs fois, le prix de chaque motif de PDMS devient concurrentiel. La section des canaux est de 200 X 200m sur une longueur denviron 1cm et la surface de cuve est de 1 X 1 mm sur une hauteur de 200m. La hauteur des motifs de la matrice sera donc de 200m. Les motifs du moule doivent avoir un profil ngatif par rapport au motif final en PDMS. Dans un premier temps, nous avons ralis ce moule par gravure profonde DRIE (Deep Reactive Ion Etching). Cette technique bien connue en microlectronique et trs largement utilise au laboratoire a t choisie notamment pour ses qualits de gravure anisotropique. Moule ralis par gravure profonde DRIE Le principe consiste crer un plasma de haute densit dans un milieu basse pression, et diriger ensuite les ions et radicaux issus de ce plasma vers la surface usiner. Les espces volatilises sont ensuite vacues du systme par pompage. Afin de garantir un aspect anisotropique et une gravure profonde rapide, le principe de base repose sur lutilisation dune phase de passivation et de gravure. La phase de passivation consiste dposer isotropiquement une couche qui inhibe le bombardement ionique sur les parois latrales de louverture. La phase de gravure limine successivement la couche de passivation puis le silicium sur le plan horizontal. Le principe de la mthode est illustr sur la figure 2.40.
gravure + +

passivation + + + +

gravure

passivation

Figure 2.40 : Principe de la gravure DRIE Ainsi, la directionnalit du bombardement ionique et linhibition de la gravure latrale conduit une gravure fortement anisotropique et qui ne dpend pas des plans

95

Partie II cristallographiques. Les ouvertures du masque de photolithographie correspondent directement la forme et aux dimensions des motifs. La mthode dveloppe par Larmer [10,11], et communment connue sous le nom de Bosch process, repose sur lalternance de la phase de passivation et de gravure de silicium temprature ambiante. La passivation est ralise par formation dun polymre sur les tranches latrales issue des radicaux fluorocarbons (CHF3, C2F6, C4F8, CF4, ), tandis que la gravure peut tre ralise par les radicaux gnralement issus des gaz fluors (SF6, NF3, ). Cette technique permet dobtenir de grandes vitesses de gravure (jusqu' une dizaine de microns par minute), une grande slectivit de gravure par rapport aux rsines de masquage, et un trs bon aspect des formes. Les substrats utiliss sont de type 4 pouces, ont une orientation cristalline <100>, sont polis sur une seule face et ont une paisseur de 1mm. Cette paisseur non classique a t ncessaire pour confrer la matrice aprs la gravure, une rsistance mcanique suffisante lors des nombreuses manipulations. La profondeur de gravure qui est de 200m, se fait sur plus de 90% de la plaquette car seuls les motifs des canaux et de la microcuve ainsi que les chemins de dcouple sont protgs par la rsine (profil des motifs sur le moule en ngatif). La fabrication de la matrice par gravure DRIE se droule de la manire suivante (figure 2.41) :

- Nettoyage du substrat par attaque piranha (mlange deau oxygne/acide sulfurique 1/1) puis bain dacide fluoridrique ; - Dshydratation en tuve 200C pendant 30min minimum ; - Traitement de vapeur dhxamethyldisilanzane (HMDS) pendant 10min ; - Recuit 150C pendant 20min afin de promouvoir ladhrence de la rsine ; - Dpt la tournette de 5m de la rsine AZ4562 (rsine positive) 5000tr/min avec une acclration de 5000tr/min/s pendant 30s ; - Post-recuit 105C pendant 50s (vaporation des solvants) ; - Alignement + exposition aux UV ; - Dveloppement (AZ dveloppeur + EDI [1:1]) ; - Rinage et vrification au microscope ; - Gravure DRIE avec une puissance de plasma de 800 watts (vitesse de gravure de lordre de 3,7m/min) ; - Nettoyage de la rsine par plasma O2 (800w, 1l/min, 15min). 96

Partie II

Si
Nettoyage Dveloppement

Dpt de rsine

Gravure DRIE

Nettoyage de la rsine Insolation aux UV Figure 2.41 : Fabrication dun moule par DRIE dans le silicium La figure 2.42 montre le profil vu au microscope lectronique balayage. Les flans forment un angle denviron 4 avec la verticale.

Figure 2.42: Profil de la matrice grave par DRIE Cependant 90% de la surface polie de la plaquette de silicium est grave, par consquence la rugosit de surface augmente et devient importante aprs la gravure rendant la surface du PDMS non lisse. Cette rugosit la surface du PDMS nengendre que peu de

97

Partie II points de liaison avec le composant en silicium. Ce faible collage entre les deux parties provoque rgulirement des dcollements partiels du polymre et donc des fuites. Afin de nous soustraire, de cet effet ngatif de la gravure DRIE, et par consquence de garder un maximum de surface polie du moule en silicium, nous avons choisi de venir dposer une rsine de forte paisseur (200m) la surface de la plaquette pour y raliser les motifs. La rsine SU8 pourra rpondre ces critres. Moule ralis par dpt de rsine SU8 La rsine SU-8 a t galement value pour la cration de matrices. Cette technique est galement moins exigeante en quipement puisquelle ne ncessite pas lutilisation dun bti de gravure sche. Enfin, on peut sattendre un meilleur tat de surface, notamment sur les flancs. Le produit utilis est de la srie SU-8 20xx Flex de Microchem, cette srie tant une version de la SU-8 2000 provoquant moins de contraintes. Cette srie se dcline en diffrentes viscosits, depuis la 2002 fluide (7,5cSt) la 2100 trs visqueuse (45000cSt). Le procd ce droule de la manire suivante (figure 2.43) : - Plasma pour les plaquettes (O2 1000ml) 800W 5min ; - Dpt de 9ml au centre de la plaquette de la SU8 2075 Flex ; - Pr rotation vitesse Temps - Rotation vitesse Temps - Recuit (figure 2.43) 22min 95C Descente 25C ; - Dtourage actone vitesse Temps - Alignement + exposition aux UV ; - Post recuit (figure 2.43) 1min 65C 98 5000 tr/min 30s ; Acclration 5000 tr/s 500 tr/min 5s ; 1600 tr/min 30s ; Acclration 100 tr/s

Acclration 300 tr/s 6min40s 65C

Partie II 9min 95C Descente 25C ; - Rvlation 4 5min PGMEA (Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate) puis rinage lisopropanol ; - Recuit final (figure 2.43) 1min 65C 1min 110C Descente 25C ;
Temprature 95C ou 110C 10C/min 65C 5C/min

25C

Temps

Figure 2.43 : condition des diffrents recuits de la rsine SU8 2075 Flex pour 200 m dpaisseur

Si
Nettoyage Insolation

Dpt rsine

Dveloppement

Figure 2.44 : Fabrication dune matrice en rsine SU8

99

Partie II II.1.3.3. Traitement de surface anti-adhsion Afin dviter que le PDMS nadhre sur le silicium, il nous faut raliser un traitement la surface de la matrice. Parmi les traitements qui soffraient nous, nous avons choisi de traiter les plaques par silanisation. Cette technique consiste greffer une monocouche autoassemble dOTS (octadecyltricholorosilane) donc la formule est CH3-(CH2)-SiCl3. Avant tout traitement, les plaquettes sont mises dshydrater car lOTS est un produit qui ragit en prsence deau en formant une fine pellicule blanchtre. Immdiatement aprs, les moules sont plongs dans un bain dOTS / trichlorthylne 1/10 pendant 10min. Ensuite, ils sont rincs au trichlorthylne puis lisopropanol et pour finir lthanol. Enfin, ils sont schs sous un jet dazote. Pour vrifier le greffage des SAMs, un test de mouillabilit est effectu sur les moules : sil y a prsence dOTS, langle de contact dune goutte deau doit tre suprieur 100 (figure 2.45).

79 107

a)

b)

Figure 2.45 : angle de contact dune goutte deau : a) avec OTS ; b) sans OTS

II.1.4. Conclusion
Il existe diffrentes faons de raliser les moules pour la fabrication collective des microcuves en PDMS. Le premier type de moule que nous avions ralis, tait en acier inoxydable. Ce type de moule est trs robuste et donc permet une fabrication en trs grand nombre de matrices de microcuves de PDMS. De plus, la fabrication de ces moules ncessite

100

Partie II de faire appel des entreprises spcialises et donc leur prix de revient est lev. Par consquent, ces moules sont bien adapts pour un usage industrielle, mais bien moins pour le domaine de la recherche. Le deuxime type de moule a t ralis par gravure profonde DRIRE de plaquette de silicium 4 pouces. Les moules raliss avec cette technique ont ncessit dutiliser des plaquettes (non standard) de 1 cm dpaisseur pour une bonne rigidit mcanique. De plus, cette technique grave plus de 90% de la surface de la plaquette, engendrant une forte rugosit de surface. Cette rugosit est reproduite sur la surface des microcuves de PDMS entranant un mauvais tat de surface de collage du PDMS. Par consquent, un troisime type de moule a t conu en utilisant une rsine paisse de type SU8. Cette rsine a t dpose par les techniques de la micro-photolithographie. De ce fait, nous avons pu utiliser des plaquettes de silicium standard polie simple face. Cette technique permet de garder intacte la surface polie de la plaquette. Ainsi, ce dernier type de moule est bien adapt la recherche, il est peu coteux, rapide fabriquer mais il est ncessaire de faire un traitement anti-adhsion afin dviter un collage du PDMS au moule lors de sa rticulation.

II.2. Dpt des couches sensibles

Dans le cadre de nos travaux, nous nous somme intresss au dveloppement des couches polymriques photosensibles base de polysiloxane PSX qui sont compatibles avec la fabrication collective [12]. Dans un premier temps, nous avons utilis la mthode du dpt la microgoutte pour la couche base de PSX. Ceci nous a permis de vrifier les fonctionnalits des capteurs microlectrodes et ChemFETs. Compte tenu des rsultats positifs, nous avons alors mis au point la fabrication collective des membranes sensibles aux ions laide des techniques de photolithographie. Une tape de silanisation est effectue avant tout dpt de polysiloxane. Cette tape permet au PSX dadhrer la surface. Pour les dpts raliss sur les surfaces dor, une tape supplmentaire de pr-silanisation est ncessaire. (voir I.3.2).

II.2.1 Dpt la microgoutte

Pour le dpt de PSX la microgoutte, la composition de la couche sensible est la suivante : matrice polymre en polysiloxane (PSX), photoinitiateur 2,2-dimthoxy-2phnylactophnone (DMPA), solvant ttrahydrofuran (THF) et ionophore avec ou non un

101

Partie II sel dadhsion (tableau 2.2). La solution est mlange laide dun agitateur magntique pendant 1 h. Le mlange est laiss au repos pendant 1 h minimum temprature ambiante pour permettre le dgazage des bulles dair formes lors de lagitation. Afin daugmenter la viscosit, la solution est mise sur une plaque chauffante 80C afin de faire vaporer les solvants. Ions dtecter K+ Na+ NH4+ NO3Ionophore incorporer dans la solution de polysiloxane Valinomycine + potassium ttrakis (4-chlorophenyl) borate Nomensin Nonactin + potassium ttrakis (3,5-bis (trifluoromthyl phenyl) borate tetradodecylammonium nitrate

Tableau 2.2: Ionophore plus sel ajouter au PSX en fonction de lion dtecter

PSX*

Figure 2.46 : Micro-capteur avec la couche de PSX* dpose la microgoutte Une microgoutte de 10 L est dpose manuellement laide dune micropipette sur la grille dilectrique SiO2/Si3N4 ou sur lune des lectrodes dor toutes deux prcdemment silanises. Pour polymriser la membrane photosensible, les puces ont t insoles aux rayonnements ultraviolets sur laligneur MA-6 (dure: 200 s, puissance: 20 mW). Notons que lexposition sest faite sous atmosphre non oxydante. Aprs le dveloppement au xylne, les puces avec les membranes polymrises sont prtes lencapsulation (figure 2.46).

102

Partie II Lpaisseur de la membrane ionosensible varie de 5% autour de la valeur moyenne qui est gale 6 m. La figure 2.47 montre lpaisseur de la couche sensible au potassium sur une lectrode dor, mesure par profilomtrie mcanique. Aprs plusieurs caractrisations et plusieurs jours dimmersion dans leau, nous avons constat une bonne adhrence de la couche PSX sur le nitrure de silicium et sur lor.

Epaisseur, m

Figure 2.47: Epaisseur de la membrane en PSX mesure par profilomtrie A partir de ces rsultats, afin de pouvoir envisager une industrialisation de ces couches base de polymres ionosensibles, nous avons mis en place un procd de fabrication collective faible cot, en dveloppant les techniques de dpt la tournette et de photolithographie pour ce type dapplication.

II.2.2. Procd de fabrication collective

Le procd technologique de dpt de ces membranes ionosensibles en polysiloxane seffectue par un dpt classique la tournette. Le mlange des diffrents composs de ces couches dpendent de lion dtecter (tableau 2.3).

103

Partie II Ion Quantit dtecter K+ Na+ ISFET NH4+ RMS 851 4.55 g 4g 4g Ionophore Valinomycine 25 mg + sel PTCB 10mg Nomensin 180 mg Nonactine 40 mg + lipophilique KTFPB 25 mg THF 36 ml 32 ml 0.5 ml DPMA 0.38 g 0.35 g 40 mg

Tableau 2.3 : Epaisseur de la membrane en PSX mesure par profilomtrie Sur les ISFETs, les mesures effectues sont du type voltamtrique donc aucun courant ne traverse la couche ionosensible. Nous favoriserons alors une couche plutt paisse entre 10 et 40m. Sur les microlectrodes, le type de mesure est ampromtrique ce qui induit que la couche est traverse par un courant. Par consquent, du fait que le PDMS est un polymre isolant, nous avons ralis des couches minces (100 nm) afin de ne pas avoir des courants trop faibles mesurer. Le polysiloxane na que peu dadhrence sur les surfaces dor et base de silicium. Afin de crer des liaisons plus solides entres ces surfaces et le PSX*, des couches atomiques auto-assembles appeles SAMs sont dposes la surface avant le dpt du polymre [13]. Ces monocouches auto-assembles sont gnralement utilises pour laccroche ADN sur diffrentes surfaces mtalliques ou doxyde [14]. La technique de dpt des SAMs est une procdure simple et courante qui permet dobtenir une organisation simple et une orientation rgulire des molcules immobilises la surface. Dans le cas de lor, un prtraitement initial est ncessaire. Un premier dpt de SAM est dpos sur les surfaces en or. Cette monocouche, le 3-Mercaptopropyltrimthoxysilane (MPTMS), est une molcule bi-fonctionnelle qui contient deux groupes fonctionnels, des thiols et des silanes. Les molcules de thiols fournissent un bon moyen daccroche sur diffrents groupes fonctionnels, tels que les surfaces dor, de verre, de carbone, de platine ou de cuivre [15-21]. Cest pour cela que la bicouche de titane et dor (Ti/Au) dpose sur les plaquettes de silicium ne doit contenir sa surface quun trs faible pourcentage datomes de titane. Les molcules de silane permettent dobtenir des groupes fonctionnels contenant des atomes de silicium. Pour les surfaces base de silicium, une autre monocouche auto-assemble est dpose. Le 3-(trimethoxysily)propylmethacrylate (MPTS) est galement une molcule bifonctionnelle qui possde des terminaisons silanes et mthoxysilanes. Les terminaisons silanes sinterconnectent avec les atomes de silicium la surface de la plaquette laissant libres

104

Partie II les terminaisons mthoxysilanes du MPTS. Ainsi ces terminaisons mthoxysilanes permettent de crer des liaisons covalentes polyacrylamides entre les polymres et les atomes de silicium en surface [22]. Nous avons mis au point le procd de dpt de ces membranes qui suit les tapes suivantes: 1. Prparation de la solution Tout dabord, les ionophores, les sels et le photoinitiateur DMPA sont dissous dans le ttrahydrofluran (THF). Ensuite, la solution est mlange au polysiloxane RMS-033 laide dun agitateur magntique. Puis, les solutions destines tre dposes sur les ISFETs (solutions peu dilues donc trs visqueuses) sont mises sur des plaques chauffantes pendant deux heures minimum afin dvaporer au maximum le THF. Enfin la solution est laisse au repos jusqu' la disparation des bulles dair. 2. Prparation de la surface dor (pr-silanisation) Cette tape nest destine quaux surfaces en or [13,23]. Plonger la plaquette dans une solution piranha (H2O2/H2SO4 50/50) pendant 2min ; Rincer leau EDI puis scher lazote ; Plonger la plaquette dans la solution MPTMS/mthanol 40mM/L temprature ambiante pendant 3 heures ; Rincer lthanol puis lEDI et scher lazote ; Plonger la plaquette dans une solution de NaOH 0.01M/L pendant 2H ; Rincer leau EDI puis scher lazote ; 3. Silanisation de la surface Plonger la plaquette dans la solution MPTS/tolune (10/90) et chauffer 80C pendant 10 minutes; Rincer la plaquette dans du tolune temprature ambiante pendant 3 minutes; Rincer sous jet isopropanol puis scher lazote. 4. Dpt la tournette Suss Gyrset RC-8 Rgler la tournette avec une acclration et une vitesse suivant lpaisseur souhaite et un temps de 20 secondes capot ouvert ;

105

Partie II Dposer 2 ml de polysiloxane au centre de la plaquette puis lancer la tournette ; Pr-recuit ltuve 45C pendant 5 minutes. Remarquons que pendant cette procdure nous gaspillons une certaine quantit de la solution qui contient des ionophores assez coteux 5. Insolation sur la Karl Suss MA6 Poser un film transparent en mylar sur le polysiloxane pour assurer lambiance non oxydante ; Rgler le temps dinsolation 180 secondes et mettre sous vide (VAC contact); Retirer le transparent aprs insolation. 6. Dveloppement Plonger la plaque dans du xylne puis agiter pendant environ 1 minute ; Rincer sous un jet isopropanol puis scher lazote. Ensuite, la plaquette de silicium avec les membranes ralises a t dcoupe et les puces sont montes sur les circuits imprims.

II.2.3. Etude du dpt de PSX la tournette

Une tude plus approfondie sur le dpt la tournette a t ralise. Pour ce faire, quatre dilutions du polysiloxane dans le THF ont t faites permettant ainsi davoir des concentrations co variant de 70 % 95 % (tableau 2.4). II.2.3.1. Epaisseur du polysiloxane en fonction du temps dinsolation Lanalyse du temps optimum de linsolation dun polymre ou dune rsine se fait habituellement par la mthode du dpt sur substrat de verre. Cette mthode consiste mesurer le flux lumineux traversant la rsine. Ce flux augmente avec le temps dexposition pour atteindre une saturation lorsque tous les photo-initiateurs nabsorbent plus lnergie des rayons UV ce qui signifie la fin de la rticulation. Mais les photo-initiateurs utiliss pour la rticulation du polysiloxane nabsorbent que peu dnergie et par consquent cette premire mthode sest avre inexploitable. Aprs avoir effectu quelques insolations, nous nous sommes aperus que le polysiloxane rticulait en partant du substrat et que lpaisseur du PSX rticul croissait avec le temps dinsolation. Ce dmarrage la base du substrat peut tre 106

Partie II expliqu par la silanisation effectue sur la surface du substrat. Nous avons exploit cet avantage afin de pouvoir mesurer le temps optimum dinsolation. Daprs la figure 2.48 le temps optimum insolation est autour de 200s quelles que soient la vitesse et la dilution du THF. S1 2500 tr/min S3 2000 tr/min S2 3000 tr/min S4 2500 tr/min

Figure 2.48 : Epaisseur du polymre en fonction du temps dinsolation Lquation qui rgit lpaisseur en fonction du temps insolation est la suivante : h(t) = h f ( 1 - e
t

(1)

Ou h(t) est l'paisseur du polymre rticul, h f est lpaisseur maximum de polymre dpos la tournette, et une constante de temps qui dpend essentiellement de la dilution du THF. augmente avec le renforcement des doses de THF dans le polysiloxane (tableau 2.4). La masse volumique de la solution totale est donne par la relation suivante : = psx*co + thf*(1-co) avec psx = 0.99 kg/m3 et thf = 0.881 kg/m3 La viscosit dynamique a t mesure pour les 4 solutions et la viscosit cintique est finalement donne par : = (3) (2)

107

Partie II

solution s4 s3 s2 s1

dilution PSX/THF co (en volume) 15g/7ml 15g/5ml 15g/3ml 15g/1ml 0.710 0.775 0.851 0.945

(kg/m3)
0.958 0.965 0.974 0.984

(kg/m.s)
0.295 0.47 0.896 1.7

(m/s)
0.31 0.49 0.92 1.73

(s)

37 34 29 24

Tableau 2.4 : Valeur de co, , et en fonction de diffrentes solutions II.2.3.2. Effet de la vitesse de rotation de la tournette La figure 2.49 reprsente lpaisseur maximale hf du polysiloxane dpose en fonction de la vitesse de rotation pour diffrentes dilutions dans le THF. Lpaisseur est comprise entre 10m et 50m. Elle crot logiquement avec la diminution de la vitesse de rotation et avec la diminution de la dilution dans le solvant.

Epaisseur hf (m)

S1 S2 S3 S4

Vitesse de rotation (tr/min) Figure 2.49 : Epaisseur hd de polymre en fonction de la vitesse de rotation Pour avoir une meilleure comprhension de ces rsultats, nous avons repris la thorie hydrodynamique et nous lavons applique au dpt la tournette dun liquide incompressible maxwellien. Ainsi, en ngligeant les forces de pression du liquide lie la masse et la hauteur du dpt et en appliquant le principe fondamental de la dynamique un anneau lmentaire (dr,

108

Partie II dz, S) reprsentatif des phnomnes hydrodynamiques du dpt la tournette (figure 2.50), nous obtenons : Ff (z, dz)- Ff (z) = m.a = m.r. = .s.dz.r. (4)

O z est laxe de rotation, dz est la hauteur du polymre, r est le rayon, est la vitesse de rotation, est la masse volumique de la solution polymre, s est la surface de contact, Ff (z) est la force de viscosit du polymre :

Surface s

z+dz z r r+dr x

y
Figure 2.50 : Anneau lmentaire de polymre

Ff (z) = -0.s.(

dv n ) dz

n [0,1]

(5)

O 0 est la viscosit dynamique du polymre et v est la vitesse radiale. Loi dOstwald : Ainsi, on obtient : n = 1 pour un liquide newtonien n < 1 pour un liquide maxwellien

dv n 1 d v ) .( )= dz dz

r. n. 0

(6)

En intgrant deux fois par rapport z, on obtient

r. n n v(z) = ) .[h .( n + 1 0
1 n +1 n

(h

n +1 z) n ]

(7)

109

Partie II O 0 = 0/ est la viscosit cintique du polymre et h est la hauteur du polymre. En considrant un nouveau volume lmentaire reprsentatif des phnomnes de diffusion (figure 2.51) et en supposant que le liquide est incompressible, la conservation du volume permet dcrire :

r+dr

y
Figure 2.51 : Volume lmentaire de polymre

2..(r + dr).

v(r + dr, z) dz 2..r.

v(r, z) dz = -2..r.

dh dr dz

(8)

d ( r.

v(r, z) dz ) = - r.

dh dr dz

(9)

dh 1 d(r.q(r )) =- . dz r dr Ainsi, partir de (7), on a : q(r) =

n r. n .( ) .h 2.n + 1 0
1 2.n +1 n

avec q(r) =

v(r, z) dz

(10)

(11)

et finalement, on arrive lquation diffrentielle suivante

dh = dt 1 r. n .( ) .h 2.n + 1 0
1 2.n +1 n n .(

+ 1 2.n + 1 dh + . ) r h dr

(12)

La rsolution de cette quation va se faire en sparant les variables :

110

Partie II h(r,t) = R(r) . T(t) soit :

T
2.n +1 dT n . 1 n +1 n n .(

(13)

1 r n = ( ) .R dt 2.n + 1 0

+ 1 2.n + 1 dR + ) = K = cte r R dr

(14)

n +1 .K.t ) n +1 Rsolution en T : T( t ) = (1 + n
1 1 0 n 2n + 1 n + 1 nn 1 n +1 + .r n . Rsolution en R : R ( t ) = [K.( ) . ] 3n + 1 n

(15) (16)

Do :
h (r, t ) =
n n +1 .( 0 K

1 2n n +1 .( )

+ 1 n + 1 n +1 n +1 n +1 . ) .r .(1 + .K.t ) 3n + 1 n n

n 1

n n +1

(17)

Pour liminer la constante K, il est ncessaire de prendre une condition initiale. Nous avons ainsi suppos que : h (R0, 0) = h0 (18)

O R0 est une valeur de rayon arbitraire et h0 est lpaisseur initiale du polymre. Cette condition permet de dterminer la valeur de la constante K en fonction de lpaisseur initiale h0, soit :
n +1 1 n r 3n + 1 n h (r, t ) = h 0 .( ) n +1 .[1 + .( ) .R 0 n .h 0 n .t ] R0 2n + 1 0 n 1 1 n n +1

(19)

Cette solution mathmatique est nanmoins critiquable pour diffrentes raisons : # 1. h (0, t) = + t (0 n 1), cette condition nest pas physique : la hauteur h au centre de la plaquette tend vers linfini car nous navons pas pris en compte le poids du PSX dans lquation fondamentale de la dynamique. # 2. Lexistence dune grandeur R0 dont la valeur est arbitraire est une consquence mathmatique du # 1. # 3. h (r, + ) = 0 r , la hauteur h est gale zro pour un temps de dpt infini, ceci est d au fait que nous navons pas pris en compte lvaporation e. Nanmoins pour prendre en compte les effets de lvaporation nous avons repris la dmonstration dcrite par Meyerhoffer pour un liquide Newtonien [24]. Pour n = 1 le liquide est Newtonien, on a alors :

111

Partie II
4..h 0 h (r, t ) = h ( t ) = h 0 .(1 + .t ) 3. 0
1 2

(20)

On retrouve lquation obtenue par Meyerhoffer dans son tude des liquides Newtoniens. Ainsi par analogie, nous avons repris son approche prenant en compte les phnomnes dvaporation du solvant et permettant lobtention dune paisseur de dpt non nulle pour les temps infinis. Pour cela, il faut considrer le polymre comme un mlange entre une solution et un solvant liquide. Pour simplifier l'tude thortique, le solvant et la solution sont caractriss par leur paisseur quivalente s (t) et l (t) respectivement. Avec ces dfinitions, on donnera lpaisseur du polymre h (t) et la concentration de la solution c (t) : h (r, t) = s (r, t) + l (r, t) c( r , t ) = s(r, t) h(r, t) (21) (22)

Puisque la viscosit cinmatique dpend de la concentration de la solution c, l'quation (12) ne peut plus tre rsolue. Cependant, tenant compte des termes d'coulement et d'vaporation, on donne les paisseurs par : ds dh = c. dt dt dl dh = (1 - c ) -e dt dt O e est lvaporation spcifique du solvant par unit de temps. La rsolution de ce systme nest pas possible. Cependant, D. Meyerhoffer [18] a montr numriquement que la solution exacte peut tre dcrite en considrant deux rgimes hydrodynamiques diffrents. Initialement, la solution polymre est caractrise par son paisseur h. Ainsi le phnomne dvaporation peut tre nglig (e << dh/dt). En prenant en compte lquation (12), les quations (23) et (24) deviennent : ds dh =c dt dt dl dh = (1 - c ) dt dt concentration initiale Co. (25) (26) (23) (24)

Daprs les quations (22) et (25), la concentration c(t) est constante et gale la

112

Partie II Au fur et mesure, plus lpaisseur h dcrot, plus le terme dcoulement devient ngligeable et lvaporation est finalement la seule responsable de cette diminution dpaisseur (e >> dh/dt). Aprs intgration, les quations (23) et (24) donnent les paisseurs de la solution s(t) et du solvant l(t) : ds =0 dt dl =-e dt s(t) = cte = si l(t) = - e t + li (27) (28)

O si et li sont les constantes dintgration relatives la transition entre le rgime initial et le regime final. Lpaisseur finale du polymre h f est obtenue quand l(t) = 0. Donc, elle est dfinie par : h f = sf + lf = si = ci h i =co hi (29)

Daprs lquation (21) pour avoir la transition entre le rgime initial et le rgime final, il faut avoir :
1 R 0 . n 1 ( 1- c ) .( ) .h i 0 2.n + 1 2.n +1 n

1 n.(3.n + 1) . =e R0 n +1

(30)

Donc :
2.n +1 hi n 1 (n + 1).(2.n + 1) 0 n e = .( ) . .R n n.(3.n + 1) 1 C 0 0 n 1

(31)

Et daprs les quations (29) et (31), lpaisseur finale est donne par :
1 (n + 1).(2.n + 1) 0 n e h f = C 0 .[ .( ) . .R n ] 2.n +1 n.(3.n + 1) 1 C 0 0 n 1 n

(32)

La figure 2.52 reprsente la hauteur hd thorique et exprimentale en fonction de la vitesse de rotation pour les quatre solutions S1 S4. Lpaisseur totale dpose hd varie en

5/6

donc : 2 5 = 2.n + 1 6

n=

7 = 0,7 10

113

Partie II

60

50

40 hauteur hd (m)

s1 theo s1 prati s2 theo s2 prati s3 theo s3 prati s4 theo s4 prati

30

20

10

0 0 1000 2000 3000 vitesse de rotation w (tr/min) 4000 5000 6000

Figure 2.52: Epaisseur des membranes dposes par fabrication collective

Ainsi la hauteur hd dtermine, nous pouvons calculer la hauteur h en fonction du temps dexposition aux UV daprs lquation (1) (figure 2.53).
30

25

20 hauteur h(m)

15

10

s1 theo 2500tr/min s1 prati 2500tr/min s2 theo 2500tr/min s2 prati 2500tr/min

s3 theo 2500tr/min s3 prati 2500tr/min s4 theo 2500tr/min s4 prati 2500tr/min

0 0 50 100 150 200 250 temps en (s)

300

350

Figure 2.53: Epaisseur h des membranes en fonction du temps dexposition aux UV

114

Partie II

II.2.4. Influence de lajout dionophore

Aprs incorporation dionophores dans la solution, nous obtenons des films de polysiloxane dune paisseur lgrement diffrente. En effet, lajout dionophores mme faibles doses modifie la viscosit de la solution de PSX* et entrane laugmentation de lpaisseur du film pour finalement responsable de phnomne de diffraction optique. La figure 2.54 reprsente lpaisseur de la couche sensible en PSX avec de la valinomycine pour une vitesse de rotation du dpt 1000 tr/min. Lpaisseur que nous devions obtenir tait de 25 m or nous avons obtenu 30m. De plus, du fait de la diffraction, la rsolution des motifs est moindre (figure 2.55).
35 30

PSX membrane dpose la tournette

m paisseur,

25 20 15 10 5 0 0 1500 3000 4500 6000 7500 9000 h = 27 m

longueur, m

Figure 2.54: Epaisseur des membranes dposes par fabrication collective

PSX layer
Figure 2.55 : Photographie dun quart de la plaquette avec les membranes sensibles en PSX fabriques collectivement

Il conviendra dans le futur doptimiser le procd de ralisation des couches sensibles en tenant compte des ionophores incorpors. Nanmoins, la faisabilit de la fabrication collective des couches ionosensibles pour les capteurs ChemFETs a t dmontre avec une

115

Partie II bonne adhrence du dpt PSX, un faible cot de fabrication et de bonnes proprits de dtection.

II.2.5. Conclusion
Dans ce paragraphe, nous avons tudi tout dabord deux techniques de dpt des couches ionosensibles en polysiloxane (microgoutte et dpt la tournette). Nous avons dcrit la procdure de dpt de ces couches. Puis, nous avons ralis une tude thorique et exprimentale du dpt collectif la tournette pour un liquide maxwellien. Enfin, nous avons regard linfluence de lincorporation des ionophores sur lpaisseur dpose. Nous pouvons ainsi appliqu par la suite ces tudes lintgration de couches ionosensibles pour les microcapteurs chimiques en phase liquide.

116

Partie II

CHAPITRE II Caractrisations lectriques et chimiques

117

Partie II

Introduction
Ltude des caractristiques des microcapteurs chimiques ChemFETs et des microlectrodes ne repose pas sur les mmes outils danalyses. Cest pour cela que nous les tudierons de faon distincte. Dans la premire partie, nous traiterons les microcapteurs ChemFETs. Tout dabord, nous ferons une description des systmes de mesure utiliss pour effectuer les caractrisations lectriques et chimiques de ces capteurs suivant les ions dtecter. Les caractristiques principales qui ont t tudies exprimentalement sont la sensibilit aux ions, la drive temporelle et le temps de rponse. Ensuite, nous prsenterons les solutions chimiques que nous avons utilises pour estimer la sensibilit des capteurs. Puis, nous dcrirons les diffrents mcanismes biochimiques qui permettent une dtection bactrienne. Afin, nous prsenterons la rponse du microcapteur ChemFET en milieu bactrien. Dans la deuxime partie, nous analyserons les caractristiques lectrochimiques des microlectrodes. Dans un premier temps, nous nous attacherons analyser la rponse du capteur sans couche sensible afin de mettre en vidence les effets dus aux lectrodes ellesmmes ou la solution analyser. Dans un second temps, nous tudierons les effets dus la couche sensible. Ces tudes porteront aussi bien sur les courbes voltampromtriques par linfluence des tensions leves et de la vitesse de balayage, que sur les courbes impdancemtriques en fonction de la tension de polarisation, mais galement sur lanalyse des solutions chimiques utilises (mesure de la rsistivit).

I. Etude des ChemFETs

I.1. Bancs de mesure
Trois bancs de caractrisation ont t utiliss pour tester les micro-capteurs ChemFETs. Ltude des caractristiques est ralise travers trois types dions, lion potassium K+, lion sodium Na+ et lion hydrogne H+, ainsi qu travers lactivit bactrienne dune bactrie lactique (le lactobacillus acidophillus).

118

Partie II Premier banc Ce banc de mesure comprend un pico-ampremtre avec gnrateur de tension (HP4140B) pilot par un PC, une cage de Faraday et une lectrode de rfrence (figure 2.56). Comme nous le verrons sur les deux autres bancs de caractrisation, la cage de Faraday nest pas indispensable, elle sert plus protger le capteur ChemFET des variations de lumire que du bruit parasite. Ce banc permet de mesurer lintensit du courant circulant entre le drain et la source (Ids) soit pour des variations de Vgs lorsque Vds est constant, soit pour des variations de Vds lorsque Vgs est constant. Ceci permet de visualiser les courbes caractristiques du capteur chimique qui sont similaires celles dun transistor MOS. Pour toutes nos mesures, nous avons appliqu une rampe de tension de vitesse dV/dt constante. A travers lanalyse des courbes ralises, nous pouvons estimer la valeur du courant de fuite Ioff et le choix du rgime de fonctionnement optimal des ChemFETs. Nous pouvons galement extraire des courbes de sensibilit partir des courbes de transfert.

Cage de Faraday Electrode de ref

ChemFET

HP4140B

Figure 2.56 : Banc de caractrisation avec le HP4140B Linconvnient de ce banc de caractrisation est li limpossibilit deffectuer lanalyse du fonctionnement des ChemFETs en temps rel. Deuxime banc Ce banc de mesure nous permet donc ltude du temps de rponse et de la sensibilit des capteurs en continu. Il est bas sur lutilisation dun systme fluidique (figure 2.57). Il est constitu de plusieurs burettes automatiques, un agitateur magntique avec plaque chauffante,

119

Partie II dune pompe, dun dbitmtre, dune chambre spcifique et dun ChemFET-mtre. Le tout est pilot par un PC travers une carte RS232 qui assure la liaison vers les diffrents quipements. Le logiciel ainsi que le pilotage des quipements ont t raliss au laboratoire par le service 2I (figure 2.58). Le ChemFET-mtre a t ralis lors de la thse de Melle Iryna HUMENYUK [14] en collaboration avec le service 2I (figure 2.59).

RS232
Burette 2 Burette 1 Burette 4

Pilotage des quipements Enregistrement des donnes en continu

ChemFET - mtre

Burette 3

Capteur de T

Electrode de rf.

Solution analyser

agitateur/chauffage

Figure 2.57 : Banc de mesure du systme fluidique Lenregistrement des donnes se fait par voie informatique. Ce systme permet deffectuer la caractrisation des capteurs ChemFETs pendant 24H maximum. Ces donnes sont enregistres dans un format compatible pour Excel. Le logiciel dvelopp permet de visualiser en temps rel le comportement des capteurs chimiques ainsi que les paramtres extrieurs (temprature, dbit, ). La chambre spcifique permet de caractriser simultanment plusieurs capteurs ChemFETs, elle contient galement un capteur de temprature et des lectrodes commerciales spcifiques. Le ChemFET-mtre permet le fonctionnement des microcapteurs ChemFETs autour dun point de polarisation. Son principe de fonctionnement est le suivant : la tension de grille est fixe et est relie la masse Vg = 0, le courant et la tension drain-source sont galement fixs (Ids = cte et Vds = cte) sur un point de polarisation, ils sont rgls manuellement laide dune rsistance variable. Lors dune variation de la concentration de lion dtecter dans la solution, il y a variation de la tension Vgs travers la variation de la tension de source et donc galement travers la variation de la 120

ChemFETs

ChemFETs

Pompe

Dbitmtre

Partie II tension de drain (Vds = cte) afin que le transistor reste au mme point de polarisation. Cest finalement le relev continu de cette tension (Vgs) qui donne directement la concentration de lion. Le point de polarisation du ChemFET est choisi partir des courbes Ids (Vgs) ralises sur le premier banc de caractrisation.

Figure 2.58 : fentre de commande du deuxime banc de caractrisation

Figure 2.59 : photo du ChemFET-mtre

121

Partie II Troisime banc Ce banc est un testeur sous pointe modifi pour les systmes de microfluidique. Il est compos dune table XYZ, dun support de pointe, dun pousse-seringue, dune camra plus un cran (figure 2.60 et 2.61). Le tout est pilot par un PC via les ports USB et RS232 travers un logiciel galement dvelopp au laboratoire par lquipe 2I (figure 2.62). Lappareil de mesure utilis peut tre soit le HP4140B, soit le ChemFET-mtre. Les courbes sont traces directement et en temps rel sur lcran du PC. Les mesures de caractrisation peuvent tre faites soit directement sur des composants non dcoups dun substrat silicium en technologie 4 pouces, soit sur des composants dj dcoups, soit sur des composants encapsuls dans le systme microfluidique en PDMS. Le pas de la table XYZ est de 1m ce qui nous permet de raliser des mesures matricielles afin de cartographier une plaquette ou une srie de capteur avant lencapsulation. Le systme dinjection des fluides permet le dpt dune goutte directement sur la zone sensible du capteur dun volume minimum infrieur au millilitre ou bien une injection continue dans le systme de microfluidique en PDMS. Lors de la caractrisation des capteurs ChemFETs qui nont pas dlectrode de rfrence incorpore, celle-ci est assure par une des aiguilles en oxyde de tungstne du testeur sous pointe qui a t mtallise lor.

Ecran ChemFET-mtre Camra Pointe

Pousse seringue

z x Y
Table XYZ Capteur

HP4140B

Figure 2.60 : Banc de caractrisation sous pointe 122

Partie II

Figure 2.61 : photo du banc de mesure sous pointe

Figure 2.62 : Fentre de commande du troisime banc de caractrisation 123

Partie II

I.2. Prparation des chantillons

Solutions pH Afin de dterminer les caractristiques de dtection des capteurs ChemFETs lion hydrogne, nous avons utilis dans un premier temps des solutions tampons standards de pH= [4, 7, 10]. Ces solutions sont composes de nombreux sels afin de garantir des valeurs de pH stables au cours du temps. Cette stabilit du pH permet destimer proprement la sensibilit des ChemFETs aux ions H+. Afin, dlargir la gamme de pH = [2, 3, 4, , 10, 11], nous avons galement prpar plusieurs solutions partir dun acide et dune base : lacide chlorhydrique HCl (37%) et le TMAH (Ttra Mthyl Ammonium Hydroxyde). Avant tout, nous diluons lacide chlorhydrique HCl dans de leau dionise (EDI) pour obtenir une solution dacide dcimolaire (pH = 1). Nous faisons de mme avec le TMAH pour obtenir une solution de base (pH = 12). Pour faire varier le pH dans la gamme de 2 11, on rajoute de petites quantits de base dans la solution dacide et inversement. Afin destimer les quantits quil faut rajouter partir dune solution de base, un petit programme t ralis sous Matlab (annexe I). Ce dosage est effectu automatiquement avec les burettes dans le systme fluidique (banc de caractrisation 2) pour suivre en temps rel le comportement du pH-ISFET en fonction du pH. De plus, il est prfrable de ne pas utiliser des bases telles que la soude (NaOH) ou la potasse (KOH) qui contiennent respectivement des ions Na+ et K+ car ces ions perturbent les sites de pigeage de la couche sensible Si3N4 du capteur comme nous le verrons plus loin (chapitre II I.4.4). Solutions de potassium et de sodium La caractrisation des capteurs pK-ISFETs et pNa-ISFETs t ralise dans des solutions supports de concentration dcimolaire (0.1 M/L) qui assurent une force ionique stable. En effet la variation de la force ionique a pour effet de faire galement fluctuer le coefficient dactivit. Par consquence, il y a une grande diffrence entre la concentration et lactivit des ions dans la solution [25]. La solution support que nous avons utilise est

124

Partie II lactate de lithium (CH3CO2Li) car les couches ionosensibles sont trs peu sensibles lion Lithium (Li+) [22]. Les solutions de potassium sont prpares partir de sel de potasse (KOH), de chlorure de potassium (KCl) ou de lhypophosphite de potassium (KH2PO2) dissous dans llectrolyte support. Nous prparons tout dabord une solution 0,1 mol, puis nous la diluons dun rapport dix chaque fois, toujours dans llectrolyte support dans le but dobtenir des concentrations pK = [1, 2, 3, 4, ]. Nous faisons de mme pour les solutions base de sodium avec de la soude (NaOH) ou du chlorure de sodium (NaCl). Cependant, en utilisant le systme fluidique, il est plus appropri de faire varier la concentration des ions K+ et Na+ en continu. Pour cela, il a t tabli une procdure suivre prsente dans le tableau 2.5. Dans ces conditions, nous dmarrons dune faible concentration en ions dtecter en rajoutant priodiquement le volume donn de la solution pK = 1 ou pNa = 1. Solution support Volume initiale Vinit = 100ml Concentration en lithium Cli= 0.1M/L Volume rajouter en ml de la solution pK = 1 ou pNa = 1 +0.01 + 0.1 + 1 + 10 + 100 pK ou pNa 5 4 3 2 1

pNa = log (

C Na .Vrajout Vinit + Vrajout

Tableau 2.5 : Procdure pour la dtection des ions K+ et Na+ Solutions bactriennes Avant toutes caractrisations, nous devons mettre en culture les bactries afin den avoir un nombre suffisant de bactries. Les bactries que nous avons choisies sont des bactries lactiques : les lactobacillus acidophilus (figure 2.63). Les lactobacilles sont des bacilles gram positifs rguliers de culture difficile. Ils sont non sporuls. Habituellement arobies (anarobies facultatifs), il existe des souches ou des variantes des souches anarobies stricts. Les lactobacilles sont immobiles. Ce sont des bactries classiques de la fermentation lactique (en association avec Lactococcus) dnues de pouvoir pathogne. Ces bactries interviennent d'ailleurs dans d'autres produits alimentaires 125

Partie II comme le saucisson, la choucroute... On rencontre des lactobacilles dans la flore intestinale et la flore vaginale. Les souches que nous avons utilises sont issues de la flore vaginale (flore de Dderlein). Elles nous ont t gracieusement fournies par le docteur Jean-Pierre Lepargneur du laboratoire danalyses biomdicales CEDIBIO, Toulouse.

Figure 2.63 : Lactobacillus Acidophilus [26]

Le protocole que nous avons adopt pour cultiver et prlever les bactries (qui sera le mme pour toutes les exprimentations) est le suivant :

Prparer une zone strile avec un bec bunsen Ensemencer 2 tubes contenant 10 ml de milieu MRS (milieu de culture slectif utilis pour la culture des lactobacilles 55 g.L-1) avec une souche de lactobacilles congele conserve -70C Incuber pendant 24 h 37C Rpartir dans 8 tubes de type eppendorffs Centrifuger Sparer le milieu des bactries en conservant le culot dans le tube Rincer avec de leau distille Centrifuger Sparer le milieu des bactries en conservant le culot dans le tube Conserver le culot dans un bain de glace jusqu' prlvement

Une fois les bactries cultives et centres dans le culot des tubes, elles sont prleves laide dun outil strile et mises dans un lectrolyte adapt aux lments biologiques. Nous avons choisi une solution tampon pH = 7.4 dEDTA (acide thylne-diamino-ttra-

126

Partie II actique). A ce mlange sont rajouts ou non diffrents sucres comme nous le verrons dans le paragraphe I.7.

I.3. Caractrisation des MOSFETs

Afin de valider le procd technologique, nous avons caractris des composants dits de "test" dont la grille a t totalement mtallise. Ces composants sont de type MOSFET. Nous pouvons donc dterminer linfluence des paramtres technologiques et obtenir les caractristiques du transistor MOS. La caractrisation des proprits lectriques des transistors MOSFETs a t ralise temprature ambiante (ce sera le cas pour toutes nos mesures). Ces composants sont des transistors enrichissement par consquent ils sont "normalement ferms" et ils ont une tension de seuil Vt positive. La longueur du canal est ici de 10m.
1.4E-03 1.3E-03 1.2E-03 1.1E-03 1.0E-03 9.0E-04 8.0E-04 7.0E-04 6.0E-04 5.0E-04 4.0E-04 3.0E-04 2.0E-04 1.0E-04 0.0E+00 -1.0E-04 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 Vgs = 0,5V Vgs = 0V Vds(V) Vgs = 1V
1.0E-03 8.0E-04 6.0E-04 4.0E-04 2.0E-04 0.0E+00 -2.0E-04 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Vds = 0V Vgs(V) 3.5 Vds = 0,5V 2.6E-03

Ids(A) Vgs = 2V

Ids(A)

Vds = 2V

2.4E-03 2.2E-03 2.0E-03 1.8E-03 1.6E-03 Vds = 1V Vds = 1,5V

Vgs = 1,5V

1.4E-03 1.2E-03

Figure 2.64 : Les courbes caractristiques du MOSFET a) Ids de Vds Vgs constant ; b) Ids de Vgs Vds constant ;

Nous pouvons voir que ces courbes sont en accord avec les quations lectriques dun transistor effet de champ. De plus, ces courbes nous permettent de dfinir simplement la frontire entre le mode satur et le mode linaire caractris par la relation : Vds = Vgs-Vt (figure 2.64). Nous pouvons galement en tirer le courant de fuite Ifuite < 1 A et la tension de

127

Partie II seuil Vt 0,7V. Malgr un courant de fuite relativement important, compar un transistor MOS conventionnel, celui-ci ne dgrade en aucun cas le fonctionnement du transistor et est tout fait acceptable.

I.4. Caractrisation des pH-ISFETs

I.4.1 Caractristique de fonctionnement
Dans un premier temps, nous avons vrifi le bon fonctionnement lectrique des capteurs pH-ISFETs. Les courbes Ids de Vds pour diffrentes valeurs de Vgs (figure 2.65.a) et Ids de Vgs pour diffrentes valeurs de Vds (figure 2.65.b) ont t traces. Llectrolyte utilis a t une solution tampon neutre pH = 7. Llectrode utilise a t un fil dor. Les mesures ont t effectues dans la cage de Faraday et labri de la lumire. Les caractristiques sont similaires celles obtenues prcdemment sur les transistors de type MOSFETs. La longueur de ce capteur pH-ISFET est de 40m. La tension de seuil Vt est autour de 0,6 V et le courant de fuite Ifuite 5 A. Pour la suite des caractrisations, nous prendrons une tension de seuil Vgs pour un courant Ids de 0,1mA.

3.0E-04 2.8E-04 2.6E-04 2.4E-04 2.2E-04 2.0E-04 1.8E-04 1.6E-04 1.4E-04 1.2E-04 1.0E-04 8.0E-05 6.0E-05 4.0E-05 2.0E-05 0.0E+00 -2.0E-05 0

Ids(A)

7.5E-04

Vgs = 2V
6.5E-04

Ids(A) Vds = 2V Vds = 1,5V

5.5E-04 Vds = 1V 4.5E-04

Vgs = 1,5V
3.5E-04 Vds = 0,5V

2.5E-04

Vgs = 1V

1.5E-04

Vgs = 0,5V Vgs = 0V Vds(V) 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5

5.0E-05 Vds = 0V -5.0E-05 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Vgs(V) 3.5

Figure 2.65 : Les courbes caractristiques du pH-ISFET a) Ids de Vds Vgs constant b) Ids de Vgs Vds constant

128

Partie II

I.4.2 Drive temporelle

La drive temporelle varie en fonction de nombreux paramtres (solution analyse, tensions appliques en continu, intensit du courant, temprature, lumire, ) (voir partie 1 chapitre II). Dans nos conditions de mesure, le capteur tait plac dans la cage de Faraday labri de la lumire dans une solution tampon neutre pH = 7 25C, nous avons mesur la tension de sortie du capteur sur environ 4h (figure 2.66). Nous avons fix la tension Vds 1V et le courant Ids 0,1 mA et utilis un fil dor comme lectrode de rfrence. La tension de sortie a t autour de 0,75 V avec une drive estime en moyenne 1,8mV/h. Cette drive est tout fait acceptable au vu de la sensibilit des capteurs en fonction du pH. La longueur du canal du pH-ISFET est de 10m.
Temps (s) 6000 8000

0 0 -0.1 -0.2 Tension de sortie (V) -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8

2000

4000

10000

12000

14000

16000

Figure 2.66 : Drive temporelle dun pH-ISFET

I.4.3 Dtection du pH
Afin destimer la sensibilit du capteur lion H+, nous avons effectu une analyse dans trois solutions tampons avec des pH = [4, 7, 10], labri de la lumire et temprature ambiante. Les caractristiques que nous avons traces sont des courbes Ids (Vgs) pour une tension Vds = 1V (figure 2.67a). La dtermination de cette sensibilit se fait pour des valeurs fixes du courant Ids = 0,1 mA et de la tension Vds = 1V. La valeur de la tension Vgs qui en rsulte donne alors la mesure du pH. Cette valeur est ensuite reporte sur un graphe en

129

Partie II fonction du pH (figure 2.67.b). Cette sensibilit a t obtenue avec un fil dor en guise dlectrode de rfrence. Les sensibilits mesures sont linaires en fonction du pH et sont aux alentours de 55 mV/pH. La longueur de canal du capteur est de 20m.
1.4E-03 Ids (A) pH = 4
1.2

pH = 7 1.2E-03 pH = 10
1.1

Vgs (v)

Ids = 0,1 mA sensibilit 55 mV/pH

1.0E-03
1

8.0E-04
0.9

6.0E-04

0.8

4.0E-04

0.7 pH 0.6 0 2 4 6 8 10 12

2.0E-04 Vgs (V) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5

0.0E+00

Figure 2.67 : Rponse dun capteur pH-ISFET dans trois solutions tampon de pH a) Ids de Vgs Vds =1V b) Vgs en fonction du pH pour Ids = 0,1mA

Une fois cette premire bauche faite, nous avons effectu une mesure en continu pour une gamme du pH = [2 11]. Pour ce faire, nous avons utilis le deuxime banc de mesure (voir paragraphe I-1) qui est ddi ce type de caractrisation. La variation du pH est ralise avec le couple acido-basique HCl et TMAH (voir paragraphe I-2) que nous injectons par petites doses rgulires dans la solution initiale grce aux burettes automatiquement. La caractrisation du capteur a t effectue laide du ChemFET-mtre avec un Ids = 0,1 mA et un Vds = 1V temprature ambiante. De plus, une lectrode pH commerciale a t utilise au cours des mesures pour une comparaison avec les capteurs pH-ISFETs. Un calcul thorique de la variation du pH au cours du temps a galement t effectu sous Matlab (annexe I). Lquation thorique donnant la variation du pH est :
[ H + ]3 + ( c.v c 0 .v 0 + k a ).[H + ] 2 v + v0 ( c 0 .v 0 .k a + k e ).[H + ] k a .k e = 0 v + v0

O [H+] est la concentration molaire dion hydrogne c0 et v0 sont respectivement la concentration et le volume initiaux c et v sont la concentration et le volume rajout 130

Partie II ke est la constante dquilibre ke = [H+] . [OH-] = 10-14 ka est la constante dacidit ka = [AOH] . [H+] / [A+] = 4,5 . 10-12 avec A = N(CH3)4 Le calcul du pH de lISFET est rgi par lquation suivante :
pH = pH init ( Vgs Vgs 0 ) S

Avec

S : Sensibilit du capteur pH (S=53mV/pH) Vgs0 : Valeur de la tension de sortie du capteur pour le pH initial de la solution

(pHinit = 2,07 et Vgs0 = - 0,896V) Vgs : Tension de sortie du capteur Comme le montre la figure 2.68, la rponse du capteur Vgs au cours du temps est correcte. Avec ce mode de mesure en polarisation continu, la sensibilit des capteurs pH est autour de 54 mV/pH pour une longueur de canal de 10m. Il apparat des petites variations de la tension de sortie des capteurs dans la gamme de pH autour de pH = 7. Ces variations sont dues une mauvaise homognit de la solution dans tout le systme fluidique. De plus, la dure de caractrisation dure 24H et les mesures ne sont pas ralises labri de la lumire, par consquent la rponse du capteur est lgrement perturbe par la variation de lumire entre le jour et la nuit.
12 pH Vgs -0.4

10

-0.5

electrode ph tho ph ISFET vgs ISFET

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

0 0 9000 18001 27001 36000 45000 Temps (s) 54000 63000 72000 80999

-1

Figure 2.68 : Rponse dun capteur pH-ISFET pour une variation continue du pH

131

Partie II Ainsi, ce comportement des capteurs pH-ISFETs valide le procd de fabrication des capteurs. Par consquent, les capteurs pH sont fonctionnels et prts tre utiliss comme un support actif pour le dpt de membranes en polymre ou pour recevoir les microcuves en PDMS. Nanmoins, avant de dposer ces couches ionosensibles, nous avons analys la rponse des pH-ISFETs aux ions auxquels ces couches dposes doivent tre sensibles.

I.4.4 Effet des ions potassium et sodium

La couche de nitrure de silicium Si3N4 qui est la couche sensible de nos capteurs pHISFETs, est sensible dans une moindre mesure aux ions tels que le sodium ou le potassium. Et donc, afin de dfinir la slectivit des capteurs pH-ISFETs, nous avons caractris ceux-ci dans des solutions dont la concentration en ions sodium ou potassium varie. La slectivit reprsente la capacit du capteur pouvoir dtecter un lment bien dtermin parmi dautres espces prsentes dans la solution analyser. La longueur des canaux des capteurs utiliss pour ces caractrisations sont de 20 m.

Le sodium
Nous avons caractris ces capteurs pH-ISFETs dans deux types dlectrolytes. Tout dabord dans des solutions dont la valeur du pH est reste constante et dont la concentration en ion sodium a vari de 0,1 mol/L 1 mmol/L (pNa = [1, 2, 3]), et ceci pour diffrentes valeurs de pH (pH = [1,8, 4, 7, 10]) (figure 2.69.a). Puis inversement, dans des solutions dont cette fois-ci cest la valeur du sodium (pNa= [1, 2, 3]) qui est reste constante, la concentration en ion hydrogne a vari entre pH = 2 et pH = 12, (figure 2.69.b). Les mesures ont t ralises dans la cage de Faraday 25C. La tension de sortie Vgs a t extraite des caractristiques Ids de Vgs pour Vds = 1V, pour un courant Ids = 0,1mA. La sensibilit des capteurs pH-ISFETs aux ions sodium est de 17mV/pNa. De plus, nous avons constat que la prsence dions interfrents sodium mme forte concentration dans une solution naltre en rien la sensibilit du capteur aux ions hydrogne.

132

Partie II
1.2
1.3 Vgs 1.2 pNa = 1 pNa = 2 pNa = 3 1.1

Vgs

1.1 pH = 10 1 pH = 7

Sensibilit 56mV/pH
1

0.9

0.8

pH = 4
0.9

0.7 pH = 1.8
0.8

0.6

Sensibilit -17mV/pNa
0.5 pNa 0.4 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
0.6 0 2 4 6 8 10 12 14 0.7 pH

Figure 2.69 : Rponse dun capteur pH-ISFET aux ions sodium a) Vgs en fonction du pNa pour diffrents pH b) Vgs en fonction du pH pour diffrents pNa

Le potassium

1.2

Vgs pH = 10

1.3

Vgs pK = 1 pK = 2 pK = 3

1.1

1.2

1 pH = 7 0.9

1.1

Sensibilit 49 mV/pH
1
pH = 4

0.8

0.9
0.7 pH = 1.75

0.8
0.6

Sensibilit -11mV/pk
0.5 pH 0.4 0 1 2 3 4 5

0.7
pH

0.6

10

12

14

Figure 2.70 : Rponse dun capteur pH-ISFET aux ions potassium a) Vgs en fonction du pK pour diffrents pH b) Vgs en fonction du pH pour diffrents pK

133

Partie II Nous avons fait de mme pour les ions potassium (figure 2.70). La sensibilit des capteurs pH-ISFETs aux ions potassium est de 11 mV/pK. De mme, la prsence dions potassium mme forte concentration en solution naltre en rien la sensibilit du capteur pH aux ions hydrogne. Les capteurs pH-ISFETs ainsi caractriss sont prts rservoir les couches sensibles en polymre.

I.5. Caractrisation des pK-ISFETs

Les membranes ionosensibles que nous avons ralises (voir partie II chapitre I) sont base de polysiloxane (PSX) qui constitue une matrice dans laquelle nous avons incorpor un ionophore. La valinomycine est lionophore qui permet la dtection du potassium en crant des sortes de tunnels slectifs dans le PSX donnant ainsi les proprits de sensibilit et de slectivit aux capteurs pK-ISFETs.

I.5.1 Dtection du potassium

Les caractristiques que nous avons ralises portent sur des capteurs pK-ISFETs avec la membrane de PSX dpose laide dune micropipette (voir partie II chapitre I). Nous avons utilis cette technique de dpt car lors dun dpt la tournette la quantit de llment dposer est importante au vu du volume final utile. En effet, la valinomycine qui est lionophore qui interagit avec le potassium, est un produit trs couteux. Par consquent, il ne peut tre gaspill avec un dpt la tournette o plus de 95% de la solution est jete. Lpaisseur de la membrane est de 15 m. Au vu des applications pour laquelle ces capteurs sont ddis (mesure au cours du temps lors dune hmodialyse), nous nous sommes donc limits des concentrations en pK infrieures pK = 3. Les tensions Vgs des figures III-14 et III-15 sont extraites des courbes Ids de Vgs pour Vds = 1V pour un courant Ids = 0,1 mA 25C dans la cage de Faraday. Les solutions dans lesquelles les capteurs pK-ISFETs ont t plongs sont base de TMAH, de HCl qui permettent de dfinir le pH des solutions et de KCl qui, variant de 0,1 mol/L 1 mmol/L, permet dajuster la concentration de lion K+. Les temps de stabilisation du capteur sont relativement levs, en moyenne autour de 15 min. Cette dure avant stabilisation est due essentiellement la diffusion des ions K+ dans

134

Partie II la couche ionosensible. Cet effet de diffusion napparat pas pour la dtection du pH car la dtection des ions H+ par la couche sensible Si3N4 est surfacique (les ions restent en surface). Les mesures de la tension Vgs de la figure 2.71.a ont t prises toutes les 45s jusqu la stabilisation. Les tensions Vgs de la figure 2.71.b sont prleves une fois que celles-ci sont stables dans le temps. La rponse des capteurs aux ions potassium montre bien une sensibilit mais celle-ci nest pas linaire pour des concentrations en pK entre 1 3. La sensibilit est infrieure 43 mV/pK. Le capteur utilis ici une longueur de canal de 10m.
0.92
0.88 0.87 0.86 0.85 0.84

Vgs

Vgs

ph = 4 ph = 6 ph = 8 ph = 10

0.91

0.9

0.89

0.88
0.83

0.87
0.82

0.86

pK=1 et pH =8 pK=1 et pH =10

Temps (min) Temps (s)

0.81 0.8 0.79 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 pK 3.5

0.85

0.84 0 5 10 15 20

25

Figure 2.71 : Rponse dun capteur pK-ISFET aux ions potassium a) Temps de stabilisation b) Vgs en fonction du pK

Nous pouvons voir sur les courbes que les capteurs sont sensibles dans une moindre mesure aux ions hydrogne. Par consquence, nous avons ralis des mesures supplmentaires.

I.5.2 Leffet du pH
Afin destimer linfluence sur la rponse dun capteur pK-ISFET de la concentration en ions interfrents hydrogne dans une solution, nous avons ralis des mesures dans des solutions dont la concentration en ions potassium est reste constante mais dont le pH varie.

135

Partie II Les valeurs de Vgs sont extraites des courbes Ids (Vgs) pour Ids = 0,1 mA. La sensibilit du capteur est diffrente suivant la gamme de pH. Si la concentration en ion H+ est dans le plateau pH compris entre pH = 4 et pH = 10, la sensibilit du capteur pK-ISFET vis--vis de lion hydrogne est faible, de lordre de 4 mV/pH. Par contre, si la valeur du pH est en dehors du plateau pH soit un pH < 4, soit un pH > 10, la rponse du capteur aux ions H+ devient trs importante, avec une sensibilit de 75 mV/pH. Cette forte sensibilit peut-tre explique par le pigeage dans la couche sensible des ions H3O+ pour des pH < 4 ou des complexes dhydroxyde OH- pour des pH > 10 [27, 28, 29] (figure 2.72).
PK 2 PK 1

PK 3

Vgs

Figure 2.72 : Rponse dun capteur pK-ISFET au pH pour diffrentes concentrations dion K+

Par consquence ces capteurs pK-ISFETs ont une bonne sensibilit aux ions K+, S = 43 mV/pK, nanmoins ils doivent tre utiliss dans une gamme de pH comprise entre 4 et 10.

I.6. Caractrisation des pNH4-ISFETs

Les capteurs pNH4-ISFETs ont t dvelopps lors de la thse de Mlle Iryna Humenyuk dans le cadre du projet europen SEWING ddi lanalyse de leau. La couche sensible en PSX avec de la nonactine en tant quionophore a t dpose la tournette (voir chapitre II). Lpaisseur de la couche obtenue est de 30m. Les mesures de la tension de sortie ont t ralises avec le ChemFET-mtre (Ids = 0,1mA et Vds = 1V) temprature

136

Partie II ambiante dans la cage de Faraday. Comme le montre la figure 2.73.a, la tension de sortie du capteur est stable dans le temps pour une concentration en pNH4 donne. La rponse du capteur est quasi linaire pour une gamme de concentration comprise entre pNH4 = 1 et 4 (figure 2.73.b). La sensibilit dans cette gamme est de S = 45 mV/pNH4. Pour des concentrations plus faibles pNH4 > 5, la sensibilit du capteur diminue progressivement car le capteur atteint sa limite de dtection.
0 -0.72 -0.74 -0.76 T e n s io n d e s o r tie (V ) -0.78 -0.8 -0.82 -0.84 -0.86 -0.88 2000 4000 6000 Temps (s) 8000
pNH4

10000

12000

14000

16000
-0.72 -0.74 -0.76 T e n s io n d e s o r ite ( V ) -0.78 -0.8

pNH4 = 1

pNH4 = 2 pNH4 = 3

-0.82 -0.84 -0.86 -0.88

pNH4 = 4

pNH4 = 5

Figure 2.73 : Rponse dun capteur pNH4-ISFET aux ions ammonium a) Tension de sortie en fonction du temps pour des concentrations de NH4 croissantes b) Tension de sortie en fonction du pK

Finalement, ces capteurs ammonium se caractrisent par une bonne sensibilit, une bonne adhrence de la couche sensible dpose la tournette et une bonne stabilit dans le temps.

I.7. Caractrisation des pH-ISFETs en microvolume

Toutes les mesures en microvolume ont t effectues sur le testeur sous pointe avec des composants avec microcuve en PDMS reporte (voir partie II chapitre I). Les caractrisations ont t faites via le HP4140B. Rappelons que les bactries utilises sont des Lactobacillus acidophilus, qui sont des bactries non pathognes que nous avons nous-mmes mises en culture.

137

Partie II

I.7.1 Principe de mesure biologique

Le principe de la mesure que nous avons effectue est bas sur une lecture directe de la variation du pH lors dune raction particulire. Le mtabolisme des Lactobacillus acidophilus est uniquement fermentaire : on distingue les homofermentaires fabriquant seulement de l'acide lactique (R ou S - D ou L), des htrofermentaires (plusieurs produits de fermentation avec ventuellement du dioxyde de carbone). Les souches dont nous avons dispos suivent la voie homofermentaire (figure 2.74) et il ny a donc aucun autre produit que de lacide lactique issu de la dgradation dun hexose (sucre comportant 6 atomes de carbone).

Figure 2.74 : Voies fermentaires lactiques [30]

Le tableau 2.6 exprime le degr daffinit de Lactobacillus acidophilus pour diffrents sucres. Amygdaline Arabinose Cellobiose Esculine Fructose Galactose Glucose Gluconate Lactose Maltose Mannitol
+ + + + + + + + -

Mannose Mlzitose Mlibiose Raffinose Rhamnose Ribose Salicine Sorbitol Sucrose Trhalose Xylose

+ d d + + d -

+ : 90 % daffinit au minimum

- : 90 % de rpulsion au minimum

d : 11-89 % daffinit

Tableau 2.6 : Degr daffinit de Lactobacillus Acidophilus pour diffrents sucres

138

Partie II La dtection de lactivit des lactobacilles seffectue travers la mesure de la variation de pH induite par lapparition dacide lactique issue de la voie homofermentaire des lactobacilles. Cette dtection peut tre rsume par le schma de principe de la figure 2.75.

Microvolume

Glucose C6H12O6

Acide Lactique C2OH5COOH

Lactobacilles

pH Capteur pH-ISFET

pH + pH Capteur pH-ISFET

Figure 2.75 : Schma de principe de la dtection de lactivit des lactobacilles grce un pH-ISFET Le fait de travailler dans des volumes de lordre du microlitre, permet davoir une concentration de bactries suffisamment importante pour crer une variation de pH consquente. De plus, le fait de travailler en microvolume implique un nombre plus restreint de bactries pour des concentrations dans la solution danalyse plus importante. Au final, cela permet des temps de mise en culture plus courts et une rponse du capteur plus rapide.

Figure 2.76 : Photo dune microcuve en PDMS report sur un capteur pH-ISFET

Figure 2.77 : Photo dune microcuve en PDMS report sur un pH-ISFET + une microlectrode 139

Partie II Comme le montre les figures 2.76 et 2.77, la cuve est place au niveau de la grille du pH-ISFET et les micro-canaux passent au-dessus de llectrode de rfrence en or ou/et des microlectrodes dor.

I.7.2 Mesure du pH en microvolume

Afin de vrifier le bon fonctionnement du capteur pH-ISFET ainsi que la bonne prise de contact des diffrentes pointes, nous effectuons dans un premier temps une srie de mesures dans des solutions pH diffrentes concentrations pH = [4, 7, 10] 25C. Entre chaque mesure, la microcuve est rince abondamment leau dionise pour viter un mlange entre deux solutions. Comme le montre la figure 2.78.a, les mesures Ids (Vgs) ont t effectues grce au HP4140B. La longueur du canal du capteur est ici de 10 m.La tension Vgs qui en rsulte en fonction du pH (figure 2.78.b) a t prise pour un courant Ids = 0,1 mA. La sensibilit obtenue est de 48 mV/pH avec comme lectrode de rfrence la microlectrode dor. Une fois cette tape de validation du capteur pH-ISFET tablie, nous pouvons passer aux mesures en milieu bactrien.
2.50E-03 Ids pH = 4 2.00E-03 pH = 7
0.65 0.70 0.75 Vgs

pH = 10
0.60

Sensibilit 48 mV/pH

1.50E-03
0.55 0.50

1.00E-03
0.45 0.40 0.35

5.00E-04

Vgs 0.00E+00 0.00E+00 5.00E-01 1.00E+00 1.50E+00 2.00E+00 2.50E+00 3.00E+00 3.50E+00
0.30 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00 10.00

pH 11.00

Figure 2.78 : Rponse dun capteur pH-ISFET en microvolume a) Ids de Vgs Vds =1V b) Vgs en fonction du pH pour Ids = 0,1mA

140

Partie II

I.7.3 Dtection bactrienne

Afin dviter davoir une valeur de pH finale trop faible, nous avons choisi de travailler dans un milieu tamponn. Pour cela, nous avons utilis de lEDTA tamponne pH = 7,4. La premire srie de mesures qui a t effectue a consist vrifier leffet d la solution dEDTA sans sucre. Pour ce faire, nous avons mesur la rponse du capteur dans la solution dEDTA seul puis dans une solution dEDTA avec des bactries. Ces mesures ont t caractrises laide du ChemFET-mtre. La tension de sortie a t prise pour toutes les mesures qui suivent avec une tension Vds = 1V et un courant Ids = 0,1 mA temprature ambiante. Entre chaque mesure nous rinons le systme fluidique leau dionise afin quil ny ait pas mlange entre les solutions et que la grille sensible du pH-ISFET soit nettoye dun ventuel dpt de bactries. Nous pouvons constater quaprs une demi-heure, la rponse du capteur est identique dans les deux solutions. Leffet tampon de la solution est bien visible sur la courbe EDTA+bactrie de la figure 2.79, car les lactobacilles relarguent toujours dans un premiers temps un peu dacide lactique dans les solutions rsultant de la mtabolisation des sucres prsents dans le milieu de culture. Cet acide lactique est vite neutralis par les sels de tamponnage de lEDTA ainsi le pH de la solution se stabilise autour de pH = 7,4.
Temps (s) 0 -0.3 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000

-0.35
EDTA seul EDTA+bactrie

-0.4 Tension de sortie (V)

-0.45

Effet du tampon

-0.5

-0.55

-0.6

-0.65

-0.7

Figure 2.79 : Rponse dun capteur pH-ISFET dans le temps avec des solutions dEDTA sans sucre avec et sans lactobacilles.

141

Partie II Aprs avoir vrifi la rponse du capteur une solution dEDTA seul puis avec des bactries montrant ainsi que le pH de la solution ne variait pas lors de la prsence des bactries, nous pouvons donc mettre les solutions bactriennes en prsence de diffrents sucres. Dans un premier temps, nous avons mis le sucre le plus apprci par nos bactries, le glucose (20g/L). Sur la figure 2.80, nous pouvons constater que trs rapidement l a tension de sortie augmente, i.e. le pH chute de manire importante lorsque du glucose est ajout dans la solution bactrienne. La cration dacide correspondant la consommation du glucose par les bactries est telle que leffet tampon de la solution ne peut tout absorber. La diffrence de tension de sortie entre les courbes 2.79 et 2.80 est due au fait que le capteur utilis est diffrent.
1.4 -1

-1 1.35 -1.05 edta+glucose+bactrie -1.1 1.3

Tension de sortie (V) 1.25 -1.15

-1.2 1.2 -1.25 1.15 edta+bactrie -1.3 1.1 -1.35 1.05 -1.4 1
0 1000 2000 3000 4000 Temps (s) 5000 6000 7000 8000

Figure 2.80 : Rponse dun capteur pH-ISFET (20m) dans le temps pour des solutions avec des lactobacilles en prsence ou non de sucre.

Ce type de mesure ne nous permet pas de quantifier lactivit bactrienne car nous utilisons des solutions tampon dEDTA qui amoindrissent fortement la variation du pH. Mais, ici notre but est de dterminer assez simplement et rapidement lactivit des lactobacilles en prsence dun sucre quils sont capables de mtaboliser. Nous pouvons revoir sur cette mme figure leffet tampon sur la courbe EDTA+bactrie. Dans un deuxime temps, nous avons galement test la raction des lactobacilles en prsence dautres sucres. Les sucres qui ont t choisis peuvent ou non tre mtaboliss par les bactries suivant laffinit (voir tableau 2.6) avec celles-ci. Lorsque quil ny a pas daffinit les bactries ne consomment pas le sucre et par consquence relarguent uniquement 142

Partie II un peu dacide lactique d aux sucres prsents dans le milieu de culture. Ainsi le pH de la solution doit rester stable dans le temps. Inversement, si le sucre est consomm, le pH doit devenir acide. Nous avons donc inject successivement les solutions dEDTA+bactrie avec des sucres diffrents. Entre chacune de ces mesures, nous avons ralis des mesures avec les mmes solutions sans sucre afin de vrifier que les variations de la tension de sortie taient bien dues des variations de pH et non une drive du capteur. Comme on peut le voir sur la figure 2.81, les sucres comme le glucose et le fructose qui ont une forte affinit avec les lactobacilles acidophillus ont bien t mtaboliss, la tension a augment par rapport la solution EDTA+bactrie donc les solutions sont plus acides. Par contre, le xylose qui est un sucre sans affinit avec nos bactries na pas t mtabolis, au bout de 2h la tension de sortie est similaire la tension de la solution EDTA + bactrie. Lorsque les temps de stabilisation sont longs comme ici pour la courbe avec la solution contenant du xylose, ceci est souvent d un mauvais rinage du systme fluidique (mlange de plusieurs solutions).
-0.4 -0.5 -0.6 Tension de sortie (V) -0.7 -0.8 -0.9 -1 -1.1 -1.2 0 1000 2000 3000 4000 5000 Temps (s) 6000 7000 8000 9000 10000
edta+bactrie edta+glucose+bactrie edta+bactrie edta+fructose+bactrie edta+bactrie edta+xylose+bactrie edta+bactrie

Figure 2.81 : Rponse dun capteur (10m) dans le temps avec des solutions contenant des lactobacilles en prsence de diffrents sucres.

Le but final de ces caractrisations est de pouvoir identifier la bactrie prsente dans une solution suivant les sucres qui sont ou non mtaboliss. Ce type de dtection bactrienne est couramment utilis dans lindustrie la diffrence que la dtection de la variation de pH est ralise par colorimtrie (les kits galerie API). Ces kits industriels ncessitent un grand nombre de bactries du fait que le volume de solution analyser est plus grand et donc il faut

143

Partie II des temps de culture importants. De plus, ces tests colorimtriques prennent du temps (minimum 18h). Donc lavantage principal des microcuves par rapport aux techniques classiques rside dans un gain de temps qui est d essentiellement une diminution du volume danalyse. Le tableau 2.7 synthtise quelques-uns des points de comparaison que nous avons pu tablir.

Cuve (Galerie API) Volume ncessaire par test Temps de culture ncessaire Temps dincubation du test 150 L 18 24 heures 18 24 heures

Micro-cuves 1 L < 18 heures < 1 heure

Tableau 2.7 : Comparaison des critres de dtection de la ractivit des lactobacilles en fonction du procd utilis.

I.8. Conclusion
Les proprits des capteurs pH-ISFETs ont t tudies, mettant en vidence une sensibilit quasi-nerstienne aux ions hydrognes (autour de 55mV/pH) et des sensibilits moindres aux principaux ions interfrents sodium (17mV/pNa) et potassium (11mV/pK). Cette technologie de capteurs ont ensuite t utiliss pour la dtection dune bactrie (Lactobacillus Acidophilus) via les variations du pH de la solution support grce au relargage ou non dacide lactique suivant leur degr daffinit le sucre prsent en solution. Ainsi, nous avons mis en vidence le bon comportement des pH-ISFETs en prsence de bactries avec diffrents sucres. Par ailleurs, des capteurs pK-ISFETs ont t raliss avec les couches ionosensibles en PSX*. La sensibilit des capteurs pK-ISFETs suit une loi non linaire en fonction du pK et est autour de 43mV/pK pour des concentrations de pK = [1 3] et la sensibilit aux ions interfrents hydrogne est infrieure 4mV/pH pour des pH compris entre pH = 4 10.

144

Partie II

II. Etude des microlectrodes

II.1. Bancs de mesure
Le banc de caractrisation qui a t utilis pour tester les microlectrodes est constitu dun AUTOLAB PGSTAT30 et dune cage de Faraday. Le PGSATAT30 est un appareil ddi aux tudes lectrochimiques. Il peut soit gnrer une tension (continue, rampe ou alternative) et mesurer le courant et le dphasage qui en rsultent, soit gnrer un courant (continu, rampe ou alternative) et mesurer la tension et le dphasage qui en dcoulent. Il est pilot par un PC par port USB grce deux logiciels, le premier pour les tudes en tension et courant continu ou rampe donnant ainsi des courbes voltampromtriques, chronoampromtriques et chrono-voltamtriques, le second pour les tudes en frquence donnant des courbes impdancemtriques. Le schma de principe simplifi de lappareil est donne figure 2.82.

Cage de Faraday

CE Eref Etra

Microlectrode

Figure 2.82 : Banc de caractrisation des microlectrodes

145

Partie II

II.2. Caractrisation des microlectrodes dor

Tout dabord, dans un but de comprhension et didentification des mcanismes ractionnels se produisant lors dune mesure lectrochimique, nous avons caractris les microlectrodes sans couche sensible deux puis trois lectrodes. Ces caractristiques, quelles soient de types voltampromtrique ou impdancemtrique, nous ont permis de distinguer les ractions se produisant aux interfaces et les mcanismes dus la solution ellemme.

II.2.1 Caractrisation de llectrolyte

La premire tude que nous avons choisie de faire, a consist mesurer la rsistivit dune solution par spectroscopie dimpdance. Cette caractrisation a t ralise avec les microlectrodes de type carr (voir partie II chapitre I) dont la surface des deux lectrodes est identique. Les lectrolytes que nous avons choisis sont des solutions dhypophosphite de potassium (KH2PO2) et dactate de lithium (LiCH3CO2) variant de 0,1 mol/L 10-7 mol/L. Le schma de cblage est reprsent figure 2.83.
lectrolyte

Contre lectrode et de rfrence Gn AC+DC

Electrode de travail

Figure 2.83 : schma de cblage deux lectrodes

146

Partie II

La gamme de frquence utilise va de un mgahertz cent millihertz (des hautes frquences vers les basses frquences). Lamplitude de la tension alternative a t fixe 10mV, et la tension continue est nulle. A partir du graphe dimpdancemtrie (diagramme de Nyquist figure 2.84 et diagramme de Bode figure 2.85), nous avons ralis un schma quivalent constitu de trois modules identiques en srie (figure 2.86). Ce module est constitu dune rsistance en parallle avec une impdance ZQ. Limpdance ZQ est un lment constante de phase (CPE) et reprsente une diffusion imparfaite.
ZQ = 1 Q.( jw ) n avec 0 <n<1

Lorsque n = 1, limpdance ZQ est quivalente une capacit et lorsque n = 0,5, limpdance ZQ est quivalente une impdance de Warburg.
1.E+08

1.E+08 edi pli7 pli6 pli5 pli4 pl3 pli2 pli1

8.E+07 Imaginaire

6.E+07

4.E+07

2.E+07

0.E+00 0.E+00

1.E+07

2.E+07

3.E+07 Rel

4.E+07

5.E+07

6.E+07

Figure 2.84 : Diagramme de Nyquist dune cellule deux lectrodes dor dans diffrentes concentrations dactate de lithium

147

Partie II

1.E+09

1.E+08

module de Z (ohm)

1.E+07

1.E+06

1.E+05

edi pli7 pli6 pli5 pli4 pli3 pli2 pli1

1.E+04

1.E+03 1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02 f(Hz)

1.E+03

1.E+04

1.E+05

1.E+06

Figure 2.85 : Diagramme de Bode dune cellule deux lectrodes dor dans diffrentes concentrations dactate de lithium

Les valeurs des diffrents composants du circuit quivalent ont t calcules laide du logiciel ZsimpWin. Deux de ces modules [Rint, ZQint] ont des valeurs de composants qui restent quasiment constantes quelle que soit la concentration de la solution. Ces deux modules [Rint, ZQint] quivalents correspondent aux interfaces entre llectrolyte et les lectrodes dor. De plus, la surface des deux lectrodes tant identique et tant constitu du mme matriau, les valeurs pour ces deux modules sont proches (figure 2.87). La lgre diffrence entre les deux interfaces est due au fait que lune des lectrodes est relie la masse alors que lautre reoit la tension alternative (figure 2.83). Du fait que la concentration ionique nest pas constante aux interfaces, les valeurs des coefficients n sont lgrement diffrentes de 1. La rsistance Rlec correspond la rsistance du liquide et donc varie en fonction de la concentration en ions dans le liquide (figure 2.87.c). Limpdance ZQlec a une valeur Q trs faible et ne varie que trs peu suivant la concentration en ion Li+ car les solutions danalyse sont conductrices. Le tableau 2.8 donne les valeurs des composants du schma quivalent pour les diffrentes concentrations en ion lithium dans une solution.

148

Partie II

R1int

Rlec

R2int

ZQ1int

ZQlec

ZQ2int

Figure 2.86 : schma quivalent dune microlectrode deux lectrodes dor

0 1.E+00 1.E-01

7 pLi

1 0.9 0.8

n n1int nlec n2int

1.E-02 1.E-03 1.E-04 1.E-05 1.E-06 1.E-07 1.E-08 1.E-09 1.E-10 Q (F) 1.E-11 Q1int Qlec Q2int
0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 pLi 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8

a)
1.E+10 1.E+09 1.E+08 R (ohm)

b)
R1int

R2int 1.E+07 1.E+06 1.E+05 1.E+04 1.E+03 1.E+02 1.E+01 pLi 1.E+00 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Rlec

c)
Figure 2.87 : a) valeur des impdances Q en fonction de la concentration b) valeur des coefficients n en fonction de la concentration c) valeur des rsistances R en fonction de la concentration

149

Partie II

PLi R1int ZQ1int Rlec ZQlec R2int ZQ2int Q n Q n Q n

1,35
1.70E+07 6.82E-08 0.8884 2603 4.16E-11 0.9671 3.02E+08 1.57E-08 0.9144

2,25
9.54E+06 4.02E-08 0.8718 2.11E+04 7.62E-11 0.922 4.52E+08 1.69E-08 0.9769

3,25
2.50E+07 3.49E-08 0.8321 1.84E+05 9.32E-11 0.8987 6.86E+08 1.71E-08 1

4,25
2.74E+07 9.12E-08 0.9 1.32E+06 5.52E-11 0.9431 1.26E+09 1.35E-08 0.8674

5,25
7.02E+06 8.11E-08 0.854 3.20E+06 5.16E-11 0.9486 2.41E+09 1.38E-08 0.8578

6,25
1.54E+07 5.19E-08 0.86629 4.56E+06 6.70E-11 0.9132 1.91E+09 1.35E-08 0.8602

7,25
1.02E+07 1.00E-08 0.8562 6.23E+06 6.89E-11 0.9111 1.32E+09 1.34E-08 0.8672

Tableau 2.8 : schma quivalent dune microlectrode deux lectrodes dor

Calcul thorique de la rsistance Rlec :

La rsistance R dune solution est proportionnelle la longueur inter lectrode L et inversement proportionnelle la surface S de la plus petite des deux lectrodes. L'homognit des formules oblige alors introduire une caractristique intrinsque de la solution, la rsistivit de la solution qui admet un inverse, la conductivit . On aura alors :
R= .L K = S

Le rapport

L est dsign par K, constante de cellule. Elle caractrise la forme S

intrinsque de la cellule de mesure. La conductivit est fonction des espces en solution, ainsi que de leur concentration. La contribution dun ion de charge z et de concentration Ci, la conductivit globale dune solution ionique, est gale :
i = o .Ci i

Le terme i est la conductivit molaire limite, dilution infinie, de lion considr. Il exprime en S.m.mol-1.

150

Partie II

Ion H3O+ HOK+ H2PO4Li+ CH3CO2-

i ( S.m.mol-1) 3,5.10-2 1,99.10-2 7,35.10-3 3,6.10-3 3,87.10-3 4,09.10-3

Tableau 2.9 : Conductivit molaire limite pour un ion donn.

La conductivit totale dune solution est la somme des conductivits de chaque ion.
=

o .Ci i

La solution dactate de lithium (LiCH3CO2) a une concentration qui varie de 10-1 10-7 mol/l dans de leau pH =5,3 avec une surface dlectrode de 1.10-6m et une distance inter-lectrode de 1mm. Les concentrations des ions Li+ et CH3CO2- sont identiques et varient de 100mol/m3 10-4 mol/m3. De mme les concentrations des ions H3O+ et HO- sont gales :

C H O+ = 10 _ ph 1000 = 5.10 _ 3 mol / m 3

3

C OH = 10 _(14+ph ) 1000 = 2.10 _ 6 mol / m 3

10 _4 mol/m 3 C Li + = C CH CO 100 mol/m 3
3 2

On dfinit pX comme le cologarithme dcimal de la concentration CX (en mol/l) de lion X considr par : pX = -log(CX) La conductivit de chaque ion sera :

Li + = Li + .CLi + = 3,87.10 _ 3 CLi + CH CO _ = CH CO _ .CCH CO _ = 4,09.10 _ 3 CCH CO

3 2 3 2 3 2 3 3 3 3 _ 2

H O+ = H O+ . C H O+ = 3,5.10 _ 2 5.10 _ 3 = 1,75.10 _ 4 mol / m OH _ = OH _ . C OH _ = 1,99.10 _ 2 2.10 _ 6 = 4.10 _ 8 mol / m

151

Partie II Nous pouvons ngliger la conduction due aux ions OH- par rapport aux ions H3O+. Donc pour la conductivit de la solution on aura: totale = Li+ + CH CO _ + H O +
3 2 3

La constante de la cellule K vaut :

K= L 1.10 _ 3 3 _1 = _ 6 = 1.10 m S 1.10

Donc la rsistance de la solution sera :

R=

L totale .S

K totale

1.10 3 totale

Le tableau 2.10 et la figure 2.88 reprsentent la rsistance Rlec thorique et pratique en fonction de la concentration en ions lithium. pLi 7.25 6.25 5.25 4.25 3.25 2.25 1.25 C(mol/l) 5.62E-08 5.62E-07 5.62E-06 5.62E-05 5.62E-04 5.62E-03 5.62E-02 C(mol/m3) (S/m) 5.62E-05 5.62E-04 5.62E-03 5.62E-02 5.62E-01 5.62E+00 5.62E+01 1.78E-04 1.82E-04 2.23E-04 6.26E-04 4.65E-03 4.49E-02 3.56E-01 K(m-1)/30 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 Rthoric(ohm) Rpratic(ohm)
5.61E+06 5.48E+06 4.49E+06 1.60E+06 2.15E+05 2.23E+04 2.81E+03 6.23E+06 4.56E+06 3.20E+06 1.32E+06 1.84E+05 2.11E+04 2.6 E+03

Tableau 2.10 : Rsistance de la solution en fonction de la concentration en actate de lithium

1.00E+07

1.00E+06

R (ohm)

Rthoric Rpratic 1.00E+05

1.00E+04

1.00E+03 0 1 2 3 4 pLi 5 6 7 8

152

Partie II
Figure 2.88 : Rsistance Rlec de la solution en fonction de la concentration en actate de lithium

La rsistance Rlec varie linairement en fonction de la concentration en ion Li+ pour des concentrations fortes (pLi < 4) du fait que la conduction dans le liquide est assure majoritairement par les ions Li+ et CH3CO2-. Pour des concentrations plus faibles (pLi > 4), la conduction du courant nest plus due uniquement au ion Li+ car la concentration des ions H3O+ est constante (pH = 5,3) dans toutes les solutions et donc le courant engendre par ces ions (H3O+) nest plus ngligeable. Par consquent au fur et mesure de la diminution de la concentration des ions Li+ dans la solution, la conduction du courant est due peu peu uniquement aux ions H3O+. Ainsi la rsistance Rlec tend vers une valeur fixe donne par le pH de la solution.

II.2.2 Choix de llectrode de rfrence

Dans un deuxime temps, nous avons rajout une troisime lectrode faisant office dlectrode de rfrence. Pour cela, nous avons compar deux types dlectrode, une tant une lectrode de rfrence commerciale classique Ag/AgCl, lautre tant le troisime plot dor de la microlectrode (voir partie II chapitre I). Comme le montre la figure 2.90, les amliorations apportes par une troisime lectrode de rfrence sont ngligeables tant que les tensions restent faibles. Par contre, ds que la tension est suprieure 1 V, le courant devient consquent, due un transfert de charge important faisant fluctuer le potentiel de la solution au niveau des deux lectrodes. Le potentiel de llectrode de travail tant fix la masse, cest le potentiel autour de la contre lectrode qui nest plus fixe. Cette troisime lectrode qui nest pas traverse par un courant, permet de fixer le potentiel de la solution par rapport llectrode de travail (figure 2.89). Afin de vrifier le comportement du capteur avec cette troisime lectrode en or, nous avons effectu une mesure comparative en spectroscopie dimpdance et en voltampromtrie cyclique. Cest pour cela, nous avons compar la rponse du capteur sans lectrode de rfrence (systme deux lectrodes), avec une lectrode de rfrence commerciale Ag/AgCl et avec la troisime lectrode en or. Les mesures ont t ralises dans des solutions de KH2PO2 dcimolaire (pK = 1) [31].

153

Partie II

lectrolyte

Contre lectrode

Gn AC+DC Electrode de rfrence

V A
Electrode de travail

Figure 2.89 : Schma de cblage trois lectrodes

Les frquences vont de 1MHz 10 Hz avec une tension alternative de 10 mV et une tension continue nulle (figure 2.90).
9.00E+06
sans lectrode lectrode d'or lectrode Ag/AgCl

8.00E+06

7.00E+06

6.00E+06 imaginaire

5.00E+06

4.00E+06

3.00E+06

2.00E+06

1.00E+06

0.00E+00 0.00E+00

5.00E+05

1.00E+06

1.50E+06 rel

2.00E+06

2.50E+06

3.00E+06

Figure 2.90 : Effet de llectrode de rfrence sur les caractristiques dimpdances (Vcont=0)

154

Partie II La rponse de la microlectrode avec et sans lectrode de rfrence spcifique est identique car les tensions mises en jeu (10mV) restent faibles. Par consquent, les courants traversant la contre lectrode ont une influence trs faible linterface lectrode/lectrolyte permettant ainsi la contre lectrode de pouvoir agir simultanment comme une lectrode de rfrence et une contre lectrode. Pour le diagramme de voltampromtrie cyclique, la rampe de tension balaye les potentiels de -2 V +2 V en dmarrant et finissant 0V avec une vitesse de 200 mV/s (figure 2.91).
2.5E-03 I(A) sans lectrode lectrode d'or lectrode Ag/AgCl

2.0E-03

1.5E-03

1.0E-03

5.0E-04

-2.5

-2

-1.5

-1

0.0E+00 -0.5 0 -5.0E-04

V(V) 0.5 1 1.5 2 2.5

Figure 2.91 : Effet de llectrode de rfrence sur les caractristiques de voltampromtrie cyclique

Les rponses de la microlectrode avec une lectrode de rfrence Ag/AgCl ou en or sont quasiment identiques. Par contre, la rponse sans lectrode de rfrence spcifique engendre des courants beaucoup plus importants partir du potentiel doxydation du solvant (eau) avec lor. Loxydation de leau en O2 est amplifie par le passage du courant dans cette lectrode rendant ainsi la solution plus conductrice. Par consquent lutilisation dune lectrode de rfrence est ncessaire pour la suite des caractrisations [32]. En outre, vus les rsultats similaires entre llectrode Ag/AgCl et notre lectrode en or, nous pouvons valider notre lectrode dor comme lectrode de rfrence.

155

Partie II De plus, afin de confirmer ces rsultats en impdance et en voltamtrie, nous avons effectu des mesures similaires avec des concentrations diffrentes et dans dautres solutions (LiCH3CO2, KCl, KOH).

II.2.3 Effet de la tension de polarisation

Afin de dterminer linfluence de la tension de polarisation sur les rponses frquentielles des microlectrodes, nous avons balay la tension continu de +2 V -2 V.
9.00E+06 8.00E+06 7.00E+06 6.00E+06 imaginaire 5.00E+06 4.00E+06 3.00E+06 2.00E+06 1.00E+06 0.00E+00 0.00E+00

-1.2 -0.7 0 1 2

2.00E+06

4.00E+06

6.00E+06 rel

8.00E+06

1.00E+07

1.20E+07

Figure 2.92 : Effet de la tension de polarisation sur la rponse des microlectrodes

La solution utilise ici est de lactate de lithium (pLi = 3). Les frquences vont de 1 MHz 10 Hz avec une tension alternative de 10 mV. Comme le montre la courbe de rponse des microlectrodes (figure 2.92), les effets de la tension continue sur la rponse frquentielle du capteur ne sont pas ngligeables. Cette disparit en fonction de la tension est due aux effets doxydorduction qui sont exacerbs pour certaines tensions. A +2 V, nous sommes au-del de la barrire de potentiel doxydation du solvant rendant la solution bien moins rsistive. Par consquent, la solution + 2V est plus conductrice, de ce fait limpdance du systme est plus faible. Inversement 1,2V, nous sommes un potentiel o il ny a que peu de ractions aux lectrodes ainsi limpdance du systme est plus grande. Des mesures similaires ont t

156

Partie II ralises dans les solutions ayant des concentrations diffrentes et dans des solutions de KH2PO2.

II.2.4 Effet de la vitesse de balayage

Le fait de travailler des vitesses de balayage en tension diffrentes permet damplifier ou dattnuer certains pics de courants. La solution utilise lors de cette caractrisation est une solution sature en LiCH3CO2 (5.10-1mol/L) dans laquelle la concentration en KH2PO2 varie de pK = 1 pK = 7 (ici pk =3). Les vitesses de balayage vont de 10 mV/s 5 V/s.
8.E-04 10mV/s 20mV/s 50mV/s 100mV/s 200mV/s 500mV/s 1V/s 2V/s 5V/s 2.E-04 4.E-04 6.E-04 I(A)

V(V) 0.E+00 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5

-2.E-04

-4.E-04

Figure 2.93 : Courbe voltampromtrique, effet de la vitesse de balayage en tension sur la rponse des microlectrodes

Ces pics sont dus une oxydation ou une rduction des lments lectroactifs contenus dans la solution [33]. Comme le montre la figure 2.93, plus la vitesse de balayage est importante, plus les pics de courant le sont aussi. Le pic -0,5V correspond la rduction de loxygne dissous, alors que les pics + 1,1V et 0V correspondent loxydorduction du lithium. Ces deux substances lectroactives sont des systmes ractionnels relativement lents lorsque la vitesse de balayage devient consquente. De plus lamplitude de ces pics de courant est proportionnelle la racine carre de la vitesse de balayage en tension (voir partie I chapitre I quation 29). Cest pour cela que le courant des pics augmente fortement avec la

157

Partie II vitesse de balayage en tension. Les pics de courant dus loxydorduction du potassium ne sont pas visibles ici car ils sont au-del de la barrire de potentiel du solvant.

II.2.5 Drive temporelle

Lors des tudes frquentielles avec des lectrodes en mtal inoxydable fixe, le courant de conduction est essentiellement d la diffusion. Une fois la couche de diffusion (couche de Nernst) tablie, le systme se trouve en rgime de diffusion stationnaire. Ces mesures ont t ralises dans une solution sature dactate de lithium avec de lhypophosphite de potassium pK=5. La tension continue est nulle et la tension alternative t fixe 10 mV pour des frquences qui varie de 1 MHz 0,1Hz.

1.4E+08

1.2E+08 t=0 20' 40' 60' 80' 100' 120' 240' 280' 300' 320' 340' 360'

1.0E+08

inaginaire

8.0E+07

6.0E+07

4.0E+07

2.0E+07

0.0E+00 0.0E+00

2.0E+07

4.0E+07

6.0E+07 rel

8.0E+07

1.0E+08

1.2E+08

1.4E+08

Figure 2.94 : Courbe dimpdancemtrie, effet de la vitesse de balayage en tension sur la rponse des microlectrodes

Le temps dtablissement de cette couche de diffusion est assez court (infrieur 20 min), par consquence le systme devient stable rapidement. Comme le montre la figure 2.94, la drive du systme sur une dure de 6 heures est trs faible. Le calcul des diffrentes valeurs des lments du schma quivalent lectrique (figure 2.86) ainsi que les carts types de valeurs sont donns dans le tableau 2.11. Les carts types sont au maximum de 1 % au bout de 6 heures.

158

Partie II At=0 R1int ZQ1int Rlec ZQlec R2int ZQ2int Q n Q n Q n

4,16.108 1,29.10-8 1 7,63.107 4,46.10-9 0,85 6,36.107 8,65.10-11 0.956

Au bout de 6H
4,17.108 1,31.10-8 1 7,61.107 4,48.10-9 0,88 6,41.107 8,58.10-11 0.9

Ecart type
0,24 % 0,8 %

0.4 % 0.94 %

0.73 % 0.81 %

Tableau 2.11 : les valeurs des composants du schma quivalent lectrique t = 0 et au bout de 6H

II.2.6 Effet du travail en microvolume

Afin de voir les effets dus au travail avec des petites quantits de liquides, nous avons caractris les microlectrodes dans des microvolumes. Pour ce faire, nous avons report les microcuves en PDMS sur les microlectrodes (figure 2.95). Lencapsulation des microlectrodes dans le PDMS a t faite de la mme manire que pour les ChemFETs (voir partie II chapitre I). Ces mesures ont t effectues sur le banc de mesure sous pointe auquel il a t connect limpdancemtre PGSTAT30. Les premiers rsultats des caractristiques en impdance ont t similaires aux rsultats trouvs pour des volumes plus importants. Nanmoins le fait de travailler avec le testeur sous pointe ne nous permet pas de travailler dans une cage de Faraday. Par consquence, base frquence (f < 100 Hz) les rsultats sont trs bruits, d au fait que limpdance globale du systme devient importante. Ainsi les courants mesurs sont faibles et donc nous ne mesurons plus que des courants du bruit. Des mesures plus prcises devront tre ralises avec des composants reports sur des circuits imprims.

159

Partie II

Figure 2.95 : Photo dune microlectrode avec la microcuve en PDMS

II.3. Caractrisation des microlectrodes or-PSX*

Aprs avoir tudi la rponse des microlectrodes avec des lectrodes uniquement en or, nous pouvons venir dposer la surface de llectrode de travail une couche de polysiloxane dans laquelle a t incorpore de la valinomycine (ionophore sensible aux ions potassium). Le fait de venir fonctionnaliser une des lectrodes doit permettre au capteur dtre slectif un seul lment contenu dans la solution analyser (ici aux ions potassium). Dans un premier temps, le dpt t ralis par dpt la tournette afin obtenir des couches ionosensibles aux ions K+ identiques celles dposes sur les ChemFETs. Ces couches sensibles, qui ont une paisseur de 10 m, sont bien adaptes pour les ChemFETs car aucun courant ny circule. Nanmoins pour les microlectrodes dont le principe de dtection est rgi par des ractions doxydorduction dues au passage du courant, ces couches sensibles paisses de polysiloxane deviennent isolantes (R > 10 G) pour des frquences infrieures 1 KHz. Ainsi, les courants qui en dcoulent sont trs faibles et sont difficilement mesurables par limpdancemtre. A partir de ce constat, nous avons diminu lpaisseur des couches sensibles jusqu une centaine de nanomtres toujours par dpt la tournette. Afin datteindre ces paisseurs, nous avons dilu progressivement le PSX* dans du THF (ttrahydrofluran) jusqu obtenir une concentration volumique C0 = 11 %. Cette concentration C0 est la dilution maximum du polysiloxane dans le THF pour laquelle la couche de polymre reste homogne sur la plaquette aprs rticulation. La figure 2.96 reprsente lpaisseur dpose sur une plaquette de PSX* avec une concentration de polymre dans le THF de C0 = 11 % en fonction du temps dinsolation pour diffrentes vitesses de dpt. Nous pouvons voir que le temps dinsolation pour une rticulation totale de la couche de PSX dpose sur la plaquette est de 80s au lieu des 200s pour les couches paisses.

160

Partie II
140

2000 tr/min
120

3000 tr/min
100 Epaisseur hf (nm)

4000 tr/min
80

60

40

20

0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Temps (s)

Figure 2.96 : Epaisseur hf en fonction du temps dinsolation pour diffrentes vitesses de dpt

Aprs avoir ralis ces couches fines, nous avons caractris ces microlectrodes-K+ avec ces couches minces de PSX* dans des solutions de KH2PO2 pour des concentrations de 10-1 mol/L 10-7 mol/L (figure 2.97). Toujours pour ne pas avoir des mesures dimpdance trop importantes, nous nous sommes limits des frquences qui vont de 1 MHz 100 Hz avec une tension alternative de 10 mV. De plus, nous avons compar ces caractristiques celles obtenues sans les couches ionosenbles (or-or) dans la mme gamme de frquence.
1.2E+07

1.0E+07

8.0E+06 imaginaire

6.0E+06

4.0E+06

pk1 couche sens. pk3 couche sens pk7 couch sens pk1 or_or pk3 or_or pk7 or or

2.0E+06

0.0E+00 0.E+00

1.E+06

2.E+06

3.E+06

4.E+06

5.E+06

6.E+06

7.E+06

8.E+06

9.E+06

rel

Figure 2.97 : rponse dune microlectrode sensible aux ions K+ dans diffrentes solution de KH2PO2 et comparaison avec la rponse sans couche sensible.

161

Partie II Ensuite afin de vrifier la slectivit des microlectrodes-K+ aux ions potassium, nous avons compar la rponse en prsence dautres ions tels que les ions lithium pour lesquels la valinomycine a trs peu daffinit. Ainsi, nous avons mis la microlectrode dans des solutions de LiCH3CO2 et de KCL dont les concentrations respectives en ion Li+ et K+ varie de 10-1 10-6 (figure 2.98 et 2.99). Les frquences vont de 1MHz 10Hz avec une amplitude de 10mV.
1.2E+07 pK=5 pK=4 pK=3 8.0E+06 Imaginaire pK=1 pK=2 pK=6

1.0E+07

6.0E+06

4.0E+06

2.0E+06

0.0E+00 0.E+00

1.E+06

2.E+06

3.E+06

4.E+06

5.E+06

6.E+06

7.E+06

8.E+06

9.E+06

Rel

Figure 2.98 : rponse dune microlectrode-K+ pour diffrentes concentrations de potassium.

2.5E+07

2.0E+07 pLi=5 pLi=3 pLi=2 pLi=1 1.0E+07

pLi=7

Imaginaire

1.5E+07

5.0E+06

0.0E+00 0.00E+00

2.00E+06

4.00E+06

6.00E+06 Rel

8.00E+06

1.00E+07

1.20E+07

Figure 2.99 : rponse dune microlectrode-K+ pour diffrentes concentrations de lithium

162

Partie II Lanalyse des rsultats nous a conduit au schma quivalent lectrique donn figure 2.100. La sensibilit du capteur est rgie par la conductance Ypsx =1/Rpsx qui varie en fonction de la concentration en ions. La sensibilit aux ions K+ et Li+ est similaire. La faible slectivit du capteur entre ces deux ions peut sexpliquer par le fait que le PSX* est travers par un courant, celui-ci attnuant les effets de la valinomycine.

WPSX W

RPSX Rlec

Rint

ZQPSX

Zint

Figure 2.100 : Schma lectrique quivalent des microlectrodes-K+ RPSX, ZQPSX, WPSX sont la rsistance, llment constante de phase et llment de

Warburg de la couche de polysiloxane.

Rint, ZQint sont la rsistance et llment constante de phase de linterface Or-

lectrolyte.
Rlec est la rsistance de llectrolyte.
1.E-04 Ypsx(-1)

1.E-05

potassium

lithium

1.E-06

pX 1.E-07 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Figure 2.101 : conductance Ypsx en fonction de la concentration en ions K+ et Li+

163

Partie II

II.4. Conclusion
Dans ce paragraphe, nous avons analys dans un premier temps la rponse des microlectrodes cbles deux lectrodes. De ces rsultats, nous avons dduit un schma lectrique quivalent et ainsi nous avons pu analyser la variation de la rsistance de llectrolyte suivant la variation de la concentration en actate de lithium dans la solution et nous lavons compare la thorie. Dans un deuxime temps, nous avons tudi la rponse des microlectrodes cbles trois lectrodes par comparaison des courbes dimpdance et des courbes I(V). Nous avons donc analys les rponses pour diffrentes lectrodes de rfrence, diffrentes tensions continues, diffrentes vitesses de balayage (I(V)) et drives temporelles (impdance). Enfin, nous avons caractris les microlectrodes fonctionnalises avec du PSX* pour la dtection des ions potassium. Ainsi, aprs ralisation dun schma lectrique quivalent, nous avons montr la variation de la rsistance de la couche ionosensible en PSX* en fonction de la variation en ions K+ dans la solution. Nous avons montr galement que leffet de slectivit de ces couches d aux ionophores tait fortement attnu.

II.5. Autres caractrisations des microlectrodes

Les microlectrodes ont t utilises pour dautres applications via des collaborations avec dautres laboratoires. Ces collaborations ont port sur la dtection dions lourds avec le laboratoire de chimie inorganique de Toulouse (LCI-UPS) et sur le diagnostic du paludisme avec le laboratoire de pharmacie de Toulouse (UMR 152). La ralisation de ces capteurs base de microlectrodes sest effectue en rpartissant les diffrentes tapes suivant les comptences de chacun. Les tapes de fonctionnalisation et de caractrisation ont t ralises par les laboratoires de chimie et de pharmacie, et, pour notre part, nous avons procd la fabrication des microlectrodes et au traitement des donnes.

II.5.1 Dtection dions lourds

Les microlectrodes utilises pour ces applications sont celles dont les lectrodes en or sont recouvertes par un oxyde de silicium (SiO2) de 22 nm dpos par LPCVD (voir partie II chapitre I). Cette couche est ncessaire par laccroche des couches sensibles. Elle est 164

Partie II volontairement trs fine pour viter davoir une rsistance globale quivalente du systme trop importante qui entrainerait des courants trop faibles difficilement exploitables. Les couches sensibles ont t greffes selon la mthode de Walcarius par le LCI-UPS [34]. Ces couches sont des groupes amines complexant les ions mtalliques dargent (Ag+). Le principe de dtection est le suivie de la variation de limpdance en fonction de la concentration dion Ag+ car les amines forment des complexes stables avec les ions Ag+. Les solutions utilises pour la caractrisation sont prpares avec du KNO3 0,1 mol/L dans laquelle sont ajouts les ions Ag+ (AgNO3) des concentrations croissantes de 10-6 mol/L 10-3 mol/L. les mesures sont de type impdancemtrique ralises avec un micro-Autolab. Lanalyse des courbes dimpdance (figure 2.103) a conduit un schma quivalent suivant (figure 2.102).

R2 R1

R3

ZQ2

ZQ3

Figure 2.102 : Schma quivalent des microlectrodes Ag+ R1 est la rsistance de llectrolyte. Elle est faible (autour du kilo ohm) car nous

travaillons en solution sature en KNO3.

R2, ZQ2 sont la rsistance et llment constante de phase de la bicouche (couche

damine et couche de diffusion)

R3, ZQ3 sont la rsistance et llment constante de phase de la couche de SiO2.

La rsistance R2 varie proportionnellement avec la concentration dion Ag+ (figure 2.104). En effet plus la concentration de lion Ag+ est leve, plus la bicouche est charge. Il en rsultat que sa conductivit augmente. La rsistance R3 varie galement en fonction de la concentration mais dans une moindre mesure, ce qui implique donc que la couche de SiO2 est poreuse aux ions Ag+.

165

Partie II

Figure 2.103 : Diagramme dimpdance en fonction de la concentration dions Ag+

1.6E+08 1.4E+08 1.2E+08 R esistance (ohm ) 1.0E+08 8.0E+07 6.0E+07 4.0E+07 2.0E+07 0.0E+00 0.E+00 1.E-06 1.E-05
+

1.E-04

1.E-03

Figure 2.104 : Rsistance R2 en fonction de la concentration dions Ag+

Concentration de l'ion Ag (mol/L)

II.5.2 Dtection du paludisme

Les microlectrodes utilises pour cette application ont t ralises sur substrat de pyrex. Le dpt de la double couche Ti/Au a t optimis pour tre semi-transparente permettant ainsi de compter sous microscope le nombre de globules rouges fixs la surface de la microlectrode. La surface danalyse des microlectrodes a t dlimite par la ralisation de cavits en PSX de hauteur 100 m (voir partie II chapitre I). La fonctionnalisation des surfaces dor qui consiste venir dposer une couche de thiols est ralise par les techniques de dpt Langmuir-Blodgett la facult de pharmacie de Toulouse (UMR 152). Ces thiols permettent dtablir une monocouche auto-assemble servant

166

Partie II daccroche la couche sensible de polylysine dpose la microgoutte. La polylysine rticule lair ambiant par vaporation du solvant. La mesure est ensuite ralise dans un milieu biologique contenant des globules rouges. La dtection du paludisme dans le sang se fait par la dtection du stress oxydant du globule rouge parasit par le Plasmodium falciparum. Ce stress ce traduit par le gonflement de la cellule parasit puis par un dchirement de la membrane cellulaire crant ainsi une variation de limpdance la surface de llectrode fonctionnalise. Comme le montre la figure 2.105, la variation de limpdance est trs significative. Lanalyse des rsultats nous a conduit au mme schma lectrique quivalent que pour la dtection dions Ag+. Ainsi la rsistance R2 varie dun rapport 20 entre les milieux danalyses contenant des globules rouges parasits et non parasits.
R1 est la rsistance de llectrolyte. Sa valeur est faible (quelques kilo-ohms) car

nous travaillons dans des solutions biologiques qui contiennent de nombreux sels qui permettent de garder les globules rouges en bon tat par consquent, la solution est peut rsistive.
R2, ZQ2 sont la rsistance et llment constante de phase de la couche de

polylysine
R3, ZQ3 sont la rsistance et llment constante de phase de la monocouche de

thiol.
12000

10000

8000 Imaginaire

6000

4000 Globule rouge parasit sans Globule rouge 0 0 5000 10000 15000 Rel 20000 25000 30000 35000 Globule rouge non parasit

2000

Figure 2.105 : rponse dune microlectrode au plasmodium falciparum

167

Partie II

II.5.3 Conclusion
Les travaux raliss dans ce dernier paragraphe sont dans leur phase initiale. Les microlectrodes fonctionnalises avec des amines nous ont permis la dtection des ions lourds Ag+, travers la variation de la rsistance quivalente de la couche damine. Nanmoins, le relargage des ions pigs par les amines pose des problmes qui devraient tre rsolus par lutilisation de couches sensibles base dther-couronne. Les microlectrodes fonctionnalises par la bicouche thiol/polylysine ont montr une grande sensibilit aux globules rouges parasits par le Plasmodium Falciparum. Des tudes complmentaires vont tre ralises afin de pouvoir quantifier le nombre de globules rouges parasits dans un chantillon donn.

III. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons prsent les principales caractrisations des microcapteurs ChemFETs et microlectrodes. Tout dabord nous avons caractris lectriquement et chimiquement les structures pH-ISFETs. Leur sensibilit est quasi nernstienne autour de 50 mV/pH. Nous avons galement montr la potentialit des ChemFETs fonctionner dans un systme fluidique en crant des variations de pH. Nous avons intgr ces diffrents microcapteurs dans un pseudo systme microfluidique permettant des mesures en microvolume. De plus, nous avons mis en vidence le bon comportement des pH-ISFETs en prsence de bactries avec diffrents sucres. A partir de cela, nous avons compar notre dispositif exprimental aux tests habituellement utiliss pour lidentification de souches bactriennes. Nous avons mis en vidence les principaux avantages des microcuves par rapport aux techniques classiques qui portent essentiellement en un gain de temps. Nous avons montr les possibilits dadaptation des ChemFETs la dtection des ions potassium. Nous avons effectu la caractrisation de ces pK-ISFETs avec des membranes dposes par les techniques de photolithographie et par microgoutte. Les rsultats montrent la faisabilit du procd de la fabrication collective des membranes ionosensibles. La sensibilit est autour de 43 mV/pK. 168

Partie II

Nous avons de plus montr les potentialits des capteurs microlectrodes pour diffrentes applications. Egalement nous avons prsent des couches sensibles en PSX* qui sont bien adaptes pour les ChemFETs et qui le sont moins pour les microlectrodes. Enfin nous avons dmontr travers des schmas quivalents lectriques que certains composants variaient avec la concentration de llment dtecter permettant aussi dobtenir de bonnes sensibilits de dtection.

169

Partie II

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Partie II

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171

Partie II [27] M. Reza Ganjali, F. Faridbod, P. Norouzi, M. Adib A novel Er(III) sensor based on a new hydrazone for the monitoring of Er(III) ions, Sensors and Actuators B (2006) [28] M. B. Saleh, E. M. Soliman, A. A. Abdel Gaber, S. A. Ahmed Novel PVC membrane uranyl ion-selective sensor, Sensors and Actuators B, 114, 2006, Pages 199205 [29] M. Hossein Mashhadizadeh, A. Mostafavi, H. Allah-Abadi, I. Sheikhshoai New Schiff base modified carbon paste and coated wire PVC membrane electrode for silver ion, Sensors and Actuators B, 113, 2006, Pages 930936 [30] C. Beal, I. Sodini Fabrication des yaourts et des laits ferments, technique de lingnieur ref : F6315 [31] H.Tap Conception et ralisation de biocapteurs lectrochimiques en technologie microsystme, Thse UPS Toulouse, 1999 [32] www.unige.ch/cabe/wojciechowski/TP_VOLTA_05_06.pdf [33] B. Trmillon Electrochimie analytique et ractions en solution, Tome 2 dition Masson [34] Stphanie Sayen, Alain Walcarius Electro-assisted generation of functionalized communications 5, 2003, Pages 341 -348 silica on gold, Electrochemistry

172

Partie II

173

Conclusion gnrale

Conclusion gnrale
Lobjectif de notre tude tait de raliser des microcapteurs gnriques que nous pourrions fonctionnaliser suivant les applications. Ainsi les travaux prsents dans ce mmoire ont consist aux dveloppements de deux types de capteurs lectrochimiques : les microlectrodes et les ChemFETs, et surtout en une tude de ladaptation des polymres sous deux aspects : soit en tant que couches chimiquement sensibles, soit en tant que matriaux de conditionnement la phase liquide. Tous nos dveloppements ont gard un mme fil conducteur li lutilisation des microtechnologies, i.e. la mise en place de procds de fabrication collective et/ou en grande srie. La ralisation des diffrents microcapteurs a fait lobjet dans un premier temps dune tude thorique des mcanismes ragissant aux interfaces conducteur/lectrolyte et isolant/lectrolyte. Lutilisation des polymres a fait galement lobjet dtudes nous permettant ainsi dutiliser au mieux leurs proprits suivant nos applications. Lutilisation du polydimthylsiloxane (PDMS) pour la ralisation de microvolumes a ainsi montr limportance et lintrt que peut reprsenter la rduction des volumes dans les processus de dtection biologique. Un protocole de ralisation et de report des structures en PDMS a t mis place. Le transport et lanalyse de milieux biologiques vers des microcapteurs ChemFETs ont t dmontrs. Ainsi, au travers de ltude du mtabolisme du Lactobacillus Acidophilus, nous avons effectu des suivis dactivits bactriennes en rduisant de manire significative les dlais de dtection par rapport aux techniques classiques danalyses mdicales. Lutilisation du polysiloxane (PSX) pour la ralisation de couches ionosensibles a permis de fonctionnaliser les microcapteurs. Ce polymre a t utilis en tant que matrice de support pour les ionophores afin de lui confrer ces proprits de dtection (slectivit, sensibilit). La fabrication collective de ces couches nous a amen une tude thorique du dpt la tournette de liquides maxwelliens permettant ainsi de contrler tous les paramtres technologiques et les caractristiques du dpt (paisseur, surface). De plus, des protocoles technologiques ont t mis au point suivant les surfaces de dpt (silicium ou or).

173

Conclusion gnrale A travers nos diffrentes tudes, nous avons dmontr les potentialits des capteurs chimiques ChemFETs pour les dtections biochimiques et biologiques travers des variations du pH dans les solutions danalyses en microvolumes. Les premires tudes sur le suivi des ractions bactriennes en prsence de diffrents sucres ont t ralises. Nanmoins des tudes complmentaires sur le panel de tests effectuer sur la bactrie Lactobacillus Acidophilus devront tre ralises afin de dterminer sa propre signature de la mme faon que dans les techniques classiques utilises. Ces tudes devront galement tre effectues sur des bactries pathognes dans des laboratoires avec des normes dhygine et de scurit appropries. De plus, des systmes danalyses fluidiques contenant plusieurs cellules danalyses (4, 6, 8 capteurs) devront tre mis en place. Mais galement, des tudes sur le transport des fluides dans ces systmes fluidiques (capillarit, force centrifuge, microinjection) devront faire lobjet de travaux. Tout ceci pour nous amener vers des laboratoires sur puces et ainsi pouvoir effectuer des analyses mdicales au plus prs des patients. Le caractre gnrique de nos capteurs nous a permis de les adapter la dtection de diffrents types dions. Les ChemFETs ont ainsi t fonctionnaliss avec les membranes ionosensibles de PSX pour la dtection des ions potassium pK-ISFETs. La sensibilit de ces capteurs est autour de 43 mV/pK. Des tudes complmentaires devront tre ralises pour incorporer dautres ionophores dans la matrice de polysiloxane afin daugmenter le panel de dtections ioniques de ces capteurs. La modlisation mathmatique du dpt la tournette nous a permis une bonne comprhension du dpt mais une modlisation numrique devra tre ralise pour prendre en compte les influences des diffrents agents en jeux notamment celle des ionophores. Ainsi, il sera possible de mettre en place de nouveaux protocoles du procd technologique. Les microlectrodes ont tout dabord fait dobjet dune tude pousse deux et trois lectrodes dor afin dtudier leurs comportements. Ensuite une fonctionnalisation de ces microlectrodes a t ralise avec les membranes en PSX pour la dtection des ions potassium. Cette fonctionnalisation a montr la faisabilit du dpt de polysiloxane mais na pas permis la slectivit des microlectrodes. Ainsi, dautres polymres comme le PVC pourront tre utiliss comme matrice support pour les ionophores. Nanmoins, ces tudes nous ont permis dacqurir une nouvelle exprience sur les microlectrodes, de prendre connaissance de la thorie lectrochimique et de mettre en place des procds technologiques

174

Conclusion gnrale de fabrication. De plus, un nouveau banc de caractrisation lectrochimique a t mis en place. Enfin, des modles lectriques quivalents ont pu tre tablis. Au travers de nos travaux de thse, nous avons tudi les potentialits des polymres siloxanes pour le dveloppement des microcapteurs chimiques en phase liquide. Ils rentrent au niveau du laboratoire LAAS-CNRS dans un axe plus gnral li la mise au point dune intgration hybride polymre/silicium afin dtablir des liens entre la Microtechnologie, la Fluidique, la Chimie, la Biochimie et la Biologie.

175

Conclusion gnrale

176

Annexe

ANNEXE

177

Annexe Annexe I : programme Mathlab pour le calcul du pH dune solution partir de HCL et TMAH

close all clear all co=10^-1.85 vo=250 c=0.1 ke=10.^-14 ka=4.5*10.^-12 %concentration HCL %volume initiale de la solution (HCL) %concentration du TMAH % constante de dissolution % constante d'acidit

for i=1:1:1440 v(i,1)=(i-1)*0.03475; c3=1; c2=(c*v(i,1)-co*vo)/(v(i,1)+vo)+ka; c1=-ke-ka*co*vo/(v(i,1)+vo); c0=ka*ke; p=[c3 c2 c1 c0] r=roots(p) for j=1:3 f=imag(r(j)) if f~=0 r(j)=0 end end h(i,1)=max(r) end ve=v; c11=0.15; v=ve(1440); c=0.1; for i=1:1:1440 v1(i,1)=(i-1)*0.03475; c3=1; c2=(c*v-c11*v1(i,1)-co*vo)/(v+v1(i,1)+vo)+ka; c1=-ke-ka*(c11*v1(i,1)+co*vo)/(v+v1(i,1)+vo); c0=ka*ke; p=[c3 c2 c1 c0] r=roots(p) for j=1:3 f=imag(r(j)) if f~=0 r(j)=0 end end h(i+1440,1)=max(r) end

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Annexe
v1=v1+50 v2=[ve;v1]

%volume finale

ph=-log10(h) plot(v2,ph,'-g',... 'LineWidth',3) grid; axis([0 105 0 12]);

179

Les techniques danalyses chimiques et biologiques ncessitent le dveloppement faible cout de capteurs chimique fiables. Dans ce contexte, les transistors chimiques effet de champ ChemFETs et les microlectrodes offrent des solutions innovantes condition doptimiser linterface entre les diffrents domaines que sont les microtechnologies, la biologie et la chimie. Au cours de cette thse, nous nous sommes attachs dvelopper des techniques permettant de coupler des agents chimiques au silicium. Deux approches ont t tudies, toutes les deux bases sur lutilisation de polymre. La premire approche a t centre sur le dveloppement des techniques dencapsulation avec ralisation de microcuve et micro-canaux danalyse en PDMS. Le suivi de lactivit bactrienne laide de pH-ISFETs a t optimis dans le cadre de ltude des lactobacillus acidophilolus. La deuxime approche sest intresse ladaptation des ChemFETs et des microlectrodes dor la dtection ions telles que le potassium et le sodium. Lutilisation des techniques de photolithographie ainsi permis la fabrication collective de couches ionosensible en PSX (polysiloxane). Mots cls : ChemFET, PDMS, micro-volumes, bactrie, polysiloxane, microlectrode.

The chemical and biological analysis techniques require the low cost development of reliable chemical sensors. In this context, the chemical field effect transistors ChemFETs and the microelectrodes offer innovating solutions but this will require between microtechnology, biology and chemistry the optimizing interface. During this thesis, we endeavoured to develop techniques allowing to couple chemical agents with silicon. Two approaches were studied, both based on the polymer use. First approach was centred on the encapsulation techniques development with realization of analysis microcuve and micro-canals in PDMS. The bacterial activity monitoring with pH-ISFETs was optimized within the framework study of the lactobacillus acidophilolus. The second approach relies on ChemFETs adaptation and gold microelectrodes to ions detection such as potassium and sodium. The photolithography technique allows us to make ionosensible layers using PSX (polysiloxane) in order to realize ion detection. Keywords : ChemFET, PDMS, micro-volumes, bacteria, polysiloxane, microelectrode.