TRANSISTORES

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inici una autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial. Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales. Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y antiguas vlvulas de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de calor de los equipos. Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones: Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de mando. Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.

Cmo es fsicamente un transistor? Hay dos tipos bsicos de transistor: a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar A) Transistor bipolar Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre s. Segn como se coloquen los cristales hay dos tipos bsicos de transistores bipolares. Transistor NPN: en este caso un cristal P est situado entre dos cristales N. Son los ms comunes. Transistor PNP: en este caso un cristal N est situado entre dos cristales P

La capa de en medio es mucho ms estrecha que las otras dos. En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metlico, lo que da origen a tres terminales: Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga. Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.

Base (B): Controla el paso de corriente a travs del transistor. Es el cristal de en medio. El conjunto se protege con una funda de plstico o metal. Nos centraremos en el transistor NPN: B) Polarizacin del transistor Se entiende por polarizacin del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente. Si se conectan dos bateras al transistor como se ve en la figura, es decir, con la unin PN de la base-emisor polarizada directamente y la unin PN de la base-colector polarizado inversamente. Siempre que la tensin de la baseemisor supere 0,7 V, diremos que el transistor est polarizado, es decir, que funciona correctamente.

Este montaje se llama con emisor comn. En este caso, el hecho de que el transistor est en funcionamiento significa que es capaz de conducir la corriente desde el terminal colector hasta el terminal emisor. Se cumplen dos expresiones para este caso: La primera

IE= IB + IC
Donde IE es la corriente que recorre el terminal emisor. IC es la corriente que recorre el terminal colector. IB es la corriente que recorre el terminal base. Como la corriente de base resulta siempre MUY PEQUEA, se puede decir que la corriente del colector y la del emisor prcticamente coinciden.

IE IC
La segunda expresin dice

IC= IB
Donde es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia que puede valer entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000). La ganancia de un transistor nos habla de la capacidad que tiene para amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, ms puede amplificar la corriente. Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es proporcional a la corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor corriente en el colector. En la prctica no se utilizan dos bateras, sino una sola.

Segn estas dos expresiones el transistor bipolar puede tener tres estados distintos de funcionamiento: a) Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir, IB

= 0,

por lo tanto, IC= IB= 0 = 0 IC= 0 En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No est funcionando. Se dice que el transistor se comporta como un interruptor abierto.

b) Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresin (IC= IB). La corriente del colector es directamente proporcional a la corriente de la base. Ejemplo: Si = 100, la corriente del colector es 100 veces la corriente de la base. Por eso se dice que el transistor amplifica la corriente. c) Saturacin: En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta como un interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por la base (IB) alcanza un valor alto. En este caso la expresin (IC= IB) ya no tiene sentido pues, por mucho que aumente el valor de la corriente de base (IB), no aumenta el valor de la corriente de colector. Veamos un cuadro resumen con las tensiones de trabajo en los diferentes estados de funcionamiento, as como las corrientes de un transistor conectado a una pila cuya tensin es V

Estados de funcionamiento de un transistor

Corte VCE IC IB
en cualquier caso B

Activa 0< VCE < V IC= IB IE IC

Saturacin VCE 0 IE IC

VCE = V IC IE = 0 I

siempre es una corriente pequea, es decir, B

I << IC

IB0

IB>0

IB con mximo valor

Conduccin del transistor

No conduce (se comporta como un interruptor abierto)

Conduce parcialmente

Conduce totalmente (se comporta como un interruptor cerrado)

Donde VCE es la tensin que existe entre el colector y el emisor. Si la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso, la base del transistor debe protegerse SIEMPRE con una resistencia de una valor alto.

UNIVERSIDAD VERACRUZANA
FACULTAD DE INGENIERA MECNICA ELCTRICA

ELECTRNICA DIODOS

DIODOS SEMICONDUCTORES.
En los aos que siguieron a la introduccin del transistor semiconductor en los aos cuarenta, se ha atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin que ha resultado, nos maravilla cuando consideramos sus lmites. La miniaturizacin de los ltimos aosa producido sistemas semiconductores tan pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las puntas de conexin permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio semiconductor, la tcnica de diseo de la red y los lmites del equipo de manufactura y procesamiento. Un diodo es un componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. El ms sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio. Los diodos de unin constan de una unin de dos tipos diferentes de material semiconductor. DIODOS.

Vemos los dos tipos de diodos, en el dibujo que est al lado vemos la orientacin del diodo con su nombre, en la misma posicin que en la fotografa. Observar que la barrera de paso se pinta en el diodo con una lnea en el extremo correspondiente y en todo el permetro. FOTODIODOS Los fotodiodos se hacen trabajar con una tensin inicial en sentido de bloqueo. Sin dicha tensin inicial trabajan, el sentido de paso, como fotoelementos (son bipolos que al ser iluminados engendran tensin). La corriente en la oscuridad es reducida. Con resistencias de trabajo de elevado valor ohmico pueden engendrarse variaciones de tensin que alcanzan casi la plena tensin de servicio. DIODO DE USO COMUN El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo: - No hay polarizacin (Vd = 0 V). - Polarizacin directa (Vd > 0 V). - Polarizacin inversa (Vd < 0 V). Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio. Id = I mayoritarios - Is

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Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa: Is. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio. En general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: en la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.50.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, de moduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):

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1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx. o VR mx., respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar. 2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx. e IF mx. respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. 3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. En la siguiente figura podemos observar la representacin grfica o smbolo para este tipo de diodo.

Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de I d y la polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

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Donde Vf es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e I F es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin. Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin. DIODOS PIN El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est esta formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin . Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i() hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i() fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones. Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que

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el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la regin , creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN. En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula. EMISORES INFRARROJOS. Los diodos emisores infrarrojos son dispositivos de estado slido de arseniuro de galio que emiten un haz de luz de flujo radiante cuando se polarizan directamente. Cuando la unin se polariza en forma directa, los electrones de la regin N se recombinarn con los huecos en exceso de la regin tipo P en una regin de recombinado diseada especialmente emparedada entre los materiales tipo P y tipo N. Durante este proceso de recombinacin se rada energa alejndose de la fuente en forma de fotones. Los fotones que se generan sern reabsorbidos en la estructura o abandonarn la superficie del dispositivo como energa radiante. EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) La optoelectrnica es la tecnologa que combina la ptica con la electrnica. Este emocionante campo incluye muchos dispositivos basados en la accin de una unin pn. Ejemplos de estos dispositivos son los diodos emisores de luz (LED), los fotodiodos, los optoacopladores. El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA. Su uso es frecuente como luces piloto en aparatos electrnicos para indicar si el circuito est cerrado. Los elementos componentes son transparentes o coloreados, de un material resina-epoxi, con la forma adecuada e incluye el corazn de un LED: el chip semiconductor. Los terminales se extienden por debajo de la cpsula del LED o foco e indican cmo deben ser conectados al circuito. El lado negativo est indicado de dos formas: 1) por la cara

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plana del foco o, 2) por el de menor longitud. El terminal negativo debe ser conectado al terminal negativo de un circuito.

Los LEDs operan con un voltaje relativamente bajo, entre 1 y 4 volts, y la corriente est en un rango entre 10 y 40 mili amperes. Voltajes y corrientes superiores a los indicados pueden derretir el chip del LED. La parte ms importante del light emitting diode (LED) es el chip semiconductor localizado en el centro del foco, como se ve en la figura. El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. La regin p est dominada por las cargas positivas, y la n por las negativas. La juntura acta como una barrera al paso de los electrones entre la regin p y la n; slo cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede pasar la corriente y entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la regin p. Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente, la juntura presenta una barrera elctrica al flujo de electrones. Qu causa la emisin de luz de un LED y qu determina el color de la luz? En la siguiente figura se ve una fuente conectada a un resistor y un LED. Las flechas que salen simbolizan la luz radiada. En un LED con polarizacin directa, los electrones libres atraviesan la unin y caen en los huecos. Como caen de niveles energticos altos a niveles energticos bajos, radian energa. En los diodos ordinarios, esta energa se disipa en forma de calor, pero en un LED la energa se disipa en forma de luz. Los LED han sustituido a las lmparas incandescentes en muchas aplicaciones por su bajo voltaje, larga vida y su gran rapidez para activar y desconectar. Rs

Rs FUENTE DE PODER + Vs + Vd

+ Vs -

+ Vd -

Los diodos ordinarios estn hechos de silicio, un material opaco que obstruye el paso de la luz. Los LED son diferentes. Empleando elementos tales como el galio, arsnico y fsforo, un fabricante puede producir LED que radien luz roja, verde, amarilla, azul, naranja, o infrarroja (invisible). Los LED que producen radiacin visible son tiles en los instrumentos, las calculadoras, etc. Los LED de luz infrarroja tiene aplicaciones en sistemas de alarma antirrobo y otras reas en las que se requiera luz invisible. Cuando se aplica una tensin al chip del LED los electrones pueden moverse fcilmente slo en una direccin a travs la juntura entre p y n. En la regin p hay muchas cargas positivas y pocas negativas. En cambio en la regin n hay ms cargas negativas que positivas. Cuando se aplica tensin y la corriente empieza a fluir, los electrones en la regin n tienen suficiente energa para cruzar la juntura hacia la regin p. Una vez en sta, los electrones son inmediatamente atrados hacia las cargas positivas, de acuerdo a la ley de Coulomb, que dice que fuerzas opuestas se atraen. Cuando un electrn se mueve lo suficientemente cerca de una carga positiva en la regin p, las dos cargas se recombinan. Cada vez que un electrn se recombina con una carga elctrica positiva, energa elctrica potencial es convertida en energa electromagntica. Por cada una de estas recombinaciones un quantum de energa electromagntica es emitido en forma de fotn de luz con una frecuencia que depende del material semiconductor. Los fotones son emitidos en un rango de frecuencia muy estrecho que depende del material del chip; el color de la luz difiere segn los materiales semiconductores y requieren diferentes tensin para encenderlos. VOLTAJE DE CORRIENTE EN UN LED. El resistor de la figura anterior, es el resistor limitador de corriente usual que evita que la corriente exceda la especificacin de corriente mxima del diodo. Como el resistor tiene un voltaje de nodo de Vs a la izquierda y un voltaje de nodo Vd a la derecha, el voltaje en el resistor es la diferencia entre estos dos voltajes. Por ley de Ohm, la corriente en serie es

Is = Vs - Vd Rs En la mayor parte de los LED disponibles comercialmente, la cada de voltaje tpica es de 1.5 a 2.5 V para corrientes que fluctan entre 10 y 50 mA. El valor exacto de la cada de voltaje depende de la corriente del LED, el color, la tolerancia, etc. A menos que se diga otra cosa, supondremos una cada nominal de 2 V para la deteccin de fallas o el anlisis de circuitos con LED. Pantalla de siete segmentos. En la figura 1-a se muestra una pantalla de siete segmentos. Contiene siete LED rectangulares (A a G). Cada LED recibe el nombre de segmento por que forma parte del carcter (smbolo) que se est mostrando. La figura 1-b es un diagrama de la pantalla de siete segmentos. Se incluyen resistores externos en serie para limitar la corriente a niveles de seguridad. Aterrizando uno o mas segmentos, puede formarse cualquier dgito del 0 al 9. Por ejemplo aterrizando A,B,C se obtiene un 7. Aterrizando A,B,C,D y G se obtiene un 3. Con una pantalla de siete segmentos se puede formar tambin las letras A,C,E y F y las letras minsculas b y d. Los entrenadores de

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microprocesador usan a menudo pantallas de siete segmentos para exhibir todos los dgitos del 0 al 9, ms A, b, C, d, E y F. + A F G E C A D 1-A 1-B B C D E F G B

El indicador de 7 segmentos de la figura 1-B se conoce como tipo nodo comn por que todos los nodos estn conectados entre si. Tambin existe el tipo de ctodo en que todos los ctodos estn conectados entre si. Cunta energa libera un LED? La energa elctrica es proporcional a la tensin que se necesita para hacer que los electrones fluyan a travs de la juntura p-n. Son predominantemente de un solo color de luz. La energa (E) de la luz emitida por un LED est relacionada con la carga elctrica (q) de un electrn, y el voltaje (v) requerido para encenderlo se obtiene mediante la expresin E= q x V . Esta expresin dice simplemente que el voltaje es proporcional al la energa elctrica y es una regla general que se aplica a cualquier circuito, como el LED. La constante q es la carga elctrica de un solo electrn: - 1,6 x 10 exp 19 Coulomb. ENCONTRANDO LA ENERGA DESDE LA TENSIN Supongamos que se ha medido el voltaje a travs de los terminales del LED, y Ud. desea averiguar la energa necesaria para prender al LED. Supongamos que tiene un LED rojo y que la tensin entre los terminales es de 1,71 volts; la energa requerida para prender el LED es E= q x V E= -1,6 x 10 exp 19. 1,71 Joule, dado que Coulomb / Volt es un Joule. La multiplicacin de estos nmeros nos dan E= 2,74 x 10 exp 19 Joule. ENCONTRANDO LA FRECUENCIA DESDE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ La frecuencia de la luz est relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy simple. El espectrmetro puede ser usado para examinar la luz de un LED, y para estimar el pico de la longitud de onda emitido por el LED. Pero preferimos tener la frecuencia de la intensidad pico de la luz emitida por el LED. La longitud de la onda est relacionada con la frecuencia de la luz por la frmula F = c / v , donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leda desde el espectrmetro (en unidades de nanmetros, es decir, la millonsima parte de un milmetro).

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Supongamos que observ un LED rojo con el espectrmetro y vio que el LED emite un rango en colores con un mximo de intensidad de acuerdo con la longitud de onda leda en el espectrmetro de = 660 nm

La frecuencia correspondiente a la emisin del LED rojo es de 4,55 x 10 exp 14 Hertz. La unidad de un ciclo de una onda en un segundo (ciclos por segundo) es un Hertz. Informacin bsica sobre los LED La mayora de las caractersticas de los LED s estn especificada para una corriente de 20 mA, si uno no est seguro de obtener 20 mA en la funcin de la conductividad del calor en la plaqueta ms el calor del LED, variaciones de calor y corriente, conviene disear todo para 15 mA. - Cmo lograr 15 mA a travs del LED: Primero se necesita saber la cada de tensin en el LED. Se puede asumir con suficiente seguridad 1,7 V para rojo no muy brillante, 1,9 V para alto brillo, alta eficiencia y rojo de baja corriente, y 2V para naranja y amarillo; 2,1 V para verde, 3,4 V para blanco brillante, verde brillante sin amarillo y la mayora de los azules, 4,6 V para azul brillante de 430 nm. En general se disea para 12 mA para los tipos de 3,4 V y 10 mA para el azul de 430 nm. Se puede disear una fuente que entregue mayor corriente si se est seguro de una excelente disipacin de calor en el conjunto. En este caso asigne 25 mA a los LED de cerca de 2V, 18 mA para los de 3,4 V y 15 mA para el azul de 430 nm. En condiciones ptimas de disipacin de calor se puede hacer circular una corriente mayor pero la vida til del LED se reducir al 50% del normal: 20.000 a 100.000 horas. En cuanto al voltaje debe estar algo por arriba de lo asignado para los LED s. Use por lo menos 3 V para los de bajo voltaje, 4,5 V para los de 3,4 V y 6 V para el azul de 430 nm. El prximo paso es restar el voltaje de los LED s de la fuente; esto le da la cada de voltaje que se logra mediante una resistencia. Ej.: 3, 4 V del LED con una fuente de 6 V. haciendo la resta da 2,6 V de cada que debe ser producida por la resistencia. El prximo paso consiste en dividir la cada de voltaje por la corriente del LED, obtenindose as el valor de la resistencia; al dividir V / A se obtiene un valor de resistencia en ohms. Si se divide V / mA la resistencia se obtiene en K ohms.

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Otro paso a seguir es determinar la potencia de la resistencia. Multiplique la cada de voltaje por la corriente del LED para obtener la potencia de la resistencia. No ponga los LED s en paralelo entre s; si bien esto funciona no es confiable porque los LED s se vuelven ms conductores a medida que aumenta su temperatura, con lo que se vuelve inestable la distribucin de la corriente. Cada LED debe tener su propia resistencia. RESUMIENDO: la tensin de arranque de un LED depende del color que deban emitir, teniendo en cuenta los materiales de los que estn hechos, que se eligen de acuerdo al color Informacin de otras fuentes: Son diodos y por lo tanto con polaridad:

Tenemos tres sistemas en los leds que nos indican la polaridad, una pata ms corta que otra, dentro de la cpsula distinta longitud de espadn, y la ms efectiva, donde va la barrera de paso est plano el encapsulado. En la foto vemos a la izquierda un led rojo y otro verde debajo, adems vemos dos soportes para ponerlos en la placa de control, el primero es el ms complicado, se ponen primero el led en la zona plstica blanca antes de soldarlo, la zona metlica se fija al tablero de mandos, y despus, se incrusta el conjunto led+plstico al soporte metlico. El segundo soporte (el negro) es una simple pieza de plstico como las usadas en las bases aislantes de los 2N3055, que se pone en un agujero del tablero de mandos desde arriba, incrustndose el led desde abajo del tablero en dicha pieza. Principio de Funcionamiento: En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de

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materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros. Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V. De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED. Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin, instrumentacin, optoaclopadores, etc. Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA,

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precaucin de carcter general que resulta muy vlida. En la figura siguiente se muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.

El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polarizacin directa Vd depende del material con el que est fabricado el diodo. El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin principalmente de los dopados. En la tabla que a continuacin se presenta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos:

Material AsGa InGaAsP AsGaAl AsGaP InGaAlP CSi

Longitud de Onda 904 nm 1300 nm 750-850 nm 590 nm 560 nm 480 nm

Color IR IR Rojo Amarillo Verde Azul

Vd Tpica 1V 1V 1,5 V 1,6 V 2,7 V 3V

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DIODO ZENER La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener Vz. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra en la figura anterior, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera. De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: en la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin Zener (Vz nom.) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz.

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El Zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin.

Podemos distinguir: 1. Vz nom,Vz: Tensin nominal del Zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el Zener). 2. Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min). 3. Iz mx.: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz mx.). 4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz mx. En la grfica siguiente se puede observar la curva caracterstica de este tipo de diodo.

Cuando usamos un diodo Zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): 1. Para un correcto funcionamiento, por el Zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. 2. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz mx. 3. La potencia nominal Pz que puede disipar el Zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito. DIODOS DE CORRIENTE CONSTANTE. Estos son diodos que funcionan en forma exactamente opuesta a los diodos Zener. En vez de mantener constante el voltaje, estos diodos mantienen constante la corriente. Conocidos como diodos de corriente constante (y tambin como diodos reguladores de corriente), estos dispositivos mantienen la corriente que circula a travs de ellos en un valor fijo, an

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cuando vare el voltaje aplicado. Por ejemplo, el 1N5305 es un diodo de corriente constante con una corriente tpica de 2 mA en un intervalo de voltaje de 2 a 100 V. DIODOS DE RECUPERACION EN ESCALON. El diodo de recuperacin en escaln tiene un perfil de impurificacin no usual ya que la densidad de portadores disminuye cerca de la unin. Esta distribucin poco comn de portadores es el origen de un fenmeno llamado desplome de reversa. Durante el semiciclo positivo, el diodo conduce igual que un diodo de silicio. Pero durante el semiciclo negativo, la corriente inversa existe slo durante un tiempo muy corto, desplomndose repentinamente a cero. La corriente de desplome de un diodo de recuperacin en escaln es rica en armnicos y se puede filtrar para producir una onda sinusoidal de frecuencia ms alta. Debido a esto, los diodos de recuperacin en escaln son tiles en multiplicadores de frecuencia, circuitos cuya frecuencia de salida es un mltiplo de la frecuencia de entrada.

DIODOS INVERTIDOS.

Los diodos Zener normalmente tienen voltajes de rompimiento mayores que 2 V. Incrementando el nivel de impurificacin, puede lograrse que el efecto Zener ocurra prximo al voltaje cero. La conduccin en polarizacin directa an ocurre aproximadamente a los 0.7 V, pero la conduccin inversa (rompimiento) comienza ms o menos a los -0.1 V. Un diodo como ste recibe el nombre de diodo invertido por que conduce mejor en la direccin inversa que en la directa. Los diodos invertidos se emplean ocasionalmente para rectificar seales dbiles cuyas amplitudes pico se hallen entre 0.1 y 0.7 V.
DIODOS VARACTORES (VARICAP) El varactor (llamado tambin capacitancia de voltaje variable, varicap, epicap y diodo sintonizador) se usa mucho en receptores de televisin, receptores de FM, y dems equipo de comunicaciones. La idea bsica es la siguiente. En la figura 1-D, la capa de empobrecimiento se halla entre la regin p y la regin n. Las regiones p y n son como las placas de un capacitor, y la capa de empobrecimiento es como el dielctrico. Cuando un diodo se polariza inversamente, la anchura de la capa de empobrecimiento aumenta con el voltaje inverso. Como la capa de empobrecimiento se ensancha cuando el voltaje inverso aumenta, la capacitancia disminuye. Es como si las placas del capacitor se separasen. La idea es que la capacitancia est controlada por el voltaje. En la figura 1-E se muestra el circuito equivalente para un diodo con polarizacin inversa. A frecuencia ms altas, el varactor acta igual que una capacitancia variable. En la figura 1-F se ilustra la variacin de la capacitancia con el voltaje inverso. Esta grfica muestra que la capacitancia se hace ms pequea cuando el voltaje inverso se hace ms grande. Lo realmente importante aqu es que el voltaje inverso controla la capacitancia. Esto es la puerta de entrada para el control remoto. En la figura 1-G se aprecia el smbolo para un varactor. Cmo se emplea este dispositivo? Puede conectarse un varactor en paralelo con un inductor para obtener un circuito resonante. Entonces se puede cambiar el voltaje inverso para cambiar la frecuencia

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resonante. Este es el principio de la sintonizacin de una estacin de radio, un canal de TV, etc. p ++ ++ ++ ++ n ---------

+ + + +

Cr

Capa de empobrecimiento 1-D

1-E

Cr

V 1-G Caractersticas del varactor: 1-F

Son diodos de Silicio diseados para aprovechar su capacitancia variable. Como la capacitancia est controlada por el voltaje, los varactores han sustituido a los capacitores sintonizadores mecnicamente en muchas aplicaciones, tales como en los receptores de televisin y en los radios para automvil. En las hojas de datos para los varactores se lista un valor de referencia de capacitancia medido a un voltaje inverso especfico tpicamente -4V. Por ejemplo, la hoja de datos de un 1N5142 indica una capacitancia de referencia de 15pF a -4V. Adems del valor de referencia de la capacitancia, las hojas de datos indican un intervalo de sintonizacin y un intervalo de voltaje. Por ejemplo, junto con el valor de referencia de 15 pF, la hoja de datos de un 1N5142 indica un intervalo de sintona de 3:1 para un intervalo de voltaje de -4 a -60 V. Esto significa que la capacitancia disminuye de 15 a 5 pF si el voltaje flucta entre -4 y -60 V. El intervalo de sintona de un varactor depende del nivel de impurificacin. Por ejemplo la figura 1- H muestra el perfil de impurificacin para un diodo de unin abrupta (el tipo ordinario de diodos). Obsrvese que la impurificacin es uniforme en ambos lados de la unin; esto significa que el nmero de huecos y de electrones libres est igualmente distribuido. El intervalo de sintona de un diodo de unin abrupta oscila entre 3:1 y 4:1.

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Nivel de impurificacin.

Distancia a partir de la unin.

1-H Para obtener intervalos de sintona ms extensos, algunos varactores tienen una unin hiperabrupta, cuyo perfil de impurificacin es como el que se ve en la figura 1 - I. El perfil indica que la densidad de carga aumenta conforme nos acercamos a la unin. Esta mayor concentracin lleva a una capa de empobrecimiento ms angosta y una mayor capacitancia. Adems, los cambios en el voltaje inverso tienen efectos ms pronunciados sobre la capacitancia. Un varactor hiperabrupto tiene un intervalo de sintona de aproximadamente 10:1, suficiente para sintonizar todo el intervalo de frecuencia de radio AM (de 535 a 1 605 kHz).

Nivel de impurificacin

Distancia a partir de la unin.

1- I Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante: CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin PN y Wd el ancho de la regin de agotamiento. Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para diodos

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varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n donde: K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin. VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado n = 1/2 para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

En la grfica, se observa la variacin de la capacitancia con respecto al voltaje.

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En la grfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado tambin como generador armnico. Las consideraciones importantes del varactor son: a) Valor de la capacitancia. b) Voltaje. c) Variacin en capacitancia con voltaje. d) Voltaje de funcionamiento mximo. e) Corriente de la salida.

DIODO LASER Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las caractersticas de un diodo lser son: 1. La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

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Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser

Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin. Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos: Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

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Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Los ingredientes bsicos de la emisin lser en los diodos son el mecanismo de bombeo y la cavidad ptica. En un lser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de inyeccin. De esta manera, los pares electrn-agujero dan la inversin de poblacin necesaria para la emisin lser. La recombinacin estimulada lleva a la amplificacin de la luz, generando fotones con la misma direccin de propagacin, polarizacin, frecuencia y fase que el fotn que ha inducido la recombinacin. Los pares electrn-hueco deben estar confinados en una zona estrecha para mantener la inversin de poblacin a un nivel elevado. Si no es as, hay que suministrar inyecciones de corriente demasiado grandes al diodo para obtener emisin lser. Por simplicidad, los pares electrn-agujero se llaman portadores, y la vida media de los portadores es el tiempo medio que tardan los portadores en recombinar.

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La sencilla unin p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con diferentes niveles de dopaje, no es capaz de conseguir el confinamiento necesario, porque la anchura de la regin en que los portadores estn confinados aumenta debido a la difusin de los portadores. El problema de la difusin de los portadores puede resolverse parcialmente usando heterostructuras. Dos tipos diferentes de estructuras pueden analizarse dependiendo del mecanismo de confinamiento lateral de los portadores. En lseres semiconductores guiados por la ganancia, no se incorpora ningn confinamiento aadido, y el perfil de la ganancia viene determinado esencialmente por la regin con corriente de inyeccin y efectos difusivos. En los lseres guiados por el ndice, la regin activa est rodeada lateralmente por material con un ndice de refraccin menor. En estos dispositivos, se consigue un nivel de confinamiento bastante elevado. Aparte de dar un buen confinamiento a los portadores, los lseres de doble heterostructura guiados por el ndice tambin incorporan un confinamiento adecuado para la luz. El mecanismo de guiaje es debido a un mayor ndice de refraccin en la regin activa que en el resto de capas que la rodean. De esta manera, la luz viaja hacia adelante y hacia atrs como lo hara en el interior de una fibra ptica. Una cavidad ptica adecuada es necesaria para conseguir la emisin lser. Slo el proceso de amplificacin tiene sentido, y se emite luz coherente, cuando la vida media de los fotones es suficientemente grande. En otros tipos de lser, la cavidad est limitada por dos espejos con curvaturas que dependen de la distancia entre ellos y de la geometra del medio activo. Mientras uno de los espejos puede disearse totalmente reflectante, el otro debe permitir que haya luz de salida.

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Los lseres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy corta, y necesitan reflectividades del 99 %. El espejo normalmente est incorporado en la estructura lser a partir del mismo sustrato, y est formado de muchas capas alternadas de diferentes materiales. El reflector de Bragg que as resulta permite una caracterstica casi plana de la reflectividad para un rango considerable de longitudes de onda. Lseres ms convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar. La longitud de su cavidad, de unas 300 micras, es suficientemente grande para permitir la emisin lser sin espejos adicionales. De hecho, la reflectividad en la separacin lser-aire es cercana al 32 %. El valor grande del ndice de refraccin en la zona activa confina la luz a la regin con ganancia material.

Los dos tipos de lseres semiconductores antes mencionados se llaman lseres de tipo Fabry-Prot. Los lseres con feedback distribuido (DFB) incorporan un

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grating a la estructura que colabora en la seleccin de la longitud de onda de
emisin. EL DIODO TNEL En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuacin muestra como puede aprovecharse este fenmeno en la prctica. Aumentando el nivel de impurificacin de un diodo invertido, se puede hacer que el rompimiento ocurra a los 0 V. Diodos como stos reciben el nombre de diodos tnel. En este tipo de diodos se presenta un fenmeno conocido como resistencia negativa. Esto significa que un aumento en el voltaje de polarizacin directa produce una disminucin de corriente, por lo menos en una parte de la curva de polarizacin directa. La resistencia negativa de los diodos tnel es til en circuitos de alta frecuencia llamados osciladores. Estos circuitos pueden convertir potencia de c.d. en potencia c.a. ya que crean una seal sinusoidal. DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS) Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexin de la luz. El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales lquidos estn formados por unas molculas alargadas con forma de puro, que se llaman molculas nemticas y se alinean con una estructura simtrica. En este estado el material es transparente. Un campo elctrico provoca que las molculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. De esta manera, aplicando o no aplicando un campo elctrico (es decir, polarizando o no polarizando), podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. Si aplicamos el campo localmente en geometras iguales al display de 7 segmentos, conseguiremos un display anlogo al de los LEDs pero con cristal lquido.

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Esquema constructivo de un LCD En la construccin de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los cristales, tal y como aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometra deseada, por ejemplo, el display de 7 segmentos. El espesor del cristal lquido es muy pequeo, del orden de 0.01mm. Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz sobre el cristal frontal, pasa a travs del cristal lquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que est mirando. El resultado: todo se ve de color claro. Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal lquido pegado al electrodo se vuelve opaco, negro, oscuro. La luz ya no es reflejada. Caractersticas elctricas del LCD Desde el punto de vista elctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeo en paralelo con una resistencia muy grande.

Figura 9: Circuito equivalente de un LCD.

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Se necesita una seal pequea en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores romperan la fina capa de cristal lquido. La frecuencia de la tensin puede variar entre 30 y 50 Hz. Frecuencias ms bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias ms altas producen un aumento del consumo. DIODO DE CONTACTO PUNTUAL El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -Vno ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin negativa. OPTOACOPLADORES Un optoacoplador (llamado tambin optoaislador acoplado combina un LED y un fotodiodo en un solo encapsulado. En la figura 1-C se muestra un optoacoplador. Tiene un LED en el lado de entrada y un fotodiodo en el lado de salida. El voltaje de fuente a la izquierda y el resistor en serie establecen una corriente en el LED. Luego la luz proveniente del LED incide sobre el fotodiodo, y esto genera una corriente inversa en el circuito de salida. Esta corriente inversa produce un voltaje en el resistor de salida. El voltaje de salida es igual al voltaje de salida de la fuente menos el voltaje en el resistor. Si el voltaje de entrada varia, la cantidad de luz tambin lo har. Esto significa que el voltaje de salida cambia de acuerdo al voltaje de entrada. Es por esto que la combinacin de un LED y un fotodiodo recibe el nombre de optoacoplador. El dispositivo puede acoplar una seal de entrada con el circuito de salida. R1 R2 +

+ V1

+ Vcn -

+ Vsal -

V2

1-C La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el nico contacto que hay entre la entrada y la salida es un haz de luz. Por eso. es posible tener una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de miles de megaohms. Los aislamientos como ste son tiles en aplicaciones de alto voltaje en las que los potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de volts.

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Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un foto emisor, un fotorreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Funcionamiento del Optoacoplador La seal de entrada es aplicada al foto emisor y la salida es tomada del fotorreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. Cuando aparece una tensin sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a travs de una pequea guia-ondas de plstico o cristal hacia el fotorreceptor. La energa luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensin elctrica a su salida. Este responde a las seales de entrada, que podran ser pulsos de tensin. Diferentes tipos de Optoacopladores

Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un

transistor BJT. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac Fototriac de paso por cero: optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac slo en los cruce por cero de la corriente alterna. DIODOS DE POTENCIA Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no

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pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo. A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: Caractersticas estticas: o o o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). Parmetros en conduccin. Modelo esttico.

Caractersticas dinmicas: o o o Tiempo de recuperacin inverso (trr). Influencia del trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo.

Potencias: o o o o Potencia mxima disipable. Potencia media disipada. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo.

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Caractersticas trmicas. Proteccin contra sobre intensidades.

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el

dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de
1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una
sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.

Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el
diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.

Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado
de bloqueo.

Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de

impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aqulla que puede ser soportada cada 20 ms
, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).

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Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad

aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra
en el estado de conduccin.

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa. Caractersticas dinmicas Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea

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IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo t a llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero

de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad

hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.

trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de

la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Q rr por el rea de un tringulo :

De donde :

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

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Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutacin Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable : Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr : A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

Tiempo de recuperacin directo

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que

la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo el de no suele potencia es bastante menor que recuperacin inversa y producir prdidas de apreciables.

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Disipacin de potencia Potencia mxima disipable (Pmx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV) Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM) Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx) Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.

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En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable. Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc). Proteccin contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica). rganos de proteccin Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin. Parmetro I2t La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo.

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EL FOTODIODO. Como ya se haba dicho, una de las componentes de la corriente inversa en un diodo es el flujo de portadores minoritarios. La existencia de estos portadores se debe a que la energa trmica continuamente est desligando electrones de valencia de sus orbitales, produciendo durante este proceso electrones libres y huecos. El tiempo de vida de los portadores minoritarios es corto, pero mientras existen pueden contribuir a la corriente inversa. Cuando la energa luminosa bombardea una unin pn, puede desligar electrones de valencia. Cuanta ms luz incida sobre la unin, mayor ser la corriente inversa en el diodo. Un fotodiodo es aquel cuya sensibilidad a la luz es ptima. En este tipo de diodos, una ventana permite que la luz pase por el encapsulado hasta la unin. La luz incidente produce electrones libres y huecos. Cuanta ms intensa sea la luz, mayor ser el nmero de portadores minoritarios y mayor ser la corriente inversa. La figura siguiente muestra el smbolo de un fotodiodo. Las flechas representan la luz incidente. Especialmente importante es lo siguiente: la fuente y el resistor en serie polarizan inversamente al fotodiodo. Conforme la luz se hace ms intensa, la corriente inversa aumenta. En los fotodiodos tpicos, la corriente inversa es del orden de decenas de microamperes. R

+ V

Fotodiodo. El fotodiodo de unin pn polarizada en sentido inverso es un elemento bsico para comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de onda apropiada es dirigida hacia la unin, se crean pares hueco-electrn que se desplazan a travs de la unin debido al campo generado en la regin deprimida. El resultado es un flujo de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito externo, que es proporcional a la irradiancia efectiva en el dispositivo. El fotodiodo se comporta bsicamente como un generador de corriente constante hasta que se alcanza la tensin de avalancha.

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Fotodiodo sensible a la luz con unin pn polarizada inversamente. El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Para esta longitud de onda, se produce la mxima cantidad de pares huecos-electrn en la proximidad de la unin. El mximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor tpico se halla en 850 nm, aproximadamente. La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a fotodiodo y un amplificador. En la mayora de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de microamperios, pudiendo aadirse a la pastilla un amplificador por un coste mnimo. Fotodiodo de avalancha. Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo comn formando parte del propio fotodiodo. El fotodiodo de avalancha utiliza la

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multiplicacin por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrn. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el equilibrio entre ruido y ganancia es difcil de conseguir y como consecuencia, el coste es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una tensin de alimentacin de valor elevado (100-300 v.), estrechamente controlada. Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene limitadas aplicaciones. Fototransistor. El transistor sensible a la luz es una de las combinaciones fotodiodo amplificador ms simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la unin pn polarizada en sentido inverso (colector-base), se genera una corriente de base, que es amplificada por la ganancia de corriente del transistor.

Se requiere un cuidadoso proceso de elaboracin de la pastilla del transistor para hacer compatible la mxima reduccin de la corriente en la oscuridad del fototransistor, con la obtencin de una alta sensibilidad a la luz. Las corrientes de este tipo, tpicas del fototransistor para una tensin inversa de 10v, son del orden de 1 nA a temperatura ambiente y aumentan en un factor de 2 para cada 10 C de aumento de temperatura. Las especificaciones del fototransistor garantizan normalmente unos lmites de corriente en la oscuridad mucho ms altos, por ejemplo 50 a 100 nA, debido a las limitaciones del equipo automtico de prueba. Fotodarlington. Bsicamente, este dispositivo es el mismo que el transistor sensible a la luz, excepto que tiene una ganancia mucho mayor debido a las dos etapas de amplificacin, conectadas en cascada, incorporadas en una sola pastilla.

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Amplificador fotodarlington.

Foto SCR. El circuito equivalente con dos transistores del rectificador controlado de silicio mostrado en la figura ilustra el mecanismo de conmutacin de este dispositivo. La corriente debida a los fotones, generada en la unin pn polarizada en sentido inverso, alcanza la regin de puerta y polariza en sentido directo el transistor npn, iniciando la conmutacin.

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Corte transversal de un fotodiodo comercial LOS DIODOS VARISTOR O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio). Los relmpago , las fallas en la lnea de potencia, etc., pueden contaminar el voltaje de la lnea superponiendo valles, picos y otros transitorios en los 115 V rms normales. Los valles son cadas de voltaje severas que duran microsegundos o menos. Los picos son sobrevoltajes muy cortos en duracin, desde 500 hasta ms de 2000 V. En algunos equipos, se usan filtros entre la lnea de potencial y el primario del transformador para eliminar los problemas ocasionados por los transistores en la lnea. Uno de los dispositivos empleados para el filtrado en la linea es el varistor (llamado tambin supresor de transistorios). Este dispositivo semiconductor es como dos

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diodos Zener encontrados con un gran voltaje de rompimiento en ambas direcciones. Por ejemplo, el V130LA2 es un varistor con un voltaje de rompimiento de 184 V (equivalente a 130 V rms) y una especificacin de corriente pico de 400 A. Conectando uno de stos en el arrollamiento primario no habr por que preocuparse acerca de los picos. El varistor recortar todos los picos al nivel de los 184 V y proteger el equipo. CARACTERISTICAS: 1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil

del componente correcto para una aplicacin especfica. 2. 3. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que

ocurre. 4. 5. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de

circuitera en conmutacin digital. 6. Alto grado de aislamiento.

Mximo impulso de corriente no repetitiva

El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos. Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo. Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora. Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.

Energa mxima Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de: 1. 2. 3. La amplitud de la corriente. El voltaje correspondiente al pico de corriente. La duracin del impulso.

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4. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre

100% y 50% del pico de corriente. 5. La no linealidad del varistor.

A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2) DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA) A frecuencias bajas, un diodo ordinario puede desconectarse fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa. Pero conforme aumenta la frecuencia, el diodo llega a un punto en el que ya no puede desconectarse lo suficientemente rpido para evitar una corriente considerable durante parte del semiciclo inverso. Este efecto se conoce como almacenamiento de carga. Impone un lmite sobre la frecuencia til de los diodos rectificadores ordinarios. Lo que sucede es esto. Cuando el diodo est polarizado directamente, algunos de los portadores en la capa de empobrecimiento an no se han recombinado. Si se aplica sbitamente polarizacin inversa al diodo, estos portadores pueden circular en la direccin inversa durante un pequeo intervalo de tiempo. Cuanto ms largo sea el tiempo de vida, mayor ser el tiempo durante el cual estas cargas puedan contribuir a la corriente inversa. El tiempo que un diodo polarizado directamente tarda en desconectarse se llama tiempo de recuperacin inversa. Este es tan corto en los diodos para seales pequeas que su efecto ni siquiera se nota a frecuencias inferiores a los10 Mhz, ms o menos. Es importante slo cuando se est trabajando con frecuencias muy superiores a los 10 Mhz. La solucin a este problema es un dispositivo para usos especiales llamado diodo Schottky. Este tipo de diodo no tiene capa de empobrecimiento, con lo cual no existen las

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cargas en la unin. La ausencia del almacenamiento de carga implica que el diodo Schottky puede cambiar (activar o desconectar) ms rpido que un diodo ordinario. De hecho, un diodo Schottky puede rectificar con facilidad frecuencias superiores a los 300 Mhz. La aplicacin ms importante de los diodos Schottky se halla en las computadoras digitales. La velocidad de las computadoras depende de la rapidez con la que se puedan activar o desconectar sus diodos y sus transistores, y aqu es donde el diodo Schottky entra en escena. Como no tiene almacenamiento de carga, el diodo Schottky se ha convertido en la parte medular de la TTL Schottky de baja potencia, un grupo de dispositivos digitales extensamente empleados. Una indicacin final: en la direccin directa, un diodo Schottky tiene una barrera de potencial de slo 0.25 V. As, es posible ver diodos Schottky utilizados en rectificadores de puente de bajo voltaje, ya que solamente hay que restar 0.25 V en vez de los 0.7 V usuales por cada diodo. En un diodo Schottky se emplea un metal como el oro, la plata o el platino en un lado de la unin y silicio impurificado (generalmente tipo n) en el otro lado . Cuando un diodo Schottky no tiene polarizacin, los electrones libres en el lado n se hallan en rbitas ms pequeas que los electrones libres del lado metlico. A esta diferencia en el tamao de las rbitas se le llama barrera de Schottky. Si el diodo tiene polarizacin directa, los electrones libres pueden atravesar la unin y penetrar al metal, produciendo una gran corriente de polarizacin directa. Como el metal no tiene huecos, no hay almacenamiento y por tanto tampoco hay tiempo de recuperacin inversa. La ausencia de almacenamiento de carga implica que el tiempo de recuperacin inversa tienda a cero. Por ello, un diodo Schottky puede desconectarse mas rpido que un diodo ordinario. Cuando se le usa en un circuito como el de la siguiente figura el diodo Schottky produce una seal de media onda perfecta, incluso a frecuencias superiores a los 300 Mhz.

+ V -

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes. Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un

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efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo. En una deposicin de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los

electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V. La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

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SIMBOLOGA

Grfica Simbologa Tipos de Diodos

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BIBLIOGRAFA Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. 5ta edicin. Mc. Graw Hill, 1983. Boylestad R., Nashelky L. Electrnica teora de Circuitos, Prentice Hall int.1992. Lob U. Funcionamiento del diodo semiconductor ep 14. Marcombo Boixareu Editores, 1987. Lob U. Curvas Caractersticas de diodos ep 15. Marcombo Boixareu Editores, 1987. Gonzlez F. Curso practico de luces y sonido. Publicaciones CEKIT, 1992. http://www.americanmicrosemi.com/tutorials/varactor.htm http://www.ifent.org/Lecciones/varistores/Varistores.htm http://www.vc.echu.es/campus/centroepjt/Otros/Electronica/Diodo2.html http://webserver.pue.udlap.mx/~lgojeda/apuntes/electronica1/1_5.htm

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CIRCUITO OSCILADOR 555 1.- Introduccin

Nos proponemos estudiar a fondo uno de los chips ms famosos desde su desarrollo; el circuito integrado 555. Desde su lanzamiento en 1972, por la compaa Signetics, ha sido utilizado en un gran nmero de sistemas electrnicos, tanto en sistemas de control industrial como en fabricacin de aparatos electrnicos de consumo. Adems de un gran nmero de aplicaciones, en todo este tiempo ha tenido un gran nmero de cambios. Su nombre se debe a la presencia internamente de resistencias de 5k cada una, que forman un divisor de tensin. 3

La gran importancia que conlleva el diseo de este circuito es su gran versatilidad, ya que es un circuito universal generador de pulsos que se adapta a diversas condiciones de trabajo, lo que unido a su econmico precio lo convierten en un pequeo/gran componente a tener en cuenta por todos los diseadores. En los prximos apartados estudiaremos ms a fondo todos los aspectos que lo caracterizan.

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2.- Descripcin del circuito y caractersticas

El circuito 555 se presenta normalmente en un encapsulado DIP de 8 patillas, aunque tambin es posible encontrarlo en encapsulado metlico, y cada vez menos en otros formatos menos utilizados. El encapsulado metlico se suele utilizar en aplicaciones militares e industriales principalmente. El chip est compuesto internamente por 23 transistores, 2 diodos y 12 resistencias, aunque nosotros estudiaremos una versin esquematizada. Estas caractersticas son tal cual para el modelo estndar, ya que, diversas compaas se han preocupado de modificarlo para adaptarlo a sus necesidades, creando as una gama de circuitos 555 modificados. Una de sus caractersticas ms tiles es su rango de alimentacin, que va desde 4,5v hasta 18 v, pudiendo adems manejar corrientes de salida de hasta 200mA. Gracias a este rango el circuito es verstil, pudiendo trabajar externamente con lgicas como TTL o CMOS, adems de impulsar rels, zumbadores y otros componentes.

2.2 Esquema elctrico del 555

Puede trabajar con dos modos principales de trabajo: modo astable y monoestable. Dedicaremos un apartado de este documento al funcionamiento de ambos modos. La descripcin de las patillas es la siguiente: La patilla 1 es la conexin a tierra del circuito. La patilla 2, llamada entrada de disparo, se utiliza para trabajar en modo monoestable. Ms adelante explicaremos su cometido. La patilla 3, es la salida del circuito. La patilla 4 sirve de seal de Reset, que normalmente se conecta directamente a Vcc.

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La patilla 5, o entrada de modulacin, sirve para producir modulacin por anchura de pulsos (PAM). Es un uso particular del circuito, que explicaremos ms adelante. La patilla 6, o seal de alcance mximo, se utiliza conjuntamente con la patilla anterior. La patilla 7, o descarga, se utiliza para descargar un condensador externo que se coloca en los distintos modos de trabajo. Por ltimo, la patilla 8 ser la alimentacin (Vcc).

Vamos a ver el funcionamiento a un nivel ms interno. La fuente de alimentacin se suele conectar a un circuito pasivo RC exterior, que proporciona descargando el condensador una seal de tensin que depende del tiempo. Ya dentro del circuito, la entrada de Vcc va a un divisor de tensin. Este divisor de tensin lleva al comparador B una seal de 1/3Vcc, que ser comparada en este componente con la tensin de la entrada 2 (disparo). El mismo divisor de tensin ofrece a la entrada del comparador A una seal de 2/3Vcc, que ser comparada contra la tensin de alcance mximo.(6)

2.1 Esquema interno del circuito 555

Por otro lado, la seal 5, se utiliza para producir modulacin por anchura de pulsos. La patilla 7 servir para descargar un condensador externo cuando el transistor T1 se encuentra en saturacin. Otra forma de descargarlo ser polarizando el transistor
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T2. Para ello se utiliza la patilla 4 ( Reset). Si no queremos que se descargue antes de tiempo el condensador, debemos conectar esta patilla a Vcc, para mantener en corte al transistor T2. La salida del circuito (patilla 3) es la salida de una puerta inversora, lo que le da un alto nivel de versatilidad al 555, ya que la corriente mxima que se puede obtener ser de 200 mA. Las salidas de ambos comparadores estn conectadas al Reset y Set de un Flip-Flop de tipo SR. La salida de este flip-flop sirve de entrada al amplificador de corriente. Mientras que la tensin en la patilla 6 sea ms pequea que el nivel de voltaje con el que se compara (depender del nivel de la patilla 5, modulacin), la entrada Reset del FF no se activar. Por otra parte, mientras que el nivel de tensin presente en la patilla 2 sea ms grande que el nivel contra el que se compara (1/3 de Vcc), la entrada Set del FF, no se activar. El modo de trabajo a un nivel global no da una idea buena sobre las prestaciones del circuito. Deberemos estudiar ms a fondo los dos modos de trabajo particulares del 555 para comprender su extendido uso.

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3.- MODOS DE TRABAJO

Como vimos anteriormente, para comprender la versatilidad de este circuito, deberemos antes entender sus modos de trabajo, independientemente. El 555 puede trabajar de dos formas principales: como multivibrador u oscilador astable y como multivibrador u oscilador monoestable. Oscilador astable Un circuito oscilador astable es aquel que cambia de estado con un cierto periodo. Por decirlo de otra manera, puede funcionar como un reloj, dando una seal cuadrada de una frecuencia que estar determinada por los componentes externos que le conectemos. Estudimoslo paso a paso. Para hacer el oscilador astable, necesitamos dos resistencias y un condensador.

3.1 Oscilador Astable

Inicialmente contamos con que C est descargado, la salida se encuentra a nivel alto, la salida /Q del biestable se encuenta a nivel bajo y el divisor de tensin proporciona 1/3 Vcc en la entrada del comparador B y 2/3 Vcc en la entrada del comparador A. El condensador C empieza a cargarse a travs de Ra y Rb. Cuando alcanza una tensin superior a 1/3 Vcc, (t 1) la salida del comparador B pasa a nivel bajo, lo que lleva un 0 a la seal de Set del Flip-Flop. En este momento no pasa nada. El condensador sigue cargndose, hasta que llega a un nivel de 2/3 Vcc, (t 2) lo que lleva al comparador A a que de una salida positiva, llevando por lo tanto un 1 a la entrada del Reset del flip-

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Opcional

3.2 Oscilador Astable (esquema completo)

flop. Eso conlleva a este a poner un 1 en /Q, lo que convierte la salida del circuito en un 0. Al llegar a este punto, tenemos, un 1 a la salida /Q del FlipFlop, y un 0 a la salida del circuito. El 1 del FF hace que el transistor T1 entre en saturacin, lo que conlleva a que el condensador empiece su descarga a travs de Rb. Cuando la tensin en C es menor que 2/3 Vcc, el comparador A se satura negativamente, llevando un 0 a la entrada Reset. Todava no cambia el estado del FF. Pero cuando la tensin en el condensador es menor que 1/3 (t 3) Vcc, el comparador B cambia de nivel, lo que coloca a la salida /Q del FF a nivel bajo, y, por lo tanto, la salida del 555 a nivel alto. Hemos llegado al punto de partida. Para saber los periodos de trabajo y los tiempos de carga y descarga, estudiaremos la seal en el condensador.

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Temporizacin:

Podemos observar 3 periodos de tiempo fundamentales en un ciclo de trabajo astable. Como hemos podido comprobar, estos tiempos dependern del tiempo que tarda en cargarse y descargarse el condensador externo C. Partimos del tiempo de carga del condensador: V=Vcc(1-e -t/RC ) donde V es la tensin en bornes del condensador y Vcc es la tensin del generador. Para t1: Para t2: 2Vcc/3 = Vcc (1-e -t2/RC ) t 2=RCln(3) Para estos dos casos R=RaRb Para la descarga del condensador tenemos que t=t 3 t2 Vcc/3=2Vcc/3 e-(t3-t2)/RC t 3 t 2 = RCLn2 Con R=Rb, ya que la resistencia Ra no influye en la descarga. Vcc/3 = Vcc (1-e -t1/RC ) t 1=RCln(3/2)

3.3

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El periodo de la seal de salida ser: T=(t 3 t1) = (t3 t 2)+(t 2 - t1) T= C(Ra + 2Rb)Ln2 F=T-1=1.44/C(Ra+2Rb) Hay dos aspectos que debemos tener muy en cuenta: - En primer lugar, la frecuencia resulta independiente de la alimentacin del circuito, y nicamente depender de los componentes externos asociados al circuito. Esto es un factor importante, ya que la calidad de la seal de salida ser la misma sin importar para qu lgica la utilizamos. - En segundo lugar, el periodo de descarga ser siempre menor que el de carga, por lo que el ciclo de trabajo (duty cicle) de la tensin de salida ser siempre menor al 50%. Para reducirlo, podramos aadir un diodo en paralelo con Rb. De este modo, durante el periodo de carga acta nicamente Ra y durante la descarga Rb, pudindose ajustar independientemente los tiempos de bajada y subida, y, por lo tanto, el ciclo de trabajo. En cualquier otro caso, el ciclo de trabajo ser (t 2-t 1)/T Ciclo de trabajo=[(1+Rb)/(Ra+Rb)]-1=(Ra+Rb)/(Ra+2Rb)

3.4 Circuito astable mejorado

Oscilador monoestable

Este es el otro modo de trabajo ms importante del integrado 555. Se basa en la produccin de un pulso de salida de una duracin determinada por los componentes externos (recordemos que es una de las caractersticas ms importantes de este circuito), que ser producido por un estmulo externo. Vamos a ver su funcionamiento.

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Para el oscilador monoestable, hace falta una resistencia y un solo condensador.

3.5 Circuito monoestable bsico

Partimos de que la salida es un 0 lgico. El condensador C est descargado, por lo que T1 deber estar en saturacin, y la salida /Q del biestable a nivel alto.

3.5 Esquema completo del oscilador monoestable

Para empezar a funcionar, deber existir en la entrada de disparo (2) una seal con una tensin menor que 1/3 Vcc, con lo que
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el comparador B se satura positivamente, es decir, la seal Set=1, lo que hace que el biestable de un 0 en /Q. As el transistor T1 pasa de saturacin a corte, empezndose a cargar el condensador C a travs de Ra. Cuando la tensin en el condensador alcanza 2/3 Vcc, el comparador A se satura positivamente, lo cual hace que el biestable vuelva a cambiar de estado, pasando a poner un 1 en su salida /Q. Esto implica: - Vsalida a nivel bajo. - T1 pasa a saturacin. El condensador se descarga a travs de T1 y el comparador B se satura negativamente, con lo que el circuito vuelva a donde empezamos, a la espera de un nuevo pulso. Obsrvese que si en mitad del pulso llegara un nuevo disparo, no ocurrira nada. El tiempo caracterstico del monoestable est relacionado con el periodo de carga del condensador, que a su vez depende nicamente de componentes externos. 2Vcc/3 = Vcc(1-e -T/RC ) T=RaCLn3

3.6 Grfica del modo monoestable

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4. MONTAJES CLSICOS
Para profundizar en el estudio del funcionamiento del temporizador 555 vamos a estudiar varias configuraciones de montajes clsicos y tpicos. Modulador por posicin de pulso

Este circuito se realiza en la configuracin astable. Su fundamento est en que el voltaje de la patilla 5 (modulacin) no es constante como hemos visto anteriormente, sino que vara con el tiempo (en nuestro caso ponemos el ejemplo de una onda triangular). De ese modo la tensin del condensador no se compara con 2/3 Vcc, sino que lo hace con el valor instantneo de la onda triangular. Cuanto mayor sea este valor, ms tardar la tensin del condensador en alcanzarlo, por lo tanto la duracin del pulso es mayor.

4.1 Modulador por posicin de pulso

Cuando el valor en la patilla 5 es negativo, ( semiciclo negativo de la onda triangular) la salida est en nivel bajo, ya que el 555 no trabaja con tensiones negativas. Por tanto, la salida del comparador A siempre estar en el nivel alto, lo que implica que el biestable tambin lo har. As pues T1 est siempre en saturacin y el condensador nunca llega a cargarse.

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Circuito modulador por anchura de pulso

Otra aplicacin dentro del extenso campo de la modulacin es la de modular una seal dependiendo de la anchura de sus pulsos, y no de la posicin de estos. Igual que en el circuito anteriormente expuesto, podemos lograr este propsito aplicando una seal al conector 5, que ser la entrada a modular, solo que esta vez utilizamos el oscilador en modo monoestable. En la patilla de disparo (2) pondremos un tren continuo de pulsos. Dependiendo del valor en tensin de la entrada (5) obtendremos pulsos de ms o menos ancho. (vease figura)

4.2 Modulador por anchura de pulso

OSCILADOR CON CICLO DE TRABAJO 50%

Como vimos anteriormente cuando estudiamos el modo astable, el ciclo de trabajo de la salida no ser del 50%, ya que el tiempo de descarga del condensador externo ser menor que el de carga. Existe, sin embargo, una manera de hacer que estos dos tiempos sean iguales. Simplemente habr que cambiar la posicin de las resistencias conectadas al circuito, y ponerlas tal y como est el esquema. Como vimos antes, el tiempo que est la salida en alto es de: t1= 0.693RaC Con la configuracin aconsejada, conseguimos que el tiempo que est la salida en bajo, que es de:

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t2= [(RaRb)/(Ra+Rb)]CLn[(Rb-2Ra)/2Rb-Ra)] sea igual a t1 t 1=t2

4.3 Astable con un ciclo de trabajo del 50%

Debemos de tener en cuenta que el circuito no oscilar si Rb es mayor que Ra, ya que la unin de Ra y Rb no llevara al pin 2 a 1/3 de Vcc, lo que a su vez hara que el comparador interno no se disparase. Temporizador secuencial

Muchas aplicaciones, tales como ordenadores, requieren seales para las condiciones iniciales durante el arranque. Otras, como equipos de testeo, requieren la activacin de seales de test secuencialmente. Para estas tareas podemos usar estos circuitos temporizadores secuenciales. Los osciladores pueden ser conectados en varias combinaciones de astable y monoestable, con o sin modulacin, para un control de forma de onda extremadamente flexible.

4.4 Circuito secuencial

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El oscilador 555

Salidas para el circuito secuencial

Circuito anti-rebote Una posible aplicacin del 555 es la de circuito anti-rebote. Realmente no es una aplicacin utilizada, ya que los circuitos antirebote normalmente utilizados son ms simples y, por lo tanto, ms baratos. No obstante, este circuito tiene un alto nivel educativo a la hora de comprender mejor el funcionamiento del integrado.

Lgicamente, utilizaremos el modo de trabajo respondiendo al estmulo nuestro 555.

monoestable,

El circuito de la figura, ms concretamente, nos muestra un antirebote que dar a su salida (tras presionar el pulsador) un pulso de 0.1 segundos. Es un clsico montaje monoestable.

4.5 Circuito anti-rebote

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El oscilador 555

Detector de pulso perdido

Este circuito muestra a un oscilador en modo monoestable que est siendo continuamente redisparado por una serie de pulsos entrantes. Cuando uno de esos pulsos se retrasa o no llega, el circuito lleva su salida a nivel bajo hasta que un nuevo pulso llega a la entrada. Se suele usar en sistemas de alarmas y testeadores de continuidad, as como en aplicaciones de comunicaciones scronas.

4.6 Detector de pulso perdido

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El oscilador 555

5.- EXTENSIN DEL 555

Ya que conocemos bien el funcionamiento del oscilador 555, vamos a hacer una breve resea a dos modelos existentes del integrado. Circuito integrado 556 El 556 se puede considerar primo-hermano del 555, ya que realmente es un integrado, generalmente de 14 patillas que contiene interiormente dos 555. Su utilidad es lgica, ya que para la mayora de tareas complejas del circuito, se suelen utilizar varios integrados 555. Con la utilizacin del 556, conseguimos una reduccin en los costes y espacio.

5.1 Esquema externo del integrado 556

Circuito 555 versin CMOS Debemos sealar que existe la versin del integrado 555 fabricada con tecnologa CMOS. Esta versin permite un tiempo de trabajo ms eficaz, as como un consumo muy inferior de potencia. Incluimos un esquema muy bsico de esta versin CMOS. Nos permitimos el no explicar su funcionamiento, ya que no difiere apenas del ya visto, y sera redundar demasiado en el tema.

5.2 Circuito 555 versin CMOS

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El oscilador 555

6.- CONCLUSIONES FINALES

El circuito 555 fue en su tiempo un gran avance dentro del campo de la circuitera integrada. Un oscilador cuyos parmetros de temporizacin solamente dependieran de parmetros externos, ofreca todo un universo de posibilidades a la hora de realizar nuevos y modernos diseos en la era de la integracin. Sin embargo, esta gama de posibilidades se vea limitada debido a una serie de restricciones tcnicas, que pasamos a detallar y explicar: La frecuencia mxima en modo astable es del orden de 1 Mhz. En las versiones ms modernas (CMOS), puede llegar a los 3 MHz, velocidad que hoy en da es ridcula comparada con la velocidad de los sistemas actuales, que se mide por Gigahercios. Su precisin en modo astable es del 1%. Esto conlleva a que en tareas que precisen una temporizacin ms apurada se pasen a usar osciladores de cristal de cuarzo, lo que nunca ha afianzado al 555 como oscilador por excelencia. Su impedancia de salida es muy baja (10), lo que hace posible que el oscilador alimente a su salida un pequeo altavoz (8). Hoy en da su uso se destina a tareas que precisen una temporizacin poco estricta, como puede ser el cierre de la puerta de un ascensor, que deber permanecer abierta unos segundos. Tambin se emplea en aparatos destinados al ocio, como generador de tonos para realizar ruidos de ciertas frecuencias. Entre los aficionados a la electrnica es un circuito til y valioso para diversas tareas.

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El oscilador 555

ANEXO A: Componentes internos. El comparador y el Flip-Flop RS

Comparadores Ofrecen a su salida dos estados perfectamente diferenciados (alto y bajo) en funcin de las tensiones aplicadas a sus entradas (+ y -), de tal forma que: Si V(+) > V(-), la salida toma nivel alto Si V(-) > V(+), la salida toma nivel bajo No se contempla el caso en que V(+)=V(-), ya que una pequea variacin entre ambas partes hace que la salida tome el nivel determinado por el sentido de dicha variacin. El tema de los comparadores es algo muy amplio, en el que no vamos a profundizar ms por razones obvias. Flip-Flop RS

Es un biestable con dos entradas (R y S) y dos salidas (Q y /Q, donde /Q es la inversa de Q). Se caracteriza principalmente porque, al llevar un 1 a su entrada R, la salida Q tendr un 0. Sin embargo, si llevamos un 1 a la entrada S, la salida Q tendr un 1. Otra de las caractersticas de este biestable es que, al llevar un 0 a ambas entradas, conservar el ltimo valor establecido en sus salidas.

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SISTEMAS ELECTRNICOS ANALGICOS Y DIGITALES

CONEXIONES CON VARIOS TRANSISTORES:

1. El Amplificador Darlington 2. El Amplificador Cascodo 3. El Amplificador Diferencial

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1. EL AMPLIFICADOR DARLINGTON
La conexin en cascada de dos transistores bipolares, segn se muestra en la figura 1, se denomina conexin Darlington o transistor compuesto y es utilizada cuando se desea una ganancia de corriente elevada y adems una alta impedancia de entrada en la configuracin emisor comn.

Figura 1.- Conexin Darlington con transistores NPN.

Tomando como ejemplo la configuracin con transistores NPN, la ganancia de corriente se puede hallar (suponiendo que los transistores sean idnticos) de la siguiente forma:

Ai =

Io I +I I E1 I E 2 = C1 C 2 = + I B1 I B1 I B1 I B1

(1)

A continuacin hallamos:

I E 2 I E 2 I B 2 I E1 2 = = (hfe + 1) (1) (hfe + 1) = (hfe + 1) I B1 I B 2 I E1 I B1

Utilizando este resultado en (1), tenemos:

Ai = (hfe + 1) + (hfe + 1) = (hfe + 1) (hfe + 2) hfe 2

2

Este resultado es previsible observando el circuito, a causa de que la corriente de emisor de Q1 llega a ser la corriente de base de Q2.

1.1 IMPEDANCIA DE ENTRADA

La impedancia de entrada vista hacia la base de Q1 y el emisor de Q2 se halla fcilmente reflejando la impedancia base-emisor (hie2) de Q2 desde el circuito de emisor de Q1 al circuito de base de Q1, como se muestra en la figura 2. El resultado es:

Zi = hie1 + (hfe + 1) hie2

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Figura 2.- Uso de reflexin para determinar la impedancia de entrada de una configuracin Darlington.

Sin embargo,

hie =

m VT (hfe + 1) , por lo que (considerando m = 1): I EQ

Zi =

VT (hfe + 1) VT (hfe + 1) + I EQ1 I EQ 2

Recordando que ecuacin anterior:

hfe1 = hfe2 y adems

(hfe + 1)

I EQ 2

= I EQ1 obtenemos, reemplazando en la

Zi = 2 (hfe + 1) hie2 = 2 hie1

2. EL AMPLIFICADOR CASCODO
Se denomina amplificador cascodo a la conexin serie de dos transistores tal como se muestra en la figura 3.

Figura 3.- Conexin Cascodo.

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La particularidad relevante de esta configuracin es que, debido a la conexin serie necesariamente debe ser I CQ1 I CQ 2 . El circuito de la figura 3 tiene variantes que dependen de la aplicacin, en particular veremos una de ellas, el desplazador de nivel.

2.1 DESPLAZADOR DE NIVEL ACTIVO

En aplicaciones de amplificadores con acoplamiento directo, la seal amplificada contiene un nivel de continua que no es deseable que aparezca sobre la impedancia de carga, entonces es necesario eliminarla antes de conectarla a aquella, sin atenuar la componente de seal. Esto se puede hacer con una variante del amplificador cascodo, que consiste en operar el transistor Q1 como fuente de corriente constante y conectar la fuente de seal a la base del transistor Q2, la figura 4 esquematiza la idea. El circuito conformado por Vi, VDC y ri se puede interpretar como el equivalente de Thevenin de la etapa precedente donde la componente VDC, es la que se quiere eliminar de la salida Vo. Ello se logra incluyendo la resistencia R, de forma tal que la cada de tensin que produce ICQ1 en ella, compense el nivel de continua parsito.

Figura 4.- Desplazador de nivel activo.

Analizaremos este circuito cuantitativamente. La ecuacin de equilibrio de tensiones de continua desde la malla de entrada de Q2 hacia la salida Vo es:

V DC = I BQ 2 ri + V BE + I CQ1 R + VOC
Pero si

VOC = 0 tenemos:

VDC
Lo que se logra ajustando R o ICQ1.

I CQ1 hfe

ri 0,7 = I CQ1 R

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El efecto del circuito sobre las componentes de seal, lo analizaremos sobre el esquema lineal equivalente de la configuracin (figura 5) donde es evidente que, en condiciones ideales, es decir, si la impedancia interna de la fuente de corriente e impedancia de carga RL, son ambas infinitas, la tensin de salida es igual a la tensin de entrada.

Figura 5.- Circuito hibrido equivalente.

Considerando una impedancia de carga real finita, la atenuacin aumenta segn disminuye la relacin:

Vo RL hfe = Vi ri + hie + (R + RL ) hfe

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3. EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
El amplificador diferencial es un circuito verstil que sirve como etapa de entrada para la mayora de los amplificadores operacionales como as tambin para una amplia gama de circuitos. En la figura 6 est representada la configuracin bsica. El esquema indica que el circuito tiene dos entradas, v1 y v2 , y tres salidas, vo1 , vo 2 y vo1 vo 2 . La importancia del amplificador diferencial estriba en el hecho de que las salidas son proporcionales a la diferencia entre las dos seales de entrada, como vamos a ver. As pues, el circuito se puede utilizar para amplificar la diferencia entre las dos entradas o amplificar una sola entrada conectando simplemente a masa la otra.

Figura 6.- Amplificador Diferencial.

Vamos a suponer que el amplificador diferencial que vamos a analizar en est seccin se supone que est fabricado en una pastilla o chip. Cuando este es el caso, podemos suponer que los transistores Q1 y Q2 son idnticos y por lo tanto que existe una simetra perfecta entre ambas mitades del circuito.

3.1 SEALES DE MODO COMN Y DE MODO DIFERENCIAL

Como el amplificador diferencial se utiliza ms comnmente para amplificar la diferencia entre las dos seales de entrada, es adecuado expresar las entradas como sigue, de manera que resalte este hecho. Llamaremos vd a la diferencia entre las tensiones de entrada, por lo que:

vd = v2 v1

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Esta es la tensin de entrada del modo diferencial. Para completar necesitamos un trmino que designe el valor medio de las tensiones de entrada, que llamaremos definir esta tensin por:

va . Resulta cmodo

va =
Puesto que

v2 + v1 2

va

es el promedio de las dos tensiones de entrada, se le denomina tensin de

entrada de modo comn.

vd 2 v v1 = va d 2 v2 = va +
Por estas expresiones vemos que las tensiones de entrada pueden ser expresadas en funcin de una tensin de entrada de modo comn y una tensin de entrada de modo diferencial. En las aplicaciones usuales del amplificador diferencial, la entrada de modo diferencial es la seal deseada que se amplifica mientras la entrada de modo comn debe ser suprimida o rechazada y por lo tanto no es amplificada. Las definiciones anteriores nos permiten analizar directamente el circuito en funcin de estas entradas de modo comn y de modo diferencial y concentrarnos en los parmetros importantes del amplificador diferencial. Para fines de ensayo podemos calcular fcilmente seales de entrada que son totalmente de modo comn o totalmente de modo diferencial. Por ejemplo, si v1 = v 2 , la entrada de modo diferencial es cero y la entrada de modo comn es simplemente

va = v1 = v2 . Por otra parte, si v1 = v2 , la

entrada de modo comn es cero, mientras que la entrada de modo diferencial es:

vd = 2 v2 = 2 v1 . 3.2 SANLISIS DEL PUNTO DE REPOSO Q

Cuando estudiamos las etapas individuales de un amplificador vimos que la recta de carga (de c.a o de c.c) defina completamente la curva de funcionamiento del circuito de colector dentro de los lmites de variacin de la seal de entrada. Esta curva se mantiene como lnea recta cuando el circuito contiene solamente resistencias y fuentes de tensin. Ahora estamos en una situacin diferente; tenemos dos seales de entrada. Cada transistor funcionar dentro de una regin de las caractersticas del colector a la que corresponden valores mximo y mnimo de las dos seales de entrada. A continuacin determinaremos los confines de la regin de funcionamiento; esto nos conducir a expresiones que se pueden utilizar para asegurar que estos confines aseguren un funcionamiento lineal en el margen previsible de variacin de las seales de entrada. El anlisis se realiza mejor en funcin de las entradas de modo diferencial y de modo comn definidas anteriormente. Usualmente cuando deseamos determinar el punto Q de un amplificador, ajustamos a cero la seal de entrada. Para el amplificador diferencial es apropiado partir del anlisis del punto Q suponiendo que la entrada de modo diferencial es cero. Esto se consigue haciendo simplemente que las dos entradas sean iguales; entonces tenemos que va = v1 = v2 . Con este supuesto comenzamos observando que, gracias a la simetra del circuito, podemos separar los emisores, intercalando una resistencia 2 R E en cada rama de emisor, como muestra la figura

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7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff al circuito original de la figura 6 podemos ver que la tensin de emisor no ha cambiado. En efecto:

vE1 = v E 2 = (iE1 + iE 2 ) RE VEE

Figura 7.- Circuito equivalente para cualquiera de los transistores Q1 o Q2 cuando

v1 = v2 = va.

Cuando

v1 = v2 , tendremos nuevamente, gracias a la simetra, i E1 = i E 2 = i E , por lo que

v E1 = v E 2 = i E (2 RE ) VEE

la ecuacin anterior se simplifica y queda:

Esta tensin es justamente la misma que la tensin de emisor hallada en el circuito separado de la figura 7. La ecuacin de la recta de carga, que es vlida cuando

va = v1 = v2 , se halla aplicando

la ley de Kirchoff de tensiones en el bucle colector-emisor de la figura 7:

vCE = VCC iC RC i E (2 RE ) + VEE VCC + VEE iC (RC + 2 RE )

La corriente de emisor (y por lo tanto la corriente de colector) se halla aplicando la ley de Kirchoff de tensiones al bucle base-emisor.

v a = i B RB + VBE + i E (2 RE ) VEE
Como

iB =

iE , i i y V = 0,7V , la ecuacin anterior se simplifica y queda: (hfe + 1) E C BE

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iC

Va + V EE 0,7 RB 2 RE + (hfe + 1)

Figura 8.- Recta de carga de modo comn en que se muestra el punto Q cuando variacin del punto Q cuando vara

va = 0

y la

va desde Va ,max a Va ,min .

En la obtencin de la ecuacin anterior hemos despreciado el efecto del hie y considerado a V BE constante. En este caso la aproximacin es excelente, puesto que la impedancia hie reflejada en el emisor en la figura 7 es

hie . Esta impedancia est en serie con 2 R E , que (hfe + 1)

es una resistencia mucho mayor en la prctica. La recta de carga definida por la ecuacin anterior se muestra en la figura 8. Como solo est presente la entrada de modo comn, la llamaremos recta de carga de modo comn. Aqu Q es el punto esttico o de reposo obtenido ajustando a cero la entrada en modo comn va . Los

Qmin representan los puntos de trabajo obtenidos cuando la entrada de modo comn v a vara desde su valor mximo positivo v a ,max hasta su valor ms
puntos marcados como Qmax y negativo va ,min con la entrada en modo diferencial igual a cero. Hay que sealar que se aplica la misma recta de carga a cada transistor, puesto que la corriente de colector de cada uno es la misma en tanto que las tensiones de entrada sean iguales, independientemente del valor de v a . Como las corrientes de colector son las mismas y el circuito es simtrico, las tensiones de colector sern idnticas y la tensin de salida vo1 independientemente del valor de v a en tanto que colector v o1 y

vo 2 , entre los colectores, ser cero

v1 = v2 . Las tensiones individuales de

vo 2

variarn, sin embargo, con las variaciones de v a .

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Lo que acabamos de exponer determina la regin de funcionamiento cuando la entrada de modo diferencial es cero. Debemos determinar el efecto de una entrada no nula del modo diferencial. Por lo tanto, sea

v2 = v1 =

vd . En este caso la entrada de modo comn es nula y 2 v2 =

el punto esttico o de reposo es el punto Q representado en la figura 8. Volviendo al circuito del

vd v y v1 = d , vemos que cuando v 2 2 2 aumenta, tambin aumenta la corriente de emisor i E 2 y cuando v1 disminuye, tambin
amplificador diferencial bsico y poniendo disminuye la corriente

iE1 . Si las variaciones de v1 y v 2 no son excesivas, el aumento de iE 2 es igual a la disminucin de iE1 y por lo tanto no habr variacin de la corriente iE1 + iE 2 que
RE . As pues, la tensin de emisor v E1 = v E 2 se mantiene fija cuando se aplica la seal de modo diferencial. Pero, puesto que iE1 e i E 2 estn variando, vCE1 y vCE 2 deben
variar tambin de modo tal que:

circula en

CE1 = RC iC1
Visto de otra manera: y o

vce1 = RC ic1 vCE 2 = RC iC 2 vce 2 = RC ic 2

Las ecuaciones anteriores son las correspondientes a la recta de carga de modo diferencial del amplificador diferencial y la pendiente de estas rectas de carga es

1 . RC

La combinacin de las rectas de carga de modo diferencial y de modo comn define la regin de funcionamiento de cada transistor. Como cada seal de entrada tendr en general presentes ambas componentes, podemos establecer los confines de la regin de funcionamiento si conocemos los valores mximo y mnimo de las seales o de sus componentes de modo diferencial y de modo comn respectivamente.

3.3 RELACIN DE RECHAZO DE MODO COMN

Podemos escribir las tensiones de salida

vo1 y vo 2 como sigue:

vo1 = Ad vd Aa va
y donde

vo 2 = Ad v d Aa v a Ad , ganancia de modo diferencial, es:

Ad =

RC 2 hib + RB (hfe + 1)

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Aa , ganancia de modo comn, es:

Aa = RC 2 R E + hib + RB (hfe + 1) vd y no depende

En un amplificador diferencial ideal la tensin de salida es proporcional a de la tensin de modo comn

va . Segn esto, en un amplificador diferencial ideal Aa = 0 . Aa = 0 , RC tendra que

Esta condicin no se puede cumplir en la prctica, ya que para que

ser infinita. Con el fin de medir la desviacin con respecto al ideal, se utiliza una cantidad denominada relacin de rechazo de modo comn (RRMC). Se define como la relacin entre la ganancia de modo diferencial y la ganancia de modo comn.

RRMC =
Utilizando las ecuaciones anteriores nos queda:

Ad Aa

RB hfe RRMC = R 2 hib + B hfe

2 R E + hib +

As, tal como ocurre realmente en la prctica,

2 R E >> hib + RE hib + RB hfe

RB , entonces: hfe

RRMC

En general, la RRMC debe ser elegida de modo que:

RRMC >>

va vd

3.4 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE

Un buen amplificador diferencial tiene una ganancia diferencial muy grande, que es mucho mayor que la ganancia en modo comn. La habilidad del rechazo en modo comn del circuito puede mejorarse considerablemente, si se permite que la ganancia en modo comn sea lo ms pequea posible (idealmente 0). De las ecuaciones anteriores podemos ver que entre mayor sea RE , menor es Aa . Un mtodo popular para incrementar el valor en A.C de RE es

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utilizando un circuito de fuente de corriente constante. En la figura 9 se muestra un amplificador diferencial con una fuente de corriente constante para proporcionar un gran valor de resistencia del emisor comn a la tierra de A.C.

Figura 9.- Amplificador diferencial con fuente de corriente constante.

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Dispositivos de Electrnica de Potencia

Introduccin: Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales.

El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin).

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Aplicaciones : Traccin elctrica: troceadores y convertidores. Industria: o Control de motores asncronos. o Inversores. o Caldeo inductivo. o Rectificadores. o Etc.

A continuacin se describen los principales dispositivos de Electrnica de Potencia: Triac: El Triac puede ser considerado como la integracin de 2 SCRs en forma paralela invertida. El smbolo elctrico del TRIAC, as como sus caractersticas de Voltaje corriente, se muestran en la figura. Cuando la terminal T1 es positiva con respecto a la terminal T2, y el dispositivo es disparado por una corriente positiva en la terminal gate (+ig), ste se enciende. De igual forma, cuando la terminal T2 es positiva con respecto a la terminal T1 y el dispositivo es disparado por una corriente negativa en la terminal gate , el dispositivo tambin se enciende.

Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -T2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.

El modo de operacin del Triac, se describe a continuacin: El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.

La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin. Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de

puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin. Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.

El Triac es usado frecuentemente en muchas aplicaciones de baja potencia como extractores de jugo, mezcladoras y aspiradora. Es econmico y fcil de controlar en comparacin de 2 SCRs conectados en forma antiparalela . Sin embargo, el Triac tiene una baja capacidad de dv/dt y un largo tiempo de apagado. No es recomendable su uso en niveles altos de voltaje y corriente.

Diac: Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

GTO (Gate Turn-off Thyristor) Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate. El smbolo para el tiristor GTO usado ms frecuente, as como sus caractersticas de conmutacin se muestran en la figura. El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig), crece. Cuando la corriente en el gate alcanza su mximo valor I GR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (I A) es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en el gate (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.

La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (I A leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la

aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding I h, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc ac) a niveles de potencia en los que los MOSFETs, TBJs e IGBTs no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC DC, los GTOs, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porcin de la estructura es la combinacin de regiones n+ , p y n- que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la regin de flujo n- que es el drain D del MOSFET. Otra parte es la combinacin de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unin bipolar

entre el drain D y el source. La regin p acta como colector C, la regin n- acta como la base B y la regin p+ acta como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4 capas p +n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es parsito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente I D persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo V G que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el

voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente i D se autolimita.

El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. MCT (MOS- Controlled Thyristor) El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado. El smbolo de ste dispositivo se muestra en la figura. Est integrado por 2 MOSFETs, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga.

Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn que determina las propiedades de conduccin (y de bloqueo). Tambin, todos los MCTs tienen integrados dos dispositivos MOS para controlar las propiedades de conmutacin. Entre el nodo A y el ctodo K existe una estructura pnpn que como ya se mencion forma la estructura del tiristor del MCT. La regin gate nodo est formada por ms de 105 celdas. Este largo nmero de celdas provee superficies cortas de largas secciones transversales para una rpida y uniforme conmutacin de corriente. Dentro de la regin nodo gate existen dos MOSFETs. Uno de ellos es un canal p, tipo pnp que es usado para el encendido y el otro es un canal n, de tipo npn que es usado para el apagado. Existen otras regiones p-pn+ que producen el encendido y el apagado del MCT. La estructura descrita aqu es muy general y no muestra que solo el 4 por ciento de las celdas que posee el MOSFET sirven para el encendido.

En su operacin, si el ctodo K es positivo con respecto al nodo, no importando la polarizacin del gate, el MCT va a caer a un voltaje muy bajo, sta situacin debe ser evitada. Si el nodo A es positivo con respecto al ctodo K, y no existe un voltaje en le gate, el MCT permanece en estado de apagado hasta que un voltaje de ruptura es alcanzado cuando una avalancha de ruptura ocurre. En la prctica una pequea corriente de fuga I A leak existe en el estado de bloqueo hasta que la ruptura suceda y el dispositivo se encienda. Si el nodo es positivo con respecto al ctodo y un voltaje negativo es aplicado al gate, el MCT se enciende. La cada de voltaje VMCT (ON) es muy pequea y vara desde 0. 7 V sin carga hasta 1.1 V a plena carga. La corriente de nodo es limitada solo por el valor de la impedancia de la carga. Si el MCT est encendido, la aplicacin de un voltaje positivo en el gate, regresa al dispositivo al estado de apagado hasta que un voltaje negativo en el gate es aplicado.

Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 s) y que posee un elevado di/dt (1000 A/s) y dv/dt ( 5000 V/s), stas caractersticas superiores lo convierten en un dispositivo de conmutacin ideal y posee un tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta potencia, as como en distintas aplicaciones en la electrnica de potencia.

INTERRUPTOR CONTROLADO DE SILICIO (SCS)

El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta adicional. Puede usarse como un tiristor, pero que se dispara con pulsos positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. Sin embargo, tambin puede pasar al estado de no conduccin aplicando pulsos a las compuertas.

Un interruptor de silicio controlado consiste en una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con sendos transistores npn y pnp conectados como un par de realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro regiones, la realimentacin positiva es fcilmente controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador lineal de elevada ganancia de c.c. o como un interruptor.

El SCS es semejante en construccin al SCR. Sin embargo, el SCS tiene dos terminales de compuerta, como se muestra en la figura 1.1: la compuerta del ctodo y la compuerta del nodo. El SCS puede encenderse y apagarse usando cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR puede encenderse usando slo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible slo en rangos de potencia menores que las del SCR.

Compuerta andica (GA)

nodo (A)

Ctodo (K)

Compuerta Catdica (GK)

Figura 1.1 Interruptor controlado de silicio (SCS)

La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra en la figura 1.2. Se supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta andica lleva al Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la corriente de base al Q1. Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y se ilustra en la figura 1.2 (a).

+V

+V

RA A Q1 Encendido GA Q1 Apagado

RA

GA

GK

Q2 Encendido K

GK

I=0

Q2 Apagado K

(a) Paso a encendido: pulso positivo en GK o negativo en GA

(b) Paso a apagado: pulso positivo en GA o negativo en GK

Figura 1.2 Operacin del SCS

El SCS tambin puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del nodo, como se muestra en la figura (a). Esto energiza al Q1 hacia conduccin, en el que a su vez

proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2 est encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo as el estado encendido. Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del nodo. Esta accin polariza e inversa a la unin base-emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). El SCS tiene comnmente un tiempo de apagado ms rpido que el SCR.

Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el negativo en la del ctodo, existen otros mtodos para apagar un SCS. Las figuras 1.3 (a) y (b) muestran los mtodos de conmutacin para reducir la corriente del nodo abajo del valor de retencin. En cada caso, el transistor opera como un interruptor.

+V

+V

Q Encendido Q Apagado Q RA

RA Q Encendido Q Q Apagado

(a) El interruptor en serie apaga al SCS

(b) El interruptor en paralelo apaga al SCS

Figura 1.3

El interruptor transistorizado reduce la IA debajo de IH y apaga al SCS.

Aplicaciones

Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la ventaja de apagado ms rpido con pulsos en cualquiera de sus terminales de compuerta; sin embargo, es ms limitado en trminos de los rangos de corriente y voltaje mximos. Adems, el SCS se usa algunas veces en aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores y circuitos de sincronizacin.

P N GK P N GA N

P N

P N

(a)

(b)

(c)

Figura 1.4

La figura 1.4 (a) muestra las zonas dopadas de un interruptor controlado de silicio (SCS, en ingles Silicon Controlled Switch). Ahora un terminal externo se conecta a cada zona dopada. Imaginemos el dispositivo separado en dos secciones (b). Resulta equivalente a un latch con acceso a ambas bases (c). Un disparo de polarizacin directa en cualquiera de las bases cerrar el SCS. De la misma manera, un dispositivo de polarizacin inversa en cualquiera de las bases abrir el dispositivo.

DIAC
Bsicamente es un par de Diodos de cuatro capas en paralelo que permite el disparo en cualquier direccin. El Diac no conduce hasta que el voltaje a travs de l excede el voltaje de rompimiento a saturacin en cualquier direccin

El DIAC es un dispositivo de cuatro capas que puede conducir en ambas direcciones (bilaterales). En la figura 2.2 se muestra la construccin bsica y el smbolo esquemtico del DIAC. La ruptura ocurre en un voltaje relativamente bajo en ambos sentidos, despus de la cual el DIAC exhibe una resistencia negativa, elevndose la corriente rpidamente y disminuyendo el voltaje hasta un valor de servicio inferior, como se muestra en la figura 2.2.

El DIAC es un dispositivo de dos terminales que se conoce como diodo de conmutacin bidireccional. Este dispositivo se construye bsicamente de tres capas semiconductoras y utiliza el principio de ruptura de un transistor bipolar, aunque se disea de manera de que al suceder la segunda ruptura del transistor el dispositivo no se dae y pueda conducir corrientes considerablemente mayores.

N P

P N

(a)

(b)

Figura 2.1 Construccin bsica y smbolo del DIAC

En la construccin de estos dispositivos no se requiere que el transistor tenga una (beta) grande, pues esto implica que el ancho de la base sea pequeo, lo que ocasionara que al pasar una corriente apreciable sta se daara. Se requiere precisamente que el rea transversal de las tres capas sea igual y de preferencia grande para que el dispositivo pueda soportar corrientes y pueda aplicarse como dispositivo de disparo o proteccin.

Principio de operacin y curva caracterstica

La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al BVCEO del transistor bipolar. Debido a la simetra de construccin de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura BVCEO, presentando una regin de impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

Figura 2.2 Curva caracterstica del DIAC

Como se ilustra en la figura 2.2, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de sustentacin

La conduccin ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con cualquier polaridad, a travs de las dos terminales. La curva de la figura 2.2 ilustra esta caracterstica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una direccin que depende de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retencin.

El circuito equivalente de un DIAC consiste en cuatro transistores dispuestos como se ilustra en la figura 2.3 (a). Cuando el DIAC esta polarizado como en la parte (b), la estructura pnpn desde A1 a A2, proporciona la operacin del dispositivo con cuatro capas. En el circuito equivalente, Q1 y Q2 estn polarizados en directa y los Q3 y Q4 en inversa. El dispositivo opera en la porcin derecha superior de la curva caracterstica de la figura 2.2, bajo esta condicin de polarizacin. Cuando el DIAC est polarizado como se muestra en la figura 2.3 (c), la estructura pnpn, desde A2 a A1, es la que se usa. En el circuito equivalente, los Q3 y Q4 estn polarizados en directa y los Q1 y Q2 en inversa. El dispositivo opera en la porcin izquierda inferior de la curva caracterstica, como se muestra en la figura 2.2.

A1 R Q3 Q1 Q4 Q2 A2 A2 (a) (b) (c) A2 A1 R A1

Figura 2.3 Circuito equivalente del DIAC y condiciones de polarizacin.

Caractersticas y especificaciones Los fabricantes dan normalmente las siguientes caractersticas fundamentales de este dispositivo: VS Voltaje de ruptura, | VS | = | -VS | 10 % ; IS Corriente en el punto de ruptura; IP Corriente de pico durante un cierto tiempo; ep Voltaje pico de disparo en la salida.

EL DIODO SHOCKLEY
Los diodos Shockley, o diodos de cuatro capas, son dispositivos de dos terminales construidos para impedir la circulacin de la corriente directa hasta que sea alcanzada una tensin especificada de ruptura, para la cual el diodo se pone a conducir. La tensin de ruptura en el sentido inverso es mayor que en el directo y no est bien definida. Los diodos Shockley suelen ser dispositivos de baja potencia con tensiones directas de conmutacin desde 10 V hasta 200 V y valores de disipacin desde 0.5 W hasta 5 W. El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales (dispositivo de cuatro capas). La construccin bsica consiste en cuatro capas semiconductoras, que forman una estructura pnpn, como se muestra en la figura 3.1 (a). El smbolo esquemtico se muestra en la parte (b). nodo (A)

N P

nodo

Ctodo

N Ctodo (K) (a) Construccin bsica (b) Smbolo esquemtico Figura 3.1 Diodo Shockley

La estructura pnpn puede representarse por un circuito equivalente formado por un transistor pnp y uno npn, como se muestra en la figura 3.3 (a). Las capas pnp superiores forman al Q1 y las inferiores npn al Q2, con las dos capas intermedias compartidas por ambos transistores equivalentes. Observar que la unin base-emisor del Q1 corresponde a la unin pn 1 en la figura 3.1; la unin base-emisor del Q2 corresponde a la unin pn 3 y las uniones base-colector de ambos Q1 y Q2 corresponden a la unin pn 2.

P N N

Figura 3.2

El esquema de la figura 3.1 (a) se llam originalmente diodo Shockley debido a su inventor. Se usan varios nombres para este dispositivo: diodo de cuatro capas, diodo pnpn e interruptor unilateral de silicio (SUS: Silicon Unilateral Switch). El dispositivo solo permite el paso de corriente en una direccin.

La manera ms fcil de entender cmo funciona es imaginarlo en dos mitades separadas como se ve en la figura 3.2. La mitad izquierda es un transistor pnp y la derecha un transistor npn. En consecuencia el diodo de cuatro capas es equivalente al latch que aparece en la figura 3.3 (a).

La figura 3.1 (b) muestra el smbolo elctrico del diodo de cuatro capas. El nico modo de hacer que el diodo de cuatro capas conduzca es mediante el cebado, y la nica forma de abrirlo es con bloqueo por disminucin de corriente. En un diodo de cuatro capas no es necesario reducir la corriente a cero para abrir el latch. Los transistores internos del diodo de cuatro capas saldrn de la saturacin cuando la corriente se reduzca a un valor por debajo de lo que se llama corriente de mantenimiento (indicada en las hojas de caractersticas). Este valor es la mnima corriente necesaria para que los transistores pasen de saturacin a corte.

Una vez que el diodo de cuatro capas entra en saturacin, la tensin que cae en l disminuye a un valor pequeo, que depender de la corriente que circule.

nodo

Unin 1 pn Q1 Q1 Q2 Unin 2 pn Q2

Unin 3 pn

(a)

(b)

Figura 3.3 Circuito equivalente del diodo Shockley

Operacin bsica

Cuando se aplica un voltaje positivo de polarizacin al nodo respecto al ctodo, se muestra en la figura 3.3 (b), las uniones base-emisor de los Q1 y Q2 (uniones pn 1 y 3 en la figura 3.1 (a)) estn polarizadas en directa y la unin comn base-colector (unin pn 2 en la figura 3.1 (a)) est polarizado en inversa. En consecuencia, ambos transistores equivalentes estn en la regin lineal.

Para valores bajos de voltaje de polarizacin en directa, se establece una ecuacin para la corriente del nodo de la manera siguiente, usando las relaciones ordinarias del transistor y la figura 3.4.

IA = IE1 IC2 = IB1 IC1= IB2 Q2 K IK = IE2

Q1

Figura 3.4 Corrientes en un circuito equivalente al diodo Shockley bsico

En niveles de corriente bajos el alfa del transistor es muy pequea. Por consiguiente, en niveles de polarizacin bajos hay muy poca corriente del nodo en el diodo Shockley, as se encuentra en apagado o en la regin de bloqueo directo.

TRIAC
El TRIAC (trio de AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura bsica y smbolo aparecen en la fig.8. Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -- iT2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.

Figura 8 TRIAC: Estructura y smbolo.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta comn, como se muestra en la fig.9

Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales

como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1. No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).

Figura 9 Circuito equivalente de un TRIAC MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC:

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2. La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin.

Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.

El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4.

La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin

exterior

se

produce

la

entrada

en

conduccin.

Modo III - :

Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente.

Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.

Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.

El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.

Fig.10 Caractersticas V-I de un TRIAC

APLICACIONES TRIAC
La figura muestra un circuito con un Triac, que se utiliza para controlar la corriente a travs de una carga grande. R1 y C, modifican el ngulo de fase en la seal de compuerta, debido a este corrimiento de fase, el voltaje de la compuerta esta atrasado con respecto al voltaje de lnea un ngulo entre 0 y 90. El voltaje de lnea tiene un ngulo de fase de 0 mientras que el voltaje de la compuerta esta atrasado. Cuando este voltaje de la compuerta es suficientemente grande para alimentar la corriente de disparo, el Triac conduce. Una vez encendido el Triac, continua conduciendo hasta que el voltaje de lnea regresa a cero, debido a que R1 es variable, el ngulo de fase del voltaje de lnea se puede controlar por medio de la carga. Un control como este es muy til en calentadores industriales, alumbrado y otras aplicaciones de potencia alta.

Termostato electrnico En la configuracin actual este circuito enciende un motor u otro aparato cuando la temperatura alcanza un valor predeterminado, Si se quiere la operacin contraria, se debe de hacer el cambio que se indica abajo. El triac debe montarse en disipador conveniente de calor.

Destellador

Este circuito bsicamente es similar al flash, con la diferencia que este usa un oscilador por relajacin, formado por una lmpara nen, la cual se encarga de gatillar el SCR, cuando en las placas del capacitor de 0.2 F. hay ms de 60 voltios. Aqu el nodo y el ctodo del SCR substituyen al S1 del flaxh. Se producir un destello cada vez que le llegue un pulso negativo al gate dundo se enciende el nen. Los destellos por minuto se controlan con el potencimetro de 1M., el resistor de 150K y por supuesto, el capacitor de 0.2F.

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Un rectificador controlado de silicio (SCR, rectificador controlado de silicio) es un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes mas bien altas para una carga. El smbolo esquemtico del SCR se presenta en la figura 1.

Figura 1 Smbolo esquemtico y nombres de las terminales de un SCR.

Un SCR acta a semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente

del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es un dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida. El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un SCR en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 2. La alimentaci6n de voltaje es comnmente una fuente de 60-Hz de ca, pero puede ser de cd en circuitos especiales. Si la alimentacin de voltaje es de ca, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del ciclo de ca en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una fuente de 60-Hz de ca, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los que se dividen entre el tiempo que esta en ON y el tiempo que esta en OFF. La cantidad de tiempo que esta en cada estado es controlado por el disparador. Si una porcin pequea del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio que pasa a la carga es pequea. Esto es porque la corriente puede fluir de la fuente, a travs del SCR, y a la carga, s1o por una porcin relativamente pequea del tiempo. Si la seal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este en ON por un periodo mas largo del tiempo, entonces la corriente de carga promedio ser mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a travs del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta manera, la corriente para la carga puede variarse ajustando la porci6n del tiempo del ciclo que el SCR permanece encendido.

Figura 2 Relacin de circuito entre la fuente de voltaje, un SCR y la carga

Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el nodo del SCR es mas positivo que el ctodo. Esto significa que el SCR de la figura 2 no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga. FORMAS DE ONDA DE LOS SCR

Los trminos populares para describir la operacin de un SCR son ngulo de conduccin y ngulo de retardo de disparo. El ngulo de conduccin es el numero de grados de un ciclo de ca durante los cuales el SCR esta encendido. El ngulo de retardo de disparo es el nmero de grados de un ciclo de ca que transcurren antes de que el SCR sea encendido. Por supuesto, estos trminos estn basados en la nocin de que el tiempo total del ciclo es igual a 360 grados. En la figura 3 se muestran las formas de onda de un circuito de control con SCR para un ngulo de retardo de disparo. Al momento que el ciclo de ca inicia su parte positiva, el SCR esta apagado. Por tanto tiene un voltaje instantneo a travs de sus terminales de nodo y ctodo igual al voltaje de la fuente. Esto es exactamente lo que se vera si se colocara un interruptor abierto en un circuito en lugar del SCR. Dado que el SCR interrumpe en su totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a travs de la carga (VLD) es cero durante este lapso. La extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos. Mas a la derecha en los ejes horizontales, se muestra el voltaje de nodo a ctodo (VAK) cayendo a cero despus de aproximadamente un tercio del semiciclo positivo. Esto es el punto de 60. Cuando VAK cae a cero, el SCR se ha "disparado", o encendido. Por tanto, el ngulo de retardo de disparo es de 60. Durante los siguientes 120 el SCR se comporta como un interruptor cerrado sin voltaje aplicado a sus terminales. El ngulo de conducci6n es de 120. El ngulo de retardo de disparo y el ngulo de conducci6n siempre suman 180.

Figura 3 Formas de ondas ideales del voltaje de la terminal principal (V AK) y el voltaje de carga de un SCR. Para un ngulo de retardo de disparo de unos 60o, un ngulo de conduccin de 120o.

En la figura 3, la forma de onda del voltaje de carga muestra que, al dispararse el SCR, el voltaje de la fuente es aplicado a la carga. El voltaje de carga entonces sigue al voltaje de la fuente por el resto del semiciclo positivo, hasta que el SCR nuevamente se apaga. El estado OFF ocurre cuando el voltaje de la fuente pasa por cero. En general, estas formas de onda muestran que antes de que el SCR se dispare, el voltaje es retirado de entre las terminales del SCR, y la carga ve un voltaje cero. Despus de haberse disparado el SCR, la totalidad del suministro de voltaje es retirado a travs de la carga, y el SCR presenta voltaje cero. El SCR se comporta como un interruptor de accin rpida.

CARACTERSTICAS DE LA COMPUERTA DE LOS SCR

Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR

requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.

Figura 4 Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios para disparar un SCR.

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente continu fluyendo a travs de las terminales principales, de nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK) caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10 mA.

APLICACIONES DEL SCR

Tiene variedad de aplicaciones entre ellas estn las siguientes:

Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.

En la figura 4.29a se muestra un interruptor esttico es serie de medida de media onda. Si el interruptor est cerrado, como se presenta en la figura 4.29b, la corriente de compuerta fluir durante la parte positiva de la seal de entrada, encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se enciende, el voltaje nodo a ctodo (VF) caer al valor de conduccin, dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca prdida en el circuito de compuerta. Para la regin negativa de la seal de entrada el SCR se apagar, debido a que el nodo es negativo respecto al ctodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversin en la corriente de compuerta. Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura 4.29b. El resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea conduccin a menos de 180, el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico, dependiendo de la aplicacin.

(a) Figura 4.29

(b)

Interruptor esttico en serie de media onda.

En la figura 4.30a se muestra un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180. El circuito es similar al de la figura 4.29a, con excepcin de la resistencia variable y la eliminacin del interruptor. La combinacin de las resistencias R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada. Si R1 est en su valor mximo, la corriente de compuerta nunca llegar a alcanzar la magnitud de ence4ndido. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta se incrementar a partir del mismo voltaje de entrada. De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en cualquier punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura 4.30b. Si R1es bajo, el SCR se disparar de inmediato y resultar la misma accin que la obtenida del circuito de la figura 4.30b, el control no puede extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90, debido a que la entrada est a su valor mximo en este punto. Si falla para disparar a ste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la seal. A esta operacin se le menciona normalmente en trminos tcnicos como control de fase de media onda por resistencia variable. Es un mtodo efectivo para controlar la corriente rms y, por tanto, la potencia se dirige hacia la carga.

(a) Figura 4.30

(b)

Control de fase de resistencia variable de media onda.

BIBLIOGRAFA Circuitos de transistores clculos y aplicaciones Cowles Dispositivos electrnicos Tomo II Garca Electrnica Waterworth Principios de electrnica Malvino Dispositivos electrnicos 3 Floyd