MANEJO Y USO DE UN DETECTOR DE ESTADO SLIDO DE BARRERA SUPERFICIAL Carlos Eduardo Canto Escamilla Instituto de Fsica Universidad Nacional

Autnoma de Mxico Ciudad Universitaria 04510 Mxico, D. F.

Resumen En el presente trabajo se busc observar el funcionamiento detector de estado slido de barrera superficial, as como la metodologa que se debe seguir y los cuidados que se deben de tener en el montaje de un experimento en el cual se utilice uno; para ello se hizo uso de un detector de Si Li marca CANBERRA PD50 11 500 AM S/N 46848 BIAS 100 V sobre el cual se hizo incidir la radiacin proveniente de una fuente triple emisora de partculas alfa (berkelio americio neptunio) cuyas energas son de 5.15 MeV, 5.48 MeV y 5.82 MeV. Se obtuvo un espectro de la radiacin detectada y se determin la curva de calibracin del detector; a su vez, se pudo predecir en qu canal deberan de detectarse protones de 12 MeV como un mtodo para comprender una de las cosas que se deben de tener en cuenta cuando se decide el detector con el que se va a trabajar.

1. Introduccin
Ya que es el objetivo de este trabajar observar el funcionamiento de un detector de estado slido de barrera superficial, as como las precauciones que requiere su manejo y la instalacin de los mismos, es importante comenzar este informe con una descripcin de las caractersticas fundamentales de estos instrumentos; a su vez, tambin mencionaremos el mtodo por el cual convierten la informacin de las partculas cargadas que reciben, en una corriente elctrica. Para una descripcin detallada se pueden consultar las referencias [1], [2] y [3]. El uso de materiales semiconductores como detectores de radiacin genera una gran cantidad de portadores de carga por cada evento de radiacin incidente (en comparacin con otro tipo de detectores como, por ejemplo, los centelladores) siendo dichos portadores de carga, pares electrn vacante, los cuales son creados en el detector en camino que atraviesa la partcula cargada (ya sea la de la radiacin incidente o partcula secundaria liberada por dicha radiacin) Mediante una diferencia de potencial elctrico aplicada al detector, los pares se mueven y se genera una corriente elctrica que es la seal que se
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obtiene del detector (como se vio en el experimento, an cuando no se aplique un voltaje, una pequea cantidad de pares alcanza a llegar a las terminales del detector, por lo que se registra una seal de una intensidad muy baja) Los detectores de estado slido poseen varias caractersticas muy importantes, como lo son su rpido tiempo de deteccin, su tamao compacto y el hecho de que su grosor efectivo puede variarse a segn el experimento que se est realizando. Sin embargo, poseen la desventaja de que pueden degradarse por efecto de la radiacin que incide sobre ellos, limitndose as, su vida til. Cuando un cuerpo se presenta en la fase cristalina, la periodicidad de la red del cristal hace que existan regiones de energa (llamadas bandas) en las que los electrones pueden presentarse en el cristal; existen dos bandas a las que nos referiremos aqu, la primera es la llamada banda de valencia que es en la cual, los electrones se encuentran unidos a las capas externas de los tomos en puntos fijos de la red cristalina. La otra es la banda de conduccin, en la que los electrones son libres de migrar en todo el cristal; a la diferencia de energa entre ambas bandas (es decir, la energa mnima que se requiere para que un electrn pase de una banda a la otra) se le denomina ancho de banda, si el ancho de banda es grande, al material s ele llama aislante, pero si el ancho de banda es de un valor alrededor de 1 eV, entonces se le denomina semiconductor. Cuando el electrn deja la banda de valencia y pasa a la de conduccin (es decir, que se libera del tomo al que estaba asociado y puede migrar por todo el cristal) se crea un par electrn vacante, lo cual es importante sealar, ya que al aplicarle la diferencia de potencial elctrico al detector, ambos entes (cada uno con carga elctrica de igual magnitud y de signo opuesto) se desplazaran a partes distintas del instrumento. Una vez que se ha aplicado la diferencia de potencial elctrico, el movimiento de los electrones y de las vacantes estar dado por una velocidad al azar trmica y por una velocidad neta dada proporcional al campo elctrico externo y que es distinta para cada una de las partculas; esta velocidad aumenta con el campo elctrico hasta un valor mximo, para el cual, ya no se registra ningn incremento de la misma, estas velocidades de saturacin y los pequeos tamaos de los detectores, hacen que los tiempos de deteccin sean del orden de 10 ns. La diferencia entre las velocidades de las vacantes y los electrones hace que, dentro del detector, se formen corrientes que no duran la misma cantidad de tiempo, por lo que la carga inducida en el detector aumenta linealmente con dos pendientes distintas hasta obtener un valor mximo, el cual refleja la energa de la radiacin incidente. Si se considera un semiconductor, todos los pares son producidos por excitacin trmica y cada electrn en la banda de conduccin deja una vacante en la banda de valencia, sin embargo, las propiedades elctricas del material se encuentran caracterizadas por las impurezas que existen dentro de la red cristalina. Supongamos, por ejemplo, que un tomo
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de valencia 5 se encuentra dentro de la red cristalina del silicio (valencia 4) sustituyendo a un tomo original, cuando todos los enlaces covalentes se forman, un electrn queda dbilmente ligado al tomo de la impureza y requiere de muy poca energa para liberarse de l, sin formar una vacante. Ya que estos tomos no forman parte de la red cristalina pura, pueden ocupar sitios en la banda prohibida, los cuales estn muy cerca del fondo de la banda de conduccin, por lo que pueden contribuir a los electrones en dicha banda mediante efectos meramente trmicos. La concentracin de las impurezas, en general, suele hacer que la cantidad de electrones donados por ellas sea mucho mayor que la de los electrones esperados en la red cristalina pura, por lo que puede aproximarse que casi toda la concentracin de electrones en la banda de conduccin es igual a la concentracin de impurezas en el cristal. Aunque el nmero de vacantes ahora es menor que el nmero de electrones en la banda de conduccin, se preserva la neutralidad elctrica de todo el cristal (algo necesario para obtener el orden de largo alcance) dado que los tomos de las impurezas se encuentran ionizados; sin embargo, estos no pueden contribuir a la conductividad del material ya que se encuentran fijos en los sitios de la red cristalina. A los materiales en los que esto sucede se les llama semiconductores del tipo n y debido a que existen muchos ms electrones en la banda de conduccin que vacantes en la banda de valencia, la conductividad elctrica est determinada, casi en su totalidad, por los electrones. Si la impureza agregada fuera una de valencia 3 (siguiendo en el ejemplo de la red cristalina del silicio) y esta ocupase un sitio dentro de la red cristalina, uno de los enlaces covalentes quedara sin formarse formndose una vacante similar a la que se genera cuando el electrn pasa de la banda de valencia a la de conduccin, sin embargo, su energa no es la misma. Si un electrn llenase la vacante formada, quedara unido a un sitio de la red cristalina de manera ligeramente ms dbil que el resto de los electrones que participan en los enlaces, por lo que su energa se encuentra dentro de la banda prohibida, un poco arriba de la banda de valencia. De esta manera, ya que la diferencia de energa entre la banda de valencia de estos electrones y la banda de conduccin es ligeramente menor, una gran cantidad de electrones llenan las vacantes de las impurezas, dejando vacantes en los tomos de silicio que forman la red cristalina; de este modo, existen ms vacantes en la banda de valencia que electrones en la banda de conduccin, y la cantidad de dichas vacantes es proporcional a la concentracin de las impurezas dentro del cristal. Para que el semiconductor funcione como un detector de radiacin, se deben de colocar algn tipo de contactos en sus extremos para que se pueda colectar la carga elctrica. Si un contacto hmico es dispuesto, mucha de la corriente se pierde para el caso de detectores de silicio o de germanio, por lo que es importante colocar conectores de bloqueo, como lo
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son, las uniones semiconductoras tipo p- n, de las cuales se aplican los dos lados como los dos conectores debido a que es muy difcil inyectar electrones desde el lado p y es muy difcil inyectar vacantes desde el lado n. En una unin p n hecha en equilibrio termodinmico, algunos de los electrones del lado n migran al lado p, aniquilndose con algunas vacantes, del mismo modo, algunas vacantes del lado p se aniquilan con electrones del lado n, formndose as, cargas positivas fijas del lado n, y negativas fijas del lado p. Esto produce que se genere un campo elctrico que inhiba ms migraciones, crendose as una distribucin estable de cargas; en la zona (de los lados n y p) que no se da esto (la zona de reduccin) se genera una mejor regin para la deteccin de radiacin ya que se crea un campo elctrico (sin la necesidad de aplicar uno externo) muy chico que tiende a mover a los portadores de carga libres, por lo que este tipo de uniones es preferida cuando se disea un detector. Los detectores de barrera superficial constan de una unin p n en donde el material p forma una alta densidad de trampas de electrones en la superficie del cristal tipo n; los detectores se forman al evaporar una delgada capa de oro para formar el contacto elctrico, bajo condiciones que permitan un poco de oxidacin en la superficie ya que la capa de xido entre el silicio y el oro aumenta las propiedades de deteccin. Se debe de tener cuidado con la luz, pues causa una gran cantidad de ruido en este tipo de detectores, otra razn ms por las que se trabaja con ellos encerrados y en un vaco alto, tambin pueden daarse por vapores y por contacto directo. En los detectores semiconductores se produce ionizacin por cada fotn o partcula cargada que incide en el detector, dicha ionizacin es convertida a una seal de diferencia de potencial elctrica cuya amplitud es proporcional a la energa de incidencia del fotn. Los detectores de este tipo funcionan por una estructura de diodo simple formado por una oblea de material semiconductor (en nuestro caso Silicio activado con Litio) montada en un anillo de cermica con contactos elctricos en cada lado de la unin y las superficies metalizadas opuestas del anillo. Los contactos de la oblea son contactos rectificadores p (comnmente de Oro) y n en los lados opuestos y con una baja concentracin de portadores de carga; la superficie frontal est conectada con la carcasa exterior y aterrizada mientras que la superficie posterior est unida al conductor central del conector coaxial; en algunos arreglos, como el manejado en nuestro detector, el conector coaxial est ubicado a un lado del detector en vez de en el centro. Cuando el diodo es revertido parcialmente cualquier portador de carga libre es expulsado de la zona interior del detector y se genera le rea conocida como zona de reduccin activa. En el momento en que un fotn incide sobre la regin de reduccin activa, interacta con el material del semiconductor por medio de absorcin fotoelctrica, creando una vacante en
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una capa interna de los tomos que forman el material, liberndose con esto un fotoelectrn altamente energtico el cual interacta con otros tomos del cristal generndose mltiples eventos de ionizacin de bajas energas; dicho proceso termina cuando el electrn se detiene dentro del cristal. Como resultado de las interacciones, se generan un gran nmero de electrones libres y vacantes dentro del volumen activo del detector los cuales forman una nube que es separada por un campo elctrico establecido entre los contactos del detector los cuales atraen a los agujeros o a los electrones segn sea el caso establecindose una corriente dentro del detector que no se elimina hasta que todos los portadores de carga han llegado a alguno de los contactos. La carga neta acumulada en los contactos (proporcional al nmero de portadores de carga libres y por ende a la energa del fotn incidente) genera un pulso de diferencia de potencial elctrico que es enviado a un sistema de amplificacin y luego a un multicanal para su registro y posterior anlisis. Una vez que el detector ha recibido al fotn, requiere de un tiempo para volver a su estado original y poder recibir a un nuevo fotn, durante dicho tiempo cualquier radiacin que incida sobre el detector no es registrada como un pulso separado del anterior, por lo que debe de tomarse en cuenta dicho tiempo (denominado tiempo muerto del detector) al momento de considerar el espectro producido por nuestro sistema de deteccin. Los detectores no registran los fotones de igual manera para diferentes energas (es decir, no tiene la misma eficiencia), esto debido a varios factores como lo son el rea y el grosor de la regin activa, la capa muerta y el material de contacto y la ventana de entrada. Para bajas energas el efecto de absorcin en la ventana de Berilio del detector predomina junto con efectos adicionales de los contactos de oro y la capa muerta del material detector; esto hace que la eficiencia para energas chicas sea pequea y valla aumentando con el incremento de la energa de incidencia de los fotones hasta llegar a una zona en donde su crecimiento se vuelve ms lento. Algunas de las caractersticas operacionales de los detectores de barrera superficial son la corriente de escape (que es la pequea corriente que aparece cuando se aplica el voltaje para revertir al detector) el ruido electrnico que puede darse por las corrientes de escape o por malos contactos elctricos o por alta resistencia elctrica en los mismos, las variaciones ocurridas por el voltaje de inversin (el aumento con el voltaje de inversin de la altura de los pulsos producidos por radiaciones totalmente detenidas en la zona de reduccin, debido a la recoleccin incompleta de portadores de carga por efectos de recombinacin a lo largo del camino de la partcula incidente) Los efectos causados por la ventana de entrada o capa muerta se tienen que tomar en cuenta debido a que, cuando una partcula altamente cargada o una radiacin poco
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penetrante es detectada, la prdida de energa puede darse no slo en los electrodos metlicos si no en un grosor indeterminado del silicio, donde la recoleccin de carga es muy pobre; de este modo la zona muerta del detector puede ser funcin de la diferencia de potencial elctrico aplicada. Otro efecto es la canalizacin, que hace que los portadores de carga migren ms fcilmente en las direcciones determinadas por los ejes principales del cristal. Para altas energas, la eficiencia de deteccin es una funcin del grosor del volumen activo y comienza a decrecer con el incremento de la energa debido a la aparicin de efectos como el Compton por lo que se obtiene una grfica como la de la Figura 1.

Eficiencia

Energa de los fotones (keV)

Figura 1.- En la ilustracin se muestra el comportamiento de la eficiencia como funcin de la energa para un detector semiconductor. Imagen tomada de X ray Fluorescence (XRF) and Particle Induced X ray Emission (PIXE)

Lo que se obtiene del anlisis XRF es una serie de datos que relacionan la energa de incidencia de los fotones con el nmero de fotones detectados para una energa dada; al realizarse la grfica correspondiente se obtienen picos que representan las lneas espectrales caractersticas del material que se encuentran montadas en un fondo debido a varios efectos, dicho fondo debe de ser modelado para que se pueda conocer el rea real de cada pico, la cual es una medida del nmero de fotones que provienen de una transicin en concreto. Para conocer las reas se modelan a los picos mediante funciones matemticas (cuya complejidad depende del problema que se est analizando)
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2. Desarrollo Experimental
La actividad experimental referida en este informe consisti en la deteccin de partculas alfa de energas conocidas, provenientes de una fuente triple radiactiva, mediante el uso de un detector de estado slido de barrera superficial de Si Li marca CANBERRA PD50 11 500 AM S/N 46848 BIAS 100 V el cual fue colocado dentro de una cmara sellada y a la cual se le realiz un vaco mediante una bomba modelo PASCAL 2005SD. El trabajo comenz abriendo la cmara de experimentacin mediante una llave Allen, con el fin de limpiarla de cualquier agente contaminante que pudiera alterar el experimento a realizar; dicha limpieza se hizo utilizando alcohol y una estopa, frotando toda la zona interior de la cmara, los anillos con los que se cierra y los empaques para vaco usados con ella. Una vez limpia la cmara, colocamos el detector, mediante una serie de conectores y adaptadores, a la salida de la misma; al detector se le coloc la fuente radiactiva con un porta muestra y se fij mediante cinta adhesiva, teniendo el cuidado de slo tocar la muestra por los bordes (ya que cualquier contacto con la zona que contiene a la muestra podra llevarse el material radiactivo a los dedos y, adems de arruinar la fuente, causar daos a la salud) Unido el detector con la muestra, e instalado en la parte posterior de la cmara, se comenz a cerrar a esta, siguiendo un sentido horario, para que la unin no tuviera fugas que no permitieran un buen vaco dentro de la cmara. Acto seguido se coloc la manguera de la bomba de vaco al otro extremo de la cmara, se revis que la vlvula de esta estuviera completamente cerrada (de lo contrario podra daarse al detector y a la bomba) y se puso a funcionar a la bomba; con movimientos muy lentos se comenz a abrir la vlvula dndonos cuenta de los sonidos que haca la bomba y que sealan el estado de extraccin del aire dentro de la cmara, el proceso se sigui hasta que el ruido fue uniforme, momento en el que se abri completamente la vlvula y se dej trabajar la bomba. El vaco obtenido fue de 5.2 x 10-1 Torr. Debido a que la seal que se obtiene del detector es muy pequea, necesita amplificarse para poder analizarse, sin embargo, si se colocara la seal de salida directamente a un amplificador, este no la podra distinguir del ruido de fondo, por lo que es necesario de un pre amplificador que separe a la seal obtenida del ruido. El que nosotros utilizamos fue uno sensible a la carga modelo ORTEC 142, el cual se conect al detector empleando los cables ms cortos posibles pues, un cable largo podra hacer que la seal se perdiera antes de llegar a pre - amplificador o al amplificador. La otra importancia del pre amplificador es que mediante l es que se le conecta la fuente de poder al detector, dicha fuente hace funcionar al pre amplificador (al igual que al amplificador con otra entrada) y da la diferencia de potencial elctrico requerida para que el detector funcione, por lo que al pre amplificador se le conectan tres cables, el primero que

trae la seal del detector y que le da la diferencia de potencial al mismo, el segundo que proviene de la fuente de poder y el tercero que enva la seal al amplificador. El amplificador aumenta las seales recibidas de modo que puedan ser analizadas por un multicanal, el cual convierte la seal analgica en digital para que pueda ser estudiada y graficada mediante una computadora. Originalmente, no se aplic la diferencia de potencial elctrico al detector para que pudiramos observar, mediante el uso de un osciloscopio, el pulso formado, como fue explicado en la seccin anterior. En la Figura 2 se muestra un diagrama del arreglo empleado para esta actividad.

Bomba de vaco

Cmara de vaco
Colimadores
Fuente radiactiva y su escudo Detector semiconductor de barrera superficial

Partculas alfa
Medidor de vaco

Pre Amplificador

Amplificador Multicanal
Fuente de poder del pre amplificador y del detector

Computadora

Figura 2.- En la ilustracin se observa un diagrama del arreglo experimental utilizado para el experimento; los colimadores, el detector y la fuente se encuentran dentro de una cmara a la cual se le ha realizado un vaco. La fuente se encuentra envuelta en una capa de polimetil metacrilato.

Una vez que todo estuvo listo, se comenz a otorgar la diferencia de potencial elctrico al detector, aumentndolo de poco a poco en la fuente de poder hasta llegar al valor de saturacin en el detector que es de 100 V. Funcionando todos los sistemas, se conect el multicanal a una tarjeta de computadora especialmente diseada para reconocerlo; en la computadora, mediante el programa de anlisis espectral instalado en el laboratorio se grafic el espectro obtenido (nmero de cuentas contra nmero de canal) y se ubicaron los centroides de los picos pertenecientes a cada una de las partculas alfa caractersticas del decaimiento de los elementos presentes en la fuente. Ya que no se buscaba un anlisis complejo del espectro, se dio por terminado el experimento y se comenz a desmontar el arreglo, lo que consisti en seguir los pasos del montaje al revs; es decir, se apagaron la computadora, el multicanal y el amplificador, se
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redujo lentamente la diferencia de potencial elctrico de la fuente de poder y despus se la apag, se desconectaron todos los cables junto con el pre amplificador dejando slo la cmara y la bomba de vaco. La vlvula de la cmara comenz a cerrase lentamente y despus se apag la bomba de vaco, se desconect la manguera de la bomba y se abri ligeramente la vlvula para romper el vaco interno y que la cmara pudiera abrirse. El detector y la fuente fueron retirados y guardados, para despus volver a cerrar la cmara y dejar un vaco listo dentro para el prximo experimento. Con los valores de los centroides de los picos y las energas correspondientes se calibr el sistema de deteccin como se explica en la siguiente seccin.

3. Resultados
La Tabla 1 muestra los resultados provenientes del experimento realizado indicndose los centroides de los picos correspondiente a las partculas alfa caractersticas de la fuente as como sus energas asociadas; estos datos fueron empleados para calibrar al sistema de deteccin mediante un ajuste lineal por el mtodo de mnimos cuadrados, de modo que en la Tabla 2 se muestran los parmetros de la calibracin (es decir, el Offset y la Ganancia) as como el factor R del ajuste, las incertidumbres asociadas son las estadsticas derivadas del mtodo. En la Grfica 1 se muestran los valores usados para la calibracin, as como la recta ajustada a ellos. Nmero de canal 278 298 316 Energa (MeV) 5.15 5.48 5.82

Tabla 1.- En la tabla se indican los valores de los canales en donde se ubicaron los centroides de los picos asociados a las partculas alfa, as como su energa conocida. Dichos datos se utilizaron para la calibracin mostrada en la Tabla 2.

Ganancia (MeV / Ch) 0.01761 (0.00069) Offset (MeV) 0.2471 (0.2046) Parmetro R2 0.9969 Parmetro R 0.9984

Tabla 2.- En la tabla se indican los valores del parmetro y su raz cuadrada obtenidos al realizar un ajuste lineal a los datos de la tabla 1, los resultados de dicho ajuste tambin se muestran.

Grfica 1.- En la ilustracin se observan los valores graficados de la Tabla 1 as como el ajuste lineal descrito con la Tabla 2.

Con los datos de la Tabla 2 se pudo ubicar que protones incidentes que llegaran con una energa de 12 MeV seran detectados en el canal 667.

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4. Discusin
Se observ el espectro esperado con los tres picos correspondientes a las partculas alfa caractersticas de la fuente triple y se determinaron los centros de dichos picos, mediante ellos se realiz un ajuste lineal para calibrar al sistema de deteccin y se not que el resultado fue satisfactorio, con un parmetro R muy cercano a la unidad. Tambin se conocieron los detalles del trabajo experimental con los detectores de estado slido de barrera superficial as como los cuidados que hay que tener con ellos y con el resto de los instrumentos de trabajo para conservarlos en condiciones ptimas de funcionamiento.

5. Conclusiones
Entre las precauciones los cuidados aprendidos estn los que deben de tenerse con la bomba de vaco, por ejemplo, el evitar que se ahogue y siempre dejarla prendida mientras dure el experimento, la limpieza de la cmara (pues sin ella el vaco no se forma bien, daando a la bomba y metiendo partculas extra que pueden afectar la deteccin), el manejo del detector y de la fuente a los cuales siempre hay que sostenerlos de los lados para no tocar la ventana en el caso del detector o el material radiactivo en el caso de la fuente. El tipo de materiales con los cuales unir a la fuente y al detector (cinta adhesiva diurex en este caso) resulta muy importante pues una buena eleccin puede evitar que agentes externos influyan en la medicin realizada. Tambin conocimos los tratamientos con la fuente de poder (aumentar lentamente la diferencia de potencial enviada al detector para evitar quemarlo) y toda la electrnica empleada como la importancia del pre amplificador como instrumento para diferenciar la seal del ruido antes de la amplificacin y como control de la diferencia de potencial elctrico antes de que llegue al detector, la funcin del amplificador como medio para poder observar la seal recibida con el detector y poder estudiarla; el uso del multicanal y una computadora como herramientas del anlisis espectral. Adems, observamos la forma correcta de hacer conexiones (recurriendo a los cables ms pequeos y en mejores condiciones) y el cmo desmontar un experimento, para dejarlo listo para evitar daos al instrumental. Finalmente, se demostr la relacin lineal entre el nmero de canal donde el multicanal asigna la corriente que recibe, y la energa de las partculas que inciden en el detector, ya que el valor R2 fue casi uno; teniendo esto en cuenta se puede calibrar el espectro registrado.

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6. Bibliografa

[1] Gleen F. Knoll, Radiation Detection and Measurement Tercera Edicin, (John Wiley and Sons 2000, EE. UU. A.) 802 pp. [2] Ren E. Van Grieken, et. al. Handbook of X Ray Spectrometry, Segunda Edicin (Marcel Dekker, Inc. 2002, EE. UU. A.) [3] Rolf Woldseth, All you ever wanted to know about X Ray Energy Spectrometry, Primera Edicin (Kevex Corporation 1973, EE. UU. A.)

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