Sunteți pe pagina 1din 12

MANEJO Y USO DE UN DETECTOR DE ESTADO SÓLIDO DE BARRERA SUPERFICIAL

Carlos Eduardo Canto Escamilla

Instituto de Física

Universidad Nacional Autónoma de México

Ciudad Universitaria

04510 México, D. F.

Resumen

En el presente trabajo se buscó observar el funcionamiento detector de estado sólido de barrera superficial, así como la metodología que se debe seguir y los cuidados que se deben de tener en el montaje de un experimento en el cual se utilice uno; para ello se hizo uso de un detector de Si – Li marca CANBERRA PD50 – 11 – 500 AM S/N 46848 BIAS 100 V sobre el cual se hizo incidir la radiación proveniente de una fuente triple emisora de partículas alfa (berkelio – americio – neptunio) cuyas energías son de 5.15 MeV, 5.48 MeV y 5.82 MeV. Se obtuvo un espectro de la radiación detectada y se determinó la curva de calibración del detector; a su vez, se pudo predecir en qué canal deberían de detectarse protones de 12 MeV como un método para comprender una de las cosas que se deben de tener en cuenta cuando se decide el detector con el que se va a trabajar.

1. Introducción

Ya que es el objetivo de este trabajar observar el funcionamiento de un detector de estado sólido de barrera superficial, así como las precauciones que requiere su manejo y la instalación de los mismos, es importante comenzar este informe con una descripción de las características fundamentales de estos instrumentos; a su vez, también mencionaremos el método por el cual convierten la información de las partículas cargadas que reciben, en una corriente eléctrica. Para una descripción detallada se pueden consultar las referencias [ 1 ], [ 2 ] y [ 3 ].

El uso de materiales semiconductores como detectores de radiación genera una gran cantidad de portadores de carga por cada evento de radiación incidente (en comparación con otro tipo de detectores como, por ejemplo, los centelladores) siendo dichos portadores de carga, pares electrón – vacante, los cuales son creados en el detector en camino que atraviesa la partícula cargada (ya sea la de la radiación incidente o partícula secundaria liberada por dicha radiación) Mediante una diferencia de potencial eléctrico aplicada al detector, los pares se mueven y se genera una corriente eléctrica que es la señal que se

1

obtiene del detector (como se vio en el experimento, aún cuando no se aplique un voltaje, una pequeña cantidad de pares alcanza a llegar a las terminales del detector, por lo que se registra una señal de una intensidad muy baja)

Los detectores de estado sólido poseen varias características muy importantes, como lo son su rápido tiempo de detección, su tamaño compacto y el hecho de que su grosor efectivo puede variarse a según el experimento que se esté realizando. Sin embargo, poseen la desventaja de que pueden degradarse por efecto de la radiación que incide sobre ellos, limitándose así, su vida útil.

Cuando un cuerpo se presenta en la fase cristalina, la periodicidad de la red del cristal hace que existan regiones de energía (llamadas bandas) en las que los electrones pueden presentarse en el cristal; existen dos bandas a las que nos referiremos aquí, la primera es la llamada banda de valencia que es en la cual, los electrones se encuentran unidos a las capas externas de los átomos en puntos fijos de la red cristalina. La otra es la banda de conducción, en la que los electrones son libres de migrar en todo el cristal; a la diferencia de energía entre ambas bandas (es decir, la energía mínima que se requiere para que un electrón pase de una banda a la otra) se le denomina ancho de banda, si el ancho de banda es grande, al material s ele llama aislante, pero si el ancho de banda es de un valor alrededor de 1 eV, entonces se le denomina semiconductor.

Cuando el electrón deja la banda de valencia y pasa a la de conducción (es decir, que se libera del átomo al que estaba asociado y puede migrar por todo el cristal) se crea un par electrón – vacante, lo cual es importante señalar, ya que al aplicarle la diferencia de potencial eléctrico al detector, ambos entes (cada uno con carga eléctrica de igual magnitud y de signo opuesto) se desplazaran a partes distintas del instrumento.

Una vez que se ha aplicado la diferencia de potencial eléctrico, el movimiento de los electrones y de las vacantes estará dado por una velocidad al azar térmica y por una velocidad neta dada proporcional al campo eléctrico externo y que es distinta para cada una de las “partículas”; esta velocidad aumenta con el campo eléctrico hasta un valor máximo, para el cual, ya no se registra ningún incremento de la misma, estas velocidades de saturación y los pequeños tamaños de los detectores, hacen que los tiempos de detección sean del orden de 10 ns. La diferencia entre las velocidades de las vacantes y los electrones hace que, dentro del detector, se formen corrientes que no duran la misma cantidad de tiempo, por lo que la carga inducida en el detector aumenta linealmente con dos pendientes distintas hasta obtener un valor máximo, el cual refleja la energía de la radiación incidente.

Si se considera un semiconductor, todos los pares son producidos por excitación térmica y cada electrón en la banda de conducción deja una vacante en la banda de valencia, sin embargo, las propiedades eléctricas del material se encuentran caracterizadas por las impurezas que existen dentro de la red cristalina. Supongamos, por ejemplo, que un átomo

2

de valencia 5 se encuentra dentro de la red cristalina del silicio (valencia 4) sustituyendo a un átomo original, cuando todos los enlaces covalentes se forman, un electrón queda débilmente ligado al átomo de la impureza y requiere de muy poca energía para liberarse de él, sin formar una vacante.

Ya que estos átomos no forman parte de la red cristalina pura, pueden ocupar sitios en la banda prohibida, los cuales están muy cerca del fondo de la banda de conducción, por lo que pueden contribuir a los electrones en dicha banda mediante efectos meramente térmicos. La concentración de las impurezas, en general, suele hacer que la cantidad de electrones donados por ellas sea mucho mayor que la de los electrones esperados en la red cristalina pura, por lo que puede aproximarse que casi toda la concentración de electrones en la banda de conducción es igual a la concentración de impurezas en el cristal.

Aunque el número de vacantes ahora es menor que el número de electrones en la banda de conducción, se preserva la neutralidad eléctrica de todo el cristal (algo necesario para obtener el orden de largo alcance) dado que los átomos de las impurezas se encuentran ionizados; sin embargo, estos no pueden contribuir a la conductividad del material ya que se encuentran fijos en los sitios de la red cristalina. A los materiales en los que esto sucede se les llama semiconductores del tipo n y debido a que existen muchos más electrones en la banda de conducción que vacantes en la banda de valencia, la conductividad eléctrica está determinada, casi en su totalidad, por los electrones.

Si la impureza agregada fuera una de valencia 3 (siguiendo en el ejemplo de la red cristalina del silicio) y esta ocupase un sitio dentro de la red cristalina, uno de los enlaces covalentes quedaría sin formarse formándose una vacante similar a la que se genera cuando el electrón pasa de la banda de valencia a la de conducción, sin embargo, su energía no es la misma. Si un electrón llenase la vacante formada, quedaría unido a un sitio de la red cristalina de manera ligeramente más débil que el resto de los electrones que participan en los enlaces, por lo que su energía se encuentra dentro de la banda prohibida, un poco arriba de la banda de valencia.

De esta manera, ya que la diferencia de energía entre la banda de valencia de estos electrones y la banda de conducción es ligeramente menor, una gran cantidad de electrones llenan las vacantes de las impurezas, dejando vacantes en los átomos de silicio que forman la red cristalina; de este modo, existen más vacantes en la banda de valencia que electrones en la banda de conducción, y la cantidad de dichas vacantes es proporcional a la concentración de las impurezas dentro del cristal.

Para que el semiconductor funcione como un detector de radiación, se deben de colocar algún tipo de contactos en sus extremos para que se pueda colectar la carga eléctrica. Si un contacto óhmico es dispuesto, mucha de la corriente se pierde para el caso de detectores de silicio o de germanio, por lo que es importante colocar conectores de bloqueo, como lo

3

son, las uniones semiconductoras tipo p- n, de las cuales se aplican los dos lados como los dos conectores debido a que es muy difícil inyectar electrones desde el lado p y es muy difícil inyectar vacantes desde el lado n.

En una unión p – n hecha en equilibrio termodinámico, algunos de los electrones del lado n migran al lado p, aniquilándose con algunas vacantes, del mismo modo, algunas vacantes del lado p se aniquilan con electrones del lado n, formándose así, cargas positivas fijas del lado n, y negativas fijas del lado p. Esto produce que se genere un campo eléctrico que inhiba más migraciones, creándose así una distribución estable de cargas; en la zona (de los lados n y p) que no se da esto (la zona de reducción) se genera una mejor región para la detección de radiación ya que se crea un campo eléctrico (sin la necesidad de aplicar uno externo) muy chico que tiende a mover a los portadores de carga libres, por lo que este tipo de uniones es preferida cuando se diseña un detector.

Los detectores de barrera superficial constan de una unión p – n en donde el material p forma una alta densidad de trampas de electrones en la superficie del cristal tipo n; los detectores se forman al evaporar una delgada capa de oro para formar el contacto eléctrico, bajo condiciones que permitan un poco de oxidación en la superficie ya que la capa de óxido entre el silicio y el oro aumenta las propiedades de detección. Se debe de tener cuidado con la luz, pues causa una gran cantidad de ruido en este tipo de detectores, otra razón más por las que se trabaja con ellos encerrados y en un vacío alto, también pueden dañarse por vapores y por contacto directo.

En los detectores semiconductores se produce ionización por cada fotón o partícula cargada que incide en el detector, dicha ionización es convertida a una señal de diferencia de potencial eléctrica cuya amplitud es proporcional a la energía de incidencia del fotón. Los detectores de este tipo funcionan por una estructura de diodo simple formado por una oblea de material semiconductor (en nuestro caso Silicio activado con Litio) montada en un anillo de cerámica con contactos eléctricos en cada lado de la unión y las superficies metalizadas opuestas del anillo.

Los contactos de la oblea son contactos rectificadores p (comúnmente de Oro) y n en los lados opuestos y con una baja concentración de portadores de carga; la superficie frontal está conectada con la carcasa exterior y aterrizada mientras que la superficie posterior está unida al conductor central del conector coaxial; en algunos arreglos, como el manejado en nuestro detector, el conector coaxial está ubicado a un lado del detector en vez de en el centro.

Cuando el diodo es revertido parcialmente cualquier portador de carga libre es expulsado de la zona interior del detector y se genera le área conocida como zona de reducción activa. En el momento en que un fotón incide sobre la región de reducción activa, interactúa con el material del semiconductor por medio de absorción fotoeléctrica, creando una vacante en

4

una capa interna de los átomos que forman el material, liberándose con esto un fotoelectrón altamente energético el cual interactúa con otros átomos del cristal generándose múltiples eventos de ionización de bajas energías; dicho proceso termina cuando el electrón se detiene dentro del cristal.

Como resultado de las interacciones, se generan un gran número de electrones libres y vacantes dentro del volumen activo del detector los cuales forman una nube que es separada por un campo eléctrico establecido entre los contactos del detector los cuales atraen a los agujeros o a los electrones según sea el caso estableciéndose una corriente dentro del detector que no se elimina hasta que todos los portadores de carga han llegado a alguno de los contactos.

La carga neta acumulada en los contactos (proporcional al número de portadores de carga libres y por ende a la energía del fotón incidente) genera un pulso de diferencia de potencial eléctrico que es enviado a un sistema de amplificación y luego a un multicanal para su registro y posterior análisis.

Una vez que el detector ha recibido al fotón, requiere de un tiempo para volver a su estado original y poder recibir a un nuevo fotón, durante dicho tiempo cualquier radiación que incida sobre el detector no es registrada como un pulso separado del anterior, por lo que debe de tomarse en cuenta dicho tiempo (denominado tiempo muerto del detector) al momento de considerar el espectro producido por nuestro sistema de detección.

Los detectores no registran los fotones de igual manera para diferentes energías (es decir, no tiene la misma eficiencia), esto debido a varios factores como lo son el área y el grosor de la región activa, la capa muerta y el material de contacto y la ventana de entrada. Para bajas energías el efecto de absorción en la ventana de Berilio del detector predomina junto con efectos adicionales de los contactos de oro y la capa muerta del material detector; esto hace que la eficiencia para energías chicas sea pequeña y valla aumentando con el incremento de la energía de incidencia de los fotones hasta llegar a una zona en donde su crecimiento se vuelve más lento.

Algunas de las características operacionales de los detectores de barrera superficial son la corriente de escape (que es la pequeña corriente que aparece cuando se aplica el voltaje para revertir al detector) el ruido electrónico que puede darse por las corrientes de escape o por malos contactos eléctricos o por alta resistencia eléctrica en los mismos, las variaciones ocurridas por el voltaje de inversión (el aumento con el voltaje de inversión de la altura de los pulsos producidos por radiaciones totalmente detenidas en la zona de reducción, debido a la recolección incompleta de portadores de carga por efectos de recombinación a lo largo del camino de la partícula incidente)

Los efectos causados por la ventana de entrada o capa muerta se tienen que tomar en cuenta debido a que, cuando una partícula altamente cargada o una radiación poco

5

penetrante es detectada, la pérdida de energía puede darse no sólo en los electrodos metálicos si no en un grosor indeterminado del silicio, donde la recolección de carga es muy pobre; de este modo la zona muerta del detector puede ser función de la diferencia de potencial eléctrico aplicada. Otro efecto es la canalización, que hace que los portadores de carga migren más fácilmente en las direcciones determinadas por los ejes principales del cristal.

Para altas energías, la eficiencia de detección es una función del grosor del volumen activo y comienza a decrecer con el incremento de la energía debido a la aparición de efectos como el Compton por lo que se obtiene una gráfica como la de la Figura 1.

Eficiencia
Eficiencia

Energía de los fotones (keV)

Figura 1.- En la ilustración se muestra el comportamiento de la eficiencia como función de la energía para un detector semiconductor. Imagen tomada de X – ray Fluorescence (XRF) and Particle – Induced X – ray Emission (PIXE)

Lo que se obtiene del análisis XRF es una serie de datos que relacionan la energía de incidencia de los fotones con el número de fotones detectados para una energía dada; al realizarse la gráfica correspondiente se obtienen picos que representan las líneas espectrales características del material que se encuentran montadas en un fondo debido a varios efectos, dicho fondo debe de ser modelado para que se pueda conocer el área real de cada pico, la cual es una medida del número de fotones que provienen de una transición en concreto. Para conocer las áreas se modelan a los picos mediante funciones matemáticas (cuya complejidad depende del problema que se esté analizando)

6

2.

Desarrollo Experimental

La actividad experimental referida en este informe consistió en la detección de partículas alfa de energías conocidas, provenientes de una fuente triple radiactiva, mediante el uso de un detector de estado sólido de barrera superficial de Si – Li marca CANBERRA PD50 – 11 – 500 AM S/N 46848 BIAS 100 V el cual fue colocado dentro de una cámara sellada y a la cual se le realizó un vacío mediante una bomba modelo PASCAL 2005SD. El trabajo comenzó abriendo la cámara de experimentación mediante una llave Allen, con el fin de limpiarla de cualquier agente contaminante que pudiera alterar el experimento a realizar; dicha limpieza se hizo utilizando alcohol y una estopa, frotando toda la zona interior de la cámara, los anillos con los que se cierra y los empaques para vacío usados con ella.

Una vez limpia la cámara, colocamos el detector, mediante una serie de conectores y adaptadores, a la salida de la misma; al detector se le colocó la fuente radiactiva con un porta muestra y se fijó mediante cinta adhesiva, teniendo el cuidado de sólo tocar la muestra por los bordes (ya que cualquier contacto con la zona que contiene a la muestra podría llevarse el material radiactivo a los dedos y, además de arruinar la fuente, causar daños a la salud) Unido el detector con la muestra, e instalado en la parte posterior de la cámara, se comenzó a cerrar a esta, siguiendo un sentido horario, para que la unión no tuviera fugas que no permitieran un buen vacío dentro de la cámara.

Acto seguido se colocó la manguera de la bomba de vacío al otro extremo de la cámara, se revisó que la válvula de esta estuviera completamente cerrada (de lo contrario podría dañarse al detector y a la bomba) y se puso a funcionar a la bomba; con movimientos muy lentos se comenzó a abrir la válvula dándonos cuenta de los sonidos que hacía la bomba y que señalan el estado de extracción del aire dentro de la cámara, el proceso se siguió hasta que el ruido fue uniforme, momento en el que se abrió completamente la válvula y se dejó trabajar la bomba. El vacío obtenido fue de 5.2 x 10 -1 Torr.

Debido a que la señal que se obtiene del detector es muy pequeña, necesita amplificarse para poder analizarse, sin embargo, si se colocara la señal de salida directamente a un amplificador, este no la podría distinguir del ruido de fondo, por lo que es necesario de un pre – amplificador que separe a la señal obtenida del ruido. El que nosotros utilizamos fue uno sensible a la carga modelo ORTEC 142, el cual se conectó al detector empleando los cables más cortos posibles pues, un cable largo podría hacer que la señal se perdiera antes de llegar a pre - amplificador o al amplificador.

La otra importancia del pre – amplificador es que mediante él es que se le conecta la fuente de poder al detector, dicha fuente hace funcionar al pre – amplificador (al igual que al amplificador con otra entrada) y da la diferencia de potencial eléctrico requerida para que el detector funcione, por lo que al pre – amplificador se le conectan tres cables, el primero que

7

trae la señal del detector y que le da la diferencia de potencial al mismo, el segundo que proviene de la fuente de poder y el tercero que envía la señal al amplificador.

El amplificador aumenta las señales recibidas de modo que puedan ser analizadas por un multicanal, el cual convierte la señal analógica en digital para que pueda ser estudiada y graficada mediante una computadora. Originalmente, no se aplicó la diferencia de potencial eléctrico al detector para que pudiéramos observar, mediante el uso de un osciloscopio, el pulso formado, como fue explicado en la sección anterior.

En la Figura 2 se muestra un diagrama del arreglo empleado para esta actividad.

Cámara de vacío Bomba de vacío Colimadores Fuente radiactiva y su escudo Detector semiconductor de
Cámara de vacío
Bomba de vacío
Colimadores
Fuente radiactiva y
su escudo
Detector semiconductor
de barrera superficial
Partículas alfa
Medidor de vacío
Pre -
Amplificador
Amplificador
Computadora
Multicanal

Fuente de poder del pre – amplificador y del detector

Figura 2.- En la ilustración se observa un diagrama del arreglo experimental utilizado para el experimento; los colimadores, el detector y la fuente se encuentran dentro de una cámara a la cual se le ha realizado un vacío. La fuente se encuentra envuelta en una capa de polimetil metacrilato.

Una vez que todo estuvo listo, se comenzó a otorgar la diferencia de potencial eléctrico al detector, aumentándolo de poco a poco en la fuente de poder hasta llegar al valor de saturación en el detector que es de 100 V. Funcionando todos los sistemas, se conectó el multicanal a una tarjeta de computadora especialmente diseñada para reconocerlo; en la computadora, mediante el programa de análisis espectral instalado en el laboratorio se graficó el espectro obtenido (número de cuentas contra número de canal) y se ubicaron los centroides de los picos pertenecientes a cada una de las partículas alfa características del decaimiento de los elementos presentes en la fuente.

Ya que no se buscaba un análisis complejo del espectro, se dio por terminado el experimento y se comenzó a desmontar el arreglo, lo que consistió en seguir los pasos del montaje al revés; es decir, se apagaron la computadora, el multicanal y el amplificador, se

8

redujo lentamente la diferencia de potencial eléctrico de la fuente de poder y después se la apagó, se desconectaron todos los cables junto con el pre – amplificador dejando sólo la cámara y la bomba de vacío.

La válvula de la cámara comenzó a cerrase lentamente y después se apagó la bomba de vacío, se desconectó la manguera de la bomba y se abrió ligeramente la válvula para romper el vacío interno y que la cámara pudiera abrirse. El detector y la fuente fueron retirados y guardados, para después volver a cerrar la cámara y dejar un vacío listo dentro para el próximo experimento.

Con los valores de los centroides de los picos y las energías correspondientes se calibró el sistema de detección como se explica en la siguiente sección.

3. Resultados

La Tabla 1 muestra los resultados provenientes del experimento realizado indicándose los centroides de los picos correspondiente a las partículas alfa características de la fuente así como sus energías asociadas; estos datos fueron empleados para calibrar al sistema de detección mediante un ajuste lineal por el método de mínimos cuadrados, de modo que en la Tabla 2 se muestran los parámetros de la calibración (es decir, el Offset y la Ganancia) así como el factor R del ajuste, las incertidumbres asociadas son las estadísticas derivadas del método.

En la Gráfica 1 se muestran los valores usados para la calibración, así como la recta ajustada a ellos.

Número de canal

Energía (MeV)

278

5.15

298

5.48

316

5.82

Tabla 1.- En la tabla se indican los valores de los canales en donde se ubicaron los centroides de los picos asociados a las partículas alfa, así como su energía conocida. Dichos datos se utilizaron para la calibración mostrada en la Tabla 2.

9

Ganancia (MeV / Ch)

0.01761 (0.00069)

Offset (MeV)

0.2471 (0.2046)

Parámetro R 2

0.9969

Parámetro R

0.9984

Tabla 2.- En la tabla se indican los valores del parámetro y su raíz cuadrada obtenidos al realizar un ajuste lineal a los datos de la tabla 1, los resultados de dicho ajuste también se muestran.

1, los resultados de dicho ajuste también se muestran. Gráfica 1.- En la ilustración se observan

Gráfica 1.- En la ilustración se observan los valores graficados de la Tabla 1 así como el ajuste lineal descrito con la Tabla 2.

Con los datos de la Tabla 2 se pudo ubicar que protones incidentes que llegaran con una energía de 12 MeV serían detectados en el canal 667.

10

4.

Discusión

Se observó el espectro esperado con los tres picos correspondientes a las partículas alfa características de la fuente triple y se determinaron los centros de dichos picos, mediante ellos se realizó un ajuste lineal para calibrar al sistema de detección y se notó que el resultado fue satisfactorio, con un parámetro R muy cercano a la unidad.

También se conocieron los detalles del trabajo experimental con los detectores de estado sólido de barrera superficial así como los cuidados que hay que tener con ellos y con el resto de los instrumentos de trabajo para conservarlos en condiciones óptimas de funcionamiento.

5. Conclusiones

Entre las precauciones los cuidados aprendidos están los que deben de tenerse con la bomba de vacío, por ejemplo, el evitar que se ahogue y siempre dejarla prendida mientras dure el experimento, la limpieza de la cámara (pues sin ella el vacío no se forma bien, dañando a la bomba y metiendo partículas extra que pueden afectar la detección), el manejo del detector y de la fuente a los cuales siempre hay que sostenerlos de los lados para no tocar la ventana en el caso del detector o el material radiactivo en el caso de la fuente. El tipo de materiales con los cuales unir a la fuente y al detector (cinta adhesiva diurex en este caso) resulta muy importante pues una buena elección puede evitar que agentes externos influyan en la medición realizada.

También conocimos los tratamientos con la fuente de poder (aumentar lentamente la diferencia de potencial enviada al detector para evitar quemarlo) y toda la electrónica empleada como la importancia del pre – amplificador como instrumento para diferenciar la señal del ruido antes de la amplificación y como control de la diferencia de potencial eléctrico antes de que llegue al detector, la función del amplificador como medio para poder observar la señal recibida con el detector y poder estudiarla; el uso del multicanal y una computadora como herramientas del análisis espectral. Además, observamos la forma correcta de hacer conexiones (recurriendo a los cables más pequeños y en mejores condiciones) y el cómo desmontar un experimento, para dejarlo listo para evitar daños al instrumental.

Finalmente, se demostró la relación lineal entre el número de canal donde el multicanal asigna la corriente que recibe, y la energía de las partículas que inciden en el detector, ya que el valor R 2 fue casi uno; teniendo esto en cuenta se puede calibrar el espectro registrado.

11

6. Bibliografía

[ 1 ] Gleen F. Knoll, Radiation Detection and Measurement Tercera Edición, (John Wiley and Sons 2000, EE. UU. A.) 802 pp.

[ 2 ] René E. Van Grieken, et. al. Handbook of X – Ray Spectrometry, Segunda Edición (Marcel Dekker, Inc. 2002, EE. UU. A.)

[ 3 ] Rolf Woldseth, All you ever wanted to know about X – Ray Energy Spectrometry, Primera Edición (Kevex Corporation 1973, EE. UU. A.)

12