FET (Field Efect Transistor)

Transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta). Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS. En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP)) IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizacin de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga del circuito. Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0.

Ventajas y desventajas del FET

Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue: 1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET so ms estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor). 5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de tensin de drenaje a fuente. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones: 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre. 3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.

Tipos de FET
Se consideran tres tipos principales de FET: 1. FET de unin (JFET) 2. FET metal xido semiconductor de empobrecimiento empobrecimiento) 3. FET metal xido semiconductor de enriquecimiento enriquecimiento)

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MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO 2) (tambin llamada "slice") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje(drain). En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain). En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. La tcnica de fabricacin MOS permite obtener dispositivos semiconductores como transistores y circuitos integrados muy eficientes, con caractersticas especiales. Entre ellas se destacan el bajo consumo de corriente y el fcil manejo en los circuitos. Por esta razn este tipo de semiconductores se est utilizando mucho en todos los circuitos electrnicos modernos. Uno de los tipos de MOSFET, llamado MOSFET DE POTENCIA, que se utiliza para manejar corrientes altas, se ha vuelto muy popular debido a su capacidad para controlar fcilmente cargas grandes como motores, bobinas, amplificadores de audio de gran potencia, etc. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

Principio de operacin de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.