1-1 Electrónica de Potencia

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING.
ELECTRICA
1-1 Introduccin a la electrnica de potencia -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA La electronica de potencia combina tres desarrollos tecnolgicos importantes: La energa, La electrnica y el control La energa, tiene que ver con los equipos de potencia estticos (acumuladores) o rotativos (generadores elctricos), encargados de la generacin primaria elctrica, como as tambin de su transmisin y distribucin a los consumidores. La electrnica, se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido, requeridos en el procesamiento de la conversin y tratamiento de las seales elctricas para cumplir con los objetivos del control. El control, se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La electronica de potencia, la podemos definir como la electronica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. La electrnica de potencia, se basa fundamentalmente en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia y la generacin de las seales elctricas de disparo y apagado de estos dispositivos, acorde a los requerimientos del control. Los desarrollos tecnolgicos de los microprocesadores, ha tenido gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. Un equipo electrnico de potencia moderno, en comparacin al ser humano, podemos decir que utiliza semiconductores de potencia, equivalente a los msculos y microelectrnica , equivalente al cerebro. La electronica de potencia, tiene variadas aplicaciones en la industria como ser en los controles de calor, controles de iluminacin, control de velocidad y par de motores de corriente continua y alterna, sistemas de propulsin de vehculos, sistemas de corriente continua de alto voltaje (HVDC), etc. Historia breve de la electrnica de potencia En 1900 aparece la vlvula rectificadora de mercurio para rectificacin; luego le sigue el rectificador de tanque metlico, la vlvula de vaco no controlada, la vlvula de vaci controlada por rejilla, en sus variantes: Ignitrn, fanotron y Tiratrn, nicos dispositivos que se utilizaron hasta 1950. En 1948 se inventa el transistor de silicio pnp y npn. En 1956 aparece el transistor de disparo pnpn que posteriormente se defini como tiristor o rectificador controlado de silicio. En 1958, La General Electric (GE) desarroll comercialmente el SCR (rectificador de potencia controlado de silicio). A partir de 1970, comienza a escala comercial el desarrollo de los circuitos integrados y nuevos semiconductores de potencia. Desde fines de los aos 1980 y principios de los noventa, la combinacin de los dispositivos semiconductores de potencia y la microelectrnica, a travs de los microcomputadores (con microprocesadores) y microcontroladores, la electronica de potencia adquiere mucha importancia, a travs de sus aplicaciones en el mundo moderno A continuacin, daremos como primer ejemplo de aplicacin de la electronica de potencia, un esquema general, en bloques, de un convertidor de energa elctrica: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
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Fuente Primaria De energa elctrica
Actuador Electro mecnico y proteccin primaria
Filtro para la corriente de entrada
Transformador De potencia
Central de alarmas luminosa,acustica pantalla de PC
Fuente de alimentacin de tensin continua para circuitos electrnicos
Proteccin semiconductores (T,U>>,I>>, dv/dt, di/dt)
Actuadores electromecnicos y proteccin secundaria
Filtro para la tensin de salida
CONVERTIDOR DE POTENCIA CON SEMICONDUCTORES
Sistema controlado (motor cc,ca, Horno elect. Iluminac,etc
aislacion elctrica circuito de control Generacin Pulsos de Disparo semiconductores
Transductor de la variable controlada
SISTEMA DE CONTROL Analgico con AO o digital programado Lazo de control Procesamiento Energia elctrica Seal de referencia de control
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

CONVERTIDORES DE ENERGIA ELECTRICA CON SEMICONDUCTORES DE POTENCIA (CIRCUITOS BASICOS) Convertidor de CA a CC (rectificadores no controlados): Convierten la energa elctrica de corriente alterna en energa de corriente continua. Cuando se utilizan diodos, el valor de la tensin CC de salida, esta determinada por el valor de la tensin de entrada. A estos convertidores tambin se les denomina rectificadores no controlados.
ve vo t
-ve
ve
vo
Convertidor de CA a CC (rectificadores controlados: En este caso, el valor de la tensin continua de salida y la potencia elctrica convertida, puede ser controlada, variando el tiempo de conmutacin de los semiconductores interruptores. En el dibujo, vemos un rectificador controlado con tiristores del tipo SCR.

ve vo t
-ve
ve
vo
Convertidor de corriente alterna a corriente alterna (controladores de voltaje) Estos convertidores convierten una tensin alterna de valor eficaz fijo, en una tensin alterna de valor eficaz variable y controlable. Como ejemplo bsico, presentamos un circuito que utiliza como interruptor bidireccional un tiristor del tipo TRIAC. Estos convertidores se les denomina tambin controladores de voltaje. Aplicaciones tpicas de esta conversin pueden ser como arrancadores de motores de ca., control de iluminacin, etc. El control de la tensin eficaz de salida, para este caso, se logra variando el ngulo de conduccin del interruptor semiconductor.
ve vo
vo
ve
Convertidor de corriente continua a corriente continua (pulsadores) Estos convertidores, denominados tambin como pulsadores o reguladores de tensin continua por conmutacin, el voltaje promedio de la salida, se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin t1 respecto al periodo T. El siguiente dibujo, nos muestra un convertidor bsico, realizado con un transistor bipolar de potencia. La ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4

tensin continua de salida, depender del tiempo t1, cuya relacin con el periodo, esta dado por t1= .T, siendo , la relacin del ciclo del convertidor. Si calculamos el valor de la tensin de salida, esta resulta: Vo(promedio) = . Ve
Vbe t Ve Vo vo t 0 t1 T
Convertidores de corriente continua a corriente alterna (inversores) Estos convertidores, convierten una fuente de tensin continua, en una fuente de corriente alterna Se les denomina a estos convertidores, inversores

vg1 vg2 t T/2 vg3 vg4 t vo Vcc t -Vcc T
En el caso del circuito presentado, en el tiempo, desde cero a T/2, se hacen conducir los transistores de efecto de campo (MOS) M1 y M2. a partir de T/2, se cortan M1 y M2 y se hacen conducir a M3 y M4, obtenindose sobre la carga RL una corriente alterna. En el tiempo T nuevamente se repite el ciclo de conduccin de los interruptores MOS. Este convertidor tiene varias aplicaciones siendo una de ellas, controlar la velocidad de motores de ca. Interruptores estticos Se utilizan para interrumpir corriente alterna o corriente continua en aplicaciones todo o nada, en forma similar como lo hacen los interruptores electromecnicos o contactores.
ve t vo t1 t

En el circuito simplificado, tenemos dos SCR que actan como interruptores. La conmutacin (cierre y apertura) se hace en el cruce por cero de la tensin de entrada. La grafica muestra la tensin de entrada y salida donde hasta el tiempo t1, los SCR se alternan en su conduccin de manera tal que sobre la carga, prcticamente la tensin vo es prcticamente igual a ve. A partir de t1, ambos SCR dejan de conducir y la tensin sobre la carga pasa a valer cero volt DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Los denominados genricamente tiristores convencionales, desde su aparicin (1957) y hasta 1970, fueron los protagonistas principales, en las aplicaciones de conversin de la energa elctrica, por medios electrnicos. A partir de este ao, comenzaron a desarrollarse varios tipos de semiconductores de potencia. Estos, fueron fabricados en el material de silicio. Actualmente estos, se estn desarrollando en carburo de silicio, dado sus mejores prestaciones elctricas. En trminos generales, los dispositivos semiconductores de potencia, que se utilizan como interruptores, en los convertidores, se los clasifica en tres grandes grupos que son: DIODOS DE POTENCIA, TRANSISTORES DE POTENCIA, y TIRISTORES DE POTENCIA.
DIODOS DE POTENCIA: a)-De uso gral a frecuencia industrial b)-De alta velocidad o de recuperacin rpida. c)- De juntura Schottky o metal-semiconductor d)-De carburo de silicio.
TRANSISTORES DE POTENCIA: a)-Bipolares (BJT) b)-Efecto de campo de puerta aislada (MOSFET). c)-Bipolares de compuerta aislada (IGBT) d)-De induccin esttica (SIT) e)-COOLMOS (nueva tecnologa Mosfet)
TIRISTORES DE POTENCIA: a)- Controlados por fase (SCR) b)-Bidireccionales controlados por fase (BCT) c)-De conmutacin rpida (SCR) d)-De conmutacin rpida asimtrico (ASCRS) o de conduccin en sentido inverso (RCT) e)- Controlados de silicio fotoactivados (LASCR) f)-De trodo bidirecional (TRIAC) g)-De apagado por compuerta (GTO) h)-Controlados por FET (FET-CTH) i)-De apagado por MOS (MTO) j)-De apagado por emisor (ETO) k)-Conmutados por compuerta integrada (IGCT) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7

l)-Controlados por MOS (MCT) m)-De induccin esttica (SITH) CARACTERISTICAS Y ESPECIFICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA La electrnica de potencia, utiliza semiconductores que trabajan como interruptores de corriente elctrica. Dada la diversidad de estos dispositivos, estos, tendrn ventajas y desventajas para una determinada aplicacin. Esto define para su comparacin, caractersticas particulares en los interruptores semiconductores de potencia. Caractersticas ideales 1)- Estando cerrado, debe tener: a) La capacidad para conducir grandes corrientes (infinito, IF=). b) Cada de voltaje baja (Von=0). c) Baja resistencia a la conduccin (Ron=0). Esta baja resistencia elctrica, provocara baja potencia de perdida en el semiconductor (Pon=0) 2) Estando abierto debe tener: a) La capacidad de soportar un voltaje alto en directo y o inverso (VBR), que tienda a infinito. b) Una baja corriente de fuga (Ioff) en estado abierto, tendiendo a cero. c) Una gran resistencia en estado abierto (Roff), que tienda a infinito. 3) En el proceso de cierre y apertura, lo debe hacer en forma instantnea lo que le permita trabajar en alta frecuencia de conmutacin, por lo tanto debe tener: a) Tiempo corto de demora (td=0). b) Tiempo corto de subida (tr=0). c) Tiempo corto de almacenamiento (ts=0) d) Tiempo corto de cada (tf=0). 4) Para el cebado y apertura debe necesitar: a) Baja potencia de activacin de compuerta (Vg=0). b) Baja corriente de activacin de compuerta (Ig=0) 5) El interruptor debe ser capaz de manejar grandes variaciones del voltaje aplicado en sus extremos (dv/dt= ) 6) El interruptor debe ser capaz de soportar grandes variaciones de la corriente circulante que la atraviesa ( di/dt=) 7) El interruptor debe ser capaz de soportar corrientes de falla durante un tiempo largo por lo que los valores de IFS y I2.t deben ser muy alto (). 8) El interruptor debe poseer un coeficiente trmico negativo para la corriente conducida, para permitir la conexin en paralelo por igualacin de la corriente entre los dispositivos conectados. 9) El interruptor debe ser de bajo costo que permita construir convertidores de bajo precio. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8

CARACTERISTICAS DE LOS INTERRUPTORES ELECTRONICOS REALES Tiempos de conmutacin
Vsw VCC Vsw(sat) t Isw Isw(sat) Isw(off) t td Ig IGS 0 vG VGS 0 Psw t t Ts=1/fs tr tn ts tf to t. enc. t. apag.

El dibujo anterior, muestra las variaciones temporales de la tensin, corriente y disipacin de potencia, de un dispositivo interruptor semiconductor controlado, cuando se lo excita en su compuerta por una fuente de seal Vg. En ella se determinan los siguientes tiempos: td: tiempo de demora tr: tiempo de subida t.enc.= td + tr : tiempo de cerrado o encendido ts : tiempo de almacenamiento tf : tiempo de bajada t.apag.=td + tf : tiempo de apertura o apagado La potencia disipada del interruptor, durante la conmutacin vale: Psw = 1/Ts.( tr p.dt + tfp.dt) Es la suma de la potencia disipada durante el encendido y la potencia disipada en la apertura. Pcerrado =1/Ts.(tn+tsp.dt) : potencia disipada promedio durante el tiempo que esta cerrado. Pabierto = 1/Ts.(to+tdp.dt) : potencia disipada promedio durante el tiempo que esta abierto PG = 1/Ts.(td+tr+tnp.dt) : potencia promedio disipada en la compuerta. La potencia total disipada por el dispositivo interruptor vale: PT = Psw + Pcerrado +Pabierto +PG
Especificaciones de los interruptores semiconductores suministradas por los fabricantes Capacidades de voltaje : Voltajes pico repetitivos directo e inverso y cadas de voltaje directo en estado cerrado. Capacidades de corriente: Corriente promedio, eficaz (rms), de pico repetitivo, de pico no repetitivo y de fuga en estado abierto. Velocidad o frecuencia de interrupcin: Representa la mxima frecuencia que el dispositivo puede conmutar. Esta relacionado con el tiempo de recuperacin inversa. Su valor esta dado por: Fs = 1/Ts = 1/ (td+tr+to+tn+ts+tf)
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Capacidad de di/dt: El dispositivo necesita un tiempo mnimo para que toda la superficie conductora intervenga para conducir la corriente. Si la corriente aumenta con rapidez, el flujo de corriente podra concentrarse en ciertas regiones puntuales del semiconductor, creando tensiones trmicas que podran daar el dispositivo. La di/dt se limita, conectando en serie con el semiconductor un pequeo inductor, denominado amortiguador serie. Capacidad de dv/dt: Los semiconductores tienen capacitancias internas en las junturas (Cj). Si el voltaje aplicado en sus extremos cambia rpidamente segn una dv/dt, puede ocasionar corrientes altas en estas capacidades (Cj.dv/dt) que pueden destruir al interruptor. La dv/dt se limita, conectando en paralelo con el interruptor, un circuito RC, denominado amortiguador paralelo. Perdidas por conmutacin: Son las originadas durante el proceso de cierre y apertura del interruptor. A mayor frecuencia de conmutacin, estas perdidas aumentan, pudiendo ser mayores que las perdidas cuando el dispositivo conduce. Requisitos de activacin de compuerta: Son parmetros necesarios para encender y apagar al interruptor. Ademas fija los requisitos del equipo de excitacin de la compuerta del interruptor; en ocasiones, si la energa de excitacin es elevada, los costos del circuito de excitacin pueden ser mas altos que el equipo conversor. rea de operacin segura (SOA): Esta relacionado a la mxima disipacin de energa que el dispositivo puede soportar. Pdmax=V.I cte. En esta zona, por lo tanto, la corriente debe ser inversamente proporcional a la tensin. I2.t para proteccin con fusible: Este parmetro se necesita para seleccionar el fusible de proteccin. La I2.t del semiconductor debe ser mayor que la del fusible de proteccin, para que el interruptor semiconductor quede protegido cuando se den condiciones de falla. Temperaturas: Se determinan las mximas de las junturas , carcaza y de almacenamiento ( 150 a 200C ) (almac. -50 a 150C). Resistencias trmicas: Dan los valores de las resistencias trmicas entre juntura y base de montaje, base de montaje y radiador y resistencia trmica de los disipadores. En los interruptores con semiconductores, para limitar la temperatura, se montan sobre radiadores (disipadores de calor), para eliminar el calor generado en las junturas del dispositivo. Los fabricantes suministran datos de resistencias trmicas promedio y transitorias.

Caractersticas de conduccin y control de los interruptores semiconductores 1)-Activacin y desactivacin sin control:(Diodos) 2)-Activacin controlada y desactivacin sin control: (SCRTRIACRCT LASCR FET-CTH). 3)-Activacin y desactivacin controladas: (BJTMOSFETGTOSITHIGBT SITMCT) 4)-Requisito de seal continua en compuerta: (BJTMOSFETIGBTSIT) 5)-Requisito de pulso en la compuerta: (SCRGTOTRIACRCTSITH LASCRMCTFET-CTH) 6)- Capacidad de soportar voltajes bipolares: (SCRGTOTRIACSITH) 7)-Capacidad d resistir voltajes unipolares: (BJTMOSFETIGBTMCTSIT) 8)-Capacidad de corriente bidireccional:( TRIACRCTBCT) 9)-Capacidad de corriente unidireccional:( SCRGTOBJTMOSFETMCT IGBTSITHSITDIODO). Pautas grales sobre el diseo de un equipo convertidor de energa elctrica Definido el tipo de convertidor requerido, los pasos a seguir para su diseo o a los efectos su seleccin, son los siguientes: 1)- Determinacin de las condiciones de trabajo, partiendo de las condiciones de: a- Valor y tipo de tensin sobre la carga. b- Valor y tipo de corriente sobre la carga c- Potencia elctrica a convertir. d- Tipo de carga como ser resistiva, inductiva, capacitiva, con FCEM o combinacin de ellas. 2)- Seleccin del circuito convertidor 3)- Seleccin del tipo de interruptores semiconductores a utilizar en el circuito convertidor. 4)- Seleccin de las caractersticas elctricas de los interruptores semiconductores, por medio de los clculos elctricos. 5)-Calculo y seleccin de la proteccin de los interruptores semiconductores, fuente de alimentacin y carga. 6)- Determinacin de la estrategia de control. 7)- Diseo de los circuitos de excitacin, y circuitos de control o mando. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Efectos perifricos de los convertidores de potencia elctrica Interferencia electromagntica Fuente de Energa Filtro de salida Convertidor De potencia Filtro de salida Carga
Excitacin y generacin seales de control
La operacin de los convertidores estn basados en la conmutacin de los interruptores semiconductores. Como resultado de estas conmutaciones, se producen armnicos tanto en la carga como en la fuente de energa primaria, provocando distorsiones de voltajes que son perjudiciales a otros equipos conectados al sistema de alimentacin. Estos equipos tambin pueden provocar interferencias en equipos de comunicaciones y sealizacin, por la generacin de seales de radiofrecuencia. La cantidad de estas distorsiones se miden en funcin de factores como: Distorsin armnica total (THD), Factor de desplazamiento (HF). Factor de potencia (IPF), factor de rizado etc. La disminucin de esta distorsiones se puede lograr utilizando filtros tanto en la entrada como en la salida. Tambin se puede lograr una disminucin, actuando sobre la estrategia de control. En lo referente a la emisin de radiofrecuencias interferentes, estas se pueden disminuir con blindajes metlicos conectados a tierra. Mdulos de potencia Los dispositivos interruptores de semiconductores, se pueden conseguir comercialmente como unidades aisladas o como mdulos. Un convertidor, requiere de dos, tres, cuatro, seis o ms de stos semiconductores, dependiendo del tipo de circuito utilizado para realizarlo. Los mdulos de potencia, duales (semipuente) cudruples (puente total) o sxtuples (puente trifsico completo), se pueden disponer para la casi todas las clases de dispositivos semiconductores. Estos mdulos tienen la ventaja de menos prdida en estado de conduccin, buenas caractersticas de conmutacin para altas tensiones y corrientes, con mayor velocidad de conmutacin que los dispositivos convencionales. Tambin es posible disponer comercialmente de mdulos que incluyen la proteccin contra los transitorios y los circuitos de excitacin.

Mdulos inteligentes En la actualidad, es posible disponer comercialmente de los denominados mdulos inteligentes o de potencia astuta. Son sistemas convertidores, con una electronica de potencia avanzada, que integran el modulo de potencia y el circuito perifrico. El circuito perifrico, esta compuesto por el circuito de excitacin, el sistema de aislamiento para las seales de excitacin, el circuito de proteccin y diagnostico (contra exceso de corriente, cortocircuito, carga abierta, sobrecalentamiento y exceso de voltaje), el sistema de control por microcomputadora, una fuente de corriente de control y un circuito para interconectar sensores para proteccin. Los usuarios, solo deben conectar las fuentes de poder externas (flotantes). La tecnologa de los mdulos inteligentes, puede considerarse como un solo bloque, que conecta la fuente de poder a cualquier carga. Respecto a la deteccin y proteccin, esta implementada con circuitos analgicos, con transistores de alta velocidad y amplificadores operacionales, con el fin de proporcionar un ciclo rpido de realimentacin, que permita la suspensin del funcionamiento del modulo, cuando las condiciones de operacin del sistema, se salen de las condiciones normales. Por ejemplo, se vigila constantemente la corriente de carga y si se sobrepasa un lmite preestablecido, se corta el voltaje de excitacin a los semiconductores interruptores. Lo mismo ocurre ante elevaciones excesivas de la temperatura, evitando de esta forma las fallas destructivas.

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Fuente Primaria De energa elctrica

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Filtro para la corriente de entrada

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Fuente de alimentacin de tensin continua para circuitos electrnicos

Proteccin semiconductores (T,U>>,I>>, dv/dt, di/dt)

Actuadores electromecnicos y proteccin secundaria

Filtro para la tensin de salida

CONVERTIDOR DE POTENCIA CON SEMICONDUCTORES

Sistema controlado (motor cc,ca, Horno elect. Iluminac,etc

aislacion elctrica circuito de control Generacin Pulsos de Disparo semiconductores

Transductor de la variable controlada

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vg1 vg2 t T/2 vg3 vg4 t vo Vcc t -Vcc T

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CARACTERISTICAS DE LOS INTERRUPTORES ELECTRONICOS REALES Tiempos de conmutacin

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