4.2.

2 Funcionamiento del FET El transistor bipolar, el cual est compuesto por 3 capas de material semiconductor, lo podemos comparar con una vlvula mecnica para controlar lquidos, por ejemplo, la del lavamanos de la casa, pero a la que le hemos hecho una ligera modificacin en la palanca de abertura, la cual ha sido cambiada por una pequea rueda peltn ( rueda bordeada de cucharones ) que la hace girar cuando recibe el impulso de una corriente de agua: A partir de este momento el flujo principal entre la entrada y salida de corriente de la vlvula(entre emisor y colector del transistor) puede ser fcilmente manejado con un pequeo chorro de corriente aplicado a las paletas del mecanismo rotatorio de apertura)corriente de polarizacin de base del transistor). Ahora imaginemos a una persona regando el jardn de su casa con una manguera, a la cual le puede graduar la salida del agua con la llave, esto lo podemos relacionar con el funcionamiento del transistor bipolar. Sin embargo, tambin se puede controlar el chorro de otra forma: Oprimiendo la manguera hasta cerrar la salida de agua, tal situacin se puede comparar con el principio de funcionamiento de un transistor FET, el cual controla el paso de corriente entre el terminal surtidor(source) y el terminal drenador(drain) mediante un campo electrosttico aplicado a un electrodo circular envolvente, terminal compuerta(gate), el cual se expande o contrae proporcionalmente al voltaje aplicado, para ensanchar o reducir el conducto imaginario que se forma en el material semiconductor empleado como canal central del cilindro metlico o semiconductor de la compuerta de control. Las muchas o pocas cargas negativas se dispersan por el ncleo en una distribucin, que rechazan el paso de las cargas elctricas de igual signo que conforman la corriente principal entre el surtidor y el drenaje, por el principio de que cargas elctricas iguales se repelen, y forzando la corriente a circular slo por el centro del ncleo semiconductor, el cual como se puede deducir es de solamente un tipo de material semiconductor n o p, este factor de por si diferencia en cierta medida a un FET de un transistor bipolar.

El transistor FET es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N

Smbolo de un FET de canal P

Por lo que, un FET ( Field-effect transistor ), es un dispositivo amplificador en el cual los portadores de corriente(electrones) son inyectados a un terminal( surtidor, source ) y pasan a otro( drenaje ) a travs de un canal semiconductor cuya resistividad depende de una regin de estrangulamiento(depletion region) motivada por la accin repelente del campo elctrico conectado al terminal de control(Compuerta, gate). La regin de estrangulamiento (campo de fuerza de los portadores minoritarios) se produce al rodear el canal con un material semiconductor de conductividad opuesta y polarizando inversamente la juntura PN resultante, mediante el terminal gate.

La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de la magnitud de la polarizacin inversa. Como en la polarizacin inversa es mnima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se comporta como una vlvula al vaco.

Un FET se parece en varias cosas a una vlvula amplificadora. La vlvula(Ya no se usan en equipos electrnicos), tiene alta impedancia de entrada(necesita seales con muy poca corriente), similar a la de un FET. Los transistores bipolares tienen baja impedancia de entrada(la seal de control opera en base a su corriente, sin importar mayormente sus variaciones de tensin). La ganancia de las vlvulas se mide en microohms(Gm). La ganancia de un transistor se mide en beta, y la de un FET en microohms, tal como en las vlvulas.