CIRCUITE DE POLARIZARE A TRANZISTORULUI Scopul Lucrrii: Cunoaterea calculului si experimentarea celor mai uzuale circuite de polarizare.

Una din problemele de baza in proiectarea circuitelor cu tranzistoare o constituie alegerea si proiectarea circuitului de polarizare. Circuitul de polarizare trebuie sa ndeplineasc urmtoarele condi ii: - Sa asigure punctul static de func ionare (PSF) cerut, specificat de obicei prin valorile curentului de colector IC si a tensiunii colector / emitor VCE la o temperatura ambianta ceruta; - Sa asigure stabilitatea PSF la varia ia parametrilor tranzistorului (ICB0, VBE, ) cu temperatura sau datorita dispersiei de fabrica ie a parametrilor. Partea Teoretica: Proprietatea fundamentala a tranzistorului bipolar este aceea de a fi capabil sa realizeze amplificarea semnalului electric. Amplificarea reprezint creterea amplitudinii semnalului electric si se realizeaz prin intermediul tranzistorului, dar pe seama unei energii suplimentare furnizat de o sursa extern. Pentru a amplifica semnale electrice tranzistorul trebuie pregtit ini ial. Aceasta const n trecerea unui curent continuu, numit si de repaus, prin jonc iunile sale. Spunem ca tranzistorul trebuie polarizat. In regim normal de func ionare, un tranzistor trebuie polarizat astfel: jonc iunea emitoare (baza_ emitor) trebuie polarizat direct, iar jonc iunea colectoare (baza_colector) polarizat invers. Polarizat astfel, tranzistorul func ioneaz in zona activa sau zona liniar, ceea ce asigur ca forma semnalului de la ieire sa fie identic cu cea de la intrare, dar cu amplitudine mrit. TIPURI DE CIRCUITE DE POLARIZARE a) Circuit de polarizare cu un singur rezistor in baz.

Ec RE = RB RC RC = T NPN RE RB = IBp = VRE ICp EC VCEp VRE ICp EC VBEp VRE IBp ICp (1) (2) (3) (4)

Dac nu se face nici un fel de precizare asupra lui VRE se alege VRE = 0,1EC. Daca >100 atunci se poate aprecia ca IEp ICp. Influenta rezistentei RE este urmtoarea: o cretere a lui IC duce la creterea lui VRE (IC IE) ceea ce nseamn ca VBE se va micora (in valoare absoluta) ducnd la scderea curentului de baza si de colector; avnd deci tendin a de a compensa varia ia ini ial a lui IC.

b) Circuitul de polarizare cu divizor in baz. Circuitul este prezentat in figura 2. Pentru acest circuit se deduc urmtoarele rela ii de dimensionare:

Ec RB1 RC

T NPN RB2 RE

VRE = 0,1 EC VRE ; ICp = IEp RE = ICp EC VCEp VRE RC = ICp EC VBEp VRE RB1 = ID + IBp VBE + VRE RB2 = ID ID = 10 IBp

(5) (6) (7) (8) (9) (10)

Indicele p indica faptul ca valorile tensiunilor si curen ilor sunt cele ce stabilesc un PSF dorit. OBSERVATII: - Valoarea tensiunii de alimentare EC trebuie sa satisfac rela ia: EC < Vceo . - Rela iile de dimensionare date sunt valabile si pentru tranzistoare PNP, cu tensiunea de alimentare Ec. Tensiunile de alimentare si curen ii se considera in valori absolute. Partea practica: 1. Se vor calcula valorile elementelor pasive din circuitele de polarizare prezentate pentru tranzistoare NPN BC 171. Se impune PSF cu ICp= 5mA, VCEp= 5V, VBEp=0.6V, EC= 10V. Se cunoate factorul de amplificare =200. 2. Se realizeaz practic cele doua variante, materializnd valorile lui RB, RB1, RB2 dintr-o component de valoare fixa si una semireglabil. RB=RB+RB ; RB1=RB1+RB1; RB2=RB2+RB2. 3. Se modifica elementele semireglabile Rb si Rb1, pana la identificarea PSF prin valorile VCEp (ICp). 4. Se determina limitele de varia ie ale PSF si se traseaz dreapta de sarcina statica (DSS) - Se conecteaz multimetru numeric intre colector si emitor (pe domeniul 20V tensiune continua) - Se modifica rezistenta semireglabil din baza pana se ob ine valoarea tensiunii VCE dorita. - Se conecteaz multimetru numeric in paralel cu rezistenta din colector si se msoar cderea de tensiune pe aceasta. - Se calculeaz curentul se colector ca raport ntre cderea de tensiune pe RC si valoarea acesteia. Practic se va ntocmi pentru fiecare circuit un tabel de genul celui de mai jos in care se va completa tensiunea reglata VCE, tensiunea msurat pe RC si curentul de colector calculat si apoi se va trasa dependenta IC - VCE pe grafice separate. 2 3 4 5 6 7 8 9 VCE [V] 1 VRC[V] RC[] IC[mA] 5. Care vor fi coordonatele PSF (ICp si VCEp ) daca tranzistorul de inlocuieste cu altul cu =300?

Caracteristica de iesire a tranzistoarelor bipolare 1. Desenati schema alaturata corespunzatoare simularii caracteristicii de iesire a tranzistoarelor bipolare. Rb - Tranzistorul BC368 se gaseste in libraria EBIPOLAR; 0.01 - Sursa de alimentare este in libraria SOURCE (VDC); 1u Ib - Sursa de curent este in libraria SOURCE (IDC); - Pastrati notatiile de pe schema alaturata. 2. Editati profilul de simulare pentru analiza stationara in domeniul tensiune DC SWEEP: - Selectati VOLTAGE SOURCE, scrieti Vcc (sursa de alimentare), LINEAR de la 0 la 0.3 cu un increment de 0.001 (pe axa x in loc de timp va aparea Vcc); - Selectati PARAMETRIC SWEEP, CURENT SOURCE Ib, LINEAR, de la 1u la 25u cu un Increment de 5u (s-a facut o setare parametrica a curentului de intrare - pe axa Y va aparea curentul Ic datorita markerului pus in colector). 3. Efectuati simularea, vizualizati caracteristica de iesire, desenati forma de unda si trageti concluziile.

R1 Vcc 10
I

0.01 Q1

BC368

Proiectarea schemei de polarizare a unui tranzistor bipolar pentru un PSF (Ic=5mA si Vce=5V) 1. Deschideti un fisier nou OrCad. ! ! ! ! 2. Desenati schema alaturata de polarizare a unui tranzistor bipolar pastrand notatiile. 3. Editati profilul de simulare pentru Analiza Tranzitorie in domeniul timp TIME DOMAIN, Run to Time 40ms, Start saving data 0, si Maximum step size de 100u. 4. Setati butoanele V si I din partea de sus a ecranului, care indica faptul ca dupa simulare pe schema vor aparea tensinile si curentii din circuit. 5. Simulati schema, inchideti graficul si vizualizati schema cu potentialele si curentii din diferite puncte de pe ea. 6. Proiectati rezistenta Rb dandu-i valori succesive aproximate, astfel incat sa se obtina un curent in colector Ic de 5mA si diferenta de potential dintre colector si emitor (Vce) sa fie de 5V. Notati in caiete aceasta valoare.

Vcc R5 ? 400k Rc 800 10

se proiecteaza valoarea

Q2

0
BC368

Re 200