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Elaborado Por: Luis Guillermo Durango Mercado
Electrnica orgnica
La electrnica orgnica naci en 1977
con el descubrimiento de los polme-
ros conductores, por parte de Hide-
ko Shirakawa, Alan Heeger y Alan Ma-
cDiarmi. Este descubrimiento los con-
dujo a ganarse el premio Nobel de qu-
mica en el ao 2000.
Los materiales orgnicos se dividen en
compuestos, de pocas molculas (mo-
nmeros y oligmeros) y en compuestos
de grandes cantidades de molculas o
compuestos polimricos. Estos mate-
riales tienen la capacidad de conducir
energa y emitir luz gracias a que tie-
nen una confguracin especfca, de-
nominada conjugacin. Esta confgura-
cin se caracteriza por la alternacin de
enlaces simples y dobles en la cadena
principal de estos materiales.
Los materiales orgnicos con propie-
dades electrnicas y optoelectrnicas
han sido toda una revolucin en la in-
dustria electrnica, la cual los ha co-
menzado a implementar en pantallas
para celulares, televisores, celdas fo-
tovoltaicas, lseres, etc., adems de
implementar nuevas aplicaciones ta-
les como, papel electrnico, mscu-
los artifciales, ventanas inteligentes,
nervios artifciales, entre otras.
La electrnica orgnica an no alcanza
el desempeo de la electrnica tradi-
cional del silicio y el germanio, pero en
el mediano plazo, se espera que reem-
place a los semiconductores inorgni-
cos en el campo optoelectrnico, gra-
cias a su facilidad de fabricacin, bajo
precio y mejor desempeo. En el largo
plazo, se espera que los semiconduc-
tores orgnicos mejoren su velocidad
y puedan competir con la electrnica
tradicional en todos los campos.
Introduccin
La vertiginosa velocidad con que se
dan los avances en la industria electr-
nica, conlleva a la bsqueda de nue-
vos materiales y campos de aplicacin
de los dispositivos electrnicos. Como
resultado de esta bsqueda, nace la
electrnica orgnica, la cual se refe-
re a los materiales orgnicos (que son
aquellos que estn constituidos por
carbono principalmente y que se en-
lazan generalmente con unos pocos
elementos, entre los cuales, los princi-
pales son: carbono, hidrgeno, oxge-
no y nitrgeno) que tienen un rol acti-
vo en la industria electrnica, es decir,
aquellos materiales que cumplen fun-
ciones anlogas a los semiconducto-
res y conductores y que los pueden re-
emplazar en muchas aplicaciones, con
mejor rendimiento y ms bajo costo de
fabricacin, adems de crear nuevos
campos de aplicacin, tales como el
papel electrnico, las pantallas fexi-
bles, las ventanas inteligentes, ms-
culos y nervios artifciales. etc.
Esta rama de la electrnica nace en
1978, cuando el japons Hideko Shi-
rakawa en colaboracin con Alan Hee-
ger y Alan MacDiarmi de la Universi-
dad de Pensilvania, descubren los po-
lmeros conductores y publican su des-
cubrimiento en el articulo Synthesis
of electrically contucting organic po-
lymers: Halogen derivatives of polya-
cetilene (CH)n, en el diario de la so-
ciedad qumica, Chemical Comunica-
tions. El descubrimiento fue conside-
rado como un gran suceso, tanto que,
Shirakawa, MacDiarmi y Heeger fue-
ron galardonados con el premio Nobel
de qumica en el ao 2000
1
.
Estos materiales orgnicos conducto-
res, han sido objeto de muchas inves-
tigaciones y desarrollos, tanto que en
1985 A. Tsumura, H. Koezuka y T. An-
do fabrican el primer dispositivo con
esta tecnologa, un FET orgnico, y al
ao siguiente Ching W. Tang y Steven
A. Van Slyke de Eastman Kodak fabri-
can el primero LED orgnico, basado
en molculas orgnicas de bajo peso
molecular. La cadena de adelantos con-
tinu con la fabricacin del primer LED
orgnico polimrico en 1990, por parte
de Jeremy Burroughs y sus colegas Ri-
chard Friend y Donald Bradley del labo-
ratorio Cavendish de la Universidad de
Cambridge en el Reino Unido y en 1997
con el lanzamiento al mercado del pri-
mer producto con esta tecnologa, un
display de color verde en un radio de
la Pioneer. A partir de esta fecha la in-
dustria a desarrollado papel electrni-
co, bateras orgnicas, OLEDs (LEDs or-
gnicos), OFETs (FETs orgnicos), mo-
nitores, condensadores, chips y un sin
nmero de dispositivos y nuevas apli-
caciones basadas en materiales org-
nicos. Esta nueva tecnologa no reem-
plazar en el corto y mediano plazo a la
tecnologa del silicio, debido a que sus
velocidades de conmutacin no son las
apropiadas, pero se espera que en lar-
ENTREGA 1
La electrnica orgnica an no alcanza el desempeo de la electrnica tradicional del silicio y el
germanio, pero en el mediano plazo se espera que reemplace a los semiconductores inorgnicos en el
campo optoelectrnico, gracias a su facilidad de fabricacin, bajo precio y mejor desempeo.
1
AMRUTRAO PATIL, Satish. Ladder Polymer for Photonic Applications. [en linea], s.l. Universidad de Bergischen,
febrero de 2004. p. 13 [consulta: 15 de octubre de 2004].
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go plazo, estas velocidades se alcancen
y domine una gran variedad de aplica-
ciones que hoy en da se basan en el
silicio, debido a que esta nueva tecno-
loga presenta un costo de manufactu-
ra ms bajo y en algunas aplicaciones
mejor rendimiento.
Por la importancia que tienen estos
avances tecnolgicos en la rama de la
electrnica, se decidi hacer como tra-
bajo de grado este texto, titulado Elec-
trnica Orgnica, que es una recopila-
cin en forma general del estado actual
de esta tecnologa, como texto introduc-
torio, en el cual puedan encontrar los
fundamentos y aplicaciones de la elec-
trnica orgnica, con el fn de que ad-
quieran un concepto mucho ms am-
plio de sta, que es, una de las vertien-
tes tecnolgicas con ms perspectivas
a principios de este siglo.
Semiconductores orgnicos
Los materiales orgnicos son compues-
tos que basan su estructura en el to-
mo de carbono. Este al igual que el si-
licio y el germanio hace parte del gru-
po IV de la tabla peridica y como es
caracterstica de los elementos de es-
te grupo, tiene una valencia de cuatro,
lo que le permite enlazarse con cuatro
tomos ms. El carbono como tambin
los dems elementos del grupo IV pre-
sentan una distribucin electrnica que
termina en s p , que determina que so-
lo son capaces de formar dos enlaces,
pero esto est muy alejado de la reali-
dad, en donde como ya mencionamos
se enlazan con cuatro tomos, enton-
ces, Como es posible que se formen
cuatro enlaces?. Para responder esta
pregunta primero tenemos que conocer
unos conceptos bsicos acerca de los
tomos, como son los de: orbital, hibri-
dacin y enlaces atmicos.
1.1 Orbital
Los electrones, como se descubri a
principios del siglo XX con los trabajos
de Planck
2
, Einstein
3
, de Broglie
4
, Hei-
senberg
5
y Schrdinger
6
, presentan
un comportamiento dual entre onda y
partcula, y este comportamiento con-
duce a que no se les pueda atribuir una
posicin fja, sino tan solo, un volumen
en el espacio en donde la probabilidad
de encontrar un electrn es mucho ma-
yor. A esta porcin en el espacio se le
denomina orbital. Del principio de ex-
clusin postulado por Pauli, para sis-
temas conformados por fermiones, se
determin que dos partculas subat-
micas no pueden existir, en un mismo
instante y lugar, con los mismos nme-
ros cunticos, es decir, no pueden te-
ner la misma energa, momento angu-
lar y momento de espin. Para hacerlo,
deben diferir en por lo menos uno de
estos nmeros. De acuerdo con esto,
en un orbital, a lo sumo pueden estar
dos electrones en el mismo instante,
siempre y cuando tengan espines di-
ferentes, es decir, antiparalelos.
Los trabajos de los cientfcos citados
arriba, determinan que un tomo est
conformado por un ncleo que consta
de protones con carga positiva y neu-
trones sin carga, que tienen la funcin
de mantener unidos a los protones que
mutuamente se repelen. Alrededor del
ncleo giran electrones en un nmero
tal que las cargas negativas son iguales
que las cargas positivas en el ncleo y
mantienen una neutralidad de cargas
en el tomo, adems, estos electrones
slo pueden ocupar capas o niveles de
energa discretos, los cuales solo pue-
den contener un nmero fjo de electro-
nes. Sin embargo, cada capa o nivel de
energa se divide en subniveles o sub-
capas, de diferentes energas discre-
tas. Dependiendo del nmero de pro-
tones del ncleo, los electrones de la
periferia, van llenando ordenadamente
cada subnivel de cada nivel de energa
permitido, hasta que todos los electro-
nes estn ubicados energticamente.
Por lo tanto, los electrones, que pueden
ser defnidos como una partcula funda-
mental u onda estacionaria, con carga
negativa, pueden ser ubicados en un
tomo, teniendo en cuenta su nivel de
energa o capa que ocupan y el sub-
nivel o subcapa de energa en la que
se encuentran. En el tomo, los elec-
trones tienen unas funciones de pro-
babilidad de existencia llamadas orbi-
tales, las cuales adoptan, segn Paula
Yurkanis
7
, diferentes formas de acuer-
do a la subcapa que ocupen y diferen-
tes tamaos de acuerdo a la capa en
que se encuentren. Estos orbitales en
la prctica son de cuatro tipos: s, p, d,
y f. Los orbitales s, son esfricos y sin
orientacin, los orbitales p tienen for-
ma de reloj de arena y se orientan a lo
largo de los tres ejes cartesianos, y los
orbitales d y f tienen formas y orienta-
ciones mucho ms complejas, pero en
el estudio de los semiconductores, no
tienen relevancia. Teniendo en cuenta
que en la prctica hay cuatro tipos de
orbitales, se puede inferir que tambin
en la prctica solo hay mximo cuatro
subcapas en cada nivel de energa.
Tambin cabe anotar que en las capas
llenas, siempre los orbitales contienen
dos electrones.

z
x
y
z
x
y
pz
z
x
y
py
z
x
y
px
Figura 1. Orbital 1S.
Figura 2. Orbitales tipo P.
2
Radiacin de cuerpo negro.
3
Efecto fotoelctrico.
4
Postulado de dualidad onda-partcula.
5
Principio de incertidumbre.
6
Ecuacin de onda de Schdinger.
7
BRUICE, Paula Yurkanis. Organic Chemistry. Second
edition. New York: Prentice hall. 1998. p.16
| Electrnica
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En un tomo individual a los orbitales
se les denomina orbitales atmicos,
pero cuando dos tomos se unen pa-
ra formar molculas, a los orbitales de
los electrones que mantienen unidos
a los tomos, se les denomina orbita-
les moleculares.
1.2 Hibridacin
La naturaleza, como dice Fred Hoyle
8
,
es amante de estar siempre energti-
camente relajada y sin tensiones, ra-
zn por lo cual en todo momento tien-
de a estar en el nivel de energa ms
bajo que permitan las condiciones am-
bientales. Esto conduce a la regla de
mxima multiplicidad de Hund, la cual
dice que en los orbitales atmicos, la
mayor estabilidad (menor energa) se
logra cuando los espines electrnicos
se encuentran desapareados. Esta re-
gla signifca que, en una capa o nivel
de energa, un orbital no contendr
dos electrones, hasta que todas las
subcapas de ese nivel no estn ocu-
padas por lo menos con un electrn.
De esta manera, cuando no tomamos
en cuenta la regla de Hund al hacer
la distribucin electrnica, estamos
cometiendo una equivocacin, y pa-
ra solucionarla tenemos que tener en
cuenta un proceso denominado pro-
mocin electrnica, el cual se ve en
la fgura 3 y consiste en promocionar
electrones que forman pares, a orbita-
les vacos de la misma capa. Este fe-
nmeno es posible ya que la diferen-
cia de energa entre los orbitales s y p
de una misma capa, es generalmente
del mismo orden de magnitud que la
energa de enlace
9
. La regla de Hund
y el proceso de la promocin electrni-
ca responden la pregunta de por qu
los tomos del grupo IV forman cuatro
enlaces y no dos. Sin embargo, depen-
diendo de las condiciones energticas
en las que se encuentren los tomos al
momento de formar molculas, los di-
ferentes tipos de orbitales de una ca-
pa estn en la capacidad de mezclar-
se en su totalidad o parcialmente pa-
ra formar orbitales hbridos. Este pro-
ceso de mezcla se denomina hibrida-
cin y consiste en combinar orbitales
atmicos con el fn de producir igual
nmero de orbitales atmicos mezcla-
dos, pero de caractersticas diferentes
a los originales
10
. Los diferentes tipos
de hibridacin que se pueden dar en
los tomos del grupo IV son: sp3, sp2
y sp (ver fgura 3). Estas se caracteri-
zan porque en la primera, los tres or-
bitales atmicos p y el orbital atmico
s se han mezclado para formar cua-
tro orbitales hbridos, en la segunda
solo el orbital atmico s y dos de los
p se han mezclado, formando tres or-
bitales hbridos y quedando el tercer
orbital atmico p sin hibridizar, y en la
tercera solo el orbital s y un orbital p
se han mezclado para formar dos or-
bitales hbridos, quedando dos orbita-
les p en su estado original.
1.3 Enlaces atmicos
Cuando dos tomos se unen para for-
mar una molcula, siempre la mol-
cula resultante tendr menos energa
que los dos tomos individuales, de lo
contrario, la unin no se dara y esto
es debido a que como ya dijimos, la
naturaleza siempre tiende a estar en
su estado de menor energa. En el ca-
so de las molculas formadas por los
elementos del grupo IV, estas se for-
man, cuando los tomos involucrados
en el enlace comparten sus electrones
de valencia (electrones desapareados
de la ltima capa), este mecanismo se
denomina enlace covalente. Este tipo
de enlace se da mediante el traslapo
de dos orbitales atmicos, y esta inte-
raccin da como resultado la forma-
cin de dos orbitales moleculares de
diferentes caractersticas. Para enten-
der esto, recordemos que los electro-
nes son ondas estacionarias y como
ya sabemos los orbitales representan
a los electrones. Por lo tanto, en este
orden de ideas, cuando dos orbitales
se traslapan o se unen generan una
unin que tiene la posibilidad de dar-
se de dos maneras. Una de esas posi-
bilidades es que las dos funciones de
probabilidad u orbitales estn en fase
(propiedad de las ondas) y que ambos
electrones tengan espines opuestos
(antiparalelos). Esta opcin, como di-
ce Paula Yurkanis
11
, origina un orbital
molecular que se caracteriza por te-
ner una densidad electrnica muy al-
ta, debido a que al estar en fase los
dos electrones, signifca que estos la
mayora del tiempo estarn juntos, lo
1s
2s 2s 2p 2p
2sp
3
2sp
2sp
3
2p
Hibridacin
Promocin
Hibridacin
Hibridacin
2p 2p
Figura 3. Tipos de hibridacin de los tomos del grupo IV.
8
HOYLE, Fred. Astronoma. Ediciones Destino, Barcelona (Espaa), 1962. Pg. 239.
9
NASSAU, Kurt. Las causas del dolor. Investigacin y ciencia. Prensa cientfca S.A. Barcelona (Espa-
a). N. 51. Dic 1980. Pg.56.
10
GARCIA, Arcesio, AUBAD, Aquilino, ZAPATA, Rubn. Hacia la qumica 2. Primera edicin. Bogota:
Editorial Temis, 1995. p. 28
11
BRUICE, Op. Cit, p.16
| Electrnica
62 |
cual ayuda a mantener a los dos to-
mos juntos, ya que cuando en el me-
dio de dos ncleos estn presentes
electrones, estos reducen la repulsin
electrosttica entre los protones. El he-
cho de que los electrones estn en fa-
se y tengan espines opuestos condu-
ce a que este orbital molecular se ca-
racterice por ser muy estable (este en
un nivel energtico bajo).
Este orbital molecular se denomina en-
lace orbital molecular. La otra opcin
es que los electrones estn desfasa-
dos y puedan tener espines paralelos,
lo que genera un orbital molecular de-
nominado antienlace orbital molecular,
como escribe Raoul Schroeder
12
, debi-
do a que al estar desfasados, la den-
sidad electrnica entre los ncleos es
muy baja y esto origina que la repul-
sin electrosttica entre los protones no
se reduzca. Tambin, tener la posibili-
dad de que bajo ciertas circunstancias
que no violan el principio de exclusin
de Pauli, los electrones tengan el mis-
mo espn, genera inestabilidad. Por lo
tanto, este antienlace orbital molecu-
lar, es un orbital que se caracteriza por
ser inestable e ir en contra de la exis-
tencia de la molcula, y de esta forma
presentar un nivel de energa mucho
mayor al anterior. Por lo tanto cuando
los electrones se encuentran en el or-
bital enlazante y el orbital antienlazan-
te est vaci la molcula est en su ni-
vel de mayor estabilidad (menor ener-
ga), pero cuando los electrones se en-
cuentran en el orbital antienlazante, si
solo uno de ellos est en ste, la mol-
cula pierde estabilidad, pero si los dos
electrones se encuentran en este orbi-
tal, la molcula tiende a no ser viable
debido a que se encuentra en un ni-
vel de energa muy alto (ms alto que
los dos tomos por separado).
Durante la formacin de un enlace,
cuando los dos orbitales atmicos se
aproximan el uno al otro para trasla-
parse, a medida que los electrones
de cada tomo comienzan a ser atra-
dos por las cargas positivas del n-
cleo del otro tomo, al igual que por
su propio ncleo, la energa potencial
elctrica comienza a disminuir, has-
ta llegar a un punto en que la aproxi-
macin de los tomos es tan peque-
a, que los ncleos empiezan a repe-
lerse. A la distancia en que se da este
fenmeno signifca, que la mayor es-
tabilidad (mnima energa) ha sido al-
canzada, con lo cual esta distancia co-
rresponde a la longitud propia del en-
lace. Por ejemplo, la longitud del enla-
ce hidrgeno-hidrgeno es de 0.74 .
La fgura 4 muestra que hay una dis-
minucin de la energa cuando se for-
ma el enlace covalente. De la misma
forma en que el enlace covalente tie-
ne una longitud determinada, durante
su formacin tambin se libera ener-
ga. Por ejemplo, cuando se forma el
enlace hidrgeno-hidrgeno se liberan
104Kcal/mol. Esta liberacin de ener-
ga durante la formacin implica que
para lograr la separacin de la mol-
cula se requiere la misma cantidad de
energa, la cual se denomina energa
de disociacin. De esta manera todo
enlace covalente tiene una longitud del
enlace caracterstica y una energa de
disociacin determinada
13
.
Continuando con la descripcin de los
enlaces atmicos, cuando dos tomos
de carbono se enlazan, dependiendo
Orbital atmico 2p Orbital atmico 2p
S* Antienlace orbital molecular
S Enlace orbital molecular
E
n
e
r
g

a
2 tomos de
hidrogeno
juntos
2 tomos de
hidrogeno
separados
104 Kcal/mol
Energa de
disociacin
0,74 A
-104 Kcal/mol
distencia internuclear
E
n
e
r
g

a

p
o
t
e
n
c
i
a
l
Figura 4. Energa de enlace.
Fuente: BRUICE, Paula Yurkanis. Organic Chemistry. 2nd edition. Prentice Hall. 1998. p.18.
Figura 5. Enlaces moleculares (sigma) entre orbitales atmicos p.
12
SCHOEDER, Roul. Characterization of organic and inorganic optoelectronic semiconductor devices using ad-
vanced spectroscopic methods. [en lnea]. s.l.: Virginia polytechnic Institute and
State University. 2001. <scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-01072002-094801/unrestricted/ Raoul_ Schroeder_
thesis.pdf > [consulta: Febrero de 2005]
13
BRUICE, Op. Cit, p. 18
| Electrnica
64 |
de que clase de orbitales se unen o
traslapan se dividen en dos tipos: en-
lace (p) y enlace (sigma). El en-
lace , se genera en el tomo de car-
bono, cuando se unen orbitales at-
micos hbridos. Este enlace se da a
muy corta distancia (longitud del en-
lace), razn por la cual es muy fuerte.
Este tipo de enlace es el encargado
de darle la fuerza caracterstica al en-
lace covalente.
El enlace , se forma cuando los or-
bitales que se traslapan son los orbi-
tales p que no han hibridizado, de tal
forma que este tipo de enlace slo se
da cuando los tomos han sufrido hi-
bridacin sp2 o sp, y ya que estos or-
bitales estn muy separados uno del
otro al enlazarse, debido a que entre
ellos siempre estar presente un en-
lace , no alcanzan la distancia ideal
(longitud del enlace), motivo por el cual
son de menor fuerza y por ende menos
estables que los enlaces . Es impor-
tante anotar que los enlaces , son los
enlaces que caracterizan a los enlaces
dobles y triples.

Habiendo entendido porque los to-
mos del grupo IV forman cuatro enla-
ces y no solo dos, y comprendiendo el
concepto de orbital y de enlace atmi-
co, muy seguramente Ud. se pregun-
tar, Por qu si el carbono est en el
mismo grupo del silicio y el germanio,
adems hibridiza igual y forma el mis-
mo tipo de enlaces, que origina que
el silicio y el germanio formen crista-
les semiconductores y el carbono cris-
talino, como es el caso del diamante
sea tan mal semiconductor? La res-
puesta, es que en los tomos en ge-
neral, tal como dice Kurt Nassau
14
, el
gap (diferencia de energa entre nive-
les discretos o bandas de energa) en-
tre niveles de energa adyacentes, va-
ria en forma inversamente proporcio-
nal al radio atmico, es decir a mayor
radio atmico, menor gap, por lo tan-
to, el carbono que es uno de los to-
mos con menor radio atmico debido
a su bajo peso, de acuerdo a lo ante-
rior, presenta un gap entre su nivel de
valencia y de conduccin que se sale
ligeramente del rango de los buenos
semiconductores, mientras que el sili-
cio y el germanio, los cuales son ms
pesados y de mayor radio, de acuer-
do a la premisa inicial, presentan una
diferencia energtica entre su nivel de
valencia y de conduccin que es me-
nor a la del carbono y est dentro de
los niveles energticos que caracteri-
zan a los semiconductores (3 eV). Des-
pus de esto, entonces Ud. se pregun-
tar, Como es posible hablar de se-
miconductores orgnicos?, para en-
tender como un compuesto orgnico
puede ser semiconductor, primero de-
bemos comprender que es lo que los
hace aislantes y para ese fn, observe-
mos primero las caractersticas elctri-
cas del tomo de carbono.
Orbital atmico 2p Orbital atmico 2p
Antienlace Porbital molecular
Enlace Porbital molecular
E
n
e
r
g

a
Figura 6. Enlaces moleculares p () entre orbitales atmicos p.
14
NASSAU, Op. Cit, p.58
Continuar...
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Elaborado Por: Luis Guillermo Durango Mercado
Electrnica orgnica
1.4 Caractersticas elctricas del to-
mo de carbono
El tomo de carbono es el elemento que
en la naturaleza presenta mayor versati-
lidad debido a su valencia de cuatro y a
su tamao, y gracias a esto sobrepasa
en decenas de veces a los dems ele-
mentos, en cuanto a la cantidad de com-
puestos que puede formar. Sin embargo
hasta antes de los aos 70, los compues-
tos orgnicos fabricados por el hombre
y por la naturaleza, haban tenido carac-
tersticas elctricas muy pobres para ser
considerados como conductores o se-
miconductores en la industria electrni-
ca. Por esta razn, en la industria siem-
pre los materiales orgnicos y los pls-
ticos sintticos han slo sido implemen-
tados como materiales aislantes, mate-
riales de soporte o como materiales fo-
terresistivos en la industria electro-pti-
ca de las impresoras, cmaras fotogr-
fcas, de la discografa, etc. La razn pa-
ra que ese comportamiento aislante se
d en los materiales orgnicos, recae en
varios aspectos, que son: el tipo de en-
laces que forman, organizacin o distri-
bucin de los enlaces y cantidad de to-
mos de carbono constituyentes. Los ma-
teriales orgnicos tradicionales son ais-
lantes debido a que por lo general pre-
sentan enlaces simples y dobles que no
estn alternados entre si, es decir no es-
tn conjugados, y si lo estn no se pre-
sentan en grandes extensiones.
De esta manera al no presentar conjuga-
cin en una gran cantidad de tomos y
de hacerlo en forma irregular, origina que
su comportamiento sea mayoritariamente
regido por las caractersticas elctricas
de los enlaces , los cuales presentan
un gap entre el enlace orbital molecular
y el antienlace orbital molecular dema-
siado grande, mayor a 6 eV
1
, lo que los
categoriza como materiales donde es
imposible promover un electrn desde
el orbital enlazante ocupado de mayor
energa (HOMO) al orbital antienlazan-
te desocupado de menor energa (LU-
MO), mediante una radicacin visible o
una fuente de campo elctrico conven-
cional. El enlace presenta un gap tan
amplio, debido a que es un enlace muy
fuerte y estable, y cuando algo es muy
estable implica que se encuentra a una
energa muy baja de acuerdo a las con-
diciones energticas de su entorno. Por
lo tanto, la energa del orbital enlazan-
te ms alto (HOMO) o nivel de valencia
ms alto de este enlace estar a una
energa muy baja. Sin embargo, el nivel
de conduccin ms bajo de este enla-
ce corresponde al orbital antienlazante
mas bajo (LUMO), el cual como ya co-
nocemos desestabiliza la molcula y co-
mo para desestabilizar algo muy esta-
ble hay que suministrarle mucha ener-
ga, este se encontrar a una energa
muy alta, lo que causa que el gap en el
enlace se tan amplio.
Por otro lado, si los anteriores factores
determinan a un compuesto orgnico
como aislante, Que caractersticas lo
defnen como conductor? Como vimos
anteriormente, un compuesto orgnico
no puede ser semiconductor mediante
una estructura cristalina de tipo atmi-
co como la del silicio o el germanio, ya
que de esta manera su gap sera muy
amplio, como en el caso del diaman-
te. En consecuencia para que un com-
puesto orgnico se comporte como un
semiconductor debe optar por otra al-
ternativa, la cual en su caso es la con-
jugacin, que consiste en una estruc-
tura de enlaces simples y dobles que
se alternan (ver fgura 7), pero a dife-
rencia de los aislante orgnicos, esta
conjugacin debe ser extensa, es decir
que se d a lo largo de toda una mol-
cula, o en su gran mayora, con lo cual
el material ya no ser regido por las ca-
ractersticas del enlace , sino por las
caractersticas del enlace .
El enlace , a diferencia del enlace , es
ms dbil y esta debilidad se traduce en
inestabilidad, lo que conduce a que el
gap del enlace sea menor que el del
enlace . Ud, se preguntar entonces,
Por qu el gap del enlace es mayor
que el del enlace ?, y la respuesta, se
basa en lo siguiente: como el enlace
es menos fuerte o menos estable que el
enlace , signifca que su energa ser
mayor y por tal razn su HOMO esta ubi-
cado a mayor energa que el HOMO del
enlace . Por otro lado, para desestabili-
zar algo no muy estable se necesita me-
nor energa que para hacerlo con algo
muy estable, y al ser el enlace menos
estable que el enlace , implica que, el
nivel de energa del LUMO del enlace
, este ubicado a menor energa que el
del enlace . (ver fgura 8).
c
c
c
c
c c
c
ENTREGA 2
Figura 7. Estructura de un polmero conjugado.
1
TURTON, Richard. El Punto Cuntico, la microelectrnica del futuro. Alianza Editorial S.A. Madrid.
1995. p. 60
| Electrnica
62 |
En la fgura 8, se ve el esquema ener-
gtico de una molcula que presenta
enlaces dobles, en sta n representa el
nmero de electrones que participan en
enlaces y m al nmero de electrones
que participan en enlaces . Para en-
tender mejor el carcter aislante o no de
un compuesto orgnico, consideremos
la fgura 9, en donde se muestran tres
tipos de dienos (compuestos orgnicos
que poseen enlaces doble), en sta ob-
servamos que aunque todas presentan
enlaces dobles, la fgura A, presenta un
comportamiento elctrico regido por el
enlace , mientras que en las fguras B
y C, predomina un comportamiento re-
gido por los enlaces , que se carac-
teriza porque sus orbitales se traslapan
a lo largo de toda la molcula, lo que
origina que los electrones de los siste-
mas , se encuentre deslocalizados en
las molculas individuales.

Por lo tanto, aunque un dieno aislante
contiene enlaces , y estos tienen un
gap reducido, al presentarse de forma
aislada, no permite que el compuesto
se comporte de extremo a extremo co-
mo un semiconductor. Por otro lado en
los dienos conjugados y alenos los en-
laces , se distribuyen por toda la mo-
c c c
c c c c c c
c c c c c c c c c
A. aislado
B. conjugado
C. aleno
lcula, y en consecuencia el gap es re-
ducido a lo largo de toda su extensin,
lo que bajo ciertas condiciones les per-
mitira comportarse como semiconduc-
tor. Ud, preguntar Por qu se dice que
bajo ciertas condiciones?, y la respues-
ta es que, la conjugacin aunque es un
requisito indispensable, no es sufcien-
te en todos los casos para que un com-
puesto orgnico adquiera propiedades
semiconductoras, debido a que, el que
el gap se reduzca, no signifca que que-
de dentro del rango de los materiales
semiconductores. Cuando este rango
es alcanzado se dice que el compues-
to es un semiconductor orgnico intrn-
seco, de lo contrario, si el material tiene
un gap por fuera de este rango que es
de 3 eV, es indispensable que el com-
puesto sea dopado, con el fn de redu-
cir aun ms la brecha energtica entre
el nivel de conduccin y el de valencia.
Sin embargo, el que un material org-
nico sea intrnsecamente semiconduc-
tor no signifca que no necesite ser do-
pado, ya que en estos ocurre lo mismo
que en los semiconductores de silicio
y germanio y es que la banda de va-
lencia est completamente llena y la de
conduccin completamente vaca, con
lo que no hay vacantes ni portadores
de carga que puedan hacer parte en
la conduccin, y si los hay, debido a la
promocin trmica, son en un nmero
muy bajo, adems, el semiconductor es
bipolar (que conduce al igual por medio
de electrones y de huecos), y en estas
condiciones no es til para ser utiliza-
do en dispositivos electrnicos.
Con el fn de suministrar los espacios va-
cos en la banda de valencia o los por-
tadores en la banda de conduccin y
de que el material conduzca mayorita-
riamente por huecos o electrones, es-
tos materiales necesitan ser dopados
de forma anloga a los semiconducto-
res inorgnicos. La diferencia entre el
dopaje de los materiales orgnicos e in-
orgnicos, es que en los inorgnicos, al-
gunos tomos del cristal son reemplaza-
dos por tomos dopantes, mientras que
en los materiales orgnicos los tomos
dopantes se insertan de forma adicional
sin reemplazar a los tomos en la cade-
na principal de la molcula
2
, adems el
dopaje se da mediante un proceso de
oxido-reduccin en donde interviene un
electrolito que se encarga de mantener
la electroneutralidad del sistema
3
. Co-
mo dice Oscar Larsson
4
, El dopaje en
los materiales orgnicos se da mediante
dos mtodos principales, que son: el do-
paje qumico y el electroqumico. El pri-
mero consiste en enlazar al material or-
gnico agentes dopantes, qumicos que
oxidan (remueven electrones) o reducen
(adicionan electrones) el compuesto or-
gnico. Cuando el material es oxidado
la electroneutralidad es mantenida me-
diante la adicin de aniones (cargas ne-
gativas) por parte del electrolito, en caso
contrario, es decir que se d una reduc-
cin, la neutralidad se mantiene median-
te la adicin de cationes (cargas positi-
vas) por parte del electrolito. El dopaje
qumico es utilizado cuando se necesi-
tan dopajes de altas concentraciones,
pero para niveles intermedios, este tipo
de dopaje no es muy apropiado, la ra-
zn, es que es difcil de variar y contro-
lar la concentracin de los agentes do-
pantes y encontrar agentes dopantes de
fuerza apropiada. En este caso se utili-
za el dopaje electroqumico, en el cual
la adicin o sustraccin de electrones se
da mediante un potencial elctrico y el
electrolito mantiene la electroneutralidad
al igual que en el dopaje qumico. Cabe
anotar que la remocin y adicin de elec-
trones se da en el sistema . el cual es
energticamente ms asequible.
El dopaje de los semiconductores, no
Antienlace orbital molecular S
Antienlace orbital molecular P
Enlace orbital molecular S
Enlace orbital molecular P
Energa
n spz
m ssp2
n spz
m ssp2
Figura 8. Diagrama de energa de un enlace molecular.
Figura 9. Tipos de dienos.
2
KANER, Richard B, y MACDIARMID, Alan G. Plsticos que conducen la electricidad. investigacin y
ciencia. Prensa Cientfca. 1988. p.64.
3
LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic electrochemical transistors. [en lnea]
s.l.Universidad de Linkpings. 2004.p.31<www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004>.[cons: Octubre: 2004].
4
Ibid, p. 31
| Electrnica
64 |
slo cambian las propiedades elctricas
del material, sino que tambin cambia el
color del material, ya que al introducir ni-
veles de energa en la banda prohibida,
estos nuevos niveles energticos absor-
ben algunas longitudes de onda adicio-
nales, lo que ocasiona el cambio de co-
lor del material dopado, este fenmeno
se denomina electrocromismo
5
.
Ahora Ud. se preguntar, Por qu se
habla de que los materiales semiconduc-
tores orgnicos deben ser conjugados y
no se nombran a los alenos? La respues-
ta a esta pregunta nos la da el dopaje.
Al necesitar los compuestos orgnicos
ser dopados, se necesita de un mate-
rial de una reactividad tal, que reaccio-
ne fcilmente con los agentes dopantes
y los dienos conjugados son ms reacti-
vos que los alenos, por razones que se
salen del manejo de este texto, adems
como la electroneutralidad es manteni-
da por un electrolito, se necesitan co-
mo escribe Daniel James Ulinski
6
, espa-
cios de carga para albergar los iones,
funcin para la cual son apropiados los
enlaces simples, y los alenos al no po-
seer enlaces simples no poseen espa-
cios de carga y por lo tanto no son utili-
zados como semiconductores.
En la fgura 10, se observa un polmero
conjugado (PEDOT), el cual est dopado
(oxidado), el electrolito (PSS) y se indi-
can los iones y los espacios de carga.
Gracias al dopaje, un material se com-
porta como semiconductor, pero tam-
bin gracias al dopaje un compuesto
orgnico conjugado puede convertirse
en conductor, y esto se logra median-
te altos niveles de dopaje, los cuales
reducen el gap y ponen a disposicin
grandes cantidades de portadores de
carga para la conduccin.
En los prrafos anteriores hemos expli-
cado lo que hace a una molcula org-
nica individual ser semiconductora, pe-
ro en la prctica los materiales utilizados
y tratados en este trabajo no son mol-
culas individuales (de las cuales trata la
electrnica molecular y cuyo contenido
se sale de nuestro alcance), sino mues-
tras macroscpicas, las cuales constan
de millones de molculas individuales,
y se encuentran unidas ya no por en-
laces covalentes sino por fuerzas muy
dbiles de tipo polar, como la fuerza de
Van der Waals. El que las molculas in-
dividuales estn unidas tan dbilmente
origina que el gap entre molculas sea
muy grande y la estructura de bandas
de energa sea fcilmente interrumpida,
pero aun cuando se piense en que esto
echara por tierra la utilizacin de los ma-
teriales orgnicos como semiconducto-
res, en realidad no es as y las razones
para que no sea de esta manera las ve-
remos en el siguiente capitulo (fsica de
los semiconductores orgnicos).
Habiendo explicado en forma muy ge-
neral, como un material orgnico pue-
de adquirir propiedades semiconduc-
toras y conductoras, antes de pasar
al siguiente captulo debemos referir-
nos a los diferentes tipos de materia-
les semiconductores que ha sintetiza-
do la industria y que forman ya parte,
en la actualidad, de una diversidad de
dispositivos electrnicos.
s
s
s
s
s
s
n
n
Iones
Espacios
de carga
SO
3
SO
3
H SO
3
H SO
3
H SO
3
H SO
3
Figura 10. Compuesto de PEDOT:PSS.
Fuente : ULINSKI, Daniel James. Organic diode and other circuit element creation through va-
riations of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) synthesis. [en lnea]. s.l.: Pittsburg University. 2002.
<http://etd.library.pitt.edu/ETD/available/etd-07072004-180027/ unrestricted/DJUlinski-MSEE-
Thesis-Pitt-July-2004.pdf >. p.119 [consulta: Febrero de 2005 ].
Continuar...
| Electrnica
12 |
Elaborado Por: Luis Guillermo Durango Mercado
Electrnica orgnica
1.5 Clasifcacin de los semicon-
ductores orgnicos
Los materiales orgnicos, por su natu-
raleza, pueden formar una infnidad de
compuestos de diferentes tamaos, for-
mas y estructuras, y en consecuencia
pueden ser clasifcados de acuerdo a
muchos parmetros, pero en cuanto a
los compuestos orgnicos con carac-
tersticas conductoras, se clasifcan
en dos grandes grupos, dependiendo
de su peso molecular, que son: mol-
culas de bajo peso molecular y mol-
culas de alto peso molecular. Las pri-
meras se referen a molculas conju-
gadas, de un tamao menor a 20 mo-
nmeros, las cuales se conocen como
oligomeros, y las segundas abarcan a
las molculas conjugadas de ms de
20 monmeros, las cuales se conocen
como polmeros. Ambos tipos de com-
puestos orgnicos se diferencian en-
tre si por su tamao y propiedades f-
sicas, pero en cuanto a las propieda-
des elctricas su comportamiento es
muy similar. En este apartado tan so-
lo daremos las caractersticas genera-
les de ambos tipos de molculas, y las
ms utilizados en la industria, ya que los
mecanismos utilizados para transpor-
tar portadores de carga y comportar-
se como semiconductores sern des-
critos ms adelante.
1.5.1 Oligomeros semiconductores
En el campo de la electrnica orgnica,
estas molculas se caracterizan por es-
tar constituidas por un nmero no muy
grande de tomos, con una estructura
de sus enlaces conjugada y por formar
cristales de tipo molecular. Esto crista-
les se diferencian de los cristales de ti-
po atmico como los formados por el
silicio, el germanio o el carbono (dia-
mante), en que los primeros estn con-
formados por la unin de molculas in-
dividuales que intramolecularmente es-
tn unidas por fuertes enlaces cova-
lentes, pero que intermolecularmente
se unen mediante fuerzas dbiles co-
mo la de van der Waals, mientras que
los cristales de tipo atmico son en su
totalidad una sola molcula que est
fuertemente unida por enlaces cova-
lentes. Esta diferencia origina que los
cristales de tipo atmico generen es-
tructuras de bandas muy bien defni-
das debido a que este tipo de cris-
tales son muy fuertes y la estructura
de sus estados energticos perma-
nece inalterada, mientras que en los
cristales moleculares al estar unidos
por atracciones tan dbiles, y por po-
seer un nmero muy bajo de tomos
por molcula, su acople energtico es
bajo y su estructura energtica se al-
tera con mucha facilidad, originando
esto que en este tipo de materiales, la
estructura de bandas de energa ten-
ga muy poca importancia en la forma
como conducen corrientes elctricas.
Cabe anotar que pese a esa facilidad
con que se interrumpe el orden ener-
gtico, los cristales de molculas pe-
queas mantienen un orden conside-
rable. Los semiconductores fabricados
con pequeas molculas, se destacan
por presentar mejores niveles de con-
duccin que los semiconductores po-
limricos, pero el ser muy difciles de
preparar en soluciones, los inhabilita
para poder ser depositados con tc-
nicas de fabricacin de bajo costo co-
mo impresin convencional o spin coa-
ting, y por esta razn, tampoco pue-
den formar pelculas delgadas de gran
rea. Entre los semiconductores org-
nicos, las molculas de bajo peso mo-
lecular ms utilizadas segn la pgi-
na <http://www.shef.ac.uk /physics/
teching/ phy411c/phy411.pdf>
1
, son:
TPD, perileno, pentaceno, 6-tiofeno, fu-
llereno (C
60
) y Alq
3
. El perileno, el pen-
taceno y el TPD (N, N-bis-(m-tolyl)-N,
Ndifenyl-1,1-bifenyl-4,4-diamina) son
materiales transportadores de huecos
y usados como materiales fuorescen-
tes en OLED. El 6-tiofeno, es un repre-
sentante de la familia del tiofeno, el cual
es conocido por su gran movilidad de
huecos, y es usualmente utilizado en
OFETs. El PBD ((2-(biphenyl-4-yl)-5-(4-
tertbutylphenyl)-1, 3,4-oxadiazole), es
un conductor de electrones usado en
OLEDs. El C
60
o Fullereno es un mate-
rial con gran afnidad electrnica, y sus
derivados son utilizados como acepto-
res de electrones en dispositivos foto-
voltaicos. Por ltimo el Alq
3
(tris (8-qui-
noleina de aluminio)) es un complejo
organometlico con una electrolumi-
niscencia de color verde muy efcien-
te y de muy buena estabilidad, usado
en OLED. (Ver fgura 11).

La fgura 12, nos muestra un diagra-
ma energtico de una pequea mol-
ENTREGA 3
1
Contents, [en lnea] s.l.:s.n.s.f. p.30 <http://www.shef.ac.uk/physics/teching/phy411c/phy411.pdf>
[consulta: feb. 2005]
| Electrnica
14 |
cula orgnica, en este caso un anillo
de benceno, en donde observamos
que la estructura de bandas en este
tipo de semiconductores es muy re-
ducida, debido a la poca cantidad de
tomos constituyentes, y en donde se
resaltan solo los enlaces , ya que son
los nicos que intervienen en la con-
duccin, en un semiconductor orgni-
co. Aqu tambin se ven en color rojo
los niveles de energa del HOMO y el
LUMO, que en las molculas de bajo
peso molecular, son niveles discretos
debido al nmero de tomos de este
tipo de materiales.
H
3
C
S
S
S
S
S
S
N
N
N
N
N
N
N
N
AI
O
O
O
O
CH
3
C
60
Alq3
PBD
Pentaceno
Perileno
TPD
6 tiofeno
Figura 11. Principales semiconductores de bajo peso molecular.
Figura 12. Estructura energtica de una peque-
a molcula orgnica.
Fuente: K, Leo. Organic semiconductors: the
basics. <http://www.orgworld.de/> [consulta:
jun: 2004].
6x p
z
18x sp
2
LUMO ( P*) E
c
HOMO ( P) E
v
JORNADAS CAPACITACIN
CHARLAS LA PLATA AGOSTO 2009
Escuela Tcnica San Vicente De Paul -Calle 43 e/115 y 116 La Plata
Miercoles 26, de 18.30 a 20.15 hs.
Empresa: OSRAM
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Temario: Ahorro de energa con modernos sistemas
electrnicos
Como ahorrar energa con los nuevos balastos electrnicos y
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Control de escenas mediante mandos a distancia.
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011-4661-3208/0344 charlas@electrosector.com
Jueves 27, de 18.30 a 20.15 hs.
Empresa: WEG
Disertante: Ing. Marcelo Del Hoyo Aranda
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Elementos de comando y proteccin para motores. Definicin
de cada componente, categora de empleo, normativa vigente,
seleccin y aplicacin.
Principio de funcionamiento del motor jaula de ardilla, curvas de
torque y corriente. Arranques convencionales con 1, 2 y 3 compo-
nentes. Ventajas y desventajas de los diferentes tipos de arranques;
Arranque directo, Arranque Estrella-Triangulo y Arranques electr-
nicos (Sof-Starters). Principio de funcionamiento de los arranques
electrnicos. Comparativa de los distintos arranques para motores.
Ejemplos de aplicacin.
Viernes 28, de 18.30 a 22.15 hs.
Empresa: ETA
Disertante: Ing. Roberto Garca.
Temario: Presentacin de nuevos instrumentos para el
sector elctrico/electrnico, recordando los 50 aos de la
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e Interruptores Diferenciales. Mando y Sealizacin con sus
Aparatos de Maniobra. Automatizacin y control industrial.
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color y Lmparas PL.
Jueves 27,de 20.30 a 22.15 hs.
Empresa: MICROCONTROL
Disertante: Ing. Jorge Munoa
Temario: Nuevas tecnologas para canalizaciones elctricas.
MICRO
CONTROL
Miercoles 26, de 20.30 a 22.15 hs.
Empresa: REPROEL
Disertante: Ing. Juan Carlos Gmez
Temario: Aprenda a seleccionar correctamente fusibles de
baja y media tensin
E
N
T
R
A
D
A

G
R
A
T
U
I
T
A
| Electrnica
16 |
1.5.2 Polmeros semiconductores
Los polmeros se caracterizan por ser
cadenas muy largas, compuestas de
monmeros, en donde cada monme-
ro est unido mediante enlaces cova-
lentes. Esto conduce a que al haber
una gran cantidad de unidades mono-
mricas enlazadas fuertemente, dentro
de las cadenas de polmero se formen
bandas de energa, como en los semi-
conductores inorgnicos. Sin embargo
estas cadenas son de longitud finita,
y un compuesto polimrico est cons-
tituido de millones de estas cadenas,
las cuales estn muy dbilmente aco-
pladas, razn por la que en los polme-
ros al igual que en los cristales molecu-
lares orgnicos conjugados, la estructu-
ra de bandas de energa tampoco pre-
sente mucha relevancia en la corrien-
te total del semiconductor. Los polme-
ros semiconductores a diferencia de los
cristales moleculares, son ms fcilmen-
te solubles, lo que permite que sean de-
positados mediante impresin conven-
cional o spin coating, y de esta manera
ser depositados en pelculas delgadas
de gran rea a muy bajo costo. Adicio-
nalmente, los polmeros semiconducto-
res presentan las caractersticas propias
de los materiales polimricos, como son
fexibilidad y durabilidad. En cuanto a la
conductividad, al presentar los polme-
ros estructuras amorfas, presentan una
conductividad menor a los cristales mo-
leculares, por razones que veremos en
el siguiente captulo.
Los polmeros semiconductores ms
utilizados en la industria segn la pagi-
na de Internet <http://www.shef.ac.uk/
physics/teching/phy411c/phy411.pdf>
2
,
son: los politiofenos, polipirroles, polia-
nilinas, PPP (poly-para fenileno), PPV
(poly para-fenileno vinileno), PVK (poly
vinil carbazole), polyfuoreno, PEDOT-
PSS, PPE y los dendrimeros. El PPV es
un compuesto muy utilizado en dispo-
sitivos electroluminiscentes, este com-
puesto en la forma de MEH-PPV y cia-
no-PPV es muy soluble y su banda de
gap mejora para el transporte de cargas.
El PPE (poly fenileno etileno) y el PPP y
los polifuorenos (PF) tambin son muy
utilizados en dispositivos emisores de
luz. El PVK fue uno de los primeros se-
miconductores orgnicos descubiertos,
junto con el poliacetileno y fue el primer
polmero en el cual se report electro-
luminiscencia. Los politiofenos son de
gran inters por su buena solubilidad
y excelentes posibilidades de proce-
samiento, adems presentan gran ca-
pacidad de transporte de carga e ndi-
ces altos de on/off. Uno de los politiofe-
nos ms estudiados es el PEDOT (poly
(3,4-etilendioxytiofeno)). El PEDOT:PSS
es el resultado de la polimerizacin qu-
mica oxidativa del monmero EDOT en
poly(acido estireno sulfnico) (PSS). El
sistema resultante que consiste de los
polmeros conjugados PEDOT de dopa-
do tipo p y PSS como iones opuestos
que mantienen la carga neutral, es al-
tamente conductivo (~ 10Scm), trans-
parente, mecnicamente durable e in-
soluble. En los ltimos aos este ma-
terial transparente est siendo utiliza-
do en muchas aplicaciones en los dis-
positivos orgnicos electroqumicos y
como capa de inyeccin de huecos en
OLEDs (LEDs orgnicos). Los dendr-
meros son polmeros hiper-ramifcados;
su estructura contiene unidades rami-
fcadas repetidas llamadas dendrme-
ros que se radian desde su centro. Los
dendrmeros tienen una concentracin
extremadamente alta de grupos fun-
cionales que le conferen su alto peso
molecular y su volumen. En el campo
de los OLEDs, los dendrmeros permi-
ten que las pequeas molculas man-
tengan sus propiedades semiconduc-
toras y adquieran algunas ventajas de
los PLEDs, como la capacidad de ser
procesadas como solucin.
En la fgura 14, vemos la estructura ener-
gtica de un polmero semiconductor,
en este caso particular la estructura del
PPV, en donde podemos observar, a di-
ferencia de la fgura 12, que en los po-
lmeros semiconductores si se forman
bandas de energa bien definidas, y
aqu los niveles de energa del HOMO
y el LUMO se pueden considerar como
niveles no discretos, debido al gran n-
mero de tomos que conforman los po-
lmeros. Al igual que en la fgura de las
molculas de bajo peso molecular, aqu
solo se muestran las bandas de los en-
laces , debido a que son los niveles de
energa de este tipo de enlaces, los ni-
cos que contribuyen a la conduccin en
un semiconductor orgnico.
Continuar...
PPV PPE
n
n
PVK
MEH - PPV
n
N
n
o
o
PEDOT PF
R R
PPP
S
n
n
n
n*8 x p
z
n*24 x p
z
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
c
E
v
n
Figura 13. Principales polmeros semiconductores.
Figura 14. Estructura energtica de un pol-
mero conjugado.
Fuente: K, Leo. Organic semiconductors: the
basics.<http://www.orgworld.de/ [consulta:
jun: 2004].
2
Ibid, p.30
| Electrnica
40 |
Elaborado Por: Luis Guillermo Durango Mercado
Electrnica orgnica
Fsica de los semiconductores or-
gnicos
En los semiconductores orgnicos al
presentarse estructuras desordenadas
y mucho menos acopladas que en los
cristales atmicos que conforman a los
semiconductores inorgnicos, el mo-
delo de bandas de conduccin, es de
poca validez. En el caso de los crista-
les semiconductores, la estructura de
bandas no se forma, debido a los po-
cos tomos que conforman cada mo-
lcula y en los polmeros semiconduc-
tores el modelo de bandas se utiliza in-
tramolecularmente, pero intermolecu-
larmente debido al alto grado de des-
orden y al bajo acople, este modelo no
tiene cabida al igual que en los crista-
les moleculares. Por lo tanto, si median-
te el modelo de bandas no se puede
explicar el transporte de cargas en los
semiconductores orgnicos, median-
te que modelo se explica dicho trans-
porte? Segn Vissemberg
1
, el fenme-
no de conduccin en los semiconducto-
res orgnicos se explica de la siguiente
manera: en los semiconductores orgni-
cos los electrones se encuentran en es-
tados energticos o niveles de energa
localizados, a diferencia de los conduc-
tores y semiconductores tradicionales
en donde los electrones estn desloca-
lizados por todo el material. En los ma-
teriales orgnicos, estos estados loca-
lizados o sitios son: los estados de las
molculas individuales en los cristales
moleculares, los estados de las cade-
nas polimricas individuales o los esta-
dos de los segmentos de estas cade-
nas donde la conjugacin es interrum-
pida por defectos estructurales o qu-
micos. Habiendo defnido los estados
localizados o sitios y teniendo presente
que estos sitios actan como pozos de
potencial, la transferencia de carga en-
tre sitios se da mediante saltos cunti-
cos o hopping en donde los portadores
de carga mediante efecto tnel asisti-
do por fonones (vibraciones de la es-
tructura del material) pasan de un sitio
a otro, bajo ciertas condiciones espe-
ciales. Para entender un poco ms es-
te fenmeno, vamos a explicar en for-
ma general este mecanismo cuntico.
El efecto tnel, como dice la editorial Ti-
me Life
2
, fue por primera vez propuesto
por George Gamow a principios del siglo
XX, para explicar cmo dos tomos de
hidrogeno se fusionaban en las estrellas
a temperaturas sumamente bajas para
que se diera dicho fenmeno, y se ba-
sa en el principio de incertidumbre y en
la ecuacin de onda de Schrdinger, la
cual predice que una partcula subat-
mica dentro de un pozo de potencial o
fuera de ste, siempre y cuando la ba-
rrera de potencial sea fnita, tiene una
probabilidad (aunque muy pequea)
de encontrarse por fuera o de entrar a
dicho pozo, atravesando sus paredes,
como si hiciera un tnel, razn por la
cual se denomin efecto tnel.
En un semiconductor orgnico, los elec-
trones como dijimos en el captulo an-
terior, se encuentran deslocalizados
dentro de los sistemas de las mol-
culas individuales de los cristales mo-
leculares o de las cadenas polimri-
cas. Estos electrones al ser estimula-
dos por un campo elctrico se mueven
dentro de estos sitios de extremo a ex-
tremo y al encontrarse con una barre-
ra energtica rebotan y forman ondas
estacionarias
3
que tienen cierto nivel
de energa. Teniendo en cuenta lo an-
terior los electrones u ondas estaciona-
rias tienen la posibilidad de atravesar
la barrera de potencial entre las mol-
culas o polmeros, siempre y cuando,
segn Richard Turton
4
, los electrones
de un sitio origen estn en un nivel de
energa igual a uno de los niveles de
energa permitido en el sitio al que va
a trasladarse, de lo contrario el hop-
ping no se lleva a cabo. Por lo tanto,
con el fn de lograr los niveles de ener-
ga necesarios, el papel de los fono-
ENTREGA 4
Ondas estacionarias
Pozo de potencial
Barrera de
potencial
Figura 15. Pozo de potencial o sitio.
1
VISSEMBERG, Michael Cornelis Josephus Marie, Opto-electronic properties of disordered organic semicon-
ductors [en linea]. Leiden: Universidad de Leiden, 1999. p. 6.< http://www.lorentz. leidenuniv.nl/ beenakker /the-
ses/vissenberg/vissenberg.html. [Consulta: Abril de 2004].
2
Editorial Time Life, Universo, Estrellas I. Editorial Folio S.A. Barcelona. 1994. p.48
3
CORCORAN, Elizabeth. Nanotcnica. Investigacin y ciencia. Ed prensa cientifca S.A. No.172 Barcelona.
1991. p.80
4
TURTON, Richard. El Punto Cuntico, la microelectrnica del futuro. Alianza Editorial S.A. Madrid. 1995. p. 234
| Electrnica
42 |
nes es indispensable, ya que la ener-
ga de los fonones es trasmitida a los
electrones que de esta forma alcan-
zan la energa sufciente para trasla-
darse por efecto tnel.
En la fgura 16, en la parte A, observa-
mos al lado izquierdo un electrn en
una molcula o sitio con una energa
inferior a la energa de uno de los nive-
les de energa discretos de otra mol-
cula o sitio, inhabilitando esto su tras-
lado por efecto tnel. En la parte B, al
aplicarle un campo elctrico al mate-
rial los niveles de energa al igual que
en los semiconductores inorgnicos se
inclinan y la diferencia de energa en-
tre los dos sitios disminuye pero aun
no coinciden. Sin embargo en la parte
C, el electrn absorbe la energa de un
fonn e iguala la energa de la mol-
cula vecina, situacin sta que le per-
mite trasladarse por hopping.
El mecanismo de efecto tnel asistido
por fonones o Hopping (saltos cunti-
cos) fue originalmente propuesto por
Conwell y Mott en los semiconducto-
res inorgnicos con defectos trampas
y la tasa de transicin por efecto tnel
asistido por fonones fue calculada por
Miller y Abrahams, en donde el Hop-
ping desde un estado localizado J a
un estado i se lleva a cabo a una fre-
cuencia para el fonn de o, la cual es
adecuada para que el fonn sea ab-
sorbido por los portadores de carga,
que as aumentan su energa y se tras-
ladan por efecto tnel
5
.
En la ecuacin 1, es la longitud inver-
sa de localizacin, Rij es la distancia
entre los estados localizados, i es la
energa en el estado i y j es la ener-
ga del estado J. Como los ndices de
salto son fuertemente dependientes de
la energa y la posicin de los estados
localizados, el transporte por Hopping
es extremadamente sensible, tanto a
la estructura como al desorden ener-
gtico. La anterior es la razn por la
que los cristales moleculares tienen
una conductividad mayor que los po-
lmeros semiconductores.
Conociendo ya el modelo mediante el
cual se explica la semiconduccin en
los materiales orgnicos, es importante
conocer, como es la movilidad en es-
tos materiales.
2.1 Movilidad en los semiconducto-
res orgnicos.
Para medir esta caracterstica en los se-
miconductores inorgnicos, los inves-
tigadores utilizan la tcnica del tiempo
de vuelo, la cual consiste en generar
mediante un fash de luz, una capa de
portadores de carga cerca de un elec-
trodo de un capacitor de placas para-
lelas y bajo un campo elctrico aplica-
do E, hacer que las cargas se mueven
hacia el electrodo opuesto. El tiempo
de trnsito t al cual las cargas alcan-
zan ese electrodo (distancia L) es en-
tonces una medida directa de la mo-
vilidad de los portadores
6
.
= L/-
t
E.
Ecuacin 2. Movilidad por la tcnica de tiem-
po de vuelo.
Sin embargo en los semiconductores
orgnicos segn Vissenberg
7
, las foto-
corrientes generadas son con frecuen-
cia dispersivas (disminuyen con el tiem-
po debido a que las cargas toman di-
ferentes caminos y se inmovilizan tem-
poralmente debido a que quedan atra-
padas en irregularidades) y por lo tanto
la velocidad de las cargas disminuye
cuando la muestra es atravesada. En
ese caso el tiempo de arribo prome-
dio de las cargas y consecuentemente
la movilidad de los portadores, depen-
den de la dimensin de la muestra y la
movilidad no refeja un parmetro ge-
nuino del material. Esa dispersin de
la corriente es debido, a que como vi-
mos en el captulo anterior, los semi-
conductores orgnicos presentan ba-
jo acople y en especial los polmeros
tienen un grado muy alto de desorden
al ser amorfos. Teniendo en cuenta lo
anterior y segn Man Hoy Wong
8
, in-
vestigaciones con respecto a la movili-
dad, han concluido que la movilidad en
los materiales orgnicos tiene una de-
pendencia del campo elctrico = 0
exp(E) que es del tipo Poole-Frenkel
y adicionalmente se observa un trans-
porte de carga tanto dispersivo como
no dispersivo. Por lo tanto, para estu-
diar la movilidad en los semiconduc-
tores orgnicos se utiliza el modelo de
Bssler, el cual modela ambos compor-
tamientos, teniendo en cuenta la simu-
lacin de Monte Carlo, la cual se ba-
sa en una distribucin Gaussiana de
densidad de estados (DOS) o niveles
de energa disponibles para los elec-
trones, con el cual se obtienen unos re-
sultados muy acordes con los experi-
mentos. Dichos resultados muestran
que el transporte de carga en los sli-
dos orgnicos es altamente dispersi-
vo, y que la movilidad de los portado-
res depende de tres aspectos funda-
mentales que son: el desorden energ-
tico (debido a la fuctuacin de la pola-
A
A
A
E
E
E
Figura 16. Hopping asistido por fonones.
W
ij
= v
o
exp (-2R
ij
)
{
exp
1
( )
E
i
- E
j
E
i
> E
j
E
i
< E
j
k
B
T
Ecuacin 1. Tasa de tunelage asistido por fonones.
5
VISSENBERG, Op Cit, p.7
6
Ibid, p.8
7
Ibid, p.8
8
WONG, Man Hoy. Charge transport and injection in doped organic semiconductors. [en lnea], s.l.:
Cornell university. 2004. p. 12 <my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/thesis.pdf>. [Consulta: Febre-
ro de 2005]
| Electrnica
44 |
rizacin de la energa de la retcula y/o
de la distribucin de la longitud de los
enlaces del semiconductor), la intensi-
dad del campo elctrico aplicado y el
desorden estructural (debido a la fuc-
tuacin de la distancia entre sitios, la
cual vara con una varianza ).
Para describir los tres aspectos ante-
riores, el modelo de Bssler, primero
calcula, para un paquete de portado-
res de carga, la energa media de equi-
librio en funcin del desorden energti-
co (<>), teniendo en cuenta que los
portadores de carga no son sometidos
a un campo elctrico.
Donde () es la densidad de estados
de energa y es el ancho de la DOS
normalizados a kT y representa el des-
orden energtico. Los sistemas que
poseen grandes desordenes energ-
ticos implican bajas temperaturas de
acuerdo a la ecuacin y se equilibran
ms despacio debido a que los saltos
activados trmicamente, que ayudan
a los portadores a encontrar otras tra-
yectorias para la relajacin, estn eli-
minados.
Segn Man Hoy Wong
9
, el segundo
paso del modelo de Bssler, con el
fn de encontrar una ecuacin analti-
ca de la movilidad, tiene en cuenta la
dependencia que tiene la movilidad,
de la temperatura, la cual tiene la si-
guiente ecuacin:
Luego, teniendo la relacin de la mo-
vilidad con la temperatura, el modelo
de Bssler relaciona la movilidad con-
juntamente con el campo elctrico y el
desorden energtico, y aqu encuentra
un comportamiento como el de la fgu-
ra 17, en donde el desorden posicional
o varianza es cero ( = 0) y la movili-
dad del material presenta un compor-
tamiento que se aproxima a (log~E)
que es del tipo de Poole-Frenkel, el
cual se da a campos elctricos mode-
radamente altos (>10
5
V/cm) con ten-
dencia a saturarse a grandes campos
elctricos (>10
6
V/cm)
10
. En la fgura
se ve que a medida que el desorden
energtico aumenta, la movilidad dis-
minuye, lo cual es consecuencia de lo
que vimos anteriormente cuando tra-
tamos el pozo de potencial, en donde
el trasporte por efecto tnel necesita
que las energas de los sitios entre los
cuales se dar el hopping sean igua-
les y el desorden energtico implica
que dichas energas son muy dispa-
res. Tambin la fgura 17 nos muestra
que la movilidad aumenta con el au-
mento del campo elctrico, lo cual es
consecuencia de que la DOS aumen-
ta con el campo y el aumentar la den-
sidad de estados, conlleva inevitable-
mente a una disminucin en el desor-
den energtico. Esto tambin se pue-
de explicar retomando la fgura 16, en
donde observamos que un potencial
aplicado reduce la barrera de poten-
cial, facilitando el hopping en la di-
reccin del campo aplicado. Por lti-
mo y como ms importante, la fgura
nos muestra que a grandes campos,
la movilidad alcanza un nivel de satu-
racin en el cual deja de depender del
desorden energtico.
El modelo de Bssler habiendo ya con-
siderado el desorden energtico, conti-
nua su anlisis, considerando la movili-
dad relacionada conjuntamente con el
desorden posicional y el campo elc-
trico y en este aspecto encuentra que
la movilidad se comporta como la fgu-
ra 18, en donde el desorden energti-
3- 0
S
M

(
a
r
b
.

u
n
i
t
s
)
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
E
1/2
[10
3
(V/cm)
1/2
]
0.0
2.0
2.5
3.0
3.5
3=
S
M

(
a
r
b
.

u
n
i
t
s
)
10
-2
10
-5
10
-3
10
-4
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
E
1/2
[10
3
(V/cm)
1/2
]
0.00
2.82
3.25

2
0
3 / 2 exp S M
M
T
<r

>= lim <r(t)>=

t
+

[
+

[
rp(r) (r / kT) dr exp
p(r) (r / kT) dr exp
=- =-
o
2
o o
kT
Ecuacin 3. Energa media de equilibrio.
Ecuacin 4. Dependencia trmica de la mo-
vilidad
9
Ibid, p.15
10
Ibid, p.15
Figura 17. Variacin de la movilidad con el des-
orden energtico, asumiendo desvanecimien-
to del desorden posicional.
Fuente: WONG, Man Hoy. Charge transport
and injection in doped organic semiconduc-
tors. Universidad de Cornell. Mayo de 2004.
<my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/the-
sis.pdf> [consulta: feb 2005]
Figura 18. Variacin de la movilidad con el des-
orden posicional asumiendo desvanecimiento
del desorden energtico.
Fuente: WONG, Man Hoy. Charge transport
and injection in doped organic semiconduc-
tors. Universidad de Cornell. Mayo de 2004.
<my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/the-
sis.pdf> [consulta: feb 2005]
Electrnica |
| 45
co es cero. En esta fgura se observa
que al aumentar el desorden posicio-
nal se aumenta la movilidad, lo cual se
debe a que este desorden introduce
muchas rutas alternas, es decir, que
si en la direccin del campo elctrico
la barrera de potencial es muy gran-
de, es factible que en otras direccio-
nes se encuentren barreras menos an-
chas por las cuales los portadores pue-
dan tomar atajos, incluso en direccio-
nes en contra del campo elctrico. Sin
embargo a medida que el campo apli-
cado aumenta, los portadores de car-
ga son obligados a obedecer la ruta
sealada por el campo y las rutas al-
ternas ya no se pueden tomar, con lo
cual disminuye la movilidad.

Habiendo considerado los tres facto-
res de los que depende la movilidad,
el modelo de Bssler, con el objeto de
encontrar una frmula general para la
movilidad, toma todos los factores en
conjunto y llega una ley universal que
relaciona los tres efectos:
En la ecuacin 5, C es un parmetro del
sistema que depende del material.
Teniendo en cuenta todo lo anterior se
puede concluir que:
- Segn Man Hoy Wong
11
, Mediante
una combinacin adecuada de des-
orden energtico y de desorden posi-
cional se puede lograr que la movili-
dad de un semiconductor orgnico no
dependa del campo elctrico aplicado
(sea constante en la prctica), siem-
pre y cuando este se mantenga den-
tro de un rango especfco.
- El desorden energtico disminuye la
movilidad y en si mismo disminuye con
el campo elctrico.
- El desorden posicional aumenta la mo-
vilidad, pero tambin disminuye con el
campo elctrico.
- El campo elctrico hace que la mo-
vilidad de un semiconductor orgni-
co no sea constante (pero este efec-
to tiene solucin) y satura la movilidad
de los portadores de carga a campos
elevados.
La fgura 19 muestra la movilidad de
los huecos en TAPC/polycarbonate ante
11
Ibid, p.16
exp
exp C
exp C
2o
(o, Z,E)
0
2
2
(o Z
2
)
(o 2.25)
E
1/2
;
E
1/2
;
Z > 1.5,
Z < 1.5,
Ecuacin 5. Movilidad relacionada con E y el desorden energtico y posicional.
| Electrnica
46 |
la presencia de ambos parmetros de
desorden y del campo elctrico.
2.2 Conductividad en los semicon-
ductores orgnicos.
Teniendo en cuenta el modelo de tras-
porte de cargas en los semiconduc-
tores orgnicos y el comportamiento
de la movilidad con el desorden y el
campo elctrico, podemos encontrar
la conductividad de un semiconductor
orgnico fcilmente, ya que por defni-
cin la conductividad es:
=ne
Ecuacin 6. Ecuacin de la conductividad.
En donde n es la concentracin de
portadores de carga, e es la carga
del electrn y es la movilidad de los
portadores de carga, la cual tiene la
forma encontrada en el numeral ante-
rior. Sin embargo la conductividad va-
ra con la temperatura, ya que si sta
se incrementa, tambin se incremen-
tan el nmero de sitios alcanzables,
ya que se puede hacer hopping has-
ta estados localizados ms alejados o
de mayor energa, debido a que con la
temperatura se aumentan los fonones
y la energa, y en este orden de ideas
una partcula subatmica puede tras-
ladarse mediante efecto tnel a mayo-
res distancias. La dependencia que
tiene la conductividad en los semicon-
ductores orgnicos (T) con respecto a
la temperatura, est dada por la ecua-
cin 7, en donde o(T) es un factor de-
pendiente de la temperatura, T
o
es la
temperatura de referencia (relaciona-
da con la DOS en el nivel de Fermi) y
d la dimensin del salto
12
.

S4S

4 e
T
0
T
1
1+d
( )
Ecuacin 7. Conductividad dependiente de
la temperatura
Adicionalmente el nmero de estados
localizados disponibles, es incremen-
tado mediante el aumento del nivel de
dopaje, lo cual mejora la conductivi-
dad. Pero para los polmeros conjuga-
dos altamente dopados, la conductivi-
dad con respecto a la temperatura se
asemeja al comportamiento de un me-
tal, en el cual la conductividad decrece
con el incremento de la temperatura
13
.
En estos casos la ecuacin anterior ya
no es vlida, debido a que las molcu-
las individuales se comportan como me-
tales y en este caso el modelo cambia
un poco respecto al anterior y consiste
en que el material est constituido por
granos metlicos o islas metlicas ro-
deadas por un medio con una banda de
gap con estados localizados. Este mo-
delo, basado en el desorden heterog-
neo de polmeros conjugados altamen-
te dopados, sugiere que el mecanismo
de transporte de cargas dentro de las
islas metlicas es similar al de los me-
tales y entre islas sigue siendo el hop-
ping. La conductividad dependiente de
la temperatura (T) en este modelo es
expresado de acuerdo a la ecuacin 8,
para pequeas islas metlicas (~nm),
donde o y To son constantes del mate-
rial, y de acuerdo a la ecuacin 9, para
islas metlicas ms largas (~m), don-
de T1 y T2 son constantes del material
que dependen del ancho y la altura de
la barrera de tunelaje
14
.
S4S

e
T
1
T+T
2
( )
Ecuacin 8. Conductividad entre islas sepa-
radas por nanmetros.
S4S

e
T
0
T
1/2
( )
Ecuacin 9. Conductividad entre islas sepa-
radas por micrmetros.
11
Ibid, p.16
12
LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic electrochemical transistors. [en lnea]
s.l.Universidad de Linkpings. 2004.p.16<www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004>.[cons: Octubre: 2004].
13
Ibid, p.19
14
Ibid, p.21
M

(
c
m
2
/
V
-
5
)
10
-5
10
-6
10
-7
10
-3
10
-4
E
1/2
[10
3
(V/cm)
1/2
]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T (K)
329
319
309
299
289
279
269
259
249
239
229
Continuar...
Figura 19. Movilidad del TAPC:PC con desorden energtico y posicional.
Fuente: WONG, Man Hoy. Charge transport and injection in doped organic semiconductors. Uni-
versidad de Cornell. Mayo de 2004. <my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/thesis.pdf> [con-
sulta: feb 2005]
| Electrnica
100 |
Elaborado Por: Luis Guillermo Durango Mercado
Electrnica orgnica
Portadores de carga y transpor-
te de carga
Habiendo descrito en el captulo ante-
rior el modelo de transporte de cargas
en los semiconductores orgnicos, en
este captulo nos referiremos a los por-
tadores de carga, que en el caso de los
materiales orgnicos, a causa de la na-
turaleza misma de los compuestos que
forman estos materiales, son un tanto
diferentes a los electrones y huecos de
los semiconductores inorgnicos.
Para entender, por qu los portadores
de carga de los semiconductores or-
gnicos son diferentes que los de los
semiconductores inorgnicos, hay que
tener en cuenta que cuando un semi-
conductor inorgnico se dopa, los to-
mos dopantes que son los encargados
de aportar los electrones o los huecos,
tambin son los que sufren los mayo-
res cambios energticos, conducien-
do esto a que la estructura de los en-
laces en estos materiales no cambie.
En contraste, en los semiconductores
orgnicos, como dice Oscar Larsson
1
,
tanto en el dopado electroqumico co-
mo en el dopado qumico, no se intro-
ducen tomos en la cadena principal
del semiconductor y por lo tanto al no
haber tomos que soporten los cam-
bios energticos creados en la forma-
cin de los portadores de carga, el
desequilibrio es soportado por la es-
tructura misma del semiconductor, pro-
vocando cambios estructurales en s-
ta. Para entender bien este fenmeno
miremos la fgura 20. En esta fgura se
esquematiza en (B) un cristal de silicio
el cual es dopado con fsforo (P), y se
puede observar que la estructura de
los enlaces no varia, ya que el desba-
lance se da en el tomo de fsforo y
la estructura original del cristal sigue
siendo la de menor energa.
Sin embargo en la fgura 21, se ve en
(E), que en un semiconductor orgni-
co, al crearse un portador de carga, ya
sea por dopado qumico o electroqu-
mico, se genera un desequilibrio en el
lugar donde se form, que en su ca-
so es la estructura principal del semi-
conductor. Aqu se observa que el po-
lmero al ser oxidado (retiro de un elec-
trn), origina segn Oscar Larsson
2
, la
formacin de un catin (carga positi-
va) y un radical (electrn desaparea-
do) y por lo tanto la desaparicin del
enlace . El que el enlace desapa-
rezca, conduce a que la longitud del
enlace entre los dos tomos de carbo-
no aumente (ver fgura 21E), adems
al quedar los tomos de carbono sin
sus capas llenas son muy inestables y
en consecuencia, la molcula en bus-
ca de mayor estabilidad, reorganiza su
enlaces, como se ve en (F).

Ud. se preguntar cmo se lleva a
cabo todo este fenmeno?. Para res-
ponder esta pregunta observemos la
fgura 22.
ENTREGA 5
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si P Si
Si Si Si
Si Si Si
Si P Si
Si Si Si
A B C
s
s
s
s
s
Electron
s
s
s
s
s
s
s
s
F
D E
s
s
s
s
s
s
Figura 20. Estructura de un cristal de Silicio.
Figura 22. Energa contra distancia del radi-
cal-catin.
Figura 21. Estructura de un semiconductor orgnico dopado.
distancia
E
n
e
r
g

a

p
o
t
e
n
c
i
a
l
1
Ibid, p. 17
2
Ibid, p.17
| Electrnica
102 |
En esta fgura el crculo negro al lado
izquierdo representa la distancia y la
energa del catin- radical cuando se
encuentran juntos, como en la parte
(E) de la fgura 21. En esta instancia el
conjunto catin- radical es muy ines-
table (posee mucha energa potencial
elctrica) y en pro de la estabilidad se
separan, pero durante su separacin,
cambian la confguracin de los enla-
ces de los monmeros que quedan en-
tre ellos, debido a que cambiar la es-
tructura de los enlaces es ms estable
que si el catin y el radical se trasla-
daran sin cambiar los enlaces. Ud., se
preguntar, por qu es ms estable?.
La respuesta la obtenemos estudiando
la fgura 23. En esta fgura vemos un
polmero conjugado oxidado, en don-
de en (A), las partculas (catin y radi-
cal) no cambian los enlaces, y por lo
tanto el total de enlaces dobles es de
4, mientras que en (B), las partculas
cambian la confguracin de los enla-
ces, y el total de enlaces dobles es de
5, por lo tanto, al tener (B) mayor n-
mero de enlaces dobles es ms esta-
ble, debido a que el enlace doble al
estar compuesto por enlaces y en-
laces , es muy fuerte.
Sin embargo cabe recordar que una
estructura que no este oxidada, como
la (C), es ms estable que las dos an-
teriores (tienen ms enlaces dobles),
y sta se presenta en el resto del pol-
mero que no esta oxidado. En este or-
den de ideas y recordando que para
separar algo muy estable hay que su-
ministrar mucha energa, seguramente
Ud. se debe preguntar cmo es posi-
ble que el radical y el catin se sepa-
ren, si estn en medio de una confgu-
racin de enlaces ms estable?, y la
respuesta, es que se separan debido
a que la energa inicial es muy grande,
lo que les permite abrirse campo en-
tre una confguracin tan estable, pe-
ro durante este proceso la energa se
relaja, hasta llegar a un punto deter-
minado en donde la relajacin ha si-
do tanta, que ya no hay energa suf-
ciente para que el radical y el catin
se sigan apartando uno del otro, pun-
to este en el cual el radical- catin ha
alcanzado la mayor estabilidad, que-
dando confnado en medio de una ba-
rrera de potencial, originada por la ma-
yor estabilidad de la confguracin de
los enlaces circundantes. Teniendo en
cuenta lo anterior, vemos que en un
semiconductor orgnico, los portado-
res de carga no se presentan simple-
mente como electrones o huecos, sino
que debido a la inestabilidad produci-
da en el dopaje, los portadores de car-
ga en estos semiconductores son un
conjunto mucho mas complejo, confor-
mado por una carga (electrn o hue-
co) y un radical, en medio de los cua-
les, se presenta una confguracin de
enlaces menos estable que la del se-
miconductor no dopado.
Habiendo entendido, el porqu en los
semiconductores orgnicos, los por-
tadores de carga son diferentes, en-
traremos ahora a clasificar los dife-
rentes tipos de portadores de carga
que se forman en este tipo de semi-
conductores.
3.1 CLASIFICACIN DE LOS PORTA-
DORES DE CARGA EN LOS SEMICON-
DUCTORES ORGNICOS
Para poder clasifcar los portadores
de carga, segn David Nilsson
3
, pri-
mero tenemos que clasifcar los tipos
de semiconductores de acuerdo con la
energa de sus enlaces, ya que de es-
H H
H H H H
H H
H H
H H
A.
H H
H H H H
H H
H H
H H
B.
H H
H H H H
H H
H H
H H
C.
Figura 23. Estructuras de enlaces.
3NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic. [en lnea]. s.l.: Univer-
sidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. http://www.ep.liu.se/dess/ science_technology/09/21/digest.
pdf. p.16. [consulta: Febrero de 2005 ]
| Electrnica
104 |
ta clasifcacin depende el tipo de por-
tadores que se formaran. De acuerdo
con la energa de los enlaces, los se-
miconductores orgnicos se clasifcan
en: semiconductores de estado base
degenerado y semiconductores de es-
tado base no degenerado. Los prime-
ros se caracterizan por que sus enla-
ces simples y dobles se pueden inter-
cambiar sin cambiar la energa de su
estado base y los segundos se carac-
terizan por que el intercambio de sus
enlaces esta asociado con dos estados
de energa diferentes. En la fgura 24,
podemos observar ejemplos de estos
tipos de semiconductores. Es impor-
tante tener en cuenta, que en la prc-
tica, la mayora de los semiconducto-
res y los ms importantes para aplica-
ciones en dispositivos electrnicos, se
destacan por ser semiconductores de
estado base no degenerado.
3.1.1 Semiconductores de estado ba-
se no degenerado
Como ya dijimos estos semiconducto-
res se caracterizan porque sus ener-
gas cambian cuando se intercambian
los enlaces simples y dobles, en con-
secuencia, vemos que el ejemplo uti-
lizado para explicar por qu en los se-
miconductores orgnicos los portado-
res de carga eran diferentes, es un ca-
so tpico de semiconductor de estado
base no degenerado. Por lo tanto, co-
nociendo las caractersticas de estos
semiconductores, veamos los diferen-
tes tipos de portadores de carga que
se pueden formar en estos. Segn Da-
vid Nilsson
4
, cuando un semiconduc-
tor orgnico de estado base no de-
generado se dopa de tal manera que
sea de tipo p (tipo n), es decir porta-
dor de cargas positivas (portador de
cargas negativas), lo que se hace es
oxidar (reducir) el material, con lo que
se obtiene un semiconductor con un
tipo de portador de carga denomina-
do polarn positivo (negativo), el cual
esta conformado por un catin (anin),
unido a un radical mediante una nue-
va confguracin de los enlaces. En
este tipo de portador, la carga es po-
sitiva (negativa) ya que el radical que
se forma es de carga neutra. Habien-
do oxidado (reducido) una ves el se-
miconductor, este polarn puede ser
nuevamente oxidado (reducido) qui-
tando el electrn del radical (adicio-
nando un electrn al radical), con lo
que se genera un dicatin (dianin),
el cual recibe el nombre de bipolarn
positivo (negativo).
En la fgura 26 se observa el proceso
cmo se forman polarones y bipola-
rones, y en la fgura 27, se ven los ni-
veles de energa generados por estos
portadores de carga. En esta ltima f-
gura, a la derecha se observa un pol-
mero en donde se han generado ban-
das de bipolarn, las cuales tienen su
origen en un polmero altamente dopa-
do. Cuando un semiconductor tiene un
nivel muy alto de dopaje, antes de for-
marse dos polarones aislados en una
misma cadena polimrica, se forman bi-
polarones, ya que es mas fcil quitarle
o adicionarle un electrn a un radical,
el cual es inestable, que a un tomo
trans-poliacetileno
Figura 25. Dos fases con igual energa, de un
polmero con estado base degenerado.
Fuente: LARSSON, Oscar. Empirical paramete-
rization of organic electrochemical transistors.
[en lnea].s.l.: Universidad de linkpings. Junio
de 2004. <www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004>
[consulta: Oct 2004].
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
-e
-
-e
-
Polmero
neutro
Polaron
Bipolaron
4
Ibid, p. 17
Figura 26. Generacin de polarones positivos y bipolarones en el PEDOT.
Fuente: NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic.
Universidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. <http://www.ep.liu.se/dess/science_
technology/09/21/digest.pdf.>[consulta: febrero de 2005].
Aromtico
Quinoide
cis-poliacetileno
Figura 24. Confguracin de enlaces de dife-
rente energa en un polmero con estado ba-
se no degenerado.
Fuente: LARSSON, Oscar. Empirical paramete-
rization of organic electrochemical transistors.
[en lnea].s.l.: Universidad de linkpings. Junio
de 2004. <www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004>
[consulta: Oct 2004].
| Electrnica
106 |
que se encuentre establemente enla-
zado y con su ltima capa llena.
3.1.2 Semiconductores de estado ba-
se degenerado
Segn David Nilsson
5
, cuando un se-
miconductor con un estado base de-
generado es dopado, al igual que en
los semiconductores de estado base
no degenerado, la oxidacin (reduc-
cin) inicial produce un polarn posi-
tivo (negativo), pero a diferencia de los
polarones de los materiales con esta-
do base no degenerado, estos no es-
tn obligados a permanecer enlazados,
ya que en este caso ambas confgura-
ciones de los enlaces tienen la misma
energa, por lo tanto los enlaces que
se encuentran entre el catin (anin) y
el radical, tienen la misma energa que
los enlaces contiguos. En consecuen-
cia si dicho polarn se vuelve a oxidar
(reducir), retirando (adicionando) un
electrn al radical, el resultado sern
dos cargas positivas (negativas) inde-
pendientes, las cuales reciben el nom-
bre de solitn positivo (negativo). Los
solitones tambin pueden ser neutros,
y estos se forman cuando en la fabri-
cacin del semiconductor dos mol-
culas con estado base degenerado y
con los enlaces trocados se unen, co-
mo se observa en la fgura 29. Los so-
litones al igual que los polarones y los
bipolarones se comportan individual-
mente como una sola unidad, y se de-
nominan cuasi-partculas, debido a que
se comportan como partculas (elec-
trones o huecos), pero sin serlo. La
formacin de solitones al igual que la
de polarones y bipolarones, resulta en
nuevos estados localizados en la mi-
tad de la banda de gap y ante un alto
nivel de dopaje, los solitones pueden
interactuar con los dems para formar
una banda continua de solitones. Los
solitones se caracterizan tambin por
que pueden portar carga o no (solito-
nes neutros) y adems por que para
moverse a lo largo del semiconductor
necesitan menos energa de activa-
cin que los bipolarones y los polaro-
nes en los semiconductores de esta-
do base no degenerado.
Continuar...
Figura 27. Niveles de energa de un polmero neutro, un polarn positivo, un bipolaron positivo
y un polmero con bandas de energa de bipolaron.
Fuente: NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic.
Universidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. <http://www.ep.liu.se/dess/science_
technology/09/21/digest.pdf.>[consulta: febrero de 2005].
banda de
conduccin
banda de
valencia
polmero neutro Polaron Bipolaron bandas de
bipolaron
Oxidacin de un polmero neutro
Un polaron positivo
Una pareja de solitones positivos
soliton
neuiral
soliton
positivo
soliton
negativo
banda de
conduccin
banda de
valencia
soliton
neutral
carga: cero
espin: 1/2
soliton
positivo
carga: +e
espin: cero
soliton
negativo
carga: -e
espin: cero
Figura 28. Formacin de solitones.
Figura 29. Tres tipos de solitones y sus bandas de energa.
Fuente: NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic.
[en lnea].s.l.: Universidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. <http://www.ep.liu.se/
dess/science_technology/09/21/ digest.pdf.> [consulta: febrero de 2005].
5
Ibid, p. 18
| Electrnica
46 |
Elaborado Por: Luis Guillermo Durango Mercado
Electrnica orgnica
3.2 Transporte electrnico de
carga
Anteriormente hemos estudiado el mo-
delo de transporte de carga y observa-
mos que ste se caracteriza porque el
movimiento de los portadores se da me-
diante el modelo de bandas intramolecu-
larmente, pero mediante hopping (saltos
cunticos) intermolecularmente. En es-
te numeral, conociendo ya el modelo de
transporte y los portadores de carga, ob-
servaremos cmo se da la conduccin
en estos semiconductores.
Puesto que en la prctica, segn Os-
car Larsson
1
, los semiconductores or-
gnicos ms utilizados son los de esta-
do base no degenerado, sern los que
utilizaremos para ilustrar el movimien-
to de los portadores de carga a travs
de una muestra polimrica, con lo cual
quedar claro el transporte de cargas.
En la fgura 30, se observa una cadena
de PEDOT, la cual ha sido doblemente
oxidada y por lo tanto sus portadores
de carga son bipolarones positivos. Es-
tos al ser sometidos a un campo elc-
trico, se mueven en la direccin de s-
te, como un paquete que altera la posi-
cin de un enlace simple y uno doble,
como si estos se movieran a lo largo de
la cadena principal. Para entender es-
te mecanismo, tengamos en cuenta pri-
mero que los semiconductores orgni-
cos segn Daniel James Ulinski
2
, man-
tienen la electroneutralidad mediante io-
nes que ocupan los espacios de car-
ga, y por lo tanto, si el espacio de car-
ga (enlace simple) est ocupado, ste
no puede participar en la conduccin,
debido a que el ion no permite que di-
cho enlace simple se convierta en en-
lace doble, lo cual es indispensable,
ya que para que el bipolaron se mueva
necesita intercambiar los enlaces. Sin
embargo cuando se aplica un voltaje,
el polmero en un extremo es reducido
(se introducen electrones), lo cual retira
el in del espacio de carga y el bipola-
ron impulsado por el campo se mueve
a lo largo del semiconductor.
La fgura 30 nos muestra el movimiento
de un portador de carga intramolecu-
larmente, pero como ya sabemos estos
portadores de carga con el fn de tener
una muestra macroscpica semiconduc-
tora, tienen que trasladarse entre mol-
culas, lo cual ejecutan mediante hop-
ping como muestra la fgura 31.
ENTREGA 6
1
LARSSON, Op. Cit, p. 23
2
ULINSKI, Daniel James. Organic diode and other circuit element creation through variations of poly(3,4-
ethylenedioxythiophene) synthesis. [en lnea]. s.l.: Pittsburg University. 2002. <http://etd. library.pitt.edu/
ETD/available/etd-07072004-180027/unrestricted/DJUlinski-MSEE-Thesis -Pitt-July-2004.pdf >. p.119
[consulta: Febrero de 2005 ]
s
s
s
s
s
s
In
Espacio
de carga
s
s
s
s
s
s
In
E
Figura 30. Transporte de un bipolaron a lo largo de una cadena de PEDOT.
s
s
s
s
s
s
Campo elctrico
s
s
s
s
s
s
s
Campo elctrico
s s
s
Happing
Figura 31. Hopping entre cadenas polimricas.
Fuente: LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic electrochemical transistors.
[en lnea].s.l.: Universidad de linkpings. Junio de 2004. <www.ep. liu.se/exjobb/itn/ed/2004>
[consulta: Oct 2004].
| Electrnica
48 |
Propiedades optoelectrnicas de los
semiconductores orgnicos
Los materiales orgnicos, adems de
presentar caractersticas conductoras
muy importantes, tambin muestran pro-
piedades optoelectrnicas muy intere-
santes para la industria electrnica, co-
mo es el caso de la electroluminiscencia,
que consiste en excitar elctricamen-
te un tomo o molcula, los cuales du-
rante la desexcitacin emiten luz. Esta
propiedad de los materiales orgnicos,
es una de las ms estudiadas por la in-
dustria electrnica, y es en su estudio
donde mayores avances se han alcan-
zado en el campo de los materiales or-
gnicos, como es el caso de los OLED
(Organic Light Emisin Diode), con los
cuales se fabrican en la actualidad, una
gran variedad de productos, entre los
cuales destacan el papel electrnico,
las pantallas fexibles y los vidrios inte-
ligentes entre otros. Por lo tanto por la
importancia que tiene esta propiedad
de los materiales orgnicos en la elec-
trnica, en esta entrega estudiaremos
este fenmeno.
4.1 Luminiscencia y estados elec-
trnicos excitados
Para comenzar, la luminiscencia se de-
fne como la desexcitacin de un to-
mo o molcula a travs de la emisin
de fotones, y puede clasifcarse segn
Juan Aguilera
3
, de acuerdo con la du-
racin de la emisin despus de la ex-
citacin, ya que cuando se suspende
la excitacin, el decaimiento siempre se
da en forma exponencial. Por lo tanto,
si el tiempo para este decaimiento des-
de su intensidad mxima hasta un valor
igual a 1/e (con e la carga del electrn)
es del orden de los 10
-3
seg. o menor el
fenmeno se denomina fuorescencia,
de lo contrario si este tiempo es del or-
den de los segundo o ms, se denomi-
na fosforescencia.
Conociendo ya, la defnicin de lumi-
niscencia y sus diferentes clases, vea-
mos ahora, cmo y mediante qu tipo
de partculas se lleva a cabo. Segn la
pagina de Internet <http://www.shef.
ac.uk/physics/teching/phy411c/phy411.
pdf>
4
, cuando una molcula orgnica
con un gap en el rango de la energa
de la luz visible, absorbe un fotn, un
electrn es removido del HOMO y pro-
movido al LUMO, en otras palabras,
ocurre una transicin desde un estado
fundamental a un estado excitado, con
lo cual se crea un par electrn-hueco,
que se denomina excitn. Los excito-
nes a diferencia de los polarones, bipo-
larones y solitones, son neutros y se di-
ferencian en que durante la excitacin,
el electrn no es arrancado totalmen-
te de la molcula, como en el caso de
los portadores de carga, sino que tan
slo es promovido a un orbital de ma-
yor energa. Hemos dicho que los ex-
citones son formados por la excitacin
fotnica, sin embargo estos tambin se
pueden formar elctricamente, median-
te la unin de un polarn positivo (hue-
co) y uno negativo (electrn), lo cual,
constituye el fenmeno electroluminis-
cente, que es en el que se basa el fun-
cionamiento de todos los dispositivos
electro-pticos.
4.1.1 Clasifcacin de los excitones
Los excitones, como vimos anteriormen-
te, se pueden formar mediante la exci-
tacin ptica o mediante la excitacin
elctrica, no obstante, tambin se pue-
den clasifcar dependiendo de la dis-
tancia que separa al electrn del hue-
co y del espn que adoptan los electro-
nes al ser transferidos al LUMO. Con
respecto a la distancia de separacin,
los excitones segn Juan Aguilera
5
,se
clasifcan en excitones de Frenkel y en
excitones de Wannier- Mott, en donde
los primeros se caracterizan por pre-
sentar radios de separacin menores
a 5 (comparable al tamao de una
molcula), debido a su mayor acople,
y son los que se generan en las mo-
lculas orgnicas, a causa de la me-
nor deslocalizacin que presentan es-
tos materiales. Los excitones de Wan-
nier- Mott por otro lado se caracterizan
por presentar radios de separacin que
oscilan entre los 40 y los 100 , y se
presentan en los semiconductores in-
orgnicos debido a su alto grado de
deslocalizacin.
Con respecto al espn que adoptan los
electrones al excitarse, segn Juan Agui-
lera
6
, los excitones se pueden clasifcar
en excitones singletes o excitones tri-
pletes. Si los electrones al excitarse to-
man la misma orientacin del espn co-
mo en el estado fundamental, el espn
resultante es cero y el estado excitado
es llamado singlete, por el contrario, si
el espn tiene un valor total igual a uno,
el estado excitado se denomina triple-
te. (Ver fgura 33). Cabe anotar que los
excitones singletes, segn Skoog
7
, tie-
nen una vida media de 10
-8
seg, mien-
tras que la vida media de los excitones
tripletes es mayor a 10
-3
seg.
El tiempo de vida promedio es un va-
lor muy importante a tener en consi-
deracin, ya que el camino ms pro-
bable hacia el estado fundamental es
aquel que minimiza el tiempo de vida
del estado excitado
8
, por lo tanto, te-
(a) Frenkel Excitn (b) Wannier Excitn
3
AGUILERA, Juan. Luminiscencia en materia con-
densada. [en lnea].s.l.:s.n.2001.<www.fs.puc. cl/
spm/public/fz3600/2001.mp-JuanAguilera.pdf>
[consulta: Noviembre de 2004 ]
4
Contents, [en lnea] s.l.:s.n.s.f. p.30 <http://www.
shef.ac.uk/physics/teching/phy411c/phy411.pdf>
Figura 32. Representacin esquemtica de los estados excitnicos.
Fuente: AGUILERA, Juan. Luminiscencia en materia condensada. 4p. <www.fs.puc.cl/spm/pu-
blic/fz3600/2001.mp-JuanAguilera.pdf >[consulta: Nov. 2004].
p. 30. [consulta: feb. 2005]
5
AGUILERA. Op. Cit, p.3
6
Ibid, p.3
7
SKOOG,D.A.;Leary;Analisis Instrumental,4ed.;Ed.
McGraw-Hill. (1994),p.210.
8
Ibid, p.211
| Electrnica
50 |
niendo en cuenta las caractersticas de
la fuorescencia y la fosforescencia, no
damos cuenta que la primera corres-
ponde a la desexcitacin de excitones
singletes y la segunda a la de excito-
nes tripletes.
4.1.2 Proceso luminiscente en semi-
conductores orgnicos
Para entender cmo se da el proceso
luminiscente en las molculas orgni-
cas, primero veamos el diagrama de la
fgura 34, propuesto por la pgina web
<http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/
phy411c/phy411.pdf>
9
. En este diagra-
ma, se representan los estados funda-
mental (S
0
) y excitado (S
1
) de una mo-
lcula orgnica, mediante curvas de
energa, las cuales presentan lneas
horizontales que indican los diferen-
tes estados energticos vibracionales
de la molcula (niveles de energa dis-
cretos dentro de S
0
S
1
), a los cuales
son promovidos los electrones produc-
to de las excitaciones trmicas, poten-
ciales elctricos, fotones y transferencia
de energa por parte de fonones (vibra-
ciones de la estructura). En esta fgu-
ra se ve que a medida que los electro-
nes aumentan su energa, siendo pro-
movidos al LUMO o a niveles de ener-
ga ms altos, sus estados vibraciona-
les son mayores y los enlaces atmicos
aumentan sus distancias (debido a que
una mayor distancia signifca menor es-
tabilidad), con respecto una longitud de
equilibrio (R
0
), que es propia del esta-
do fundamental o de menor energa de
la molcula. Los niveles de energa vi-
bracionales, como todo lo concernien-
te a tomos y molculas, estn cuan-
tizados, y tienen un espaciamiento vi-
bracional en el orden de 0.1 eV a una
temperatura de 1100 K, lo cual signi-
fca que a temperatura ambiente (ms
o menos 298 K), casi todos los enla-
ces aun estarn en el nivel vibracional
ms bajo del estado fundamental. Des-
de all, estos pueden ser elevados al pri-
mer estado excitado mediante la absor-
cin de un fotn, ya que cuando un fo-
tn promueve un electrn del HOMO
al LUMO, se desestabiliza la molcula
energticamente y esto origina que los
enlaces aumenten su longitud.

En los semiconductores orgnicos, el
proceso de absorcin esta gobernado
por el principio de Frank-Condon, el cual
dice, que las transiciones electrnicas
son mucho ms rpidas que las transi-
ciones (reorganizacin) del ncleo o de
los enlaces
10
, queriendo decir esto que
en el diagrama de la fgura 34, las tran-
siciones siempre ocurrirn verticalmen-
te, desde el estado fundamental, al es-
tado vibracional que corresponde verti-
calmente en el estado excitado.
Cuando un electrn estimulado por un
fotn, llega al estado excitado, rpida-
mente se relaja (en el orden de los 10
s) en forma no radiativa al estado vi-
bracional ms bajo del estado excita-
do (como muestra la fgura 34 y 35), lo
cual se denomina relajacin vibracio-
nal
11
. La relajacin vibracional es con-
secuencia, de que la naturaleza siem-
LUMO
HOMO
Estado fundamental
o base
polarn
positivo
excitn
Triplete
polarn
negativo
excitn
Singlete
Electrn
desapareado
Hueco
Electrn
desapareado
Hueco
Electrn
desapareado
Hueco
Figura 33. Tipos de excitones.
Fuente: Contents,[en lnea] s.l.:s.n. s.f <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c/phy411.
pdf>. [consulta: feb. 2005].
R
0
R
1
R
S
0
Exc.
E
n
e
r
g
y
<
v=2
v=1
v=0
v=2
v=1
v=0
S
1
a) Absorption
R
0
R
1
R
Luminescence
E
n
e
r
g
y
<
b) Emission
Figura 34. Diagrama de energa para una molcula en su estado base y excitado, mostrando ener-
ga potencial vs distancia nuclear.
Fuente: RIECHEL, Stefan. Organic Semiconductor lasers with two-dimensional distributed Fee-
dback. [en lnea]. Munich: Universidad de Munich. 2002.[consulta: feb de 2005].
9
CONTENTS, Op. Cit, p. 35
10
CONTENTS, Op. Cit, p. 36
11
Ibid, p. 36
| Electrnica
52 |
pre busca el nivel de energa ms bajo
posible, tal cual lo hemos dicho a lo lar-
go de todo este trabajo. Posterior a es-
ta relajacin, el fotn puede ser reemi-
tido despus de un tiempo entre 1ns y
10 ns en una transicin al estado vibra-
cional ms bajo del estado fundamental
(se denomina transicin 0-0), o a el pri-
mer estado vibracional (transicin 0-1)
del estado fundamental, etc.
Figura 35. Formacin de un excitn.
En la fgura 35, observamos la promo-
cin de un electrn del HOMO a un ni-
vel de energa mayor al del gap, debi-
do a que el fotn que lo estimul tena
una energa superior a la brecha ener-
gtica. Sin embargo, buscando la es-
tabilidad, segn dice Andre Mysyrowi-
cz y James P. Wolfe
12
, el electrn rpi-
damente disipa el exceso de energa
en forma de una vibracin de la es-
tructura del semiconductor y se sita
en el LUMO, en donde para relajar-
se aun ms energticamente, se enla-
za coulumbicamente con el hueco del
HOMO y forma un excitn. Cuando en
una molcula la energa de la promo-
LUMO
HOMO
Fotn
Exiton
cin de un electrn (espectro de absor-
cin) es igual a la energa de la desex-
citacin (espectro de emisin), signif-
ca que ambos espectros se dan a la
misma longitud de onda, sin embargo
en la realidad estas longitudes de onda
diferen entre si de 5 a 10 nm, debido
a que por lo general la promocin nun-
ca se da exactamente al LUMO, sino,
a niveles de energa ms altos, y como
vimos en la fgura 34, parte de la ener-
ga de absorcin se disipa no radiativa-
mente, lo que conduce a que la longi-
tud de onda de emisin sea mayor (de
menor energa), es decir se desplace
hacia el rojo con respecto al espectro
de absorcin. Este fenmeno se deno-
mina corrimiento de Stokes y ocasiona
que el espectro de emisin sea como
una imagen en el espejo del espectro
de absorcin. (Ver fgura 36).
Habiendo entendido cmo se da el fen-
meno luminiscente en los semiconduc-
tores orgnicos, tenemos que tener en
cuenta que el fenmeno estudiado es
el referente a la formacin de excitones
por parte de fotones, los cuales siem-
pre generan excitones del tipo single-
te y por lo tanto fuorescencia. No obs-
tante, en los dispositivos electrnicos,
los excitones no son generados por luz,
sino por la combinacin de un polarn
positivo y uno negativo, y estas dos for-
mas de generar excitones guardan en-
tre si muchas diferencias. La principal
diferencia, es que en la formacin de
excitones mediante radiacin lumino-
sa, los excitones formados son del tipo
singlete, en donde el electrn promo-
vido al estado excitado S1, al desexci-
tarse puede emitir un fotn, gracias a
Longitud de onda
E
s
p
e
c
t
r
o

d
e

a
b
s
o
r
c
i

n




(


)
n
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s
c
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n
c
i
a

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a


(


)
300 350 400 450 500 550 600
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Figura 36. Espectro de absorcin y de emisin.
Fuente: Contents,[en lnea] s.l.:s.n. s.f <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c/phy411.
pdf>. [consulta: feb. 2005].
12
MYSYROWICS, Andre y WOLFE, James P. Materia excitnica. Investigacin y Ciencia. No. 92 Ed.
Prensa Cientfca. Barcelona (Espaa). 1984. p.64.
que durante la excitacin, el fotn que
lo excit le transfri su momento orbi-
tal angular (L) que es igual a 1h (h es
la constante de Planck), con lo cual al
desexcitarse, puede ceder ese momen-
to angular al fotn emitido y de esta for-
ma cumplir con el principio de conser-
vacin del momento. Cabe anotar que
siempre que se forman excitones sin-
gletes estos tiene L=1h, pero la expli-
cacin de este fenmeno se sale del al-
cance de este texto. En contraposicin
a la formacin de excitones mediante
fotones, cuando un excitn es forma-
do por la unin de un polarn positivo
y uno negativo, la cuestin no es tan
sencilla, sino que en este caso las re-
glas de la fsica cuntica originan que
halla un 25% de probabilidad de que
se forme un excitn singlete y un 75%
de probabilidad de que el excitn sea
del tipo triplete. La pregunta que sur-
ge es Por qu se da este fenmeno?.
La respuesta, de acuerdo con la pagi-
na web <www.columbia. edu/cu/bulle-
tin/uwb/subj/CHEM/G8348-19993-001.
html>
13
, es que, segn las reglas de la
fsica cuntica, cuando dos partculas
con momento angular de espn (S) se
unen, el espn de la partcula resultante
tendr varios valores posibles, los cuales
se hallan sumando sus momentos an-
gulares de espn, para obtener un mo-
mento de espn mximo, y los dems
estados posibles, se obtienen restndo-
le una unidad a dicho valor hasta que
la resta sea cero, que es el momento
de espn mnimo. Por lo tanto, cuando
el electrn (desapareado) de un pola-
rn positivo y el electrn de un polarn
negativo, ambos con momento angular
de espn de se unen, el momento de
espn mximo ser uno ( + =1) y
restando una unidad se obtiene inme-
diatamente el momento de espn mni-
mo que es de cero. De este modo, el
excitn formado slo tendr dos valo-
res posibles para su momento angular
de espn (0 y 1). Sin embargo aqu no
termina todo, ya que segn la pagina
web anteriormente referenciada
14
, las
reglas de la fsica cuntica tambin di-
cen, que una partcula con momento de
espn cero tiene slo una posible orien-
tacin o estado de espn con respec-
to al eje z, por lo cual se denomina es-
tado singlete, y que una partcula con
momento angular de espn de uno, tie-
ne tres estados de espn u orientacio-
nes con respecto al eje z, por lo que se
denomina estado triplete, con lo que se
concluye que si la partcula tiene un po-
sible momento de espn de cero y tam-
bin tiene un posible momento de es-
pn de uno, entonces tiene cuatro posi-
bles orientaciones o estados de espn,
uno singlete y tres tripletes. Ahora us-
ted se preguntar, por qu los triple-
tes no emiten fotones?, y la respuesta
es que, el electrn del excitn triplete,
a diferencia del singlete, tiene un mo-
mento angular L=0, lo cual imposibili-
ta que se cumpla el principio de con-
servacin del momento en el caso que
se emitiere un fotn y por ende esto no
sucede. Obviamente, el que en la elec-
troluminiscencia de los semiconducto-
res orgnicos slo halla un 25% de pro-
babilidad de que se forme un singlete,
es una muy mala noticia ya que la ef-
ciencia luminiscente es muy baja, sin
embargo, este inconveniente tiene so-
lucin, la cual consiste en transferir el
momento de espn del triplete que es
S=1 al momento angular . La pregunta
es Cmo?, y la respuesta es que esta
transferencia es facilitada por la interac-
cin de los campos magnticos (pro-
ducto de la rotacin) que generan tanto
el momento de espn como el momento
angular, por lo cual este mecanismo se
llama acople LS. La emisin de fotones
mediante acople LS se denomina fos-
forescencia y slo se da en semicon-
ductores que tengan un fuerte acople
LS, que se logra mediante la incorpo-
racin de tomos pesados que tengan
capas llenas y altos nmeros cunticos
(L). La incorporacin de estos tomos
facilita el acople LS, debido a que es-
tos, albergan un gran nmero de elec-
trones externos (de valencia), los cua-
les se encuentran lejos del ncleo y en
consecuencia, tienen un momento an-
gular muy grande. La interaccin de es-
te momento con el espn de los tripletes
crea las condiciones adecuadas para
que todos los excitones puedan emitir
luz en vez de calor. El rendimiento te-
rico as obtenido se aproxima al 100% y
actualmente los materiales pesados uti-
lizados, son complejos organometlicos
que contienen iridio o platino
16
.
La fgura 37 muestra el diagrama de Ja-
blonski, donde se ve el proceso lumi-
niscente, en donde la excitacin se ve
refejada en la absorcin, y la desexci-
tacin, se da en varios pasos, como:
la relajacin vibracional, la conversin
interna, la fuorescencia, el cruce entre
sistemas y la fosforescencia.
Relajacin
vibracional
Conversin interna
Cruce entre
sistemas
T
o
Estado
triplete
Fosforescencia
Absorcin
S
o
Estado fundamental
S
2
Estado
singlete
excitado
S
1
Fluorescencia
Figura 37. Diagrama de Jablonski.
13
Modern molecular Photochemistry. Captulo 2, [en lnea] s.l.: s.n.s.f.. p.9. < http://www.columbia. edu/
cu/bulletin/uwb/ subj/ CHEM/G8348-19993-001.html>
14
Modern molecular Photochemistry. Captulo 2, [en lnea] s.l.: s.n.s.f.. p.9. < http://www.columbia. edu/
cu/bulletin/uwb/ subj/ CHEM/G8348-19993-001.html>
15
CONTENTS, Op. Cit, p. 40
16
WEBSTER. Howard E. Pantallas de pelcula Orgnica. Investigacin y Ciencia. Madrid. 2004.
| Electrnica
56 |
4.1.3 Dinmica de los excitones en
los semiconductores orgnicos
En los semiconductores orgnicos, co-
mo dijimos al comienzo de esta entre-
ga, los excitones formados son exci-
tones de Frenkel, los cuales despus
de ser creados, segn Vissenberg
17
,
tienen varias opciones, como son: re-
combinarse radiativamente y produ-
cir luz, recombinarse no radiativamen-
te y generar fonones, migrar hacia si-
tios (molculas o segmentos de mol-
culas conjugadas) de energa ms ba-
ja, o disociares en portadores de car-
ga libres, es decir el proceso inverso a
la electroluminiscencia. La primera op-
cin es la ms deseada cuando se fa-
brican diodos emisores de luz orgni-
cos (OLED) y para que se de con la ma-
yor efciencia, las dems opciones no
deben ocurrir, ya que la recombinacin
no radiativa por obvias razones dismi-
nuye la emisin de fotones, al igual que
la disociacin en portadores de carga
libre, y en cuanto a la migracin, esta
afecta el color de la luz del dispositivo,
ya que si se desea que el OLED emi-
ta un color azul, la migracin originaria
que la luz emitida sea de una longitud
de onda mayor, lo que cambiar el co-
lor del diodo. Sin embargo cuando el
deseo es fabricar celdas fotovoltaicas,
la primera y la segunda opcin son in-
deseables y la cuarta es la ms impor-
tante. Esta ltima se lleva a cabo con
la participacin de un campo elctrico
como se ve en la fgura 39A.
La fgura 38 muestra un segmento de
polmero desordenado PPV. Donde en
a) se ve un fotn que es absorbido por
la molcula, en b) un excitn (un par
electrn-hueco acoplado), es creado
en la molcula, en c) el excitn migra
hacia molculas con menor energa de
excitn, y en d) el excitn se recombi-
na y un fotn es emitido.
A. B.
a: Aplicacin de un
elctrico campo
B: Disociacin intermolecular
a: Campo elctrico aplicado
b: Disociacin intramolecular
E
E
E
E
17
VISSENBERG, Michel Cornelis Josephus Marie. Opto-electronic properties of disordered Organic Semiconductors.[en lnea]. Leiden: Universidad de Lei-
den. Febrero 1999. <http://www.lorentz. leidenuniv.nl/beenakker/theses/vissenberg/vissenberg.html> p.45[consulta: Nov 2004].
Figura 38. Representacin esquemtica de la
dinmica de los excitones en un semiconduc-
tor orgnico desordenado.
Fuente: VISSENBERG, Michel Cornelis Jose-
phus Marie. Opto-electronic properties of di-
sordered Organic Semiconductors. [en lnea]
Leiden: Universidad de Leiden. Febrero 1999.
<http://www.lorentz. leidenuniv. nl/ beenakker/
theses /vissenberg/vissenberg.html> [consul-
ta: Nov 2004].
Figura 39. a) Disociacin de un excitn entre cadenas polimricas, bajo la infuencia de un cam-
po elctrico. b) Disociacin de un excitn a lo largo de la misma cadena polimrica bajo la in-
fuencia de un campo elctrico.
Fuente: VISSENBERG, Michel Cornelis Josephus Marie. Opto-electronic properties of disordered
Organic Semiconductors. [en lnea]. Leiden: Universidad de Leiden. Febrero 1999. 161p. <http://
www.lorentz.leidenuniv.nl/ beenakker/theses /vissenberg/vissenberg.html> [consulta: Nov 2004].
luz
luz
a: Foto-absorcin
b: Formacin de un excitn
c: migracin de un excitn
d: decaimiento de un excitn
Continuar...