INACAP Renca, Bravo de Saravia 2980. EEAA, rea de electrnica y electricidad. Profesor Javier lvarez Molina.

Ingeniera electrnica, sexto semestre. Octubre 31, 2012.

LABORATORIO 7- 9 Electrnica no lineal

Por: Stephanie Daz Pino David Mix Fuentes

ndice
INTRODUCCIN 3 Laboratorio 7 GENERADORES 4 7-1 Multivibrador CD4538. 4 7-2 Generador de seal ICL8038. 5

Laboratorio 8 MOSFET 6 8-1 Curva caracterstica. 6

Laboratorio 9 MOSFET 9 9-1 Polarizacin. 9 CONCLUSIN 11

Introduccin
Tenemos dentro de la familias de los FET el conocido MOSFET (transistor efector de campo metal oxido semiconductor), que en esta ocasin pondremos a prueba en laboratorio, observando sus caractersticas de conduccin expuesto a diferentes variables que aplicaremos, pero antes de empezar debemos saber que el MOSFET puede utilizarse en dos modos de operacin: incremental y decremental. En est experiencia utilizaremos un MOSFET IRFf540 tipo N. Tambin al iniciar este informe recordaremos dos dispositivos, el multivibrador CD4538 y el generador de seal ICL8038.

LABORATORIO 7 / CD4538

Laboratorio 7-1

MULTIVIBRADOR CD4538

Este integrado corresponde a un doble temporizador de precisin. Este integrado tiene la particularidad de poder ser activado mediante flancos de subida o bajada segn sea como se configure. Su implementacin es bastante sencilla, cada integrado contiene dos temporizadores, cada uno es monoestable, y su tiempo una vez activado es de R*C, es por ello que se define como de precisin.

Estructura interna

Integrado

Ejemplo: Polarizacin Monostable/Astable

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Como el ejemplo anterior el cd4538 se implementa para utilizarlo como un multivibrador astable.

LABORATORIO 7 / ICL8038

Laboratorio 7-2

GENERADOR DE SEAL ICL8038

Este tipo de integrado es capaz de generar seales cuadradas, senoidal y triangular, su rango de frecuencia es de 300 KHz, se polariza con tensiones de hasta 30 volts siendo el mnimo 10 volts con una sola fuente, su caracterstica principal es que genera los tres tipos de seales de forma simultanea

Circuito a implementar

integrado

LABORATORIO 8 / MOSFET

Laboratorio 1-2

CURVA CARACTERSTICA

Objetivo: Obtener las curvas caractersticas de transferencia de un MOSFET IRF540

1- Implemente un circuito para obtener la curva de transferencia del MOSFET IRF540. 2- Comparar datos con los publicados por el fabricante. 3- Aplique diferentes temperaturas

Dispositivos y su valor MOSFET IRF540 Resistencia en Drain Resistencia en Gate Fuente de alimentacin en Drain Fuente de alimentacin en Gate y Source

Valores: RD=2,2K RG=1M VDD=12V VGS=Variable.

En la siguiente imagen, la figura 1 nos indica las caractersticas de transferencia del MOSFET IRF540 segn lo indicado por el fabricante, cuando el dispositivo se expone a diferentes temperaturas

En la figura 2 se observa los resultados obtenidos en laboratorio graficados a modo de comparar la informacin que entrega el fabricante con lo que se obtiene realmente. En conclusin al aumentar la temperatura el MOSFET tiende a conducir corriente en drain con tensiones ms bajas entre GATE y SOURCE y a su vez saturarse as mismo con tensiones menores que a temperatura ambiente.

A continuacin se presentan las mediciones realizadas exponiendo el MOSFET IRF540 a diferentes temperaturas y variando RG

RG 1M Ohm Vgs (volts) 0 3 4 5 6 7 8 RG 680 Ohm Vgs (volts) 0 2,7 3 3,5 4 5 8

Temperatura 25C Id (mA) 0 0,32 4,87 4,87 4,87 4,87 4,87 Temperatura 25C Id (mA) 0 0,01 0,49 15,57 15,63 15,63 15,63

RG 680 Ohm Vgs 0 2 3 3,4

Temperatura >25C Id (mA) 0 0,1 5 15,57

Nota: Cuando la resistencia de RG es elevada observaremos como muestra la tabla superior que el MOSFET inicia su conduccin en ID cercano a los 3 volts o ms en GATE y SOURCE, en cambio si RG es baja, podremos observar que est conduce a un valor cercano a los 3 volts o menos en VGS. Al exponer el MOSFET a temperaturas elevadas este conducir con una tensin en VGS mucho menor a los 3 volts y se acercar ms a cero este punto de inicio de conduccin entre ms se eleve la temperatura en el dispositivo. Por el contrario se observa que cercano a los 3 volts, hasta sobre este valor, el MOSFET se satura.

LABORATORIO 9 / MOSFET

Laboratorio 2-1

POLARIZACIN

Objetivo: Polarizacin de un transistor MOSFET

1. 2. 3. De acuerdo a los mtodos de polarizacin estudiados en teora implemente en trminos prcticos dichos circuitos. Proceda a medir. Comparacin con el anlisis terico.

CIRCUITO A

CIRCUITO B

Dispositivos y su valor

Dispositivos y su valor

MOSFET IRF540 Resistencia en Drain Resistencia en Gate Fuente de alimentacin en Drain

-MOSFET IRF540 -Resistencia en Drain -Resistencia en Gate -Fuente de alimentacin en Drain -Resistencia 1 -Resistencia 2
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Valores: RD=2,2K RG=1M VDD=12V

Valores: RD=2,2K RS=1K R1=3.3M R2=2.2M VDD=40V

A continuacin procedemos a medir en ambos circuito

Circuito A IDQ VGSQ VDSQ VD VS

4,16mA 2,9V 2,9V 2,9V 0

Circuito B IDQ VGSQ VDSQ VD VS

12,78mA 3,38V 3mV 12,56V 12,56V

Observamos que en el circuito A tenemos una polarizacin de tipo incremento por retroalimentacin. Observamos en el circuito B una polarizacin por divisor resistivo.

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Conclusin
Como observamos en el MOSFET los rangos de conduccin se definen bajo los valores que determinemos bsicamente en la resistencia en GATE y la temperatura a la que expondremos el dispositivo, dato importante a la hora de aplicarlo en la construccin de una placa, tendremos que tener presente ste dato ya que no podremos ubicarlo cerca de otros componentes que disipen mucho calor o se enfrenten a corriente elevadas. Debido a la elevada temperatura el MOSFET presentar un adelanto en el plano respecto al rango de conduccin, conduciendo as a valores de tensin en VGS mucho ms bajos que lo normal. Cuando polarizamos el MOSFET por divisor resistivo utilizamos el modo incremental.

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