ANALOGIQUE

F P K Anne Universitaire 2009/16
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A

ELECTRONIQUE
ANALOGIQUE

Prpar par : Pr Y. Lagmich & Pr A.Neddami


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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE ..................................................................................... 1
CHAPITRE I : RAPPELS DELECTRICITE ..................................................................... 7
I. Circuit lectrique .............................................................................................................. 7
II. Courant et tension ........................................................................................................... 7
II-1. Courant .................................................................................................................................................. 7
II-2. Tension .................................................................................................................................................. 7
II-3. Puissance ............................................................................................................................................... 8
III. Diple lectrique ............................................................................................................ 8
III-1. Le gnrateur de tension ...................................................................................................................... 8
III-2. Le gnrateur de courant ...................................................................................................................... 9
III-3. La rsistance ......................................................................................................................................... 9
III-4. La bobine .............................................................................................................................................. 9
III-5. Le condensateur ................................................................................................................................. 10
IV. Quelques thormes gnraux de llectricit ........................................................... 11
IV-1. Loi des noeuds ................................................................................................................................... 11
IV-2. Loi des mailles ................................................................................................................................... 11
IV-3. Thorme de superposition ................................................................................................................ 12
IV-4. Diviseur de tension, diviseur de courant ............................................................................................ 12
IV-5. Thorme de Miliman ........................................................................................................................ 13
IV-6. Thormes de Thvenin et Norton ..................................................................................................... 14
V. Circuits rsistifs en courant alternatif (c.a.) ............................................................... 15
V-1. Types dondes : ................................................................................................................................... 15
V-2. Priode, frquence et phase : ............................................................................................................... 15
V-3. Amplitude, valeur moyenne et valeur efficace : .................................................................................. 16
V-4. Signal sinusodal ................................................................................................................................. 17
V-5. Impdance Complexe .......................................................................................................................... 18
V-6. .............................................................................................................................................................. 18
V-7. Notion de fonction de transfert ............................................................................................................ 19
V-8. Reprsentation de Bode ....................................................................................................................... 19
CHAPITRE II : LA JONCTION SEMI-CONDICTEUR ................................................. 22
I. NOTIONS SUR SEMI-CONDUCTEURS ................................................................... 22
I-1. Structure de latome .............................................................................................................................. 22
I-2. Structure dun cristal ............................................................................................................................. 23
I-3. SEMI-CONDUCTEUR PUR OU INTRINSEQUE .............................................................................. 23
I-4. Silicium non excit T = O K ............................................................................................................. 24


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I-5. Ionisation thermique : gnration de paires lectrons trous .................................................................. 24
I-6. Hauteur de bande interdite et gnration de paires lectrons trous ....................................................... 25
I-7. Phnomne de recombinaisons des lectrons libres .............................................................................. 26
I-8. Concentration intrinsque n
i
des lectrons et des trous dans le silicium pur ......................................... 27
I-9. Description : semi-conducteur extrinsque de type n ............................................................................ 28
I-10. Description : semi-conducteur extrinsque de type p .......................................................................... 29
II. La jonction P-N .............................................................................................................. 30
III. La diode jonction PN, principes gnraux. ............................................................. 31
III-1. Prsentation. ....................................................................................................................................... 31
III-2. Polarisation de la diode. ..................................................................................................................... 32
IV. Caractristiques lectriques ........................................................................................ 33
IV-1. Caractristique d'une diode ................................................................................................................ 33
IV-2. Caractristique courant/tension. ......................................................................................................... 34
IV-3. Modlisation de la diode. ................................................................................................................... 35
IV-4. Les modles statiques de la diode. ..................................................................................................... 35
V. Utilisation ........................................................................................................................ 36
V-1. Paramtres essentiels des diodes. ........................................................................................................ 37
V-2. Diodes de redressement. ...................................................................................................................... 37
V-3. Redressement simple alternance. ......................................................................................................... 37
VI. Redressement double alternance. ............................................................................... 38
VI-1. Avec transfo double enroulement. ...................................................................................................... 38
VI-2. Avec pont de Gretz. ............................................................................................................................ 39
VII. Le Filtrage ................................................................................................................... 40
VII-1. Principe ............................................................................................................................................. 40
VII-2. Ronflement ........................................................................................................................................ 40
VII-3. Forme d'onde aux bornes de la diode redresseuse............................................................................. 41
VII-4. Calcul du condensateur ..................................................................................................................... 42
VIII. Diodes particulires ................................................................................................... 43
VIII-1. Diode Schottky ................................................................................................................................ 43
VIII-2. Diode Zner ..................................................................................................................................... 44
CHAPITRE III : LES QUADRIPOLES........................ ERREUR ! SIGNET NON DEFINI.
I. GENERALITES ........................................................................ Erreur ! Signet non dfini.
I-1. Dfinition ..................................................................................................... Erreur ! Signet non dfini.
I-2. Relations entre les variables lectriques : ..................................................... Erreur ! Signet non dfini.
I-3. Association de quadriples........................................................................... Erreur ! Signet non dfini.


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I-4. 5) Application ............................................................................................... Erreur ! Signet non dfini.
CHAPITRE IV : GENERALITES SUR LES TRANSISTORS A JONCTIONS. ............ 47
I. Introduction ..................................................................................................................... 47
II. Principe .......................................................................................................................... 48
II-1. Transistor rel - principe de fonctionnement. ...................................................................................... 48
III. Constitution et caractristiques physiques dun transistor. .................................... 50
III-1. Le rseau de caractristiques statiques. .............................................................................................. 51
III-2. Mise en oeuvre du transistor. ..................................................................... Erreur ! Signet non dfini.
IV. Point de FONCTIONNEMENT : ......................................... Erreur ! Signet non dfini.
IV-1. Mthodologie de calcul. ............................................................................. Erreur ! Signet non dfini.
IV-2. Modle dynamique du transistor : .............................................................. Erreur ! Signet non dfini.
V. Circuits de polarisation ................................................................................................. 53
V-1. Schma du circuit de polarisation........................................................................................................ 53
V-2. Polarisation par pont diviseur de tension. ............................................................................................ 55
CHAPITRE V : TRANSISTOR BIPOLAIRE EN AMPLIFICATION ............................ 58
I. Fonctionnement en DYNAMIQUE : ....................................... Erreur ! Signet non dfini.
II. Cas du fonctionnement en collecteur commun : ........................................................ 65
II-1. Montage avec polarisation stable : ...................................................................................................... 65
II-2. Schma quivalent dynamique : .......................................................................................................... 66
II-3. Bilan. Utilisation du montage. ............................................................................................................. 67
III. Montage base commune : ............................................................................................ 68
III-1. Polarisation. Point de fonctionnement. ............................................................................................... 68
III-2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs. .................................................................................... 68
III-3. Fonctionnement intuitif. ..................................................................................................................... 69
IV. Fonctionnement en hautes frquentiels ..................................................................... 69
CHAPITRE VI : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ................................................. 71
I. Introduction ..................................................................................................................... 71
II. Principe de fonctionnement .......................................................................................... 71
II-1. Constitution dun FET ......................................................................................................................... 71
III. Phnomne de pincement. ........................................................................................... 72
III-1. Tension drain-source nulle. ................................................................................................................ 72


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III-2. Tension drain-source non nulle. ......................................................................................................... 73
III-3. Caractristiques .................................................................................................................................. 74
III-4. Caractristique dentre. ..................................................................................................................... 74
III-5. Caractristiques de sortie et de transfert. ............................................................................................ 74
IV. Schmas quivalents ..................................................................................................... 76
IV-1. Symboles des FETs. ........................................................................................................................... 76
IV-2. Schma quivalent en petits signaux. ................................................................................................. 76
V. Montage source commune............................................................................................. 77
V-1. Polarisation. ......................................................................................................................................... 77
V-2. Fonctionnement en petits signaux. ...................................................................................................... 78
V-3. Gain en tension. ................................................................................................................................... 79
V-4. Impdance dentre. ............................................................................................................................. 79
V-5. Impdance de sortie. ............................................................................................................................ 79
VI. Utilisation en rsistance commande .......................................................................... 79
VII. Source de courant ....................................................................................................... 80
VIII. Domaine dutilisation ................................................................................................ 81
CHAPITRE VII : TRANSISTOR MOS FET ..................................................................... 82
I. Description. ...................................................................................................................... 82
II. Principe de fonctionnement. ......................................................................................... 82
II-1. Caractristiques. ................................................................................................................................... 83
III. Le MOSFET canal initial (implant) ...................................................................... 84
III-1. Description du principe de fonctionnement. ....................................................................................... 84
III-2. Caractristiques. ................................................................................................................................. 84
IV. Utilisation des MOSFETs ............................................................................................ 85
IV-1. MOSFET de puissance. ...................................................................................................................... 85
CHAPITRE VIII : AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ............................................. 86
I. Introduction ..................................................................................................................... 86
I-1. Gnralit .............................................................................................................................................. 86
I-2. Symbole ................................................................................................................................................ 86
II. Proprit ......................................................................................................................... 87
II-1. Caractristique lectriques ................................................................................................................... 87
II-2. Tension diffrentielle ........................................................................................................................... 87
II-3. Coefficient damplification : ................................................................................................................ 87


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II-4. Tension de saturation : ......................................................................................................................... 88
II-5. Applications ......................................................................................................................................... 88
II-6. Caractristique de transfert : ................................................................................................................ 88
II-7. Mise en oeuvre : Alimentation dun A.I.L laide dune alimentation symtriques : ......................... 89
III. A.I.L. IDEAL : ............................................................................................................. 89
III-1. Tableau rcapitulatif des caractristiques. .......................................................................................... 90
IV. Modlisation de lA.I.L. ............................................................................................... 90
IV-1. A.I.L. rel : ......................................................................................................................................... 90
IV-2. AIL. idal ........................................................................................................................................... 90
V. Diffrenciation entre Rgime linaire et rgime de commutation ............................ 91
V-1. Rgime linaire ................................................................................................................................... 91
V-2. Rgime de commutation ...................................................................................................................... 91
V-3. Comment diffrencier, au sein dune structure quelconque, un A.I.L fonctionnant en rgime de
commutation ou en rgime linaire ?........................................................................................................... 91
VI. Fonction ralis avec une LA.I.L : en rgime LINIERE. ....................................... 92
VI-1. Amplificateur inverseur ..................................................................................................................... 92
VI-2. Amplificateur non inverseur : ............................................................................................................ 93
VI-3. Amplificateur sommateur inverseur : ................................................................................................. 93
VI-4. Amplificateur de diffrence : ............................................................................................................. 94
VI-5. Drivateur : ........................................................................................................................................ 94
VI-6. Intgrateur : ........................................................................................................................................ 94
VII. Fonctions ralises avec une A.I.L. en COMMUTATION : .................................. 95
VII-1. Comparateur simple .......................................................................................................................... 95
VII-2. Comparateur deux seuils : .............................................................................................................. 95


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CHAPITRE I : RAPPELS
DELECTRICITE

I.CIRCUIT ELECTRIQUE
Les circuits (ou rseaux) lectriques sont constitus par linterconnexion de composants
lectriques. Un circuit lectrique est au moins constitu dun gnrateur et dun rcepteur
relis entre eux par des conducteurs. Dans le cas le plus simple, les composants utiliss ont
seulement 2 bornes de connections : on les appelle des diples.

II.COURANT ET TENSION
II-1.Courant
Le courant circulant dans un circuit lectrique est reprsentatif de la quantit dlectricit
circulant dans ce circuit. Il dpend donc du nombre de charges lectriques se dplaant.
Cette quantit est appel intensit lectrique et est dfinie comme le dbit de charges
lectriques dans le conducteur. On la note I et elle sexprime en Ampre (A).

On reprsente un courant lectrique par une flche sur un conducteur :

Remarque : on mesure lintensit avec un ampremtre branch en srie
II-2.Tension
Au repos, les charges lectriques dun conducteur sont en mouvement continuel sous
leffet de lagitation thermique. Cependant, ce mouvement ne se traduit pas par un
dplacement global susceptible de gnrer un courant lectrique. Pour mettre en
mouvement ces charges dans une direction donne, il est ncessaire dappliquer un champ


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lectrique aux bornes du conducteur. En appliquant une diffrence de potentiel sur un
conducteur, on cre un champ lectrique qui met les lectrons en mouvement. La valeur de
la diffrence de potentiel est appele la tension. On la note U et elle sexprime en Volt
2

(V).
On reprsente une diffrence de potentiel par une flche ct dun composant :

Remarque : on mesure la tension avec un voltmtre branch en drivation entre les bornes
A et B.
II-3.Puissance
La puissance est lnergie absorbe ou fournie, par unit de temps, par un circuit
lectrique ou une portion de circuit. Elle est donc reprsentative de la consommation dun
circuit. Elle sexprime en fonction de u et de i et son unit est le Watt (w)

III.DIPOLE ELECTRIQUE
On appelle diple lectrique tout systme compos seulement de deux bornes. Le
comportement dun diple est caractris par la relation entre la tension ses bornes et le
courant le traversant, Il existe deux possibilits pour le choix des sens conventionnels de la
tension et du courant lectrique :

Convention rcepteur : Le courant et la
tension sont flchs en sens oppos. Le
diple reoit de la puissance si p>0.
Convention gnrateur : Le courant et la
tension sont flchs dans le mme sens. Le
diple fournit de la puissance si p>0.

Les diples lmentaires les plus classiques sont
III-1.Le gnrateur de tension
Le gnrateur de tension impose la valeur de la tension ses bornes quel que soit le
courant qui le traverse.


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III-2.Le gnrateur de courant
Le gnrateur de courant impose la valeur du courant qui le traverse quelle que soit la
tension ses bornes.

III-3.La rsistance
Une rsistance est constitue de matriau ayant une forte rsistivit. Elle soppose au
passage du courant dans un circuit lectrique. On lutilisera donc en gnral pour limiter le
courant dans un circuit. Le passage de ce courant provoque un chauffement de la
rsistance.

Lois dOhm :
La relation liant la tension et le courant aux bornes dune rsistance sappelle la loi
dOhm
u : tension aux bornes de la rsistance en Volt.
u = R i i : courant traversant la rsistance en Ampre.
R : valeur de la rsistance en Ohm.
- Puissance

P : puissance dissipe sexprimant en Watt.
U : tension aux bornes de la rsistance en Volt
i : courant traversant la rsistance en Ampre

Association :
En srie :

En parallle :

Caractristiques :
Une rsistance est dfinie par sa valeur nominale en ohm, sa tolrance et la puissance
maximale quelle peut dissiper.
III-4.La bobine
On dfinit le coefficient dinduction magntique de la bobine par le rapport entre le flux
dinduction magntique travers le circuit et le courant qui lui donne naissance on le note
L :


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Or la diffrence de potentiel u apparaissant grce leffet auto-inductif aux bornes de la
bobine est gale :

O L est appele linductance de la bobine et sexprime en Henri (H).

Energie :
Le phnomne physique correspond au stockage dnergie sous forme magntique. Ce
stockage est momentan et lnergie est restitue au circuit en courant. Ainsi, la variation
de courant aux bornes dune inductance ne pourra pas subir de discontinuit.

Association :
En srie : L
eq
=L1+L2+.+Ln

En parallle :
=
=
n
k
k
eq
L
L
1
1
/ 1

III-5.Le condensateur
Un condensateur est constitu de deux plaques conductrices (tain, cuivre, aluminium...)
appeles armatures, places en regard lune de lautre, et spares par un
isolant dpaisseur variable appel dilectrique. Les dilectriques les plus
utiliss sont lair, le mica, le papier, le plastique, le verre, etc...
Il se caractrise par sa capacit C qui est la constante de proportionnalit
entre la Charge (ou quantit dlectricit) quil acquiert et la tension u
applique ses bornes.
- Capacit :
On dfinie la capacit C par le rapport de charges accumules sur les armatures sur la
diffrence de potentiel entre les armatures.

La relation entre le courant traversant un condensateur et la tension ses bornes est donc :

Energie :
Le phnomne physique correspond au stockage dnergie sous forme lectrostatique. Le
stockage est momentan et cette nergie est restitue au circuit sous forme de tension.


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Ainsi, la variation de tension aux bornes dun condensateur ne pourra pas subir de
discontinuit.

Association :

En srie :

En parallle :

IV.QUELQUES THEOREMES GENERAUX DE LELECTRICITE
Ltude des circuits lectriques linaires est base sur les lois de Kirchhoff (loi des
mailles, loi des noeuds). Leur application conduit une mise en quation dont la
rsolution permet dtablir les lois dvolution des diffrentes grandeurs recherches. Ces
lois sont gnrales, si bien que leurs rsultats restent valables quel que soit la nature des
signaux appliqus.
Vocabulaire :
Un noeud est un point du circuit reli deux diples ou plus
(C et D).
Une branche de rseau est la partie de circuit comprise entre
deux noeuds. (CD et EF)
Une maille est un parcours ferm de branches passant au
plus une seule fois par un noeud donn (ACEFDBA et
ACDBA et CEFDC).
IV-1.Loi des noeuds
Il sagit dune consquence de la conservation de la charge lectrique. Elle peut
sexprimer sous deux formes diffrentes :

La somme des intensits des courants arrivant un noeud est
gale la somme des intensits des courants sortant de ce
nud

O

La somme algbrique des courants arrivant un noeud est
constamment nulle.

IV-2.Loi des mailles
La somme algbrique des tensions rencontres en parcourant une maille dans un sens
prdfini est nulle.


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Lapplication de cette loi implique de respecter plusieurs rgles.

1-La tension aux bornes dun lment est
marque par une flche conformment la
convention gnrateur ou rcepteur en usage.
2 -On choisit un sens de parcours de la maille.
3 -On dcrit la maille dans le sens choisi
On affecte le signe + aux tensions dont la
flche indique le mme sens
On affecte le signe - aux tensions dont la flche
indique le sens inverse
4 - La somme algbrique des tensions est nulle.

IV-3.Thorme de superposition
Si les circuits tudis sont linaires, ils en possdent les proprits. La principale est la
superposition qui peut se traduire de la manire suivante :

La rponse globale dun montage soumis plusieurs sources indpendantes est la somme
des rponses partielles correspondant chaque source.

Ainsi, pour chacune des sources indpendantes, on tudie la rponse du circuit en
considrant les autres sources indpendantes teintes (par contre, les sources
commandes restent toujours actives).
Remarques :
Une source de tension idale teinte est remplace par un court-circuit ( i e = 0 ).
Une source de courant idale teinte est remplace par un circuit ouvert (i =0Vu).

Ex :

IV-4.Diviseur de tension, diviseur de courant
IV-4-1.Diviseur de tension
On considre la situation suivante :


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On a:

On en dduit la relation du diviseur de tension :

On notera avec soin que le courant i
s
doit tre nul.
IV-4-2.Diviseur de courant
On considre la situation suivante :

On a :

On en dduit la relation du diviseur de courant :

IV-5.Thorme de Miliman


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IV-6. Thormes de Thvenin et Norton
IV-6-1.Thvenin
nonc du thorme : Tout circuit linaire compos dune ou de plusieurs
sources et de plusieurs rsistances peut tre remplac par
une source de tension unique (E
th
) et une rsistance unique
(R
th
). Ce thorme nous permet donc disoler une partie
prcise dun rseau.
Exemple : Soit le circuit suivant :
R3
- +
R2
-
+
R4
-
+
R5 R1
+ -
Es=15V
a
b
R6
-
+

Figure Chapitre I : -1 Mthode de Thvenin
o R
1
= 1kO, R
2
= 3kO, R
3
= 2kO, R
4
= 3kO, R
5
= 500O,
Dans cet exemple, llment isoler est la rsistance R
6
. Nous avons calculer les
paramtres du circuit quivalent de Thvenin pour la partie encadre. La mthode
consiste, premirement, calculer R
th
en remplaant toutes les sources de tension par des
courts-circuits et en calculant la rsistance totale vue entre les bornes a et b sans tenir
compte de R
6
. Deuximement, on doit calculer

E
th
mesurable entre les bornes a et b en
remplaant R
6
par un circuit ouvert. Le rsultat donne le circuit quivalent de Thvenin
suivant :
Rth
+
Eth

Figure Chapitre I : -2 Circuit quivalent de Thvenin

O R
th
= R
5
+ (1 / ((1 / R
2
) + (1 / R
4
) +(1 / (R
1
+R
3
))) = 1,5 kO

et E
th
= (15V / 4,5kO) * 1,5 kO = 5V
a


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IV-6-2.Thorme de Norton
Tout rseau linaire pris entre deux bornes peut
se mettre sous la forme dun gnrateur de
courant I
N
en parallle avec une impdance Z
N
.
I
N
reprsente le courant de court-circuit du
rseau linaire. Z
N
est limpdance entre les
deux bornes du rseau lorsque toutes les sources
indpendantes sont teintes.

V. CIRCUITS RESISTIFS EN COURANT ALTERNATIF (C.A.)
V-1.Types dondes :
La forme dune onde lectrique est une reprsentation de sa variation damplitude
(tension ou courant) en fonction du temps.
Onde sinusodale Onde carre Onde triangulaire

Figure Chapitre I : -3 Formes d'onde courante
V-2.Priode, frquence et phase :
- Onde priodique : un mme patron donde se rpte toutes les x secondes.
Priode (cycle) : intervalle de temps pendant lequel londe priodique se reproduit.
- Symbole : T.
- Unit : seconde.

Frquence : nombre de cycles par seconde.
- Symbole : f = 1 / T .
- Unit : cycle / sec. ou plus souvent Hertz ( Hz ).
Exemple :
la frquence dune onde priodique, dont la priode est de 20ms, se calcule de la
faon suivante :
f = 1 / (20 x 10
-3
) = 50 Hz.
Phase: dcalage, normalement exprim en degrs ou en radians, entre des ondes de
mme type qui ne passent pas par zro en mme temps.


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Exemple:
u :dphasage entre e1 et e2
e1 e2

2

Figure Chapitre I : -4 Dphasage entre deux ondes
V-3.Amplitude, valeur moyenne et valeur efficace :
Amplitude : pour une onde priodique, on utilisera lamplitude crte et lamplitude
crte crte.
- Amplitude crte ( U
c
, E
c
, I
c
) :

- Amplitude crte crte ( U
c-c
, E
c-c
, I
c-c
) :

Valeur moyenne : de faon gnrale, la valeur moyenne se calcule en divisant
laire sous la courbe par la dure dun cycle de londe.
Exemple: la tension moyenne de londe carre suivante se calcule ainsi :
Um = ((5V * 1sec) - (2V * 1sec))/ 2 sec = 1,5 V
5V
2V
2usec
1usec

Figure Chapitre I : -5 Valeur moyenne d'une onde carre


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Valeur efficace (valeur RMS ; Root Mean Square) :
La valeur efficace dune tension ou dun courant alternatif est gale la racine
carre de la moyenne des carrs des valeurs crtes.

U ou I
T T
x t dt eff eff
T
T
. . ( ) =
=
}
1
2 1
2
1
2

V-4.Signal sinusodal
Une reprsentation classique dun signal sinusodal se fait sous la forme suivante :

Un signal sinusodal est donc dfinit par sa valeur maximale, sa pulsation et sa phase
lorigine.
Remarque : la valeur efficace dun signal sinusodal est gale

V-4-1.Reprsentation dun signal sinusodal
Un signal s(t) = S.sin( .t+) peut se reprsenter
sous la forme dun vecteur. Si tous les signaux sont
de mme pulsation, on fige langle t 0 (instant
initial). Ainsi, la norme du vecteur reprsentera
lamplitude du signal et son inclinaison le
dphasage lorigine.
Cette description graphique est appele
reprsentation de Fresnel. Elle bnficie des
proprits attaches aux vecteurs. Cependant elle
ncessite des constructions graphiques plutt fastidieuses. Le dfaut des diagrammes de
Fresnel est lev par une reprsentation utilisant les nombres complexes. On identifie le
plan prcdent au plan complexe puis on exprime le nombre complexe S :

Ainsi :
le module de S reprsente lamplitude de s(t)
la phase de S reprsente le dphasage de s(t)


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Remarque : s(t) est la partie imaginaire du nombre complexe .
V-5.Impdance Complexe
Pour un diple D , parcouru par le courant i(t) et aux bornes duquel on mesure la tension
u(t), limpdance complexe est dfinie comme tant le rapport de la reprsentation
complexe de u(t) par celle de i(t) :

V-5-1.Impdance de la rsistance
Aux bornes dune rsistance, u = R i.
Donc

V-5-2.Impdance de Iinductance
Aux bornes dune inductance,

V-6.
2.3.3 Impdance du condensateur

Aux bornes dun condensateur,

Remarques :
Limpdance dpend de la frquence
Une impdance qui a une partie imaginaire ngative est de type capacitif
Une impdance qui a une partie imaginaire positive est de type inductif.
La partie relle dune impdance est de type rsistif et est toujours positive.


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Le condensateur dphase le courant par rapport la tension de - 90 => i(t) est en avance
sur u(t).
La bobine dphase le courant par rapport la tension de + 90 => i(t) est en retard sur
u(t).
V-7.Notion de fonction de transfert
Limpdance de certains lments de base de llectrocintique est variable avec la
pulsation de la source dalimentation. Cette proprit est utilise dans les fonctions
lectroniques o interviennent des signaux frquence variable. Les circuits lectroniques
sont alors dcrits par leur fonction de transfert. Elle traduit le rapport entre la grandeur de
sortie et celle dentre et son tude permet de dcrire les proprits du circuit associ. En
rgime sinusodal, cest une fonction complexe de la variable frquence. Cest donc la
vision frquentielle des signaux qui sera tudie, se substituant la vision temporelle. Les
amplitudes et phases relatives des signaux en fonction de la frquence constitueront le
centre des tudes.
On reprsente un circuit lectronique sous la forme dune bote noire et on considre
lentre et la sortie sous leur reprsentation complexe.

On dfinit alors les deux fonctions de la pulsation w

le gain du circuit qui est le module de la fonction de transfert:

la phase du circuit qui est largument de la fonction de transfert:

V-8.Reprsentation de Bode
Lanalyse purement algbrique de lvolution du gain et de la phase de la fonction de
transfert dun circuit devient souvent trs vite complexe et fastidieuse. Aussi, on prfre
utiliser une reprsentation graphique : les diagrammes de Bode. On dfinit :

Remarques :
Laxe des frquences est en chelle logarithmique (gradue par dcade), ce qui permet une
reprsentation sur une plus large plage de valeurs ( compression dchelle).
Les diagrammes de Bode peuvent se reprsenter sous forme de courbe relles ou de
diagrammes asymptotiques :
courbes relles : cest la reprsentation graphique des fonctions G
dB
et en fonction
de f ou de .


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diagramme asymptotique : cest la reprsentation graphique simplifie des fonctions
laide de leurs quivalents aux bornes du domaine de dfinition ( 0, et

c
).

Exemple : Etude dun circuit RC

a) Etude du module :

La reprsentation asymptotique de Bode est donc compose de 2 asymptotes :
1 asymptote parallle laxe des frquences pour <c (GdB = 0dB)
1 asymptote oblique de pente 6dB/octave ou 20dB/dcade pour >c
le point dintersection entre les 2 asymptotes est le point o =c, cest la
pulsation de coupure


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b) Etude de largument :

La reprsentation asymptotique de Bode est donc compose de 2 asymptotes :
1 asymptote parallle laxe des frquences pour <c ( = 0)
1 asymptote parallle laxe des frquences pour >c ( = -90)
le point dintersection entre les 2 asymptotes est le point o =c ( = -45)

c) Courbes de Bode :

Remarques :
La pente 20dB/dcade (ou 6dB/dcade) est typique dun systme du 1
ier
ordre en .
Le dphase de 90 est typique dun systme du 1
ier
ordre en .
Un systme dordre n apportera des pentes et des dphasages n fois plus grand.


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CHAPITRE II : LA JONCTION SEMI-
CONDICTEUR
I.NOTIONS SUR SEMI-CONDUCTEURS
I-1.Structure de latome
Latome est constitu dun noyau autour duquel gravitent des lectrons de charge lectrique q ngative (-
1.6 10
19
Coulomb). Le noyau contient deux types de particules :

Les neutrons qui ne sont pas chargs
Les protons qui portent une charge lectrique + q.

Latome tant lectriquement neutre, le nombre de protons est gal au nombre dlectrons.
Les lectrons dun atome gravitant autour du noyau sont assujettis occuper des niveaux dnergie
discrets E1, E,... E, dfinissant chacun une couche lectronique. Plus le niveau est lev plus la couche
qui lui correspond est loigne du noyau. Si 1on choisit comme origine nergtique (E= 0 eV) celle
dun lectron soustrait linfluence du noyau (cest--dire port une distant infinie), toutes les valeurs
des nivaux dnergies E11 sont ngatives (1 eV reprsente 1.6 10.19 Joule) Cela se traduit par le fait
quil faut produire un travail pour loigner un lectron.

On distingue
- Les lectrons internes qui occupent les premires couches. Ils sont alors trs fortement
lis au noyau

- Les lectrons de valence (ou priphriques) qui occupent la couche la plus externe. Ces
lectrons de valence sont peu lis au noyau.

Considrons un atome de silicium qui possde 14 lectrons (Z = 14). Ces lectrons sont rpartis sur
trois couches lectroniques
K (2 lectrons)
L (8 lectrons)
M (4 lectrons)


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Contrairement aux deux premires, la dernire couche (M) est incomplte, elle peut accueillir 4
lectrons supplmentaires. En effet, Il faut savoir que tous les atomes tendent avoir huit
lectrons sur leur couche priphrique.

I-2.Structure dun cristal
Un cristal est constitu dun ensemble datomes dont les noyaux sont rpartis dans lespace de faon
rgulire. La cohsion des atomes est assure par la mise en commun des lectrons de valence pour
former des liaisons dites de covalence

Cristal
Les tats nergtiques possibles des lectrons du cristal sont reprsents par un diagramme
analogue celui de latome. Mais du fait de linteraction des atomes entre eux, les niveaux dnergie se
transforment en bandes dnergie spares par des bandes interdites (o il ny a pas dtats permis).

Connue dans le cas de latome, le nombre dlectrons susceptibles doccuper une bande dnergie
est limit et les lectrons du solide comblent en priorit les tats dnergie les plus faibles.

Un lectron dont lnergie est situe dans une bande en dessous de la bande de valence est li un
atome donn du solide. Par contre, un lectron de la bande de valence est commun plusieurs atomes,
La bande situe au-dessus de la bande interdite sappelle la bande de conduction.

Llectron dont lnergie se situe dans bande de conduction circule librement dans le solide. Cest un
porteur de charge qui participe lcoulement du courant dans le solide lorsque ce dernier est soumis
une diffrence de potentiel (qui produit mi champ lectrique).

Chaque type de matriau prsent une hauteur de bande interdite qui lui est propre cette diffrence
dnergie, qui joue un rle fondamental, permet de distinguer les matriaux isolants, semi-conducteurs et
conducteurs.

I-3.SEMI-CONDUCTEUR PUR OU INTRINSEQUE
Lindustrie fabrique les semi-conducteurs avec un haut degr de puret (moins de 1 atome tranger
pour 10
11
atomes de semi-conducteur) on parle alors de semi-conducteur intrinsque. Par exemple,
latome de silicium possde 4 lectrons sur sa couche priphrique car il appartient la 4 colonne de la
classification priodique des lments indique ci-dessous.


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I-4.Silicium non excit T = O K
Considrons un cristal de silicium pur, non excit, au Zro absolu (0K) et dans lobscurit Afin de
voir huit lectrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 lectrons priphriques en
commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium reprsentation de la figure
1

Figure 1 : Cristal de silicium OK
La mise en commun des lectrons priphriques, appele liaison de covalence, assure cohsion du
cristal de silicium. Les lectrons qui participent ces liaisons sont fortement lis aux atomes de silicium.
Il napparat donc aucune charge mobile susceptible dassurer la circulation dun courant lectrique. Le
silicium est alors un isolant, en effet sa bande de valence est sature (toutes les places sont occupes). Sa
bande de conduction (qui offre cependant des places libres) est alors vide

I-5.Ionisation thermique : gnration de paires lectrons trous
Lorsque la temprature augmente, lagitation thermique dsordonne la configuration fige prcdente
(0K) en effet les lectrons qui possdent une nergie positive supplmentaire, provoque la rupture de
quelques liaisons de covalences.


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Figure 2 : Cration dune paire lectron trou par rupture dune liaison de covalence
Sous leffet de la temprature

Supposons quun des lectrons participant une liaison de covalence acquire une nergie
suffisante pour quitter latome auquel il tait li (figure 2). il devient alors un porteur libre, capable de se
dplacer dans le cristal, autorisant ainsi la circulation dun courant lectrique sous une diffrence de
potentiel. Le cristal devient alors un mauvais isolant do son appellation de semi-conducteur.

Consquences

- La place vacante laisse par llectron qui a quitt la bande de valence est devenue un trou.
- Latome de silicium qui a perdu un lectron nest plus alors lectriquement neutre : il est devenu
un ion positif.

Remarque :
Ce phnomne dionisation thermique nintresse quun nombre trs faible datomes de silicium (3 sur
10
13
la temprature de 300 K).

I-6.Hauteur de bande interdite et gnration de paires lectrons trous
Le paramtre essentiel qui caractrise le semi-conducteur est la quantit dnergie minimale
ncessaire pour briser une liaison de covalence, ce qui revient dans le modle des bandes dnergie
faire grimper un lectron de lun des niveaux de la bande de valence sur lun des niveaux de la bande
de conduction (figure 3 situation I).

Figure 3 Gnration dune paire lectron trou
.


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Ainsi lnergie minimale requise pour gnrer une paire lectron-trou correspond la hauteur de
bande interdite E
G
dont la valeur est indique dans le tableau suivant pour divers matriaux :

A une temprature diffrente du zro absolu, un certain nombre dlectrons de valence acquiert
assez dnergie thermique pour rompre leurs liaisons et devenir des lectrons libres. Ce gain dnergie.
qui doit tre au moins gal E
G
, fait accder les lectrons des places libres de la bande de conduction.
Corrlativement, ils laissent derrire eux des places disponibles vides (trous) dans la bande de
valence (figure 3 situations 2).

La hauteur considrable de bande interdite du diamant (5.47 eV) en fait un parfait isolant. En effet
mme aux tempratures leves, il est impossible de faire passer des lectrons de la bande de valence
la bande de conduction. Loxyde de silicium S
i
O
2
matriau important pour la fabrication des circuits
intgrs, avec une bande interdite de 9 eV, est lui aussi un isolant.

Remarque : les conducteurs mtalliques ont une structure cristalline et ce titre on leur associe un
schma de bandes. Celui-ci prsente cependant une configuration particulire telle qu toutes les
tempratures, il existe des lectrons libres disponibles (environ 1023 cm3). En effet, soit la bande de
conduction dispose toujours de places libres, soit il existe un chevauchement entre bandes de valence et
de conduction supprimant alors la bande interdite.
I-7.Phnomne de recombinaisons des lectrons libres
Lionisation thermique devrait conduirait lionisation de tous les atomes de silicium savoir :
5.10
22
atomes par cm3. En fait, elle est compense par un autre phnomne : les Recombinaisons
dlectron libre.

Figure 4: Recombinaison dune paire lectron trou.

En effet, un lectron libre, arrivant, lors de sou dplacement dans le cristal, proximit dun ion
positif peut tre captur par ce dernier afin de satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). La liaison
de covalence est alors rtablie. Dans le modle des bandes (figure 4) un lectron de la bande de
conduction libre sa place et vient occuper une place libre dans la bande de valence, neutralisant alors un
trou.
Lorsque llectron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le semi-conducteur
restitue lnergie sous forme de chaleur ou met de la lumire (photon). Ce dernier effet est utilis dans


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les diodes lectroluminescentes (L.E.D.) soit les lasers semi-conducteurs. Le photon mis a une nergie
gale E
G
selon :

longueur donde
h constante de Planck
c vitesse de la lumire

soit : (m). E
G
(eV) = 1.24.

En sens inverse, un photon qui possde une nergie suprieure ou gale E0 a le pouvoir de gnrer une
paire lectron trou.

I-8.Concentration intrinsque n
i
des lectrons et des trous dans le silicium pur
A temprature constante, un quilibre stablit entre les phnomnes dionisation thermique et de
recombinaison, les lectrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantits gales.
Les concentrations par unit de volume (cm
3
), n en lectrons libres dans la bande de conduction et p
en trous libres dans la bande de valence sont gales n
i
: la concentration intrinsque. La mcanique
statistique montre que la population des porteurs libres (n lectrons .cm3) dans la bande de conduction et
(p trous.cm
-3
) dans la bande de valence sexprime selon :

O N
c
et N
v
sont respectivement la densit effective dtats des lectrons dans la bande de conduction
(2.82.10
19
cm
-3
300K pour S
i
) et la densit effective dtats des trous dans la bande de valence ( 1.83.
10
19
cm
-3
300K pour S
i
). Ces deux coefficients voluent avec la temprature selon une loi en T
3/2
Ec et En reprsentent deux diffrences dnergies lies un niveau de Fermi E
Fi
qui indique les
carts de population entre les lectrons et les trous.
k : constante de Boltzmann 8, 6 .10
-5
eV K
-1

T : temprature absolue en K

Figure 5 : Populations (les lectrons et des trous du silicium intrinsque
Position du niveau de Fermi E
Fi
.

Pour le silicium intrinsque 300 K, o les populations p et n sont gales n
i
, on montre
que le niveau de Fermi E
Fi
est pratiquement situ au milieu de la bande interdite. En effet
: la diffrence E
n
E
p
(11.2 meV) est ngligeable devant la hauteur de bande interdite
E
n
+E
p
gale 1.12eV.


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La concentration intrinsque n
i
en lectrons libres et en trous libres dpend de la hauteur
de bande interdite EG et de la temprature T (figure ci-aprs ou Al de lannexe) selon la
relation :

A est une constante du matriau
Pour le silicium T= 300K n obtient

Le silicium intrinsque a des applications pratiques limites : photos rsistance,
thermistances. Cependant, il est possible en introduisant certaines impurets, par la
technique du dopage en quantit contrle, de privilgier un type de conduction : par
lectrons libres ou trous libres.

I-9.Description : semi-conducteur extrinsque de type n
Un semi-conducteur dans lequel on aurait substitu quelques atomes ttravalents des
atomes pentavalents est dit extrinsque de type n (Fig. 2)

Figure 1- 2. Semi-conducteur de type n
Quatre lectrons de la couche priphrique de latome pentavalent prennent part aux liens
de valence alors que le cinquime, sans attache, est libre de se mouvoir dans le cristal.
Llectron libre ainsi cr neutralise la charge positive, solidaire du rseau cristallin,
quest latome pentavalent ionis.

Dfinitions

Le dopage est laction qui consiste rendre un semi-conducteur extrinsque. Par
extension, ce terme qualifie galement lexistence dune concentration datomes
trangers : on parle de dopage de type n. On donne le nom dimpurets aux atomes
trangers introduits dans la maille cristalline. Dans le cas dun semi-conducteur


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extrinsque de type n, les impurets sont appeles donneurs car chacune dentre elles
donne un lectron libre.

Modle
Les dopages courants sont denviron 10
16
10
18
atomes par cm3. On peut admettre que le
nombre volumique des lectrons libres est gal au nombre volumique des impurets et que
le nombre volumique des trous (charges libres positives) est ngligeable. Etant donnes
ces considrations, on tablit le modle de semi-conducteur reprsent la Figure 1- 3
dans lequel napparaissent que les charges essentielles, savoir : les lectrons libres et les
donneurs ioniss. Les charges fixes sont entoures dun cercle.

Figure 1- 3. Semi-conducteur de type n (modle)
I-10.Description : semi-conducteur extrinsque de type p
Si lon introduit des atomes trivalents dans le rseau cristallin du semi-conducteur, les
trois lectrons de la couche priphrique de limpuret prennent part aux liens de valence,
laissant une place libre. Ce trou peut tre occup par un lectron dun autre lien de valence
qui laisse, son tour, un trou derrire lui. Latome trivalent est alors ionis et sa charge
ngative est neutralise par le trou (voir fig 1- 4). Le semi-conducteur est alors extrinsque
de type p.

Figure 1- 4. Semi-conducteur de type p

Dfinition

Les impurets, dans un semi-conducteur extrinsque de type p. sont appeles accepteurs
au vu de leur proprit daccepter un lectron situ dans un lien de valence.
Modle
On peut faire les mmes considrations quau paragraphe 1.8 concernant le nombre
volumique des trous : il est approximativement gale au nombre volumique des impurets.
Le nombre volumique des lectrons libres est alors considr comme ngligeable. Il
sensuit un modle, reprsent la Figure 1- 5, dans lequel napparaissent que les charges
prpondrantes : les trous et les accepteurs ioniss.


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Figure 1- 5. Semi-conducteur de type p (modle)

Commentaire
Il faut remarquer que le semi-conducteur extrinsque, type p ou type n, est globalement
neutre. On peut le comparer un rseau gomtrique dont certains noeuds sont chargs et
dans lequel stagne un gaz de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du rseau.
On largit, par la suite, la notion de semi-conducteur de type n un semi-conducteur dont
le nombre volumique des donneurs lemporte sur celui des accepteurs et celle de semi-
conducteur de type p un semi-conducteur dans lequel le nombre volumique des
accepteurs est prpondrant.
II.LA JONCTION P-N
La jonction PN est la base de la plupart des applications des semi-conducteurs.
Elle est cre par la mise en contact d'un semi-conducteur de type P et d'un semi-
conducteur de type N. Dans la zone de contact, les lectrons libres du segment N
pntrent dans le segment P et se recombinent avec les trous. De mme, les trous
du segments P pntrent dans le segment N et se recombinent avec les lectrons. Ce
phnomne est appel diffusion.
Il en rsulte, au niveau de la transition des segments, l'apparition d'une zone
exempte de charges mobiles, o seuls demeurent les atomes d'impurets fixes (ions
accepteurs dans le segment P, ions donneurs dans le segment N) et les atomes de
semi-conducteur neutres. Les charges constitues par les ions fixes sont l'origine
d'un champ lectrique E dans la zone de transition, et par la mme d'une diffrence
de potentiel Vo (appele barrire de potentiel) aux bornes de cette zone. Le champ
lectrique E tend maintenir les porteurs majoritaires dans leurs rgions
respectives et s'oppose ainsi la cause qui lui donne naissance, ce qui conduit un
tat d'quilibre.


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Cependant, le champ lectrique E n'interdit pas le passage des porteurs minoritaires
prsents dans les segments de type P et N (courant de "saturation" Is). Ce
mouvement est toutefois quilibr par les porteurs majoritaires qui possdent
l'nergie Wo = eVo ncessaire au franchissement de la barrire de potentiel.
Expression et ordre de grandeur de la barrire de potentiel:

k (constante de Boltzman) = 1,38 10
-23
J/K
q (charge d'un lectron) = 1,6 10
-19
C
T: temprature en Kelvin
NA: concentration en atome accepteur
ND: concentration en atome donneur
ni: concentration en paire lectron-trou intrinsque

Exemple : Jonction PN silicium 300 K (27C)

La valeur de la barrire de potentiel est trs dpendante de la temprature. La
concentration intrinsque ni augmente trs rapidement avec la temprature (elle
double tous les 7C pour le silicium et tous les 10C pour le germanium). C'est
cette dpendance qui prdomine, dterminant un coefficient de temprature ngatif
pour Vo, de l'ordre de -2,2 mV/K.

Calculez la valeur de la barrire de potentiel pour une jonction PN germanium 300 K.

III.LA DIODE A JONCTION PN, PRINCIPES GENERAUX.
III-1.Prsentation.
La diode jonction PN est un composant form par la succession suivante de
matriaux: mtal, semi-conducteur de type P, semi-conducteur de type N, mtal.
L'lectrode mtallique en contact avec le semi-conducteur de type P s'appelle
anode (A), celle au contact du semi-conducteur de type N, cathode (K).
Son fonctionnement macroscopique est assimilable celui dun interrupteur command
qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens


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III-2.Polarisation de la diode.
Puisque la diode possde deux lectrodes, deux possibilits de polarisation existent.
III-2-1.Diode polarise en direct.
Une diode est polarise en direct lorsque la tension VD (impose par un circuit extrieur)
applique entre l'anode et la cathode est positive (VD=VAK). Cette tension provoque une
diminution de la barrire de potentiel de la jonction PN, favorisant une circulation des
porteurs majoritaires travers la jonction: un courant ID positif apparat entre l'anode et la
cathode, dpendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite passante.
Par convention, la tension et le courant de diode sont qualifis de tension et courant direct.
.

III-2-2.Diode polarise en inverse.
Une diode est polarise en inverse lorsque la tension V
D
(impose par un circuit extrieur)
applique entre l'anode et la cathode est ngative. Cette tension provoque une
augmentation de la barrire de potentiel de la jonction PN. La diffusion des porteurs
majoritaires travers la jonction diminue trs fortement. Seule la circulation des porteurs
minoritaires existe : le courant I
D
entre l'anode et la cathode devient ngatif et est presque
indpendant de la valeur de la tension V
D
. La diode est dite bloque.
La valeur thorique du courant de diode I
D
est -Is (Is: courant de "saturation" de l'ordre
de 10
-12
A ). En pratique, la valeur de I
D
est plus importante (-10
-9
A -10
-6
A) cause
d'un courant de fuite d l'irrgularit surfacique de la jonction.


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En conclusion, dans ce mode de fonctionnement, la tension V
D
et le courant I
D
de diode
sont ngatifs. C'est pourquoi, leurs grandeurs opposes sont de prfrence utilises.
Par convention, elles s'appellent Vi ou VR et Ii ou IR (i=inverse et R=Reverse).

IV.CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES
En physique des semi-conducteurs, on montre que le courant circulant dans une diode est
dcrit par l'quation suivante

Dont les paramtres physiques sont :
-VT , le potentiel thermique quivalent l'nergie thermique kT des porteurs de charge q

o k est la constante de Boltzmann (1.38 10
23
J/
o
K) et q la charge lectrique lmentaire
(1.6 1019 C) ;
- IS, le courant de saturation inverse de la jonction (ordre de grandeur : quelques diximes
de nA) ;
-n, le facteur technologique dpendant du type de diode et de la manire dont elle est
fabrique ; il est gnralement compris entre 1.3 et 2 pour les diodes et vaut pratiquement
1 pour les transistors bipolaires.
La valeur de IS se mesure en polarisant ngativement la diode avec une tension
lgrement ngative ( 1V). L'exponentielle de l'quation (2.1) devient alors ngligeable
par rapport 1 et on obtient IDIS. Ce courant inverse est suffisamment petit (de l'ordre
du nA) pour qu'on puisse l'admettre nul et considrer que la diode ne conduit pas en
polarisation inverse.
IV-1.Caractristique d'une diode
Comme on vient de le voir, la diode en polarisation inverse ne laisse circuler qu'un trs
faible courant que l'on admet nul : I
D
= Is 0 si V
D
< 0.3V .
Si la tension ngative devient trop grande, le champ lectrique devient si fort qu'il peut
arracher des lectrons du cristal semi-conducteur et causer par effet d'avalanche le
claquage de la jonction et sa destruction. Les tensions de claquage des diodes
redresseuses s'lvent plusieurs centaines de volts.
En polarisation directe, le courant crot exponentiellement avec la tension. En effet,
lorsque la tension applique est suffisamment positive (U
D
> 0.3 V), l'exponentielle de
l'quation Au-dessus, est bien suprieure 1 et il vient


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IV-2.Caractristique courant/tension.
On a vu prcdemment que le courant tait ngligeable pour une tension Vd = Vp-Vn
ngative (ceci est vrai jusqu une tension Vc dite tension de claquage). Au dessus dun
certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct croit trs rapidement avec Vd.
Le seuil Vo (barrire de potentiel) dpend du semi conducteur intrinsque de base utilis.
Il est denviron 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium.
La caractristique a la forme suivante :

Figure 2- 5. Caractristique complte.

Figure 2- 6 Caractristique directe dune diode.

Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au del de 0,7V. Cest
une diode de redressement supportant lA en direct et 600V en tension inverse.
La caractristique passe par lorigine. Pour Vd ngatif, le courant tend rapidement vers la
limite -If (courant de fuite), car le courant de diffusion du aux porteurs majoritaires va
sannuler.


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IV-3.Modlisation de la diode.
Un modle est une reprsentation simplifie d'une chose complexe. Les modles sont
utiliss pour faciliter l'analyse des phnomnes, des processus, des systmes et des
lments.
La diode, par exemple, est un lment non linaire (elle est dcrite par une quation
non linaire). L'analyse d'un circuit lectrique comportant des diodes est difficile, parce
que le systme d'quations dcrivant le circuit est non linaire. Pour faciliter cette analyse,
les diodes sont remplaces par des modles linaires.
Les modles linaires des composants et des circuits lectriques sont composs
exclusivement d'lments linaires: gnrateurs de tension ou de courant idaux, courts-
circuits, circuits ouverts, rsistances, capacits et inductances linaires.
Chaque simplification se fait au dtriment de la prcision. Selon la complexit du circuit et
la prcision des analyses souhaite, des modles plus au moins complexes sont employs.
Il y a aussi diffrents modles selon le but poursuivi:
Pour analyser un circuit lectrique qui fonctionne en rgime continu (statique) ou en
rgime larges signaux (avec des signaux analogiques de grande amplitude), des modles
statiques ou modles larges signaux des composants sont utiliss.
Pour analyser le comportement de ce circuit par rapport des signaux analogiques de
petite amplitude, des modles dynamiques ou des modles petits signaux des composants
sont usits.
Pour analyser le mme circuit en hautes frquences, des modles dynamiques
hautes frquences sont utiliss.
Chaque modle ne comporte que des lments pertinents pour le rgime considr. Et les
lments pertinents sont diffrents pour les diffrents rgimes.
Les modles des composants et des circuits lectriques peuvent tre reprsents sous
forme graphique, sous forme analytique ou sous forme de schmas quivalents.
IV-4.Les modles statiques de la diode.
Il existe trois modles diffrents de la diode en rgime statique, selon le degr de
simplification et/ou de prcision souhait.
IV-4-1.Le modle idal.
Ce modle est le plus simple, mais galement le moins prcis. Il est utilis pour des
estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.
Forme analytique.
En direct, la diode est considre comme un court-circuit : VD = 0 pour ID > 0.
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD s 0.
IV-4-2.Le modle seuil.(classique)
Ce modle prend en compte la valeur de la barrire de potentiel Vo (Vo est compris entre
0,6v et 0,7v pour une diode silicium) comme tension de seuil de conduction de la diode.
Forme analytique.
La forme analytique de ce modle est exprime par les quations :
VD = Vo pour ID > 0 : ID = 0 pour VD s Vo .


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IV-4-3.Le modle linaris.(rel)
Ce modle est le plus prcis, mais galement le plus complexe. Il reprsente une trs
bonne approximation linaire de la caractristique d'une diode relle.
Forme analytique.
La forme analytique de ce modle est exprime par les quations:
VD = Vo + rD.ID pour ID > 0
ID = 0 pour VD s Vo
La rsistance statique rD de la diode est dtermine par la pente moyenne de la partie
utilise de la caractristique directe de la diode : rD = AVD/AID

IV-4-4.Forme graphique.

Modle

V.UTILISATION
Il existe divers types de diodes correspondant des technologies diffrentes. Chaque
technologie prsente le meilleur compromis pour une utilisation donne.
Nous allons balayer les applications des diodes en les classifiant par groupe
technologique.


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V-1.Paramtres essentiels des diodes.
En fonction de lapplication considre, on sintressera certains paramtres des diodes
plutt qu dautres. Certains paramtres ne sont pas spcifis pour tous les types de
diodes, sauf les suivants qui sont incontournables
V
F
: tension de conduction de la diode spcifie un courant direct donn.
I
F
: courant direct permanent admissible par la diode la temprature maximale de
fonctionnement.
I
FSM
: courant temporaire de surcharge (rgime impulsionnel). En gnral, pour un courant
de surcharge donn, le constructeur spcifie lamplitude des impulsions, leur dure, le
rapport cyclique, et dans certains cas, le nombre maxi dimpulsions quon peut appliquer.
V
R
: cest la tension inverse maxi admissible par la diode (avant lavalanche).
I
R
: cest le courant inverse de la diode. Il est spcifi une tension inverse donne, et pour
plusieurs tempratures (gnralement 25C et Tmax). Ce courant nest pas seulement celui
d aux porteurs minoritaires. Il provient aussi des courants parasites la surface de la puce
(le silicium est passiv par oxydation, et il peut subsister des impurets qui vont permettre
le passage de faibles courants). Le botier dencapsulation de la puce de silicium est aussi
source de fuites.
Ces symboles sont ceux gnralement employs par les diffrents constructeurs, mais il
peut y avoir des variantes, et il est toujours sage de se reporter la documentation du
constructeur pour savoir comment sont spcifis les paramtres, et quoi ils
correspondent exactement.

V-2.Diodes de redressement.
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative
du secteur pour faire des gnrateurs de tension continue destins alimenter les montages
lectroniques (entre autres).
Il y a deux types principaux de diodes de redressement : les diodes standard pour le
redressement secteur classique, et les diodes rapides pour les alimentations dcoupage.

Caractristiques physiques.

Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiques, et ne font lobjet
daucun traitement particulier, les conditions dutilisations tant peu contraignantes.
Elles ont des tensions V
R
comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants I
F
vont de
l A plusieurs centaines dampres.
Avant le systme de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert
abaisser la tension secteur (les montages lectroniques fonctionnent souvent sous des
tensions de polarisation allant de quelques volts quelques dizaines de volts), et qui sert
aussi isoler les montages du secteur (220V, a peut faire trs mal !).
V-3.Redressement simple alternance.
Cest le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du
transformateur V
t
dpasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer
le courant direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge V
r
est alors gale la
tension aux bornes du transformateur moins la tension directe V
F
de la diode.


Page - 38 -

Figure 2- 12. Circuit de redressement avec une diode et chronogramme de tensions Quand
La tension aux bornes du transformateur devient infrieure la tension de seuil, la
diode est bloque; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est ngligeable en
comparaison du courant direct.
La tension aux bornes de la diode est alors gale celle aux bornes du transformateur :
il faudra choisir une diode avec une tension VR au minimum gale la tension crte du
secondaire du transformateur.
VI.REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE.
VI-1. Avec transfo double enroulement.

Figure 2- 13. Circuit de redressement avec transfo double enroulement.

Le montage prcdent prsente linconvnient de ne laisser passer que la moiti du
courant que peut dlivrer le transformateur. Pour remdier cela, on utilise un
transformateur avec deux enroulements secondaires que lon cble de manire ce quils
dlivrent des tensions en opposition de phase sur les diodes.
On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non ngligeable quand les
tensions alternatives sont faibles (4V crte dans lexemple ci-dessus). Dans ce cas, tout se
passe comme si on avait deux montages identiques celui de la Fig.2- 12 qui fonctionnent
lun pour lalternance positive, lautre pour lalternance ngative. On vrifie bien (Fig. 2-
14 et 2- 15) que le courant dans la charge est toujours orient dans le mme sens.

Figure 2- 14. Alternance positive.


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Figure 2- 15. Alternance ngative.

Les diodes sont plus sollicites que pour le montage simple alternance : en effet, la diode
qui ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de
transformateur, la tension aux bornes de la rsistance. Au total, elle devra supporter une
tension VR double de celle requise dans le montage simple alternance, soit deux fois la
tension crte prsente sur chacun des secondaires.
VI-2.Avec pont de Gretz.

Figure 2- 16. Redressement avec pont de diodes.

Il existe une autre manire de faire du redressement double alternance, ne ncessitant pas
un transformateur double enroulement : on utilise 4 diodes montes en pont. Des ponts
tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de rduire le nombre de
composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, Dl et D4 conduisent, et
quand elle est ngative, D2 et D3 conduisent (Fig.2- 17 et 2- 18).

Figure 2- 17. Alternance positive.

Figure 2- 18. Alternance ngative.

Chaque diode na supporter quune fois la tension crte du secondaire du
transformateur (contre deux fois pour le montage prcdent), mais en revanche, on a deux
tensions directes de diode en srie. La puissance totale dissipe dans les diodes est double
par rapport la solution prcdente.


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Quelle solution choisir ?
Quand on en aura la possibilit, on prfrera la solution transfo point milieu, pour
plusieurs raisons
le transfo nest pas plus cher que celui secondaire simple.
avec un transfo un seul secondaire, on ne peut pas faire dalimentation double
symtrique en redressement double alternance. Ce type de transfo est moins universel
le fait que les diodes aient tenir une tension double nest pas un problme dans la plupart
des cas, car les tensions redresses sont trs souvent bien infrieures aux tensions VR
minimum des diodes disponibles dans le commerce.
dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce qui peut
tre gnant dans certains cas.
VII.LE FILTRAGE
VII-1.Principe
Le circuit de filtrage le plus rpandu est le celui utilisant un condensateur. Ce dernier est
branch la suite du redressement. Grce au condensateur, on retrouve une tension CC
fixe la sortie du bloc d'alimentation. Le circuit est reprsent la Figure Chapitre II : -1.
+
es
-
D
+
U charge
-
C
I moy.

Figure Chapitre II : -1 Circuit de base
1 2 4 3
es crte-0,7V

Figure Chapitre II : -2 Forme d'onde au condensateur et la charge

1. Lors du premier cycle, le condensateur se charge jusqu' e
s
crte - 0,7 V et
accumule ainsi de l'nergie.
2. Le condensateur se dcharge ensuite dans la charge dpensant ainsi d'une manire
tale l'nergie accumule auparavant.
3. Le condensateur se recharge en rcuprant l'nergie dpense en 2.
En 4:
VII-2.Ronflement
La variation de tension aux bornes du condensateur cause par la charge et la dcharge est
appele ronflement. La tension de sortie sera la tension moyenne. La frquence du
ronflement dpendra du type de redressement utilis. On exprime la valeur de la tension
de ronflement en volts crte--crte (er).


Page - 41 -
t
U
er = U max. - U min.
U max.
U min.
er c--c. U moy.
= U chargeCC

Figure Chapitre II : -3

VII-3.Forme d'onde aux bornes de la diode redresseuse
+
es
-
ID
+
U charge
-
C
+
Uc
-
+ UD -

La forme de la tension aux bornes de la diode se trouve tre, entre la cathode et l'anode,
une source CC peu prs fixe (Uc) en srie avec un signal alternatif (es).
Lors du redressement et du filtrage, le condensateur
se dchargeant graduellement aprs avoir t
charg es crte - 0,7V, se fait recharger au travers
la diode l'instant o la tension es du ct de
l'anode est plus haute que Uc du ct de la cathode.
Une impulsion de courant traverse la diode le temps
de charger le condensateur et durant cette
impulsion, la diode chute son 0,7 V.
La diode demeure en inverse le reste du temps.
Lorsque es est sa valeur crte en inverse, on
atteint le PIV de la diode (Peak Inverse Voltage).
C'est ce moment que Uc et es additionnes crent
la plus haute tension que la diode aura endurer en
inverse. Lors dune rparation, il faudra choisir la
diode redresseuse en fonction de cette situation. On
estime, dans ce circuit simple, que le PIV est gal
environ 2 x es crte.
es
U moy
U moy
Uc et
U charge
0,7V
UD
PIV
Temps
durant lequel
le
condensateur se
recharge
ID



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VII-4.Calcul du condensateur
Afin d'valuer la capacit du condensateur installer, il faut connatre les besoins du
circuit qui sont:
a) La tension et le courant dsirs la charge (U moy. et I moy.).
b) La quantit minimale de ronflement (er).
c) Le type de redressement utilis (pleine-onde ou demi-onde).

On se rappelle que:
C = Q / V

Le courant par dfinition est : I = Q / t => Q = I x t
Si on remplace dans l'quation du condensateur:
C = I x t / V
On voit ainsi que le courant circulant dans un condensateur dpend de combien la tension
peut varier entre deux recharges. Si la tension aux bornes d'un condensateur de 1 Farad
varie de 1 Volt en 1 seconde, il y circule alors un courant de 1 Ampre. En effet, pour
qu'un courant circule dans un condensateur, il faut faire varier la tension ses bornes. On
peut crire l'quation ainsi:
I = C x AV / At

La Figure Chapitre II : -6 montre l'approximation qui nous permettra de calculer d'une
faon simple la valeur du condensateur. On y voit que:
a) Le temps o le condensateur est recharg est nglig;
b) Le courant demand par la charge est considr constant (ce qui est vrai dans les appareils
pratiques).
At
er
Pente suppose
droite
U
t
approximation


En reprenant la formule vue prcdemment:C = I x At / AV
o:
I = I moyen (courant qui dcharge le condensateur)
At = La priode entre deux recharges (1/f ronfl.).
AV = La variation de tension aux bornes du condensateur (er).
On trouve ainsi cette formule simple:


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C = I moy / ( er x f ronfl. )
o :
f ronfl. = 50 Hz en demi-onde.
= 100 Hz en pleine-onde.
N.B.: Si la source dalimentation alternative est autre que le secteur (50 Hz), il faudra considrer
la frquence utilise. Par exemple, dans les vhicules de transport, les frquences de 400
Hz et de 1 kHz sont trs rpandues.
Les approximations nous permettent d'viter des calculs trigonomtriques fastidieux. Les
rsultats obtenus sont trs raisonnables. 5% de ronflement, le condensateur calcul a
une capacit 5% plus haute quen utilisant le calcul prcis. De toute faon sur le march, la
tolrance des condensateurs lectrolytiques est de -20% + 80%.
VII-4-1.Exemple
+
6,3V
-
+
R
-
C
200mA
q = 0,05

Questions:
Que vaut U
R
crte?
Que vaut er?
Que vaut U
R
moyen?
Quelle est la valeur du condensateur?
Solution:
U
R
crte = 6.3V x 1.414 - 0,7 V = 8,2 V
er = 8,2V x 0,05 = 0,41V crte--crte
U
R
moyen = 8,2V - 0,41V / 2 = 8 V
C = Imoy / ( Er x f ronfl. ) (o f ronfl. = 50 Hz)
C = 200 mA / ( 0,41 x 50 Hz ) = 9 756 F (10 000F)

VIII.DIODES PARTICULIERES
VIII-1.Diode Schottky
La diode Schottky prsente deux avantages par rapport aux diodes
Classiques
- elle a une tension de seuil plus faible (VF# 0,3V).
- son temps de recouvrement inverse est trs faible.


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Applications
Elle est utilise dans des applications o le temps de commutation de la diode est critique
(utilisation haute frquence).
Critres de choix
- frquence limite dutilisation
VIII-2.Diode Zner
Dans le sens direct, cette diode prsente les mmes caractristiques quune diode
classique. Elle na dintrt quen inverse o elle ne prsente pas de
zone de claquage. Au contraire, le courant reste nul seulement
jusqu ce que la tension atteigne la tension zner de la diode ( Vz ).
A ce moment l, la tension de la diode Vd = Vz quelque soit le
courant dans la diode.

.Caractristique et modle

Applications

Les diodes Zner sont apprcies pour leur tension zner trs stable. Ainsi, on les retrouve
souvent associes aux fonctions
- rfrence de tension
- crtage de tension
- alimentation continue de faible puissance
Critres de choix

- la tension stabiliser (Vz)
- le courant maximal devant traverser la diode (Iz)
- la puissance dissipe par la diode (Pz)


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F P K 47 Anne Universitaire 2009
Page - 47 -

CHAPITRE III : GENERALITES SUR LES
TRANSISTORS A JONCTIONS.
I. INTRODUCTION
Il existe une catgorie de composants (quils soient lectriques, mcaniques, etc) trs
intressante : cest celle qui permet dobtenir en sortie du dispositif une grandeur de mme
nature et proportionnelle au stimuli dentre. Les exemples foisonnent :
- le levier, qui permet davoir en sortie un effort plus important quen entre, ou bien un
dplacement plus important (ou plus faible) que celui appliqu lentre.
- lengrenage, qui est la mme chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il permet de
multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple dentre.
- le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension dentre.
Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de mme nature que le stimulus lentre, et
il existe un coefficient de proportionnalit entre les deux, indpendant du stimulus dentre,
donc intrinsque au dispositif.
Il faut toutefois noter que dans tous les cas cits, il y a conservation de lnergie : lnergie
la sortie du composant est la mme que celle lentre.
Il existe dautres dispositifs prsentant les mmes caractristiques que ceux prcdemment
cits, et qui en plus, permettent de multiplier lnergie : on trouve en sortie du dispositif une
nergie suprieure celle fournie lentre. Bien entendu, il ny a pas de gnration
spontane dnergie, il faudra donc au dispositif une entre supplmentaire par laquelle une
source sera susceptible de fournir de lnergie.
Dans ce cas, il ny a pas seulement transformation de la sortie proportionnellement lentre,
mais transfert dnergie dune source extrieure la sortie du dispositif, ce transfert tant
contrl par lentre.
Des exemples mcaniques bien connus sont respectivement les freins et la direction assiste.
Dans le premier cas, leffort de freinage est proportionnel leffort exerc sur la pdale, mais
une source dnergie auxiliaire permet davoir la pdale un effort beaucoup plus faible que
ce quil faudrait sans lassistance.
Dans le deuxime cas, on a la mme chose : les roues tournent proportionnellement langle
de rotation du volant, mais la plus grosse partie de leffort est prise en charge par un dispositif
hydraulique.
Dans les deux cas, le dispositif permet damplifier leffort exerc tout en le conservant
proportionnel au stimuli dentre, ce qui facilite la commande.
Un tel dispositif est en fait un robinet de rgulation dnergie : il faut disposer dun rservoir
dnergie, on pose le robinet dessus, et on peut disposer de lnergie proportionnellement
une commande dentre.
En lectronique, un tel composant est intressant, car il va permettre damplifier un signal, et
de commander des actionneurs requrant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc ) avec
des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de temprature, de
pression,).
Le transistor jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en lectronique.
Son domaine daction est donc particulirement vaste

F P K 48 Anne Universitaire 2009/16

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A noter quavant le transistor, cette fonction tait remplie par des tubes vide (triodes entre
autres).
Lavnement du transistor na donc pas apport la fonction miracle en elle mme, mais une
commodit dutilisation, lencombrement rduit (les tubes vide ont besoin dun systme
dalimentation complexe avec des tension relativement leve, et ncessitent une adaptation
dimpdance en sortie (transformateur)), et plus tard, la fiabilit, le faible cot .
II.PRINCIPE
Nous avons dj vu propos de la diode que si celle-ci est polarise en inverse, les porteurs
minoritaires (lectrons de la zone P et trous de la zone N, crs par lagitation thermique)
traversent sans problmes la jonction et sont acclrs par le champ extrieur.
On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires dune zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans lautre zone, et quils mettent un certain temps se recombiner
avec les porteurs opposs.
Partant des deux remarques prcdentes, on peut dduire que si on injecte dans la zone N
dune jonction NP polarise en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des
porteurs minoritaires) en faisant en sorte quils ne se recombinent pas avec les lectrons de la
zone N, ils vont traverser la jonction et crer un courant dans le circuit extrieur.

Figure 3- 1. Injection de trous dans une zone N
La Figure 3- 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et - encercles),
mais limites, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant 12. A noter
que les recombinaisons correspondent au courant Il-12.
Ce que nous venons de dcrire nest ni plus ni moins que leffet transistor: il ne manque que
le moyen dinjecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les recombinaisons soient
faibles, pour que la majorit des trous passent dans la zone P.
II-1.Transistor rel - principe de fonctionnement.
Dans le transistor rel, on va apporter les trous en crant une jonction PN, que lon va
polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage Fig. 3- 2
Cette zone P qui injecte les trous est alors lmetteur, et la zone N, faiblement dope est la
base . Comme dans le schma de la Fig. 1. la jonction NP est polarise en inverse. La
deuxime zone P est le collecteur (voir Fig. 38.).

Figure 3- 2. Schma de principe dun transistor.

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Les trous injects dans la base par lmetteur ont une faible probabilit de se recombiner avec
les lectrons de la base pour deux raisons
- la base est faiblement dope, donc, les porteurs majoritaires (lectrons) seront peu
nombreux.
- la base est troite, et donc les trous mis sont happs par le champ lectrique collecteur base
avant davoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite devant la longueur de diffusion
des porteurs minoritaires injects par lmetteur, qui sont ici les trous).
On peut observer le phnomne dun point de vue diffrent : quand on injecte un lectron
dans la base, lmetteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour quil y en ait un qui
se recombine avec llectron mis. Les autres trous vont passer directement dans le
collecteur.
En premire approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel au
nombre dlectrons injects dans la base.
Ce rapport de proportionnalit est un paramtre intrinsque au transistor et sappelle le gain
en courant f3.
Il ne dpend que des caractristiques physiques du transistor : il ne dpend ni de la tension
inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci nest quune
approximation, mais dans les hypothses de petits signaux, cest assez bien vrifi.)
On a les relations suivantes

II-2.Modes de fonctionnement du transistor npn
II-2-1.Dfinitions
Les divers cas de fonctionnement du transistor dpendent des valeurs des tensions aux
jonctions BE et BC. Si lon considre ltat bloqu et ltat passant de chaque jonction, on
dnombre quatre modes de fonctionnement possible.

le transistor est bloqu lorsque ses deux jonctions sont
en polarisation inverse ;
le transistor est en fonctionnement normal direct
lorsque la jonction de commande BE est en
polarisation directe et que la jonction BC est en
polarisation inverse ;
le transistor est en fonctionnement normal inverse
lorsque la jonction de commande BE est en
polarisation inverse et que la jonction BC est en
polarisation directe ;
le transistor est satur lorsque ses deux jonctions sont
en polarisation directe.

Conclusion. En conduction directe, le transistor est gnralement utilis en amplificateur
de signal. En saturation directe, le transistor joue le rle dun interrupteur
ferm. Inversement, en blocage, il joue le rle dun interrupteur ouvert. La conduction
inverse est trs rarement dsire. Elle peut cependant se produire, il suffit que les conditions
soient remplies, ne serait-ce que transitoirement.


Page - 50 -
B
E C
v2
i1
v1
i2
III.CONSTITUTION ET CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DUN TRANSISTOR.
Un transistor bipolaire est donc constitu de trois zones de silicium alternativement dopes N
et P, formant deux jonctions PN.
Le transistor dcrit au paragraphe prcdent comporte deux zones P et une zone N. Cest une
des deux faons dagencer les jonctions pour fabriquer un transistor :
- soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP.
- soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.
Dans les deux cas, la zone centrale (base) est trs troite vis vis de la longueur de diffusion
des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (lmetteur). La base possde en outre la
caractristique dtre trs faiblement dope en comparaison de lmetteur.

Selon le type de dopage, on peut distinguer deux types de transistors :

Le transistor se compose donc de trois lectrodes (triple).

Symbole du transistor :

La flche reprsente le sens rel du courant Emetteur.

Malgr que le transistor possde trois contacts, il est toujours considr comme un quadriple
dans lequel deux bornes sont mises en commun, (une borne d'entre et une de sortie sont
relies).
De ce fait, on obtient trois modes de montages diffrents :
- Montage en base commune

Type p
n
Type p Type n
p
Type n
E B C E B C
C
E
Tr. npn
B
Tr. pnp
B
E
C

Page - 51 -
B E
C
v2
i1
v1
i2
B
E
C
v2=vCE
i1=iB
v1=vBE
i2=iC

Entre entre E et B
Sortie entre C et B

- Montage en metteur commun

Entre entre B et E
Sortie entre C et E

- Montage en collecteur commun

Entre entre B et C
Sortie entre E et C

III-1. Le rseau de caractristiques statiques.
Pour ce paragraphe, nous allons tudier les caractristiques des transistors NPN. Celles des
transistors PNP sont les mmes aux rserves de signes dcrites au paragraphe prcdent.
Les transistors NPN sont plus rpandus car ils ont de meilleures performances que les PNP
(la conductibilit du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en
tension).

Prenons l'exemple trs frquent du montage en Emetteur commun.

Entre :

Sortie :

B
BE
I
V
C
CE
I
V
CE
B
V
I
V
Q1
I
C
BE


Page - 52 -
La notation en majuscules signifie qu'il s'agit de courants et tensions continus.
On peut distinguer quatre rseaux de caractristiques statiques :

Caractristique de sortie I
c
= f(V
CE
) pour diffrentes valeurs de I
B

Caractristique de transfert en courant I
c
= f(I
B
) pour diffrentes valeurs de V
CE
.
Caractristique dentre V
BE
= f(I
B
) pour diffrentes valeurs de V
CE
.
Caractristique de transfert en tension V
BE
= f(V
CE
) pour diffrentes valeurs de I
B
.

En reprsentant ces quatre rseaux de caractristiques sur un mme diagramme, on obtient :

Observations :
-Caractristique de sortie i
C
= f (u
CE
). Les caractristiques sont donnes pour diffrentes
valeurs de I
B
maintenues constantes. La caractristique en pointill
i
C
= f (u
CE
) telle que u
CE
= u
BE
dlimite la saturation directe de la conduction directe.
En conduction directe u
CE
> u
BE
( u
BC
< 0) : Le transistor se comporte entre
collecteur et metteur en source de courant commande par i
B
(ou u
BE
).
En saturation directe 0 < u
CE
< u
BE
( u
BE
> u
BC
> 0) : A I
B
constant (ou U
BE

constant), plus la jonction BC est polarise en direct, plus le transistor est satur et
plus le courant i
C
diminue.
Pour u
CE
> 0 et u
BE
< 0, la zone de blocage se situe peu prs entre la caractristique
de i
C
obtenue i
B
= 0 (i
C
= I
CE0
en conduction directe) et laxe i
C
= 0.
En toute rigueur, on peut avoir i
B
< 0 et u
BE
> 0 (courants de fuite).
-Caractristique de transfert en courant.
Les caractristiques reprsentes par les courbes I
C
= f (I
B
) sont confondues quelque soit
la valeur de V
CE
.
I
C
= I
B
; reprsente le gain en courant statique du transistor. Cest une des principales
proprits des transistors jonctions
I
C
est trs suprieur I
B
( I
C
>> I
B
; fois suprieur que I
B
)
-Caractristique dentrer.
Les courbes I
B
= f (V
BE
) sont confondues pour toutes valeurs de V
CE
en effet :
(
|
.
|
\
|
~ 1 exp
0
KT
qV
I I
BE
B

Cette quation nest autre que la caractristique dune jonction PN polarise dans le sens
passant, en effet il sagit ici de la jonction Emetteur/Base qui est polarise en direct.
-Caractristique de transfert en tension u
BE
= f (u
CE
). Pas utilis en pratique.

Page - 53 -
IV.CIRCUITS DE POLARISATION
IV-1.Point de fonctionnement :
Il sagit de fixer un point de fonctionnement de telle sorte que le fonctionnement en
dynamique du transistor soit le plus intressant possible. Ce point de fonctionnement est
reprsent sur le rseau des caractristiques, il correspond I
B0
, V
BE0
, I
C0
et V
CE0
.

Dans le fonctionnement en dynamique, I
B0
, V
BE0
, I
C0
et V
CE0
vont osciller autour du point de
fonctionnement. Ces oscillations sont des petites variations de courants ou de tensions qui
sont fonctions du temps, elles sont notes en minuscules : i
b
, v
be
, i
c
et v
ce

On prendra lexemple du transistor npn mont en metteur commun, lavantage dun tel
montage est le suivant :
- les tensions V
BE
et V
CE
sont de mme signe
- la polarisation complte du transistor (jonction BE et jonction CE) pourra tre obtenue
partir dune seule source dalimentation continue.

IV-2.Schma du circuit de polarisation
Il sagit de polariser le circuit Collecteur Emetteur laide de la tension continue V
CC
et
dune rsistance R
C
monte en srie sur le collecteur.
La jonction Base / metteur est polarise laide dune deuxime source dalimentation V
BB

et dune rsistance en srie R
B
. Lmetteur est reli directement la masse du montage

CC
V
I
R
C
R
B
C
BB
B
I
V

Figure 8
Il est possible de modifier ce montage pour utiliser une seule source dalimentation, il
suffit de brancher la rsistance R
B
entre la base et le ple positif de la source V
CC
et de
lajuster pour obtenir le courant de polarisation de base I
B
dsir.

Le montage devient donc :


Page - 54 -
CC
I
R
C
R
B
C
B
I
V

Figure 9

Lapplication de la loi dohm permet dcrire :
V
CC
= R
C
I
C
+V
CE
soit
C
CE
C
CC
C
R
V
R
V
I =

Cette quation I
C
= f(V
CE
) correspond une droite de pente -1/R
C
et dordonne lorigine
V
CC
/R
C
. Cette droite sappelle la droite de charge statique du transistor. Le point de
fonctionnement P est situ sur cette droite.
En pratique, on fixe le point de fonctionnement IC0, VCE0 au milieu de la droite de charge
statique, c'est--dire on fixe la valeur
2
0
CC
CE
V
V = .

Figure 10

R
C
et V
CC
dterminent la droite de charge statique, tendis que RB fixe la position du point de
fonctionnement sur cette droite. En ajustant RB, on fait dplacer le point P sur la droite de
charge statique.
En reportant la droite de charge statique et le point de fonctionnement sur le diagramme des
caractristiques du transistor on peut dterminer graphiquement les valeurs de I
C0
V
CE0
I
B0
et
V
BE0
du point de fonctionnement.

V
CC

C
CC
R
V

P
V
CE

I
C

2
CC
V

Page - 55 -
IV-3.Polarisation par pont diviseur de tension.

Le circuit le plus utilis, est un montage pont diviseur de tension ralis laide de deux
rsistances R
1
et R
2
. Ce pont assure donc la polarisation de la base. On ajoute une rsistance
R
E
entre lmetteur et la masse, cette rsistance permet de stabiliser le systme en limitant les
effets thermiques.

IE
R2
RC
RE
R1
VCC
IB
IC
Figure 11
Sur le rseau des caractristiques, on peut remarquer que le courant I
C
est pratiquement
proportionnel I
B
; on crit I
C
= I
B
avec identique au paramtre hybride h
21
.
est de lordre de 50 300, donc I
B
<<I
C
ce qui permet dcrire : I
E
= I
B
+ I
C
I
C

I
E
tant le courant qui circule dans la rsistance R
E
.
En appliquant la loi dohm au circuit Collecteur-Emetteur, on peut crire :

V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
+ R
E
I
C
soit
E C
CE
E C
CE
C
R R
V
R R
V
I
+
+
=
Cest lquation de la droite de charge statique avec la rsistance R
E
.

La pente de la droite de charge est
donc
E C
R R +
1

Et lordonne lorigine
E C
CC
R R
V
+

Le point P qui appartient cette droite sera fix par la polarisation du circuit Base/Emetteur,
c'est--dire par lajustement des rsistances R
1
et R
2
.
Remarque :
Lorsque lmetteur est directement li la masse, limpdance vue entre la
base et la masse est limpdance de la jonction B-E. Cette impdance est
dune valeur faible do la ncessit de la polarisation de la base en
courant.

Dans le cas de la rsistance RE, limpdance entre la base et la masse est :
V
CC

E C
CC
R R
V
+

P
V
CE

I
C


Page - 56 -
VBB
RE
RB
VCC
RC

E
B
BE
B
C
E
B
BE
B
C E BE
R
I
V
I
I
R
I
V
I
I R V
| + = + =
+

Elle est donc gale limpdance de la jonction B-E (
B
BE
I
V
) augmente de R
E
( de lordre
200 si on prend une faible R
E
=100 ) RE = 10K.
Donc lintroduction de RE entre lmetteur et la masse augmente considrablement
limpdance entre la base et la masse, elle passe de lordre de 1 k 10 k . Ceci explique
pourquoi il nest pas ncessaire de polariser la base en courant, un diviseur de tension (R
1
, R
2
)
est donc suffisant.

Daprs le thorme de Thvenin on a :

Par Thvenin

Avec
2 1
2
R R
R
V V
CC BB
+
= et
R
B
= R
1
//R
2
=
2 1
2 1
R R
R R
+
.
En rsum : V
CC
, R
C
et R
E
fixent la droite de charge statique, tendis que R
1
et R
2
fixent la
position du point de fonctionnement sur cette droite.

Exemple :
R
1
= 22k
R
2
= 6,8k
R
E
= 470
R
C
= 1k
V
CC
= 15 V
= 250
1) Dterminer le point de fonctionnement
2) comment peut on ramener le point de repos au milieu de la droite de charge statique

Solution :

1)
2 1
2
R R
R
V V
CC BB
+
= =3,54 V
V
BB
= 0,6+R
E
I
C
= 0,6 + 470I
C
; (0,6 tant la valeur de V
BE
)
Donc I
C
= 6,25 mA

V
CE
= V
CC
(R
C
+R
E
) I
C
= 5,8 V

R2
RE
R1
VCC
RC

Page - 57 -

2) Si on veut fixer P au milieu de la droite de charge statique, il faut ramener V
CE
= 7,5 V
soit :
I
C
=
1470
5 , 7 15
= 5,1 mA

Dans ce cas on aura : V
BB
= 0,6 + 470.5,1.10
-3

Soit V
BB
= 3 Volts.
Il faut donc ajuster (R1, R2), en gnral R2. Pour avoir cette valeur on trouve R2 = 5,5 k

2 1
2
R R
R
V V
CC BB
+
= => V
BB
R
1
+V
BB
R
2
= V
CC
R
2

BB CC
BB
V V
R V
R
=
1
2
soit R
2
= 5,5 k.
15V
P
V
CE

I
C

10m
AV
5,8
V
6,25
mA


Page - 58 -

CHAPITRE IV : TRANSISTOR
BIPOLAIRE EN AMPLIFICATION

I.MODELE DYNAMIQUE DU TRANSISTOR :
La plupart des montages amplificateurs sont conus pour raliser une amplification de
signaux alternatifs. Dans le cas du transistor, on sintresse des petites variations autour
dun point de fonctionnement appel point de fonctionnement statique. On en dduit les
paramtres dynamiques du transistor en rgime dynamique.
Ces paramtres peuvent tre dfinis partir des paramtres hybrides de quadriple :

Si on considre le transistor bipolaire on a le montage suivant :

Le transistor devient un quadriple ayant les paramtres qui sont dduits de la caractristique
statique du transistor.

Page - 59 -

On en dduit le schma quivalent suivant :

Gnralement on utilise un modle simplifi : h
12
=0

Et parfois trs simplifi : h
22
=0


Page - 60 -
II.CAS DU FONCTIONNEMENT EN EMETTEUR COMMUN :
II-1.Montage thorique :

E1 et E2 sont des sources de tension continues
e
g
est une source de tension alternative dont
lamplitude est trs infrieure E1
e
g
=e
m
sint avec e
m
<<E1
le point de fonctionnement sur la caractristique va
se dplacer autour du point de polarisation (appel
point de polarisation statique).

Dans un montage rel, on ne peut associer la source de tension continue de polarisation en
srie avec la source de tension alternative.
Dautre part la source de tension pour polarisation de lentre est gnralement la mme que
pour la polarisation de la sortie
III.MONTAGE REEL :
Nous allons maintenant soumettre la base du transistor des petites variations de tension v
be
.
On supposera que v
be
est une tension sinusodale fournie par un gnrateur d'impdance
interne ngligeable branch entre la masse et l'entre du montage. On ajoutera le

Page - 61 -
condensateur de liaison c
e
entre le gnrateur et la base du transistor, ce condensateur
permettra d'isoler le potentiel continu de la base de celui de la borne du gnrateur (=0),
tendis que la tension v
e
sinusodale d'entre v
e
se retrouve intgralement sur la base.

C
e
est un court-circuit pour le signal sinusodal
et un circuit ouvert pour le potentiel continu.

De mme, le condensateur C
E
n'affecte pas le rle de la rsistance R
E
dans la polarisation du
transistor, mais joue le rle d'un court-circuit pour les courants sinusodaux. Ainsi, dans
l'tude du fonctionnement en dynamique l'metteur est directement reli la masse.
A la sortie, le condensateur Cs permet le passage du signal sinusodal v
s
= v
ce
, mais empche
que la polarisation du transistor soit modifie par le branchement d'une charge la sortie du
montage.
Le montage devient donc:

Si on tient compte du fonctionnement en dynamique le schma devient :

- Les condensateurs sont des courts circuits pour le rgime sinusodal, donc ne sont
plus reprsents.
- R
E
a t court circuite par C
E
- La valeur V
cc
= constante pas de variation sinusodale aux bornes de V
cc
donc V
cc

n'est pas reprsente.
Le montage se comporte comme un quadriple dont les tensions et courants sont v
l
, i
l
, v
2
, i
2
.
Z
L
est l'impdance de charge de l'tage.
Les quations du transistor sont:
v
1
= h
11
i
1
+h
12
v
2


Page - 62 -
i
2
= h
21
i
1
+h
22
v
2

D'aprs les rseaux des caractristiques du transistor on constate que h
12
et h
22
sont des pentes
trs faibles ce qui nous permet de faire l'approximation: h
12
~ 0 et h
22
~ 0.
Le systme ci-dessus, devient v
1
=h
11
i
1
et i
2
= h
21
i
1

Si on applique les rgles, on obtient :

En quoi va consister ltude en alternatif ?
Tout dabord, on va valuer la capacit du montage amplifier le signal dentre. La
caractristique reprsentative de cette fonction est le gain en tension A, qui est le rapport
entre les tensions de sortie et dentre.
Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut sinterfacer avec la source dentre sans la
perturber; il doit rester le plus neutre possible vis vis de cette source, surtout sil sagit dun
capteur de mesure La grandeur reprsentative est limpdance dentre.
Mme chose vis vis de la charge branche en sortie du montage, qui va utiliser le signal
amplifi : il va falloir regarder dans quelle mesure ltage transistor nest pas perturb par
cette charge. La grandeur reprsentative est limpdance de sortie.
Nous allons calculer ces trois paramtres. On pourrait y rajouter le gain en courant A, qui est
le rapport des courants de sortie et dentre, et aussi le gain en puissance. En amplification
petits signaux, ces paramtres sont peu utiliss, nous nen parlerons donc pas.

Fonctionnement intuitif.
Avant de faire des calculs compliqus sur un schma abstrait, il serait bon de voir comment
marche le montage de faon intuitive et qualitative.
On considre que le potentiel dmetteur est fixe grce au condensateur de dcouplage C
DE
.
Si on augmente lgrement la tension de base, le courant de base va augmenter. Le courant de
collecteur va augmenter proportionnellement au courant de base, et donc, la chute de tension
dans la rsistance R va augmenter. Le potentiel du collecteur va alors baisser.
On peut par consquent sattendre un gain en tension ngatif (entre et sortie en opposition
de phase).
On peut aussi voir ce que donnerait le montage sans le condensateur CDE : si la tension de
base augmente, le courant de base, donc de collecteur augmente. La tension aux bornes de la
rsistance dmetteur va augmenter aussi, et donc, le potentiel de lmetteur va remonter, ce
qui va entraner une diminution de la tension VBE, donc du courant de base, donc du courant
de collecteur: il y a une contre-raction qui soppose lamplification.
Le gain en tension sera plus faible quavec le condensateur CDE. Nous aurons loccasion de
revoir ce montage (dit charge rpartie) dans un chapitre ultrieur.

III-1-1.Gain en tension.
Le gain en tension peut tre dfini de deux manires :
- le gain vide, cest dire sans charge connecte en sortie du montage.

Page - 63 -
- le gain en charge, avec la charge connecte.
Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de ltage vide. Nous verrons ensuite quil
est simple de calculer le gain en charge posteriori.
On va dabord procder quelques simplifications dans le schma
- les deux rsistances du pont de base sont en parallle du point de vue alternatif. Nous allons
donc les remplacer par une seule rsistance R
1
, dont la valeur sera gale R
bl
// R
b2
.
- la rsistance de sortie l/h
22e
du transistor est grande (plusieurs dizaines de k). Pour une
alimentation E de 12V, un courant I
C0
de 2mA et une tension V
CE0
de 5V, on aura R = 2500
, soit environ le dixime de l/h
22e
. On va donc ngliger ce dernier terme. On notera que
lorsque la tension dalimentation est leve et que le courant de collecteur est faible, cette
simplification est moins justifie.
- on supprime la charge R (hypothse de calcul). Avec ces hypothses, le schma devient

Figure 3- 16. Schma quivalent simplifi.
On a les quations suivantes :

Si on pose h
21e
= (le gain dynamique est gal au gain statique), on obtient lexpression du
gain en tension :

III-1-2.Schma quivalent de ltage amplificateur.
Le schma quivalent du montage amplificateur metteur commun peut tre reprsent sous
la forme donne Figure 3- 17
En entre, on y trouve limpdance Ze (on nglige la raction de la sortie sur lentre, donc, il
ny a pas dautres composants)
En sortie, on a un gnrateur de tension command (la tension de sortie est gale la tension
dentre multiplie par le gain Av de ltage vide) avec sa rsistance interne qui sera la
rsistance de sortie de ltage.
On notera que la reprsentation de la sortie est celle du gnrateur de Thvenin quivalent

Figure 17. Schma quivalent de ltage amplificateur.


Page - 64 -
On pourra voir ici une contradiction avec notre montage metteur commun qui est dot en
sortie dun gnrateur de courant. Cette objection est balaye par les deux points suivants:
- on veut calculer le gain en tension de ltage On considre donc notre montage comme un
gnrateur de tension avec sa rsistance interne, si grande soit-elle.
- la transformation Norton / Thvenin nous permet de passer dune reprsentation lautre
simplement.
Ce schma va nous permettre de dfinir les impdances dentre et de sortie de notre tage.

III-1-3.Impdance dentre.
Par dfinition, et en se rfrant au schma Fig. 17, limpdance dentre est gale :

Ici, le schma est simple, le gnrateur dentre dbite sur deux rsistances en parallle. On a
donc:

On voit quon na pas intrt prendre un pont de base avec des valeurs trop faibles. Il faudra
donc faire un compromis avec la condition de polarisation (I
p
I
B0
). En gnral, h
11e
sera petit
(1k pour I
B0
= 26A), donc cette impdance sera bien infrieure R, et trs souvent, elle
sera insuffisante pour quon puisse interfacer des sources de tension (capteurs notamment)
directement sur un tage metteur commun.

III-1-4.Impdance de sortie.

Figure 18. Transformation Norton / Thvenin.
Si on transforme la sortie du montage Fig. 16. en celle du schma Fig. 18. (transformation
Norton / Thvenin), on obtient le schma de la figure 17.
la rsistance R
C
qui tait en parallle sur le gnrateur de courant h
21e
i
b
, devient la rsistance
en srie avec le gnrateur de tension. Limpdance de sortie est donc ici trs simple
identifier.

Cette valeur est assez leve, et souvent, on ne pourra pas connecter le montage tel quel sur
une charge.

III-1-5.Gain de ltage en charge.
Il y a deux manires de voir la chose :

Page - 65 -
- On reprend le schma quivalent de la Fig. 15. et on rajoute R
ch
en parallle avec R
C
. La
formule du gain devient alors :

- On connat limpdance de sortie et la charge. Daprs le schma Fig. 16, ces deux
rsistances forment un pont diviseur qui attnue la tension de sortie vide. Le gain devient :

- On vrifiera que si on dveloppe R
C
//R
Ch
dans la formule [31], on tombe bien sur la formule
[32].

III-1-6.Bilan. Utilisation du montage.
Au final, le montage metteur commun est un montage ayant :
- une bonne amplification en tension (de lordre de plusieurs centaines).
- une impdance dentre relativement faible (gale soit de lordre de plusieurs k), variable
en fonction de la polarisation (plus I
c0
est faible, plus limpdance dentre est leve).
- une impdance de sortie assez leve R qui va aussi dpendre du courant de polarisation I
C0
.
Ce montage est lamplificateur de base transistor et sera donc utilis comme sous-fonction
dans des circuits plus complexes (discrets, ou intgrs comme dans lamplificateur
oprationnel). Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des
tages adaptateurs dimpdance.

IV.CAS DU FONCTIONNEMENT EN COLLECTEUR COMMUN :
IV-1.Montage avec polarisation stable :


Page - 66 -
IV-2.Schma quivalent dynamique :
Remarque pour cette tude, on prendra le modle simplifi du transistor bipolaire (h21=0).

On pourra remarquer que (en le rarrangeant) le schma quivalent interne du transistor est le
mme que pour le montage metteur commun.
IV-2-1.Fonctionnement intuitif.
Considrons le schma de la polarisation de transistor . Si on augmente la tension de base, la
tension V
BE
va augmenter, ainsi que le courant I
B
, donc I
C
, ce qui va crer une chute de
tension plus grande dans R
E
. Le potentiel de lmetteur va alors remonter, contrariant
laugmentation de V
BE
, donc du courant I
C
. Le potentiel de lmetteur va ainsi suivre
sagement (aux variations V
BE
prs, qui sont trs faibles) le potentiel quon impose la base.
Si on regarde bien le montage, on voit en fait que la tension de sortie est toujours infrieure
la tension dentre de la valeur V
BE
. Quand on va appliquer un signal alternatif sur la base, on
va le retrouver sur la rsistance dmetteur diminu de la variation de V
BE
qui va tre trs
faible.
On voit donc quintuitivement, ce montage aura un gain positif mais infrieur 1.
Ce nest pas un montage amplificateur. On va voir que ses caractristiques dimpdance
dentre et de sortie le destinent ladaptation dimpdance.

Page - 67 -
IV-2-2.Amplification en tension :

IV-2-3.Amplification en courant :

IV-2-4.Impdance dentre :

IV-2-5.Impdance de sortie :

IV-3.Bilan. Utilisation du montage.
Un montage collecteur commun prsente donc les caractristiques suivantes
- gain en tension quasiment gal lunit.

- impdance dentre leve : environ fois plus grande que celle de lmetteur commun si
on ne considre pas le pont de base (on verra quon peut lviter). La valeur typique est de
plusieurs dizaines plusieurs centaines de k en fonction du montage.

- impdance de sortie faible (divise par environ par rapport lmetteur commun). Sa
valeur est de lordre de quelques dizaines do.

Ce montage ne sera donc pas utilis pour amplifier un signal, mais comme adaptateur
dimpdance, situ en amont ou en aval dun montage metteur commun, qui, nous lavons
vu, na pas de bonnes caractristiques dentre / sortie.
On pourra donc intercaler un tel montage entre un capteur haute impdance de sortie et un
montage metteur commun sans que celui-ci ne perturbe le capteur.
On pourra aussi le mettre en sortie dun montage metteur commun que lon doit interfacer
avec une faible charge, et ceci, sans crouler le gain en tension de ltage.


Page - 68 -
V.MONTAGE BASE COMMUNE :
V-1.Polarisation. Point de fonctionnement.

Figure 3-. 21. Montage base commune.

Le montage commence nous tre familier : en effet, mis part lemplacement du gnrateur
dattaque et le condensateur de dcouplage qui est ici situ sur la base, le montage est le
mme que celui de lmetteur commun.
La procdure de calculs des lments de polarisation est donc identique, car seuls les
lments lis au rgime alternatif changent.
La raison en est simple : lamplification est base sur une augmentation de I
C
due une
augmentation de V
BE
. Pour augmenter V
BE
, on a le choix entre deux solutions
- soit on augmente la tension de base potentiel dmetteur constant : cest le montage
metteur commun.
- soit on abaisse la tension dmetteur potentiel de base constant : cest le montage
base commune.
V-2.Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
On va donc tudier ici le montage base commune. On voit tout de suite le dfaut que va
prsenter ce montage : vu quon attaque ct metteur, il faudra faire varier un courant
important, donc, limpdance dentre sera srement beaucoup plus faible que pour
lmetteur commun, qui ntait dj pas brillant sur ce point. En
fait, ce montage sera peu utilis, sauf dans des applications hautes frquences o il trouvera
son seul avantage.
Le schma quivalent est le suivant :

Figure 3- 22. Schma quivalent base commune.

Le pont Rb1 / Rb2 disparat car il est shunt en alternatif par le condensateur de dcouplage
C
DB
. La base est bien le potentiel commun entre / sortie, et le schma du transistor est le
mme que pour lmetteur commun.

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V-3.Fonctionnement intuitif.
Le fonctionnement intuitif a dj t bauch dans le paragraphe relatif la polarisation : il
est rigoureusement le mme que pour lmetteur commun sauf quon attaque lmetteur pour
imposer les variation VBE, avec un potentiel de base fixe.
On aura juste une diffrence de signe provenant du fait que quand on augmente la tension de
base potentiel dmetteur constant, la tension VBE augmente, et quand on augmente la
tension dmetteur potentiel de base constant, elle diminue : une tension dentre positive
dans les deux cas aura donc des effets contraires.

VI.FONCTIONNEMENT EN HAUTES FREQUENTIELS
Tout ce qui a t dit jusqu prsent ne concerne que le fonctionnement faible frquence
(infrieure quelques centaines de kHz). Pour des frquences plus leves, on utilise un
schma quivalent du transistor diffrent, rendant mieux compte de ce qui se passe
physiquement.
Ce modle introduit des capacits parasites, et donc, les paramtres du transistor deviennent
complexes (au sens mathmatique du terme !).


Page - 70 -

Page - 71 -

CHAPITRE V : TRANSISTOR A EFFET
DE CHAMP
I.INTRODUCTION
Nous avons vu au chapitre prcdent que le transistor jonction tait une source de courant
commande par un courant. Cette caractristique permet ce type de composants damplifier
des signaux alternatifs.
Du point de vue thorique, on peut imaginer dautres dispositifs similaires, mais caractriss
par un mode dattaque diffrent : par exemple, une source de courant commande par une
tension. Le principe reste le mme (une source commande), seule la nature du signal de
commande change.
Cet objet thorique existe : la famille des transistors effet de champ (Field Effect Transistor
en anglais, FET) rpond la dfinition prcdente : ce sont des sources de courant
commandes en tension.
De ce point de vue, on conoit aisment que ltude des FET va tre en tous points similaires
celle des transistors jonction, et ce, malgr un fonctionnement microscopique
compltement diffrent.
Il ne faudra donc surtout pas se polariser sur les diffrences de structure et de fonctionnement
prises du point de vue cristallographique, mais voir au contraire toutes les similitudes existant
avec le transistor jonction : polarisation, conversion courant / tension, amplification en
rgime des petits signaux
Ces similitudes sont dues aussi en grande partie au fait quon utilise les mmes outils de
modlisation pour les deux composants.

II.PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
II-1.Constitution dun FET
De mme quil existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET j onction
(ou JFET) est dclin en deux versions : le canal N et le canal P.
Le FET jonction canal N est constitu dune mince plaquette de silicium N qui va former le
canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement dune couche de
silicium P de manire former une jonction PN latrale par rapport au canal (Fig. 1.).


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Figure 1. FET jonction canal N (principe).

Le courant circulera dans le canal, rentrant par une premire lectrode, le drain et sortant par
une deuxime, la source. Llectrode connecte la couche de silicium P sert commander la
conduction du courant dans le canal; on lappelle la grille, par analogie avec llectrode du
mme nom prsente sur les tubes vides.
Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarise en inverse.
III.PHENOMENE DE PINCEMENT.
III-1.Tension drain-source nulle.
Pour simplifier le raisonnement, nous allons considrer dans un premier temps un montage
(Fig. 2.) o le canal est court-circuit (VDS = O) et o la grille est un potentiel ngatif par
rapport au canal (jonction polarise en inverse).
Nous avons vu dans le chapitre consacr la diode que le fait de polariser la jonction en
inverse crait une zone vide de porteurs, appele zone de dpltion les trous de la zone P se
recombinent avec les lectrons de la zone N, crant ainsi une zone neutre (il ny a plus de
porteurs pour assurer la conduction lectrique) dpaisseur w = k
GC
V

Il reste dans le canal N une zone conductrice dpaisseur (h-w). La rsistance entre drain et
source sera alors gale :

o b est la largeur du canal et sa rsistivit. La rsistance R
DS
varie donc avec la tension
(inverse) applique sur la jonction grille-canal. A la limite, pour V
GS
= Vp, appele tension de
pincement, la zone de dpltion ferme le canal : il ny a plus de porteurs, et la rsistance entre
source et drain tend vers linfini (Fig.3.) : cest le phnomne de pincement.

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Figure 3. Phnomne de pincement.

III-2.Tension drain-source non nulle.
Si on reprend le montage prcdent, et quen plus on applique une tension positive entre le
drain et la source, le gradient de potentiel prsent tout le long du barreau de silicium
constituant le canal va modifier le profil de la zone de dpltion. Vers le drain, la tension
grille-canal sera suprieure (en valeur absolue) ce quelle est vers la source. En effet, on a la
relation (attention, tous les termes sont ngatifs).

En consquence, la zone isolante prsente une forme similaire celle donne sur la figure 4.

Figure 4. Modulation de conductivit pour VDS non nul.

Sur cette figure, le canal nest pas compltement bouch. Si on augmente la tension V
DS
,
V
GS
donne, lpaisseur isolante w2 va augmenter; partir dune certaine tension VDS ,
correspondant une largeur du canal trs faible, le courant va tendre vers une valeur
constante, car deux phnomnes contradictoires vont squilibrer :
- une augmentation de V
DS
devrait entraner un accroissement du courant dans le canal (loi
dohm),
- mais cette augmentation de V
DS
va accrotre la tension V
DG
, qui aura pour effet dagrandir la
zone de dpltion et entraner une diminution de la largeur du canal, donc, de sa rsistivit.


Page - 74 -
Un accroissement de la tension VDS ne va donc pas entraner une augmentation du courant
dans le canal (le courant de drain), mais une augmentation de la rsistivit de ce canal. Le
courant de drain va tendre vers une valeur constante.
III-3.Caractristiques
A partir de ce qui a t dit dans le paragraphe prcdent, on peut dj deviner trois choses
- Si V
GC
= V
P
, dans tous les cas, quelle que soit la tension VDS, le courant dans le canal sera
nul. En effet, une tension V
DS
non nulle ne fera que renforcer le phnomne de pincement.
- Le courant de drain deviendra dautant plus vite constant que la tension
GC
V sera plus
leve.
- Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle.
Les caractristiques du FET sen dduisent aisment.
III-4.Caractristique dentre.
Nous avons vu que le FET sera toujours utilis avec une polarisation grille-canal ngative,
soit V
GS
< 0. La caractristique correspondante est donc celle dun interrupteur ouvert:
courant nul quelque soit la tension applique. En pratique, on aura un trs lger courant de
fuite caractristique dune jonction diode polarise en inverse. Ce courant double tous les 6C
pour le silicium. A temprature ambiante, il sera infrieur au jiA, et plutt de lordre de
quelques nA.
III-5.Caractristiques de sortie et de transfert.
La figure 5 reprsente les caractristiques de transfert I
DS
= f (V
GS
) gauche, et de sortie I
DS
=
f (V
DS
, V
GS
) droite.

Figure 5. Caractristiques du FET jonction.

La caractristique de sortie peut tre dcompose en deux grandes zones
- la partie correspondant au fonctionnement courant constant (zone de pincement), et qui
servira lamplification de petits signaux de la mme manire que pour le transistor
bipolaire.
- la zone ohmique (en gris sur la figure 4- 5.): dans cette zone, le FET est assimilable une
rsistance dont la valeur est fonction de la tension V
GS
. On ne reprsente que la partie
positive de la caractristique, mais en fait, le canal conducteur peut laisser passer le courant
dans les deux sens (cest juste un barreau de silicium conducteur, ce nest pas une jonction.
Le seul dfaut qui limite les valeurs ngatives de V
DS
est le fait quau del dune certaine
tension ngative de drain, la tension grille-drain devient positive, la jonction grille-canal tant
alors polarise en direct; le FET ne fonctionne plus correctement. Nanmoins, et condition

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de rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines quelques centaines de mV),
on peut considrer le FET comme une rsistance dont la valeur est pilote en tension.
On notera que les caractristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve celles du
transistor bipolaire. La principale diffrence provient du mode dattaque, comme indiqu en
introduction : le FET est command en tension, et non en courant, comme lest le bipolaire.
Ce rseau de courbes est born en bas (I
D
= 0, V
GS
= Vp), et en haut (I
D
= I
DSS
,V
GS
= 0). I
DSS

est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le composant. Cette valeur est
de lordre de quelques mA quelques dizaines de mA pour les FETs courants. La tension de
pincement Vp est de lordre de quelques volts (typiquement de -2 -8V).
La zone ohmique est sensiblement diffrente de la zone de saturation du transistor bipolaire.
La fonction rsistance commande est spcifique au FET et ne peut pas tre ralise de cette
faon avec un transistor bipolaire.
Pour une mme rfrence de FET (2N3819 par exemple), la dispersion de I
DSS
et Vp sera trs
importante, plus encore que la dispersion observe pour les caractristiques des transistors
bipolaires. Ceci fait que ces transistors ne pourront pas tre utiliss sans prcautions dans des
montages pointus, ni plus forte raison, dans des montages de prcision.
La caractristique de transfert I
DS
= f (V
GS
) rsume bien les limites du FET courant de drain
nul pour une tension V
GS
gale la tension de pincement Vp, et courant maxi I
DSS
pour une
tension V
GS
nulle. La courbe est assez bien approxime par une parabole dquation :

La drive de cette loi va nous renseigner sur laptitude du transistor amplifier en effet, pour
un courant I
DS
donn, la drive (quon appelle judicieusement la pente du FET) va tre gale
:

Cette pente est le rapport de la variation du paramtre de sortie (I
DS
) et du paramtre dentre
(V
GS
); elle est bien reprsentative de lamplification dun signal dentre. La valeur
maximum, atteinte pour V
GS
= 0, vaut:

On peut alors exprimer lquation [4] sous la forme condense suivante :

La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au mieux quelques
dizaines de mA/V. Elle dpend de la tension V
GS
(la tension de polarisation) : comme pour le
transistor bipolaire, lamplification ne sera pas linaire; on fera l aussi des hypothses de
fonctionnement en petits signaux.
On peut dailleurs faire un parallle avec lamplification du transistor bipolaire. A elle seule,
la caractristique de transfert du FET correspond la caractristique globale entre + transfert
du bipolaire. En effet, dans ce dernier, la vraie caractristique de transfert est une
transformation courant-courant I
C
=f (I
B
), la caractristique dentre oprant la conversion
tension-courant. De ce point de vue, on peut considrer le bipolaire comme un gnrateur de
courant command en tension (la diffrence avec le FET est quil consomme du courant). La
pente du transistor bipolaire (le rapport I
C
/ V
BE
) vaut alors :


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Pour un courant collecteur de 1,3mA et un de 150, le h
11e
vaut 3K, ce qui fait
une pente denviron 50mA/V.

La pente du transistor bipolaire est environ 5 10 fois plus leve que celle dun FET
typique. Lamplification quon pourra attendre dun FET sera plus faible que celle obtenue
dans les mmes conditions avec un bipolaire.
IV.SCHEMAS EQUIVALENTS
IV-1.Symboles des FETs.
Le FET est reprsent par les symboles suivants :

6. Symboles lectriques des FETs.

La flche reprsente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens du
courant si la jonction tait passante.
Pour le FET canal N, le courant I
D
circulera dans le sens reprsent sur la figure 6, la tension
V
DS
sera positive et la tension V
GS
ngative.

Pour le FET canal P, la tension V
DS
sera ngative et la tension V
GS
positive. Le courant de
drain circulera de la source vers le drain.
IV-2.Schma quivalent en petits signaux.
Ce schma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant convenablement
polaris : le fonctionnement se fera dans la zone de pincement.
On construit le schma quivalent de la mme manire que pour le transistor bipolaire.

Figure 7. Schma quivalent alternatifs petits signaux.
Le schma Fig.7. est celui relatif au FET canal N. Lentre se fait sur la grille. On note un
trou entre grille et source : limpdance grille-source est trs leve, on la considre en
premire approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les mmes lments que pour
le transistor bipolaire : une source de courant (commande par la tension V
GS
, et non par un
courant), et sa rsistance parallle Comme pour le transistor bipolaire, cette rsistance est trs
leve (plusieurs centaines de k), et on la ngligera dans toutes les applications courantes.

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V.MONTAGE SOURCE COMMUNE
Ce montage est le pendant du montage metteur commun pour le bipolaire. Le
fonctionnement sera donc totalement similaire. Un montage drain commun existe aussi, qui
est le pendant du montage collecteur commun du bipolaire; ce montage na toutefois que peu
dintrt, car le FET est un composant trs forte impdance dentre, et ce, on va le voir,
mme lorsquil est utilis en source commune.
Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage canal P
sen dduit aisment.
V-1.Polarisation.
Il faut tout dabord noter que la zone ohmique est relativement tendue, surtout vers les fortes
valeurs de I
DS
. On veillera polariser le composant pour que la tension de repos V
DSO
ne soit
pas trop faible, de manire ce quil fonctionne dans la zone gnratrice de courant

Figure 4- 8. Montage source commune.
Nous avons vu lors de lexplication du principe de fonctionnement du FET que le bon
fonctionnement ncessitait une alimentation positive pour polariser le canal drain-source, et
une alimentation ngative pour polariser la grille par rapport la source. Ce raisonnement est
valable si on place la source la masse.
En pratique, on va relier la grille la masse par une rsistance de forte valeur; comme le
courant qui circule dans la grille est trs faible (courant de fuite), le potentiel de la grille va
tre pratiquement nul. Il reste trouver une astuce pour mettre la source un potentiel positif,
ce qui fera V
SG
positif, donc V
GS
ngatif Pour ce faire, on intercale une rsistance entre la
source et la masse. Le courant de drain va circuler dans cette rsistance et lever le potentiel
de la source par rapport la grille. Deux phnomnes vont alors se contrarier :

- Le courant de drain est maxi pour V
GS
= 0; au dmarrage, on aura donc un fort courant dans
la rsistance de source, donc une forte tension.

- mais, au fur et mesure que la tension va augmenter, la tension V
GS
va augmenter aussi, ce
qui va avoir pour effet de limiter le courant de drain.


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Les deux phnomnes vont squilibrer. La valeur du courant de drain va dpendre des
caractristiques du FET (I
DSS
et Vp ), et de la rsistance de source : cest cette dernire qui
nous permettra dajuster le courant de drain.

La tension de polarisation sur R
s
sera de lordre de quelques volts (typiquement 1 3V).

Il ne reste plus qu alimenter le drain laide dune source de tension, en intercalant une
rsistance R
D
qui aura pour fonction (comme pour le montage metteur commun du bipolaire)
la conversion courant / tension permettant dexploiter le signal de sortie.

On choisira le courant de drain (ou la rsistance RD) de manire ce que la chute de tension
dans cette rsistance soit gale la tension de polarisation V
DS0
, ceci pour assurer un
maximum de dynamique au signal alternatif.

On rajoute un condensateur de dcouplage C
D
sur R
S
pour que la source soit effectivement
la masse en alternatif. Sans ce condensateur, on aurait un effet de contre raction qui
affaiblirait beaucoup le gain en tension.

Vu que la grille est au mme potentiel que la masse (autant dire zro !), le gnrateur
dentre, sil dlivre uniquement un signal alternatif, peut tre coupl directement la grille,
sans condensateur de liaison. La sortie se faisant sur le drain, en revanche ncessite un
condensateur de liaison pour ne pas perturber les tages avals.
V-2.Fonctionnement en petits signaux.
Nous avons vu que la caractristique de transfert du FET nest pas linaire : nous allons donc
tre obligs de travailler en petits signaux pour pouvoir linariser le montage et utiliser les
lois fondamentales de llectricit.
V-2-1.Schma quivalent.
Le schma quivalent se construit de la mme manire que pour les montages transistors
bipolaires. On utilise le schma quivalent du FET de la figure 7, et on obtient :

Figure 4- 9. Schma quivalent en alternatifs petits signaux.

Ce schma est trs similaire celui de lmetteur commun du transistor bipolaire. La
diffrence essentielle est que le gnrateur de courant est command par la tension V
GS
, et
non pas par un courant i
b
.

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V-3.Gain en tension.
Les quations sont quasiment triviales. En entre, on a

En sortie, si on nglige , dont la valeur est trs leve vis vis de R
D
, on a :

On en tire aisment le gain en tension vide :

Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que g ne dpasse gure la dizaine de
mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.

On peut faire lanalogie avec le montage metteur commun en bipolaire, dont le gain tait
gal -38,5 I
C0
R
c
. Le terme 38,5 I
C0
R
c
avait t appel la pente du transistor. R a la mme
fonction que le R
D
du montage FET, et pour des valeurs identiques de tension
dalimentation et de courant de drain / collecteur (par exemple 1mA), leur valeur sera la
mme. La diffrence se fera donc sur la pente, soit 38,5 mA/V pour le bipolaire contre 5
mA/V en typique pour le FET.
V-4.Impdance dentre.
La solution est triviale :

On veillera ne pas choisir une valeur trop leve tout de mme pour que la chute de tension
occasionne par le courant de fuite de la grille soit ngligeable. On choisira typiquement une
valeur de lordre de quelques M . Lavantage sur les montages bipolaires est vident.
V-5.Impdance de sortie.
On se retrouve exactement dans le mme cas de figure que pour le montage metteur
commun du bipolaire. En oprant la mme transformation norton-thvenin que pour ce
dernier montage, on trouve :

Cette valeur est moyenne, R
D
valant typiquement quelques k . On ne pourra gnralement
pas utiliser ce montage sans un tage adaptateur dimpdance en aval.

VI.UTILISATION EN RESISTANCE COMMANDEE
Si on utilise le FET dans la zone ohmique, on peut faire varier la rsistance du canal en
modifiant la tension V
GS
. Le FET est utilis dans un montage potentiomtrique (diviseur de
tension) mettant en jeu la rsistance R
DS
du canal et une rsistance additionnelle R.

Sur le schma figure 10, on remarque un rseau r-r-C reliant le drain la grille et la
commande. On pourrait appliquer directement la tension V
C
sur la grille, mais en rajoutant ce
rseau, on amliore la linarit, notamment pour des tensions V
E
donc V
S
ngatives : en effet,
on a dj vu que dans ce cas, la jonction grille-canal est polarise en direct, et le FET ne


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travaille pas convenablement. En appliquant sur la grille la moiti de la tension alternative
prsente sur le drain, on amliore sensiblement la linarit et la tension maxi dutilisation du
FET en rsistance commande. Cette tension maxi demeure faible (quelques dizaines
quelques centaines de mV).

Figure 4- 10. Utilisation en rsistance commande.

Cette fonction est utilise en particulier dans des amplificateurs commande automatique de
gain (CAG), qui permettent de garantir un niveau de sortie constant avec un niveau dentre
fluctuant (exemple : rglage automatique du niveau denregistrement des magntophones
cassette audio bon marchs).

Une autre application dduite de la fonction rsistance commande est le commutateur
analogique: si on applique une tension suprieure ou gale en valeur absolue la tension de
pincement Vp sur la commande, la rsistance de drain va devenir trs grande (quelques M ).
Si on choisit pour R une valeur moyenne (quelques dizaines de k), la tension Vs sera
quasiment gale la tension V
E
:tout le signal passe.

Si on applique maintenant une tension nulle sur la grille, la rsistance du FET sera minimum
(quelques centaines dohms), et la tension Vs sera quasiment nulle.

On a ainsi ralis un commutateur analogique. Cette fonction est trs utilise sous forme de
circuits intgrs et permet le multiplexage de signaux analogiques, une fonction indispensable
pour les dispositifs dacquisition de donnes.

VII.SOURCE DE COURANT

Figure 11. Source de courant deux bornes.

On a vu lors de la polarisation du montage source commune comment procder pour obtenir
un courant de polarisation de drain constant. Lajustage de la rsistance de source dfinit le
courant de drain. Si on retire du montage source commune la rsistance de drain, on se
retrouve avec un dispositif deux bornes susceptible de garantir un courant constant dans le
circuit sur lequel il sera branch.

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Des circuits intgrs existent, qui comprennent le FET et sa rsistance de polarisation (la
rsistance de grille est ici inutile), et qui peuvent servir de sources de courant prrgles. Des
restrictions limitent toutefois leur usage :

- le composant est polaris : le courant ne peut circuler que dans un seul sens.

- ce dispositif ne gnre pas de courant, il le rgule (comme la zner rgule une tension).

- la tension applique entre les deux bornes du composant doit tre au moins suprieure la
tension V
GS
de polarisation permettant le fonctionnement du FET dans sa zone de pincement.

VIII.DOMAINE DUTILISATION
De par sa constitution, le FET jonction nest pas adapt du tout aux forts courants. Il va
rester cantonn aux applications damplification et de traitement des petits signaux.
Il est utilis dans des montages haute impdance dentre et faible bruit :
Pramplificateurs pour signaux de faible niveau par exemple.

La fonction rsistance commande est beaucoup utilise. Il y a bien sr des restrictions
dutilisation : la portion de caractristique ohmique est linaire pour des faibles variations de
tension (gure plus de l00mV), ce qui ncessite des prcautions de mise en uvre.

Mais, le JFET, de par la dispersion de ses caractristiques dun composant lautre reste
difficile matriser dans des montages composants discrets. On a intrt les trier si on
dsire un rsultat fiable et rptable.

Dans ces conditions, lutilisation la plus importante qui est faite de ces transistors est
lintgration dans des composants tels les amplificateurs oprationnels : la trs forte
impdance dentre des JFET leur donne un avantage dcisif par rapport aux bipolaires, et
aujourdhui, la plupart des ampli-op de qualit possdent au minimum un tage dentre en
JFET.

Pour ce qui est du volet puissance, il existe un autre composant trs bien adapt le MOSFET.


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CHAPITRE VI : TRANSISTOR MOS FET
Les transistors MOSFET reprennent plusieurs caractristiques de FETs j onction : ils se
dclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les lectrodes vont aussi sappeler
drain, source et grille, leur fonction tant la mme que pour les JFETs.
Le MOSFET canal induit
I.DESCRIPTION.
Dans un substrat faiblement dop P, on insre deux zones N fortement dopes. Ces deux
zones seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes dune dizaine de m
(spares par le substrat P). La source est gnralement relie au substrat.

La grille nest pas directement relie au substrat P elle en est isole par lintermdiaire dune
trs fine (quelques nm) couche disolant (de loxyde de silicium). Cette caractristique donne
son nom au MOSFET: Metal Oxyde Semiconductor.

La grille est ainsi isole du substrat : le courant de grille sera nul en continu.

Figure 1. Schma de principe dun MOSFET canal N.
II.PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.
Si V
GS
=0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est compos de deux
jonctions en srie, lune PN, lautre NP : il y en aura toujours une en inverse.
Lorsquon applique une tension V
GS
positive, llectrode de grille, lisolant et le substrat P
forment un condensateur.

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Figure 5- 2. Phnomne dinversion.

Les lectrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirs vers la grille. Pour une
tension V
GS
suffisamment leve (tension de seuil), la concentration en lectrons dans le
substrat est suprieure la concentration en trous au voisinage de la grille; on a alors une
couche N dite couche dinversion entre les zones N de la source et du drain. Les deux
jonctions disparaissent, on na plus quun canal N, et le courant peut passer entre drain et
source.
Mais, pour une tension V
DS
suprieure V
GS
, on annule la tension grille-drain, et donc leffet
condensateur : on a un phnomne de pincement du canal induit N comme pour le JFET. Le
courant de drain tend alors vers une valeur constante, de la mme manire que pour le JFET.
Ce mode de fonctionnement est appel enrichissement, car une tension V
GS
positive enrichit
le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant.

II-1.Caractristiques.

Figure 5- 3. Caractristique de sortie du MOS canal N.

La caractristique de sortie est similaire celle dun JFET, sauf que le courant de drain
pourra atteindre plusieurs ampres pour des composants de puissance. On note la zone en
fonctionnement ohmique, tout fait similaire celle des JFETs, et permettant les mmes
applications.
La caractristique de transfert a la forme suivante :


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Figure 5- 4. Caractristique de transfert du MOS canal N.

Cette caractristique de transfert est appele la transconductance du MOS, et est exprime en
siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens
(1 10 typiquement), soit des valeurs beaucoup plus importantes que pour les
JFETs (quelques mS).
La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 3 typique). Ce seuil varie avec la temprature.
III.LE MOSFET A CANAL INITIAL (IMPLANTE)
III-1.Description du principe de fonctionnement.
Le MOSFET canal initial a la mme structure que le MOS canal induit, avec en plus, un
canal faiblement dop N entre la source et le drain.

Pour V
GS
nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET: un courant de drain pourra circuler;
quand V
DS
augmente, un phnomne de pincement se produit, qui obstrue le canal : le courant
de drain devient constant.
Si V
GS
est infrieure ou gale 0, on acclre le pincement (le condensateur form par la
grille, lisolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les lectrons de
cette zone N) : on fonctionne en rgime dappauvrissement.
Au contraire, pour V
GS
suprieure 0, on retrouve le fonctionnement du MOS canal induit,
et le courant de drain va crotre.

Figure 5. MOSFET N canal initial.
III-2.Caractristiques.
La caractristique de transfert est la suivante :

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Figure 6. Caractristique de transfert dun MOS canal initial
IV.UTILISATION DES MOSFETS
De par leur constitution, les transistors MOS sont trs fragiles, notamment au niveau de la
grille. Les dcharges lectrostatiques sont proscrire, car elles peuvent casser le composant,
ou pis, lendommager sans que ses caractristiques ne changent : cest la fiabilit qui est
compromise.
IV-1.MOSFET de puissance.
Les MOS servent beaucoup en commutation de puissance, car ils sont trs rapides et
commandables en tension. On notera toutefois qu frquence leve, la grille formant un
condensateur avec le substrat, elle ne prsente plus une impdance infinie, comme en statique
Quand ils sont passants, ils fonctionnent dans la zone ohmique, et leur caractristique
essentielle est, avec la tension V
DS
maxi, la rsistance R
DS
, qui peut tre aussi basse quune
dizaine de m.

IV-1-1.Intgration dans les composants numriques.
La technologie MOS se prte trs bien lintgration grande chelle : elle permet de raliser
des composants logiques consommant trs peu de courant, et permet ainsi un trs grand
niveau dintgration (exemple : mmoires, microprocesseurs, circuits logiques divers ) Les
transistors MOS sont utiliss ici en commutation.


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CHAPITRE VII : AMPLIFICATEUR
OPERATIONNEL
I.INTRODUCTION
I-1.Gnralit
Lamplificateur oprationnel doit son nom au fait quil a dabord t conu pour effectuer des
oprations arithmtiques dans des calculateurs analogiques : addition, soustraction, rsolution
dquations diffrentielles, ...Aujourdhui il est devenu le composant universel de
llectronique analogique grce sa facilit demploi et son faible cot. Ce circuit peut
fonctionner aussi bien en rgime linaire (amplificateurs, fi1tres, ...) quen rgime de
commutation (comparateurs, gnrateurs de signaux carrs, ...).

Lamplificateur intgr linaire (AIL.). Aussi appel Amplificateur oprationnel (AO) se
prsente sous la forme dun circuit intgr de 8 broches dans sa version la plus simple

I-2.Symbole

- E est appele Entre non-inverseuse,
- E est appele Entre inverseuse,
- S est la borne de sortie.
- +V est la borne dalimentation haute du circuit intgr,
- -V est la borne dalimentation basse du circuit intgr.

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II.PROPRIETE
II-1.Caractristique lectriques
I et I
-
sont appeles courant de polarisation

- Les courant dentres I et I
-
sont trs faible, de lordre du A.
- LAIL. Possde. Sur chacune de ses entres, une grande rsistance, de lordre du MO.
- LAIL. Possde une faible rsistance de sortie, quelques ohms.
- LAIL. Pour fonctionner doit tre aliment par :

a) une alimentation symtrique
Exemple : +V = 12V
-V=-12V
b) une alimentation simple
Exemple: +V15V
-V=0V
II-2.Tension diffrentielle
On appelle tension diffrentielle, note Ud , la tension rsultante de la diffrence entre la
tension applique lentre non-inverseuse E
+
et celle applique lentre inverseuse E
-

Soit Ud la tension dentre diffrentielle, on a

Ud= U
E
+
- U
E
-

Remarque : cette tension dentre diffrentielle est aussi note laide de la lettre grecque
Epsilon ().

II-3.Coefficient damplification :
LAIL. est un amplificateur diffrentiel. Cela signifie que sa seule activit consiste :
Amplifier la tension dentre diffrentielle et prsenter la tension rsultante sur la borne de
sortie S dans la plage que lui autorise son alimentation.

On a: U
S
= A


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Le coefficient A est appel : Coefficient damplification en boucle ouverte de lAIL.. Il est
fix la fabrication du composant il est donc spcifique un Ampli Op donn.
Le coefficient A est de trs grande valeur. de lordre de 10
5
10
6
..

II-4.Tension de saturation :
On appelle tension de saturation la tension maximale ou minimale que peut prendre la sortie
de lAIL. Cette tension de saturation est lgrement infrieure la tension dalimentation. Il
existe donc deux tensions de saturation :
- Une tension de saturation haute note +VSAT
- Une tension de saturation basse note -VSAT
Exemple : Si lA.I.L. est aliment entre +12V et -12V, on a:
+VSAT =11.8V 12V
-VSAT=-11.8V -12V

II-5.Applications

On donne aussi : A = 10
5

II-6.Caractristique de transfert :
Cest la reprsentation graphique des variations de la tension de sortie en fonction de la
tension dentre diffrentielle U
D
(aussi note ).

Page - 89 -

Cette caractristique de transfert met en vidence deux modes de fonctionnement pour un
A.I.L.
- Le fonctionnement en rgime linaire,
- Le fonctionnement en rgime satur, encore appel fonctionnement en commutation.

Remarques :

Pour un montage spcifique. un A.I.L. est cbl pour fonctionner soit en rgime
linaire, soit en rgime de commutation.
Lorsque lA.I.L fonctionne en rgime de commutation, la tension de sortie ne peut
prendre que deux valeurs : +VSAT et -VSAT.
Lorsque lA.I.L fonctionne en rgime linaire, la tension de sortie peut prendre
toutes les valeurs comprises entre +VSAT et -VSAT.
Aussi, la valeur de la tension dentre diffrentielle est trs faible.

II-7.Mise en oeuvre : Alimentation dun A.I.L laide dune alimentation symtriques :
Comment procder afin de mettre en oeuvre une alimentation de +15V,-15V ?

Il suffit de connecter deux sources simples de tension de 15V en srie dont le point milieu
est pris comme potentiel de rfrence, cest--dire le potentiel 0V.

Remarque : Le potentiel 0V est aussi appel Masse et a pour symbole ou bien Ou
encore .

III.A.I.L. IDEAL :
On sait quun AIL. rel possde entre autres caractristiques
- Les courants dentre sont trs faibles.
- La rsistance dentre est trs grande.
- La rsistance de sortie est trs faible,
- Le coefficient damplification en tension A est trs lev.

De ce fait, pour simplifier des calculs ultrieurs, il est possible de faire une approximation de
ces caractristiques sans modifier de manire significative les rsultats des calculs.


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III-1.Tableau rcapitulatif des caractristiques.

Un AIL. Possdant de telles caractristiques est appel AIL. idal ou encore A.I.L. parfait.

IV.MODELISATION DE LA.I.L.
IV-1.A.I.L. rel :
LA.I.L. rel peut tre modlis comme suit:

* est la tension dentre diffrentielle : = U
E+
- U
E-

* Re est la rsistance dentre,
* Rs est la rsistance de sortie,
* A est le coefficient damplification en tension de lA.I.L.

IV-2.AIL. idal
LAIL. idal peut tre modlis comme suit:

* est la tension diffrentielle dentre : = U
E+
- U
E-
,
* A est le coefficient damplification en tension de lA.I.L.

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V.DIFFERENCIATION ENTRE REGIME LINEAIRE ET REGIME DE COMMUTATION
Un A.I.L. ne peut fonctionner que suivant deux modes :
- En rgime linaire,
- En rgime de commutation (rgime satur).
V-1.Rgime linaire
- En rgime linaire, la tension de sortie peut varier dans une plage de valeurs comprises
entre +Vsat et -Vsat.
- De plus, en considrant que lA.I.L. est idal, la tension dentre diffrentielle est
toujours nulle.
V-2.Rgime de commutation
- En commutation (rgime satur), la tension de sortie ne peut prendre que deux
Valeurs : +Vsat et -Vsat.
- La tension dentre diffrentielle ne peut pas tre nulle.

V-3.Comment diffrencier, au sein dune structure quelconque, un A.I.L fonctionnant en
rgime de commutation ou en rgime linaire ?

RGLE :

Un A.I.L. fonctionne en rgime linaire lorsquil existe UNIQUEMENT une contre- raction :
(rebouchage de la sortie (S) vers lentre inverseuse (E
-
)}, que cette contre-raction soit constitue
dun simple conducteur, dun composant ou dune structure lectronique plus complexe.

Un A.I.L. fonctionne en rgime de commutation (rgime satur) dans tous les autres cas.

Exemples :


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VI.FONCTION REALISE AVEC UNE LA.I.L : EN REGIME LINIERE.
Dans les montages amplificateur oprationnel, la prsence d'une raction ngative (de la
sortie sur l'entre -), provoque un fonctionnement en rgime linaire (la sortie volue pour
annuler le signal c ). Alors tant que la sortie n'est pas en saturation on peut poser c = 0 .

VI-1.Amplificateur inverseur

Cest le montage de base amplificateur oprationnel. Lentre non inverseuse est relie la
masse ; le signal dentre est reli lentre inverseuse par une rsistance R1, et la sortie est
relie cette entre par une rsistance R2.

Figure 6- 5. Amplificateur inverseur.

Calcul par la loi dohm.

La mise en quation est trs simple, et sappuie sur les conditions vues lors de la dfinition de
lAOP:
- les impdances dentre tant infinies, il ny a pas de courant qui rentre dans lentre
inverseuse (V
-
) ; par consquent, tout le courant i arrivant dans R
1
ira par R
2
vers la sortie de
lAOP.
- Le gain A
d
est infini ; dans ces conditions, (V
+
- V
-
) va tendre vers 0.

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De cette dernire constatation, on peut tirer une quation simplissime, mais fondamentale, et
toujours vraie en fonctionnement linaire :
V
+
=V
- .
Comme V
+
est la masse, V
-
se retrouve au mme potentiel : comme ce point nest pas reli
physiquement la masse, on parle de masse virtuelle ; pratiquement, et du point de vue
calcul, tout se passe comme si V
-
tait vraiment reli la masse.
Ces constatations tant faites, le calcul du gain en tension est un jeu denfant :

On fera attention lexpression : la tension et le courant sont dans le mme

sens, do le signe -.

VI-2.Amplificateur non inverseur :

On reconnat la contre-raction ngatif, le comparateur
d'entre + et - , la boucle de retour constitue des
rsistances R
1
,R
2
.
Si l'amplificateur est suppos idal (A
d
= infini),
c=0. (Cette remarque sera toujours vraie partir du
moment o il y aura bouclage de la sortie vers e-).

Alors e
+
=e
-
, or e
+
=v
e
et e-= R
1
*vs / (R1+R2)

donc vs= (R1+R2)*ve / R1 = [1+(R2/R1)]*ve

VI-3.Amplificateur sommateur inverseur :

Le montage est similaire au prcdent,
il se rsout par les courants ou en appliquant
le thorme de Millmann.

vs= - R*I = - R * (I1 +I2)
vs= -R * (v1/R1 + v2/R2)
vs = - (v1 + v2) , si R1 = R2 = R


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VI-4.Amplificateur de diffrence :

Il s'agit d'une configuration en amplificateur non
inverseur pour e+ et inverseur pour e- d'o:

or e+ = e- d'ou
vs=[(1+R4/R3)*R1/(R1+R2)]*v1 - (R4/R3)*v2
Si R3/R4=R2/R1 vs = R4/R3 . (v1-v2)
Si de plus R1 = R2 et R3 = R4, alors vs = v1-v2

VI-5.Drivateur :

la sortie est proportionnelle la drive de
l'entre.
Rem: Ce montage ne fonctionne qu'avec une
rsistance (r de l'ordre de 100O ) en srie avec
C. Sans r, il se produit des oscillations.

VI-6.Intgrateur :
Donc la sortie vs est proportionnelle la primitive
de l'entre.

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VII.FONCTIONS REALISEES AVEC UNE A.I.L. EN COMMUTATION :
VII-1. Comparateur simple
Le comparateur est la fonction la plus lmentaire ralise avec un A.I.L.

Etude
Si U1> U2 alors > 0

Rgle :

- Si la tension applique lentre E
+
est plus grande que la tension applique lentre E
-

alors Us = +VSAT.
- Si la tension applique lentre E est plus petite que la tension applique lentre E
+

alors Us = -VSAT.
On effectue bien la comparaison entre les tensions dentre de lAIL. la tension de sortie Us
est reprsentative du rsultat de cette comparaison.

VII-2.Comparateur deux seuils :
Dans un comparateur simple, le changement dtat de la
sortie seffectue pour une valeur fixe de la tension
applique lentre, quelque soit le sens de variation de
cette tension.
Dans un comparateur seuils, aussi appel Trigger ou
encore Bascule de Schmitt. le changement dtat de la
sortie se produit :
- Pour une valeur donne lorsque la tension dentre
augmente,
- Pour une autre valeur, souvent oppose, lorsque la
tension dentre diminue.

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F P K Anne Universitaire 2009/16

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