Sunteți pe pagina 1din 28

Ministerul nvmntului, Tineretului i Sportului al Republicii Moldova

Universitatea Tehnic a Moldovei


Facultatea Radioelectronica Catedra Telecomunicaii

Lucrare de curs
la obiectul: Radioelectronica pe tema:

Tranzistorul bipolar KT 608


a efectuat: a vereficat: Bejan N. profesorul

Chiinu 2002

Cuprins
0. Generaliti. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT 608. . . .. . . . . . . . 4 2. Procedee fizice n tranzistorul bipolar cu structura n-p-n. . . . . . . . . . . . . 5 3. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 3.1 Cuplaj n schema baz comun. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 3.2 Cuplaj n schema emitor comun. . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 3.3 Cuplaj n schema colector comun. . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 4. Schema echivalent n T a tranzistorului bipolar .. . . . . . . . . . . . . . . . . .13 5. Parametrii hibrizi (H) ai tranzistorului bipolar. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 6.Trasarea dreptei de sarcin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 7. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecvene nalte. . . . . . . . . . . . .19 8. Funcionarea tranzistoarelor bipolare n regim de cheie electronic. . . . 21 9. Parametrii de baz a tranzistorului bipolar KT 608. . . . . . . . . . . . . . . 25 10.Utilizarea tranzistorului bipolar KT 608 n sisteme electronice. . . . . .26 11. Bibliografie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Mod Coala N document Semnat A elaborat A verificat . Bejan N.

Data Litera Coala


2

Coli
27

Tranzistorul KT - 608

U.T.M. Facultatea de
radioelectronic, gr.TLC

0.Generaliti
Tranzistor este numit dispozitivul electric semiconductor cu unul sau mai multe jonciuni i care este folosit pentru amplificarea semnalelor, avnd unul sau mai multe contacte electrice. Cea mai larg rspndire i utilizare o au tranzistoarele cu dou jonciuni i trei contacte electrice, ele fiind numite tranzistoare bipolare. Jonciunile mpart cristalul n trei regiuni. n dependen de tipul i ordinea regiunilor se deosebesc dou tipuri de tranzistoare p-n-p i np-n. Principiul lor de funcionare fiind acelai. Una dintre regiuni este dopat cu impuriti mai mult dect celelalte dou i aceasta este numit emitor. Regiunea din mijloc este numit baz, iar a treia regiune colector. Destinaia principal a colectorului este extragerea purttorilor de sarcin din baz, de aceea dimensiunile lui sunt mai mari ca cale ale bazei. Jonciunea dintre emitor i baz este numit jonciunea emitorului, iar dintre colector i baz jonciunea colectorului. Structura simplificat al unui tranzistor bipolar este artat n fig.0.1, a, b, iar simbolurile grafice n fig.0.1, c i d.

B
a)

B E
c)

C B
d)

B
b)

Fig.0.1 Structura simplificat a tranzistorului n-p-n i p-n-p


3

i reprezentarea lor grafic n tranzistoarele p-n-p purttorii de sarcin de lucru sunt golurile, iar n tranzistoarele n-p-n electronii. n dependen de mecanismul de deplasrii purttorilor de sarcin prin regiunea bazei se deosebesc dou tipuri de tranzistoare: cu drift i fr drift. n tranzistoarele fr drift trecerea purttorilor de sarcin prin baz se face prin difuzie. Iar n tranzistoarele cu drift trecerea purttorilor se face pe baza micrii de drift a lor.

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT 608


La etapa actual exist diferite metode de fabricare ale tranzistoarelor. n dependen de tipul tranzistorului, destinaia lui se deosebesc urmtoarele metode de fabricare: Metoda de aliere Metoda difuziei Metoda de conversie Metoda planar Metoda mesa planar Metoda epitaxial planar Tranzistorul KT 608 reprezint un tranzistor de tip n-p-n. Metoda de fabricare a acestui tranzistor este metoda planar. n continuare vom analiza aceast metod. Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei, de aceea i electrozii sunt plasai pe aceeai parte. Masca n form de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidrii termice a suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele proprieti: 1) Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd un contact trainic cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului n locul dintre masc i suprafa. 2) Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru aprarea prilor respective a plachetei mpotriva atomilor ce difuzeaz. 3) Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete i funcia de aprare (nseamn i a p-n jonciunii, care iese la suprafa) de la influiena diferitor factori externi. n cazul, tehnologiilor de aliere i mesa pentru asta este nevoie de a folosi metode speciale de protecie. n continuare vom prezenta ciclul de fabricare a tranzistorului prin metoda planar. Se ea o plachet din Si tip-n, care n structura rezultant joac rolul de colector. Pe aceast plachet peste prima masc de oxid se efectuiaz
4

difuzia acceptorului (de obicei bor) i se primete stratul p al bazei. Apoi peste a doua masc se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. n sfrit cu ajutorul celei de-a treia mti de oxid se conecteaz contactele omice din aluminiu la toate cele trei straturi i n continuar esunt lipite la aceste contacte srmulie subiri care joac rolul de piciorue ale tranzistorului. n varianta considerat placheta este aleas cu o rezisten destul de mare, pentru a asigura o tensiune de strpungerea a jonciunii colectorului necesar. Structura unui tranzistor obinut prin metoda planar este artat n fig.1.1.

n+ n
Fig.1.1 Structura tranzistorului bipolar obinut prin metoda planar Principala caracteristic a metodei planare este universalitatea, ce permite pe unele i aceleai dispozitive de fabricat tranzistoare cu diferii parametri.

2.Procedee fizice n tranzistorul n p n


n fig.2.1 este prezentat structura tipic a unui tranzistor bipolar n-p-n cu diagramele n(x), Q(x), E(x) i W(x). n continuare vom analiza aceast structur. n structura n-p-n analizat concentraia golurilor n regiunea p este mai mare dect concentraia lor n regiunile n, pp > pn, iar concentraia electronilor din regiunile n este mai mare dect concentraia electronilor din regiunea p(fig.2.1, b).
-

a)

b)

c)

d)

n,p n npn E n Q

+ p + n + -- npp - + npnn + + + + + +

x x

EC EF EV x
Fig.2.1
e)

n regim normal de funcionare tranzistorul trebuie s fi conectat astfel nct jonciunea emitorului s fie polarizat direct, iar cea a colectorului indirect. n regim activ curentul total al emitorului IE = IEn + IEp + IErec este alctuit din curentul IEn de electroni, injectai din emitor n baz, curentul I Ep a golurilor, injectai din baz n emitor, i curentul IErec de recombinare a purttorilor de sarcin n jonciunea emitorului. n aceast sum numai primul curent este folositor, deoarece anume el influeneaz asupra curentului colectorului, celelalte componente sunt duntoare, i se tinde de obinut valorile lor ct mai mici. Micarea electronilor, injectai n baz este condus de recombinarea unei pri e electronilor, de aceea curentul electronilor ICn ce se apropie de jonciunea colectorului, este mai mic ca curentul IEn cu mrimea IBrec, ce se numete curentul de recombinare n baz, care se tinde de a fi micorat. Dac tensiunea ce cade pe jonciunea colectorului este mai mic, atunci curentul complet al colectorului va fi dat de ecuaia: IC = ICn + ICB0 Unde ICB0 curentul invers al jonciunii colectorulu, ce nu depinde de curentul emitorului. Curentul ICB0 poate fi msurat dac la jonciunea colectorului aplicm o tensiunea invers i IE = 0. Curentul ICn este dirijabil, adic depinde de curentul emitorului i poate fi prezentat ca: I Cn = I E unde - coeficientul static de transfer al curentului emitorului n conexiunea BC. Deoarece ICn < IEn < IE, atunci <1. n aa fel, n regim activ avem: I C = I Cn + I CB0 = I E + I CB 0 (2.1) de aunde avem relai pentru : I C I CB0 = (2.2) IE
7

De obicei curenii de lucru ai colectorului IC depesc considerabil valoare ICB0, atunci se poate scrie: I = Cn = E B (2.3) IE unde: I I En E = En = , (2.4) I E I En + I Ep + I Erec este coeficientului de injecie al emitorului. I B = Cn (2.5) I En este coeficientul de transfer. Coeficientul de injecie E arat, a cta parte reprezint curentul util de injecie a electronilor din emitor n baz la curentul deplin al emitorului. Coeficientul de transfer B arat a cta parte din electroni injectai din emitor n baz, ajung pn la jonciunea colectorului; valoarea B este cu att mai aproape de unu, cu ct mai puini electroni recombin n baz la deplasarea lor spre colector. Din relaia IB = IE IC i relaia (2.1) obinem: I B = ( 1 ) I E I CB 0 . I CB0 La un curent foarte mic al emitorului, egal cu ( 1 ) , curentul bazei este egal cu zero. ns, curenii de lucru al emitorului depesc considerabil valoarea I CB0 ( 1 ) , i atunci: I B ( 1 ) I E = I E I Cn = I Ep + I Erec + I Brec (2.6) Pentru schema EC n regim activ din (2.1) i condiia IE = IC + IB avem: I C = I B + ( 1 + ) I CB0 , (2.7) unde: I I CB0 = = C (2.8) 1 I B + I CB0 este coeficientul static de transfer al curentului bazei. n timpul cnd <1, valorile lui pot fi destul de mari, de exemplu lui =0,99 i corespunde valoarea = 100.

3.Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar


Tranzistorului este un dispozitiv cu trei borne i n schema electric el poate fi conectat n trei diferite moduri: conectare cu baza comun (BC) (fig.3.1,a), conectare cu emitorul comun (EC) (fig.3.1,b) i cu colectorul comun (CC) (fig.3.1,c).
IE IC IB UEB + + IB UCB + UBE IC + UCE

a) IB

IE

UEC UBC + +

Fig.3.1 Montajele fundamentale pentru tranzistorul n-p-n. a conexiunea baz comun(BC); b conexiunea emitor comun(EC); c conexiunea colector comun(CC). n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un circuit de intrare, n care se aplic semnalul pentru prelucrare i un circuit de de ieire, n care se obine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din ambele circuite i se ia ca electrod de referin; acest electrod (terminal) este denumit i electrod comun. Lund n consideraie care dintre cele trei borne ale tranzistorului este considerat electrod comun se disting trei conexiuni fundamentale i anume: conexiunea baz comun (BC); conexiunea emitor comun (EC); conexiunea colector comun (CC). Cele mai folosite snt primele dou caracteristici statice.
3.1 Caracteristicile statice n conexiune BC. Modul de conectare al tranzistorului n conexiunea baz comun (BC), adic electrodul comun este baza, este prezentat n fig.6, a. n aceast conexiune caracteristicile statice de intrare reprezint dependena dintre curentul de intrare care prezint curentul emitorului IE, de tensiunea colectorului cnd tensiunea aplicat la jonciunea emitorului este meninut constant. Caracteristicile de intrare. Caracteristicile de intrare ale tranzistorului n conexiunea BC care arat dependena tensiunii dintre emitor i baz de curentul emitorului la tensiunea dintre colector i baz fixat. Ele sunt artate n fig.3.2. Pentru comoditate variabila IE se depune pe axa coordonatelor, iar valoarile tensiunii UEB pe axa abscisei. Caracteristica de intrare la UEB = 0 este analogic caracteristicii volt amperice a diodei: curentul IE crete exponenial cu creterea UEB. n cazul valorilor mari ale curenilor IE caracteristicile de intrare sunt aproape liniare. Creterea temperaturii deplaseaz caracteristicile de intrare spre axa curenilor. IE UCB=-5V UCB=0

UEB
10

Fig.3.2 Caracteristicile de intrare ale tranzistorului n conexiunea BC Caracteristica de ieire. Familia caracteristicilor de ieire al tranzistorului n schema BC, care reprezint dependena curentului colectorului de tensiunea dintre colector i baz la valoarea curentului emitorului constant, este artat pe fig.3,3. Vom analiza principalele particulariti ale acestor caracteristici. n cazul cnd curentul IE=0 (UEB<0) i tensiunea UCB<0 n circuitul colectorului trece curentul ICBo care slab depinde de UCB. Regiunea caracteristicilor de ieire, care corespunde polarizrii inverse ale ambelor jonciuni, este numit regiunea de tiere. n cazul cnd curentul IE>0 (UEB>0) i tensiunea UCB<0 curentul colectorului poate fi calculat conform relaiei: IC = IE + ICbo (3.1) Chiar la valorile UCB=0 curentul colectorului IC poate atinge valori considerabile. Regiunea caracteristicilor de ieire la conectarea invers a jonciunii colectorului i la conectarea direct a jonciunii emitorului este numit regiune activ. La valori pozitive nu prea mari ale tensiunii UCB caracteristicile de ieire se curbeaz brusc, iar regiunea valorilor UCB>0 i UEB>0 poart denumirea de regiune de saturaie. Particularitatea principal a regiunii active a caracteristicilor de ieire n schema BC este dependena slab a IC de tensiunea UCB. Caracteristicile reale de ieire ale tranzistoarelor n BC pot fi descrise de formula: IC =IE + ICBo + UCB/rC (3.2) Unde rC este rezistena colectorului.

IC IE=3mA IE=2mA 3 1 IE=1mA IE=0 2


Fig.3.3
11

UCB

Caracteristicile statice de ieire n conexiune BC

3.2 Caracteristicile statice n conexiune EC. Caracteristicile de intrare. Familia caracteristicilor de intrare n conexiunea EC arat dependena tensiunii dintre baz i emitor de curentul bazei la tensiunea dintre colector i emitor fixat UBE = f (IB) la UCE = const. Aceast familie este prezentat n fig.3.4. Parametrul familiei de caracteristici reprezint tensiunea dintre colector i emitor.

IB UCE=0 UCE=-5V

-UBE Fig.3.4. Caracteristicile de intrare ale tranzistorului n conexiunea EC Caracteristicile de ieire. Familia de caracteristici de ieire a tranzistorului n conexiunea EC, care arat dependena curentului colectorului de tensiunea dintre colector i emitor la curentul bazei fixat IC = f (UCE) la IB = const, este artat n fig.3.5 parametrul familiei caracteristicilor este curentul bazei (curentul de intrare). Regiunile de nceput ale caracteristicilor se ntlnesc n originea coordonatelor, deoarece la tensiunea UCE = 0 diferena de potenial la jonciunea colectorului este practic egal cu zero, deci respectiv i curentul colectorului este egal cu zero. n comparaie cu caracteristicile de ieire ale tranzistorului n conectarea BC, cele n conectare EC au un unghi de nclinaiei mai mare. Aceasta se datoreaz unei dependeni mai mari a coeficientului de transfer a curentului bazei de tensiunea UCE.
12

n schema conexiunii EC curentul de intrare este curentul IB. Deci avem relaia: I C = I B / ( 1 ) + I CB0 / ( 1 ) (3.3) Coeficientul de lng IB se numete coeficient static de transfer a curentului bazei i se noteaz cu : = (3.4) 1 Lund n consideraie expresia de mai sus (3.4) vom avea: I C = I B + I CE 0 (3.5) unde I CE 0 = I CB0 ( 1 + ) . (3.6) Curentul ICE0 trece prin circuitul colectorului la circuitul bazei deschis (IB = 0) i reprezint curentul invers al colectorului n schema EC. Valoarea curentului ICE0 poate s ating dimensiuni destul de considerabile. Dac curentul IB = - ICB0, atunci valoarea curentului IC este minim i este egal cu valoarea curentului ICB0. Din ecuaia (3.14) se poate de determinat: ( I I CB0 ) = C ( I B + I CB0 ) (3.6) Coeficientul reprezint un parametru de semnal mare. El se determin din raportul curentul colectorului ctre curentul bazei la aplicarea unei tensiuni inverse la jonciunea colectorului. n practic mai des se ntlnete noiunea de coeficientul diferenial de transfer a curentului bazei, care este egal cu raportul dintre creterii curentului colectorului ctre creterea curentului bazei la aplicarea tensiunii inverse la jonciunea colectorului: I dif = C , la UC = const (3.7) I B IC

IB>0 IB=0 IB=ICBo -UCE

Fig.3.5 Caracteristicile statice de ieire n conexiune EC


3.3 Cuplarea tranzistorului bipolar n-p-n n CC.
13

n fig.3.1,c este prezentat schema de cuplare a tranzistorului n colector comun. Tensiunea pe emitor n aceast cuplare are aceiai polaritate ca i cea de la intrare, avnd valori apropiate de ea. Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul emitorului i curentul bazei: I K I = E >> 1 IB Proprietatea cea mai de pre a conexiunii n colector comun este rezistena de intrare foarte joas. Datorit rezistenei de intrare reduse tranzistorul n conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se schimb neesenial la variarea rezistenei de sarcin (bineneles pn cnd rezistena de sarcin nu depete cu mult rezistena de ieire a generatorului).

4.Schema echivalent n T a tranzistorului bipolar


Schemele echivalente ale tranzistoarelor uureaz i minimizeaz metodele de analiz i calcul ale tranzistoarelor. Parametrii schemei trebuie s reflecte la maximum procesele fizice din structura tranzistorului, s fie uor msurabile i date n ndrumare. Tranzistorul este caracterizat de urmtorii parametri fizici care ' caracterizeaz funcionarea lui n curent alternativ: , , rB , rC, ECUCB ,CC. Aceti parametri pot fi calculai i destul de exact controlai n procesul da fabricare al tranzistorului. Folosind aceti parametri se poate de alctuit schema echivalent n T a tranzistorului (fig.4.1).
IE E + UEB rE ECUCB + CC IE rC IB r/B UCB IC C

Fig.4.1

14

n schema echivalent reprezentat jonciunile emitorului i colectorului sunt reprezentate prin rezistenele difereniale rE i rC. Efectul de transfer al curentului emitorului n circuitul colectorului este artat prin generatorul de curent echivalent IE, unde = f(). Acest efect se poate arta cu ajutorul unui generator echivalent de tensiune, conectat n circuitul colectorului. ns, la calcule ultima metod se utilizeaz mai rar. Reacia intern negativ dup tensiune, este reflectat de generatorul EC UCB n circuitul emitorului. ' Rezistena bazei rB este conectat ntre punctul intern al bazei B i contactul extern al bazei. Capacitatea colectorului CC unteaz rezistena rC. Capacitatea emitorului de regul nu se consider. Influena capacitii de difuzie a jonciunii emitorului se consider automat prin dependena coeficientului de transfer al curentului de frecven. Capacitatea de barier unteaz o rezisten foarte mic, i influena ei asupra lucrului n game de frecven se manifest slab. Schema echivalent prezentat n fig.4.1, nu este comod pentru calcule practice, deoarece conine dou generatoare. n multe cazuri influena generatorului ECUCB este neglijat. ns o astfel de neglijare nu este ntotdeauna bun. Generatorul ECUCB se recomand de a fi nlocuit cu un alt element al schemei, care reflect, ca i acesta, reacia invers negativ intern a tranzistorului. Dup cum deja se cunoate, reacia invers n tranzistor apare pe ' rezistena de volum rB . Dac conectm aceast rezisten n serie cu aa numita
' rezisten de difuzie a bazei rB' , se poate de determinat influena tensiunii colectorului asupra celei a emitorului ca rezultat al modulaie grosimii bazei i fr generatorul ECUCB. Atunci rezistena total a bazei tranzistorului rB va fi compus din dou componente: ' ' rB = rB + rB' (4.1) ' ' unde rB - rezistena de volum a bazei, iar rB' - rezistena de difuzie a bazei. ' Rezistena bazei rB este determinat de geometria tranzistorului (configuraia bazei n regiunile sale active i pasive), de rezistivitatea materialului bazei i rezistena contactului bazei. Rezistena de difuzie a bazei nu depinde de rezistivitatea materialului i ea poate fi determinat dup formula de mai jos: ' rB' rE 2( 1 ) = rE ( 1 + ) 2 (4.2) Componenta de difuzie a rezistenei bazei poate fi destul de mare. De aceea la frecvene mici rezistena total a bazei rB , ca regul, depete ' considerabil valoarea adus n cataloage a rezistenei de volum a bazei rB . Cu consideraia rezistenei de difuzie a bazei schema echivalent n T a tranzistorului bipolar arat ca n fig.4.2. Rezistenele de intrare ale ambelor scheme echivalente trebuie s fie egale ntre ele. Deoarece rezistena r B este mai

15

' ' mare dect rB , atunci rezistena rE' din schema 4.2 trebuie s fie mai mic dect rezistena rE din schema 4.1. Calculele arat c: ' rE' rE (4.3) 2

CC E IE r//E rC r//B IE IC C

r/B

Fig.4.2

Schema echivalent a tranzistorului n T pentru conectarea EC se poate de primit din schema echivalent n conexiune BC, schimbnd ordinea de conectare a contactelor emitorului i bazei: contactul emitorului se conecteaz la terminalul comun, iar contactul bazei la intrare. ns, o astfel de schem nu este comod, deoarece parametrii generatorului n ea se determin nu din curentul electrodului de intrare a bazei, ci de curentului emitorului. De aceea pentru schema echivalent n T pentru conexiunea EC se construiete o schem echivalent special artat n fig.4.3.
CCE B IB rB rCE r
// E

IB

IC

Fig.4.3

5. Parametrii H ai
16

tranzistoarelor bipolare
n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ la intrarea cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea U2 i curentul I2 (fig.5.1). I1 U1 I2 U2

Fig.5.1 Legtura dintre curenii i tensiunile de intrare i respectiv de ieire a unui astfel de cuadripol este determinat de dou ecuaii. Pentru tranzistoare cel mai des se folosesc parametrii h, deoarece ei sunt mai comozi pentru msurri. Sistemul de ecuaii care arat legtura dentre tensiune i curent cu parametrii h are forma: dU1=h11dI1+ h12dU2 dI2= h21dI1+ h22dU2 Parametrii h din acest sistem de ecuaii au urmtorul sens fizic: dU 1 h11 = Rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit dI 2 dU =0
2

Coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem mers n gol dU 1 h12 = dU 2 dI =0
1

Coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm regim de dI 2 scurtcircuit h21 = dI 1 dU = 0
2

Conductibilitatea dI h22 = 2 . dU 2 dI = 0
2

de

ieire

cnd

la

intrare

avem

mers

gol

Parametrii h se msoar n: h11 [] h12 [adimensional] h21 [adimensional] h22 [S] Schema cu parametrii h este hibrid: unii parametri se msoar n regimul mers n gol la bornele de intrare, iar alii n regimul de scurtcircuit la bornele de ieire.
17

Parametrul tranzistorului ca cuadripol depinde de alegerea punctului static de funcionare (dup curent continuu), de temperatur, frecven i schema conectrii.

6. Trasarea dreptei de sarcin


Dac n circuitul colectorului al tranzistorului de conectat un rezistor R C, atunci schimbrile curentului colectorului se vor determina nu numai de schimbrile curentului bazei, dar i de modificarea tensiunii dintre colector i emitor UCE. n timpul lucrului tranzistorului cu sarcina tensiunea UCE nu rmne constant i totdeauna este mai mic dect FEM a sursei de alimentare a colectorului EC: UCE = EC IC RC (6.1) Cu creterea curentului colectorului se mrete cderea de tensiune pe rezistena sarcinii U RC = I C RC , iar tensiunea de pe colector se micoreaz. i invers, micorarea valorii curentului colectorului duce la creterea tensiunii colectorului. Modificrile valorilor tensiunii colectorului influeneaz asupra curentului colectorului n mod opus dect asupra curentului bazei: dac sub influena curentului bazei curentul colectorului crete, atunci micorarea tensiunii colectorului n acest timp duce la micorarea puin a valorii curentului colectorului. Relaia (6.1) poate fi adus la forma: E U CE EC U CE IC = C = (6.2) RC RC RC Relaia (6.2) reprezint ecuaia unei linii drepte. Linia dreapt descris de ecuaia (6.2) de obicei se numete dreapt de sarcin. Pe familia de caracteristici de ieire dreapta de sarcin poate fi construit dup dou puncte (fig.6.1). Dac curentul colectorului IC = 0, atunci UCE = EC. Depunnd pe axa absciselor EC, primim punctul A a dreptei de sarcin. n acest punct tranzistorul este nchis de tensiunea pozitiv ce cade pe baz n raport cu emitorul. Al doilea punct al dreptei de sarcin l gsim n dependen de UCE. Depunnd UCE = 0, primim IC = EC / RC (vezi punctul B de pe caracteristic). Dreapta dus prin punctele A i B reprezint dreapta de sarcin necesar. IC
B IB>0 ICRC IB=0 IB=ICBo -UCE
18

EC

Fig.6.1 Clasificarea amplificatoarelor. Un amplificator este dispozitivul, n care puterea semnalului la ieire e mai mare dect la intrare. Se deosebesc amplificatoare de semnal mare i de semnal mic. Amplificatoarele de semnal mic sunt amplificatoarele, n care amplitudinea curentului sau tensiunii este ntr-att de mic, nct partea caracteristicii utilizat pentru amplificare poate fi considerat liniar. n amplificatoare de semnal mare se poate de folosit att partea liniar a caracteristicii ct i cea neliniar. Cnd amplificatorul este pus n aa regim, c la ieire avem amplitudini mari de curent i tensiune, el este numit amplificator de putere. Oricare amplificator pe tranzistoare amplific puterea, dar amplificator de putere este numit doar acela, la care puterea semnalului de ieire este comparabil cu puterea consumat de la sursa de alimentare. Clasificarea regimurilor de lucru. n amplificatoare se folosesc regimul A i B. Pe fig.6.2, a este artat dependena curentului colectorului tranzistorului, care lucreaz n regimul A, de timp. Pe fig.6.2, b, este artat curentul colectorului n regimul de lucru B, cnd se folosesc dou tranzistoare ce lucreaz pe rnd. Semiperioadele imre sunt amplificate de un tranzistor, iar cele pare de altul. iC iC

ICmed ICmed

Fig.6.2 Modificarea curentului colectorului a n regim A, b n regim B.

19

7. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecvene nalte


Comportarea la frecvene nalte a tranzistorului bipolar s-ar putea studia folosind parametrii y, dar aceasta prezint dezavantajul c este o descriere pur matematic ce leag curenii de tensiunile de la borne. De aceea este foarte util de a dispune de o schem echivalent care s pun n eviden fenomenele fizice ce au loc n tranzistor, att pentru frecvene joase ct i pentru cele nalte. n fig.7.1. este prezentat schema circuitului echivalent Giacoletto, pentru un tranzistor montat n cuplajul BC.

Fig.7.1 Circuitul echivalent Giacoletto (conexiune baz comun). Analiznd figura putem observa c se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten rBE, de cteva sute de n paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF(capacitate de difuzie). A doua regiune modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu ajutorul generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k), ce corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena rBB este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 . Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se nlocuiete cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea CBC de ordinul a civa pF (capacitatea debarier). Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de curent s depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
20

Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se definete ca raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i creterea infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi fiind constante. Aadar: I C e gm = = IC U BE kT i se poate demonstra c: g m rBE = h21B n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite dintre terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB. Acestea sunt de ordinul a 1-4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte nalte i din acest motiv de cele mai multe ori se pot neglija. De menionat c exceptnd rCB i rEB care o variaie mic, ceilali parametri ai circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul de funcionare static(de exemplu rCB scade cu IC, iar CBE crete cu IC).

8. Funcionarea tranzistorului bipolar n regim de impuls


Tranzistoarele bipolare pe larg sunt utilizate n diferite dispozitive electrice n calitate de cheie element al aparaturii radioelectronice, funcia cruia este comutarea i decomutarea circuitului electric. Deoarece are o rezisten mic n starea deschis i o rezisten mare n starea nchis, tranzistorul bipolar satisface pe deplin cerinele naintate elementelor de cheie. Tranzistoarele care sunt destinate pentru lucrul n regim de cheie electronic (sau regim de impuls) se numesc tranzistoare cheie. O schem simpl a unui circuit de comutare este prezentat n fig.8.1. n continuare vom analiza aceast schem, care conine: un tranzistor (este conectat n schema emitor comun), rezistenele RB, RC n circuitele baz i emitor respectiv. n circuitul emitorului este conectat sursa de tensiune EC.
21

+EC RC Ieire Intrare RB IB


Fig.8.1 Schem a unui circuit de comutare Dac la intrare nu este impuls, atunci tranzistorul este nchis, iar la jonciunea emitorului este aplicat tensiunea invers UBE = EBE (punctul A de pe fig. 8.2,a), prin circuitul colectorului trece curentul invers: iC = I CBU I CB0 iar prin circuitul bazei curentul invers. i B = I BEU = I CBU + ( 1 ) I EBU I CB 0 , atunci, la ieirea cheii vom avea tensiunea: uC 0 = ECE RC I CBU ECE . Acest regim al tranzistorului este numit regim de tiere. Pe familia caracteristicilor de ieire a tranzistorului acestui regim i corespunde punctul A (vezi fig.8.2, b). Dac la circuitul de intrare aplicm nite impulsuri de curent direct /// iB = ( E BE + U in ) RB , de exemplu i B = I B , atunci tranzistorul se va deschide, iar punctul de lucru se deplaseaz n poziia B, i deci n circuitul colectorului /// apare curentul iC = I C , iar tensiunea colectorului devine egal cu:
/// uCsat = ECE RC I C . Dup cum se vede din fig.8.2, b, tensiunea colectorului rmne negativ, dar tensiunea jonciunii colectorului uCB = uCE u BE este direct, deoarece tensiunea negativ a bazei are o valoare mai mare dect valoarea tensiunii negative a colectorului. De aceea jonciunea colectorului se deschide i se ncepe injecia electronilor din colector n baz. n aa fel, n acest caz electronii se injecteaz n baz din ambele jonciuni al emitorului i al colectorului. Acest regim al tranzistorului este numit regim de saturaie. n regimul de saturaie la creterea curentului de intrare iB curentul colectorului aproape nu crete (vezi fig.8.2), se mrete numai injectarea

22

purttorilor de sarcin din colector n baz. Tensiunea de ieire a tranzistorului cheie va fi: /// U ie = uCsat uC 0 = RC I C I CBU . Regimul activ n cazul dat reprezint doar un interval mic de timp, atunci cnd tranzistorul trece din regim de tiere n cel de saturaie i invers. n acest interval de timp punctul static de funcionare de pe caracteristica de sarcin se deplaseaz de la punctul A la B (vezi fig.8.2).

IC, IB

IC B IC IB

Regim de saturaie B

ICBU A IBEU Regim de tiere IC Regim activ a)

UBE Regim de saturaie Fig.8.2 Regim de tiere b)

UBE

Uin EBE
a)

t EBE

iB IBdir

(Uin EBE ) / RB
b)

EBE / RB

t
23

IBEU IBinv iC ICsat ICBU

ECE / RC
c)

qB

Qsat
d)

t tre tcre tmpr


Fig.8.3

Graficeletensiunilor i curenilor tranzistorului n regim de comutare. Aceste grafice sunt prezentate n fig.8.3. Notarea curenilor corespunde fig.8.2. La intrare se aplic un impuls de tensiune direct Uin, n acelai timp tensiunea bazei este egal cu Uin EBE , ea este depus pe fig.8.3, a n sus. Tensiunea invers, egal cu EBE la fel este prezentat n aceast figur, dar cu sensul invers. Graficul curentului de intrare este artat pe fig.8.3, b. Mrimea impulsului curentului direct al bazei IBdir se determin de rezistena rezistorul RB care se alege de o valoare puin mai mare dect rezistena jonciunii emitorului: U E BE I Bdir in . RB

24

Dup comutarea jonciunii emitorului n direcia invers curentul jonciunii, ca i n diod, are la nceput o valoare mare, limitat doar de rezistena RB. E I Binv = BE . RB Pe parcursul mprtierii sarcinii, rezistena invers a jonciunii emitorului crete i curentul bazei tinde la valoarea IBEU. La forma dreptunghiular a impulsului curentului de intrare i B impulsul curentului de ieire iC (vezi fig.8.3, c) apare cu o reinere n timp t re, care se determin n mare parte de viteza de cretere tensiunii jonciunii emitorului, care depinde de capacitatea jonciunii i de curentul direct al bazei. Dup ce tranzistorul va trece din regimul de tiere n regim activ, curentul colectorului ncepe permanent s creasc, atingnd valoarea determinat n timpul tcretere. Acest timp este determinat de viteza de acumulare a sarcinii n baz i viteza descrcrii capacitii colectorului. n aa fel, timpul total de comutare al tranzistorului const din timpul de reinere i timpul de cretere: tcom = tre + tcre. Practic acest timp poate avea valori de la cteva nanosecunde pn la cteva microsecunde. Procesul de acumulare i mprtiere a sarcinii bazei qB la comutarea tranzistorului este artat n fig.8.3, d. Acumularea sarcinii n baz se ncepe dup timpul de reinere tre, i sarcina n timpul tcretere atinge valoarea qB = Qactiv. n continuare ca rezulta al scderii tensiunii colectorului, jonciunea colectorului se deschide i se ncepe injectarea sarcinilor n baz. Sarcina bazei din nou crete, atingnd valoarea impulsului de intrare qB = Qsat.

9. Parametrii de baz ai tranzistorului KT 608 B


Tranzistor bipolar, KT 608 fabricat prin metoda planar, de tip n-p-n, este un tranzistor universal de putere medie. Se folosete n schemele de generare i amplificare ale semnalelor. Parametrii electrici ai tranzistorului KT 608B: Coeficientul static de transfer al curentului n schema EC la UC =50 V, IE = 200 A: 40 160.
25

Tensiunea, V, n regim de saturaie la IB = 80 mA i IC = 400 mA Capacitatea jonciunii colectorului la UCB = 10 V , f = 2 MHz, nu mai mare de 15 pF. Capacitatea jonciunii emitorului la UEB = 0 V , f = 2 MHz, nu mai mare de 50 pF. Curentul invers al colectorului la UCB = 120 V, T = 298K nu mai mare de 10 A. Parametrii electrici maxim admisibili ai tranzistorului KT - 602A: Tensiunea permanent dintre colector baz: 60 V Tensiunea permanent dintre colector emitor: 60 V Tensiunea permanent dintre emitor baz: 4 V Tensiunea de impuls dintre colector i baz i colector i emitor: 80V Intensitatea curentului colectorului: 400 mA Puterea disipat de colector: la T = 20 0C. . . . . . . . . . . . . 500W Temperatura jonciunii de 120 0C. Temperatura mediului nconjurtor de 85 0C.

10.Utilizarea tranzistorului bipolar KT - 602 n scheme electronice.


Voi prezenta mai jos un circuit al unui indicator de nivelul nscrierii n care se utilizeaz tranzistorul bipolar KT 608. n acest circuit el este utilizat ca tranzistor de clasa B :
26

11. Bibliografie
1. 2. 3. 4. .. .. Vasilescu G. Electronica 1993. C .. .:, 1977.
27

5. .. .

6. .. .:, 1977.

28