Sunteți pe pagina 1din 19

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Materialele semiconductoare au 4 electroni de valenta si au nevoie de o mica energie pentru a deveni liberi. Dintre acestea fac parte materialele pure cum ar fi:Ge,Si,Se ,Telur si compusi ale acestora. Conductivitatea la aceste materiale este de 2 feluri: -conductivitate intrinseca -conductivitate extrinseca A. Conductivitatea intrinseca se refera la materialul pur,fara impuritati,cum ar fi o retea cristalina de Ge .Fiecare atom de Ge este inconjurat de alti 4 atomi,fiecare atom punand in comun 2 cate 2,cei 4 electroni de valenta.Se formeaza astfel legaturi covalente si in jurul fiecarui atom de Ge cate un octet.Octetul si legatura covalenta sunt foarte stabile astfel ca la plecarea unui electron acesta devine liber lasand in urma un gol necompensat ,purtator de sarcina pozitiva.Numarul de electroni astfel formati va fie gal cu numarul golurilor.Sub influenta unui camp electric,purtatorii de sarcina,electronii liberi si golurile se vor misca in sens invers cu viteze egale. Nr.e=nr.g v.e=vg

B.Conductivitatea extrinseca Aceasta se obtine introducand in reteaua de Ge,cantitati mici de atomi,de alte metale,avand valenta mai mare,sau mai mica. 4+1=5>P(fosfor) 4-1=3>Al(aluminiu) Impurificand reteaua de Ge cu cativa atomi de P,avand 5 electroni de valenta,fiecare impuritate va folosi 4 electroni pentru realizarea octetului,al 5-lea putand parasi usor atomul devenind electron liber fara a lasa in urma gol,pentru ca nu a plecat din legatura covalenta. Se pot forma si perechi de electroni si goluri,daca pleaca electroni din legaturi covalente.In total numarul de electroni liberi formati este mai mare decat numarul de goluri,conductivitatea fiind de tip n(de la sarcina purtatorilor majoritari). Materialele semiconductoare sunt izolatoare la zero absolut dar conduc electricitatea, ntr-o anumita msur, la temperatura camerei. Proprietatea definitorie a materialului semiconductor este aceea c poate fi dopat cu impuriti care i altereaz,ntr-un mod controlabil, proprietile electronice. Din cauza faptului c materialele semiconductoare sunt elemente eseniale ale dispozitivelor electronice precum tranzistorul i laserul cu semiconductori, activitatea de cercetare pentru descoperirea unor noi materiale semiconductoare i de mbuntire a celor existente este un domeniu de cercetare important n cadrul disciplinei tiin a Materialelor.

Cele mai utilizate materiale semiconductoare sunt materialele solide cristaline anorganice. Aceste materiale pot fi clasificate n funcie de grupele tabelului periodic n care se ncadreaz fiecare element chimic component.

Partea I. Materiale electronice


1. Tipuri de materiale electronice
Materialele electronice sunt utilizate pentru realizarea componentelor/dispozitivelor electronice. Aceste materiale au o structur cristalin n care atomii sunt legai ntre ei prin intermediul unor legturi covalente la care particip electronii de valen ai atomilor din care este realizat materialul respectiv. Din punct de vedere electric, materialele electronice se mpart n trei mari categorii i anume: 1 Conductoare 2 Semiconductoare 3 Izolatoare n Figura 1 sunt prezentate cele mai uzuale elemente chimice utilizate pentru obinerea materialelor din care sunt realizate componentelor/dispozitivele electronice.

Figura 1. Proprietatea care difereniaz cele trei tipuri de materiale electronice este conductibilitatea electric (proprietatea unui material de a permite trecerea curentului electric). Conductibilitatea electric a materialelor este determinat de apariia purttorilor de sarcin electric, n anumite condiii energetice i de deplasarea acestora n structura intern a materialului respectiv.

Descrierea purttorilor de sarcin electric se realizeaz pe baza modelului simplificat al benzilor energetice al corpului solid. Conform acestui model, electronii atomului sunt plasai pe diferite nivele energetice, care pot fi grupate n benzi energetice. Banda de valen. Exist o band energetic n care toate nivelele energetice sunt ocupate de electroni. Aceast band se numeste band de valen, iar electronii respectivi se numesc electroni de valen. n structura cristalin a materialului, aceti electroni sunt legai prin legturi covalente, fiind imobili. Banda de conducie. Electronul de conducie. Banda energetic n care nivelele energetice au valorile cele mai mari se numete band de conducie. n aceast band, toate nivelele energetice sunt libere. Pentru ca un electron s poat ocupa un nivel energetic n benda de conducie este necesar ca acesta s beneficieze de un aport energetic. Electronul care ocup un nivel energetic din banda de conducie se numete electron de conducie. Electronii de conducie sunt liberi s se deplaseze prin structura cristalin a materialului. Aceti electroni provin din electronii de valen care, pe baza aportului energetic provenit din exteriorul materialului, pot rupe legturile covalente n care au fost iniial fixai devenind electroni liberi. Datorit faptului c se pot deplasa, electronii de conducie particip la generarea curentului electric prin structura unui material. Apariia unui curent electric n structura unui material presupune deplasarea orientat a unor purttori de sarcin electric (n acest caz electronii) prin structura respectiv. Diagrama benzilor energetice a materialelor electronice Tipul unui material electronic poate fi caracterizat de modul n care sunt dispuse benzile energetice ale acestuia. Informaiile despre dispunerea benzilor energetice sunt furnizate de ctre diagrama de benzi energetice a materialului respectiv. n figura 2.a se prezint diagrama benzilor energetice pentru materialele conductoare. Prin EC s-a notat nivelul energetic inferior al benzii de conducie, iar prin EV s-a notat nivelul energetic superior al benzii de valen. Se observ c, pentru materialele conductoare, cele dou benzi energetice prezint o suprapunere. n acest caz, conducia curentului electric este asigurat de ctre un singur tip de purttori de sarcin electric i anume electronul de conducie. n figura 2.b se prezint diagrama benzilor energetice pentru materialele izolatoare, respectiv semiconductoare. n acest caz, se remarc faptul c banda de conducie este izolat de banda de valen de o a 3a band energetic, numit band interzis. Banda interzis grupeaz nivele energetice care NU sunt permise electronilor; electronii nu pot ocupa nivelele energetice din aceast band. Diferena dintre materialele semiconductoare i cele izolatoare este dat de limea benzii interzise, notate EG, la materialele izolatoare fiind mult mai mare ( 5eV; eV=electron-volt) dect la cele semiconductoare ( 1,1eV). n cazul n care, materialul izolator sau semiconductor este supus aciunii unui agent exterior (cmp electric, magnetic, cldur, lumin), se poate furniza unora dintre electronii de valen energia necesar depirii benzii interzise astfel nct acetia pot ajunge pe un nivel energetic superior, aflat n banda de conducie. n consecin, printr-un aport energetic extern

suficient de mare, aceti electroni de valen devin electroni de conducie, fiind liberi s se deplaseze prin structura cristalin a materialului. Prin plecarea unui electron din banda de valen, se elibereaz un loc pe un nivel energetic din banda de valen, care, n continuare, poate fi ocupat de un alt electron de valen, aflat pe un nivel energetic inferior n banda de valen. Locul liber, lasat prin plecarea unui electron de pe un nivel energetic al benzii de valen se numete gol. La materialele semiconductoare i izolatoare, fenomenele de conducie ale curentului electric sunt generate de apariia electronilor de conducie i a golurilor.

Figura 2.

2. Materiale semiconductoare
Sunt utilizate la obinerea dispozitivelor semiconductoare: tranzistoare, diode, etc precum i la realizarea circuitelor integrate. 2.1. Materiale semiconductoare intrinseci. Materialele semiconductoare intrinseci sunt materiale semiconductoare pure, la care atomii din reeaua cristalin sunt de un singur tip, din grupa aIVa a tabelului periodic al elementelor i anume: Siliciul i Germaniul. n prezent, cel mai utilizat element pentru obinerea materialelor semiconductoare este siliciul, structura sa fiind prezentat n Figura 3.

Figura 3. Revenind la diagrama benzilor energetice, la temperatura de 00K, electronii sunt plasai numai n banda de valen. Deoarece nu exist electroni de conducie (electroni liberi), n structura materialului semiconductor nu se genereaz curent electric. La temperaturi mai mari de 00K, o parte a energiei termice este preluat de ctre electronii de valen, care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece de nivelele energetice din banda interzis i ajunge pe nivelele energetice din banda de conducie, devenind liberi s se deplaseze prin structura materialului. Prin plecarea acestor electroni din banda de valen, locul ocupat iniial de ctre acetia pe nivelul energetic din banda de valen devine liber, altfel spus gol. Acest gol poate fi ocupat de un alt electron de valen, fr un aport energetic substanial. Acest al 2lea electron de valen, prin ocuparea nivelului energetic Figura 4. lsat liber de primul electron, las la rndul lui un nou loc liber, un nou gol, pe nivelul energetic ocupat n banda de valen. Se constat astfel, o deplasare a golurilor n banda de valen, motiv pentru care i golul este un purttor de sarcin mobil. Acest fenomen este prezentat n Figura 4. Acelai fenomen poate fi explicat pe baza structurii reelei cristaline a atomului de siliciu. La temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legai prin legturi covalente la care

fiecare dintre acetia particip cu cte 4 electroni de valen. La nivelul reelei cristaline, electronii de valen pot cpta suficient energie astfel nct s rup legturile covalente n care au fost fixai. Prin ruperea legturii covalente, electronii de valen devin liberi (devin electroni de conducie) i las n urm, la nivelul atomului de unde au plecat un gol, caracterizat printr-un un exces de sarcin pozitiv la nivelul atomului respectiv. Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat, din punct de vedere electric, cu o sarcin electric pozitiv fictiv. n continuare, dac un alt electron de valen rupe o legtur covalent, devenind liber, poate ocupa golul lsat de primul electron de valen. Acest fenomen este sugerat n Figura 5.

Figura 5. Purttori mobili de sarcin electric Purttorii mobili de sarcin electric n semiconductoare sunt electronii de conducie i golurile. Deoarece acetia sunt mobili, se pot deplasa prin structura semiconductorului. n cazul n care deplasarea purttorilor de sarcin este orientat (nu este haotic), fenomen care se poate observa, de exemplu, n cazul n care se aplic asupra semiconductorului un cmp electric, prin structura semiconductorului se observ apariia unor fenomene de conducie electric (fenomene legate de generarea curentului electric). n consecin, fenomenele de conducie n materialele semiconductoare sunt generate pe baza electronilor de conducie i a golurilor. Generarea purttorilor mobili de sarcin Din cele prezentate mai sus se constat c, ntr-un material semiconductor, purttorii mobili de sarcin (electroni de conducie i goluri) sunt generai prin ruperea legturilor covalente. n plus, se constat c prin creterea temperaturii, numrul de electroni de valen care capt suficient energie pentru a rupe legturile covalente, crete. n concluzie, prin creterea temperaturii, tot mai multe legturi covalente se rup i astfel sunt generai tot mai muli purttori mobili de sarcin. Mecanismul de generare a purttorilor mobili de sarcin n semiconductoare pe baza creterii temperaturii se numete generare termic de purttori de sarcin. Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat c, prin ruperea legturilor covalente, electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi. Deoarece electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi, concentraiile de purttori mobili de sarcin electric ntr-un semiconductor intrinsec sunt egale. Concentraiile de purttori mobili de sarcin electric ntr-un semiconductor se noteaz astfel:

n = concentraia de electroni de conducie, p = concentraia de goluri. Valoarea comun a acestor concentraii se numete concentraie intrinsec i se noteaz cu ni. n concluzie, pentru un semiconductor intrinsec este valabil relaia: n = p = ni (1)

Concentraia intrinsec crete cu creterea temperaturii semiconductorului. La temperatura camerei, considerat 3000K, ni are valoarea 1,45 1010cm-3 pentru siliciu, respectiv 2 1013cm-3, la germaniu. n Figura 6 se prezint modul n care variaz cu temperatura T concentraia intrinsec a unui material semiconductor din siliciu.

Figura 6. Recombinarea purttorilor de sarcin n cadrul semiconductoarelor, pe lng mecanismul de generare a purttorilor de sarcin este prezent i mecanismul invers, care duce la dispariia purttorilor de sarcin. Mecanismul respectiv se numete recombinare de purttori de sarcin i este caracterizat prin revenirea electronilor de pe un nivel energetic superior, din banda de conducie, pe un nivel energetic inferior, n banda de valen. Revenirea n banda de valen a unui electron de conducie duce att la dispariia unui electron de conducie ct i a unui gol. Deci, mecanismul de recombinare a purttorilor de sarcin duce la dispariia n perechi a acestora. 2.2. Doparea materialelor semiconductoare. Materiale semiconductoare extrinseci. Fenomenul de dopare const n introducerea n materialul semiconductor intrinsec, prin diverse procedee controlate, a unor atomi diferii fa de cei din Si sau Ge, denumii i atomi de impuritate, n scopul modificrii proprietilor electrice ale materialului semiconductor. Un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate se numete material semiconductor extrinsec. Condiia necesar ca un material semiconductor s fie extrinsec este ca concentraia de atomi de impuritate cu care este dopat materialul semiconductor intrinsec, notat Nimpuriti s fie mult mai mare dect concentraia intrinsec ni: N impuritati >> ni (2)

Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode. Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare intrinseci sunt atomi din grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent utilizai sunt cei prezentai n Figura 7. n funcie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele semiconductoare intrinseci, materialele semiconductoare extrinseci se mpart n 2 categorii: materiale semiconductoare de tip N materiale semiconductoare de tip P

Figura 7. Materiale semiconductoare de tip N Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de impuritate pentavaleni, (din grupa a Va a tabelului periodic al elementelor chimice), care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru din cei cinci electroni de valen a atomului de impuritate formeaz 4 legturi covalente cu electronii de valen ai atomilor de Siliciu sau Germaniu nvecinai, n timp ce al 5lea electron de valen al atomului de impuritate este slab legat, astfel c la temperatura camerei primete suficient energie pentru a se desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber, sau electron de conducie, capabil s participe la fenomenele de conducie, aa cum este prezentat i n Figura 8.

Figura 8.

Se constat c formarea electronului de conducie nu este nsoit de generarea unui gol. Electronii de conducie obinui n acest mod sunt generai prin doparea materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a electronilor de conducie, acetia mai pot fi generai i prin mecanismul de generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui electron de conducie este nsoit de generarea unui gol. Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip N, concentraia de electroni de conducie este mult mai mare dect cea de goluri. Din acest motiv, electronii de conducie se numesc purttori de sarcin majoritari, iar golurile se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate cedeaz acest al 5lea electron de valen, el se numete atom donor. n urma cedrii celui de al 5lea electron, atomul donor devine ion pozitiv (se reamintete c un atom este neutru dpdv electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv devine ion pozitiv, iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ). Materiale semiconductoare de tip P Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivaleni, (din grupa a IIIa a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi borul, galiul, indiul, care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Atomul de impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valen ai si, la formarea numai a trei legturi covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai, lsnd electronul de valen al celui de-al 4lea atom de siliciu nvecinat fr legtur covalent, astfel crend un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv. Electronul de valen al celui de-al 4lea atom de siliciu nvecinat (n Figura 9, atomul de siliciu din dreapta) poate forma o legtur covalent cu un alt electron de valen al unui alt atom de siliciu nvecinat, care, prin completarea acestei legturi covalente, las la rndul su, n urma sa un gol.

Figura 9. Se constat c formarea unui gol nu este nsoit de generarea unui electron de conducie. Golurile obinute n acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a golurilor, acestea mai pot fi generate i

mecanismul prin generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui gol nu este nsoit de generarea unui electron de conducie. Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip P, concentraia de goluri este mult mai mare dect cea a electronilor de conducie. Din acest motiv, golurile se numesc purttori de sarcin majoritari, iar electronii de conducie se numesc purttori de sarcin minoritari. Deoarece atomul de impuritate primete un electron de valen de la un atom de siliciu nvecinat, el se numete atom acceptor. n urma primirii acestui electron, atomul acceptor devine ion negativ.

Bibliografie: 1. C. Ori, M. Derevlean, Materiale Electronice, Editura VIE, Iai 2001 2. D. Dascalu, Dispozitve si Circuite Electronice, Editura Didactica si Pedagogica, Bucuresti, 1982.

2.1 Purttori de sarcin n semiconductoare 2.1.1 Conductoare, izolatoare, semiconductoare

Din punctul de vedere al proprietii corpurilor solide de a fi strbtute de curent electric sub aciunea unei tensiuni electrice continue aplicate din exterior, acestea se mpart n trei mari categorii: - conductoare (metalele); - semiconductoare; - izolatoare.
Dup cum s-a artat anterior, n metale ntlnim o structur cristalin, unde n nodurile reelei cristaline se gsesc plasai ioni pozitivi, n timp ce printre noduri se mic liber i haotic electroni. Apariia electronilor liberi se explic prin fora de legtur foarte slab a electronilor de valen. Concentraia electronilor liberi este de ordinul 1028 m-3 i nu depinde practic de temperatur. Rezistena electric a metalelor este determinat de frecvena ciocnirilor electronilor liberi cu ionii pozitivi din nodurile reelei. Ionii sunt ntr-o permanent vibraie termic n jurul unei poziii de echilibru. Cu creterea temperaturii, amplitudinea oscilaiilor crete, ceea ce frneaz micarea de ansamblu a electronilor liberi sub aciunea unui cmp electric exterior. Aa se explic creterea rezistenei (rezistivitii) metalelor cu temperatura. Din punct de vedere al conductivitii ( = 1/), metalele nregistreaz valori foarte mari, m [106, 108] -1m-1. Exist i o categorie de materiale, numite izolatoare, pentru care conductivitatea este extrem de mic, i [10-

12

,10-20] -1m-1. Electronii de valen ai atomilor acestor materiale sunt foarte puternic legai de atomi. Izolatoarele nu conduc curentul electric deoarece n interiorul lor, practic, nu exist purttori liberi de sarcin electric. Aceste materiale, cum ar fi mica, materiale plastice, sticla, ceramica, marmura, hrtia, cauciucul etc. sunt foarte folosite n electrotehnic n general pentru a realiza diferite izolaii electrice. 24 2. SEMICONDUCTOARE 25

ntre metale i izolatoare, din punct de vedere al conductivitii, se plaseaz semiconductoarele, pentru care s [104, 10-8] -1m-1. Spre deosebire de metale, la semiconductoare, conductivitatea crete puternic cu temperatura (absolut), aa cum se indic n fig. 2.1. La temperaturi foarte coborte, semiconductoarele sunt izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare destul de bune. n categoria semiconductoarelor intr o mare varietate de substane: oxizi, compui, elemente chimice ca siliciul, germaniul, seleniul, etc. n dispozitivele electronice semiconductoare, cele mai utilizate materiale sunt cristalele elementelor tetravalente Ge i Si i a unor compui intermetalici, ndeosebi GaAs (arseniur de galiu). n cazul semiconductoarelor, electronii de valen sunt legai de atom mai slab dect la materialele izolatoare. Aceste legturi pot fi rupte dac electronii primesc o energie suficient devenind astfel electroni liberi. Pentru trecerea electronilor din stadiul de electroni legai de atom n starea de electroni liberi, trebuie transmis o energie minim W, numit energie de activare. Pentru semiconductoare, energia de activare se plaseaz n domeniul 0,025 3 eV. Fiecare material semiconductor n parte este caracterizat de o anumit valoare a energiei de activare. Astfel, pentru Ge avem W = 0,72 eV, pentru Si, W = 1,1 eV, etc. Folosind acelai criteriu, al energiei de activare, putem constata c la metale, W = 0, iar la izolatori, W = 3 10 eV. Energia de activare la metale fiind nul, la orice temperatur numrul electronilor liberi este acelai. n cazul izolatoarelor, energia de activare fiind foarte mare, prin nclzire, practic nu apar purttori liberi. Datorit valorilor mici, energia de activare poate fi transmis electronilor de valen din materialele semiconductoare de energia de agitaie termic a ionilor reelei cristaline. Spre deosebire de metale, cu creterea temperaturii n semiconductoare crete numrul electronilor liberi. De exemplu, la Si pur, concentraia electronilor liberi crete de la 1017 m-3 (la temperatura camerei) pn la 1024 m-3, la temperatura de 700 C (legea 3/2).
Fig. 2.1 Variaia cu temperatura a conductivitii semiconductoarelor
T

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE 26

2.1.2 Purttori de sarcin n semiconductoare. Semiconductoare intrinseci

La semiconductoare este caracteristic faptul c la conducie particip pe lng electronii liberi (de conducie) i electronii de valen, rmai legai de atomii din reeaua cristalin. Pentru nelegerea acestui tip de conducie analizm comportarea electronilor dintr-un cristal de germaniu. Atomul de germaniu are patru electroni de valen. n reeaua cristalului de germaniu, fiecare atom este nconjurat echidistant de patru atomi. Fiecare electron de valen al unui atom formeaz o pereche cu un electron de valen din atomul vecin. Electronii devin comuni ambilor atomi. Acest tip de legtur, caracterizat prin punerea n comun a electronilor de valen ntre atomii vecini, se numete legtur covalent. n fig. 2.2 a se reprezint modelul spaial al legturilor unui atom de germaniu din reeaua cristalin, iar n fig. 2.2 b modelul plan (simplificat) al legturilor covalente dintre atomii de germaniu. Starea legturilor din fig. 2.2 corespunde temperaturilor foarte sczute, cnd cristalul se comport ca un izolator aproape perfect. La temperaturi mai nalte, datorit caracterului fluctuant al energiei de agitaie termic, o parte din electronii din legturile covalente pot deveni electroni liberi, primind o energie (cel puin) egal cu energia de activare. Electronii eliberai din atomii neutri las n locurile pe care le prsesc ''goluri'', adic legturi covalente nesatisfcute. Sub aciunea unui cmp electric exterior, electronii din unele legturi covalente ale atomilor vecini
b a

Fig. 2.2 a) Modelul spaial al legturilor unui atom dintr-un cristal rmaniu pur; b) Legturile covalente ale cristalului de germapur (reprezentare simplificat n plan a modelului spaial) de ge niu
+ + + + +2. SEMICONDUCTOARE 27

pot ''umple'' aceste ''goluri''. Ca urmare, n atomii de unde au plecat rmn alte ''goluri''. Dup apariia unui ''gol'', un electron dintr-un atom vecin l umple, lsnd n urma lui alt gol. Prin urmare, are loc o deplasare a electronului legat (de valen) ntr-un sens i a golului n sens contrar. n acest fel, golurile se comport ca nite particule fictive, cu sarcin pozitiv +e i mas mp , care se deplaseaz prin cristal i contribuie, alturi de electronii liberi, la conducia electric. Micarea electronilor liberi, eliberai din legturile covalente, se poate reprezenta printr-o micare clasic, supus legilor mecanicii newtoniene, sub aciunea forelor externe (cmpuri electrice exterioare), a unei particule fictive, numit electron de conducie. Acesta are sarcina electric -e i o mas mn. n mn se include efectul cmpului electric periodic, datorat ionilor reelei cristaline, electronul fiind supus doar forelor externe, macroscopice. In concluzie, n semiconductoare particip la conducie dou tipuri de purttori de sarcin mobil: electronii (negativi) i golurile (pozitive). ntr-un semiconductor pur, la echilibru termic, purttorii mobili apar numai prin generarea termic a perechilor electron-gol. n acest fel, vor rezulta tot atia electroni de conducie cte goluri. Semiconductorul n care concentraia de electroni este egal cu cea de goluri se numete semiconductor intrinsec, iar concentraia respectiv ni , concentraia intrinsec: n0 = p0 = ni (2.1) unde n0 i p0 reprezint concentraiile de electroni, respectiv de goluri, n semiconductorul pur, la echilibru termic. Pentru o temperatur dat, n0 i p0 sunt mrimi constante care depind de natura semiconductorului pur respectiv. 2.2 Semiconductoare cu impuriti. Conductivitatea electric a unui semiconductor cu impuriti 2.2.1 Semiconductoare cu impuriti Tipul conduciei electrice intr-un semiconductor poate fi determinat i de prezena i de natura atomilor strini (impuriti) n reeaua sa cristalin. Procesul (tehnologic) de impurificare a unui semiconductor se numete dopare (sau dotare). Nivelele normale de dopare sunt foarte mici, de ordinul un atom de impuritate la 104 107 atomi de semiconductor din cristal. SURSE I
CIRCUITE DE ALIMENTARE 28

n reeaua cristalin se pot introduce dou tipuri de impuriti: a) dac n cristalul de germaniu se introduc atomi pentavaleni (de exemplu, arseniu), numai 4 din cei 5 electroni de valen se leag covalent cu atomii vecini de germaniu, iar cel de-al cincilea se desprinde de atomul de impuritate i devine electron liber (fig. 2.3). Pentru ca el s devin electron de conducie, este suficient o energie n jur de 0,01 eV, la Ge, respectiv 0,05 eV, la Si, capabil s-l desprind de atom. La temperatura camerei, practic toi aceti ai 5-lea electroni devin electroni de conducie. Electronul cedat nu las ns o legtur nesatisfcut; atomul de arseniu (As) devine ion pozitiv (devenind purttor de sarcin imobil). Impuritile pentavalente creeaz deci, n reeaua cristalin a germaniului un singur fel de purttori mobili de sarcin: electroni. Impuritile care permit astfel de cedri de electroni liberi se numesc donori, iar semiconductorul cu atomi de impuritate donori se numete semiconductor extrinsec de tip n (negativ). n semiconductorul extrinsec de tip n, nn0 reprezint concentraia total de electroni liberi la echilibru termic, provenii att de la atomii de impuritate, ct i datorit agitaiei termice a reelei, care genereaz perechi electron-gol. n acest caz, nn0 >>p0 i semiconductorul are conductivitatea electric mult mai mare dect conductivitatea aceluiai semiconductor n stare pur. Deoarece conducia n acest caz se face n principal cu electroni, ea se numete conducie de tip n. n semiconductorul de tip n, electronii sunt purttori majoritari, iar golurile sunt purttori minoritari. De exemplu, la 20 C, pentru Ge pur conductivitatea are valoarea = 2,2 1 -1 m , iar Ge de tip n are = 102 -1m-1. Conductivitatea semiconductorului este cu att mai mare cu ct concentraia purttorilor de sarcin liberi este mai mare. b) n cristalul de germaniu se pot introduce impuriti formate din atomi trivaleni (indiu, galiu, bor, aluminiu). i n acest caz atomii de impuritate vor ocupa n reea locul unor atomi de germaniu, avnd ns fiecare cte o legtur covalent nesatisfcut. Atomul trivalent de bor de exemplu, are lips un electron
electron liber Ge Ge Ge Ge As

Fig. 2.3 Legturile covalente n cristalul de germaniu, n care un atom de germaniu a fost nlocuit cu un atom de impuritate pentavalent (arseniu) 2. SEMICONDUCTOARE 29

de legtur (fig. 2.4). Atomul de bor poate accepta un electron provenind de la o legtur Ge Ge a unui atom vecin. Apare un gol care tinde s se completeze prin atragerea unui electron de valen de la un alt atom de germaniu vecin. Astfel, n reeaua semiconductorului se formeaz un numr de goluri egal cu numrul atomilor de impuritate. Atomii de impuritate devin ioni negativi (fici) i poart denumirea de acceptori. Purttorii de sarcin mobili majoritari sunt n acest caz golurile iar purttorii mobili de sarcin minoritari sunt electronii liberi provenii din generarea de perechi electron-gol, pe seama fluctuaiei energiei de agitaie termic a reelei. Deci, np0 >> n0 i avem conducie de tip p. 2.2.2 Conductibilitatea semiconductoarelor i structura benzilor energetice Conform teoriei cuantice, att n stratul de valen ct i n cel de conducie, electronii sunt caracterizai de valori cuantificate (discontinue) ale energiei. Nivelele energetice (posibile) ale electronilor de valen se grupeaz n banda de valen, iar a electronilor liberi n banda de conducie. Cele dou benzi sunt separate de banda interzis. Se cunoate c pentru semiconductorul intrinsec, pur din punct de vedere chimic, la o anumit energie primit din exterior, un numr de electroni din stratul de valen prsesc atomii respectivi, devenind electroni liberi ce particip la procese de conducie. Aportul energetic exterior necesar este egal cu nlimea W a benzii interzise. n fig. 2.5 se prezint structura benzilor energetice n cazul unui semiconductor intrinsec. Atunci cnd un electron de valen primete energie din exterior, el poate rupe legtura covalent, devenind electron liber. Prin acest proces apare i golul, care
gol
electron mprumutat de la atom de Ge vecin

Ge Ge Ge Ge B

Fig. 2.4 Formarea golurilor n cristalul de germaniu extrinsec dotat cu atomi de bor SURSE I CIRCUITE
DE ALIMENTARE 30

particip la conducie ca purttor de sarcin pozitiv. Ca urmare, electronul liber este un purttor al crui nivel energetic corespunde benzii de conducie, pe cnd golul este un purttor pozitiv, al crui nivel energetic corespunde benzii de valen. Cnd un electron prsete atomul, devenind electron liber, spunem c se genereaz o pereche electron - gol. ntr-un semiconductor intrinsec are loc un proces continuu de generare a perechilor electron - gol, a crui intensitate depinde de energia primit de semiconductor, din exterior. Simultan, are loc i un proces invers, de recombinare electron - gol, rezultnd atomi neutri. Un semiconductor asupra cruia nu acioneaz ageni exteriori cum ar fi: cmp electromagnetic, radiaii cu particule sau electromagnetice, se spune c se afl la echilibru termic. n acest caz, concentraiile de electroni i goluri generai prin mecanism intrinsec, depind de temperatura absolut: ==kTWTApnii2exp2/3 (2.2) unde ni , pi sunt concentraiile de electroni i goluri n semiconductorul intrinsec, T - temperatura absolut, k - constanta lui Boltzmann, W - limea benzii interzise, A - constant, i - indice care arat c procesul se refer la semiconductor intrinsec. Dac n semiconductor apare un cmp electric, electronii se vor mica n sens invers cmpului, iar golurile n sensul liniilor de cmp. Se formeaz un curent de electroni ini , respectiv de goluri ipi , ambii n acelai sens (al liniilor de cmp). Curentul total de conducie prin semiconductor este egal cu suma celor doi cureni. Componentele curentului de conducie nu sunt egale (ini > ipi), deoarece mobilitile celor dou tipuri de purttori nu sunt egale. Fig. 2.5 Structura benzilor energetice la un semiconductor intrinsec
W W Banda de valen Banda de conducie Banda interzis

Analiza folosind structura de benzi se aplic i la semiconductoarele extrinseci. n cazul semiconductoarelor dopate cu impuriti pentavalente (donoare), impuritile introduc un nivel energetic n banda interzis a semiconductorului, numit nivel donor, situat foarte aproape de banda de conducie, ca n fig. 2.6. 2. SEMICONDUCTOARE Cum valoarea Wd este foarte mic (0,01 0,05) eV la temperaturile ambiante obinuite, practic toi atomii donori furnizeaz cte un electron liber, electronii devenind astfel purttori majoritari. F n cazul semiconductorului dopat cu impuriti trivalente, acestea introduc n banda interzis un nivel acceptor, foarte aproape de banda de valen, ca n fig. 2.7. Ca urmare, la temperatura ambiant, practic toi atomii acceptori capteaz cte un electron, care a primit o energie Wa << Wd, formndu-se un numr de goluri egal cu numrul de atomi acceptori. Deci, golurile devin n acest caz purttori majoritari, iar electronii devin purttori minoritari.
W Wa Banda de valen Banda de conducie Nivel acceptor

Fig. 2.7 Structura benzilor energetice la un


W Wd Banda de valen Banda de conducie Nivel donor

ig. 2.6 Structura benzilor energetice la un semiconductor extrinsec cu impuriti donoare Materialele semiconductoare se caracterizeaza prin conductibilitati

electrice cuprinse ntre limitele: [S/m] la temperatura mediului ambiant. Materialele semiconductoare elementare sunt: carbon, siliciu, germaniu, staniu, bor, fosfor, arsen, stibiu, sulf, seleniu, telur si iod, iar cele compuse sunt de ordinul sutelor, cele mai frecvent utilizate fiind: galiu-arsen, solide de indiu - arsen. Din punct de vedere al legaturilor interatomice (vezi anexa 3.3), semiconductorii se pot clasifica n: semiconductori cu legatura covalenta, directionala, realizata prin asocierea a doi electroni cu spini antiparaleli proveniti de la 2 atomi nvecinati, cum sunt: Si, Ge, Sn, S, Se si Te; semiconductori cu legatura hibrida, cum sunt: solutiile solide ale indiului cu arsen si GaAs. Cu ct gradul de ionicitate - subunitar -

este mai ridicat, cu att legatura are un caracter ionic pronuntata, iar materialul are o comportare dielectrica, pronuntata.

mai mai