LABORATOR C.M.C.

Lucrarea nr.1

AMPLIFICATOARE DE MICROUNDE DE BAND NGUST

1.No iuni teoretice Amplificatoarele n general , i n mod particular cele de microunde , pot fi mp r ite n mai multe categorii pe baza unor particularit i pe care acestea trebuie s le ndeplineasc . Astfel , se disting: Amplificatoare de band ngust ; Amplificatoare de band larg ; Amplificatoare de semnal mic; Amplificatoare de putere; Amplificatoare cu zgomot redus.

Algoritmul de proiectare al amplificatoarelor ine cont de aceste particularit i. n continuare vom limita considera iile la amplificatoarele de semnal mic i band ngust , avnd ca obiectiv ob inerea unui ctig maxim. De asemenea , ne vom limita numai la amplificatoarele cu un singur element activ. No iunea de semnal micse refer la faptul c parametrii S ai elementului activ (care este n general un transistor) nu depind de nivelul semnalului amplificat. No iunea de band ngust se refer la faptul c banda relativ (definit ca raportul ntre banda de lucru i frecven a central din band ) este sub 10% ,situa ie n care poate fi neglijat varia ia parametrilor S cu frecven a.

. Impedan ele de generator i de sarcin vor fi considerate rezistive , cu valoarea standard Z G = Z S = Z 0 = 50 .

n general dispozitivul activ are impedan ele de intrare i de ieire diferite de 50 , ceea ce nseamn c prezint coeficien i de reflexie fa de generator i fa de sarcin diferi i de zero.n aceste condi ii, realizarea unui ctig ct mai mare presupune utilizarea unor circuite de adaptare la intrare i la ieire.Schema bloc a unui etaj de amplificare este prezentat n figura 1 Z0 ~ PdG EG Circuit de adaptare la intrare PIN Tranzistor [S] PIES Circuit de adaptare la ieire PS Z0

G 1 2 S Fig.1.Schema bloc a unui etaj de amplificare 2.Ctigul de putere Ctigul unui amplificator poate fi definit n mai multe feluri. Astfel , cele mai utilizate forme sunt: Ctigul de transfer n putere:

GT =

PS = puterea consumat de sarcin / puterea disponibil a PdG

(1)

generatorului Ctigul (opera ional) n putere:

GP =

PS = puterea consumat de sarcin / puterea la intrarea PIN n transistor

Ctigul disponibil n putere:

(2)

GD =

PIES GD = puterea disponibil la ieire/ puterea PdG

(3)

disponibil a generatorului

. Folosind nota iile din figura 1 i considernd tranzistorul caracterizat prin matricea sa S, expresiile celor trei forme ale ctigului devin:

1 G 1 G 2 1 S 2 1 S GT = S 21 = S21 1 1G 1 S 22 S 1 S11 G 1 2 S
2 2 2 2

(4)

GP =

1 1

S 21
2 2

1 S 22 S S21
2

1 S

2 2

(5)

GD = unde:

1 S11G

1 G

1 2

(6)

1 = S11 +
iar

S12 S21 S 1 S 22 S S12 S21G 1 S11G

(7a)

2 = S 22 +

(7b)

Se remarc faptul c :
GT = f ( G , S ,[ S ])G , GP = f ( S ,[ S ]) , GD = f ( D ,[ S ]) (8)

Ob inerea unui ctig maxim , n oricare din defini iile enun ate , nseamn de fapt proiectarea circuitelor de adaptare de la intrare i de la ieire astfel nct de la etajul respectiv s se ob in ctigul maxim ,n condi ii de stabilitate.

3.Stabilitatea
Stabilitatea unui amplificator poate fi definit ca proprietatea acestuia de a nu oscila. n principiu ea este asigurat dac impedan ele de intrare i de

. ieire ale dispozitivului activ au simultan p r ile reale pozitive atunci cnd acestea lucreaz ntre anumite termina ii. Aceast condi ie , scris cu ajutorul coeficien ilor de reflexie, conduce la dou situa ii: Stabilitatea necondi ionat 1 < 1 , S < 1 2 < 1 , G < 1 Stabilitatea condi ionat 1 < 1 , pentru anumi i S < 1 2 < 1 , pentru anumi i G < 1 (10) (9)

Inegalit ile (9) reprezint condi ia necesar i suficient pentru ca o re ea s fie necondi ionat stabil . Altfel spus , s fie stabil oricare ar fi impedan ele pasive de generator i de sarcin . Se poate ar ta [1] c setul de condi ii (9) care asigur stabilitatea absolut , poate fi adus i la o alt form echivalent :

1 S11 S 22 + K= >1 2 S12 S 21

2 2 2

(11)

= S11S 22 S12 S21 < 1 sau , sub o a treia form : K>1 B1 > 0

(12)

Factorul K , definit cu rela ia (11) se numete factor de stabilitate sau factorul lui Rollett al tranzistorului respectiv. , definit cu rela ia (12) este determinantul matricei S, iar B1 este un termen care va fi definit n paragraful urm tor rela ia (19).

(13) (14)

. Unele programe utilizeaz , de asemenea , un criteriu de stabilitate necondi ionat bazat pe analiza unui singur parametru , numit factorul de stabilitate (MU) [2]: MU =
S11 ( ) S 22 + S12 S21

1 S 22

>1

(15)

n ceea ce privete stabilitatea condi ionat , aceasta se refer la determinarea valorilor impedan elor pasive de sarcin i de generator care asigur func ionarea stabil a amplificatorului. Concret , aceasta se realizeaz prin trasarea cercurilor limit de stabilitate la intrare i la ieire n planele coeficien ilor de reflexie al sarcinii i al generatorului i deci prin determinarea zonelor de stabilitate. n cadrul lucr rii de laborator , va fi utilizat un dispozitiv activ care , la frecven a nominal la care se proiecteaz etajul de amplificare, este necondi ionat stabil.

4.Ctigul maxim de transfer n putere

Pentru ob inerea ctigului maxim de transfer n putere trebuie s se realizeze adaptarea simultan la por ile de intrare i de ieire ale tranzistorului. (Acest lucru este posibil numai dac tranzistorul este necondi ionat stabil). Astfel:

= 1 = S11 + Gopt

1 S22 Sopt S21S21Gopt

S12 S21 Sopt

(16)

= 2 = S 22 + Sopt Din acest sistem rezult :

1 S11 Gopt

(17)

i =

Ci 2 Ci
2

(B
i

Bi2 4 Ci

, i =1,2

(18)

. unde:

B1 = 1 + S11 S22
2 2 2 2

(19)
2

B2 = 1 S11 + S 22
C1 = S11 S22 C2 = S 22 S11

(20) (21) (22)

Din considerente de stabilitate , n rela ia (18) radicalul trebuie luat cu semnul minus pentru ob inerea valorilor coeficien ilor de reflexie al sarcinii i al generatorului. Prin nlocuirea acestor valori n rela ia ctigului de transfer (4) se ob ine expresia ctigului de transfer maxim:
GTMax = S21 K K 2 1 S12

(23)

Atunci cnd K = 1 , ctigul de transfer maxim devine ctigul maxim stabil , care este o m rime ce caracterizeaz dispozitivul activ:
GMS = S 21 S12

(24)

5.Circuite de polarizare Orice dispozitiv activ trebuie polarizat n mod corespunz tor. Parametrii S ai acestuia depind de punctul static de func ionare. Tehnicile de polarizare a unui tranzistor r mn valabile i pentru tranzistoarele de microunde , una din problemele delicate fiind decuplarea c ii de polarizare fa de calea de semnal. Astfel , n domeniul microundelor , rolul ocurilor de RF va fi preluat de circuite cu linii , numite filtre de polarizare care vor separa calea de semnal de calea de polarizare. Unul dintre circuitele des utilizate n polarizarea etajelor de band ngust este prezentat n figura 2. (Amplificatorul va con ine dou astfel de circuite , unul la intrarea i cel lalt la ieirea tranzistorului).

VP /4 RD ZC 2

CD trecere metalizat Z0 Z C1 Z0 Z0

/4

Fig.2.Circuit de decuplare a polariz rii Circuitul este format din dou tronsoane de linie conectate n cascad .Tronsonul al doilea are impedan a caracteristic mult mai mic dect Z 0 i este terminat pe un rezistor RD = 50100 . Deoarece este un tronson inversor de impedan , la intrarea sa se va vedea o impedan foarte mic . Primul tronson are impedan a caracteristic mult mai mare dect Z 0 i are ca sarcin intrarea tronsonului al doilea , adic o impedan foarte mic . Fiind la rndul lui un tronson inversor , la intrarea sa rezult o impedan foarte mare i deci, prin conectarea lui n paralel pe linia de semnal , nu o va perturba. Rezistorul RD are rolul de a asigura stabilitatea amplificatorului n afara benzii de lucru (n special n partea inferioar a domeniului de frecven ) unde, eventual, tranzistorul nu mai este necondi ionat stabil. Condensatorul CD asigur conectarea la mas , n curent alternativ, a c ii de

alimentare i are o valoare 1nF. 6.Circuite de adaptare

Pentru ob inerea ctigului de transfer maxim , dispozitivului activ trebuie s i se conecteze la intrare i la ieire circuite care s transforme impedan ele de 50 n acele impedan e ce realizeaz adaptarea complexconjugat simultan . Din multitudinea de circuite de adaptare de band ngust existente , se pot distinge cteva configura ii ce au devenit clasice datorit faptului c sunt frecvent utilizate.

a) circuitul de adaptare cu tronson deriva ie terminat n gol (figura 3) l1

Z0

l2

Z0 i

Z0

Fig.3. Circuit de adaptare cu tronson deriva ie Acest circuit poate transforma teoretic orice impedan n orice impedan i din acest motiv este considerat transformator universal de impedan . Variabilele de proiectare sunt lungimile ( l1 i l2 ) ale tronsoanelor de linie de transmisiune de impedan caracteristic fixat ( Z 0 ).Termina ia n gol a tronsonului deriva ie este preferat n tehnologiile planare (microstrip de exemplu). Circuitul poate fi proiectat att analitic (ANEXA 1) ct i utiliznd diagrama Smith. b) Circuit de adaptare cu tronson de /4 intercalat pe linie (figura 4) /4 Z0 ZC l

Z0 i

Fig.4.Circuit de adaptare cu tronson /4 intercalat pe linie

. Acest circuit poate transforma , teoretic , orice impedan n orice impedan , deci este transformator universal.Variabilele de proictare sunt lungimea (l) a tronsonului de linie de impedan caracteristic fixat (Z0) i impedan a caracteristic ( Z C ) a tronsonului de linie de lungime fixat (/4).Circuitul poate fi proictat att analitic (ANEXA 2) ct i utiliznd diagrama Smith.Trebuie remarcat c , n general , tehnologiile nu permit realizarea oric rei valori a impedan ei caracteristice a unei linii. Din acest motiv , dei este considerat transformator universal , circuitul are anumite limit ri tehnologice. c) Circuitul de adaptare cu tronsoane /4 i /8 (figura 5) /4 Z0 Z C1 /8 ZC 2 i Fig.5. Circuitul de adaptare cu tronsoane /4 i /8 Acest circuit poate transforma teoretic orice impedan n orice impedan i deci este transformator universal.Variabilele de proiectare sunt impedan ele caracteristice ( Z C1 , Z C 2 ) ale tronsoanelor de line de lungime

fixat (/4 , /8).Circuitul nu poate fi proiectat utiliznd diagrama Smith , ci numai analitic (ANEXA 3). De asemenea , circuitul nu poate fi utilizat atunci cnd impedan ele caracteristice ale tronsoanelor de linie ies din plaja de realizabilitate a tehnologiei n care se dorete a fi construit. 7.Desf urarea lucr rii 7.1.Se va proiecta un amplificator de band ngust cu un tranzistor , avnd urm toarea specifica ie: a) amplificarea de transfer GT = 10 dB b) frecven a nominal f 0 =12,5 GHz

. c) impedan a sistemului Z 0 = 50 d) tehnologia de realizare: microstrip , pe substrat de alumin 96% cu grosimea H = 0,635 mm , metalizat cu aur , grosimea metaliz rii 9 m , distan a dintre substrat i ecranul superior HU = 10 mm 7.2.Proiectarea amplificatorului se va realiza cu ajutorul programului Ansoft Designer SV. 7.3. Din baza de date a programului , se selecteaz un tranzistor care s permit realizarea specifica iei.Tranzistorul va fi de tipul NMES (tranzistor MESFET cu canal de tip N) , din categoria de componente S-Parameter Data. Pentru transferul datelor n fereastra " Project Manager se va efectua , n prealabil , configurarea bibliotecii (meniul Tools , op iunea Configure Design Libraries). Se va analiza fiecare model , considerat ca diport , n domeniul de frecven 118 GHz , pas 0,1GHz , vizualiznd graficul factorului de stabilitate K i al termenului B1 ( sau numai graficul

factorului de stabilitate MU) pentru analiza stabilit ii precum i graficul ctigului maxim de transfer GMAX . Scopul selec iei este g sirea unui model care s fie necondi ionat stabil ntr-un domeniu de cel pu in 45 GHz n jurul frecven ei nominale (K>1 i B1 >0 sau MU>1). La frecven a nominal , ctigul trebuie s fie de cel pu in 10 dB. 7.4.Se proiecteaz circuitele de decuplare a re elei de polarizare. Circuitele vor fi de felul celei din figura 2. Se vor alege Z C1 , Z C 2 i se va edita schema de principiu , utiliznd tronsoane de linii de transmisiune lungime electric din categoria de componente ideale distribuite . Se analizeaz ca uniport i se verific dac la frecven a nominal impedan a prezentat este mult mai mare dect Z 0 .

7.5.Se completeaz schema de principiu , conectnd la intrarea i la ieirea tranzistorului circuitele de polarizare i se analizeaz factorul de stabilitate al noii structuri astfel ob inute 7.6.Pentru circuitul ob inut , se cere programului s calculeze , la frecven a nominal , parametrii GMS (G din figura 1) i GML (S din figura 1) care asigur ctigul maxim prin adaptarea simultan , complex - conjugat la

10

. por i. Se vizualizeaz de asemenea graficele varia iei parametrilor S n domeniul de frecven 1213 GHz i se noteaz valorile lor la frecven a nominal .

7.7.Cunoscnd G i S , se proiecteaz circuitele de adaptare la intrare i la ieire. Pentru aceasta, se vor alege configura ii de tipul celor din figura 3, figura 4 sau figura 5 , calculndu-se lungimile electrice i impedan ele caracteristice ale tronsoanelor de linie respective.

7.8.Circuitele de adaptare pot fi proiectate i utiliznd op iunea Smith tool din meniul Circuit . n fereastra "Display", se seteaz frecven a la valoarea frecven ei nominale n zona Circles se selecteaz Power Gain Gp(S-plane), se completeaz n fereastra Start valoarea ctigului GMAX citit n partea de jos. Se d comanda Apply i pe diagram apare un semn care indic valoarea coeficientului de reflexie 1 la intrarea tranzistorului. n vederea adaptrii, se ob ine valoarea conjugat, ac ionnd butonul Conjugate i apoi marcnd punctul 1 . n zona Grids se debifeaz Impedance i se

bifeaz Admitance. Se trece la modul Matching prin ac ionarea butonului respectiv.Se ac ioneaz butonul New Match apoi se marcheaz punctul care reprezint valoarea conjugat a lui 1 . Se selecteaz ca prim element de adaptare un tronson de linie serie. Apare un arc de cerc care arat direc ia de deplasare.Se pune cursorul pe captul arcului i se prelungete pn se intersecteaz cu cercul unitar g =1. Se selecteaz apoi un tronson deriva ie de linie n gol i se prelungete arcul aprut pn n centrul diagramei.Se d comanda Exporti circuitul de adaptare se transfer la schema amplificatorului. Se repet procedura i pentru circuitul de adaptare de la ieire,n planul sarcinii,selectnd Power Gain Gp(L-plane). 7.9.Se editeaz schema de principiu a amplificatorului (tranzistorul cu circuitele de adaptare i cele de polarizare) utiliznd tronsoane de linie de tipul linie de transmisiune-lungime electric din categoria de componente ideal-distribuite. Se analizeaz n domeniul de frecven 1213GHz.Se m soar parametrii S ai amplificatorului la frecven a nominal i se compar ctigul citit pe caracteristica de transfer cu cel calculat pe baza factorului de stabilitate K (rela ia 23).

11

. 7.10.Se editeaz schema de principiu final , utiliznd tronsoane de linie microstrip , care se proiecteaz cu ajutorul op iunii TRL - Microstrip Single din meniul Circuit. Se adaug la intrarea i la ieirea amplificatorului cte un condensator de blocare a componentei continue C B

= 1pF (Categoria Vendor). Se analizeaz din nou i se noteaz parametrii amplificatorului la frecven a nominal . Se compar cu rezultatele ob inute la amplificatorul cu linii ideale. 7.11.Se verific dac amplificatorul este absolut stabil pe ntreg domeniul de frecven (0,118GHz). Pentru aceasta se vizualizeaz factorul de stabilitate MU , care trebuie s ndeplineasc condi ia MU>1 sau dB(MU) > 0. 8.ntreb ri i exerci ii 8.1.S se demonstreze echivalen a dintre condi iile de stabilitate prezentate n ecua iile (11), (12) i condi iile utilizate de programul ANSOFT DESIGNER rela iile (13) i (14). 8.2.S se arate c pentru valori mici ale parametrului S12 , coeficien ii S i
G sunt apropia i de S 22 i respectiv S11 .

8.3.S se realizeze o variant de cablaj (Layout editor) pentru circuitul proiectat i realizat.Dimensiunile capsulei tranzistorului sunt prezentate n figura 6. n anexa 4 este ar tat un exemplu de cablaj al unui amplificator de band ngust .

8.4.S se deseneze schema re elei de polarizare a dispozitivului activ

12

surs

0,6 poart 2 s 1,2 dren

Fig.6.Dimensiunile capsulei tranzistorului ATF 13036 (f 130363a.s2p)

ANEXA 1 Proiectarea circuitului de adaptare cu tronson de linie paralel , terminat n gol (fig. 3) = modulul coeficientului de reflexie , v zut nspre tranzistor = faza coeficientului de reflexie (grade) = arccos Solu ia I Lungimea electric a tronsonului de linie serie (grade):
E1 = l1 = + 180 2 if { E1 > 0, E1 , E1 + 180 }

Lungimea electric a tronsonului deriva ie (grade):

13

.
E2 = arctg ( 2 ctg )

Solu ia II
E1' = l1' =

+ + 180 2

if { E1' > 0, E1' , E1' + 180 }

' E2 = arctg ( 2 ctg )

ANEXA 2 Proiectarea circuitului de adaptare cu tronson /4 intercalat pe linie (fig.4)

= modulul coeficientului de reflexie , v zut nspre tranzistor = faza coeficientului de reflexie (grade) Z 0 =50 impedan a caracteristic a tronsonului de lungime l

1+ = raportul de und sta ionar n tronsonul de lungime l 1

Solu ia I
Lungimea electric a tronsonului (grade):
E = l =

Impedan a caracteristic a tronsonului de lungime /4:

ZC = Z0

+ 180 2

if { E > 0 , E , E +180}

Solu ia II
E1' = l1' = 2
' ZC = Z0

if { E1' > 0, E1' , E1' + 180 }

14

ANEXA 3 Proiectarea circuitului de adaptare cu tronsoane /4 i /8 (fig.5) = modulul coeficientului de reflexie , v zut nspre tranzistor = faza coeficientului de reflexie (grade) Z = R + jX impedan a de sarcin a tronsonului /8 , unde:
2

1 R = 2 Z 0 1 + 2 cos

2 sin X = Z 0 1 + 2 2 cos
Impedan a caracteristic a tronsonului /8:

ZC 2 = R2 + X 2
Impedan a de intrare (real ) a tronsonului /8:

Zi R = ZC 2 ZC 2 X
Impedan a caracteristic a tronsonului /4:

Z C1 = Z i Z 0

REFERIN E BIBLIOGRAFICE 1. G. Lojewski . Dispozitive i circuite de microunde ,

EDITURA TEHNIC , Bucureti ,2005

2. Edwards and Sinski A new criterion for linear two-port stability using a single geometrically derived parameter. IEEE MTT , December 1992

15

LABORATOR C.M.C.

Lucrarea nr.2

AMPLIFICATOARE DE MICROUNDE CU ZGOMOT REDUS

1.Factorul de zgomot.
Amplificatoarele utilizate n etajele de intrare ale receptoarelor, unde nivelul semnalului poate fi foarte mic , trebuie s aib un zgomot propriu redus pentru ob inerea unei sensibilit i ct mai bune. Tranzistorul utilizat este caracterizat , din punct de vedere al zgomotului , prin factorul de zgomot F, care se definete astfel:

F=
unde

intrare iar ( S / N )out este raportul puterilor semnalului i zgomotului la ieire. Factorul de zgomot depinde de impedan a generatorului . Valoarea

( S / N )in

( S / N )in ( S / N )out

(1)

reprezint raportul puterilor semnalului i zgomotului la

minim Fmin se ob ine pentru o anumit impedan a generatorului,

impedan ei generatorului,caracterizat prin coeficientul de reflexie S , valoarea factorului de zgomot este dat [1] de rela ia:

caracterizat prin coeficientul de reflexie opt . Pentru o valoare dat a

F = Fmin +
unde

1 + opt

4 rn

S opt 1 S

(2)

Impedan a optim a generatorului pentru care se ob ine factorul de zgomot minim difer de impedan a generatorului pentru care se ob ine ctigul maxim.

rn este rezisten a de zgomot a tranzistorului.

16

. Din aceast cauz , n proiectarea acestui tip de amplificator este necesar stabilirea unui compromis ntre factorul de zgomot i ctigul amplificatorului. Acest lucru se poate face cu uurin dac se reprezint pe aceeai diagram Smith cercurile de zgomot constant i cercurile de ctig disponibil constant.

2.Cercurile de zgomot constant

Cercul de zgomot constant este locul geometric al coeficien ilor de reflexie S pentru care factorul de zgomot dat de rela ia (2) are o valoare dat Fi .( Fi > Fmin ) Centrul cercului se afl n imaginea numrului complex Ci :
1 + Ni Raza cercului este:
Ri =

Ci =

opt

(3)

2 N i 2 + Ni 1 opt 1 + Ni

(4)

(5) 4 rn n figura 1 este reprezentat , pe diagrama Smith , cu ajutorul programului Ansoft Designer SV ,vectorul opt care corespunde la Fmin =1.2dB i un unde set de cercuri de zgomot constant avnd F = 1.3; 1.4; 1.5dB

Ni = ( Fi Fmin )

1 + opt

3.Cercurile de ctig constant n putere disponibil

ctigul n putere disponibil Ga (rela ia 6 din Lucrarea 1) are o valoare impus, mai mic dect valoarea maxim obtenabil n cazul adaptrii. transistor i de impedan a generatorului. Cercul de acest tip este locul geometric al valorilor S pentru care

Adaptarea se ob ine pentru S = sm .Ctigul Ga depinde numai de

17

. n figura 1 este reprezentat vectorul sm care corespunde unui ctig maxim de 11dB. Mai sunt reprezentate 3 cercuri de ctig constant, avnd Ga =10.5; 10; 9.5dB. Centrele cercurilor de ctig constant se afl pe vectorul sm Ansoft Corporation

Fig.1.Cercuri de zgomot constant i cercuri de ctig constant,pentru tranzistorul f130363a.s2p , la frecven a de 13GHz.(Vds =2.5V , Id =20mA)

Dac obiectivul proiectrii este,de exemplu,ob inerea unui factor de zgomot de 1.3dB, i a unui ctig maxim , se va alege un coeficient de reflexie n planul generatorului S situat n punctul de tangen al cercului

4.Proiectarea amplificatorului cu zgomot redus.

18

. F=1.3dB cu cercul Ga=10dB.Acesta este punctul A din figura 2 unde s-au reprezentat , pentru mai mult claritate , numai cercurile amintite. Ansoft Corporation

(planul generatorului punctul A) i L (planul sarcinii punctul B).

Fig.2.Rela ia de coresponden (Mapping) ntre coeficien ii de reflexie S

Mapping a programului , care traseaz pe diagram, pe lng cercul Ga(S) =10dB, un al doilea cerc, Ga(SL) =10dB.Fiecrui punct de pe cercul surs (de ex.A), i corespunde un punct pe cercul int (B) conform rela iei:

Determinarea coeficientului de reflexie L se face utiliznd func ia

19

L = S22 +

S12 S21 S 1 S11 S

(6)

la intrarea i la ieirea tranzistorului , cu ajutorul utilitarului Smith Tool.

Cunoscnd S i L se trece la proiectarea circuitelor de adaptare

Stabilitatea amplificatorului se analizeaz cu ajutorul factorului . Se va asigura stabilitatea necondi ionat (>1) att n banda de frecven de lucru ct i la alte frecven e. 5.Specifica ia amplificatorului: 5.1. Frecven a nominal: 12.5GHz 5.2. Amplificarea: minim 10dB 5.3. Factorul de zgomot: F = 1.2dB 5.4. Impedan a sistemului: Z 0 = 50

Amplificatorul cu zgomot redus analizat este un amplificator de band ngust. Circuitele de decuplare a alimentrii , de polarizare n current continuu, de cuplaj la intrare i la ieire,sunt aceleai ca la amplificatorul proiectat la Lucrarea 1 de laborator ( frecven a de lucru este n acelai domeniu).

5.5.Tehnologia de realizare: Microstrip, pe substrat de alumin 96% cu grosimea H = 0.635mm , metalizare cu aur , grosimea metalizrii t = 9m , distan a dintre substrat i ecranul superior HU = 10mm. 6.Desfurarea lucrrii. 6.1.Proiectarea amplificatorului se va realiza cu ajutorul programului Ansoft Designer SV. Se configureaz biblioteca programului, prin selectarea categoriei de componente Vendor Elements. 6.2.Se deschide editorul schematic.Se selecteaz un tranzistor din categoria Vendor SParameterData NMES Agilent NMES 2 Port. Se transpune pe schem .Se ataeaz cte o poart la intrare i la ieire iar la surs,un plan

20

. de mas. Se selecteaz tipul tranzistorului,astfel nct s poat fi ndeplinite performan ele din specifica ie .Se seteaz o analiz n domeniul de frecven 118GHz cu un pas de 0.1GHz. Se reprezint graficele ctigului maxim dB(GMAX),al factorului de zgomot minim (dB)FMIN i al factorului de stabilitate dB(MU). Criteriile de selec ie sunt urmtoarele: Tranzistorul trebuie s fie necondi ionat stabil la frecven a nominal dB(MU) > 0 Dac nu este ndeplinit aceast condi ie, se conecteaz n serie cu poarta un rezisistor de 25 i, eventual, un rezistor deriva ie de 200400 la ieire. Dup ce s-a asigurat condi ia de stabilitate absolut la frecven a nominal, se verific condi iile dB(GMAX)>10dB i (dB)FMIN<1.2dB. 6.3.Se ataeaz la intrarea i la ieirea tranzistorului circuitele de decuplare a polarizrii ,asemntoare cu cele de la Lucrarea 1 (pot fi copiate).

6.4.Se proiecteaz circuitele de adaptare la intrarea i la ieirea tranzistorului.Se utilizeaz op iunea Smith Tool. n fereastra "Display", se seteaz frecven a la valoarea frecven ei nominale. n zona "Circles", se selecteaz Avalaible Gain Ga(S-Plaine).Se completeaz n csu a "Stop" valoarea n dB citit la GMAX din partea de jos a ferestrei. Csu a "Start" se completeaz cu valoarea (GMAX1.5)dB iar pasul (Incr) se pune 0.5dB. Cercurile de ctig constant apar la comanda butonului "Apply. (Fig.1) Se selecteaz apoi Noise i n csu a "Start" se completeaz valoarea citit n dB la FMIN n partea de jos a ferestrei. Csu a Stop se completeaz cu valoarea (FMIN +0.3)dB iar "Incr" cu valoarea 0.1dB. La comanda butonului Aply, apar cercurile de zgomot constant. Se aleg dou cercuri tangente, unul de ctig constant, cellalt de zgomot constant, ca n figura 2, astfel ca s fie ndeplinite cerin ele specifica iei de proiectare. Dac cercurile nu sunt tangente, se ac ioneaz butonul Clear i se repet procedura, setnd valori uor modificate la

21

. Avalaible Gain Ga(S-Plaine) sau Noise. Dup dou-trei itera ii se ob ine rezultatul dorit. Punctul de tangen este coeficientul de reflexie S n planul generatorului. Mapping, unde se selecteaz Avalaible Gain Ga(SL) i se completeaz la Start valoarea care a fost setat i la Avalaible Gain Ga(S-Plaine).Apare un nou cerc i pe acesta un cursor care se deplaseaz sincron cu cursorul de pe cercul de ctig constant. Se face click n momentul cnd acesta din urm ajunge n punctual de tangen al cercului de ctig constant cu cercul de zgomot constant.Cele dou cursoare se opresc, marcnd valorile lui S , respectiv L . Coeficientul de reflexie al sarcinii L se ob ine fcnd apel la zona

Se bifeaz grila Admitance i se debifeaz grila Impedance.Se trece la modul Matching prin ac ionarea butonului respectiv.Se ac ioneaz butonul New Match apoi se marcheaz punctul care reprezint valoarea conjugat a lui S . Se selecteaz ca prim element de adaptare un tronson de linie serie. Apare un arc de cerc care arat direc ia de deplasare.Se pune cursorul pe captul arcului i se prelungete pn se intersecteaz cu cercul unitar g = 1. Se selecteaz apoi un tronson deriva ie de linie n gol i se prelungete arcul aprut pn n centrul diagramei. Se d comanda Export i circuitul de adaptare se transfer la schema amplificatorului. Se repet procedura i pentru circuitul de adaptare de la ieire. Dup exportul celor dou circuite de adaptare, se d comanda OK i se trece la inserarea n schema amplificatorului a celor dou circuite de adaptare, care apar ca dipor i, avnd grij ca poarta 1 a fiecrui circuit s se afle la transistor.

n vederea adaptrii, se ob ine valoarea conjugat, ac ionnd butonul Conjugate i apoi marcnd punctul S .

6.5.Se analizeaz i apoi se verific performan ele amplificatorului, vizualiznd graficele parametrilor S, al factorului de zgomot dB(NF) i al factorului de stabilitate dB(MU)

22

. 6.6.Se realizeaz o variant cu linii reale i elemente de circuit (rezistori,condensatori) din categoria comerciale (Vendor). Substratul se editeaz conform specifica iei. 6.7.Stabilitatea amplificatorului este asigurat,n afara domeniului de frecven e de lucru,de ctre circuitele de decuplare a polarizrii la poart i la dren.Ac ionnd ca un filtru oprete-band,circuitele unteaz intrarea i ieirea tranzistorului,la frecven e mult diferite de frecven a nominal,cu rezisten ele de valoare mic (1030) pe care le con in n structura lor.Dac amplificatorul nu este necondi ionat stabil n toat gama de frecven e,o mic ajustare a celor dou rezisten e poate rezolva problema. 7.ntrebri i exerci ii. 7.1.Care ar fi ctigul care s-ar putea ob ine de la amplificator dac s-ar impune condi ia ca factorul de zgomot s fie Fmin ? 7.2.Care ar fi factorul de zgomot care s-ar putea ob ine de la amplificator dac s-ar impune condi ia ca s se ob in ctigul maxim obtenabil? 8.Referin e bibliografice 1.George Lojewski Dispozitive i circuite de Microunde Ed.Tehnic Bucureti , 2005

23

LABORATOR C.M.C.

Lucrrile nr.3+4

COMUTATOARE CU DIODE PIN

1.No iuni teoretice 1.1.Dioda PIN Dioda PIN este o strctur semiconductoare format dintr-o regiune i (intrinsec ) cu o rezistivitate foarte mare , m rginit de dou regiuni puternic dopate , p respectiv n. R spunsul structurii este dependent de tensiunea de polarizare. n polarizare invers tensiune de polarizare nul sau negativ dioda PIN se comport ca un condensator. Regiunea central este complet golit de purt tori i n regiunile adiacente p i n apar sarcini spa iale egale i de semn opus. Circuitul echivalent al diodei polarizate invers este reprezentat n figura 1.

V pol

C 0,02 pF

Fig.1.Modelul diodei PIN polarizate invers. n polarizare direct , dioda PIN se comport ca o rezisten serie de valoare mic . Prin injec ie de goluri din regiunea p i de electroni din regiunea n , rezistivitatea regiunii centrale scade. Valoarea rezistivit ii variaz invers propor ional cu num rul de purt tori injecta i , adic invers propor ional cu intensitatea curentului de polarizare direct . Modificnd intensitatea curentului de polarizare , valoarea rezisten ei serie variaz ntre aproximativ 1 i 10 . Circuitul echivalent al diodei PIN polarizate direct este reprezentat n figura 2.

24

V pol R = 110 Fig.2.Modelul diodei PIN polarizate direct.

Diodele PIN sunt optimizate prin proiectare astfel nct , variind intensitatea curentului de polarizare direct , valoarea rezisten ei serie s varieze ntr-un domeniu relativ larg , linearitatea s fie bun , distorsiunile reduse iar intensitatea curentului de comand s fie mic . Diodele PIN sunt utilizate n comutatoare , atenuatoare , modulatoare , limitatoare , comutatoare de faz i alte circuite pentru controlul semnalului. 1.2.Comutatoare cu diode PIN Comutatoarele de microunde cu diode PIN se mpart, pe categorii, dup : clas , func ie i configura ia n care sunt montate diodele. 1.2.1.mp r ire dup clas n starea nchis , toate comutatoarele sunt adaptate , n sensul c la generator se conecteaz o sarcin care absoarbe putere. n starea deschis , n func ie de varianta constructiv , comutatorul absoarbe sau nu putere de la generator. Din acest punct de vedere, comutatoarele se mpart n comutatoare cu reflexie i comutatoare f r reflexie. Comutatoarele f r reflexie numite i comutatoare adaptate sunt astfel proiectate nct n starea deschis este conectat la intrare o termina ie care absoarbe puterea undei incidente. 1.2.2.Clasificare dup func ie Dup func ia realizat , comutatoarele se mpart n trei categorii: ntrerup toare , comutatoare cu n c i i comutatoare de traseu. Comutatoarele cu reflexie , n starea deschis, nu absorb putere. Intrarea fiind l sat n gol , unda incident este reflectat .

ntrerup torul (figura 3) este un comutator cu o intrare i o ieire. n starea nchis, ieirea este conectat la intrare factorul de transfer este aproape unitar iar n starea deschis, ieirea este izolat de intrare factorul de transfer este aproape nul.

25

. ieire 1
intrare ieire

intrare

ieire 2 ieire 3 ieire 4

Fig.3.ntrerup tor

Fig.4.Comutator cu 4 c i

Comutatorul cu n c i este un multiport cu o intrare i n ieiri.Cele n ieiri sunt izolate una fa de celelalte. La un moment dat , o singur ieire este conectat la intrare. n figura 4 este reprezentat un comutator cu 4 c i , care conecteaz la intrare ieirea 2, n timp ce ieirile 1 , 3 i 4 r mn izolate att fa de intrare ct i una fa de celelalte. 1A Comutatorul de traseu este un cuadriport care are dou st ri.n fiecare stare,por ile sunt conectate dou cte dou (figura 5). Por ile care sunt conectate ntr-o stare devin por i izolate n starea opus . n figura 5 este repre2B 2A zentat una din cele dou st ri ale unui comutator de traseu , n care , de exemplu , sarcina, simetric (fa de mas ) 2A 2B este conec1B tat la intrarea simetric 1A 1B. n starea Fig.5.Comutator de traseu opus , aceeai sarcin este conectat la intrarea comutatorului astfel nct faza semnalului se schimb cu 180. n acest exemplu , comutatorul de traseu se mai numete i comutator inversor de faz 1.2.3.Clasificarea dup configura ia diodelor Diodele din structura comutatorului se pot g si n una dintre urm toarele configura ii de baz : serie , deriva ie i serie deriva ie. Apreciera configura iei se face n raport cu intrarea i ieirea comutatorului.

26

. Configura ia serie presupune montarea diodei n serie cu intrarea i ieirea comutatorului.n starea nchis, ieirea comutatorului este conectat la intrare prin rezisten a serie de valoare redus a structurii polarizate direct. n starea deschis,ieirea comutatorului este izolat de intrare prin capacitatea serie a structurii polarizate invers.Specific pentru polarizarea serie este sc derea izola iei cu creterea frecven ei. Uzual valoarea minim a izola iei se atinge pentru cap tul superior al benzii de frecven .n figura 6 sunt ilustrate variante de comutatoare cu dioda montat n configura ia serie.
VC L 1 intrare L 2 ieire 1 intrare L VC L L 2 ieire

/4

Z0

Z0

a)ntrerup tor VC1 intrare 1 VC 2 VC1 L

b)ntrerup tor adaptat 1 L L L L VC 2

2 ieire 2 ieire 3 ieire

3 ieire

Z0

Z0

c)comutator cu reflexie cu 2 ci 1 1

d)comutator adaptat cu dou c i

2 Figura 6. Comutatoare cu diode montate n configura ia serie

L VC1

L 3 VC 2 e)comutator de traseu

27

. n configura ia deriva ie , dioda este montat n paralel cu ieirea comutatorului. n starea nchis, dioda este polarizat invers iar n starea deschis ieirea este conectat la mas prin rezisten a serie a structurii polarizate direct. Caracteristic pentru configura ia deriva ie este creterea pierderilor de inser ie cu creterea frecven ei. n figura 7 sunt prezentate variante de comutatoare cu diode montate n configura ia deriva ie. Prezen a n structura comutatoarelor a tronsoanelor de linie de lungime /4 reduce banda comutatorului la aproximativ o octav .

VC /4 1 1 2

VC VC1 VC 2 L /4 2 2 Z0 L L Z0 L C C /4 1 /4 L 3

a)ntrerup tor

b)ntrerup tor adaptat

c)comutator cu reflexie cu 2 c i

VC1 1 L C 2 /4 L /4 C /4 L

VC 2 VC 2 /4 L 1 /4 /4 C C /4 /4 4 L e)comutator de traseu L

VC1 2 /4 C C /4 /4 3 VC 2 /4

Z0

Z0

d)comutator adaptat cu dou c i

VC1

Figura 7.Comutatoare cu diode montate n configura ia deriva ie.

28

. Configura ia serie deriva ie este configura ia cea mai des folosit n structura comutatoarelor , combinnd avantajele configura iilor serie i deriva ie. O diod este montat n serie cu intrarea i ieirea comutatorului iar cealalt n deriva ie la ieire (figura 8 a).
VC L 1 intrare L L 2 ieire Z0 L intrare 1 /4 L L Z0 L /4 VC ieire 2

a)ntrerup tor VC1 L 2 L 1 L 3 2 VC 2

b)ntrerup tor adaptat VC1 /4 L L Z0 L L Z0 1 L VC 2 /4

c)comutator cu reflexie cu dou c i d)comutator adaptat cu dou c i 1 VC1 L 2

L
L VC 2 L

L
L VC 2 L e)comutator de traseu

4 VC1

Figura 8.Comutatoare cu diode montate n configura ie serie-deriva ie

29

. n starea nchis, dioda serie este polarizat direct iar cea deriva ie invers.n starea deschis,ieirea este conectat la mas prin rezisten a serie a diodei deriva ie, polarizat direct i izolat de intrare prin capacitatea diodei serie , polarizat invers. n figura 8 sunt reprezentate comutatoare de diverse tipuri , cu diodele montate n cofigura ia serie deriva ie. Configura ia serie deriva ie asigur izola ii de valori mari ntr-o band larg de frecven . Este configura ia cu cele mai bune performan e pentru acelai num r de diode folosite. 1.3.Parametrii comutatorului Performan ele comutatoarelor cu diode PIN sunt descrise printr-un set de parametri. Dintre acetia , fundamentali sunt: izola ia , pierderea de inser ie i izola ia normat la pierderea de inser ie , numit i raport nchis deschis. 1.3.1.Izola ia Conceptual, izola ia este o m sur a eficacit ii comutatorului n starea deschis sau o m sur a scurgerii semnalului de RF de la intrare la ieire. Este un parametru fundamental deoarece num rul minim de diode necesare n structura comutatorului depinde de valoarea impus izola iei. n cazul configura iei deriva ie, izola ia crete cu sc derea valorii rezisten ei serie a diodei n conduc ie , n timp ce n cazul configura iei serie , cu sc derea valorii capacit ii diodei n blocare. Izola ia se definete ca fiind egal cu raportul dintre puterea disponibil de la generator i puterea furnizat sarcinii cu comutatorul n starea deschis. Se m soar ca o atenuare de inser ie. Exprimat n dB , se calculeaz ca diferen a ntre puterea disponibil de la generator (puterea incident la intrarea comutatorului) i puterea transmis la ieire cu comutatorul n starea deschis: Izola ia [dB] = Pin [dBm] Pout _ deschis [dBm] n func ie de parametrii de reparti ie , ea este egal cu: (1)

30

. Izola ia = S 21 com _ deschis 1.3.2.Pierderea de inser ie

2

(2)

Pierderea de inser ie , numit i atenuare de inser ie sau atenuare de transmisie reprezint pierderea de semnal atribuit diodei , cnd comutatorul este n starea nchis (starea de transmisie). n cazul configura iei deriva ie, pierderea de inser ie scade cu sc derea valorii capacit ii n starea de blocare,n timp ce n cazul configura iei serie,cu sc derea valorii rezisten ei serie a diodei n conduc ie. Pierderea de inser ie se definete i se m soar la fel ca i izola ia , cu deosebirea c de aceast dat comutatorul este n starea nchis. Exprimat n dB , ea este egal cu: Inser ia[dB] = Pin [dBm] Pout _ inchis [dBm] sau , n func ie de parametrii de reparti ie: Inser ia= S 21 com _ inchis
2

(3)

(4)

Pierderea de inser ie introdus de comutator reprezint adesea parametrul cel mai critic n proiectarea sistemelor deoarece n anumite cazuri aceste pierderi sunt legate de factorul de zgomot al sistemului. 1.3.3.Raportul nchis/deschis Deoarece , indiferent de starea comutatorului (nchis sau deschis) pierderile de semnal sunt nenule , n unele cazuri este mai util caracterizarea comutatorului prin valoarea izola iei raportat la pierderea de inser ie.Aceast valoare normat a izola iei este numit raport nchis/deschis (RID). RID exprimat n dB este egal cu diferen a ntre puterea semnalului m surat la ieirea comutatorului n starea nchis i cea m surat n starea deschis. Este uor de observat c RID , n dB , este egal cu diferen a ntre izola ie i pierderea de inser ie: RID[dB ] = Pout _ inchis [dBm] Pout _ deschis [dBm] =
= ( Pin [dBm] Insertia[dB ]) Pout _ deschis [dBm] =
= ( Pin [dBm] Pout _ deschis [dBm]) Insertia[dB ] = (5)

31

. = Izola ia[dB] Inser ia[dB] n func ie de parametrii de reparti ie , RID poate fi scris sub forma: RID[dB ] = S 21 com _ deschis [dB ] S21 com _ inchis [dB ]
2 2

(6)

2.Desf urarea lucr rii 2.1.n programul ANSOFT DESIGNER SV , se transfer din baza de date n fereastra Project Manager , componentele necesare proiect rii comutatoarelor (meniul Tools op iunea Configure Design Libraries). Aceste componente sunt: diode din categoria S Parameter Data , inductoare i condensatoare din categoria Vendor (comerciale). 2.2.Se editeaz schema ntreruptorului cu dioda serie (fig.6 a). Se utilizeaz folderul Agilent Diode 2 port. Acest folder cuprinde mai multe tipuri de diode PIN , fiecare tip avnd ataate fiiere cu parametrii S n func ie de frecven i de condi iile de polarizare n curent continuu (format Touchstone).

Pentru dioda HP4018 , de exemplu , se va alege modelul HP4018iC pentru polarizare direct i modelul HP4018VC pentru polarizare n sensul de blocare. Inductorul L se alege din categoria Vendor , astfel nct frecven a proprie de rezonan s fie n mijlocul domeniului de frecven (circa 8GHz) , de exemplu modelul AVX 3,9 nH. Condensatoarele C se aleg de asemenea din categoria Vendor, de exemplu AVX - 30pF.

2.3.Se seteaz dioda n conduc ie (prin alegerea modelului) i se analizeaz atenuarea de inser ie dB ( S 21 )ON i puterea reflectat la poarta 2
seteaz apoi dioda n stare de blocare i se repet analiza , msurnd izola ia dB ( S21 )OFF i puterea reflectat la poarta 2 dB ( S22 )OFF . Pentru a se memora graficele comutatorului corespunz toare celor dou st ri , se utilizeaz comanda Clik dreapta pe grafic Accumulate. dB ( S22 )ON n domeniul de frecven 118 GHz cu un pas de 0,1 GHz.Se

32

. Se completeaz rubricile corespunz toare din tabelul T2 ,cu excep ia coloanelor 3 i 4, care se completeaz la sfrit (P.2.8)

2.4.Se editeaz i se analizeaz schemele ntrerup toarelor cu dioda n configura ia deriva ie (figura 7a) i n configura ia serie deriva ie (figura 8a). 2.5.Se editeaz schemele ntrerup toarelor adaptate , n cele trei configura ii (figurile 6b,7b i 8b).Tronsoanele de linie vor avea impedan a caracteristic Z 0 = 50 i lungimea /4 la frecven a de 8 GHz , pentru toate schemele analizate n aceast lucrare. Se utilizeaz linii de tipul Transmission Line Electrical Length din categoria Ideal Distributed. Se vizualizeaz izola ia i puterea reflectat la poarta 2 dB ( S22 )OFF (n pozi ia deschis) i
atenuarea de inser ie i puterea reflectat la poarta 2 dB ( S22 )ON (n pozi ia nchis) , n domeniul de frecven 118 GHz.

2.6.Se editeaz schemele comutatoarelor cu reflexie (figurile 6c , 7c i 8c) i se seteaz polarizarea diodelor astfel ca intrarea 1 s fie conectat la ieirea 2 iar ieirea 3 s fie izolat .Se analizeaz o singur dat fiecare schem , n domeniul de frecven 118 GHz , vizualiznd simultan izola ia dB( S31 ) i
conectat dB ( S22 )ON = dB( S 22 ) i pentru poarta izolat , dB ( S22 )OFF = dB( S33 ) . Se completeaz rubricile corespunz toare din tabelul T2.

inser ia dB( S 21 ) precum i puterea reflectat la intrare pentru poarta

poarta 1) S 22 i la poarta 4 (izolat fa de poarta 1) S 44 .

2.8.Se editeaz schemele comutatoarelor de traseu (figurile 6e , 7e i 8e) setndu-se polarizarea diodelor astfel ca poarta 1 s fie conectat cu poarta 2 iar poarta 3 cu poarta 4.Se analizeaz o singur dat fiecare schem , n acelai domeniu de frecven (118 GHz) , vizualiznd simultan izola ia ( S14 ) i inser ia ( S12 ),precum i puterea reflectat la poarta 2(conectat la

2.7.Se repet opera iunile de la punctul 2.6 , pentru comutatoarele adaptate (schemele din figurile 6d , 7d i 8d).

33

. Dup completarea Tabelului 2 cu valorile numerice ob inute din grafice, se trec n coloanele 3 i 4 , n locul valorilor numerice , descriptorii defini i n tabelul T1.

3.ntreb ri
1) S se explice , pentru cele trei configura ii ale comutatoarelor adaptate , cauzele care determin degradarea izola iei i/sau a atenu rii de inser ie n raport cu frecven a.

2) S se explice rolul tronsoanelor de linie de lungime /4 din structura comutatoarelor adaptate din fig.7d i fig.8d.

Bibliografie 1. G.Lojewski
Dispozitive i circuite de microunde Ed.Tehnic Bucureti 2005

2. G.Lojewski , R.Cacoveanu Metode i aparate de m sur n microunde

Ed.Electronica 2000 , Bucureti 2004

Tabelul T1 Parametru Atenuare de inser ie < 0,5 dB 0,5dB 1dB 1dB3dB

Descriptor
Mic Medie Mare

Izola ie 20dB30dB 30dB45dB > 45dB

34

Tabelul T2
Func ie Configura ie Izola ie (Iz) mare/ mic Inser ie (In) mare/ mic Banda* F1F2 [GHz] Iz dB ntrerup tor cu reflexie SERIE DERIV SER-DER ntrerup tor f r reflexie SERIE DERIV SER-DER Comutator cu reflexie SERIE DERIV SER-DER Comutator f r reflexie SERIE DERIV SER-DER Comutator de traseu SERIE DERIV SER-DER f = 4GHz In dB |S22| ON [dB] OFF Iz dB f = 8GHz In dB |S22| ON [dB] OFF Iz dB f = 12GHz In dB |S22| ON [dB] OFF

LABORATOR C.M.C.

Lucrarea nr.5

DISPOZITIVE NERECIPROCE CU FERIT (1)

1.No iuni teoretice 1.1.Izolatorul este un diport care permite trecerea semnalului doar ntr-un sens (figura 1)
0 0 (1)
j

1
a) simbol

[S] =

e 0 b) matricea reparti ie a izolatorului ideal

Fig.1.Izolatorul n varianta ideal , izolatorul este perfect adaptat , atenuarea ntre por i n sensul permis (ar tat de s geat ) este nul iar atenuarea n sensul opus este infinit . 1.2.Circulatorul cu trei por i , simetric , este un dispozitiv care permite circula ia semnalului ntre por i numai ntr-un anumit sens , de exemplu n sensul 1231 (figura 2) 1 0 0 e j [S] = e j 0 0 (2)
0 3 a) simbol 2 b) matricea reparti ie a circulatorului ideal

e j

Fig.2.Circulatorul cu trei por i

36

Circulatorul ideal este perfect adaptat , atenuarea de inser ie este nul iar izola ia este infinit . Realiz rile practice ale celor dou dispozitive au o atenuare de inser ie (n sensul permis) de 0,10,5 dB i o atenuare de izola ie de ordinul 2030 dB [1]. Adaptarea la por i nu este perfect , o valoare tipic pentru atenuarea undei reflectate este 30 dB .Banda relativ de frecven este de 2030 %.

Aplica ie. Modulator de faz cu reflexie. Circulatorul este utilizat pentru separarea undei incidente (purt toarea nemodulat ) i a undei reflectate (semnalul modulat).Reflexia este realizat de o re ea reactiv , care cuprinde o diod varactor de acord , polarizat invers de c tre semnalul de modula ie U (figura 3a).

LS U CB

Cj

rS

/4

CB Cp D

a) Schema modulatorului de faz cu reflexie

b) Circuitul echivalent al diodei

Fig.3. Prin modificarea tensiunii de polarizare a diodei , se modific capacitatea ei echivalent i n consecin i reactan a re elei conectate la poarta 2 a circulatorului.
Circuitul echivalent al diodei este cel din figura 3b.

37

Capacitatea Cj a jonc iunii polarizate invers (capacitatea de barier )este dat de rela ia:

U C j = C0 1 UB
unde

(3)

este un coeficient care depinde de profilul diodei Circuitul echivalent mai cuprinde rezisten a substratului rS i capacitatea
capsulei C p . Inductorul Ls se determin din condi ia ca la frecven a de lucru f 0 s se realizeze echivalent Um . rezonan a Cm a varactorului polarizat cu tensiunea de polarizare medie circuitului serie format din LS i capacitatea

Co este capacitatea diodei la U = 0 V U este tensiunea de polarizare U B este tensiunea de barier

LS =

1 Cm
2 0

Cm = 2

Ct (0) Ct (25) Ct (0) + Ct (25)

(4)

unde Ct (0) i Ct (25) reprezint capacitatea total (capacitatea jonc iunii + capacitatea capsulei) la tensiunea de 0 V , respectiv 25 V. Semnalul modulator se aplic diodei prin filtrul de polarizare format din tronsonul de linie de lungime /4 , de impedan caracteristic ct mai mare (limitat de tehnologia aleas ) i din condensatorul de decuplare C B .Valoarea acestuia nu trebuie s fie exagerat de mare pentru a nu limita banda de frecven a semnalului de modula ie. Dac modulatorul nu este bine adaptat la ieire , unda reflectat ajunge la poarta de intrare (pentru circulator sensul poarta 3 poarta 1 este permis) i n acest fel , o parte din semnalul modulat de la ieire poate interfera cu semnalul nemodulat de la intrare , ceea ce produce distorsiuni .Acest dezavantaj poate fi nl turat prin montarea la intrare i la ieire a unor

38

izolatoare formate din circulatoare avnd por ile 3 i 3 terminate adaptat (figura 4) 1 2 1 3 R = Z0 2 1 3 3 R = Z0 . 2

Fig.4.Adaptarea por ilor modulatorului prin montarea unor izocirculatoare.

Sarcinile R = Z 0 au rolul de a absorbi reflexiile de neadaptare , care altfel ar afecta performan ele modulatorului.Izolatoarele realizate n acest fel se mai numesc i izocirculatoare i se justific prin standardizarea componentelor de microunde.

2.Desf urarea lucr rii.

2.1.Se proiecteaz un modulator de faz cu reflexie, avnd urmtoarea specifica ie: Frecven a de lucru : f0 = 6GHz
Devia ia maxim de faz: Impedan a de intrare i de ieire: Z 0 =50

max = 90
.

Circulatorul se alege din biblioteca programului ANSOFT DESIGNER SV (modelul fizic din categoria de componente de microunde ideale , la care se va seta atenuarea de inser ie de 0,5 dB, izola ia ntre por i ,n sensul interzis, de 25 dB, atenuarea undei reflectate la por i de 25 dB).Se accept fazele parametrilor S propuse de model. Dioda varactor este de tipul MA 45064 ,avnd urmtorii parametri: C0 = 1,55 pF U B = 0,7 V C p = 0,15 pF = 1,68
rS = 1,6 U max = -25 V

39

. Se calculeaz (rela ia 3) capacitatea C j a varactorului pentru cteva valori

ale tensiunii de polarizare.Rezultatele se trec n tabelul 1. Tabelul 1 U[V] 0 -4 -8 -12 -16 -25 C[pF] ang(S21)

2.2.Se editeaz schema de principiu (figura 3a) ,unde se nlocuiete dioda cu circuitul su echivalent (figura 3b).Tronsonul de linie este din categoria de componente "ideal distribuite" i are impedan a caracteristic Z C = 130 .
Inductorul LS se calculeaz conform indica iilor de la pagina 2, pe care le relum: Condensatoarele au valoarea C B =100pF (elemente concentrate).

LS =

1 Cm
2 0

Cm = 2

Ct (0) Ct (25) Ct (0) + Ct (25)

(4)

unde Ct (0) i Ct (-25) reprezint capacitatea total (capacitatea jonc iunii +capacitatea parazit) la tensiunea de 0V , respectiv -25V. Inductorul LS este din categoria "elemente concentrate" Se nlocuiesc pe rnd valorile C j din tabelul 1 n schem i se analizeaz

la frecven a de lucru (se seteaz analiza la o singur frecven ). Se vizualizeaz coeficientul de transmisie S 21 n coordonate polare , utiliznd op iunea "Accumulate". Se ob ine o "constela ie" de modula ie , adic o mul ime de valori ale parametrului S 21 pentru valorile discrete ale tensiunii de polarizare a

varactorului. Fazele se trec n tabel.Se vizualizeaz coeficientul de transfer invers S12 , pentru U = - 4 V

2.3.Se completeaz schema cu izocirculatoare (figura 4 , R = 50 ) i se determin coeficientul S12 . Se compar cu valoarea ob inut la schema precedent.

40

3. ntrebri i exerci ii 3.1.Raportul de und sta ionar al unei sarcini neadaptate are valoarea = 3. Pentru mbunt irea adaptrii , se monteaz un izolator avnd atenuarea de inser ie (n sensul permis) de 0,5 dB , atenuarea de izola ie (n sensul interzis) de 25 dB. Atenuarea undei reflectate la por ile izolatorului este foarte mare ( S11 = S22 0 ) . Care va fi valoarea lui la intrarea
izolatorului? 3.2.Un circulator cu trei por i , avnd parametrii modelului de la pct.2.1 ,este utilizat ca izolator, prin montarea unei rezisten e R la poarta 3 (figura 8). Rezisten a R asigur un raport de und sta ionar = 1,05. S se calculeze atenuarea de izola ie minim a dispozitivului astfel ob inut.

Fig.8. Izocirculator

41

LABORATOR C.M.C.

Lucrarea nr.6

DISPOZITIVE NERECIPROCE CU FERIT (2)

1.No iuni teoretice Filtrul YIG (Yttrium Iron Garnet) este compus dintr-un rezonator sferic de ferit cuplat cu dou spire ortogonale , conectate la intrarea i respectiv la ieirea sistemului [2]. Dac nu este aplicat niciun cmp magnetic continuu , intrarea i ieirea filtrului sunt decuplate ntre ele. n prezen a cmpului magnetic continuu H 0 , apare un cuplaj care este mai puternic n vecin tatea frecven ei de
girorezonan . Frecven a de rezonan poate fi controlat de intensitatea cmpului magnetic aplicat (se utilizeaz un electromagnet) deci filtrul poate fi acordat prin comand n curent continuu (figura 1) H0 1 4

SFERA YIG

Fig.1.Filtru YIG

42

Frecven a de rezonan proprie a sferei YIG este direct propor ional cu intensitatea cmpului magnetic continuu de polarizare a feritei H 0 : f 0 [MHz]=2,801 H 0 [Oersted] Schema echivalent a filtrului YIG este prezentat n figura 2. La La (1)

C I Z0 R L Z0

Fig.2.Schema echivalent a filtrului YIG

R , C , L sunt elementele circuitului deriva ie echivalent rezonatorului , La este inductan a spirelor de cuplaj. Se definesc: Factorul de calitate propriu al rezonatorului Factorul de calitate extern QE = Z 0 2 0 L

Q0 = R 0 L

(2) (3)

Factorul de calitate n sarcin

1 1 1 1 = + QS Q0 QE 1 + ( 0 La Z 0 )2

(4)

Valoarea maxim a coeficientului de transfer S 21 max este:

S 21 max =

Q0 QS Q0

(5)

Valoarea maxim pe curba de rezonan se ob ine la o frecven pu in diferit de frecven a f 0 :

43

.
0 La Z 0 1 f 0' = f 0 1 + 2QE 1 + ( L Z ) 2 0 a 0 Factorul de calitate n sarcin se determin cu rela ia:

(6)

QS =

f0 B3dB

(7)

care se msoar pe curba de rezonan (graficul parametrului dB( S 21 ) n coordonate rectangulare) Factorul de calitate n gol se ob ine din rela ia (9) : Q0 = QS 1 S 21 max (8)

unde f 0 este frecven a de rezonan iar B3dB este banda de trecere la 3dB ,

unde S 21 max este modulul valorii maxime a coeficientului de transfer , care se poate determina din reprezentarea pe diagrama Smith (figura 3) .

Fig.3.Reprezentarea pe diagrama Smith a parametrilor S11 i S 21

Punctul de tangen al hodografului parametrului S11 cu cercul limit (punctulA) corespunde unei reactan e normate dat de rela ia:

44

xLa =

La Z0

(9)

din care se poate calcula Inductan a La a spirelor de cuplaj. 2.Desfurarea lucrrii.

2.1.Se proiecteaz un filtru cu rezonator YIG. Datele de proiectare: Frecven a minim de acord: f01 =1 GHz;
Frecven a maxim de acord: f02 =10 GHz; Impedan a sistemului: Z 0 =50 Atenuarea de inser ie: Ai < 6 dB Se utilizeaz "YIG Sphere model" (modelul fizic) din categoria componentelor ideale de microunde , la care se completeaz urmtoarele dimensiuni: diametrul sferei DS = 0,15 mm diametrul spirei A DLA = 0,5 mm diametrul conductorului A DWA = 0,1 mm diametrul spirei B DLB = 0,5 mm diametrul conductorului B DWB = 0,1 mm unghiul spirei A AA = 270 unghiul spirei A AB = 270 unghiul dintre spira A i spira B AAB = 90 .

Se accept ceilal i parametrii propui de model , care se refer la propriet ile materialului (lrgimea liniei de rezonan H ,magnetiza ia de satura ie MSAT, etc.) H 0 [Oersted] = 0,357 f 0 [MHz] (10)

completeaz modelul cu valoarea ob inut. Schema electric va cuprinde modelul sferei YIG (figura 1) , la care se adaug dou por i la terminalele 1 i 2.

Se calculeaz , utiliznd rela ia (10), intensitatea cmpului magnetic de polarizare H 0 corespunztor frecven ei minime de acord f 01 i se

45

2.2. Se analizeaz ca diport , ntr-un domeniu de frecven de 10% centrat pe frecven a f 01 .Se vizualizeaz graficul parametrilor S11 i S 21 n modul
(dB). Se msoar, pe grafic , banda de trecere QS .(rela ia 7) B3dB i se calculeaz

Smith (figura 3). Se determin S 21 max . Se calculeaz apoi Q0 (rela ia 8).

Se vizualizeaz , de asemenea , graficul parametrilor S11 i S 21 pe diagrama Din graficul de pe diagrama Smith al parametrului S11 se ob ine

se determin elementele schemei echivalente a filtrului YIG , adic L , C , R i La repet opera iile de la pct.2.2 i se determin elementele schemei echivalente la frecven a f 02 .

valoarea La Z 0 (figura 3 , punctul A) i , utiliznd rela iile (2) ,(3) i (4) ,

2.3.Se determin valoarea H 0 pentru acordul filtrului pe frecven a f 02 .Se

Not. n cazul cnd atenuarea de inser ie nu se ncadreaz n specifica ie ,se ajusteaz cuplajul prin modificarea diametrului sferei sau al spirelor de cuplaj. 3.ntrebri i exerci ii

3.1.Depinde factorul de calitate propriu Q0 al rezonatorului cu sfer YIG de cuplajul lui cu generatorul i cu sarcina ? Dar de intensitatea cmpului magnetic de polarizare H 0 ? 4.Bibliografie 1. G.Lojewski
Dispozitive i circuite de microunde Ed.Tehnic Bucureti 2005

2. G.Lojewski , R.Cacoveanu Metode i aparate de m sur n microunde

Ed.Electronica 2000 , Bucureti 2004

46

header