La densidad del hierro b.c.c.

es de 7900 Kgm
-3
y su peso atmico 56. Calcular el lado
de la celda unidad cbica y el espaciado interatmico. [Sol.: (a) 2.87 (b) 2.48 ]
Problema 1 Tema 3
Apdo.(a)

= 7900 Kg m
-3
; A = 56.
Cada celda bcc aporta 2 tomos
N
bcc
a
3
=V (N
bcc
= n de celdas bcc)

Apdo.(b)



El sodio, Na, cristaliza en forma de una red cbica centrada en el centro siendo la
distancia entre dos tomos vecinos d=3.71 . Calcular su energa de Fermi. [Sol.: E
F
=
3.15 eV]



[puesto que m se pone en Kg h se debe poner en el S.I.]

Una muestra de de Germanio, Ge, tiene una constante de Hall, R
H
, de 7.5 10
3
m
-3
/C y
una resistividad de 10
-1O
m. Determinar: (a) el tipo de portadores; (b) la movilidad; y (c)
la concentracin. [Sol.: (a) electrones; (b) =0.075 m
2
/Vs; (c) n = 8.32 10
20
m
-3
]
Apdo.(a)
El signo de R
H
determinaba el tipo de portadores electrones. R
H
= 1/(nq)
Apdo.(b)

Apdo.(c)
n= 1/(qR
H
) = 8,33 10
20
m
-3


En un experimento de efecto Hall, una tira rectangular de Au de 1mm de grosor
transporta una corriente de 20 A. Para un campo magntico B = 1.27T, se encuentra que
la tensin de Hall vale V
H
=2.6 V. (a) Cul es la concentracin de electrones libres?;
(b) Comprese este resultado con la respuesta obtenida considerando que el oro es
monovalente con un peso molecular de 197 g/mol y una densidad = 19.3 gcm
-3
. [Sol.:
(a) 5.77 10
28
m
-3
; (b) 5.9 10
28
m
-3
]
Apdo. (a)


Apdo. (b)
n
e
=n [oro monovalente]


Calcular (a): la densidad de electrones libres en el cobre si el peso atmico vale 63.5
g/mol y su densidad 8950 Kgm
-3
, suponiendo que hay un electrn por tomo; (b): su
energa de Fermi [Sol.: (a) n = 8.48 10
28
m
-3
; (b) E
F
=7.03 eV]
Apdo.(a)

Apdo.(b)


En qu intervalo de energa, expresado en unidades de k
B
T, la funcin de distribucin
de Fermi-Dirac cambia de valor 0.90 a 0.10? [Sol.: 4.4k
B
T ]


Estimar la fraccin de electrones libre en el cobre que estn excitados a temperatura
ambiente. E
F
(Cu)=6.95 eV. [Sol.: 1%]



A una temperatura de 300 K (E
F
= 5.1eV), cul es la probabilidad de que un estado
est ocupado para energas de 5 y 6 eV?. A qu temperatura la probabilidad de
ocupacin del estado de energa E= 5.2eV es de 0.1? [Sol.: 0.979, 7.08 10
-16
, 528 K]


Sabiendo que la energa de Fermi para el cobre es de 7.0 eV, determnese a 1000K: (a)
la energa a la que la probabilidad, f
F
(E), del estado que ocupar un electrn de
conduccin sea de 0.9; (b) la funcin distribucin de estados o densidad de estados,
g(E), por unidad de volumen; y (c) la funcin de distribucin de partculas
dn(E)=g(E)f
F
(E). [Sol.: (a) 6.81 eV; (b y c) 1.79 10
28
m
-3
eV
-1
; 1.60 10
28
m
-3
eV
-1
]
Problema 9 Tema 3

Apdo.(a)


Apdo.(b)


Un cubo muy pequeo de Cu tiene 0.1mm de lado. Cuntos electrones de conduccin
contiene que posean energas comprendidas entre 5 y 5.025 eV? [Sol.: 3.810
14

electrones]
L = 10
-4
m


El magnesio es un metal bivalente con un peso atmico de 24.32 g/mol y una densidad
de 1.74 g/cm
-3
. (a) Cul es la densidad de electrones libres?; (b) Cul es la energa de
Fermi?; y (c) Cul es la longitud de onda de De Broglie de los electrones en el nivel de
energa de Fermi?. Sol. [(a) 8.4 10
28
m
-3
; (b) 7.07 eV; (c) 4.62 ]

Los niveles energticos electrnicos en un pozo infinito de potencial tridimensional
estn dados por la expresin: Encontrar las diferencias
fraccionales, , en la energa entre los pares de
estados dados por: (a) E(1,1,1) y E(1,1,2); (b) E(10,10,10) y E(9,10,11); y (c)
E(100,100,100) y E(99,100,101). (d) Qu conclusin puede ser deducida de estos
resultados? Sol: [(a); (b); (c) y (d)]
k
B
= 1.38 10
-23
JK
-1
= 8.63 10
-5
eVK
-1
; h = 6.6 10
-34
Js = 4.1 10
-15
eVs; m
e
= 9.1 10
-31

Kg.

Apdo.(b)

Apdo.(c)

Cada vez hay menos diferencia relativa, los estados estn ms juntos.
Semiconductores intrnsecos y extrinsecos

La energa de la banda prohibida del germanio puro es E
g
= 0.67 eV. (a) Calcular el
nmero de electrones por unidad de volumen en la banda de conduccin a 250 K, 300
K, y a 350 K. (b) Hacer lo mismo para el silicio suponiendo que E
g
= 1.1 eV. La masa
efectiva de los electrones y huecos son en el germanio es 0.12 m
e
y 0.23 m
e
, y en el
silicio 0.31 m
e
y 0.38 m
e
, donde m
e
= 9.1 10
31

Kg es la masa de electrn libre. Solucin.
Apdos. (a) y (b)

T
(k)
Germanio (m
-3
) Silicio (m
-3
)
N
C
N
V
N N
C
N
V
n
25
0
0,79 10
2
4

2,1 10
2
4

0,023 10
1
9

3,29 10
2
4

4,4 10
2
4

0,03 10
1
6

30
0
1,04 10
2
4

2,8 10
2
4

0,40 10
19
4,33 10
2
4

5,9 10
2
4

0,29 10
1
6

35
0
1,31 10
2
4

3,5 10
2
4

3,24 10
19
5,5 10
24
7,4 10
2
4

7,7 10
16


Supngase que la masa efectiva de los huecos en un material es 4 veces la de los
electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estar un 10% por encima del punto
medio de la banda prohibida. Sea E
g
= 1 eV. Sol: [557,6 K]


La banda de energa en el germanio es 0.67 eV. Las masa efectivas de electrones y
huecos son 0.12 m
e
y 0.23 m
e
, respectivamente, donde m
e
es la masa del electrn libre.
Calcular (a) la energa de Fermi, (b) la densidad de electrones en la banda de
conduccin, (c) la densidad de huecos en la banda de valencia, a T = 300 K. Sol. [(a)
E
F
=0,3476 eV; (b) n = 4,0510
18
m
-3
(c) p = 4,5 10
18
m
-3
]
Apdo. (a)

Apdo. (b) y (c)


Los valores de la conductividad del germanio puro a las temperaturas en K: (300, 350,
400, 450, 500) son respectivamente en O
-1
m
-1
: (2,13,52,153,362). a) Hacer una grfica
de ln o frente a 1/T. b) Determinar E
g
para el germanio. Sol. [(a) Grfica; (b) E
g
= 0,67 eV]
Apdo.(a)
ln o = [0,693; 2,56; 3,95; 5,03; 5,89]
1/T = [0,0033; 0,0029; 0,0025; 0,0022; 0,0020]

Sale una recta.

Apdo.(b)


Suponer que la energa de Fermi de un semiconductor intrnseco est en mitad de su
banda de energa prohibida y que la anchura de sta es grande en comparacin con kT.
Demostrar que la probabilidad de ocupacin de un estado de energa E est dada
aproximadamente por (a) para un electrn en la banda de conduccin
y (b) para un hueco en la banda de valencia.
El Ge es un semiconductor con una banda prohibida (BP), E
g
= 0.7eV. Dentro de esta
BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a la BV estos
niveles estn a 0.01 eV para el Al y 0.69 para el P. Cul de estas impurezas acta
como donadora y cul como aceptora?. Razona la respuesta. Sol. [(a) El Al aceptora; (b)
razonamiento]

Apdo.(a)
El Al, al estar ms cerca de la banda de valencia (BV), acta como impureza aceptora.
Pueden pasar fcilmente e
-
de la BV al nivel de la energa aceptora, E
A
. Por tanto el Al es
aceptor.
Apdo.(b)
El P acta como impureza donadora ya que el nivel energtico: 0,6 est muy prximo a la
BC: E
C
y es fcil hacer pasar e
-
del nivel E
D
al E
C
, tan slo se requieren 0,01eV.

Se utiliza como resistencia de una zona de un circuito integrado una barra de silicio tipo
N de 2 mm de longitud y de 2.5 10
-5
m
2
de seccin. Sabiendo que la concentracin de
tomos donadores es N
D
= 5 10
13
cm
-3
y que la movilidad de electrones es
n
= 1500
cm
2
/Vs, determinar su resistencia a 300 K demostrando que la contribucin de huecos
es despreciable a la conductividad. Datos:
p
= 475 cm
2
/Vs; n
i
= 1.45 10
16
m
-3
. Sol.
[R=66,67 O ]


A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm
2
de seccin se le aplica una d.d.p. de 10
V entre sus extremos. Conociendo como datos la concentracin intrnseca de
portadores, n
i
= 2.36 10
19
m
3
, que
n
(300K) = 0.39m
2
/Vs y que
p
(300K) = 0.182
m
2
/Vs, determinar: (a) la resistividad del Ge; (b) la resistencia de la barra; (c) la
velocidad de arrastre de electrones y huecos; y (d) la corriente que circula por la barra.
Sol. [(a) =1/o =0,462 O m; (b) R= 231,2 O ; (c) v
n
= 39 m/s, v
p
= 18 m/s; (d) I=43mA]
n = p = n
i
que es un semiconductor intrnseco.
Apdo.(a)

Apdo.(b)

Apdo.(c)

Apdo. (d)


Las bandas prohibidas para el Si y el Ge son respectivamente 1.1 eV y 0.7 eV. Calcular
la frecuencia mnima que debe tener una radiacin electromagntica para poder
producir conductividad en estos semiconductores. Sol. [v
Si
= 2,66 10
14
Hz, v
Ge
= 1,69 10
14

Hz]


Cuando un fotn de energa E >>E
g
penetra en un semiconductor produce pares
electrn hueco (e/h), esto es, se excitan electrones desde el borde de la BV hasta el
fondo de la BC. Un cristal de Ge (E
g
= 0.67 eV) se usa como detector de rayos
(fotones de alta energa). Determinar: (a) cul es el nmero mximo de pares e/h que
puede producir una radiacin de 1.5 MeV?; (b) si la resolucin del detector es de
4 10
3
pares e/h, cul es la resolucin de la energa ptima del detector? Sol. [(a)
2,38 10
6
pares; (b) 2,6810
3
eV]
Apdo. (a)

Apdo. (b)


La luz visible del espectro est compuesta por fotones con energas entre 1.8 y 3.1 eV.
Para el diamante el ancho de la BP es de 6 eV. Explicar por qu el diamante es
transparente. As mismo, explicar por qu el Si cuya BP es de 1.1 eV es transparente al
infrarrojo (IR) de frecuencia comprendida entre 10
12
y 10
14
Hz y no lo es a la radiacin
visible. [(a); (b)]
Apdo.(a)
Para que pueda ser absorbida la energa y deje de ser transparente a la radiacin, E > E
g
.
Como 1,8 s E < 3,1 resulta que esta radiacin no se aborbe, luego es transparente.
Apdo.(b)
Para el I.R. de v = 10
14
Hz; E = hv = 4,13 10
-15
10
14
eV = 4,13 10
-4
eV = 0,413 eV < E
g
.
Sin embargo, para el visible E=3,1 eV > E
g
, es capaz de ser absorbida dicha radiacin y crear
pares e
-
/h. El nmero de pares de e
-
/h que puede crear es: N = 3,1/1,1 = 2,8 2

La conductividad del Ge puro se incrementa en un 50% cuando la temperatura pasa de
20 a 30 grados centgrados. (a) Cul es la anchura de la banda prohibida?; (b)
Teniendo en cuenta que para el Si, E
g
= 1.1 eV, cul es el porcentaje de cambio en la
conductividad para el mismo cambio de temperatura? Sol. [(a) E
g
=0,61 eV; (b) 105%]
Apdo.(a)

Apdo.(b)


La anchura de la banda prohibida para el Ge es E
g
= 0.67eV. Las masas efectivas de
electrones y huecos son respectivamente (m es la masa del
electrn libre). Calcular a 300K: (a) la energa de Fermi; (b) la densidad de electrones; y
(c) la densidad de huecos. Sol. [(a) E
F
=0,348 eV; (b) n=4 10
18
m
-3
; (c) p=4 10
18
m
-3
]
Apdo. (a)

Apdo. (b) y (c)


Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras dada por
N
D
= 10
15
cm
-3
. Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500 K sabiendo
que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin: n
i
= CT
3/2
exp (E
g
/(2kT)),
siendo C = 1.91 10
21
m
-3
K
-3/2
, E
g
= 0.67 eV. Sol. [p=8,345 10
21
m
-3
n=9,34 10
21
m
-3
]



En una muestra de Si tipo N, en equilibrio trmico y a 300K, se conoce la resistividad,
=5O m,
n
= 1600 cm
2
/Vs,
p
= 600 cm
2
/Vs, n
i
=1.4 10
10
cm
-3
y la densidad efectiva
de estados en la BC, N
C
= 10
19
cm
-3
. Con estos datos, determinar: (a) la concentracin de
electrones y huecos a partir de las expresiones de la conductividad y de la ley de accin
de masas; (b) la localizacin del nivel de Fermi a partir de la expresin: n = N
C
exp[(E
F
E
C
)/(kT)]; (c) la probabilidad de que un estado del nivel donador est ocupado
y la probabilidad de que no lo est, sabiendo que E
C
E
D
= 0.05 eV. Sol. [(a) n=0,8 10
15
m
-
3
p=2,45 10
5
m
-3
; (b) 0,244 eV; (c) 0,058%]
Apdo.(a)

Apdo.(b)

Apdo.(c)



Una muestra de Si es dopada con P. Sabiendo que y que el
nivel de energa de los tomos donadores a 300K est 0.045 eV por debajo de E
c
y el
nivel de Fermi a 0.01 eV sobre E
D
, calcular la concentracin de electrones y huecos.

Se desea dopar una barra de Si de longitud 30 mm y seccin 5 mm
2
de forma que al ser
sometida a una d.d.p. de 10 V sea circulada por una intensidad de 2mA. Calclese la
concentracin de donadores, N
D
, con que debe doparse la barra. Nota: desprciese la
concentracin de huecos en el anlisis y estmese el error cometido por este motivo en
el valor de la resistencia de la barra. Datos: n
i
= 1.45 10
16
m
-3
,
n
= 1500 cm
2
/Vs y
p
=
475 cm
2
/Vs. Solucin.
- Calculemos la resistividad que debe tener la barrita...