Circuitos Integrados Elementales

Circuitos integrados elementales
CIRCUITOS INTEGRADOS ELEMENTALES

Tecnologías de integración monolítica
Introducción. Procesos planares
Fabricación de un transistor npn
Fases de realización de un N-MOS
Otros dispositivos y componentes integrados
Amplificadores multietapa
Etapas acopladas en alterna y en continua
Esbozo de análisis del acoplo RC
Pares integrados. Darlington. Cascodo
Amplificadores diferenciales
El par acoplado por emisor. Análisis DC
Características de transferencia. Análisis AC
Modos común y diferencial. CMRR
Fuente de corriente de emisores
Diferenciales con FET's
El amplificador operacional
AO's ideales y reales. C. de transferencia
Análisis de circuitos con AO's
Amplificador inversor y no inversor
Aplicaciones elementales
Cálculo analógico con AO's
ELECTRÓNICA BÁSICA I.0

Circuitos Integrados Elementales
Introducción
Circuito integrado: Conjunto de elementos
activos y pasivos interconectados y contenidos
en un único cristal de semiconductor
Aluminio
S C2 E2 B2 B1 E1 C1
SiO2
n+ n+ n+ n+ n+
p p p
n n n
substrato p
Aislante p+
VCC
R
C1
C2
Q1 Q2
E1 E2
¾ Dimensiones del orden de mm2

¾ Integran miles de componentes
¾ Bajo coste
¾ Fiabilidad
¾ Repetitividad
¾ Misma variación con la temperatura
Procesos planares (I)
Crecimiento y corte del cristal de Si en obleas.

10 cm
200-300 mic
Crecimiento epitaxial de una capa de Si con

diferente nivel de impurezas a partir de la reducción
de ciertos gases
5-25 µm SiCl 4 + 2 H 2 ⇒ Si + 4 HCl
SiH 4 ⇒ Si + 2 H 2
Silano
Oxidación: Crecimiento de una capa superficial

de SiO2 0.02-2 µm
Si + 2 H 2O ⇒ SiO2 + 2 H 2
Fotolitografía
máscara fotoresina

Procesos planares (II)

Difusión. log N (cm-3)
1021
1018
Fósforo: para tipo n 1016 0,7

Boro: para tipo p
x ( m)
Implantación iónica
30-200 KeV
Mayor capacidad de
integración
Metalización
+ fotolitografía
+ ataque químico ⇒
Aluminio

Fabricación de transistores npn

Crecimiento Apertura de ventanas
epitaxial y oxidación para difusión de
aislamiento
SiO2
Capa n epitaxial
substrato p aislamiento p+
Capas n+
enterradas
Difusión de la base Difusión del emisor
n+ n+
p p
p p
Metalización
C1
Aluminio C2
C2 E2 B2 C1 B1 E1
E1 B1 B2 E2

Otros transistores bipolares

Transistor lateral Transistor vertical
B C E E B E C
n+ p p n+ p+
p p
n n
substrato p substrato p
Transistor con multiples emisores

C E1 E2 E3 B
C
B n+ n+ n+ n+
p
n
E1 p
E2 E3
Contactos de Contacto de la
Contacto del los emisores base
colector
E1
C
B
E2
aislamiento
E3
Transistor Schottky
C C
C E1 E2 E3 B
n+ n+ n+ B
B n+
p
n
E1E2
p E1
E3 E2 E3

Fabricación de transistores N-MOS
Implantación de capa p+ Ataque selectivo del Si3N4

y crecimiento de capa de y crecimiento de una capa
óxido grueso. delgada de óxido.
Óxido de campo
SiO2 Si3N4 Oxido de puerta
p p+
Deposición de la Vista superior

puerta de polisilicio
Poly
L
Implantación fuente y ("self-alignment")
drenador + Metalización
B S G D Aislante
n+ n+

Otros dispositivos integrados

Diodos
1 2 1 2 1 2
n+ n+ n+ n+ n+
p p p
p+ n p+ n p+ n p+
p p p
2 2 1
1 1 2
Diodo Schottky (metal-semiconductor)

1 Al 2
n+ SiO2 2
1
substrato n
substrato p
Resitencias
resistencia p n
p
p+ región de aislamiento n p+ p+ región de aislamiento n p+
substrato p substrato p
Resistencia variable por tensión

(diodo de efecto de campo)

Otros dispositvos (II)

Capacidad de unión
C2 ≈ 0.2 pF/mil2
B metaliza B A
ción
A SiO
J2 2
J2 R=10-50
p Ohm
n+ (parásita)
J1 n
substra J1
to p C1
substrato
Capacidad MOS
B metaliz
ación C≈4 10-4 pF/mic2
A B A
n+ R=5-10
n SiO2 Ohm
substra
to p
J1 C1
J1
Circuitos integrados
¾Baratos
¾Tamaño reducido
¾Fiables
¾10 Ohm≤R≤50kOhm; C≤200pF
¾No incluyen inductancias
¾Respuesta en frecuencia limitada

Amplificadores multietapa (I)
¾Permiten aumentar las prestaciones con

respecto a la utilización de una sola etapa
Acoplo RC
VCC
Acoplo continua
¾ Más complejos de analizar

¾ Amplifican a baja frecuencia
¾ Integrables
¾ Bien diseñados son más
estables con la temperatura

Amplificadores multietapa (II)

vi,1 vO,1=vi,2 vO,N-1=vi,N vO,N
iL
RS i1
iO,1i2 iO,2 iN
Etapa 1
Etapa 2
Etapa n
RL
vs
Equivalente Thèvenin etapa k
Ro,k-1
ATH , k −1
 m = k −1 
Etapa k
Ri , m

∏  ()
Ri,k+1
AVm
 R + R  vs
 m =1 i , m o , m − 1 
(Ro,0 = RS )
AV,m:Ganancia de tensión de la etapa m cuando se
carga con impedancia infinita.
vo, i vo,n RL
AV ,i = AV = = ATH , N
vi , i ii +1 = 0 vS RL + Ro,n
Ri,k+1: Impedancia de entrada a la etapa k+1.

Ro,k-1: Impedancia a la salida de la etapa k-1.
vi , k + 1 vo,k −1 generadores
Ri ,k +1 = Ro,k −1 =
ii ,k +1 io,k −1 independientes = 0
Ri ,k = ∞
Etapas compuestas
Configuración CC-CC Configuración CC-CE
(Darlington)
C IC VCC C
B
Q1 B Q1
IB
Q2 Q2
E E
¾ IC ≈ β 2IB
¾ ICO,T ≈ β ICO
¾ rO(CC-CE) > rO(CC-CC)
¾CC-CE mejor respuesta en frecuencia que CC-CC
Configuración cascodo (CE-CB)
¾ Igual ganancia en tensión

que la configuración en
emisor común
RS RC
¾ Respuesta en alta
VS frecuencia mejorada

EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
+VCC
RC RC Amplificador de contínua
2 entradas y 2 salidas
vO1 vO2 Condiciones:
T1 T2
T1, T2 iguales (CI's)
vI1 vI2
circuito simétrico
IEE Req
T1,T2 en activa
-VEE
Análisis
(transistores idénticos, fuente de corriente ideal)
v  α F I EE
iC 1 ≈ α F I ES exp BE 1  iC 1 ≈
 VT   v − vI 2 
1 + exp − I 1 
 VT 
v 
iC 2 ≈ α F I ES exp BE 2 
 VT 
α F I EE
iE 1 + iE 2 + I EE = 0 iC 2 ≈
 v − vI 2 
iI 1 − iBE 1 = v12 − vBE 2 1 + exp − I 1 
 VT 
iC1 , iC2 , vO1 , vO2 y vOD = v O1 - vO2
sólo dependen de la DIFERENCIA vD = vI1 - vI2

Característica de transferencia
FIEE
iC2 iC1
FIEE Pendiente en la zona lineal:

2
iC α I
= gm = F EE
0 vD 4 kT / e
VCC v01
v02 VCC- FIEERC

0
v0=
v01-v02
-VCC vD=vI1-vI2
0
4kT/e
ZONA LINEAL
v01 α I R
= gm Rc = F EE C ganancia controlable con IEE
vD 4kT / e
Aplicaciones
INTERRUPTOR (circuitos digitales)
Circuitos ECL: muy rápidos
AMPLIFICADOR (circuitos analógicos)
Zona lineal extensa
Buen comportamiento en alta frecuencia
Etapa entrada OPAMPS
Análisis en pequeña señal

En la región lineal, TRT's en activa
Ib1 Vod
Vo1 Vo2 Ib2
Vi1 hie RC RC hie Vi2

hfeIb1 hfeIb2
Req
CAMBIO DE VARIABLE
Vi1= Vc+Vd/2 Vi2= Vc-Vd/2
Vox= f (Vi1,Vi2 ) = parte parte =
diferencial común
Vd= Vi1-Vi2 V +V
Vc= i1 i2
2
CIRCUITO LINEAL
= f (Vc+Vd / 2,Vc-Vd/2) = =
superposición
modo
común
CIRCUITO LINEAL
= f(Vc ,Vc) + f(Vd/2,-Vd/2) = régimen senoidal permanente =
modo
diferencial
= AcVc + AdVd
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL SI Ad>>Ac
Cifra de mérito: FACTOR DE RECHAZO AL MODO COMÚN
Ad
CMRR(dB) = 20 log
Ac
Respuesta al modo común
Vod
Ib1 Vo1 Vo2 Ib2
Vc hie RC RC hie Vc
hfeIb1 hfeIb2
2Req 2Req
por simetría, no puede circular corriente

por esa rama (teorema de BARTLETT)
el circuito queda dividido en dos partes IDÉNTICAS
Respuesta al modo diferencial
Ib1 Vod
Vo1 Vo2 Ib2
Vd/2 hie RC RC hie -Vd/2

hfeIb1 hfeIb2
Req
por simetría, el potencial en este punto

es cero (teorema de BARTLETT)
el circuito queda dividido en dos partes IDÉNTICAS
Respuesta total
común diferencial
-hfeRC -hfeRC
Vo1 = Vc + Vd
hie+(1+hfe)2Req 2hie
-hfeRC hfeRC
Vo2 = Vc + Vd
-hfeRC
Vod = 0 Vc + Vd
hie
Vc Vd
Ib1 = +
Vc -Vd
Ib2 = +
SALIDA: ASIMÉTRICA DIFERENCIAL

hie + 2(h fe + 1)Req
CMRR = ≅ g m Req → ∞
2hie
SE REQUIEREN FUENTES DE CORRIENTE DE

ALTA IMPEDANCIA
Fuente de corriente en emisor

Resistencia
VEE-VBE
Continua: IEE=
RE RE
acoplados
-VEE Alterna: Req=RE
Fuente con transistor

Continua (T3 en activa):
β»1; R3(1+β )»RB
R1
T3
VB − VBE V − VBE
I EE = β≈ B
R3 R2 RB + R3 (β + 1) R3
VEE R2 R1 R2
VB = RB =
R1 + R2 R1 + R2
-VEE
Alterna
Para un mismo valor de IEE −1  R3 

el transistor proporciona Req = R3 // (hie + RB ) + hoe  1 + h fe 
mejor CMRR  RB + hie 
Diferencial con FET 's +
Para alta impedancia de entrada
ELECTRÓNICA BÁSICA - I.17

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Amplificador operacional ideal
Amplificador diferencial de
+VCC continua,
con:
v- - • Ganancia diferencial infinita
vD vO
v+ + • Rechazo al modo común infinito
• Impedancia de entrada infinita
-VCC (corrientes de entrada nulas)
• Impedancia de salida nula
Amplificador operacional real

características tipo LF411
Ad (dB)>88
v- Ro +VCC N
11C 26
LF4 ≈ 89 CMRR(dB)>70
Ri NS
C
v+ vO Rin >1012 ohm

AdvD
-VCC +AcvC Ii < 0.2 nA
Ro< 40 ohm
Característica de transferencia
vO
ideal
+VCC
real PENDIENTE= -Ad
OFFSET
ZONA LINEAL vD
-VCC
Análisis de circuitos con AO's

i- -
v-
v+
i+ +
Regla 1
La ganancia del operacional es tan grande que una

fracción de mV entre las entradas produce la
saturación de la salida
LA TENSIÓN DIFERENCIAL A LA ENTRADA
ES NULA (CORTOCIRCUITO VIRTUAL)
v+=v-
Regla 2
Las corrientes de entrada al operacional son muy
pequeñas
POR LAS ENTRADAS NO HAY CORRIENTE
(CIRCUITOS ABIERTOS)
i+=i-=0
¿CÓMO FUNCIONA?
La salida actúa sobre la red externa (de
REALIMENTACIÓN) para conseguir tensión
nula a la entrada, pero sólo dispone del margen
entre las tensiones de alimentación

Amplificador inversor
R2
R1 v- -
vI
vO
v+ +
− R2
v1 − v− v− − vO (no hay corriente por las vO = v
= R1 + R2 I
R1 R2 entradas) R1 +
Ad
vO = Ad (v+ − v− ) = − Ad v− ⇒ v− = − vO / Ad
R2 (cortocircuito o
si Ad → ∞ ⇒ vO = vI y v− → 0
R1 tierra virtual)
Amplificador no inversor
v+
vI +
vO
v- -  R 
vO =  1 + 2 v I
 R1 
R2
R1
Ganancia determinada por elementos de la red

de realimentación

Aplicaciones elementales (1)

Sumador
R
R1
v1 -
R2 vO
v2 +
RN
vN  R R R 
v O = −  v1 + v 2 + ⋅⋅⋅ +  v N
 R1 R2 RN 
Seguidor
Adaptador ideal en tensión
Zi oo Zo=0
vI +
vO=vI
-
Conversor V-I Conversor I-V
vI + iI R
- vO=-RiI
- ZL
+
R iL=vI/R
Amplificador de Amplificador de
transadmitancia transimpedancia

Diferenciador
R
C
dv I
vI - vO = − RC
dt
vO
+
Integrador
C
+
vC
- ∫ vO = − vC (t =0 ) −
1 t
∫ v I dt
R RC 0
vI -
vO
+
Aplicación a la resolución de ecs. diferenciales
Función de transferencia en alterna

V
20log o
Vi INTEGRADOR
-20 logf 20 logf
DIFERENCIADOR
logf
Aplicación al filtrado de señales analógicas (filtros activos)

Amplificador logarítmico
kT  v I 
vo = − In + 1 
i e  RI 0 
R
vI - ≈−
kT  v I 
In 
vO e RI
 0
+ ( Si vI » RI0 )
Inconveniente: muy sensible a T a través de I0.

MEJOR:
IR
R kT vI
vI - vO= - ln
e RIR
+
Amplificador exponencial
R

RI o  ev I  
vo = −  exp   − 1
e  kT  
vI -  ev 
≈ − RI o exp  I 
vO  kT 
+
( Si vI » kT/e )

Cálculo analógico
Multiplicador
sumador
x
log + log(xy)
logx exp
- vO=Cte xy
y logy
log
(Hay otras versiones

más prácticas)
Elevador al cuadrado
x
multiplicador
z z2
x×y
y
Extractor de raíz cuadrada
x
x×y multiplicador
x×y
R2 y − vO = −
R2
vI
R1 R1
vI -
+

Estructura de los operacionales
ETAPAS NIVEL
ENTRADA SALIDA
GANANCIA CONTINUA
Amplif. Etapas en Seguidor Varias

diferencial emisor de emisor configu-
común aciones
Determina: Determina: Determina: Determina:

CMRR Ganancia Tensión de Z salida
de tensión reposo nula
a la salida Margen
Offset
dinámico
Z entrada
(Darlington, Ganancia
FET) de corriente

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CIRCUITOS INTEGRADOS ELEMENTALES

ELECTRÓNICA BÁSICA I.0

¾ Dimensiones del orden de mm2

Procesos planares (I)

 Crecimiento y corte del cristal de Si en obleas.

 Crecimiento epitaxial de una capa de Si con

 Oxidación: Crecimiento de una capa superficial

ELECTRÓNICA BÁSICA I.2

Procesos planares (II)

Fósforo: para tipo n 1016 0,7

ELECTRÓNICA BÁSICA I.3

Fabricación de transistores npn

 Difusión de la base  Difusión del emisor

ELECTRÓNICA BÁSICA I.4

Otros transistores bipolares

Transistor con multiples emisores

ELECTRÓNICA BÁSICA I.5

Fabricación de transistores N-MOS

 Implantación de capa p+  Ataque selectivo del Si3N4

 Deposición de la  Vista superior

ELECTRÓNICA BÁSICA I.6

Otros dispositivos integrados

Diodo Schottky (metal-semiconductor)

Resistencia variable por tensión

ELECTRÓNICA BÁSICA I.7

Otros dispositvos (II)

ELECTRÓNICA BÁSICA I.8

Amplificadores multietapa (I)

¾Permiten aumentar las prestaciones con

¾ Más complejos de analizar

ELECTRÓNICA BÁSICA I.9

Amplificadores multietapa (II)

Equivalente Thèvenin etapa k

Ri,k+1: Impedancia de entrada a la etapa k+1.

¾ Igual ganancia en tensión

ELECTRÓNICA BÁSICA I.11

iC1 , iC2 , vO1 , vO2 y vOD = v O1 - vO2

sólo dependen de la DIFERENCIA vD = vI1 - vI2

ELECTRÓNICA BÁSICA I.12

FIEE Pendiente en la zona lineal:

v02 VCC- FIEERC

Análisis en pequeña señal

Vi1 hie RC RC hie Vi2

Respuesta al modo común

por simetría, no puede circular corriente

Respuesta al modo diferencial

Vd/2 hie RC RC hie -Vd/2

por simetría, el potencial en este punto

SALIDA: ASIMÉTRICA DIFERENCIAL

SE REQUIEREN FUENTES DE CORRIENTE DE

Fuente de corriente en emisor

Fuente con transistor

Para un mismo valor de IEE −1  R3 

Diferencial con FET 's +

Para alta impedancia de entrada

ELECTRÓNICA BÁSICA - I.17

Amplificador operacional real

v+ vO Rin >1012 ohm

Análisis de circuitos con AO's

La ganancia del operacional es tan grande que una

ELECTRÓNICA BÁSICA I.19

Ganancia determinada por elementos de la red

Crecimiento y corte del cristal de Si en obleas.

Crecimiento epitaxial de una capa de Si con

Oxidación: Crecimiento de una capa superficial

Difusión de la base Difusión del emisor

Implantación de capa p+ Ataque selectivo del Si3N4

Deposición de la Vista superior