Tiristor, El UJT

Instituto Tecnolgico de San Luis Potos

Ingeniera en Mecatronica

Realizadas por: Lpez Ramrez Francisco Javier Silos Hernndez Martin Eduardo Zamudio Arteaga Luis Angel

Materia: electrnica II Profesor: Jos Cruz Jasso Aranda

Octubre 2011

ndice I. II. Resumen______________________________________________________3 Introduccin Problema a resolver___________________________________________4 Objetivo_____________________________________________________5

III. IV. V.

Marco teoorico_________________________________________________6 Antecedentes__________________________________________________7 Mtodo Delimitacin___________________________________________________22 Hiptesis______________________________________________________22 Medicin______________________________________________________22 Procedimiento__________________________________________________23

VI. VII. VIII. IX.

Desarrollo de las preaticas______________________________________24 Conclusiones_________________________________________________29 Bibliografa___________________________________________________30 Equipo de trabajo______________________________________________31

Resumen La electrnica analgica abarca una gran variedad de componentes que la describen, desde aquellos bsicos como lo son la resistencia, el capacitor, diodo, etc. De aqu partimos de los integrados que mayor se han manipulado como es el amplificador operacional y el opto acoplador, todo esto es abarcado por la principal rama del estudio sometido a la electrnica analgica, pero aparte de todo el estudio visto hasta ahora, existe otra parte de la electrnica podra decirse que es una rama, esta llamada de potencia. Se dice que es electrnica de potencia porque se conoce que los componentes vistos con anterioridad eran comportados dependientes de sus caractersticas especiales, tal es el caso del transistor y el diodo, estos manejan magnitudes muy limitadas, pero eso no impedan que podran realizar su trabajo, ahora, estos sern remplazados con componentes llamados tiristores, contienen las mismas similitudes, pero estos son capaces de soportar voltajes elevados y por su por supuesto corrientes elevadas, estos son confiables al manejar el comportamiento de componentes principales, es decir, un motor o una resistencia de potencia. Existen una gama de tiristores pero en esta ocasin se hablara del principal que es el UJT, como sus siglas lo indican es un transistor de unijuncion, parecido al transistor que se ha ido manejando pero propiedades muy diferentes. Se realizara una prctica de introduccin de tiristores para que quede iniciada el curso de los nuevos componentes que se vern, pero esta vez como se dijo solo enfocados al UJT.

Configuracin tpica de un UJT

Smbolo UJT

Introduccin Al hablar de que se tratara con un tema nuevo y sobre todo que es uno de los destacados del curo, se iniciara con la relacin de los tiristores, empezando por el principal que es el transistor de unijuncion, este se analizara como ha venido siendo el caso de el estudio principal. Con el UJT se realizaran las prcticas necesarias para que se empiece a comprender como es que funciona cada componente de nuestra lista, ya que de aqu parte gran informacin que se nos ser til para poder seguir trabajando con este tema de la electrnica de potencia. Problema a resolver Con el estudio ya visto del transistor y el diodo, se conoce como es que funciona un semiconductor pero hasta hace unas semanas, ahora con la llegada de un tema nueva que se relacionan conocimientos pasados, se deber de comprender como es que funcionan esta gama de componentes nuevos, por lo tanto, se disminuir la falta de comprensin y funcionamiento que tiene un tiristor, ya que a partir de aqu depender de que el estudio siga en su avance y se puedan conocer nuevas formas de manipulacin en la electrnica. Justificacin Se sabe que la electrnica se envuelve en la mayora de la tecnologa con la que hoy contamos, es por ello que esta se podra dividir es ramas, esto se menciona por lo que ya conocemos, que entre ellas est la digital y la analgica, eran las nicas dos que se podan decirse que se tena un conocimiento necesario, pero no fue si el caso, de la analgica se destaca otra importante que es la de potencia, muy utilizada en dispositivos de control o de ahorro de energa, un ejemplo se podra decir es en el caso de control hacia un motor, hasta entonces se ha ido manejando con transistores de caractersticas que podran majear corrientes de 3 a 6 amperes como es el caso de los TIP y los tipo corcho lata, por su puesto algo caros para empezar y no se podra manjar motores de corriente alterna es algunas ocasiones, el tiristor es una de las piezas fundamentales para el control de motores de gran magnitud, el caso del UJT que es el que se va a tratar para el entendimiento principal, no solo los tiristores como se mencion funcionan como controladores tambin en algo que son muy ocupados es en el juego de la potencia y ahorro de energa, enfocados hacia una aplicacin no tan lejos es en el uso de focos ahorradores de energa, ya que con configuraciones bsicas de los tiristores se puede obtener esta funcin. Otra parte importante en la ocupacin de estos compontes de potencia es que trabajan a base de seales de corrientes directas y algunos enfocados a las

alterna, a partir de aqu sus seales son ocupadas ya que no se ha mencionado que sus seales de salida son mostradas con forma de seales de onda, esto ayuda a que el ahorro de energa se haga presente. El tiristor como tan confiable que es, es capaz de tener en cuenta el trabajo que se le va a presentar eso depende de cada serie que se va a manejar desde el UJT al TRIAC que este ultimo muy ocupado tambin en la industria, es por eso que se empezara al estudio de la electrnica de potencia. Objetivo principal Se tratara de estudiar los principales componentes que conforman la familia de los tiristores empezando por el principal que es el UJT, este se manipulara con la ayuda de configuraciones principales que a partir de estas se obtendrn resultados que nos ayudaran a la compresin del trabajo de dicho componente y as a partir de este se relacionaran datos que nos podra servir de el futuro con la familia de los tiristores. Objetivo general El objetivo general es poder comprender lo principal de la electrnica de potencia como es el caso de los tiristores que son componentes muy utilizados para el manejo de la corriente alterna y directa a gran escala, empezando a desarrollar prcticas que nos ayudaran a dicho objetivo, desde la principal hasta la ms ocupada, como es el caso de las diferentes combinacin que se pueden tener desde un diodo, un UJT y la gama de la familia de los tiristores. Propsito A partir de la principal manipulacin del tiristor que es el UJT se tendrn datos y bases para que se pueda seguir manejando al familia de este, ya que este depende de mucho de seguir el estudio y comprensin de la potencia, se realizaran configuracin que estas arrojaran datos y seales que nos servirn en el futuro, con la ayuda de componentes secundarios se har esto posible, eso si sin perjudicar alguno que conforme este mencionado circuito

Marco terico

Transistor uniunin (UJT) Extrado de la pagina, es.wikipedia.com Es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras, tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco. El tiristor Extrado de la pgina www.unicrom.com Es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica. TRIAC Estriado de la pgina www.electronicafacil.com Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Antecedentes El tiristor El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP). Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio (SCR);1 otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC. Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los aos 1960. Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por William Shockley (premio Nobel de fsica en 1956) en 1950, el cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lider el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercializacin por G.E.'s Frank W. "Bill" Gutzwiller. Funcionamiento bsico El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin). Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF > ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca. Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo. Formas de activar un tiristor Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el tiristor.

Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo. Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de activacin, esta fuga tiende a evitarse. Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de la destruccin del mismo. dv/dt: Si la velocidad en la elevacin del voltaje nodo-ctodo es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo. Aplicaciones Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o voltajes muy grandes, tambin son comnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexin o desconexin del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de forma sncrona cuando,

una vez que el dispositivo est abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unin ctodo-nodo sin la necesidad de replicacin de la modulacin de la puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe confundir con la operacin simtrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del ctodo al nodo, por tanto en s misma es asimtrica. Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en controladores accionados por ngulos de fase, esto es una modulacin por ancho de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna. En circuitos digitales tambin se pueden encontrar tiristores como fuente de energa o potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores automticos magneto-trmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito elctrico, abrindolo, cuando la intensidad que circula por l se excede de un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes en la direccin del flujo de corriente queden daados. El tiristor tambin se puede usar en conjunto con un diodo Zener enganchado a su puerta, de forma que cuando el voltaje de energa de la fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de entrada proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible. La primera aplicacin a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensin de entrada proveniente de una fuente de tensin, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo de los 70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensin de entrada de los receptores de televisin en color. Se suelen usar para controlar la rectificacin en corriente alterna, es decir, para transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los tiristores onduladores o inversores), para la realizacin de conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos. Otras aplicaciones comerciales son en electrodomsticos (iluminacin, calentadores, control de temperatura, activacin de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas elctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de bateras), equipos para exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrnicas...) CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES: Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin. Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice

entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.

Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn

La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2. La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i comn de un tiristor.

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Fig.2 Circuito Tiristor y caracterstica v-i Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo. MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSITORES. La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3. La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como Ic = IE + ICBO..(1)

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La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1): IC1 = 1 IA + ICBO1(2)

a) Estructura bsica b) Circuito equivalente Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales. Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es: IC2 = 2IK + ICBO2(3) Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos: IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2.(4) Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en funcin de IA obtenemos: IA = 1 - ( 1 + 2) 2 IG + ICBO1 + ICBO2.(5)

ACTIVACION DEL TIRISTOR

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Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas. TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita. LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio. ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores. CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la fig.4

Fig.4 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

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TIPOS DE TIRISTORES. Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras: 1. Tiristores de control de fase (SCR). 2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR). 3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). 4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). 5. Tiristores de conduccin inversa (RTC). 6. Tiristores de induccin esttica (SITH). 7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR) 8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH) 9. Tiristores controlados por MOS (MCT) En esta practica fue necesario adems de utilizar tiristores, la utilizacin de un tipo especial de estos como lo es un UJT adems de un PUT por lo que se definen ambos a continuacin:

TRANSISTOR MONOUNION (UJT). El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

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Fig.5 Circuito bsico de disparo de un UJT

TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE. El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.7. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

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Fig.7 Circuito de disparo para un PUT.

TRIAC: El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura bsica y smbolo aparecen en la fig.8. Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --- iT2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.

Fig.8 TRIAC: Estructura y smbolo.

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CIRCUITO

EQUIVALENTE

DE

UN

TRIAC:

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta comn, como se muestra en la fig.9 Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1. No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).

Fig.9 Circuito equivalente de un TRIAC MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC:

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal Intensidad de puerta entrante. T2 positiva con respecto a T1.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2. La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de

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N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin. Modo I : Terminal Intensidad de puerta saliente. T2 positivo respecto a T1.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. Modo III + : Terminal Intensidad de puerta entrante. T2 negativo respecto a T1.

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin. Modo III : Terminal Intensidad de puerta saliente. T2 negativo respecto a T1.

Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible. El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.

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Fig.10 Caractersticas V-I de un TRIAC El Transistor UJT. El transistor de un-unin (un junction transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. (En la figura 12.21.a) Aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto). El modelo (equivalente representado en la figura 12.21.b) est constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como

(12.10) En donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores (se muestra en la figura 12.21.c), cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.

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Figura 12.21. Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) smbolo.

Funcionamiento de un UJT El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. (En la grfica de la figura 12.22) Se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

Figura 12.22. Caractersticas elctricas de un UJT.

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Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin

(12.11) Donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte. (En la figura 12.22) Tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.

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Mtodo Delimitacin Las prcticas de los Tiristores fueron realizadas en el instituto tecnolgico de san lus potos en los laboratorios de electrnica, con la respectiva supervisin del profesor de la asignatura. Hiptesis se espera que con los fundamentos de los tiristores se puedan aclarar las dudas de su funcionamiento con la prctica del UJT se espera poder partir a ms prcticas gracias a las nociones arrojadas. se considera que con los fundamentos del UJT se podrn utilizar en alguna aplicacin futura ya que la electrnica de potencia es muy ocupada, se podra decir que el UJT podr conformar otra serie de circuitos con la ayuda de otros tiristores. Medicin Empezando a analizar el tipo de mediciones que se iban a utilizar, se necesitara saber cul era el componente necesario para el estudio, despus de que el profesor nos dio el adecuado, este sera de la familia de los tiristores seleccionado como UJT 2646, sus propiedades como siempre, para saber si son las correctas se busco en una fuente fiable como es la del manual ECG, las propiedades del UJT se obtendran de aqu. Despus de seleccionar el componente adecuado, se optara por utilizar un multmetro para sus respectivas mediciones, ya que por supuesto se utilizara el mtodo terico, era necesario rectificar los datos plateados. De esto, la fuente asignada de VCC fue de 12 volts, era lo necesario para que UJT nos arrojara datos ya que estos empezaran a reflejar lo planteado desde un principio.

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Procedimiento Para empezar con la prctica es necesario escoger el componente adecuado, como ya se mencion, el que se ocupara por sus caractersticas especiales seria el UJT 2646, este se analizara para por seguridad de forma terica. Ya despus que se contara con el componente principal se pasara al anlisis aritmtico, se empez a analizar con lo que se contaba, es decir, para poder obtener datos reales se tendra que buscar componentes secundarios para el circuito del UJT correspondiente, antes de empezar con el anlisis, lo primero que se notaria es que la resistencia de RB1 seria de nivel algo considerado ya que esta dependera de N y de la ecuacin principal, la RB2 se opto por lo que fuera de valor mnimo esta serie la causante del disminuyo de la ganancia o N ubicada en el denominador, tambin se utilizara un capacitor, se decidi que fuere se electroltico por sus propiedades y adems por sus confiabilidad por ser tambin la primera prctica se quera tener confianza a la colocacin de cada componente, ahora si ya que se tena lo necesario para el mtodo terico se procedera a este. Se obtuvieron los datos que supuestamente se notaria en la prctica, por lo tanto se procedera al anlisis del respectivo circuito, se notaria los compontes que fueron seleccionados y los que eran los principales para que esto trabajara de manera correcta, despus de su anlisis de este, se opto por el desarrollo del circuito. Los compontes fueron colocados de manera correcta, al estar manipulado el transistor se saba lo fundamental en cmo se podra notar la respuesta final y en su caso como fuera se conectado para esto se menciono con anterioridad que se ocup el ECG, en esto para que se pudiera saber cul era el patillaje correcto. De esto se analizo por ltima vez para que no hubiera fallas y que se tuviera el resultado a la primera. Se procedi al conectado del circuito, xito haba respuesta, por lo tanto se analiz de manera prctica con el multmetro, los datos que nos arrojara variaran pero de manera muy incondicional, por lo tanto el resultado sera el ms adecuado al respecto de lo esperado.

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Desarrollo de las Prcticas Practica #13: El UJT (Transistor de Unin nica). Equipo y Material: 1 Transistor UJT 1 Resistencia de 100K 2 Resistencia de 1K 1 Capacitor de 1F 1 Protoboard Fuente de Voltaje de 10V Caimanes Cables Generales Multmetro

El objetivo de esta prctica es el conocimiento, el comprendimiento del transistor UJT (transistor de unin nica) el cual es un dispositivo semiconductor de potencia capaz de manipular voltajes altos al igual que con las corrientes. El propsito de armar este circuito que se mostrara a continuacin es el poder observar cmo es que funcin, cuando es que esta en saturacin, en corte o en la regin de resistencia negativa la cual es cuando el UJT est entre la corriente de pico y corriente de valle los cuales son los que determinar cundo est en corte o saturacin. Uno de los principales usos del UJT es el de oscilar, el de un circuito de disparo, el de alimentaciones reguladas de voltaje o corriente. La realizacin de esta prctica fue nicamente para probar al UJT, el cual era el voltaje en cada una de sus terminales y el desarrollo de cada una de sus frmulas de las cuales nos determinan cada uo de los valores del UJT. A continuacin se mostrara el diagrama propuesto por el profesor y realizado por nosotros en el laboratorio de electrnica con la finalidad de poder observar y comprender al UJT y el comprender como es que cada una de sus terminales funciona, y el concepto de sus frmulas.

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Hay algunas consideraciones en las cuales nos indica que UJT se encuentra en corte y en saturacin que son las siguientes: Si:

Vcc

RE
10k

R2
1K

Q1
UJT

VB1

CE
1uF

R1
100K

Diagrama 1 Este es el circuito que el profesor propuso para la realizacin de este en el laboratorio de electrnica. A continuacin se mostraran las frmulas que nos determinaran cada una de las variables de este circuito. 1. 2. 1 en 2 3. = 4. 5. 6.

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7. 8. 9. Entonces de ah se tienen algunos valores de los que calculamos que fueron los siguientes:

Estos fueron los valores medidos con el multmetro y a continuacin se darn los valores que se obtuvieron con las frmulas adecuadas y estas fueron las siguientes:

Estos fueron los valores que se determinaron con las formulas propuestas por el profesor y que nosotros con los valores que le dimos a cada uno de los elementos que se necesitaban para poder realizar este circuito, pudimos obtener. Y as de esta manera fue como realizamos esta prctica. A continuacin se mostraran algunas imgenes en las cuales se podr observar cmo es que se fue realizando este circuito que el profesor nos propuso para realizarlo en el laboratorio de electrnica con la finalidad de poder comprender su finalidad.

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Las imgenes que se mostraran a continuacin mostraron el armado, el voltaje que nos brind cada una de las terminales del UJT y el poder ver a cada una de las imgenes en diferentes ngulos.

Imagen 1 En esta imagen se puede ver que apenas se estaba midiendo el votaje en cada una de las terminales del UJT.

Imagen 2 En esta imagen se puede ver cmo es que se fue colocando las puntas del multmetro en cada una de las terminales del UJT Nota: el dip switch es nicamente para poder brindarle al UJT disparos con la finalidad de observar que es lo que sucede con el UJT.

Imagen 3

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En esta imagen se puede observar el voltaje que resulto en la parte del UJT en donde indica que esta RB1, entonces VRB1=0.1V. Imagen 4.

En esta imagen, el multmetro nos brind el voltaje entre RB1 y RB2 los cuales nos brind el voltaje mostrado en la imagen que fue 0.5V. Imagen 5.

En esta imagen se puede observar el voltaje que el UJT nos brind entre las terminales VB1 y la entrada del UJT que es E en donde nos brind que era de 0.6V aproximadamente. Y con esta ltima imagen fue como realizamos este circuito con la finalidad de poder comprenderlo ms a fondo.

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Conclusin El tiristor es un componente muy ocupado en la electrnica de potencia, es un dispositivo muy confiable al estar tratando con caractersticas de entrega, es decir, la conduccin de este es ms fcil que un transistor, y por sus propiedades puede soportar voltajes y corrientes ms altas, comparado el UJT con un FET ya que su smbolo es algo parecido, pero no interiormente, es ms drstico en su trabajo y en su respuesta. La prctica del transistor uniunion fue necesaria para comprender como es que funciona el primero de la lista que tan grande que es como son los tiristores, se pudo extraer datos necesario para comprender como es que funciona un componente de esa gran magnitud. Ahora se puede decir que se puede seguir trabajando con mas familiares del los tiristores. No se tena en cuenta algunas cosas de los UJT, como es que trabajan o como podemos lograr que estn en saturacin, pero despus de relacionar lo terico con lo prctico se puede decir que el transistor uniunion quedo comprendido como fundamento, no se puede decir que en su totalidad por que falta mucho que aprender de este, pero cmo se ha ido diciendo desde la primera prctica que se hizo, los fundamentos son muy necesarios para poder seguir tratando con temas y prcticas. Desde hace tiempo se han ido haciendo prcticas aplicadas con la ayuda de cada dispositivo visto, en este caso no ser la excepcin, todava falta mucho que ver relacionado con los tiristores, es necesario conocerlos a todos para poder decir que se har algo muy aplicado, pero algo hay que resaltar, no se est mencionado que no se realizara algo, solo falta algo de prctica y se podr realizar algo muy aplicado. Pero, eso s, el UJT se seguir ocupando para prcticas futuras, ya que no ha quedado del todo entendido, falta mucho que aprender como se ha ido diciendo, esto no esto, se sabe que este ser ocupado con otros tiristores para que entreguen seales nicas que no se tendran en cuenta, al parecer son las siguientes que se seguiran refiriendo al tema de los tiristores. Al mencionar que ser ocupado con otros tiristores, se refiere a que se seguir tomando en cuenta el tema de potencia y por lo tanto se conocern nuevos componentes, tal sera el caso del SCR y el TRIAC, pero todo a su tiempo, falta conocer del UJT, y eso todava seguir siendo estudiado pero con ayuda de estos otros. Falta mucho de la electrnica de potencia, pero eso no nos indica que hasta aqu, se tiene las ganas de seguir aprendiendo de estos temas ya que son muy ocupados haya afuera y sobre todo es lo que se utiliza mas por ser confiable en La entrega de resultados. A seguir estudiando de los tiristores, ya se cuenta con fundamentos de uno, solo falta la familia restante del tiristor que a su tiempo seguir siendo analizada.

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Bibliografa Tiristor, El; es.wikipedia.com TRIAC, El; www.unicrom.com Caractersticas del tiristor, www.temas/circuito.html UJT, El; es.wikipedia.com Propiedades del UJT, www.unicrom.com ECG semiconductor, edicin 12, NTE Los tiristores, www.electronicafacil.net

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Equipo

Lpez Ramrez Francisco Javier

Zamudio Arteaga Luis Angel

Silos Hernndez Martin Eduardo

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