UNIVERSIDAD AUTONOMA METROPOLITANA DIVISION DE CIENCIAS BASICAS E INGENIER IA

TRANSPORTE DE ESPIN EN ARSENIURO DE GALIO DOPADO CON NITROGENO

PEDRO EDUARDO ROMAN TABOADA

Asesor: Alejandro Kunold Bello

Ciudad de M xico, Junio 2011 e

c MMXI, P EDRO E DUARDO ROM AN TABOADA

A mi familia

INDICE GENERAL

RESUMEN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1. INTRODUCCION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1. 1.2. Espintr nica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . o Recombinaci n dependiente del espn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . o SDR en Arseniuro de Galio dopado con Nitr geno (GaAsN) . . . . . o Orientaci n Optica del espn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . o

iv 1 1 3 3 4 5 6 6 7 12 14 14 15 16 18

1.2.1. 1.2.2. 1.3. 2.

Contenido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

MODELO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1. 2.2. 2.3. Breve rese a hist rica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . n o Modelo Cin tico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e Resoluci n num rica del modelo cin tico . . . . . . . . . . . . . . . . . o e e

3.

RESULTADOS Y CONCLUSIONES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. Curva de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Efecto Hanle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Difusi n de la Polarizaci n del Espn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . o o Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

iii

RESUMEN

El campo de la espintr nica se ha desarrollado r pidamente en a os recientes debido en o a n gran parte al descubrimiento de la magnetoresistencia gigante y a su potencial aplicaci n a o la computaci n cu ntica. A pesar de la existencia de aplicaciones tales como las memorias o a magnetoresistivas, el dise o de dispositivos espintr nicos a n enfrenta serias dicultades n o u t cnicas, la m s importante es la inyecci n eciente de espn. Una posible soluci n a esta e a o o dicultad es el uso del mecanismo de recombinaci n dependiente del espn (SDR, por sus o siglas en ingl s). e En el presenta trabajo se presenta un modelo que describe la din mica del espn en Arsea niuro de Galio dopado con Nitr geno. Este modelo, a diferencia de los que se encuentran o en la literatura, toma en cuenta los efectos de las corrientes de deriva y de difusi n. El o modelo es resuelto num ricamente utilizando como primera aproximaci n el m todo de e o e Runge-Kutta de orden 4, despreciando los t rminos debidos a las corrientes de difusi n y e o de deriva. La aproximaci n obtenida es utilizada como semilla para resolver el modelo o completo por medio del m todo de diferencias iterativo de Gauss-Seidel. e Se estudian los resultados obtenidos para la tasa de recombinaci n dependiente del espn o en funci n de la potencia del l ser y de un campo magn tico externo en la conguraci n o a e o de Voigt (efecto Hanle). Estos resultados fueron comparados con mediciones experimentales y presentan un notable acuerdo. Se encontr que la difusi n de los electrones y la o o polarizaci n del espn dependen fuertemente de la recombinaci n dependiente del espn. o o

iv

 1. INTRODUCCION

1.1. Espintr nica o La espintr nica o electr nica de espn se reere al estudio del papel jugado por el espn o o del electr n en fsica del estado s lido; adem s se busca su posible aplicaci n en disposo o a o itivos que utilicen las propiedades del espn en lugar o en suma con la carga fundamental del electr n (?, ?). De ah que las investigaciones sobre relajaci n de espn y transporte de o o espn en semiconductores y metales no s sean de inter s para estudiar propiedades b sicas lo e a de la fsica del estado s lido, sino tambi n para el potencial uso de estos fen menos en apli o e o caciones de electr nica. o Las cabezas lectoras de disco duro y las memorias de magnetoresistencia gigante (GMR por sus siglas en ingl s) son ejemplos de las aplicaciones de la espintr nica. En particue o lar las primeras han permitido el escalamiento de la capacidad de los discos duros varios ordenes de magnitud. Tanto las cabezas lectores de disco duro como las celdas de memoria de almacenamiento de GMR tipo s ndwich consisten en alternar capas de metal ferromagn tico y no magn tico. a e e El descubrimiento de este fen meno hizo merecedores del premio nobel de Fsica 2007 a o Albert Fert y Peter Gr nberg. El efecto es observado como un cambio signicativo de la u resistencia el ctrica dependiendo de cual sea la magnetizaci n de las capas ferromagn ticas e o e adyacentes. Si la magnetizaci n de estas es paralela, la resistencia total es baja, pero si son o antiparalelas la resistencia se incrementa notablemente. Este cambio es usado para registrar variaciones en la magnetizaci n de la pelcula del disco duro. o La meta de la espintr nica es el entendimiento de la interacci n entre el espn de la partcula o o y su ambiente de estado s lido. La meta com n en el dise o de cualquier dispositivo eso u n pintr nico es aumentar la sensibilidad hasta que sea posible detectar cambios en los estao dos del espn. Estudios fundamentales de la espintr nica incluyen investigaciones sobre el o transporte de espn en semiconductores, as como el entendimiento de la din mica y la re a lajaci n de espn. La espintr nica intenta responder preguntas como las siguientes: C mo o o o polarizar de forma efectiva el espn de un sistema? Cu nto tiempo recuerda el sistema la a 1

orientaci n del espn polarizado? y C mo detectar el espn? Es decir, como llevar a cabo o o las tres funciones b sicas de escritura, acumulaci n de memoria y lectura. a o La generaci n de espn signica crear una poblaci n de espn fuera del equilibrio. Esto se o o puede lograr de distintas formas, las m s comunes son: a (i) T cnicas opticas, en las cuales fotones circularmente polarizados transeren su e momento angular a los electrones e (ii) Inyecci n el ctrica de espn, en la cual un electrodo magn tico es conectado a la o e e muestra. As cuando la corriente mueve electrones con espn polarizado a trav s e de la muestra, se genera polarizaci n de espn fuera del equilibrio en la muestra. o La tasa de acumulaci n de espn depende de la relajaci n de espn, el proceso que reo o gresa la poblaci n de espn acumulado, de nuevo al equilibrio. Existen muchos procesos o relevantes de relajaci n de espn, la mayora de ellos involucran el acoplamiento espno orbita, que produce un potencial dependiente del espn, en combinaci n con momentos en o todas direcciones que producen una fuerza aleatoria. La escala tpica para el tiempo de relajaci n del espn de los electrones de la banda de conducci n es de 1-160 ps. o o Los intentos actuales de dise o y manufactura de dispositivos espintr nicos tienen en dos n o vertientes, la primera busca perfeccionar la tecnologa existente basada en el efecto MGR, ya sea por medio del desarrollo de nuevos materiales con polarizaci n de espn m s grande o a o mediante la modicaci n de los dispositivos actuales que den un mejor ltrado de espn. o La segunda vertiente se enfoca en encontrar formas novedosas de generar y utilizar las corrientes de espn polarizado. Esto incluye investigaci n de transporte de espn en semi o conductores y la b squeda de formas en que los semiconductores puedan ser utilizados u como v lvulas de espn. La importancia de esto radica en que los dispositivos existentes a basados en metales no amplican las se ales, mientras que los dispositivos espintr nicos n o basados en semiconductores podran, en principio, amplicar y servir, en general, como dispositivos multifuncionales. Adem s estos dispositivos seran f cilmente integrables con a a la tecnologa de semiconductores tradicionales.

1.2. Recombinaci n dependiente del espn o La recombinaci n en semiconductores son transiciones de baja energa de electrones o y huecos que conducen a una disminuci n del exceso de la densidad de los portadores de o carga. La recombinaci n de un electr n ocurre generalmente a trav s de niveles que se eno o e cuentran dentro de la brecha energ tica, que son producidos por defectos de la red cristalina e del semiconductor. La recombinaci n dependiente del espn de los electrones en la banda de conducci n ocurre o o a trav s de los niveles energ ticos de trampas paramagn ticas cuyas tasas de recombinaci n e e e o dependen fuertemente de la orientaci n relativa del espn de los electrones de la banda de o conducci n y las trampas. o El descubrimiento de la recombinaci n dependiente del espn se remonta hasta la primer o resonancia magn tica opticamente detectada por experimentos llevados a cabo por (?, ?). e En estos experimentos la conguraci n de los estados electr nicos excitados del espn o o fueron manipulados con resonancia electr nica de espn, el cambio en la tasa de los proo cesos de recombinaci n, es observado por mediciones de fotoluminiscencia. Este efecto o ha sido observado en defectos centrales en estructuras cristalinas de Silic n (?, ?, ?) y en o muchos sistemas que incluyen Silic n dislocado (?, ?), Silic n amorfo(?, ?) y m s tarde en o o a (Al)GaAs (?, ?, ?, ?). En muestras de Arseniuro de Galio dopado con Nitr geno la SDR ha o sido observada a trav s de altos valores, a temperatura ambiente, de fotoluminiscencia (?, e ?, ?, ?, ?) y recientemente en mediciones de fotoconductividad (?, ?).

1.2.1. SDR en Arseniuro de Galio dopado con Nitr geno (GaAsN) o En muestras de GaAsN iluminadas por luz linealmente polarizada, poblaciones id nticas e de electrones con espn y espn , son fotogeneradas en la banda de conducci n y por lo o tanto son absorbidas por los centros paramagn ticos que contienen un electr n con espn e o opuesto. Los nuevos pares formados se disocian en los centros conduciendo a la misma poblaci n de electrones con espn y espn de centros paramagn ticos. Por el contrario o e cuando la muestra se ilumina con luz circularmente polarizada, el 75% de los electrones 3

fotogenerados tiene espn y el 25% restante tienen polarizaci n de espn , seg n las o u reglas de selecci n en el GaAs (?, ?). As, la mayora de los procesos que ocurren en el o canal de la SDR, corresponden, bajo excitaci n circularmente polarizada, a una r pida reo a combinaci n de los electrones de conducci n con espn con las trampas paramagn ticas o o e con espn , conduci ndolos a los centro paramagn ticos no apareados. Despu s de unos e e e pocos ciclos la poblaci n de trampas con espn ser considerablemente menor. Esto tiene o a un efecto de doble ltro de espn: primero los electrones fotogenerados con espn no se recombinan y segundo los electrones que experimentan un cambio en la orientaci n del o espn son r pidamente removidos de la banda de conducci n por las trampas debido a la a o alta disponibilidad de centros. Sin embargo la minora de los centros con espn pueden ecientemente atrapar un electr n con espn incrementando la polarizaci n de espn de o o los centros. En esta etapa el canal de SDR esta casi cerrado y la recombinaci n electroneso hueco de la banda a la banda de transici n optica se vuelve m s probable, produciendo un o a incremento en la fotoluminiscencia. Debido a la gran poblaci n presente en la banda de o conducci n se espera una mayor fotoconductividad bajo polarizaci n circular comparado o o al caso en que la excitaci n es luz linealmente polarizada. o

1.2.2. Orientaci n Optica del espn o En un semiconductor los electrones y los huecos fotoexcitados con espn polarizado existen por un tiempo antes de recombinarse. Si una fraccin de la orientaci n inicial de o los portadores sobrevive m s tiempo que el tiempo de recombinaci n, esto es si < s , a o donde s es el tiempo de relajaci n del espn, la luminiscencia se polarizar parcialmente. o a Midiendo la polarizaci n circular de la fotoluminiscencia es posible estudiar la din mica o a del espn de los portadores fuera del equilibrio en semiconductores (Oestrich et al., 2002) y as obtener cantidades tales como el tiempo de recombinaci n o el tiempo de relajaci n o o del espn de los portadores (?, ?, ?, ?, ?). 4

1.3. Contenido En el presente trabajo se estudia la din mica del espn en Arseniuro de Galio con a impurezas de Nitr geno, incluyendo t rminos de difusi n al modelo propuesto en (?, ?). o e o Se analizan mediante la resoluci n num rica del sistema de ecuaciones diferenciales, los o e efectos que tiene la inclusi n de corrientes de difusi n en la polarizaci n del espn, tanto en o o o electrones como en huecos. En el capitulo 2 se explica como es que se obtiene el modelo utilizado para estudiar la din mica del espn en GaAsN, tambi n aqu se explica el m todo a e e utilizado para resolver el modelo en forma num rica. En el captulo 3 se analizan los e resultados obtenidos al incluir los t rminos de difusi n al modelo, entre estos resultados e o est n la curva de potencia y el efecto Hanle. Por ultimo se rescatan los aspectos m s a a relevantes de los resultados obtenidos.

2. MODELO

2.1. Breve resena hist rica o Las primeras evidencias sobre recombinaci n dependiente del espn fueron descubiero tos por Lepine (?, ?) a inicios de la d cada de los 70s. La explicaci n original dada por e o Lepine es un modelo simple de polarizaci n t rmica que asume que cualquier exceso de o e electrones libres en el sistema se recombina en un tiempo dado. Este modelo deca que el cambio en la recombinaci n es directamente proporcional al cuadrado del cociente del o campo magn tico y la temperatura. Predicci n que fue r pidamente refutada por datos exe o a perimentales. Para 1978 Kaplan, Solomon and Mott (?, ?) desarrollaron otro modelo de la recombinaci n dependiente del espn. Las propiedades cualitativas propuestas son similares a las o del modelo de Lepine. Se asume que no existe acoplamiento entre los portadores de carga y cualquier otro espn o defecto contenido en el material. La dependencia del espn se baso unicamente en la conservaci n del espn, consecuencia del d bil acoplamiento espn-orbita. o e La diferencia fundamental con el modelo de Lepine fue la existencia de pares intermedios de los portadores de carga, entre los cuales la recombinaci n entre pares compa eros es o n posible. En otras palabras, un electr n atrapado puede recombinarse s lo con un defecto o o lo sucientemente cercano a el y cuando el estado del espn del par de electrones contiene un singulete. Por lo tanto antes de que la recombinaci n con otros defectos sea posible, o el electr n tiene que desplazarse a otra localizaci n. Este proceso es descrito por la disoo o ciaci n de pares y la generaci n de pares. El surgimiento de este modelo marc un gran o o o avance en el entendimiento de la recombinaci n dependiente del espn. Su simplicidad y o generalidad hicieron posible su aplicaci n al entendimiento de la SDR en sistemas y mateo riales diversos. En 1980, Movaghra et al. (?, ?), propuso un modelo de pares de espn en el cual se intro dujo una probabilidad nita de recombinaciones de tripletes. Esto implica que los cambios de la recombinaci n dependiente del espn , conduzcan a la extinci n de la recombinaci n o o o y de ah se genere un incremento en la fotocorriente. 6

Para el 2005 Kalevich et al., proponen un modelo que explica el SDR en GaAsN, este modelo se basa en el propuesto por Weisbuch et al., de acuerdo a esta teora cada centro paramagn tico puede atrapar, ya sea a un electr n con espn descompensado 1/2 o dos e o electrones en estado singulete con espn total cero. En el caso de excitaci n normal con o luz circularmente polarizada los espines de los electrones se orientan en la direcci n de la o excitaci n (?, ?). En este modelo el mecanismo de recombinaci n entre bandas es despreo o ciado. Aunque la parte m s importante del efecto SDR, como una larga conducci n del a o tiempo de vida efectivo del espn del electr n, es descrita adecuadamente, falla al repro o ducir la dependencia en la potencia de la raz n de SDR. o 2.2. Modelo Cin tico e Para estudiar el GaAsN empezaremos con el modelo de Kavelich que describe un modelo de ecuaciones cin ticas que engloban la esencia del efecto SDR. Las ecuaciones e son: n n n e n N + G , = t 2s p = h N2 p + G, t N N N 1 = e n N + h pN2 , t 2s c 2 N2 = e (n+ N + n N+ ) h pN2 . t

(2.1)

(2.2)

(2.3)

(2.4)

Los subndices + y representan los electrones con espn polarizado con proyecciones de espn + /2 y /2, respectivamente a lo largo del eje de la luz incidente, n+ es el n mero de electrones de la banda de conducci n con espn con espn (arriba), mientras u o que n son los electrones con espn (abajo). El n mero total de electrones est dado por u a n = n+ + n . De manera similar N+ y N son el n mero de trampas paramagn ticas u e 7

con espines y . El n mero total de trampas paramagn ticas no apareadas es N1 = u e N+ + N y N2 es el n mero total de electrones en singuletes hospedados por las trampas u paramagn ticas. Los huecos (p) se consideran despolarizados, debido a que su tiempo de e relajaci n es menor a 1ps a temperatura ambiente. o Las ecuaciones (2.1)-(2.4) aseguran la conservaci n de la neutralidad de la carga y del o n mero de centros: u

n p + N2 = 0,

(2.5)

N1 + N2 = N.

(2.6)

Los t rminos de la forma e n N son responsables de la captura de electrones lie bres dependiente del espn en centros paramagn ticos con velocidad de recombinaci n e , e o mientras que los t rminos h pN2 modelan la recombinaci n independiente del espn de un e o electr n del centro paramagn tico en un singulete con un hueco, siendo la densidad total de o e centros paramagn ticos N = N+ + N + N2 . Los t rminos anteriores garantizan que los e e electrones de la banda de conducci n solo ser n atrapados por centros cuando los espines o a de estos sean antiparalelos, cumpliendo as con el Principio de exclusi n de Pauli. o La fotogeneraci n de electrones est dada por los t rminos G+ y G , para los huecos se o a e representa por G = G+ + G . A pesar de que el modelo anterior describe adecuadamente la parte m s importante de la a SDR, falla al contrastar sus predicciones con algunos datos experimentales (?, ?, ?), pues el modelo no considera la competencia entre los canales de SDR y no-SDR. Este mecanismo tiene una contribuci n no lineal, que juega un rol importante para potencias altas de exo citaci n. Introduciendo los t rminos de dicho efecto al conjunto de ecuaciones anteriores o e obtenemos n n n = e n N a n (Ni N3 ) + G , t 2s

(2.7)

p = h N2 p b pN3 + G, t N N N 1 = e n N + h pN2 , t 2s c 2 N2 = e (n+ N + n N+ ) h pN2 , t N3 = a (Ni N3 )n b pN3 , t

(2.8)

(2.9)

(2.10)

(2.11)

donde Ni es el n mero total de centros no paramagn ticos y N3 es el n mero de centros u e u paramagn ticos ocupados, a es la velocidad de la recombinaci n entre lo electrones lie o bres de la banda de conducci n con los centros no paramagn ticos y b es la velocidad de o e recombinaci n de los centros no paramagn ticos a la banda de conducci n. Sin embargo o e o este modelo no considera los efectos producidos por un campo magn tico que puede ser de e gran inter s experimental. e Con el n de incluir estos efectos se incluye la contribuci n coherente para la evoluci n del o o espn total, dS = S, dt

(2.12)

que da como resultado la precesi n del espn alrededor del campo magn tico. La como e ponente del espn a lo largo de la direcci n de la propagaci n de la luz incidente esta o o relacionadas al n mero de electrones con espn y espn en unidades de u por Sz =

(n+ n )/2 (?, ?). En la ecuaci n anterior = gB B, donde g es el factor giroo magn tico del electr n libre, B es el magnet n de Bohr y B es el campo magn tico. Es e o o e posible obtener una relaci n similar para los electrones atrapados, o dSc = Sc , dt

(2.13)

donde = gc b B con gc el factor giromagn tico de los electrones atrapados, siendo e Szc = (N+ N )/2 la componente del espn a lo largo del eje z. Restando la ecuaci n (2.7) para espn a la misma ecuaci n pero con espn , haciendo o o uso de la siguiente identidad 1 n+ N + n N+ = (nN1 4Sz Sz c), 2 y agregando el t rmino de precesi n del espn es posible obtener e o 1 G+ G dSz e + (nN1 4Sz Sz c) + Sz + (Sz )z . = dt 2 s 2

(2.14)

(2.15)

Siguiendo un procedimiento similar para las variables de los centros paramagn ticos, e llegamos al siguiente conjunto de ecuaciones cin ticas para las variables de espn y para e los electrones libres de la banda de conducci n y los electrones atrapados, o a 1 e S + (SN1 Sc n) + Sc (Ni N3 ) + S + S = Gs , 2 2 s e 1 Sc + (Sc n SN1 ) + Sc + Sc = 0, 2 s c e (nN1 4S Sc ) + a n(Ni N3 ) = G, 2

(2.16)

(2.17)

n+

(2.18)

p + h N2 p b pN3 = G,

(2.19)

e N1 + (nN1 4S Sc ) h N2 p = 0, 2 e N2 (nN1 4S Sc ) + h N2 p = 0, 2

(2.20)

(2.21)

10

 N3 = a (Ni N3 )n b pN3 , donde Gs = (G+ G )k/2.

(2.22)

En un medio isotr pico las tres ecuaciones din micas de las componentes del espn deben o a ser invariantes bajo rotaciones. De aqu es posible reemplazar nN1 4Sz Sz c por nN1 4S Sc , haciendo que la velocidad de recombinaci n de los electrones a los centros parao magn ticos se incremente cuando S y Sc son antiparalelos, mientras que pr cticamente se e a anula cuando son paralelos, como se espera del principio de exclusi n de Pauli, necesario o para formar un estado de singulete. Los t rminos anteriores describen la generaci n, pero falta incluir los t rminos de transe o e porte. Con este n se asume que la densidad de corriente de huecos y electrones se deben a la deriva y a la difusi n. Para este caso n y p son las densidades locales de electrones o y huecos en una dimensi n, por lo tanto, n n (x, t) y p p(x, t). Similarmente el o n mero de impurezas paramagn ticas puede ser reemplazado por la densidad local de imu e purezas N N (x, t) y N2 N2 (x, t). S S(x, t) y Sc Sc (x, t) son las densidades de espn de los electrones y los huecos, respectivamente. La densidad de corriente de deriva para los electrones es Jn = J+ + J , donde J = e En +
n . x p , x

Para los huecos la densidad de corriente de deriva es Jp = h Ep +

donde e y h son las movilidades de los electrones y los huecos, respectivamente. Tambi n e deben ser incluidos los t rminos de densidad de corriente de espn. De acuerdo a Dyakonov e et al. (?, ?), el tensor de la densidad de corriente de polarizaci n de espn, despreciando la o peque a contribuci n del espn de orbita, esta dada por n o x

Js = e E + D

S,

(2.23)

donde D es el coeciente de difusi n. Reuniendo todos los t rminos obtenemos el siguiente o e conjunto de ecuaciones,

11

a 1 S e + (SN1 + Sc n) + S(Ni N3 ) + S + S = G, S + e E x 2 2 s e 1 Sc + (Sc n SN1 ) + S + S = 0, 2 s c

(2.24)

(2.25)

2 n n n + e E D 2 x x

e (nN1 4S Sc ) + a n(Ni N3 ) = G, 2

(2.26)

p + h E

D 2 p p x2 x

+ h N2 p + b pN3 = G,

(2.27)

e N1 + (nN1 4S Sc ) h N2 p = 0, 2 e N2 (nN1 4S Sc ) + h N2 p = 0, 2

(2.28)

(2.29)

N3 a (Ni N3 )n b pN3 = 0.

(2.30)

Este modelo incluye efectos producidos por las corrientes de espn de deriva y de difusi n. Tambi n considera los efectos de los campos el ctrico y magn tico, ambos cono e e e stantes y uniformes. Este modelo ser resuelto num ricamente, que es el objetivo principal a e de este trabajo.

2.3. Resoluci n num rica del modelo cin tico o e e Las ecuaciones (2.24) a (2.30) fueron resueltas utilizando el m todo de Runge-Kutta e de orden cuatro. Como condiciones iniciales el n mero de trampas paramagn ticas con u e espn y fue de N/2, mientras que las dem s variables se colocaron en cero. En el caso a 12

de las ecuaciones de transporte, los t rminos de generaci n de portadores fueron establecie o dos a trav s de condiciones de frontera para un voltaje e intensidad de corriente jos. Se e impusieron condiciones de frontera en ambos lados de la muestra para electrones y huecos. Adem s debido a que en el modelo anterior los t rminos de difusi n contribuyen con a e o derivadas de segundo orden fue necesario establecer dos condiciones de frontera tanto para los huecos y los electrones, como para la polarizaci n del espn de los electrones libres y de o los capturados. Para discretizar el espacio se utilizaron diferencias hacia adelante y hacia atr s para los electrones y los huecos, respectivamente. Las dos condiciones iniciales para a S y Sc fueron cero. Para los electrones se supuso que su concentraci n era constante dos o posiciones antes del inicio de la muestra y para los huecos se supuso lo mismo pero para dos posiciones despu s del n de la muestra. Debido a que la movilidad es muy pequea, e es posible despreciar sus efectos en una primera aproximaci n y resolver el sistema resulo tante por medio del m todo de Runge-Kutta de orden cuatro. Los resultados obtenidos de e esta aproximaci n se utilizan para resolver el sistema completo, es decir, con los t rminos o e de deriva y de difusi n, por medio del m todo iterativo de Gauss-Seidel. Los par metros o e a utilizados para resolver ambos m todos se muestran en la tabla 2.1. e La excitaci n utilizada consiste de un pulso gaussiano que espacialmente tambin tiene pero l gaussiano con un ancho de 2 m.
TABLE 2.1. Valor de los parmetros utilizados para resolver num ricamente el e modelo cin tico. e

Par metro a s sc h e a b e h D E

Valor 650 [ps] 3500 [ps] 114.28 103 [cm3 /s] 114.28 103 [cm3 /s] 114.28 103 [cm3 /s] 114.28 103 [cm3 /s] 2 108 [cm2 /sV ] 2 108 [cm2 /sV ] 1.34 1010 1V /m

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3. RESULTADOS Y CONCLUSIONES

Para comprobar los resultados obtenidos del modelo comparamos la tasa de recombinaci n dependiente del espn SDRr en funci n de la potencia del l ser incidente y un o o a campo magn tico en la conguraci n de Voigt con resultados experimentales. La SDRr e o se dene como SDRr = (np)+ I+ = , I (np)X (3.1)

donde I+ (np)+ y IX (np)X son la fotoluminiscencia bajo luz circularmente polarizada y luz linealmente polarizada, respectivamente.

3.1. Curva de potencia En la gura 3.1 se muestra la SDRr de la fotoluminiscencia como una funci n de la o potencia P bajo la excitaci n de un l ser gaussiano. La lnea en azul muestra la curva o a de potencia sin campo magn tico, en la lnea roja se muestra el efecto producido por un e
1.5 1.45 Fotoluminiscencia SDRr (%) 1.4 1.35 1.3 1.25 1.2 1.15 1.1 1.05 1 0 20 40 60 P (mW ) 80 100 120

F IGURE 3.1. Fotocorriente SDRr vs Potencia del l ser P para diferentes valores a del campo magn tico. La lnea azul es para un campo magn tico transversal de e e 0 T , mientras que la lnea rojo es para 1 T .

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campo magn tico de 1 T en la conguracin de Voigt. Los clculos mostrados coinciden e notablemente con resultados experimentales obtenidos de GaAsN(?, ?). Para P = 15mW se encuentra la SDRr m xima. Para potencias m s altas puede notarse una disminuci n a a o considerable de la SDRr debido a la activaci n de las trampas no paramagn ticas que como e piten con las trampas paramagn ticas a altas concentraciones de electrones en la banda de e conducci n. En esta gura tambi n puede observarse la despolarizaci n de los portadores o e o de carga ante la presencia de un campo magn tico perpendicular a la direcci n de incidene o cia de la luz. Con el n de lograr una mejor comprensi n del fen meno tambi n se estudi el efecto o o e Hanle, es decir, la despolarizaci n de los electrones en presencia de un campo magn tico o e B en la conguraci n de Voigt y la consecuente extinci n de la tasa de SDR. Para valores o o del campo magn tico distintos de cero se observa un decrecimiento progresivo en la SDRr , e como se observa en la gura 3.1. A medida que el campo magn tico transversal se incree menta el espn originalmente polarizado de los electrones de la banda de conducci n y de o los electrones atrapados inicia un movimiento de precesi n alrededor del campo magn tico. o e Las velocidades de precesi n de los electrones de la banda de conduccin y de las trampas o dieren a causa de los distintos factores g. As, la recombinaci n a trav s de los centros o e paramagn ticos se dispara debido al desfasamiento inducido entre el espn de los electrones e de la banda de conducci n y los electrones atrapados. o

3.2. Efecto Hanle En la gura 3.2 se presenta la variaci n de la SDRr como funci n de un campo o o magn tico externo bajo excitaci n de un l ser gaussiano con una potencia de 15m W para e o a la lnea verde y de 1 mW para la lnea roja. Aqu se observa una marcada disminuci n de o la SDRr de la fotoluminiscencia que es descrita por una curva Lorentziana. Este comportamiento ha sido tambin observado en diversos experimentos (?, ?, ?) Para excitaci n de baja potencia el ancho de la Lorentziana es controlado por el tiempo de o vida del espn del electr n (largo) localizado, mientras que la Lorentziana m s grande a o a 15

150 145 140 135 SDRr (%) 130 125 120 115 110 105 100 0 0.5 1 B (mT ) 1.5 2

F IGURE 3.2. Curva de Hanle. Fotoluminiscencia SDRr vs campo magn tico B. e La lnea verde corresponde al calculo hecho para una potencia de 15 mW (SDRr mxima), mientras que la roja corresponde a una potencia de 1 mW (SDRr baja).

altas potencias de excitaci n corresponde al tiempo de vida del espn del electr n libre (?, o o ?).

3.3. Difusi n de la Polarizaci n del Espn o o En la guras 3.3 y 3.4 se muestra la desviaci n est ndar de la posici n pesada por o a o la polarizaci n del espn de los electrones y por la concentraci n de los electrones en los o o regmenes de alta y baja SDRr . La desviaci n est ndar de la posici n pesada por la polar o a o izaci n se dene como o xS = dtdxSz (x, t) (x x)2 , dtdxSz (x, t) (3.2)

y por la concentraci n de los electrones como o xn = dtdxn (x, t) (x x)2 . dtdxn (x, t) (3.3) 16

81 80.5 80 x (unidades arb.) 79.5 79 78.5 78 77.5 77 76.5 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 t (unidades arb.)

F IGURE 3.3. Desviaci n est ndar para la polarizaci n del espn de los electrones o a o (lnea roja) y los electrones (lnea verde). Este gr co corresponde al r gimen de a e alto SDRr .

Estas cantidades proporcionan informaci n sobre el tiempo de vida y la longitud de propao gaci n de la polarizaci n del espn. La primera mide la longitud de propagaci n de la o o o polarizaci n del espn de los electrones mientras que la segunda mide directamente la lono gitud de propagaci n de los electrones. En la gura 3.3 muestra el comportamiento de xS o (rojo) y xn (verde) en el r gimen de alta SDRr para P = 15mW . En esta gura puede e observarse que ambas cantidades son muy parecidas. Es de esperarse que tanto la polarizaci n del espn como los electrones se propaguen la misma distancia ya que la mayora o de los centros paramagn ticos tienen el espn polarizado, impidiendo que los electrones de e la banda de conducci n puedan recombinarse. Estos se recombinan en un tiempo medio o dado por s y por lo tanto la polarizaci n y los electrones se pierden simult neamente. o a Para el r gimen de bajo SDRr se observa un comportamiento totalmente distinto, la e polarizaci n del espn se propaga una mayor distancia que los electrones. Esto ocurre o ya que en baja SDRr las trampas est n despolarizadas y los electrones se recombinan a r pidamente (aproximadamente en 1ps) debido a la gran disponibilidad de centros. Por a 17

89.2 89 88.8 x (unidades arb.) 88.6 88.4 88.2 88 87.8 87.6 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 t (unidades arb.)

F IGURE 3.4. Desviaci n est ndar de la polarizaci n del espn de los electrones o a o (lnea azul) y de los electrones (lnea violeta) en el r gimen de bajo SDRr . e

otro lado, la polarizaci n del espn dura aproximadamente 100ps lo que permite que esta o se propague una mayor distancia. Este comportamiento es mostrado en la gura 3.4 que muestra xS en la lnea de color azul, mientras que xn se presenta en la lnea color violeta. 3.4. Conclusiones Hemos obtenido un modelo que combina ecuaciones cin ticas y t rminos de corrientes e e de deriva y difusi n para modelar la recombinaci n dependiente del espn en GaAsN. Este o o modelo reproduce notablemente bien el comportamiento experimental previamente observado en las curvas de potencia y de efecto Hanle. El modelo incluye t rminos de recombie naci n dependiente del espn en trampas paramagn ticas y t rminos de recombinaci n en o e e o trampas no paramagn ticas. e En el dise o de dispositivos espintr nicos es necesario tener informaci n de la propan o o gaci n de la polarizaci n del espn y de los electrones, pues las longitudes de propagaci n o o o permiten determinar factores como la longitud m xima de de ciertos dispositivos, a n de a 18

que se mantenga la polarizaci n del espn. Tal informaci n puede ser obtenida a partir de o o las variables xS y xn . En el trabajo anterior se ha observado que la difusi n tiene dos comportamientos rado icalmente diferentes en el r gimen de baja y alta SDRr . Esta diferencia puede explicarse e en t rminos de los diferentes tiempos de vida de los electrones en la banda de conducci n y e o la polarizaci n de su espn. En el r gimen de alta potencia (15mW ) el mecanismo de SDR o e polariza din micamente el espn de las trampas paramagn ticas evitando que los electrones a e con espn paralelo al de las trampas se recombinen, observ ndose as una mayor propa a gaci n de los electrones y su polarizaci n de espn. Adems, estas dos son pr cticamente o o a iguales ya que la recombinacin de los electrones y la relajaci n del espn ocurren al mismo o tiempo. Por otro lado, a bajas potencias (1mW ), las trampas est n mayormente despoa larizadas y los electrones tienen una alta disponibilidad de centros para la recombinaci n, o reduciendo as su tiempo de vida en la banda de conducci n (1ps) y consecuentemente su o propagaci n. La polarizaci n en cambio mantiene un tiempo de relajaci n de 100ps que o o o dan lugar a una mayor propagaci n. o

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