TEMA 1: MATERIALES SEMICONDUCTORES

1.1.- Introduccin 1.2.- Semiconductores en equilibrio 1.3.- Corrientes en los semiconductores 1.4.- Generacin y recombinacin de portadores

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1.1.- Introduccin La tecnologa electrnica actual est basada principalmente en el silicio (Si). Red cristalina del Si: celda unitaria ti di ld it i tipo diamante. t
Densidad del Si: (8 tomos de Si/celda) a3 ~ 5x1022 tomos de Si/cm3

Modelo de Bohr del tomo de Si:

4 Primer nivel 2 electrones (lleno) Segundo nivel 8 electrones (lleno) Tercer nivel 4 electrones (semilleno - 4 libres)

a= 5.43

Capas internas

+14

Para el Si: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Capa: n=4
4f 4d 4p 3d 4s 3p 3s 2p 2s 1s

Ncleo

Capa externa (capa de valencia)

n=3

n=2 n=1

CORE: +4

Energa

El corazn del tomo de Si lo forman el ncleo y el primer y segundo niveles llenos (tiene una carga +4, que es balanceada por los cuatro electrones de la capa de valencia).

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1.1.- Introduccin EL MODELO DE ENLACE: ENLACE COVALENTE
Enlace covalente: un electrn (e-) de cada nivel de valencia orbita en el nivel permitido de ambos. Un tomo d Si f U de forma enlaces covalentes l l - mas porque trata de conseguir cuatro e para completar el ltimo sub-nivel (valencia) que lleva 8 e-. Para ello, el tomo comparte sus e- de valencia con otros cuatro tomos vecinos en el cristal de Si.
+4

CORE: +4

CORE: +4

+4

+4

+4

+4

Representacin idealizada del semiconductor (Si):

Cada crculo representa el corazn de un tomo del semiconductor (Si) y los arcos y guiones representan l e- d valencia i t los de l i compartidos. Hay ocho arcos conectados a cada tomo porque cualquier tomo dado no solamente contribuye con cuatro ecompartidos sino que tambin debe aceptar cuatro e- compartidos de tomos adyacentes.
Ncleo inico que consta del ncleo y los electrones interiores Electrones en enlaces covalentes

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1.1.- Introduccin
DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGA:

TEORA DE BANDAS DE ENERGA EN LOS CRISTALES

Energa Estados ocupados

E
BANDA DE CONDUCCIN

BANDA DE CONDUCCIN

4N estados 0 electrones

Estados sin ocupar

Ec
BANDA PROHIBIDA

Ec EG Ev
BANDA PROHIBIDA

6N estados 2N electrones 0 estados

TOMO AISLADO

capa de valencia
2N estados 2N electrones

3p 3s

6N estados 2N p electrones 2N estados 2N s electrones

EG Ev
BANDA DE VALENCIA BANDA DE VALENCIA

4N estados 4N electrones

Los niveles de energa en los tomos aislados dan lugar a bandas de energa en los cristales:
La banda superior se llama banda de conduccin (B.C.). La banda inferior se llama banda de valencia (B.V.). Se forma una banda prohibida o gap entre las dos anteriores (la anchura del gap depende del parmetro de red, de la temperatura,...). A la temperatura de cero absoluto (0K), los e- ocupan los niveles inferiores (B.V. llena, B.C. vaca).

x4

x3 x2

x1

Espaciado relativo entre t t tomos

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1.1.- Introduccin CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES SEGN LA ESTRUCTURA DE BANDAS
La anchura de la banda prohibida determina las caractersticas de conduccin de los materiales.

AISLANTE Mal conductor de la electricidad B.V. y B.C muy separadas (EG > 5 eV) B.V. llena B.C. vaca Banda prohibida sin estados

SEMICONDUCTOR Conductor mediano de la electricidad B.V. y B.C separadas (EG ~ 1 eV) B.V. llena a 0K B.C. vaca a 0K Banda prohibida sin estados

METAL (CONDUCTOR) Buen conductor de la electricidad B.V. y B.C. solapan No existe banda prohibida

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1.2.- Semiconductores en equilibrio SILICIO INTRNSECO (Si puro)
Ncleo inico que consta del ncleo y los electrones interiores Electrones en enlaces covalentes

A temperatura ambiente algunos e- son libres para moverse por el cristal.

Enlace roto

Electrn de valencia Electrn libre

Conduccin por huecos.

Hueco: espacio dejado por un e-. Estado vaco (hueco) El hueco posee carga positiva (h+), la misma que el e-. Tanto los h+ como los e- libres, denominados portadores, pueden contribuir a la corriente. Incremento - de valencia (en enlaces covalentes) no Los e en el tiempo contribuyen a la corriente.
Electrones en enlaces covalentes

Si intrnseco: n e- libres (ni) = n h+ (pi) ni = pi

Corriente de huecos

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1.2.- Semiconductores en equilibrio SILICIO EXTRNSECO
Aadiendo impurezas (otros tipos de tomos) al Si se pueden modificar sus propiedades y conseguir un nmero de portadores libres (tanto electrones como huecos) mucho mayor. El Si impurificado se denomina extrnseco extrnseco.

Si tipo n
Se aaden impurezas (llamadas donantes) con cinco electrones de valencia. El quinto electrn queda como electrn libre. Se aumenta as la concentracin de electrones libres (n). Electrones: portadores mayoritarios. Huecos: portadores minoritarios.
EC ED
+ + + + +

electrones (no g generan huecos) ) estados localizados (cargas fijas)

EV

T0K

T = 100 K 00

T = 300 K Ionizacin completa

Electrn de valencia extra del tomo d l t donante

Los tomos donantes que ceden su electrn quedan ionizados (cargados positivamente). Carga neta del material es cero: g n = p + ND ND=concentracin de impurezas donantes ionizadas.

tomo donante

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1.2.- Semiconductores en equilibrio

Si tipo p
Se aaden impurezas (llamadas aceptadoras) con tres electrones de valencia. El enlace incompleto es ocupado por un electrn de un tomo de Si, generndose un hueco. Se aumenta as la concentracin de huecos (p). Electrones: portadores minoritarios. Huecos: portadores mayoritarios mayoritarios.
Ionizacin completa T = 300 K T = 100 K

EC

T0K

EA EV

estados localizados (cargas fijas) huecos (no generan electrones)

tomo aceptor

Los tomos aceptadores que aceptan un electrn quedan ionizados (cargados negativamente). Carga neta del material es cero: NA + n = p NA =concentracin de impurezas aceptadoras ionizadas.

Enlace vacante que se llena a la temperatura de funcionamiento

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1.2.- Semiconductores en equilibrio

LEY DE ACCIN DE MASAS

El producto de la concentracin de huecos por la concentracin de electrones libres es constante a una temperatura d d ( equilibrio t i ) t t dada (en ilib i trmico): pn = pini pn = ni2 siendo ni y pi la concentracin de electrones libres y huecos en el material intrnseco. ni (GaAs) 2 x 1016 cm-3 ni (Si) 1 x 1010 cm-3 ni (Ge) 2 x 1013 cm-3
Dependencia de la concentracin de portadores con la temperatura:

A temperatura ambiente (300K):

Materiales con ambos tipos de impurezas:

Ecuacin de neutralidad de la carga: Materiales tipo n: NA <<< ND p << n n ND p ni2/ND n + NA= p + ND

n/ND
Regin extrnseca g ionizacin completa

Materiales tipo p: ND <<< NA n << p p NA n ni2/NA

Regin intrnseca

(Suponiendo en ambos casos T~300K ionizacin completa)

T(K)

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1.3.- Corrientes en los semiconductores

CORRIENTE DE ARRASTRE (DRIFT CURRENT)

El arrastre o deriva se define como el movimiento de una partcula cargada en respuesta a un campo elctrico (E). g p p ( ) Cuando se aplica un campo elctrico en un semiconductor, la fuerza resultante sobre los portadores tiende a acelerar a los huecos en el sentido del campo y a los electrones en sentido contrario. D bid a l colisiones con l red cristalina (t Debido las li i la d i t li (tomos d l red agitados de la d it d trmicamente y tomos de impurezas ionizadas) la aceleracin de los portadores se ve interrumpida. Resultado neto: un movimiento de portadores con sucesivos perodos de aceleracin y desaceleracin p choque. por q Desde un punto de vista macroscpico el movimiento neto de cada tipo de portador puede ser descrito en trminos de una velocidad promedio de arrastre o de deriva, vd, constante. Teniendo en cuenta que para valores pequeos y moderados del campo elctrico la velocidad de arrastre de los electrones y de los huecos es proporcional al campo elctrico: Huecos: vp = pE Electrones: vn = - nE (p movilidad de los huecos) ) (n movilidad de los electrones)

Para el Si a 300 K: p = 475 cm2/Vs y n = 1500 cm2/Vs

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1.3.- Corrientes en los semiconductores Deduccin de la expresin de la corriente de arrastre:
Vamos a suponer una barra de material semiconductor tipo P de rea de seccin transversal A, y vp perpendicular al plano transversal de la figura (tomado arbitrariamente): vpt los huecos que se encuentren a esta distancia del plano transversal cruzarn dicho plano en un tiempo t. Avpt los huecos contenidos en el volumen Avp cruzarn el plano en un tiempo t t. pAvpt nmero de huecos que cruzarn el plano en un tiempo t. qpAvpt carga que cruzar el plano en un tiempo t.
*Razonamiento similar para electrones

qpAvp carga que cruzar el plano por unidad de tiempo CORRIENTE DE ARRASTRE DE HUECOS (IP drift).

Normalmente se trabaja con densidades de corrientes (J=I/rea): JP drift = qpvp JN d ift = -qnvn qnv drift Sustituyendo las expresiones de la velocidad de arrastre, se obtiene la expresin de la densidad de corriente de arrastre para huecos (JP drift) y electrones (JN drift), y la total (JT drift):

JP drift = qppE JN dirift = qnnE

JT drift = JP drift + JN dirift = q (pp + nn) E

La corriente de arrastre es proporcional a la intensidad del campo elctrico.

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1.3.- Corrientes en los semiconductores

CORRIENTE DE DIFUSIN
La difusin es un fenmeno por el cual las partculas tienden a redistribuirse como resultado de su movimiento aleatorio de agitacin trmica que las hace recorrer todo el recinto que las encierra. Despus de un choque cada partcula tiene la misma probabilidad de dirigirse en cualquier direccin lo que hace direccin, que exista un flujo neto de partculas de las regiones ms pobladas a las menos pobladas que tiende a homogeneizar su concentracin. Es decir, la difusin se produce siempre que existan variaciones espaciales (gradientes) de la concentracin de partculas libres y no tiene nada que ver con el hecho de que estas partculas estn cargadas o no.

p
Concentracin de equilibrio

En t=0 se genera un exceso de huecos (minoritarios) en un material tipo N por iluminacin. Con el tiempo, la concentracin de huecos se dispersa debido a la difusin. En t= la concentracin de huecos vuelve a su valor de equilibrio (t<0) (debido a difusin y recombinacin).

Ahora bien, si las partculas tienen carga entonces los flujos por difusin transportan carga bien carga, elctrica y constituyen, por tanto, corrientes elctricas. Dentro de los semiconductores, las partculas mviles (electrones y huecos) estn cargadas, por lo que la difusin de portadores da lugar a corrientes de difusin:

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1.3.- Corrientes en los semiconductores Deduccin de la expresin de la corriente de difusin:
Para que exista corriente de difusin debe haber un gradiente de portadores (n, p). Cuanto mayor sea el gradiente de concentracin mayores sern el flujo de portadores y las corrientes concentracin, de difusin asociadas. Por tanto, las corrientes que provienen de la difusin de portadores son directamente proporcionales a los gradientes de concentracin de portadores: Densidad de corriente de difusin para huecos (JP diff) y electrones (JN diff):

JP diff = - qDPp JN diff = qDNn q

Las constantes de proporcionalidad DP y DN (cm2/s) se denominan coeficientes de difusin para h+ y e-.

CORRIENTES TOTALES DE PORTADORES

JP = qppE JN = q nnE q
ARRASTRE

qDPp + qDNn
DIFUSIN

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1.1.- Introduccin 1.2.- Semiconductores en equilibrio 1.3.- Corrientes en los semiconductores 1.4.- Generacin y recombinacin de portadores

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1.4.- Generacin y recombinacin de portadores
GENERACIN: proceso por el cual se crean pares electrn libre-hueco. RECOMBINACIN: proceso por el cual los electrones y los huecos son destruidos o aniquilados. q
En trminos de la teora de bandas de energa: Generacin de un par e- - h+ Una generacin supone la transicin de un e- desde la B.V. a la B.C. (para lo cual ser necesario suministrar una energa EG). Una recombinacin supone la transicin contraria (proceso por el cual se liberar una energa EG).

Recombinacin de un par e- - h+

MECANISMOS DE GENERACIN
La agitacin trmica o la radiacin externa p g pueden dar lugar a la ruptura de un enlace covalente g p generndose un par e- - h+ (un electrn libre y un hueco).

Fotogeneracin
Luz Luz EC EV

Generacin trmica directa

Calor Calor EC EV

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1.4.- Generacin y recombinacin de portadores MECANISMOS DE RECOMBINACIN
Cuando mediante agitacin trmica un electrn libre encuentra un hueco ambos se recombinan formando un enlace covalente desapareciendo el par e- - h+. covalente,

Recombinacin trmica directa

Calor Calor EV EC

MECANISMOS DE GENERACIN-RECOMBINACIN TRMICOS INDIRECTOS

La presencia de determinadas impurezas o defectos en el material aporta centros de G-R o trampas.

EC ET EV
Recombinacin Generacin

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1.4.- Generacin y recombinacin de portadores
La generacin trmica depende del semiconductor y de la temperatura, mientras que la recombinacin trmica depende del semiconductor, de la temperatura y de la concentracin de portadores existente (ya que depender tambin de la probabilidad de encuentro de un e- con un h+). Los procesos de generacin-recombinacin (G-R) trmica nunca finalizan: en condiciones de generacin recombinacin (G R) nunca finalizan : equilibrio el nmero de generaciones y recombinaciones es el mismo, y no hay cambio neto en la concentracin de portadores. Cuanto mayor es la temperatura este equilibrio se corresponde con una mayor concentracin de portadores libres. Por tanto, la conductividad de un semiconductor intrnseco aumenta con la temperatura. El nmero de portadores libres ( i) est relacionado con l anchura d l gap (EG) y por t t vara de d t d lib (n t l i d la h del ), tanto d un material a otro.

En Si intrnseco el nmero de portadores libres es muy reducido p y ni = pi 1,451010 cm -3 T(25 C)