UNIVERSIT DE HASSIBA BEN BOUALI CHLEF FACULT DES SCIENCES ET SCIENCES DE LINGNIEUR

Modlisation lectrique dune photodiode PIN

Prpare par:

BAHI AHMED BENYAHIA AHMED

Plan de travail
1
2
Introduction Principe de photodtection Diffrentes photodiodes PIN Caractristiques Calcul de photocourant Simulation Conclusion & Perspective

3
4

5 6
7

Introduction Introduction

principe

types

caractristiques

photocourant

simulation

Conclusion

Ampremtre

introduction

principe

Types

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Principe de photodtection

h EG = EC EV
E
EC BC

h
EG

EV

BV

introduction

principe

Types

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Description dune photodiode PIN

Contact

Zone dope p+

Contact Zone dope n

Zone I (intrinsque)

introduction

principe

Types

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Le circuit du photodiode PIN

Photons

Couche antireflet
limine les pertes par rflexion

RL -

Trou lectron

P I N

introduction

principe

Types

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Diagramme des bandes dnergie

Diffusion des lectrons

Drive h Energie des lectrons h

Diffusion des trous

introduction

principe

Types

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Principe de fonctionnement Vr Popt RPopt W Iph

N
RL

Diffusion des lectrons Drive h h

Diffusion des trous

Energie des lectrons

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Photodiode clairage verticale Lumire

P+

N-

N+

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Photodiode clairage latral a) avec un guide donde simple

p+

Lumire

i-InGaAs Guide donde absorption+ZCE

n+

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Photodiode clairage latral

b) avec un couplage vanescence

p+
i-InGaAs absorption+ZCE

Lumire
Guide donde

n+

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Rendement Rendement quantique externe

rendements optiques

rendements quantiques internes

e= 0 i

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Rendement
Rendement optique
indice de rfraction optique

Rendements quantiques internes

Coefficient dabsorption

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Rendement

Taux de gnration optique travers la structure de deux photodiodes PIN : Courbe 1, photodiode PIN homojonction ; courbe 2, photodiode htrojonction
GR p Surface Zone i dserte n

2 1 z

dp

dp+d

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Rendement

Le rendement quantique () qui est le rapport du nombre de paires de porteurs " photocres et collectes " au nombre de photons incidents:

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

sensibilit La responsivit (sensibilit) (R0) de la photodiode exprime en ampres par watt et dfinissant le rapport du photocourant Iph au flux nergtique (ou puissance optique Popt) reu(e).
photocourant

Flux reue

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Sensibilit
Pour lintervalle de longueur donde ou le phnomne photolecrique existe, il est possible dxprimer cette responsivit par :
Rendement quantique externe Charge de llectron Longueur donde

Constante de Planck

Vitesse de la lumire

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Sensibilit
Courbes de sensibilit et de rendement selon les longueurs d'onde pour divers matriaux.
:

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

sensibilit
Ce tableau reprsente la sensibilit de diffrentes photodiodes pour une longueur d'onde donne, dmontre que le choix du matriau de la photodiode est fonction de la longueur d'onde pour laquelle il doit oprer.

Matriaux Sensibilit (A/W)

Si 0.7

Ge 0.6

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Courant dobscurit
tableau donne le courant d'obscurit pour diffrentes photodiodes une temprature donne.
Matriaux Courant d'obscurit (nA) Si 3 Ge 500 GalnAs 38

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Bruit
le courant quadratique moyen de bruit de la photodiode scrit :
photocourant
courant dobscurit bande passante

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

Temps de reponse
En ngligeant le temps pigeage, le temps de reponse est la somme de trois composantes:
Constante de temps associe au circuit de charge Temps de diffusion dans les zones neutres

Temps de transit dans la zone dserte

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant simulation

conclusion

bande passante
La bande passante BP est approxime par
Temps de reponse

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Calcul de photocourant

courant de diffusion des photolectrons de la rgion de type p

courant de photognration dans ZCE

courant de diffusion des phototrous de rgion de type n

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Calcul de photocourant

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

calcul

(x) p n e-x 1 0
xp

2 xn

3 xc x

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

calcul
Courant de gnration, rgion 2

Courant de diffusion de trous ,rgion 3

photocourant

Courant de diffusion dlectron, rgion 1

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

calcul
Le photocourant rsultant

rsultat

condition w>>1

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Modle quivalent
Modle quivalent de la photodiode, (a) modle complet, (b) version simplifie

(a)

Iph

Diode PIN

CP

(b)

Iph

Cj

CP

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Paramtres de simulation
longueur donde : = 1.3 mm coefficient dabsorption optique : = 1,3 104 cm-1 vitesses de saturation diffrentes pour les lectrons et les trous : vn = 6 106 cm/s et vp = 4.8 106 cm/s largeur de la zone intrinsque : di=1 m. capacits parasites du circuit: CP = 50 fF rsistance de charge est garde constante : RC = 50 .

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Simulation
Caractristique courant-tension Linfluence de lclairement

Simlation Pspice

Rponse frquentiel

Rponse temporel

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Caractristique courant-tension

I(Vm) 1.0mA

0A

-1.0mA

-2.0mA

-3.0V

-2.5V

-2.0V

-1.5V Vak

-1.0V

-0.5V

0.0V

0.5V

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Linfluence de lclairement

0A

-4mA

-8mA

-12mA 0 2m 4m 6m 8m 10m 12m 14m 16m 18m 20m

I(Vm) Popt

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Rponse frequentielle de la photodiode

-10

-20 100Hz 1.0KHz DB(gain) Frequency 10KHz 100KHz 1.0M Hz 10M Hz 100M Hz 1.0GHz 10GHz

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Impulsion lumineuse applique

1.0mW

0.5mW

0
0s 0.5ns 1.0ns 1.5ns 2.0ns 2.5ns 3.0ns 3.5ns 4.0ns

Popt
Time

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Rponse temporelle de la photodiode

20mV

0V

-20mV

-40mV 0s 0.5ns 1.0ns 1.5ns 2.0ns 2.5ns 3.0ns 3.5ns 4.0ns

V(3) Time

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Temps de reponce

Le temps de mont :

tm = 3.365.10-11 s

Le temps de descente :

td = 3.064.10-11 s

introduction

principe

type

Caractristique

photocourant

simulation

conclusion

Conclusion

Les simulations ralises sous PSPICE montrent que pour la photodiode PIN base dInGaAs adapt la dtection 1,3 mm, prsente une responsivit de 0.553 A/W, un rendement quantique externe de 52.8 %, et une bande passante autour de 13 GHz.

Merci pour votre attention