Proprieti optice i fotoelectrice

1.1. Reflexia i absorbia luminii n straturile subiri. Consideraii generale

Studiul proprietilor optice i fotoelectrice n peliculele subiri poate oferi
concluzii importante asupra structurii, compoziiei i proprietilor fizico-chimiceale
materialelor. n cele ce urmeaz vor fi analizate succint unele din proprietile optice i
fotoelectrice ale straturilor i n primul rnd absorbia i reflexia luminii n probele
respective. Detalii suplimentare se pot gsi n tratatele de specialitate i articolele de
sintez [110].
Cnd un fascicul de lumin (monocromatic) trece printr-o substan oarecare,
intensitatea se scade datorit reflexiei i absorbiei n respectivul material. Raportul
dintre energia reflectat la suprafaa corpului i energia incident se noteaz cu R i se
numete coeficient de reflexie. Dac
0
J
este intensitatea luminii incidente iar
R
J a
fasciculului reflectat, atunci
0
R
J
J
R
. 1.1.1
Pentru a gsi legea de absorbie a luminii se consider un strat de grosime dx pe
care cade un fascicul de lumin de intensitate J (fig.1.1.). Pe msur ce strbate mediul,
intensitatea luminoas scade, deci parcurgerea unei distane dx va
Fig.1.1.
scdea cu dJ. Aceast variaie (scdere) va fi evident proporional cu grosimea dx,
precum i cu intensitatea luminoas n punctul x
- dJ = Jdx. 1.1.2
Coeficientul de proporionalitate se numete coeficient de absorbie i reprezint
cantitatea de energie (luminoas) absorbit ntr-un strat de grosime unitate, dintr-un
fascicul avnd intensitatea egal cu unitatea.



d
0
J
J
dx
J
dJ
0
, 1.1.3
de unde

d
o
e J J

. 1.1.4
Dac se ine seama de reflexie, n loc de
0
J
se va lua
R J J
0 0

, adic

d
0
J
) R 1 ( J
dx
J
dJ
0
, 1.1.3, a
deci
1

d
0
e ) R 1 ( J ) d ( J

. 1.1.4, a
Dependena coeficientului de reflexie de frecvena luminii folosite, adic R (), sau
lungimea de und, adic R (), se numete spectru de reflexie. Dependena () sau
() a coeficientului de absorbie se numete spectru de absorbie al materialului
studiat. Dac n strat (material) exist mai multe tipuri de centre de absorbie, ntregul
spectru de absorbie se compune din suma spectrelor de absorbie ale diferitelor centre
din substana considerat

i
i
i
i
i
N ) ( ) ( ) (

, 1.1.5
i
N fiind numrul de centre de naturi diferite, iar ) (
i
seciunea efectiv de absorbie
a centrelor de tip i [3,5]. n semiconductori, de exemplu, exist mai multe tipuri de
absorbie optic: absorbia fundamental (provocat de trecerea electronilor din zona de
valen n cea de conducie), absorbia de impuriti, absorbia excitant, absorbia de
purttorii liberi, absorbia de vibraiile reelei etc. Ele vor fi analizate n paragraful
urmtor. Absorbia optic pe purttorii liberi etse caracteristic i straturilor metalice, de
aceea va fi analizat n paragraful de fa.
Din ecuaiile lu Maxwell se gsete ecuaia de und pentru vectorul cmp electric
[11,3].
0
t
E
c
4
t
E
c
E
2 2
2
2

. 1.1.6
Pentru vid (i aer), n absena sarcinilor (

= 0, i = 0), soluia ecuaiilor lu Maxwell

reprezint o und plan [11].

)
c
x
t (
0
e E ) t , x ( E

, 1.1.7
unde c =
2 / 1
0 0
) (

este viteza luminii n vid (aer).
Dac unda luminoas intr ntr-un mediu conductor, ea va interaciona cu electronii
liberi (din zona de conducie, respectiv i cu golurile din zona de valen n cazul
semiconductorilor). n consecin electronii vor fi accelerai, energia lor crescnd pe
seama energiei undei, iar prin ciocnire cu reeaua o vor ceda acesteia, deci n final
energia luminoas se regsete sub form de energie termic (a reelei). Unda
electromagnetic n material este descris n electrodinamica clasic de funcia E
= E(r,t) exprimat printr-o integral Fourier dup toate frecvenele posibile [11,3]

d e ) t , r ( E ) t , r ( E
t i
, 1.1.8
de unde rezult componenta Fourier E(r,) a cmpului
dt e ) t , r ( E
2
1
) t , r ( E
t i

. 1.1.9
nlocuind n ecuaia 1.1.6 se gsete c amplitudinea E(r,) a undei monocromatice
satisface ecuaia
0 ) , r ( E
c
4
i
c
) , r ( E
2 2
2

1
]
1

+
1.1.10
sau
0 ) , r ( E ) i 1 ( n
c
) , r ( E
2 2
2
2

1
]
1

+
1.1.11
2
n care s-a introdus notaia
2 2
2
2
2 2
2
) i 1 ( n
c c
4
i
c

1.1.12
Mrimile necunoscute n i , introduse, se pot determina ridicnd la ptrat i
identificnd prile reale i imaginare, se obine
1
16
1 (
2
n
2 2
2 2
+


+

1.1.13

,
_

1
16
1
2
n k
2 2
2 2
1.1.14
Dac = 0, rezult
k
= 0 i
2 / 1
) ( n . Coeficientul n se numete indice de
refracie, iar
k
= n indice de absorbie al substanei (se noteaz cu bar deasupra spre
a nu se confunda cu numrul de und k).
Soluia ecuaiei 1.1.11 are forma [11,12,3]
) , r ( E e e E e E ) , r ( E
r
c
n
r
c
n
i
0
r ) i 1 (
c
n
i
0



t

1.1.15
Introducnd vectorul de und, k, cu valoarea
c
2
k

, relaia 1.1.15 devine

(pstrnd numai semnul minus)
)] r , k ( n t [ i ) r , k ( n
0
e e E ) t , r ( E


1.1.16
Din 1.1.16 se vede c pe msur ce unda monocromatic

E
nainteaz n mediul
de conducie 0 , amplitudinea ei scade dup legea
c
kr
e

. Atunci intensitatea
luminii, fiind proporional cu ptratul amplitudinii undei luminoase, adic cu
2
E , va
scdea cu distana x, strbtut prin mediu, dup legea

x
c
kx 2
2
e e ~ E

1.1.17
iar intensitatea luminoas pe direcia axei ox va fi
x
0
kx n 2
0
e J e J ) x ( J

1.1.18
Prin urmare, din teoria lui Maxwell rezult pentru coeficientul de absorbie optic
expresia
1
1
]
1

1
16
1
2
4
k
4 n 4
k 2
2 2
2 2
1.1.19
3
Coeficientul se poate msura experimental. Astfel, pentru a obine
1 15
s 10

,
. S . G . C . u 10 9 cm 1
11 1 1


, 10 i
1
, se obine
6
2 30
23
2 2
2 2
10 28 , 1
10 10
10 8 10 16 16

< 1.
n acest caz expresia de sub radicalul din parantez, din 1.1.19, se poate dezvolta n
serie, obinndu-se

c
4 8 16
2
1
2
4
2
2 2
2 2
1.1.20
Dac i n relaia 1.1.13 se dezvolt n serie acelai radical, neglijndu-se
2 2
2 2
16



fa de 2, rezult
n 1.1.21
Pentru frecvenele spectrului vizibil
1
i n , deci devine (din 1.1.20)
N
m
e
nc
4
nc
4
2

, 1.1.22
N fiind concentraia de purttori liberi.
Din 1.1.20 se vede c, n cazul absorbiei de ctre purttorii liberi, coeficientul de
absorbie este proporional cu N i cu valoarea medie a timpului de relaxare i invers
proporional cu masa efectiv a purttorilor i cu indicele de refracie. Cum indicele de
refracie depinde de lungimea de und, rezult c i depinde de , dup cum se i
constat din msurtorile n spectrele de absorbie.
Notaia 1.1.12 exprim faptul c absorbia i reflexia optic pot fi descrise de
ecuaiile electrodinamicii clasice dac locul indicelui n de refracie se consider un
indice
) ix 1 ( n n

1.1.23
numit indice de refracie complex, Prin analogie cu n , se introduce i o constant
(permitivitate) dielectric complex.

+ +

4
i ' ' ' i ' 1.1.24
n care ' reprezint permitivitatea dielectric complex obinuit iar ' ' caracterizeaz
indicele de refracie al materialului. Din 1.1.12, prin ridicare la ptrat i identificarea
prilor reale i respectiv imaginare, se mai obine
) 1 ( n
2 2
,

2
n
2
1.1.25
sau, innd seama c
1
, ' i
k n
, rezult
4
' k n
2 2
,

4
nk 2 1.1.26
Din a doua relaie 1.1.26 i din 1.1.24 se obine

2
n 2 nk 2 ' ' 1.1.27
Se vede c ' ' este legat direct de indicele de refracie
n k
.
Tot n electrodinamica clasic se arat c la limita dintre dou medii la inciden
normal, ntre unda reflectat E i unda incident
i
E exist relaia [13,10,11]
1 n
1 n
r
E
E
i
r
+

1.1.28

r
fiind coeficientul de reflexie complex. Raportul

2
i
2
r
E
E
R
1.1.29
se determin experimental. innd seama de 1.1.28 i de 1.1.23 1.1.27, relaia 1.1.29
devine
2
2
2
2
2
i
2
r
k ) 1 n (
k ) 1 n (
E
E
R
+ +
+

1.1.30
unde k=n.
Coeficientul de reflexie complex se poate scrie i sub forma [1,11]

i
e R r
1.1.31
unghiul de faz fiind dat de relaia
1 k n
k 2
tg
2
2
+

1.1.32
Pentru a determina constantele optice ale substanei studiate este necesar s se
msoare absorbia i reflexia optic precum i coeficientul de transmisie a luminii prin
prob. Proba trebuie s fie suficient de subire pentru a permite transmisia unei pri
nsemnate din fasciculul incident, dar suficient de groas spre a putea neglija efectele de
interferen. Coeficientul de transmisie T, egal cu raportul dintre densitatea luminii
incidente i cea a luminii transmise, este dat de [1,1115]
d 2
12
d
2
12
2
12
o
e R e
sin R 4 ) R 1 (
J
J
T

+

1.1.33
12
R fiind coeficientul de reflexie la limita dintre vid (mediul 1) i proba de constante n
i k (mediul 2), dat de formula 1.1.30; este unghiul de inciden, dat de 1.1.34, iar d
5
grosimea probei (stratului subire). n majoritatea cazurilor
2
12
) R 1 ( >
2
sin , iar
formula 1.1.33 devine [13,14]
d 2 2
12
d 2
12
e R 1
e ) R 1 (
T

1.1.34
De fapt n formula 1.1.4, a J(d) este intensitatea luminii transmise
T
J , pe cnd
0 0
' J ) R 1 ( J
este intensitatea luminii incidente (inndu-se seama de reflexie) atunci
1.1.34 se scrie:
) R 1 ( J
J
T
0
T

1.1.35
Factorul
d
e A

reprezint absorbia n stratul de grosime d. Din 1.1.4 a i 1.1.37
se vede c
1 T = A 1.1.36
Relaiile precedente mpreun cu ralaia 1.1.1 conduc la expresia
) Te 1 ( R R
d
12

+ 1.1.37
Din cele de mai sus reiese c pentru aflarea lui n i
k
este necesar s se msoare fie
T i R, fie T pentru dou probe de grosimi diferite [15,16].
Pentru straturile subiri depuse pe un suport transparent (sticl, cuar etc), expresiile
coeficienilor de transmisie T i de reflexie R devin mai complicate. Avnd n vedere
noutile din figura 1.2 se obine [17,6]
1
2 1
2
2
2
1
1
2 1
2
2
2
1
) BC AB ( 2
cos r r 2 r r 1
) BC AB ( 2
cos r r 2 r r
R

+
+ +

+
+ +

, 1.1.38
1
2 1
2
2
2
1
2
2
2
1
) BC AB ( 2
cos r r 2 r r 1
t t
T

+
+ +

. 1.1.39
Fig.1.2
6
n aceste expresii
2 1 2 1
t , t , r , r sunt coeficienii de reflexie i respectiv de transmisie
la interfaa superioar i respectiv inferioar a stratului (aa-numiii coeficieni Fresnel),
iar
1
este lungimea de und a luminii n strat.
Dac incidena este normal ( = 0) iar
1 n
0

[6,8,17], atunci, innd seama de
relaia 1.1.28 i de faptul c
1
n
t n r
1
2
2

+
, relaiile 1.1.40 i 1.1.41 devin

1
1 2
1
2
1
2
2 2
2
1
2
1
2
2
2
1
1
1 2
1
2
1
2
2
2
1 2
2
1
2
2
2
1
4
cos ) 1 n )( n n ( n n 4 ) n n )( n 1 (
4
cos ) 1 n )( n n ( n n 4 ) n n )( n 1 (
R

+ + + +

+ + +

, 1.1.42

1
1 2
1
2
1
2
2
2
1 2
2
2
2
1
2
1
2
2
1
4
cos ) 1 n )( n n ( n n 4 ) n n )( n 1 (
n n 8
T

+ + + +

. 1.1.43
n figura 1.3 sunt reprezentate dependenele

,
_

1
1
f T
i
,
_

1
f R
pentru
diferite straturi subiri (cu
1
n diferii). Mrimea
2
BC AB
1
+
reprezint diferena de
drum prin strat ntre fasciculele (razele)
1
T i
2
T (fig.1.3).
Din figura 1.3 se vede c dac
1
este egal cu un numr ntreg de
2

, reflectivitatea
i transmisia rmn neschimbate pe ntreaga suprafa a sticlei (v.curba punctat pentru
sticl, n = 1,5). Dac ns se depun straturi cu grosimi de un sfert de lungime de und cu
un numr impar
4

, atunci R i T se modific profund (fig.1.3). Din figura 1.3 se vede

c pentru asemenea grosimi ale straturilor, cu 23 , 1 n
1
, reflectivitatea devine egal cu
zero, iar transmisia ajunge la 100% (punctele a, b,... fig.1.3). Acest fapt este deosebit de
important pentru obinerea straturilor perfect transparente sau semitransparente, a
straturilor reflectante etc.

Fig.1.3
7
1.2. Absorbia optic n straturile semiconductoare i dielectrice
Pentru semiconductori sunt caracteristice urmtoarele tipuri de absorbie optic:
absorbia fundamental, absorbia excitonic, absorbia de impuriti, absorbia de
purttori liberi i absorbia pe vibraiile reelei.
Absorbia proprie sau fundamental este legat de tranziia electronilor din zona de
valen n zona de conducie, sub aciunea fononilor absorbii. Este evident c n cazul
acestei tranziii trebuie s fie respectate legile de conservare a energiei i impulsului,
hv ) k ( E ) k ( E
v c
+
, 1.2.1

Q P ' P +
1.2.2
Q = hq fiind impulsul fotonului. Din 1.2.1 rezult
hv E E E E
1 2 v c

1.2.3
De asemenea, innd seama c P = hk, din 1.2.2 se gsete

q k ' k +
1.2.4
unde
electron
2
k

, iar
foton
2
q

.
Cum n cristal
7
electron
10

cm, iar
5 1
foton
10 10

cm, deci
k q <
, rezult c
relaia 1.2.4 devine
k ' k sau 0 k ' k k 1.2.5
Relaia 1.2.5, numit regul de selecie pentru tranziiile electronice, din cristal,
arat c n procesul de interacie dintre elctronii semiconductorului i cmpul radiaiei
absorbite sunt permise (posibile) numai acele tranziii n care se conserv vectorul de
und. Deci electronul, absorbind fotonul, sare dintr-un punct oarecare al zonei Brillouin
din banda de valen, ntr-un punct echivalent (pe aceeai stare energetic) din zona
Brillouin din banda de conducie (fig.1.4.). ntruct tranziiile au loc "vertical", adic
ntre stri cu acelai k, ele se mai numesc i tranziii verticale sau directe (fig.1.4, b,
tranziia 1).
Fig.1.4
8
Energia hv minim a fotonului, necesar pentru ca elctronul s sar din zona de
valen n cea de conducie, corespunde lrgimii
0
E
a zonei interzise a
semiconductorului (fig.1.4, a, tranziia 1). Aceast valoare a energiei determin
marginea absorbiei fundamentale caracteristic materialului cercetat (fig.1.5). Dac se
neglijeaz alte mecanisme de absorbie mai puin eficace, se poate considera c pentru
fotonii cu energii mai mici dect
0
E
, coeficientul de absorbie n semiconductorul
intrinsec este egal cu zero. Pentru fotoni cu energii mai mari dect
0
E
, coeficientul de
absorbie crete puternic. Expresia teoretic pentru n vecintatea marginii de
absorbie fundamental, obinut fcnd ipoteze simplificatoare, pentru zonele
energetice de simetrie sferic este dat de relaia [3,5,18]
2 / 1
0 d
) E hv ( B 1.2.6
Fig.1.5
2
2 / 3
r
h c
) m 2 ( n 2
B

) v ( P
fiind un numr constant; aici

r
m este masa efectiv redus (a
maselor elctronilor i golurilor).

p n
p n
r
m m
m m
m
, 1.2.7
n
indicele de refracie al substanei, iar P(v) probabilitatea de tranziie a electronului n
zona de conducie. Pe lng tranziiile directe permise, exist i tranziii directe
interzise la care P(v) este proporional cu
2
k
pentru orice 0 k ; n acest caz se obine
2 / 3
0 0
2 / 3
0
'
d
) E h ( ) E hv ( C 1.2.8
Marginea absorbiei fundamentale, pentru tranziiile verticale, se determin pe baza
relaiei
h
E
0

, sau
0
E
hc

1.2.9
Dac
0
E
se exprim n electro-voli, atunci se poate afla corespunztoare
marginii de absorbie n milimicroni,
9
0
E
24 , 1

. 1.2.10
n concluzie, tranziiile indic dependena lui de
) E h (
0

sub forma
r
0 0
) E h ( , 1.2.11
r putnd lua valori de la la 3/2, dup cum tranziiile sunt permise sau "interzise".
n majoritatea semiconductorilor zonele energetice (de conducie i valen) sunt
mult mai coplexe, ele fiind constituite din mai multe subzone; n plus, zonele de
conducie au mai multe minime de energie, n diferite direcii ale vectorului de und k
(fig.1.4 i fig.1.6). n aceste cazuri este posibil s existe stri de conducie separate de
zone de valen prin intervale mai mici dect
0
E
(fig.1.6, a).
Fig.1.6
Tranziiile din maximul zonei de valen n aceste minime ale zonei de conducie nu
mai sunt directe (verticale), aa cum se poate vedea i n figura 1.6, de aceea aceste
tranziii se numesc neverticale sau indirecte. Este evident c electronul trecnd n alte
stri energetice cu k ' k (din zona de valen), respectivele tranziii nu mai respect a
doua regul de selecie 1.2.5. Legea conservrii impulsului este totui respectat,
electronul interacionnd nu numai cu radiaia incident ci i cu reeaua, provocnd
astfel absorbia sau emisia unui fonon de impuls .
Tranziia indirect poate fi considerat ca o tranziie ntre stri virtuale cu via
medie foarte scurt, pentru care se respect legea de conservare a impulsului. Un
exemplu de asemenea tranziie prin stri intermediare virtuale, este ilustrat n figura
1.6.b. Pentru a trece din starea 0 k
1
(din maximul zonei de valen corespunztor
valorii 0 k
1
) n starea
min 2
k k (din zona de conducie), adic pentru tranziia
indirect 2' din figura 1.6, b, sunt posibile dou ci. n prima variant, sub aciunea
luminii electronul trece din 0 k
1
ntr-o stare cu 0 ' k din zona de conducie (tranziia
direct 1), n zona de valen pe starea 0 k
1
rmnnd gol. Dar electronul din starea
cu 0 ' k are o energie mai mare dect energia corespunztoare minimului inferior cu
min 2
k k , de aceea, dup un timp foarte scurt, electronul trece n starea de energie
minim
2
k absorbind sau cednd un fonon (tranziia 2 din fig.1.6 b). Cealalt variant,
poate fi urmtoarea: absorbind un fonon, electronul dintr-o stare joas din zona de
10
valen (v. punctul a, pentru 0 k
1
, fig.1.6 b), trece vertical n starea cu
min 2
k k din
zona de conducie (tranziia 3), iar golul rmas (n punctul a) efectueaz tranziia 4 n
starea cu 0 k
1
, n apropierea marginii superioare a zonei de valen, absorbind sau
emind un fonon. Deci, n cazul tranziiilor indirecte, legea conservrii energiei are
forma
f 0
E E hv t
1.2.12
f
E fiind energia fotonului absorbit (-
f
E ) sau emis (+
f
E ). Oricum, hv trebuie s fie
mai mare dect
0
E
, de aceea aceste tranziii determin absorbia (maxim) situat n
regiunea lungimilor de und mari fa de marginea de absorbie (fig.1.7).
Coeficientul de absorbie pentru tranziiile indirecte are doi termeni, corespunztori
absorbiei (
a

) i respectiv emisiei (
e

) fononului,
e a
+
1.2.13
n cazul tranziiilor neverticale legea de conservare a impulsului este
t k k
2
1.2.14
Fig.1.7
n tranziiile indirecte trebuie s se ntlneasc trei particule: electronul, fotonul i
fononul, ceea ce face ca tranziiile s fie mai puin probabile dect cele verticale i ca
atare coeficientul de absorbie a luminii trebuie s fie mai mic dect la tranziiile
directe. Uneori ns marginea principal de absorbie (corespunztoare absorbiei
fundamentale) n semiconductori i dielectrici este determinat tocmai de tranziiile
indirecte, ca n cazul siliciului i germaniului (fig.1.7 a). Pe la 0,8 eV la germaniu se
observ o cretere brusc a coeficientului de absorbie datorit tranziiilor directe din
punctul
) 0 k (
al zonelor Brillouin de banda de valen n banda de conducie (fig.1.4
b, 1.7 a i fig.1.8 a) [1921]. n siliciu tranziiile directe, cu o mai mare probabilitate de
a se produce, se observ la
5 , 2 h
eV, adic n spectrul vizibil.
Consideraiile fcute asupra absorbiei n semiconductori i dielectrici sunt proprii
att monocristalelor ct i straturilor subiri monocristaline sau policristaline, precum i
pulberilor respective. Dup cum s-a mai specificat ns n introducere n straturile
11
subiri spectrul de absorbie poate fi observat mai uor datorit grosimii mici a probelor.
Coeficientul de absorbie poate fi aflat din formula 1.1.4 prin logaritmare
d
J
J
ln
0
1.2.15
Mrimea d = ln
) J / J (
0
poart numele de densitate optic a stratului de grosime d
i determin transmisia (respectiv absorbia) materialului studiat. Avnd n vedere
valoarea mare a densitii optice d, la monocristale s-au studiat n special spectrele de
reflexie. Cu ct grosimea optic a stratului este mai mare, cu att i absorbia va fi mai
puternic, ceea ce poate duce la "nnecarea" eventualei structuri de benzi a probei.
Pentru grosimi mici ns, mrimea d scade mult ca

Fig.1.8
atare studiul spectrelor de absorbie poate fi extins pn departe n ultraviolet (pentru
substanele care au marginea de absorbie n vizibil sau n infraroul apropiat). Acest
fapt se observ foarte bine din figura 1.9, pentru straturile epitaxiale de germaniu de
diferite grosimi [19,20].
Absorbia pe stri localizate n zona interzis este deasemenea caracteristic pentru
semiconductori i dielectrici (cristale ionice). Electronii sau golurile situate

Fig.1.9
n aceste stri pot absorbi fononi, trecnd astfel n alte stri localizate sau n zona de
conducie (cazul electronilor). Benzile de absorbie a luminii la aceste tranziii (ale
purttorilor din strile locale) se situeaz n apropierea marginii absorbiei
12
fundamentale, n domeniul lungimilor de und mici. Poziia acestor benzi se afl printr-
o formul similar cu 1.2.10
ext loc
. loc . st
E E
24 , 1

1.2.16
Absorbia optic pe stri localizate poate fi legat de existena strilor excitonice
(excitonii), de existena nivelelor de impuriti sau de ambele tipuri de stri [23].
n urma absorbiei fotonilor, electronii din zona de valen pot fi n aa fel excitai
nct s nu ajung n zona de conducie, ci s formeze cu golul un sistem legat, similar
unui atom de hidrogen (fig.1.10 a). O asemenea stare excitat, care are o energie mai
mic dect electronul liber din zona de conducie i dect golul n zona de valen, se
numete exciton. n interior excitonul, a crui stabilitate este asigurat printr-o energie
de legtur, apare neutru.
Dac dimensiunile excitonului sunt mari n raport cu constanta reelei cristaline,
atunci interacia dintre gol i electron poate fi reprezentat printr-o atracie de tip
coulumbian ntre dou sarcini punctiforme, atracie micorat de
0

ori, fiind
permitivitatea cristalului. n acest caz problema gsirii energiei excitonului i a strilor
sale excitate este identic cu cea din cazul atomului de hidrogen, rezolvat n fizica
atomic i mecanica cuantic. Se gsete c ecuaia Schrdinger care descrie micarea
excitonului,
) r ( E ) r (
r 4
e
m 2
h
0
2
2
r
r

1
]
1

1.2.17

Fig.1.10
are urmtoarele valori proprii pentru energia E, valori care, formeaz o serie
hidrogenoid [5],

2 2 2
0
2 2 2
4
n
' R
n
1
h 32
me
E


1.2.18
13
n relaia 1.2.18 ,
2
0
2 2 2
4
h 32
me
' R


este o constant,

r
m masa redus a golului i
electronului, iar n numrul cuantic principal. Energia total a excitonului va fi [5]
2
excit
2
excit
n
' R
M 2
k h
E

1.2.19

+
p n
m m M
fiind masa efectiv a excitonului.
Un exemplu de maxime de absorbie de tip excitonic este reprezentat n figura 1.11
cu O Cu
2
. Se observ c peak-urile de absorbie n = 2, n = 4 etc. se apropie de ce n ce
mai mult unul de altul, ca n cazul atomilor hidrogenoizi a cristalului. Impuritile
donoare i acceptoare sunt n general ionizate; ca atare ele nu pot absorbi lumina, dar la
temperaturi joase, cnd ionizarea nu este complet [32], poate avaea loc o absorbie de
impuriti.
Sub aciunea luminii, electronii trec de pe nivelele donoare n zona de conducie sau
din zona de valen pe nivelele acceptoare. Oricum, energia necesar acestor tranziii
este mai mic dect
0
E
, de aceea benzile de absorbie pe impuriti se afl n
domeniul lungimilor de und mai mari dect cea corespunztoare absorbiei
fundamentale.
n afar de strile fundamentale, impuritile se pot afla pe stri excitate, energie
nivelelor energetice excitate fiind dat de formula similar celei pentru atomii
hidrogenoizi [3,5],
2
2
d
n
1
m
m
Z
2
52 , 13
E

,
_

n = 1,2,3,... 1.2.21
Fig.1.11
Nivelele energetice ale impuritilor n stare excitat sunt similare celor ale excitonilor,
ceea ce face ca natura benzilor de absorbie din spectrele semiconductorilor i
dielectricilor s fie greu de determinat. n plus, exist spectre excitonice care nu au
neaprat forma unei serii hidrogenoide, se extind i n domeniul lungimilor de und
mari (peste grania de absorbie), precum i spectre de impuriti care se pot ntinde
departe n ultraviolet, peste marginea absorbiei fundamentale. n figura 1.12 este dat
spectrul de absorbie de impuriti de bor n siliciu.
14
Absorbia n reeaua cristalin, se datorete interaciei cmpului electromagnetic al
undei luminoase cu sarcinile mobile din nodurile reelei cristaline. Acest tip de
absorbie se ntlnete att n cristalele ionice ct i n cele homeopolare. Deoarece
interacia fonon-foton presupune conservarea energiei i impulsului, adic

f
h h 1.2.22
hq h
1.2.23
fiind impulsul fononului, iar q cel al fotonului, aceste legi de conservare sunt valabile
numai n punctele de intersecie ale curbelor (pentru fononi, ramurile optic i acustic)
i = cq (pentru undele luminoase). ntruct ramura acustic nu se ntretaie cu curba
= cq, rezult c numai fononii optici determin o absorbie, n plus, la absorbie vor
participa numai oscilaiile transversale ale fononilor optici [3]. Aceast absorbie de
ctre vibraiile reelei are un caracter de rezonan, cu mai multe peak-uri de absorbie
situate n domeniul energiilor mici. Aceste maxime nguste se suprapun uneori peste
absorbia provocat de purttorii liberi, dar intensitatea i poziia lor nu este influenat
de concentraia impuritilor pn la valori de cca
3 18
cm 10

. Spectrul absorbiei n reea
nu depinde de tipul i concentraiile defectelor (pentru concentraii pn la
3 19
cm 10

),
de unde se poate

Fig.1.12 Fig.1.13
trage concluzia c ntr-adevr el se datorete reelei. n figura 1.13 sunt reprezentate
spectrele de absorbie n reea la siliciu i germaniu [36,13]. Aceste spectre sunt situate
n domeniul energiilor mici corespunztoare numerelor de und de la 300 pn la 700
1
cm

(3314) pentru Si. Coeficientul este mai mic atingnd valori abia de ordinul
zecilor (fig.1.13).
15
1.3. Rezultate experimentale privind reflexia i absorbia optic n straturile
subiri
1.3.1. Elemente simple
Constantele optice la straturile subiri de Al, Mg i In au fost msurate, prin metode
uzuale, de ctre Hunter [34], Weiss [35], O'Bryan [36], Fabrie i Ramon [37] i alii. La
aceste straturi metalice i, n general, la majoritatea straturlior studiate s-a msurat de
regul indicele de refracie n, coeficientul de absorbie (notat i cu k) i respectiv
acestora de lungimea de und a luminii incidente. Dependenele ( ) n i ( ) ,
determinate experimental, sunt de obicei tabelate sau reprezentate grafic. n figura 1.14
sunt redate, dup Philip [38], spectrele ( ) n i ( ) pentru straturile subiri de Au.
Grosimea stratului este de 211 . Pentru comparaie se dau i spectrele respective ale
materialului masiv [38,37]. Dei se observ unele diferene mici (ale valorilor n i )
legate de particularitile structurii (cristaline) a straturilor, de efectul de dimensiune
etc., alura general a curbelor este aceeai. n funcie de mrimea cristalitelor i ca atare
i de grosimea straturilor, n unele cazuri se pot observa efecte de absorbie anormal,
ceea ce indic totui prezena unui efect de dimensiune i o influen a acestuia(e drept
redus) asupra proprietilor optice ale straturilor [35,40,41,131136]. O dependent
pronunat a lui n i de grosimea stratului a fost observat la Ag pentru grosimi mai
mici de 100 [48].
Straturile semiconductorilor atomici au fost studiate n multe lucrri mai ales n
legtur cu unele aplicaii ale acestora n diverse domenii. Cel mai bine au fost studiate
de reflexie i absorbie la straturile de Ge i Si (obinute prin diferite procedee) i, mai

Fig.1.14
puin, proprietile optice ale altor semiconductori atomi (B, B, Se, Te, Sn). n figura
1.15 este reprezentat absorbia optic a straturilor subiri de bor [49]. La diametrul de
tip semiconductor a fost gsit o linie intens (peak) de absorbie n inflarou la = 3,6
[50,51].
Dei este unul dintre fotoconductorii cei mai vechi cunoscui, proprietile optice ale
seleniului au fost puin studiate. Absorbia n straturile amorfe de Se a fost studiat n
lucrrile [5254] (fig.1.16). Straturile amorfe au fost obinute prin evaporare termic i
condensare n vid. Seleniul amorf are o mare transparen n infrarou (peste 24 ), iar
pe la 13,5 i 20,5 spectrul lui prezint benzi intense de absorbie [55]. Prin
recristalizarea straturilor amorfe seleniul trece n seleniu cristalin cu structura
hexagonal. Modul n care se schimb spectrele optice prin aceast transformare a fost
16
Fig.1.15 Fig.1.16
studiat n lucrrile [52,53,56]. n aceste lucrri s-a stabilit c absorbia optic crete
mult n vecintatea valorii de 0,6 . Spectrele de reflexie, att probele amorfe de Se ct
i n cele cristaline, au fost studiate de Stuke [53] i de Kandare [57].
Straturile subiri de telur au fost studiate de Moss [58,59], Heavens [8] i alii. Mai
recent Sandulova i col.[60] au msurat spectrele de absorbie i reflexie, precum i
fotoconducia n straturile subiri de telur obinute prin presiune din topitur. S-a stabilit
c marginea de absorbie este la 3,4 , ceea ce corespunde unei lrgimi
0
E
de
aproximativ 0,36 eV [60].
Spectrele de absorbie ale straturilor subiri de Ge i Si sunt redate n figurile 1.7 a i
1.9, dup [19,20,61]. alimova i col., au msurat spectrele de absorbie ale straturilor
subiri de Ge (fig.1.17 a) i de Si (fig.1.17 b). Msurrile au fost fcute n infrarou i n
vizibil pentru straturi de diferite grosimi [80]. Dup cum s-a mai specificat n paragraful
precedent, marginea (principal) absorbiei fundamentale, att la Si ct i la Ge, este
determinat de tranziiile indirecte (neverticale) n punctul (k = 0) al zonelor
energetice (fig.1.8 a). Spectrele de absorbie n reeaua de Ge i Si sunt reprezentate n
figura 1.13 [36,13,62] . n figura 1.18 este dat spectrul de absorbie pentru straturile
subiri de siliciu obinute prin evaporare n vid [63]. Marginea de absorbie a straturilor
amorfe de germaniu a fost studiat n [64,65], a straturilor amorfe de siliciu n [66,67],
iar cea a straturilor amorfe de bor n lucrarea [68].
Fig.1.17
17

Fig.1.18
Studiul reflexiei i absorbiei optice n dielectrici (n special oxizi) i compui
semiconductori i-au fost dedicate numeroase monografii i articole de specialitate. Mai
departe vor fi analizate extrem de succint propirietile optice ale unor compui
semiconductori i oxizi [7078].
Compui de tipul
V III
B A
. Ample treceri n revist asupra proprietilor optice i
fotoelectrice ale monocristalelor i straturilor subiri ale acestor compui (n special
pentru InSb, GaAs, InAs) sunt fcute n [1,4,610,14,20,7079] (fig.1.19fig.1.21). n
figura 1.19 sunt date curbele de absorbie n straturile de InSb de 0,3, pentru diferite
temperaturi n timpul msurrii [76], iar n figura 1.20 este dat spectrul de absorbie
pentru straturile de GaAs depuse la C 250 T
8

, imediat dup obinere (curba 1) i
dup tratament termic n vid la C 400

timp de o or (curba 2). Curba 3 reprezint un

spectru tipic pentru straturi depuse la C 325 T
8

> pe suporturi de cuar. Maximele de
absorbie din infrarou, aflate dincolo de marginea absorbiei fundamentale ntre 0,4 i
1,0 eV, sunt atribuite impuritilor (ionizate sau neutre), precum i altor nivele de zona
interzis, create de exemplu de imperfeciuni. Manifestri analoage se constat i la
proprietile electrice ale straturilor [81]. n figura 1.21 se dau spectrele de absorbie ale
straturilor unor compui
V III
B A
, msurate att la temperatura camerei (fig.1.21 a), ct
i la temperatura azotului lichid (fig.1.21 b) [20].
n figur 1.22 sunt redate, dup Potter [82], spectrele de transmisie i respectiv de
reflexie pentru straturile subiri de InSb obinute prin metoda celor trei temperaturi, pe
suporturi foarte subiri (pentru a nu absorbi prea mult) de sticl. Dup cum au artat
experienele, absorbia n straturi subiri de InAs, pentru lungimi de und mari, este cu
mult mai puternic dect n monocristalul masiv [82]. Dup prerea noastr ns este
posibil ca rezultatele msurtorilor fcute de Potter s fie afectate de absorbia
suplimentar pe care o introduce suportul de sticl pentru de peste 23 (n cazul
cnd s-au folosit mereu suporturi de sticl).
18
Fig.1.19 Fig.1.20

Fig.1.21


Fig.1.22
19
Compui
V III
B A
. Din aceast clas cele mai studiate materiale sunt ZnS, CdS,
ZnSe, CdSe, ZnTe i CdTe. Mai puin studiate sunt proprietile optice ale straturilor de
HgTe, HgSe, CdO, ZnO.
Sulfura de zinc (ZnS) este utilizat n construcia straturilor luminofere, la celule
electroluminescente, la straturi reflectante etc. Hall i Coogan msurnd transmisia
optic a straturilor de ZnS sau determinat coeficientul de absorbie al acestora
(fig.1.23 a) precum i indicele de refracie n (fig.1.23 b).

Fig.1.23
Msurrile fcute pe monocristalele de ZnS au nregistrat ns o absorbie mult mai
mic; aceste rezultate sunt i ele incluse n figura 1.23 (curba 3). Marginea de absorbie
corespunztoare monocristalelor de Zns este deci situat la 3,58 eV, pe cnd pentru
straturi subiri ea pare s fie situat mult mai departe, n ultraviolet. Rezultatele similare
au fost obinute pentru stratuirile de ZnS i de ctre alimova i Morozova, care au
studiat mult dependena structurii de maxime de absorbie n domeniul 30003400 . n
figura 1.24 sunt redate maximele de absorbie obinute la straturile de ZnS tratate termic
n vapori de sulf la 800 C 900

timp de 1030 min. Grosmiea straturilor, de ordinul a

0,5, rmnea practicconstant n timpul tratamentelor. Scopul experienelor era de a
arta influena impuritilor nestoechiometrice asupra structurii spectrului de absorbie.
Autorii 8993 consider c maximele nguste i ascuite (peak-urile) de absorbie, din
domeniul 3000 3300 , se datoresc atomilor de zinc n surplus prezeni n reeaua
cristalin a ZnS (vacane de sulf). n urma tratamentului n vapori de sulf sub presiune
(~ 6 atm) atomii de S completeaz vacanele, distrugnd astfel spectrul de benzi nguste
ale zincului. Aceasta se vede clar din figura 1.24 (curbele 2); totodat, se observ i o
scdere apreciabil a absorbiei fundamentale. ipoteza influenei unui anumit grad de
porozitate a straturilor tratate termic la temperaturi nalte pare s fie infirmat de faptul
c o micare a absorbiei n intervalul 32003400 se observ i la monocristalele de
ZnS tratate termic (fig.1.24 b, curba 2), sau cel puin se poate afirma c porozitatea nu
influeneaz prea mult spectrele optice. Micorarea absorbiei n urma tratamentului
termic poate fi legat de apropierea de compoziia stoechiometric.
Pe de alt parte Gross i ali cercettori atribuie aceste peak-uri tranziiilor directe pe
nivelele excitonice ale reelei. alimova i Morozova arat ns c este greu ca aceste
maxime s se integreze ntr-o schem excitonic, n schimb sunt n concordan perfect
cu modelul energetic al atomilor de zinc. Dup cum se va arta mai departe, n cazul
CdS, ZnTe, ZnSe etc. se poate presupune situaia de mijloc n care se ia n considerare
influena impuritilor asupra spectrelor de tip excitonic. Morozova i alimova,
20

Fig.1.24
de asemenea, consider c absorbia puternic a ZnS n intervalul 30003300 ,
datorit tranziiilor indirecte ntre zone, este puternic influenat (amplificat) de atomii
nestoechiometrici care favorizeaz aceste tipuri de tranziii.
alimova i col. au studiat mult i proprietile optice i fotoelectrice ale straturilor
subiri de CdS, CdTe, ZnSe, SnSe etc. n ceea ce privete CdS, Pirogova i alimova
fac aceleai consideraii ca n cazul ZnS, obinnd structura maximelor de absorbie din
regiunea absorbiei fundamentale (fig.1.25) a atomilor nestoechiometrici de Cd care
exist totdeauna n straturile de CdS ct i n monocristale. Straturi cu o cantitate mai
mare de Cd se obin pentru temperaturi mai joase ale suportului (20 C 50

); n aceste
straturi se observ trei maxime largi, la 2300 , 3200 i respectiv 4200 (fig.1.25 a,
curba 2). Prezena i intensitatea maximelor de la 3200 i 4200 sunt puternic
influenate de cantitatea de Cd din strat, condiionat n primul rnd de temperatura
suportului, pe cnd maximul de la 2300 nu este influenat nici chiar de tratamente
termice speciale (n vapori de S sau Cd). Acxeste constatri i-au fcut pe unii autori s
contribuie la maximul de la = 2300, absorbiei fundamentale n CdS,
corespunztoare tranziiilor optice directe n structura energetic a CdS. Energia de
activare a acestor tranziii este de 5,3 eV. Marginea de absorbie ntlnit n intervalul
49005100 poate fi atribuit, dup prera noastr, tranziiilor indirecte, mai puin
probabile,fapt susinut de valoarea mai sczut a absorbiei n acest domeniu (fig.1.25 a)

Fig.1.25
21
Studii amnunite au pus n eviden un numr de 36 peak-uri de absorbie n
domeniul 46005070 , adic n regiunea primei margini de absorbie n CdS (dat de
tranziiile indirecte). Dependena de temperatur a acestor spectre (fig.1.26), faptul ca
absorbia n respectivul domeniu spectral nu depinde de grosimea probelor i alte
considerente i-au fcut pe unii autori s le atribuie, cu toat certitudinea, atomilor de Cd
(impuritate) n stare excitat (tranziii pe diferite stri ale atomului excitat). Pe de alt

Fig.1.26
parte, ca i n cazul ZnS, ZnSe, ZnT, unii cercettori consider c aceste maxime se
datoresc tranziiilor pe strile excitonice n reeaua cristalin.
Dup cum se vede, este foarte dificil s se stabileasc natura maximelor de absorbie
din regiunea absorbiei fundamentale, problema rmnnd deschis.
Fig.1.27
n continuare vor fi analizate unele aspecte ale absorbiei optice i reflexiei n
straturile subiri de ZnTe obinute n diferite condiii experimentale.
O structur complx a spectrelor la ZnTe apare numai n cazul probelor obinute
pe suporturi nclzite la peste 250 C 300

sau n urma tratamentelor termice n diferite

medii (aer,zinc)(fig.1.27 i 1.28).
Experienele au artat c maximele din ultraviolet (fig.1.27 b) sunt puin
influenate de condiiile de obinere sau de tratament ale straturilor, , pe cnd maximul
22
situat la = 5237 din vizibil este puternic influenat de cantitatea de atomi de Zn din
reea (fig.1.27 i 1.28). n cazul probelor tratate n vapori de Zn la C 600

timp de 30
minute, acest maxim se amplific i devine foarte clar (fig.1.28 a) i (fig1.27 a, curba
2), pe cnd n urma tratamentului n vapori de Te acest maxim slbete n intensitate sau
chiar dispare (fig.1.28 i fig.1.28 a, curba 3). Considernd c maximul de la = 5237
este datorat tranziiilor n strile excitonice, atunci prezena nendoielnic a impuritilor
de Zn va influena direct aceste tranziii ducnd la lrgirea acestui maxim. Experienele
au artat c, ntr-adevr, cu creterea cantitii de Zn n reeaua de ZnTe, se constat
lrgirea i amplificarea maximului = 5237 considerat de natur excitonic. n ceea
ce privete maximele din ultraviolet, situate la 2850 i respectiv 3300 , Cardona
consider c ele se datoresc tranziiilor din dou subzone de valen n zona de
conducie n punctul L al zonelor Brillouin (spaiul k). n figura 1.29 este dat spectrul de
absorbie al straturilor de ZnTe determinat la temperatura camerei ( K 293

). Se observ
prezena a dou margini de absorbie, la fel ca n cazul Ge, Si, GaAs, InSb, CdS etc. Ca
i n cazul CdS sau ZnS, se poate presupune c marginea din ultraviolet
(~35003800)
se datorete tranziiilor directe,

Fig.1.28
pe cnd cea din vizibil (~5300) se datorete tranziiilor indirecte a cror probabilitate
crete (crete absorbia, apare maximul la = 5237 ) n urma creterii cantitii de Zn
(impuritate), ntocmai ca la Zns, siliciu etc.
23
Fig.1.29
Dima a studiat mult absorbia optic i fotoconductibilitatea straturilor subiri de
ZnSe prin evaporare termic n vid. n figura 1.30 sunt redate spectrele de absorbie i
reflexie gsite pentru respectivele straturi, n care se observ trei maxime situate la =
4427 , = 4408 i respectiv = 4360 , n jurul marginii absorbiei fundamentale.
n acord cu rezultatele altor cercettori i lund n considerare o interpretare proprie,
Dima atribuie respectivele maxime tranziiilor n strile excitonice n = 1, 2, 3 n reeaua

Fig.1.30
cristalin a ZnSe. Dima consider de asemenea c interacia excitonului cu defectele
(impuritile) din reea poate duce la scurtarea vieii medii n starea n = 1, ceea ce
provoac lrgirea maximului corespunztor lui = 4427 (fig.1.30). n figura 1.30 b,
se mai observ i prezena celei de-a doua margini de absorbie, situat n intervalul
29003200, precum i existena unui maxim pronunat de absorbie n ultraviolet ( =
2300 ) similar celor de la ZnS, CdS, ZnTe etc. n figura 1.31 a, sunt redate spectrele
de absorbie (t) i de reflexie (r) pentru straturile cu structur hexagonal de ZnSe, iar n
figura 1.31 b, este ilustrat dependena de temperatur a acestor minime. Este de notat
faptul c studiul absorbiei optice n domeniul absorbiei fundamentale a straturilor
subiri haxagonale de ZnSe a fost fcut pentru prima dat de Dima.
Ali compui semiconductori, oxizi, dielectrici etc. Exist nc muli compui i
aliaje metalice i semiconductoare, care prezint interesante proprieti optice i mai
ales fotoelectrice, dar tratarea lor exhaustiv ar ocupa un spaiu prea mare n aceast
lucrare. De aceea aici ne vom limita la a meniona doar unele proprieti ale straturilor
24
compuilor de tipul
VI VI
B A
, a unor elemente amorfe, precum i ale unor oxizi mai
importani.

Fig.1.31
n figura 1.32 sunt redate, dup Zemel dependena indicelui de refracie n funcie de
energia fotonilor incideni, la straturile epitaxiale de PbS, PbSe i PbTe la

77 ,

300 i
respectiv K 373

.

25
Fig.1.32
Dup cum se vede, fiecare substan prezint un important maxim la marginea
absorbiei fundamentale, care se deplaseaz spre energii mai mari odat cu creterea
temperaturii la care se fac msurrile.
Proprietile optice ale compuilor amorfi au fost studiate relativ puin. Mai
sistematice au fost studiile pe GeTe, GeSe i GeSbSe, Si AsTe
2
etc. n figura 1.33 sunt
redate curbele de absorbie ale straturilor de GeSe i respectiv GeSbSe, msurate la
temperatura camerei (~

300 ).
Dintre oxizi, cei mai mult studiai au fost SiO[137],
2
SiO [138],
2
TiO [139],
3 2
O Al
[140],
5 2
O Ta
[141], CdO, InO i
3 2
O Fe
[142]. n figura 1.34 sunt reprezentate
dependenele ) ( f n
1
i ) ( f k
2
pentru straturile subiri de SiO obinute prin
evaporare termic n vid, k fiind indicele de absorbie (coeficientul de extincie) legat de
coeficientul de absorbie prin relaia (1.1.24).

k 4
1.3.1
Proprietile optice ale straturilor de
2
SiO obinute prin metoda evaporrii cu
fascicul electronic au fost studiate de Aivazov [222]. n figura 1.34 b, se dau spectrele
de absorbie n infrarou pentru asemenea straturi. Se deosebesc dou maxime
principale, la
1
cm 805

i
1
cm 1090

, caracteristicile legturii Si-O, precum i un maxim
la ~
1
cm 3400

datorat absorbiei apei n stratul legat de cel de la suprafaa probei.
26
Fig.1.33 Fig.1.34
Dup ase luni de pstrare a probelor n condiii normale, spectrele de absorbie
(reprezentate acum prin curbele punctate) aproape c s-au modificat; se observ totui
intensificarea maximului (slab) de
1
cm 930

datorat existenei gruprii Si-OH care
dispare n urma unui tratament termic n vid (~ torr 10 5
5
) timp de o or, la C 350

[222].
Fig.1.35 Fig.1.36
Absorbia optic n straturile de BaO este redat, dup Zollweg, n figura 1.35. Cele
trei maxime de absorbie observate sunt similare celor ale monocristalului i sunt
atribuite excitonilor formai n urma interaciei spin-orbit, conform modelului lui
Overhauser.
Pentru diferite aplicaii n optic se folosesc i alte categorii de straturi dielectrice,
cum sunt cele de
2
CeO [143],
6 3
AlF Na
(criolit)[144], LiF[145],
2
CaF i NaF[146],
2
MgF , polietilen etc. n figura 1.36 se dau spectrele tipice de absorbie (transmisie)
pentru straturile subiri de polietilen obinute de Luff i White prin evaporare termic
n vid.
1.4 Fenomene fotoelectrice n straturile subiri
1.4.1 Consideraii generale asupra fotoconductibilitii corpurilor solide
n corpul solid se pot observa patru tipuri principale de fenomene fotoelectrice:
efect fotoelectric extern, efect fotoelectric intern, efect fotomagnetic i efect fotovoltaic
(inclusiv efectul Dember).
n metale se manifest numai efectul fotoelectric extern. Dup cum se tie, n acest
proces se elibereaz electroni dintr-un corp solid (metal, semiconductor) sub aciunea
radiaiilor luminoase n special a celor de energie mare (din ultraviolet). Pentru aceasta
trebuie ca energia hv a cuantelor de lumin s fie mai mare dect lucrul de extracie
L
ex
=eU
ex
. n acest caz (h > L
ex
), electronii capt energia cinetic.
7.4.1
27
Efectul fotoelectric extern este folosit n construcia tuburilor fotoelectronice necesare
n automatizri. n cazul folosirii fotocatozilor din semiconductori, randamentul tuburilor
fotoelectronice este mult mai bun
8
.
Efectul fotoelectric intern, precum i celelalte 2 efecte de tip fotoelectric sunt proprii
semiconductorilor i dielectricilor. n acest proces este necesar ca energia radiaiilor incidente
s fie suficient de mare pentru ca electronii, din zona de valen sau de pe nivelele de
impuriti, s treac n zona de conducie. La straturile dielectrice efectul fotoconductor
(creterea conductibilitii prin iluminare) are loc de obicei la iradierea cu radiaii ultraviolete
sau radiaii X.
Efectul fotoelectric intern const n apariia perechilor de purttori (gol-electron),
fenomen care provoac n primul rnd creterea conductibilitii electrice. Considernd c sub
aciunea cuantelor de energie luminoas absorbite n semiconductor, electronii au ajuns n zona
de conducie, n procesul de conducie vor participa un numr suplimentar n de electroni n
zona de conducie i respectiv un numr suplimentar p de goluri, n zona de valen,
conductibilitatea probei crescnd cu . Dac
0
= ne
n
+ pe
p
este conductibilitatea n absena
iluminrii (conductibilitatea la ntuneric), atunci conductibilitatea la iluminare va fi
7.4.2
unde
7.4.3
Termenul , notat uneori cu
f
, se numete fotoconductibilitate.
n domeniul absorbiei fundamentale numerele n

i p

de purttori generai n
unitatea de timp sunt egale ntre ele i proporionale cu energia luminoas absorbit n unitatea
de volum i n unitatea de timp [2 5, 32],
7.4.4
fiind coeficientul de absorbie, I intensitatea luminoas, iar un coeficient de
proporionalitate numit randament cuantic (dac I se msoar n numr de cuante pe secund).
Randamentul cuantic indic numrul de perechi gol-electron format de o cuant incident i, n
principiu, ar trebui s fie egal sau cu 0, sau cu 1. Determinndu-se experimental p i n s-a
constatat c > sau < cu 1, de unde rezult c sub aciunea fotonului absorbit n semiconductor
pot avea loc efecte secundare care, de exemplu, pot conduce la >1.
8
O sintez complet asupra fotocatozilor sub form de straturi subiri (semiconductoare) este fcut n lucrarea
[154].
28
Dac numrul de purttori crete prin iluminare i nu se presupune existena altui proces
(recombinare, alt tip de generare a perechilor etc.), atunci, dup un timp t concentraiile n i
p vor fi
7.4.5
conform acestei relaii, generarea de perechi ar trebui s creasc nelimitat (fig. 7.37
curba 1). Experiena ns arat c mrimile n, p i ajung la valori staionare (curba 2),
deci pe lng procesul de generare are loc simultan i un proces de recombinare a purttorilor,
care, dup un timp, ajung la un echilibru dinamic.
7.37
Acest tip nu poate fi mai mare dect timpul , n care un tip de purttori exist n stare
liber din momentul generrii lor i pn n momentul recombinrii. Regimul staionar se
stabilete dup scurgerea acestui timp de existen a purttorilor, care se numete via medie
(timp de via); ca atare relaia 7.4.5 devine [124]
Creterea numrului de defecte n cristal, a impuritilor etc., duce la creterea
numrului de centre de recombinare, deci la scderea timpului de via medie a purttorilor,
dei electroconductibilitatea nu scade n mod simitor.
Recombinarea poate fi direct (trecerea electronului din zona de conducie direct n
zona de valen) sau prin intermediul centrelor locale (capcane), situate n zona interzis.
ntruct recombinarea direct se face n urma ciocnirii gol-electron, aceste ciocniri
vor avea loc cu att mai des cu ct sunt mari concentraiile p i n ale purttorilor, deci numrul
de purttori care se vor combina ntr-o secund este proporional cu produsul np, adic
29
Simultan cu recombinarea are loc continua generare pe cale termic a perechilor gol-
electron. Fie g
0
numrul de perechi generate n unitatea de volum i n unitatea de timp. La
echilibru concentraiile n
0
i p
0
sunt constante, adic numrul de perechi generate este egal cu
numrul de perechi care se recombin, factorul de proporionalitate fiind acelai; n acest caz
Cnd concentraia de purttori de sarcin difer de cea de echilibru, procesul de
recombinare va fi mai intens dect generarea termic, deci numrul suplimentar de perechi care
dispar ntr-o secund, n unitatea de timp, va fi
7.40
Semnul minus arat c pentru np n
0
p
0
numrul de purttori scade deoarece predomin
recombinarea; dac np n
0
p
0
atunci predomin generarea termic.
Prin iluminare se genereaz ntr-o secund g perechi, deci, innd seama de generarea
termic, numrul total de perechi generate este g
0
+g; numrul de perechi care se recombin n
acest timp va fi np. Prin urmare variaia concentraiei n timp se va exprima prin relaia
Cnd n = p, nu va exista sarcin spaial, deoarece e(n p) = 0. Dac se ine seama c de
fapt n = n n
0
i p = p p
0
, iar n cazul iluminrilor slabe n n
0
i p p
0
, atunci relaia
7.4.10 capt o form mai simpl. Astfel np n
0
p
0
= (n
0
+ n)(p
0
+ p) n
0
p
0
= n(n
0
+ p
0
) +
(n)
2
.
ntruct n n
0
, termenul foarte mic (n)
2
se poate neglija, deci np n
0
p
0
~ n(n
0
+
p
0
), iar 7.4.10 devine
Sau, nlocuind pe n,
Notnd 1/ = (n
0
+ p
0
), expresie care nu depinde de concentraia suplimentar n i
care are dimensiunile inversului unui timp, relaia 7.4.13 devine
30
Dac dup atingerea valorii staionare n
st
= (n n
0
)
st
iluminarea semiconductorului se
ntrerupe brusc, atunci variaia concentraiei purttorilor n timp va fi descris de ecuaia 7.4.14.
Soluia acestei ecuaii este sub forma
La t = 0 (adic la momentul ntreruperii iluminrii) (n)
t=0
= (n)
st
(fig. 7.37 i 7.38, b),
deci C = n
st
. Prin urmare
Din 7.4.16 rezult c n urma ntreruperii iluminrii concentraia de purttori, deci i
fotocurentul, nu scad brusc ci dup o lege exponenial, concluzie confirmat de experien
(fig. 7.36, b). Mrimea din relaia 7.4.16, egal cu viaa medie a purttorilor, reprezint aici
timpul dup care numrul de purttori suplimentari (de neechilibru) scade de ~ 2,7 ori i, ca
atare, poate fi determinat experimental (prin aceast metod). Pentru n foarte mari (iluminare
puternic) soluia 7.4.16 nu mai este corect, deoarece din expresia n n
0
/ , va depinde i de
n ~ n.
Odat cu nceperea iluminrii, ncepe i generarea de perechi, n conformitate cu relaia
7.4.5 n acelai timp ncepe i recombinarea. Deci, dac se ine seama i de generarea termic,
variaia concentraiei de purttori de neechilibru n unitatea
31
de timp, d(n)/dt, va fi dat de diferena dintre viteza de generare i viteza de
recombinare a purttorilor
n termenul r s-a inclus i generarea de perechi pe cale termic, adic
n cazul intensitilor slabe, n n
0
+ p
0
, se poate neglija n din parantez, rezultnd
Atunci 7.4.17 devine
Soluia, cu condiia iniial n = 0, la t = 0, fiind
Prin urmare evoluia spre echilibru staionar se desfoar dup legea 7.4.21.
pentru t , se obine valoarea lui n la echilibru staionar,
n cazul intensitilor luminoase mari, n n
0
+ p
0
i din 7.4.18 se obine
deci 7.4.17 devine
32
Rezolvarea acestei ecuaii conduce la urmtoare soluii:
Prima corespunde creterii fotoconductibilitii, pe cnd cea de-a doua descreterii ei.
ntruct r = - (n)
2
, se spune c recombinarea este de tip ptratic (nu liniar); curba de
iluminare (1) i cea de ntuneric ,relaxarea concentraiei purttorilor (2), descrise de 7.4.25 i,
respectiv, de 7.4.26, sunt reprezentate n figura 7.39, a. Din 7.4.24 se vede c n acest caz viaa
medie depinde de iluminare, prin intermediul concentraiei de purttori de neechilibru (curba
1),
n regim staionar viaa medie va fi
Dac n semiconductor exist centre de alipire, atunci acestea vor influena cinetica
fotoconductibilitii. n acest caz electronii zonei de conducie, pe lng recombinare cu
golurile din zona de valen, mai pot s se fixeze pe centrele de alipire, forma curbelor de
cretere i descretere a fotoconductibilitii (fig. 7.39, b) schimbndu-se.
Recombinarea direct este posibil n semiconductorii cu o lrgime E
0
mic a zonei
interzise (Te, InSb, Ge, PbTe etc.), la temperaturi suficient de mari. n majoritatea
33
semiconductorilor ns, la care E
0
> 0,5 0,7 eV, recombinarea are loc prin intermediul
centrelor locale de recombinare. Teoria recombinrii prin centre locale a fost elaborat de Hall
[155], Shockley i Read [156] etc. (v. i [32]).
La absorbia luminii, intensitatea acesteia scade pe msura ptrunderii n
semiconductor. Perechile electron-gol generate sub aciunea luminii se vor difuza n adncimea
semiconductorului i, ntruct coeficientul de difuziune al electronilor va fi mai mare, n cristal
apare un cmp electric orientat dup direcia fluxului luminii aplicate. Acesta este efectul
Dember, care poate aprea i n semiconductorii neomogeni.
La iluminarea unei jonciuni p n, apar perechi electron-gol datorit absorbiei luminii
n cristal. Purttorii, difuzndu-se n semiconductor, ajung n regiunea cmpului de contact de
la jonciunea p n care i dirijeaz n direcii opuse. Ca urmare, semiconductorul se ncarc cu
sarcini de semne opuse, adic apare o tensiune electromotoare, care poate ntreine un curent
electric ntr-un circuit electric nchis. Acesta este efectul fotovoltaic care apare i n straturile
subiri semiconductoare.
Efectul fotomagnetic const n apariia unui cmp electric ntr-un semiconductor
puternic iluminat i plasat n cmp magnetic. Teoria efectului fotomagnetic i a efectului
fotovoltaic sunt tratate n lucrrile de sintez [1 5, 7 10, 18, 59, 123 125]. Tot n aceste
lucrri sunt analizate i alte efecte optice i fotoelectrice, cum sunt diferitele tipuri de
luminiscen, centre de culoare n cristale optice, emisia stimulat n semiconductori, efect
Faraday, rezonan electronic, efecte fotomecanice etc., a cror expunere iese din cadrul
lucrrii de fa.
7.4.2 Unele lucrri experimentale
Msurtori asupra emisiei straturilor de Cs, K, Na, au fost fcute n lucrrile [157
159], asupra Al, Au, Ag, n lucrarea [160 161], iar asupra straturilor de Ag, Bi, Co, Cr, Fe,
Ge, Mn, Ni, Pb, Pd, Pt, Sn, Ti, W i Zn, obinute prin evaporare n vid, n lucrarea [162]. O
interesant sintez privind fotocatozii semiconductori sub form de straturi subiri este fcut
de Kossel i col., n lucrarea mai recent [154].
Efectul fotoconductibilitii n straturi subiri a fost studiat ntr-un numr impresionant
de lucrri, datorit aplicaiilor practice pe care fotoconductorii le au n diferite domenii ale
tiinei i tehnicii. Studiul fotoelectric s-a fcut n special pentru semiconductorii cu impuriti
sau activai n scopul intensificrii efectului. n cazul prezenei impuritilor, n zona interzis
apar nivele adiionale; sub aciunea luminii, electronii de pe aceste nivele pot s treac n zona
de conducie (tranziia 2) sau s soseasc pe ele venin d din zona de valen (fig. 7.41, a
(tranziia 3)). Spectrul fotoconductibilitii este n acest caz reprezentat n figura 7.41, b.
Uneori, n spectrele fotocurenilor sunt puse n eviden mai multe maxime nguste datorate
prezenei impuritilor i tranziiilor pe strile lor excitate.
Fotoconductibilitatea la straturile subiri cu diferite impuriti a fost studiat mai ales la
compuii de tipul A
II
B
VI
i A
IV
B
VI
, precum i la straturile subiri de Ge, Si, Te etc. n figura 7.41
sunt date spectrele fotocurenilor din straturile subiri de CdS dopate cu Ag i Cu, n
concentraie mic (c s) sau mare (c p) [163].
34
Studii sistematice mai recente asupra fotoconductibilitii n straturile de CdS i n ZnS
au fost efectuate de alimova i col. [98, 102, 109, 164 166]. n figura 7.43 se dau spectrele
fotocurenilor n straturile subiri de CdS, obinute pentru
diferite temperaturi ale suportului [165]. Msurile au fost fcute la 77K, curbele fiind
deplasate pe vertical pentru a se observa mai clar structura maximelor. n cazul straturilor
obinute pe suporturi puternic nclzite se observ mai multe
maxime ale fotocurentului, ntocmai ca n spectrele de absorbie (acolo se observ
maxime de absorbie) ale respectivelor probe.
Fotoconductibilitatea n straturile subiri de bor, PbS i PbTe a fost studiat de Moss i
Riedl i Schooler [59, 167 169]. Dima i Vasiliu au studiat fotoconductibilitatea
35
n straturile subiri de ZnSe, iar Topliceanu [171] a fcut cercetri experimentale de
obinere i sensibilizare a straturilor subiri de CdSe obinute prin evaporarea termic n vid
9
.
n straturile subiri amorfe efectul fotorezistiv este de obicei de intensitate mic. Cu
toate acestea fotoconductibilitatea a fost studiat pe multe materiale amorfe sub form de
straturi subiri (de exemplu, Si i Ge [181 183], Se [184], precum i aliajele Si i Ge cu
As
2
Te
3
[185 187]. Proprietile fotoelectrice ale straturilor subiri de InAs
0,07
Sb
0,93
au fost
recente analizate de H. H Wieder i col. [188]. n figura 7.43 se dau curbele care reprezint
variaia fotocurentului (normat pe energia fotonilor incideni) n funcie de lungimea de und,
pentru 2 probe de InAs
0,07
Sb
0,93
[188].
Studiul efectului fotoelectric este important i pentru punerea n eviden a structurii
benzilor energetice n corpul solid. n acest scop exist diferite metode de lucru i
interpretare, dintre care cele mai fructuoase sunt corelarea fotorspunsului cu spectrele
de absorbie, reflexie i luminiscen, precum i studiul curenilor termostimulai. n
cazul curenilor termostimulai proba, rcit la 77K (sau 4,2K), este iluminat
puternic, dup care este nclzit treptat n ntuneric. n timpul iluminrii la temperaturi
joase are loc captarea purttorilor n capcane sau trape (ale cror nivele se afl n zona
interzis), iar apoi, n timpul nclzirii n ntuneric, purttorii sunt eliberai. Dependena
curentului termostimulat de temperatura T pune n eviden o serie de maxime (ascuite)
care corespund poziiei nivelelor de capcane din zona interzisa , determinandu-se astfel
structura , numarul si pozitiile acestora [123 , 189 191 ,192 , 225]
Aceast metod prezint ns i unele dezavantaje eseniale , ca de exemplu : nu se pot
pune in evidenta , nivele adinci , necesita electrozi pentru contacte care pot influenta
masurarile , influenta variatiei temperaturii in timpul masurarilor etc.
Boila[1 94, 248]
a propus o noua metoda , deosebit de
9
Fotoconductibilitatea n straturile de ZnSe i CdSe a mai fost studiat i n lucrrile [172 176], iar n
straturile subiri de CdTe n [178, 179]. De asemenea, fotoconductibilitatea pe impuritile de suprafa la
straturile de CdSe a fost studiat n [193], iar proprietile fotoelectrice n straturile subiri ale sistemului
HgTe ZnTe n [223].
36
interesanta si cu rezultate spectaculoase in determinarea nivelelor din zona interzisa a
semiconductorilor si dielectricilor . Prin metoda Botila masurarile curentilor
termostimulati nu se mai fac in prezenta unui camp extern E
e
ci sub actiunea cimpului
intern Ei care apare in proble omogene illuminate neomogen , datorita efectului
Dember (fig . 7.44) .Acest camp apare din cauza distributiei neuniforme a purtatorilor
de un anumit semn fata de cei de semn opus (fig 7.44b) . In timpul incalzirii, daca
energia nivelelor de capcane (trape) de electroni Etn , e mai mica decat cea a nivelelor
capcane de goluri Etp , se vor gloi intai capcanele de electroni si apoi cele de goluri , iar
in spectrul curentului termostimulat se obtin maximele corespunzatoare (fig 7.45
a).Daca Etp > Etn , campul intern isi schimba polaritatea datorita inversarii ordinii de
golire (mai intai capcanele de goluri ) , curentul termostimulat schimbandu-si si el
semnul (fig 7.44 a si fig 7.45b) . In figura 7.45b sunt redate rezultatele obtinute pentru
cristalele KRS 5 termostimulate dupa metoda Boil. Evident , pot exista si alte cazuri
mai complicate de distributie a capcanelor , mai multe categorii de capcane pentru
electroni si goluri etc. In spectrul curentilor termostimulati se pot identifica maximele
corespunzatoare respectivelor nivele .Metoda elimina necesitatea si influenta
electrozilor si ceea ce este mai important permite determinarea nivelelor adinci.
O varianta interesanta a metodei Boil este metoda curentilor de depolarizare
stimulati prin fotoni PSDPL ( Photon Stimulated Depolarization Polarized by Light )
In aceasta metoda , dupa ce proba a fost polarizata prin iluminare la temperatura joasa ,
se mentine la temperatura scazuta si se iradiaza cu fotoni de energie din ce in ce mai
mare , incepand din infrarosu . Pe masura ce se golesc trapele ( capcanele) datorita
actiunii fotonilor de enrgie h Eti , in curba curentului apar maximele
corespunzatoare (fig. 7.46 ) .M etoda este deosebit de sensibila si prezinta avantajul ca
elimina influenta variatiei temperaturii ( care complica metodele de calcul ) si ceea ce
este mai important , permite determinarea nivelelor de captura ( capcane) adinci si
foarte adinci ( ~ 0.8 eV ) , ceea ce nu se poate obtine prin metoda obisnuita a curentului
termostimulati [194 , 248 ]
Efectul fotovoltaic a fost studiat in foarte multe materiale semiconductoare sub forma
de straturi subtiri [195 220 ] .

37
La unii compusi semiconductori , ca si la Si si Ge , a fost descoperit si un efect
fotovoltaic anomal (EFA) , constand in aparitia , sub actiunea luminii a unei tensiuni ,
electromotoare cu mult mai mari decat largimea E0 a zonei interzise .
EFA a fost semnalat pentru prima data de Pensak [195] si Goldstein [196,197] la
straturile subtiri de CdTe obtinute prin evapoararea pe suporturi inclinate si incalzite la
150 200 C . In aceste conditii se obtineau tensiuni de pana la 100 V ( campuri de
100V/cm) si chiar mai mult . Ulterior au fost preparate straturi subtiri la care EFA este
mult mai intens : ~ 1000 V/cm la CdTe , 100 V/cm la Si, 320 V/cm la Ge , 380 V/cm la
GaAs etc; in cazul unor aliaje semiconductoare la T= 77 K s-au obtinut chiar 5400
V/cm [198 204]
10
.
Pentru explicarea EFA au fost emise mai multe ipoteze si teorii , care , ca
interpretari , difera destul de mult una de alta . Una dintre teorii , care pare sic ea mai
bine fondata , presupune aparitia EFA in urma insumarii tensiunilor fotovoltaice ale
unui numar imens de microbaterii formate la microjonctiuni p n din care este alcatuit
stratul depus pe suport inclinat .Aceste microjonctiuni pot apare prin formarea de
microregiuni cu structuri cristaline diferite : straturi cu structura cubica alternand cu
straturi cu structura hexagonala , sau defecte de aranjare de tip hexagonal in
microcristale cubice , precum si alte regiuni neomogene [205,207,218,220 ] .O alta
teorie [199 , 200] ia in considerare efectul Dember care apare datorita mobilitatii
diferite a purtatorilor , iar in a treia parte teorie presupune formarea sarcoinilor de
volumpe nivele locale . Experientle au aratat ca la unele materiale sub forma de strat ,
mecanismul EFA este explicat de prima teorie ,pe cand a altor straturi este in
concordanta cu cea de-a doua teorie , cea de-a treia gasind mai putine punctede sprijin
[217]
11
.
7.5 Influenta factorilor externi asupra absorbtiei optice si asupra proprietatilor
fotoelectrice in straturile subtiri
Proprietatile optice si fotoelectrice sunt substantial influentate de diferiti factori
externi ,cum sunt temeperatura , tratamentele termice si activarea,campurile electrice si
magnetice ,presiune, radiatiile ionizante, cresterea concentratiei de impuritati in retea
etc.
Proprietatile optice si fotoelectrice sunt substantial influentate de diferiti factori
externi , cum sunt temperature , tratamentele termice si activarea , campurile electrice si
magnetice , presiunea , radiatiile ionizante,cresterea concentratiei de impuritati in retea
etc.
38
S-a constatat ca la InSb marginea absorbtiei fundamentale se deplaseaza odata cu
cresterea concentratiei de impuritati in probele analizate [1,226,227] .Tot la InSb ,
precum si la InAs si la lti compusi semiconductori s-a observa ca margineaabsortiei se
deplaseaza si atunci cand se aplica probei un camp magnetic transversal [228,229]
.Dupa cum s-a aratat in 7.3 maximele de absorbtie datorate impuritatilor se largesc
odata cu cresterea concentratiei acestora . O largire se observa si in cazul maximelor de
absorbtie de natura excitonica, daca se mareste concentratia de impuritati sau de defecte
in proba [22,113,116] .
Tranzactiile de pe nivelele de impuritati apropiate de zona de conductie (nivele putin
adanci ) sunt influentate mult de intensitatea campului magnetic aplicat , datorita
actiunii acestuia asupra starilor din zona de conductie .In prezenta campului magnetic in
spectrul de absorbtie uneori se pot pune in evidenta maxime foarte inguste datorita
aparitiei nivelelor Landau in zona de conductie [30,113,123].
Efectul presiunii sau intinderii mecanice se manifesta optic prin deplasarea marginii
absorbtiei fundamentale datorita modificarii largimii zonei interzise (in semiconductori
, ,dielectrici ).
Influenta unui camp electric extern , uniform, asupra proprietatilor optice si
fotoelectrice a fost studiata de Franz [234] , Keld [235] si altii [236] .De obicei
campul electric influenteaza tranzitiile neverticale , ceea ce duce la largirea si
deplasarea marginii absortiei fundamentale din acest domeniu , precum si a maximelor
respective [237] .
Efectul deplasarii marginii absortiei
fundamentale datorita aplicarii campului
electric se numeste efect Franz Keld .In figura 7.48 este aratat modul in care se
deplaseaza marginea absorbtiei fundamentale in straturilesubtiri de CdS si GaAs pentru
diferite intensitati ale campului electric aplicat [3, 78].

39
Fig. 7.48
Dependenta proprietatilor optice de temperatura probei temepratura la care se fac
masurarile ) a fost studiata in nnumeroase lucrari ( v. Si paragraful 7.3) .La majoritatea
semiconductorilor si dielectricilor ,prin ridicarea temperaturii , largimea zonei interzise
se micsoreaza ca urmare , marginea absorbtiei fundamentale se deplaseaza spre
lungimile de unda mari (fig 7.25 , fig 7.31 b) .O ilustrare clara a acestui proces se vede
in figura 7.48 in care sunt redate spectrele de absorbtie in straturile subtiri de ZnTe
pentru diferite temperaturi ale probei .Prin trecerea de la temperatura azotului lichid la
temperatura camerei ,marginea absorbtiei fundamentale si maximele respective se
deplaseaza spre lungimile de unda mari [107,114].
O puternica influnta asupra proprietatilor optice si fotoelectrice ale straturlior subtiri , in
special in cazul celor din materiale semiconductoare sau dielectrice o au tratamentele
termice in diferite medii (recristalizarea) , doparea, activarea ,precum si radiatiile
ionizante sau laser .Aceste influente au fost analizate si in paragrafele precedente
.Modul de activare prin recristalizare a fost analizata in capitolul 3. Prin recristalizare si
activare se urmareste imbunatatirea structurii cristaline , cresterea fotoconductibilitatii ,
precum si a unor centre optice active (luminescenta ,efect fotovoltaic , emisie stimulata
etc.) .Compusii de tipul A
V
B
VI
, cum sunt CdS CdTe , ZnS ,ZnSe etc. , au ca
principali activatori si coactivatori Cu, Ag ,Mn,Cl , I si In[238],iar cei de tipul A
III
B
V

au ca activaori Cu, Ge , S si altele [74,239].
Efectele tratamentelor termice in diferite medii pentru straturile subtiri de CdS
,ZnS,ZnSe, ZnTe ,CdTe etc . au fost studiate de alimova si col [98 109 ],Spnulescu
[22,105 107 ,114] , Dima [108 ,115,116,170] Chopra si Khan [249],Paparoditis [250]
etc.Acestia au pus in evidenta amplificarea absorbtiei , in domeniul lungimilor de unda
mari, prin tratamente termice in aer , in vid,si mai ales in vaporii metalului apartinand
grupei a II A a sistemului periodic (Zn,Cd) (v. si 7.3) .Rezultate similare au fost gasite
si pentru compusii de tip A
III
B
V
tratati termic in diferite medii.
40
In figura 7.50 este aratata influenta concentratiei de impuritati de Cu asupra
fotoconductibilitatii straturilor de CdS . Dupa cum se vede,un raport mare intre curentul
la iluminare si curentul de intuneric se obtine la concentratii micii ale activatorului ,
cuprinse intre 10
3
si 5 10
3
g la 1g de praf de CdS
14
[238].Efectul tratamentului
termic asupra straturilorde InSb obtinute prin evaporarea instantanee a fost studiata in
[240].
Actiunea rdaiatiilor laser sau a radiatilor ionizante asupra proprietatilor optice si
fotoelectrice ale straturilor subtiri a fost foarte putin studiata , dar este de presupus ca
aceasta actiune trebuie sa fie puternica mai ales in cazul peliculelor semiconductoare si
dielectrice .In lucrarea [241] se arata de exemplu fotoconductibilitatea in straturile
subtiri de PbS scade apreciabil in urma bombardarii cu ioni de 100 400 eV , disparand
total dacaa durata de iradiere este mai mare .Fasciculul de ioni de hidrogen , de oxigen
sau de aragon avea o intensitate de aproximativ 10
7
A [241]. In lucrarea [242] se
studiaza influenta radiatiei laser asupra proprietatilor fotoelectrice a heterojonctiunilor
de ZnSe ZnTe iar in [243] este analizata stingerea electroconductibilitatii stimulate a
straturilor de ZnS actiunea impulsurilor electrice .
Spnulescu i Bltteanu au studiat actiunea radiatilor ionizante (electroni accelerati la
3MeV , radiatii etc.) asupra straturilorsubtiri de CdS , ZnTe ,CdSe etc. [244 247].
Dupa cum au aratat experientele ,iradierea cu electroni accelerati la 3MeV , in doze de
ordinul a 5 10
8
rad duce la cresterea absorbtiei in domeniul absorbtiei fundamentale
,precum si la accentuarea si largirea maximelor de absorbtie din respectivul domeniu
[246].Aceste modificari pot fi puse in legatura cu modificarile structurale care apar in
strat ,cum ar fi imbunatatirea structurii cristaline ( v. Subparagraful 5.6.2). formarea
unor defecte optic active , crestera concentratiei de atomi nestoechiometrici etc.


41