Receptores para Radio Astronomia

Universidad de Chile
Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas

Departamento de Ingeniera Elctrica

Receptores para Radio Astronoma.

Conceptos generales
Receptores de banda de hidrgeno
Receptores de banda X
Receptores de banda submilimtrica

Autor : lvaro Palma.
Profesor : Javier Ruiz del Solar.
Curso : ED 785 Trabajo Dirigido.
Fecha : 24 de agosto de 2005.
ndice Receptores para Radio Astronoma

2
2
ndice

1 INTRODUCCIN .......................................................................................................................... 3
2 CONCEPTOS GENERALES........................................................................................................ 6
3 RECEPTORES DE BANDA DE HIDRGENO....................................................................... 17
3.1 AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO ...................................................................................................17
3.2 OSCILADORES .........................................................................................................................................21
4 RECEPTORES DE BANDA X.................................................................................................... 28
4.1 AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO........................................................................................................28
4.1.1 Dispositivos de estado slido.................................................................................................................................................. 28
4.1.2 Tubos de microondas.............................................................................................................................................................. 29
4.2 MEZCLADOR............................................................................................................................................36
4.2.1 Osciladores de cristal .............................................................................................................................................................. 36
4.2.2 Diodos Gunn........................................................................................................................................................................... 37
4.2.3 Osciladores por resonancia de dielctrico (Dielectric Resonator Oscillator).......................................................................... 43
5 RECEPTORES DE BANDA SUBMILIMTRICA.................................................................. 45
5.1 MEZCLADORES .......................................................................................................................................48
5.1.1 Diodos Schottky ..................................................................................................................................................................... 49
5.1.2 Superconductor-Insulator-Superconductor, SIS...................................................................................................................... 52
5.1.3 Hot-Electron Bolometers, HEB .............................................................................................................................................. 54
5.2 OSCILADORES .........................................................................................................................................59
5.3 CRIOSTATOS............................................................................................................................................60
6 BIBLIOGRAFA........................................................................................................................... 62

Introduccin Receptores para Radio Astronoma

3
3
1 Introduccin

La radioastronoma es una rama de la astronoma de reciente aparicin. Si se considera que el
estudio del espacio en la manera clsica (es decir, mediante la observacin de radiacin en el rango
ptico) ha sido llevado a cabo por el hombre desde casi los comienzos de la civilizacin, tal como dan
cuenta las ruinas de observatorios encontradas en las regiones donde comenz la civilizacin como
Egipto o Mesopotamia, la radioastronoma es una ciencia de mucho ms reciente abordaje. Se puede
decir que sus inicios formales pueden situarse en las observaciones realizadas por Karl Jansky en 1931.

Durante un estudio encargado por Bell Telephone Laboratories para investigar direcciones de
incidencia de electrosttica causada por tormentas, con el fin de minimizar su impacto en antenas de
comunicacin transocenica, Jansky descubri la existencia de una radiacin de periodicidad casi diaria
en la longitud de onda de 14.6mts (20.5MHz) que no pudo ser relacionada con ninguna fuente terrestre.
Public sus descubrimientos en diciembre de 1932[1], fecha que puede ser marcada como el inicio
formal del estudio de la radioastronoma.

Figura 1: Antena usada por Karl Jansky para sus observaciones.

Recin 3 aos despus, en octubre de 1935[2], pudo finalmente determinar el origen de dicha
radiacin, que result ser la Va Lctea. Sin embargo, no continu con sus trabajos por falta de apoyo.
Dos aos ms tarde, un radioingeniero llamado Grote Reber se interes en su trabajo, e inici
observaciones con un radiotelescopio de su propia autora. En 1940 public sus resultados[3], los
cuales fueron ledos con especial atencin por el profesor Jan Oort y su colega Hendrick van der Hulst.
ste ltimo sostena que deba ser posible la deteccin de lneas espectrales de emisin postuladas por
la mecnica cuntica, especficamente la lnea de emisin de hidrgeno neutro, alrededor de 1420

4
4
MHz[4], la cual fue comprobada por Ewen y Purcell 6 aos despus[5] y por el mismo Oort[6]. La
tecnologa necesaria para la deteccin de esta banda en particular es abordada en este informe.

Figura 2: Receptor utilizado por Grote Reber para sus observaciones.

La tecnologa ha avanzado enormemente desde esos primeros das, especialmente en el mbito
de la electrnica y los materiales usados en ella, pasando desde los tubos, grandes y de corta duracin,
a los transistores de nuestros das, microscpicos, de gran capacidad de amplificacin y duracin.
Gracias a esto, se ha podido expandir el estudio de las emisiones radioelctricas a frecuencias mucho
ms elevadas que aquella inicial banda de hidrgeno. De hecho, en la actualidad, la ITU-R (seccin de
la ITU encargada de radiocomunicaciones) ha generado recomendaciones y reglamentos para el uso y
estudio de frecuencias[7][8][9][10] en valores bastante ms elevados y con bandas ms amplias que las
frecuencias estudiadas en los albores de la radioastronoma, todo ello gracias al desarrollo de la
tecnologa que ha permitido contar con materiales capaces de trabajar a frecuencias cada vez ms
elevadas con confiabilidades aceptables. De hecho, el estudio de la radioastronoma ha logrado tal
importancia que la ITU ha generado una rama completa dedicada a esa especialidad (la rama RA) que
vela adems por la mantencin de la limpieza en dichas bandas, de modo que stas no sean
contaminadas por emisiones hechas por el hombre.

5
5

En esta serie de trabajos se abordar la tecnologa necesaria para la medicin de seales en 3
bandas de frecuencia en particular:

i. Banda de hidrgeno (en torno a 1.42Ghz).
ii. Banda X (en torno a 10Ghz).
iii. Banda submilimtrica (desde 300GHz hasta 3THz).

Conceptos generales Receptores para Radio Astronoma

6
6
2 Conceptos generales

Un radiotelescopio es bsicamente muy similar a un receptor de radio usado en otras bandas de
frecuencia de uso diario, con la salvedad que opera, en general, a frecuencias mucho ms elevadas (por
ejemplo, las emisiones de radio y TV se ubican en la banda VHF, situada entre 60 y 215 MHz, mientras
que la banda de hidrgeno, una de las de ms baja frecuencia, se ubica en 1420 MHz,
aproximadamente). El esquema ms comn de receptor utilizado es el llamado receptor
superheterodino. Un esquema de este receptor se muestra a continuacin.

Figura 3: Diagrama de bloques de un receptor superheterodino.

En el caso particular de un radiotelescopio, este esquema ya montado adopta una forma del
estilo mostrada en la siguiente figura.


7
7

Figura 4: Esquema de un radiotelescopio.

Este receptor superheterodino est conformado por las siguientes etapas:

i. Antena

Es la etapa encargada de convertir la energa de la onda electromagntica en estudio en una
diferencia de potencial capaz de ser manejada en un circuito elctrico.

ii. Gua de onda

Etapa opcional que transporta la seal recolectada por la antena, ubicada fsicamente
probablemente lejos del resto de los circuitos.

iii. Amplificador de RF (LNA)

Amplificador que opera en la frecuencia de la seal de entrada (comnmente del orden de los
GHz), y que posee la caracterstica especial de introducir mrgenes de ruido muy pequeos en la seal
(de ah su sigla en ingls, LNA, low noise amplifier).

8
8

Las seales csmicas son generalmente muy dbiles
1
(se estima que una fuente potente como
Cygnus A emite una potencia del orden de
38
10 Watts, de los cuales en la Tierra se reciben del orden
de
20
10

2
m
Watts
[11]). Si bien las antenas son capaces de recolectar esos bajsimos niveles de energa,
para poder medir y estudiar esta seal es necesario amplificarla. Sin embargo, el principal
inconveniente de esa amplificacin es que no slo magnifica la seal til de entrada, sino que tambin
el ruido asociado, incluso el producido por el propio amplificador. En las transmisiones normales (por
ejemplo, radio o televisin), los niveles de potencia de seal til recibida son bastante ms elevadas que
el ruido de fondo, por lo que los elementos usados en la circuitera asociada a dichas aplicaciones no
estn sujetos a restricciones demasiado severas al respecto. Sin embargo, en el caso de
radioastronoma, los niveles de seal son tan extremadamente bajos que son fcilmente confundibles
con el ruido producido por componentes electrnicos, y por tanto, este ruido puede esconder la seal
que se est tratando de estudiar.

Una de las principales fuentes de ruido de la electrnica convencional basada en
semiconductores es el llamado ruido trmico, producido por el movimiento natural de las partculas en
un material que se encuentra a una temperatura diferente al cero absoluto (0[K]). Este movimiento
genera corrientes parsitas an en ausencia de una seal de entrada, creando un ruido conocido como
ruido de Johnson. Estas corrientes parsitas, al estar bajo la accin del amplificador, pueden
magnificarse cientos o miles de veces.

La teora de la mecnica quntica nos dice la radiacin producida por un cuerpo negro (en este
caso, el material con que est construido el amplificador) puede modelarse como una funcin de la
temperatura absoluta de dicho material. Esta radiacin, ms exactamente, la energa generada por
unidad de rea y de tiempo por un cuerpo a una frecuencia cuando ste se encuentra a una
temperatura T viene dada por la expresin:

1
1 2
) (
2
3
=
kT
e
c
T B
h
h

k = Constante de Boltzmann.
h = Constante de Planck.
T = Temperatura absoluta del cuerpo.
c = Velocidad de la luz.
= Frecuencia de la emisin.

ecuacin que es conocida como ley de Planck.

En radiocomunicaciones esta ecuacin es poco empleada. En su lugar, para expresar el ruido
generado por un cierto material o equipo se usa el concepto de temperatura equivalente de ruido. La
temperatura equivalente de ruido es un parmetro que representa la potencia generada por un
cuadripolo no ruidoso (por ejemplo, un material o un equipo que se quiere caracterizar) a cuya entrada
se conecta un cuerpo negro resistivo a la temperatura sealada y que, en esas condiciones, emite la

1
Obviamente no considerando aqullas provenientes del Sol.

9
9
misma potencia que el equipo real no sometido a seal de entrada (es decir, la seal de salida es
puramente efecto de ruido interno).

Figura 5: Temperatura equivalente de ruido de un cuadripolo.

Es decir,
2 1 s s
P P = .

Para los valores prcticos de temperatura y frecuencia usados en radioastronoma, y tomando
como referencia esta temperatura de ruido, la potencia de ruido generada por un material puede ser
simplificada a la expresin:

B kT P
eq ruido
=

donde

k = Constante de Boltzmann.
T = Temperatura de ruido equivalente del sistema.
B = Ancho de banda de la seal en estudio.

En un sistema conformado por N etapas, como por ejemplo, el mismo receptor superheterodino:

Figura 6: Clculo de la temperatura equivalente de ruido de un sistema de N etapas.

la temperatura equivalente de ruido del conjunto completo vendr dada por:

+ = +
+ + =
=

=
N
i
i
j
j
i
eq
G
T
T
G G
T
G
T
T T
2
1
1
1
2 1
3
1
2
1
L

Por tanto, la temperatura de ruido del primer material de la secuencia ser preponderante. Es por
ese motivo que el diseo de este primer equipo, en este caso, un amplificador
2
, es clave en el correcto
funcionamiento del radiotelescopio. Los amplificadores comunes disponibles en tiendas de electrnica
presentan dos problemas principales para su uso en esta labor:

2
Las temperaturas se miden a la salida del amplificador, es por eso que se desprecia la temperatura de antena, que, por
apuntar en teora al espacio, slo posee como temperatura de ruido la del espacio, del orden de 3[K].

10
10
a) Estn diseados para funcionar a frecuencias mucho ms bajas (del orden de los MHz) que
las seales comnmente usadas en radioastronoma (en el orden de los GHz), por lo que su
comportamiento a dichas frecuencias puede ser errtico.

b) Presentan niveles de ruido incompatibles con los niveles de seal til.

Para evitar el efecto del ruido trmico, tpicamente se ha recurrido al enfriamiento artificial de
los amplificadores, ya sea mediante aire acondicionado, o en condiciones ms extremas, mediante
criogenizacin a travs del uso de nitrgeno o helio lquido, entre otros. Sin embargo, estas medidas
son costosas y difciles de aplicar, especialmente en radioobservatorios situados en lugares remotos.

Una cantidad tambin usada en la descripcin de materiales es la figura o cifra de ruido,
denotada por su sigla en ingls NF. Se define como

|
|
\
|
+ =
0
10
1 log 10
T
T
NF
eq

eq
T es la temperatura equivalente de ruido del material.
0
T es una temperatura de referencia. Se
suele usar como referencia la temperatura media de la Tierra, 290K.

Otro parmetro importante de ser considerado en los amplificadores tiene que ver con su
comportamiento no lineal. La respuesta de un amplificador (es decir, la potencia de salida v/s la
potencia de entrada) es del tipo:


11
11

Figura 7: Comportamiento real de un amplificador y clculo de factor de distorsin en saturacin

Si bien los amplificadores se comportan de una forma bastante lineal, la relacin entre potencia
de entrada v/s potencia de salida queda mejor representada por una ecuacin del tipo:

=
+ + + + =
n
i
i
entrada i entrada entrada entrada salida
P P P P P
0
3
3
2
2 1 0
L

En el caso de seales sinusoidales, esa no linealidad conlleva a la aparicin de armnicas de la
frecuencia original a la salida del amplificador, debido a las propiedades de las funciones sinusoidales:

( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )

3 cos
4
1
cos
4
3
cos
2 cos 1
2
1
cos
3
2
+ =
+ =

Los armnicos generados en frecuencias que son mltiplos enteros de la frecuencia fundamental
pueden ser eliminados mediante el uso de filtros pasabanda; sin embargo ello es imposible con el
trmino ( ) cos
4
3
generado por la distorsin de tercer orden, pues dicho trmino coincide en frecuencia
con la armnica fundamental, y por tanto, agrega a la seal de salida un factor de ruido imposible de
separar. La nica forma de controlar este factor es tratando de operar en la regin lineal del

12
12
amplificador, por lo que es importante conocer los niveles de potencia de salida a los cuales ste se
satura.

Se conoce como IP3 (sigla para Third Order Intersect Point, algunos autores lo nombran como
IM3, Intermodulation of 3rd harmonic) a la potencia de salida del amplificador a la cual la
contribucin a dicha potencia asociada a la amplificacin lineal ser igual a la amplificacin de tercer
orden
3
. Un valor alto de IP3 asegura un amplificador que se satura a altas potencias, y que por tanto,
tiende a introducir menos ruidos por efecto de intermodulacin en la seal de salida que otro
amplificador con un menor valor de IP3.

Finalmente, un ltimo parmetro importante a considerar en la eleccin de un amplificador es el
Voltage Standing Wave Radio (VSWR). Este parmetro da cuenta de la similitud de la impedancia de
entrada del amplificador con respecto a una impedancia patrn. En microondas se suelen utilizar
impedancias de 50[] en el equipamiento, sin embargo, no siempre es posible alcanzar dicho valor en
los elementos, debido principalmente a las restricciones de ruido impuestas por el diseo. Se define
VSWR como la relacin

+
=
1
1
VSWR

donde
0
0
Z Z
Z Z
+
= es el coeficiente de reflexin de un circuito constituido por el amplificador y

una impedancia patrn. Z es la impedancia de entrada del amplificador,
0
Z es una impedancia patrn,
tpicamente 50[].

El factor VSWR es de importancia fundamental al interconectar un amplificador a otro
equipamiento, pues desadaptaciones de impedancia pueden llevar a lecturas errneas y fallas tempranas
en equipos por rebotes de ondas que provocan sobrecalentamiento y retroalimentacin de la seal,
probablemente incluso hasta la antena, donde sta es recapturada generando una realimentacin
positiva perniciosa.

iv. Mezclador y oscilador local

Hasta este punto del sistema, la frecuencia de la seal sigue siendo la frecuencia original
recolectada por la antena, la que dependiendo del fenmeno a estudiar, puede moverse en varios
rdenes de magnitud, desde los MHz a varios cientos de GHz. Una situacin ideal para poder procesar
esa seal sera tener la capacidad de digitalizarla directamente en esta etapa. Este deseo topa con una
limitacin prctica impuesta por los materiales y los equipos usados. Segn el teorema del muestreo de
Nyquist, para poder digitalizar una seal sin perder informacin, es necesario que la frecuencia de
muestreo sea igual al doble que la frecuencia mxima contenida en la seal. En el caso de
radioastronoma, esto impone tasas de digitalizacin del orden de giga muestras por segundo, para las
cuales no existe en la actualidad tecnologa capaz de llevar a cabo dicha labor. Por otra parte, si bien la
frecuencia base de las seales suele ser elevada, el ancho de banda en torno a ella puede acotarse en
valores manejables por la tecnologa actual (de hecho, en el caso del estudio de frecuencias asociadas a

3
Cabe recordar que por definicin de dB, la componente de tercer orden de la curva de potencia de salida v/s entrada del
amplificador tendr un pendiente 3 veces superior a la componente de primer orden.

13
13
emisiones espectrales como es el caso de la banda de hidrogeno, el ancho de banda requerido es, en
teora, cero, pues la emisin corresponde a una frecuencia especfica).

Es por estas restricciones (frecuencias base elevadas, anchos de banda manejables) que se
incluye una etapa de mezclado de la seal con una referencia sinusoidal, que consiste en multiplicar
ambas seales. Por transformada de Fourier se sabe que dos seales sinusoidales:

( ) t a A
1
cos =
( )
2 2
cos + = t b B

al ser multiplicadas entre s en el dominio del tiempo generarn una seal:

( ) ( )
2 2 1
cos cos + = = t t ab B A C

Figura 8: Esquema terico de un mezclador analgico.

Por propiedad trigonomtrica del coseno, se tiene que:

( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )

+ =
+ = +
sin sin cos cos cos
sin sin cos cos cos

Por paridad del coseno ( ( ) ( ) cos cos = ) e imparidad del seno ( ( ) ( ) sin sin = ), dicha
expresin puede ser reescrita como:

( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )

sin sin cos cos cos
sin sin cos cos cos
=
+ = +

lo que se reduce a:

( ) ( )
( ) ( )

cos cos
2
cos cos
=
+ +

y por tanto, la seal mezclada se puede reescribir como:


14
14
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2 2 1 2 2 1 2 2 1
cos cos
2
cos cos + + + = + = t t
ab
t t ab C

Este proceso es conocido como modulacin. Si la frecuencia de la seal de mezclado,
2
, es
similar a la frecuencia de la seal en estudio,
1
, se tendr a la salida tanto una seal de muy alta
frecuencia ( ( ) ( )
2 2 1
cos
2
+ + t
ab
), como una de frecuencia mucho ms baja
( ( ) ( )
2 2 1
cos
2
t
ab
). Si la seal de alta frecuencia es filtrada mediante un filtro pasabajos, se
obtiene una seal en una banda de frecuencia mucho ms manejable para la tecnologa actual, la que s
puede ser digitalizada sin problemas.

Para lograr esta mezcla de seales se requiere que el oscilador genere una seal patrn en una
frecuencia muy similar a la seal en estudio (para lograr obtener a la salida del mezclador, seales con
una frecuencia central relativamente baja, una vez que se ha descartado el espejo de alta frecuencia).
Por este motivo, dicho oscilador es otra pieza clave en el diseo del receptor, pues se necesita que
trabaje a frecuencias elevadas con una alta confiabilidad.

v. Amplificador de frecuencia intermedia y filtro pasabanda.

El amplificador de frecuencia intermedia es aqul que procesa la salida del mezclador, la cual se
encuentra a una frecuencia mucho ms baja que la seal de entrada original, mucho ms manejable con
electrnica convencional. Este amplificador posee adems un filtro pasabanda encargado de limitar el
ancho de banda de la seal solo a aqul de inters para el estudio en particular. Tpicamente son filtros
centrados por convencin (sin restricciones formales) en torno a 10.7, 21.4, 45 y 70 MHz, construidos
en base a mallas de cristales, cermicas, etc. Una diferencia fundamental entre estos amplificadores y
los usados en circuitos comerciales de uso corriente es el hecho que estos ltimos emplean
configuraciones de control automtico de ganancia (AGC) que son contraproducentes en
radioastronoma, pues tienden a enmascarar cambios sutiles en la dbil seal de entrada, los cuales
pueden ser deseables de ser estudiados.

Como este amplificador est situado a frecuencias mucho ms bajas y manejables, es posible
lograr en l ganancias significativas, del orden de 60 a 90dB, sin comprometer la integridad de la seal.

vi. Detector de ley cuadrtica.

Etapa que proporciona una salida de voltaje en corriente continua, proporcional a la amplitud
del cuadrado de la entrada. Est basado en un diodo rectificador (tpicamente de germanio o Schottky).

vii. Integrador.

El integrador es un dispositivo que suma el voltaje en su entrada por un cierto periodo,
generando por tanto una seal del tipo:

( ) ( ) d V t I
t
o
cc
=


15
15
Por este motivo esta integracin acta como un filtro pasabajos, suprimiendo componentes de
alta frecuencia en base a la longitud del periodo de integracin. La eleccin de este periodo es muy
importante, pues periodos de integracin muy largos suprimirn demasiadas componentes de alta
frecuencia, incluyendo aqullas deseables de ser estudiadas, mientras que periodos muy cortos no
suprimirn componentes de muy alta frecuencia probablemente si deseables de ser eliminadas.

Un caso especial de receptores superheterodinos son aquellos enfocados al estudio de
frecuencias especficas en lugar de bandas de frecuencia. Estas frecuencias puntuales estn asociadas a
emisiones espectrales de elementos (los cuales, por principios cunticos, emiten radiacin en
frecuencias que son mltiplos enteros de la constante de Planck). Un esquema de dicho tipo de
radiotelescopio es el siguiente:

Figura 9: Esquema de un receptor superheterodino para estudio de frecuencias especificas.

Es decir, en lugar de contarse con una nica banda de frecuencia, se tiene un conjunto de
frecuencias casi puras (es decir, con anchos de banda asociados muy pequeos, del orden de los KHz),
no traslapadas entre s.

Existen otros esquemas de radiotelescopios. Sin embargo, dado que el enfoque de esta
investigacin son las diferentes tecnologas de receptores y no los tipos de radiotelescopios, no se
entrar en detalle en ese tema.

Dado el enorme rango de frecuencias factibles de ser observadas desde la superficie de la
Tierra[11]:


16
16

Figura 10: Nivel de transparencia de la atmsfera con respecto a diversas frecuencias radioelctricas.

el cual se mueve en un rango de 12 rdenes de magnitud, aparecen fenmenos asociados a los
materiales usados en cada una de esas etapas (por ejemplo, los materiales utilizados en la construccin
de la antena, del foco, de la gua de onda, del receptor con sus osciladores, del amplificador de bajo
ruido, etc.), los cuales estn lejos de presentar un comportamiento idealizado para todo ese rango de
frecuencias de operacin, sino que exhiben efectos que imponen la necesidad de estudiar ms en detalle
cada uno de dichos materiales, y de escogerlos adecuadamente dependiendo de la banda de frecuencia
que se desee estudiar.

De lo expuesto anteriormente, las etapas sensibles a la frecuencia en estudio son el amplificador
de entrada o de radiofrecuencia (LNA RF), el mezclador y el oscilador local, pues en ellos es necesario
producir y/o procesar seales en las bandas de frecuencia de entrada, que son las que se ubican en GHz
o superiores, mientras que el resto del sistema es comn para distintas frecuencias de entrada, pues su
frecuencia de trabajo (la llamada frecuencia intermedia, IF) puede ser establecida en una frecuencia
patrn a partir del diseo del oscilador local. Adems, la intensidad de la seal en esas etapas de
entrada es tan pequea que impone la potente restriccin de ruido sobre la electrnica a usar.

Tomando en cuenta estos factores, se pasar a analizar los materiales utilizados en la
construccin de esas dos piezas claves del radiotelescopio: El amplificador de bajo ruido y el oscilador
local.

Receptores de banda de hidrgeno Receptores para Radio Astronoma

17
17
3 Receptores de banda de hidrgeno

La emisin de hidrgeno neutro en la longitud de onda de 21cms. se origina en la transicin
entre los niveles F=1 y F=0 de la estructura hiperfina para el estado basal
2 / 1
2
1 s . Esta frecuencia puede
calcularse en forma terica usando los postulados de la mecnica quntica, teniendo en cuenta los
valores de las constantes fundamentales de la materia. Hoy en da se acepta como valor de dicha
frecuencia:

[ ] Hz 786 . 751 . 405 . 420 . 1 =

Actualmente se suelen utilizar osciladores de hidrgeno (masers
4
) como calibradores de
frecuencia, pues es posible lograr con ellos resultados excepcionalmente precisos en mediciones de
frecuencia en el corto plazo, ya que exhiben corrimientos (drift) de 1 parte en
13
10 (es decir, errores
del orden de milsimas de Hertz c/r a la frecuencia base)[12].

Por ser sta una de las bandas de emisin situadas a relativamente baja frecuencia (y por tanto,
no requerir de electrnica demasiado avanzada), y por corresponder a un elemento de inters para los
cientficos, esta banda fue una de las primeras en ser estudiadas[12], y de hecho, se trat de la primera
lnea espectral en ser descubierta. Al presente, gracias a su estudio se ha podido realizar detallados
mapeos de la Va Lctea[14].

De lo visto anteriormente, las piezas claves, y que distinguen un radiotelescopio de otro tienen
relacin con los equipos de la etapa de alta frecuencia, en los que se incluyen el amplificador de bajo
ruido y el oscilador local, los cuales se estudian a continuacin para el caso de receptores de emisiones
de hidrgeno a 1.42 GHz.

3.1 Amplificadores de bajo ruido

Los transistores de juntura bipolar fueron los primeros dispositivos activos de estado slido
capaces de entregar ganancias aceptables y temperaturas de ruido suficientemente bajas para ser tiles a
frecuencias de microondas[15][16]. A partir de los aos 70, el desarrollo de los transistores por efecto
de campo (FET), especialmente aqullos construidos en arsenurio de galio, ms conocido por su
smbolo qumico GaAs[19] permiti el diseo de amplificadores de estado slido con bajos valores de
figura de ruido y ganancias ms elevadas que en el caso de junturas bipolares y adems estables en el
rango de frecuencia de las microondas. Hoy en da, el avance en la tecnologa de materiales ha
permitido que ambas tecnologas convivan en uso, incluso en frecuencia del orden de 100 GHz.

En la actualidad, la principal tecnologa utilizada en amplificadores de microondas (entre las
que se incluye la banda de hidrgeno) es la basada en semiconductores de GaAs e InP (fosfato de
indio) del tipo FET por sobre los tradicionales semiconductores bipolares de silicio (Si) o silicio-
germanio (SiGe), que sin embargo, an son usadas[20]. En los semiconductores de tipo FET se
privilegia a su vez el uso de un tipo de transistor llamado HEMT (de su sigla en ingls High Electron
Mobility Transistor).

4
Sigla para Microwave amplification stimulated by the emision of radiation, equivalente en microondas para los lasers.

18
18
Un transistor HEMT es un tipo especial de transistor MOSFET, en el cual el esquema de
junturas utilizado generalmente, basado en fronteras entre semiconductores dopados con portadores
positivos v/s portadores negativos, ha sido reemplazado por una juntura conformada por un material
semiconductor (tpicamente GaAs, o bien GaN en los transistores de ltima generacin), y por un
compuesto que incluye un metal, generalmente AlGaAs (o AlGaN ms recientemente). Ambos
materiales no han sido dopados.

La existencia de esta juntura provoca, al igual que en el caso de las junturas bipolares
tradicionales, la creacin de una barrera de potencial a lo largo de ella. Sin embargo, en el caso de
transistores HEMT, dicha barrera adopta una forma tal que los electrones que se ubican a lo largo de
dicha juntura estn forzados o atrapados a ella, segn el resultado de las ecuaciones de Schroedinger.
Estos electrones podrn por tanto slo moverse en el plano de la juntura, con lo cual, crean un efecto
que ha sido llamado 2-Dimensional Electron Gas o ms conocido por sus siglas, 2DEG. Este pseudo-
gas de electrones representa la principal ventaja de los transistores HEMT con respecto a transistores
MOSFET tradicionales, pues constituye un canal de comunicacin entre fuente y drenaje de bajsimo
ruido, y mucho ms veloz que el intercambio donores-aceptores utilizado en transistores bipolares. Es
por este motivo que los transistores HEMT presentan cifras de ruido muy inferiores a los transistores
bipolares, e incluso, a los propios MOSFET, y se han convertido en el estndar de facto como
amplificadores de bajo ruido para aquellas frecuencias donde es posible utilizar dispositivos de estado
slido.

Figura 11: Esquema de un transistor HEMT.


19
19

Figura 12: Distribucin de bandas de energa en una transistor HEMT.

Dentro de los transistores HEMT se distinguen 2 subtipos principales:

i. Pseudomorphic High Electron-Mobility Transistor (pHMET)[22].
ii. Metamorphic High Electron-Mobility Transistor (MHMET)[23].

Por otra parte, la principal variedad de amplificadores de juntura bipolar usados son los
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)[24][25].

El uso preferente de GaAs, y en menor medida InP en desmedro de Si y SiGe, as como
transistores tipo FET en lugar de junturas bipolares (NPN, PNP), en la construccin de transistores para
amplificacin de bajo ruido se justifica principalmente por 2 razones[16][26]:

i. La movilidad de portadores en GaAs es 6 veces mayor que en Si, mientras que la velocidad
de peak drift es 2 veces superior en GaAs con respecto a Si. Mayor movilidad de los
portadores implica mayores corrientes de salida para igual entrada y menores resistencias

20
20
parsitas en el semiconductor, lo que se traduce en ganancias ms elevadas y menores
cifras de ruido.

ii. La resistencia serie equivalente de un transistor de silicio suele ser superior a la de un
transistor de semiconductor compuesto como GaAs o InP, principalmente por causa de la
tecnologa de fabricacin. Esta resistencia serie es responsable tambin de efectos de ruido
por concepto de disipacin y aumento de temperatura en el semiconductor, incrementando
con ello la cifra de ruido asociada a un transistor de silicio.

ltimamente se aprecian tambin desarrollos en semiconductores basados en CMOS[21],
descartados originalmente por ser considerados lentos y ruidosos para los estndares necesarios en
microondas, pero que han mejorado su desempeo a medida que avanza la tecnologa de materiales.
Sin embargo, por ahora el uso de estos dispositivos se ha limitado a aplicaciones comerciales de
microondas, tales como sistemas GPS o telfonos celulares en banda de 1.9Ghz, las cuales no poseen
restricciones tan crticas en relacin a los parmetros de ruido, dada la relativa cercana existente entre
emisores y receptores.

En radioastronoma, los parmetros tpicos de amplificadores usados para el caso de banda de
hidrgeno incluyen cifras de ruido del orden de 1dB y ganancias de entre 10 a 30dB. Entre los
proveedores de amplificadores de bajo ruido ms conocidos se encuentran Mini-Circuit, Machtech y
Miteq, cuyos catlogos de amplificadores de bajo ruido para banda de hidrgeno pueden ser obtenidos
desde la Web.

Ejemplos de amplificadores de bajo ruido utilizados en banda de hidrgeno son:

1. ZX60-3011 de Mini-Circuit[27]

Frecuencia de operacin 1.0-1.7 GHz
NF 1.5dB
Ganancia 11dB
Estabilidad de la ganancia en la banda de operacin 1dB
Mxima potencia de salida a 1 dB de la saturacin 19.5dBm
Mxima potencia de entrada sin dao 15dBm
IP3 31
VSWR Entrada 1.7:1
VSWR Salida 1.6:1

Figura 11: Amplificador de bajo ruido ZX60-3011 de Mini-Circuits.

2. AM-4A-0515, de Miteq[28]. ste es un amplificador de juntura bipolar, que posee una cifra
de ruido muy elevada, pero que sin embargo, igualmente fue usado con xito en la
deteccin de emisiones de hidrgeno, segn se muestra en [29]

21
21

NF 1.5-2.2dB
5

Ganancia 40dB
Estabilidad de la ganancia en la banda de operacin 0.75dB
Mxima potencia de salida a 1dB de la saturacin 5dBm
VSWR Entrada 2.0:1
VSWR Salida 2.0:1

Miteq posee actualmente amplificadores basados en tecnologa GaAs FET cuyas
especificaciones se ajustan mucho mejor al estudio de seales dbiles. Un ejemplo de stos es el
siguiente:

3. JSM2-01000200-045-10A de Miteq[30], un amplificador de extremo bajo ruido que posee
las siguientes especificaciones:

NF 0.45dB
Ganancia 36dB
Estabilidad de la ganancia en la banda de operacin 1dB
Mxima potencia de salida a 1dB de la saturacin 10dBm
Mxima potencia de entrada sin dao 20dBm
IP3 18dBm
VSWR Entrada 2.0:1
VSWR Salida 2.0:1

Figura 12: Amplificador de bajo ruido JSM2-01000200-045-10A de Miteq.

Todos los parmetros sealados han sido medidos a 23[C]. Por tanto, dadas las pequeas cifras
de ruido de esos amplificadores, an a esa temperatura, se concluye que en la banda de hidrgeno no es
necesario recurrir a tcnicas de enfriamiento artificial del amplificador para obtener niveles de ruido
suficientemente pequeos como para no alterar la recepcin desde el telescopio.

3.2 Osciladores

Los osciladores son circuitos que entregan a su salida una seal peridica, como por ejemplo,
una sinusoidal o un tren de pulsos.

5
Para frecuencia mnima y mxima de operacin respectivamente.

22
22

Existen 2 tipos principales de osciladores:

i. Los basados en el efecto piezoelctrico.
ii. Los basados en cavidades resonantes.

Un oscilador basado en efecto piezoelctrico es un dispositivo sobre el que, al aplicarse una
seal elctrica, genera en su salida una seal mecnica en un eje perpendicular al eje de aplicacin de la
seal elctrica. O bien, viceversa, generar una seal elctrica peridica frente a la aplicacin de una
seal mecnica.

En el caso de circuitos elctricos, existen 3 materiales principales que presentan un
comportamiento como el descrito: Cuarzo (Dixido de Silicio, SiO
2
), Turmalina y las llamadas sales de
Rochelle. Estas ltimas permiten generar las frecuencias ms elevadas, pero presentan la desventaja de
ser dbiles y quebradizas. La turmalina es por su parte el material ms resistente de los 3, pero es
tambin el que genera las frecuencias ms bajas del conjunto. En un lugar intermedio se encuentra el
cuarzo, el que por tanto se ha transformado en la alternativa de material ms accequible para la
generacin de frecuencias intermedias de forma simple y confiable.

Un cristal de cuarzo puede ser modelado como un circuito de la forma:

Figura 13: Circuito equivalente de un cristal de cuarzo.

Estos osciladores estn basados en fenmenos de tipo mecnico. Por este motivo, las
frecuencias de oscilacin que son capaces de lograr son relativamente bajas para las usualmente vistas
en microondas; actualmente estn limitados a frecuencias de alrededor de 200 MHz. Para obtener
frecuencias de oscilacin mayores se recurre a circuitos llamados multiplicadores de frecuencia, los
cuales poseen la capacidad de, a partir de una seal peridica de entrada, generan armnicos de sta,
los que a su vez son filtrados por una etapa pasabanda que permite obtener a su salida slo un armnico
en particular de la seal original. Con este tipo de circuitos es posible lograr multiplicaciones de
frecuencia en factores del orden de 10 a 20 veces, como es posible apreciar por ejemplo en
computadores hogareos, donde un cristal de cuarzo genera una frecuencia base de 133Mhz, la cual es
multiplicada en factores crecientes en 0.5 veces hasta llegar a lograr frecuencias del orden de 3.2GHz o
incluso superiores hoy en da. Un ejemplo de circuito multiplicador es el siguiente:


23
23

Figura 14: Circuito multiplicador de frecuencia mediante generacin de armnicos.

Los cristales de cuarzo poseen la propiedad de ser estables, esto es, variar muy poco su
frecuencia de oscilacin. Adems, an en el peor de los casos, esta variacin es tan pequea
(generalmente del orden de 10 partes por milln, lo que se traduce en cambios de 14 KHz para el caso
de la banda del hidrgeno) que es mucho menor que la variacin de frecuencia propia de la banda en
estudio. Es necesario ser cuidadoso en la mantencin de los osciladores de cristal, pues suelen presentar
la caracterstica de aumentar sus errores por corrimiento de frecuencia a medida que envejecen, por lo
que poseen una vida til tras la cual deben ser reemplazados si se pretende asegurar calidad en la
medicin.

Por otra parte, los osciladores basados en cavidades resonantes son aqullos que generan una
seal peridica como resultado de la incidencia de un campo electromagntico sobre un material
sintonizado de tal forma que, como su nombre lo indica, resuena a la frecuencia que se quiere lograr.
Entre los osciladores ms comunes de este tipo se encuentran los osciladores Jun y los tubos de
microondas (en particular los tubos de onda progresiva, conocidos tambin como TWT, de su sigla en
ingls para travelling wave tube, y los tubos Klystron). Como en este caso no hay procesos mecnicos
involucrados, sino slo emisin de ondas electromagnticas o movimiento de partculas elementales,
las frecuencias de oscilacin capaces de ser alcanzadas son muy superiores a aqullas obtenidas
mediante el uso de cristales de cuarzo.

En el caso de detectores en la banda de hidrgeno, por tratarse de una banda de relativa baja
frecuencia, se usan exclusivamente osciladores basados en cristales de cuarzo y con frecuencia base
multiplicada, reservndose el uso de osciladores electromagnticos al estudio de frecuencias ms
elevadas del espectro radioelctrico.

Los osciladores de cristal suelen agruparse en 5 tipos comunes:

i. XO: Sigla utilizada para referirse a osciladores de cristal no compensados. No emplean
ningn tipo de control para reducir o manejar posibles variaciones de frecuencia,
especialmente aqullas producidas por efecto de la variacin de temperatura del cristal.
Toda la precisin de la frecuencia se basa en la calidad del cristal. Los corrimientos de

24
24
frecuencia en este caso pueden alcanzar magnitudes del orden de 10 PPM (partes por
milln) con respecto a la frecuencia base de oscilacin.

ii. VCXO (Voltage-Controlled Crystal Oscillators): Son osciladores en los cuales la
frecuencia generada por el circuito puede ser modificada mediante la aplicacin de un
voltaje de control sobre un condensador variable (tpicamente un diodo varactor) que forma
parte del circuito que controla la oscilacin del cristal. Ante esa aplicacin de voltaje, el
diodo modifica su propia capacidad, variando con eso la frecuencia de referencia del
oscilador. Esto permite realizar ajustes en la frecuencia de oscilacin del circuito del orden
de menos de una decena de partes por milln con respecto a la frecuencia de oscilacin.

iii. TCXO (Thermally Compensated Crystal Oscillators): Es un tipo de circuito oscilador en el
cual el voltaje aplicado sobre el diodo varactor es controlado por una red de termistores que
censan la temperatura ambiente, modificando su resistividad frente a cambios en ella, y con
ello, generando realimentaciones negativas en los cambios de frecuencia del circuito, de
modo de mantener dicha frecuencia estable. Esto es til en el caso de circuitos osciladores
en los cuales no se posee control sobre las condiciones de temperatura en que stos operan,
pues de esta forma se obtiene un ajuste automtico de la frecuencia frente a variaciones en
la temperatura ambiente sin necesidad de supervisin externa. Este tipo de controles son
capaces de ajustar variaciones en la frecuencia de oscilacin del orden de hasta 0.1 PPM.

iv. DTCXO (Digitally Thermally Compensated Crystal Oscillators): Es un tipo especial de
TCXO que no aplica directamente los cambios en la temperatura como control sobre el
oscilador, sino que sta es censada mediante un conversor anlogo-digital. El valor
resultante es comparado con respecto a una tabla de coeficientes que contiene los valores de
compensacin que sern finalmente aplicados al oscilador (una especie de look-up table
asociada a rangos de temperaturas). Es menos preciso que un TCXO, pero posee la ventaja
de requerir electrnica mucho menos compleja, pues no necesita los niveles de precisin
propios de la circuitera analgica asociada a los TXCO, por lo que su costo es menor. Con
este tipo de estabilizadores es posible lograr ajustes de hasta 1 PPM en la frecuencia de
oscilacin.

v. OCXO (Oven Controlled Crystal Oscillators): Es un tipo de circuito oscilador encapsulado
en un aislamiento trmica, dentro de la cual se mantiene la temperatura constante mediante
calentamiento. Estos circuitos usan un cristal de cuarzo de alta precisin que bajo estas
condiciones es capaz de mantener la frecuencia de oscilacin dentro de lmites tan precisos
como 0.0001 PPM.

Usualmente, la salida del circuito oscilador es usada como entrada a un circuito PLL que
permite agregar una etapa adicional de estabilidad a la frecuencia de salida, al enclavarla mediante el
uso de este tipo de circuito.

En resumen, los parmetros importantes de ser considerados a la hora de escoger un oscilador
son:

i. Rango de frecuencia de trabajo
ii. Estabilidad de la frecuencia (Drift)
iii. Tipo de conexin de RF (coaxial, stripline, etc.).


25
25
Un ejemplo de un circuito oscilador basado en cuarzo y utilizado en un radiotelescopio
sintonizado a la banda de hidrgeno es el siguiente[17]:

Figura 15: Circuito esquemtico que representa el oscilador de un radiotelescopio sintonizado a
1.42GHz.

Existen literalmente cientos de proveedores de cristales osciladores, y no es comn adquirir un
cristal por separado, sino obtener una solucin integrada de mezclador, esto es, el oscilador, el control
de ste (PLL u otro tipo), el multiplicador de frecuencia y la etapa de multiplicacin de la seal
generada por este circuito oscilante con la seal obtenida a la salida del amplificador de bajo ruido,
todo ello integrado en un solo circuito del tipo MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit).
Entre los proveedores de mezcladores se cuentan, adems de los ya mencionados Mini-Circuits, Miteq
y Machtech, Wilmanco y Wenzel, entre muchos otros.

Un ejemplo de mezclador utilizado en el estudio de la banda de hidrgeno[17] es el SRA-2000,
producido por MiniCircuits[31]. Sus especificaciones son:

Frecuencia de entrada 100-2000 MHz
Frecuencia de salida 0-600 MHz


26
26

Figura 16: Mezclador MiniCircuit SRA-2000

Un esquema general de un radiotelescopio sintonizado a la frecuencia de emisin del hidrgeno
neutro es el siguiente [17]:

Figura 17: Esquema general de un radiotelescopio sintonizado a la frecuencia de emisin de hidrgeno
neutro.


27
27
Un ejemplo prctico de un radiotelescopio sintonizado a la frecuencia de la banda de hidrgeno
es el existente en el Departamento de Ingeniera Elctrica de la Universidad de Chile[18], conocido
como SRT (de sus siglas en ingls para Small Radio Telescope). Este radiotelescopio hace uso de un
esquema como el descrito en este captulo, constando de un amplificador de bajo ruido de tipo HEMT,
mientras que su oscilador es conformado por un cristal de cuarzo asociado a un sintetizador de
frecuencias (un circuito integrado) que permite generar una variedad de frecuencias a partir de una
nica fuente primaria de oscilaciones (en este caso, el cristal de cuarzo).

Receptores de banda X Receptores para Radio Astronoma

28
28
4 Receptores de banda X

Se denomina banda X a aquellas emisiones electromagnticas cuya frecuencia se sita entre los
8 y los 12GHz, lo que equivale a ondas con una longitud de entre 3.75 y 2.5cms respectivamente.

Dentro de esta banda de frecuencias, tanto la Unin Internacional de Telecomunicaciones[32],
como la Unin Astronmica Internacional[33] y el Comit Europeo de Radiocomunicaciones[34] han
reservado el uso de frecuencias situadas entre los 10.60 y 10.68GHz, esto es, solicita a todos los
estados que adhieren a estas organizaciones que no se asigne dicha banda para su uso tanto civil como
militar. En esta banda se sitan emisiones espectrales de Helio ionizado (en 8665.65MHz), las que son
de inters para la radioastronoma, mientras que la banda de 10.6GHz es usada para observacin pasiva
de la Tierra por satlites, por lo que es importante no generar interferencias en dichas frecuencias.

En el presente trabajo se exponen algunas de las tecnologas existentes a la fecha y empleadas
para el estudio de la banda X y similares (como por ejemplo, banda Ku, entre 12 y 14GHz, usada en
comunicaciones satelitales).

Nuevamente, al igual que en el caso de los receptores de banda de hidrgeno, las etapas que
hacen distinguible un receptor de otro son las relacionadas con el manejo de seales de alta frecuencia,
en el rango de los giga y terahertz, las que corresponden al amplificador de entrada y el oscilador de
radiofrecuencia y mezclador.

A continuacin se describen las tecnologas usadas en cada uno de estos elementos para la
banda de frecuencia en estudio.

4.1 Amplificador de bajo ruido

4.1.1 Dispositivos de estado slido

Hoy en da es posible encontrar amplificadores de bajo ruido basados en semiconductores,
especialmente del tipo HEMT construidos utilizando principalmente GaAs o InP como los descritos en
banda de hidrgeno, capaces de operar sin inconvenientes en banda X. Por operacin normal se
entiende equipamiento cuyas especificaciones de ruido son muy bajas (de 1.5dB o menos) y sus niveles
de amplificacin y potencia de salida son aceptables para el caso de los rangos utilizados en
radioastronoma (del orden de
(
2
20
10
m
Watts
para la seal de entrada a la antena)

La ventaja de este tipo de amplificadores es que presentan, incluso a temperatura ambiente,
figuras de ruido muy bajas, por lo que permiten crear etapas de amplificacin simples, sin la necesidad
de incorporar elementos de criogenizacin al montaje, lo que a su vez redunda en reduccin de costos
de instalacin y en complejidad y tamao de sta. Adems, como es el caso de toda la electrnica
basada en semiconductores, los amplificadores de este tipo son sumamente estables y ampliamente
estudiados.

Ejemplos de dispositivos comerciales de este tipo son los modelos de la serie AMF-XX-
08001200-09-10P (XX incluye los modelos 3F, 4F, 5F y 6F), todos ellos producidos por Miteq. Sus
caractersticas de operacin son:

29
29

Modelo
Frecuencia
de
operacin
(GHz)
Ganancia
(dB, Min.)
Diferencial
de ganancia
en la banda
(dB, Max.)
Cifra de
ruido
(dB, Max.)
Potencia de
salida
(dBm)
VSWR
entrada y
salida
(Max.)
3F 8-12 24 1.5 0.9 10 2:1
4F 8-12 33 1.5 0.9 10 2:1
5F 8-12 42 1.5 0.9 10 2:1
6F 8-12 51 1.5 0.9 10 2:1

Figura 18: Amplificador en base a GaAs, marca Miteq de la familia AMF compatible con banda X.

4.1.2 Tubos de microondas

A medida que aumenta la frecuencia en estudio, los amplificadores basados en semiconductores
o de estado slido presentan la deficiencia de incorporar interferencias por intermodulacin de una
forma tal que limitan poderosamente los niveles de potencia de salida capaces de ser alcanzados por el
dispositivo. La figura 19 muestra un grfico donde se detallan los distintos niveles de potencia mxima
de salida capaces de ser entregadas por las distintas familias de amplificadores en funcin de la
frecuencia.


30
30

Figura 19: Potencia de salida media posible de ser alcanzada por distintas familias de amplificadores
en funcin de la frecuencia.

Es por este motivo que en frecuencias del orden de la estudiada y superiores aparece como
alternativa una tecnologa de amplificadores que haba sido descartada ante la irrupcin de los
semiconductores. Se trata de los amplificadores y osciladores de microondas basados en tubos de vaco.
Ellos presentan la ventaja de entregar factores de amplificacin y potencias de salidas tiles en las
frecuencias de operacin especificadas a la vez que mantienen controladas las distorsiones de
intermodulacin por no linealidades
6
. En general, las potencias de salida de los tubos de vaco pueden
llegar a valores del orden de cientos de Watts hoy en da (e incluso mucho ms en el caso de
Magnetrones, que llegan a potencias del orden del MW) v/s las decenas de Watts que pueden ser
obtenidas mediante el uso de semiconductores en condiciones similares. Es por este motivo que se ha
privilegiado su uso en sistemas tan restringidos como satlites de comunicaciones, donde la
amplificacin de la seal es clave para un correcto funcionamiento. Por este mismo motivo, resulta
interesante conocer su aplicabilidad al mbito de la radioastronoma, donde tambin se requiere obtener
amplificaciones importantes con bajos niveles de ruido y distorsin a frecuencias elevadas.

El principio de funcionamiento de este tipo de dispositivos consiste en la generacin de un haz
de electrones lo ms coherente posible al interior de un tubo de vaco. La generacin de este haz es
obtenida mediante efecto trmico, calentando un filamento con polaridad negativa (ctodo), desde el
cual son expulsados electrones, los cuales son acelerados hacia el nodo debido a una diferencia de
tensin continua establecida entre ambos extremos.

6
Ver descripcin de este comportamiento no lineal en informe 1, Generalidades de radioastronoma

31
31

Figura 20: Principio de generacin de un haz de electrones enfocado en un tubo de microondas.

Este haz tender a perder cohesin a medida que avanza por el tubo por efecto Coulomb de
repulsin entre los electrones. Para evitar este efecto, se recurre a 2 tcnicas principales.

1. Haz de iones neutralizados: En el tubo, que se encuentra a un alto vaco, se introduce una
pequea fraccin de un gas noble, el cual se ioniza positivamente en presencia del haz de
electrones. Debido a que la masa de los tomos del gas (formados mayormente por protones y
neutrones) es, en trminos prcticos, infinitamente superior a la de los electrones, la fuerza neta
resultante acta sobre los electrones, neutralizando la repulsin y permitiendo mantener la
cohesin del haz, mientras que los tomos del gas permanecen estticos.

2. Haz con flujo de electrones axialmente confinado: Paralelo al haz de electrones se aplica un
campo magntico esttico muy intenso. Este campo somete a los electrones que poseen una
velocidad axial en el tubo (es decir, aquellos que han comenzado a alejarse del haz y por tanto,
lo hacen perder cohesin) a una fuerza de Lorentz,
0
B v q F
r
r
r
= , la cual crea en los electrones
un movimiento helicoidal en torno al eje del tubo, como se aprecia en la figura 21, manteniendo
con esto la cohesin del haz.


32
32

Figura 21: Esquema de contencin de electrones por confinamiento magntico.

Este haz de electrones ser el encargado de amplificar la seal de microondas. El mecanismo
mediante el cual se produce esta amplificacin depende de cada tipo de tubo. De los diversos tipos de
tubos de vaco existentes hoy en da, es de inters en el rango de potencias utilizadas en
radioastronoma uno en particular: el tubo de onda viajera o progresiva, tambin conocido por su sigla
en ingls, TWT, el cual se pasa a detallar a continuacin.

4.1.2.1 Tubos de onda viajera (Travelling Wave Tubes TWT)

Los tubos de onda viajera fueron inventados por Rudolph Kompfner en Birmingham University
durante 1943, pero se atribuye gran parte de su posterior xito a John Pierce, un ingeniero de Bell Labs,
quien realiz sustanciales mejoras sobre el diseo original (especialmente en la convergencia del haz de
electrones) que incrementaron la estabilidad del aparato en grandes rangos de frecuencias, y con esto,
permitieron su utilizacin a gran escala.

Un tubo de onda viajera es un dispositivo de microondas en el cual, alrededor del haz de
electrones, se enrolla un alambre conductor formando una hlice, como se aprecia en la figura 5:

Figura 22: Esquemas de un tubo de onda viajera.


33
33
Dicha hlice es acoplada a la seal de microondas que desea ser amplificada mediante una
antena (no hay contacto fsico entre la antena y la hlice). La seal amplificada es extrada mediante
una segunda antena, situada en el otro extremo del tubo. Este modelo de tubo, que es el ms comn, es
conocido como tubo O (ordinary). Existe otro tipo de tubo de onda viajera, llamado tipo M
(magnetron-like), pero que es usado en aplicaciones de alta potencia que no se relacionan con seales
del orden de las vistas en radioastronoma.

Figura 23: Principio de funcionamiento de un TWT.

La seal de microondas se propaga a la velocidad de la luz a travs de la hlice conductora, pero
por la forma de sta, su velocidad en el eje longitudinal (paralelo al haz de electrones) ser slo:

sin c v
axial
=

donde es el ngulo caracterstico de la hlice. Esta disminucin de velocidad ha llevado a dar a este
tipo de dispositivos el nombre de dispositivos de onda lenta.

La matemtica involucrada en el proceso de amplificacin de la seal de microondas es
compleja, y puede ser encontrada en detalle en [35][36][37]. De ella, es importante rescatar que el
factor de amplificacin de un TWT vendr dado por la expresin:

l
v
input output
p
e E E
3
0
4
3
3
1
|
|
\
|
=

donde es la frecuencia de operacin, l es la longitud del tubo,
0
v es la velocidad final del electrn en
el haz, la que obtiene al alcanzar el nodo y que puede ser calculada en funcin del potencial continuo
de alimentacin V y de las propiedades del electrn (masa m y carga e) en base a una simple ecuacin
de conservacin de la energa:

(
= =
s
m
V
m
Ve
v
5
0
10 93 . 5
2

Finalmente,
p
es la llamada frecuencia de plasma del haz, y corresponde a:


34
34
0
0
m
e
p
=

0
es la densidad de carga del haz (dependiente del diseo del tubo) y
0
es la permitividad
elctrica del vaco (una constante).

Esta ecuacin se resume en decibeles a

[ ] dB 75 . 3 54 . 9
3
0
0
|
|
\
|
+ =
p
l
v
Ganancia

Una de las principales ventajas de los TWT es el gran ancho de banda que son capaces de
amplificar sin introducir distorsiones de frecuencia o fase. Si bien su eficiencia es baja comparado con
otros tipos de tubos de microondas, como los magnetrones (del orden de 20-40% en el caso de los
TWT v/s 80% o superior en los magnetrones), o que las potencias mximas que son capaces de
entregar son inferiores a las que se obtienen en tubos Klystron (del orden de decenas de Watts en los
TWT v/s cientos o miles de Watts en los Klystron), dicha respuesta de amplificacin v/s frecuencia los
ha hecho la eleccin para sistemas que operan en frecuencias de microondas y en los cuales la
relaciones de anchos de banda v/s frecuencia de operacin es del orden de o superior. Dentro de
estos usos, uno de los principales es como amplificadores de entrada (LNA, amplificador de bajo ruido
que magnifica la dbil seal capturada por la antena que mira la Tierra) y salida (HPA o High Power
Amplifier, tubo que amplifica la seal que ser entregada a la antena para su envo a la Tierra) en
satlites, tanto en banda C (2-4GHz) como en banda Ku (12-14GHz), las ms usadas en ese mbito. De
hecho, se ha demostrado que los TWT son tiles en frecuencias de operacin que van desde los
300MHz hasta los 50GHz.

Actualmente, los fabricantes de tubos de onda viajera ms importantes son Teledyne, NEC y
Hughes (ahora parte de Boeing), entre otros. De estos fabricantes, los TWT que cumple criterios de uso
para radioastronoma como amplificadores de entrada (amplificacin del orden de 30dB o ms,
respuesta de frecuencia adecuada en gran ancho de banda), son del mismo tipo de los usados en
transmisin satelital, especialmente en banda Ku en este caso, por su cercana a banda X. Un proveedor
importante de dichos tubos es Boeing, siendo un modelo como el VTU-6191 de Hughes capaz de
producir hasta 100 Watts de salida a la frecuencia de 10GHz, con una figura de ruido de 2dB. De
hecho, como dato anecdtico, TWT tan antiguos como los usados en Syncom, el primer satlite
geoestacionario, lanzado en 1963 ya eran capaces de alcanzar cifras de ruido del orden de 6dB.

4.1.2.2 Otros tubos de microondas

Existen otros tipos de dispositivos basados en cavidades al vaco para uso en microondas, como
el tubo Klystron, inventado por William Hansen, Rusell y Sigurd Varian en Stanford University
durante 1937. Son muy similares a los TWT, como se aprecia en las siguientes figuras.


35
35

Figura 24: Esquemas de un tubo Klystron de tipo Reflex, de 1 cavidad.

Figura 25: Esquemas de un tubo Klystron de 2 cavidades.

De hecho, muchas veces se suele decir que un tubo de onda progresiva es el equivalente a un
tubo Klystron con muchos bunchers y catchers de seal situados muy prximos entre s (cada
vuelta de la hlice representa un par buncherscatchers).

El klystron de 2 cavidades es capaz de generar una oscilacin si se cierra un loop entre la
entrada y la salida y de hecho, se le da este uso en frecuencias mas elevadas (del orden de cientos de
gigahetz).


36
36
Un tercer tipo de tubo de vaco es el magnetrn, inventado por Henry Boot y John Randall
durante 1937 en Birmingham University. Existen adems una infinidad de otros dispositivos que son
ligeras variaciones de estos tipos fundamentales, como los gyrotrones, los carcinotrones, los tubos
Varian, etc. Sin embargo, el uso de estos dispositivos est fundamentalmente enfocado a la generacin
de potencias elevadas en el rango de las microondas (la principal aplicacin de los magnetrones es en
hornos microondas para el hogar, mientras que los tubos Varian se usan principalmente en medicina), y
no en amplificacin de seales pequeas como es el caso de la radioastronoma, por lo cual no se
profundizar en su estudio.

4.2 Mezclador

4.2.1 Osciladores de cristal

Otra etapa del receptor sensible a la frecuencia de operacin, y que trabaja en el rango de los
gigahertz es el mezclador, dentro del cual, el principal elemento distinguible es el oscilador encargado
de generar la frecuencia de referencia (o una fraccin de sta que es posteriormente multiplicada).

En banda X an es posible encontrar osciladores en base a cristales, tanto en frecuencia base (es
decir, la frecuencia de oscilacin natural del circuito corresponde al rango de banda X), como mediante
multiplicadores.

Ejemplo de estos elementos son los dispositivos ofrecidos por Wilmanco, como el oscilador SS-
C-11.

Figura 26: Oscilador Wilmanco SS-C-11, en base a cristal de cuarzo, con multiplicador integrado.

Las especificaciones de este oscilador son:

Frecuencia de operacin 1.5 a 11GHz.
Potencia de seal 10dBm, mnimo.
Impedancia de salida 50[].
Rechazo de armnicas > - 50dBc.
Estabilidad 3ppm mximo.

Tambin es posible encontrar en el mercado circuitos multiplicadores que dan ms libertad en
cuanto al oscilador a emplear al no incorporar un propio. Ejemplo de multiplicadores tiles en banda X
es la serie WFM de Wilmanco.

37
37

Figura 27: Multiplicadores de frecuencia Wilmanco serie WFM-D, WFM-T y WFM-S.

Dentro de estos modelos, la serie WFM-T es capaz de alcanzar factores de multiplicacin de
hasta 64X, llegando a generar frecuencias de hasta 11GHz. Sus especificaciones son:

Factor de multiplicacin 64X.
Mxima frecuencia de salida 11GHz.
Rechazo de armnicas >-50dBc.

La banda X es el lmite superior de frecuencia capaz de ser generada por los medios
tradicionales que se sustentan en el uso de cristales de cuarzo o equivalente basados en efectos
piezoelctricos. Esto debido a que dicho fenmeno es en parte de naturaleza mecnica, lo que
necesariamente acota su utilidad a valores relativamente bajos en comparacin a las frecuencias
alcanzables por fenmenos puramente electromagnticos o que slo involucren partculas elementales.

Es por este motivo que, a contar de esta banda de frecuencia hacen su aparicin otras familias
de osciladores, basados en fenmenos de conduccin elctrica, entre los que se incluyen los diodos
Gunn y los resonadores dielctricos, sobre los cuales se expone a continuacin.

4.2.2 Diodos Gunn

Un diodo Gunn es un dispositivo semiconductor, construido preferentemente utilizando GaAs o
InP como unidad monoltica (esto es, el diodo est formado de una sola seccin de semiconductor, sin
incluir junturas o compuertas como en el caso de los diodos bipolares), pero que internamente es
dopado en forma diferencial, presentando mayor presencia de portadores
+
n hacia los extremos que
hacia el centro.

La principal caracterstica de un diodo Gunn es exhibir una resistencia dinmica negativa, es
decir, a medida que el voltaje aplicado sobre sus terminales aumenta, la corriente que lo atraviesa
disminuye para un cierto rango de voltajes de entrada.

0 < =
dI
dV
R [ ]
1 0
,V V V

Esta resistencia negativa se debe al efecto Gunn, que da nombre a este tipo de dispositivos,
tambin llamados TED (Transfer Electron Device). Este efecto se produce debido a la distribucin de
bandas de energa de dichos materiales. stos presentan valles de conduccin en dichas bandas, en los
cuales, frente a aumentos en un campo elctrico excitatorio, se produce transferencia de electrones,

38
38
desde bandas de menor energa a las de mayor energa, en las cuales, paradjicamente, la movilidad de
dichos electrones ser menor dentro de un cierto rango de valores de campo. Debido a esto, si bien el
campo ha aumentado (por ejemplo, introduciendo un mayor voltaje en los terminales del
semiconductor), la corriente disminuye por la menor movilidad de los electrones. Una curva tpica de
comportamiento de corriente v/s voltaje para un diodo Gunn se aprecia en la siguiente figura.

Figura 28: Efecto Gunn de resistencia dinmica negativa en un semiconductor.

Esta zona de resistencia negativa es aprovechada en microondas para generar oscilaciones
autosostenidas. Para lograr este objetivo, el diodo es polarizado con una tensin continua menor pero
cercana al umbral inferior de voltaje de la zona de resistencia dinmica negativa.

Figura 29: Esquema de polarizacin de un diodo Gunn.

En torno a dicha zona de operacin, la caracterstica de resistencia v/s voltaje del diodo tendr
la forma:


39
39

Figura 30: Relacin voltaje v/s resistencia en un oscilador Gunn cerca de la tensin de operacin.

Si en esas condiciones de voltaje constante se produce una pequea perturbacin al interior del
semiconductor tal que altera ligeramente el campo elctrico (por ejemplo, una corriente local debido a
efecto trmico), esa diferencial de campo ser suficiente para generar una resistencia local negativa en
una zona del semiconductor. Esta diferencia espacial de resistencias genera un dipolo al interior del
material, el cual aumenta progresivamente de tamao mientras viaja en forma de onda desde ctodo a
nodo. Dado que el dipolo se orienta paralelamente al campo externo aplicado, y que ste es forzado a
ser constante, la magnitud de campo fuera del dipolo necesariamente debe decaer, llevando a las
porciones del material situadas fuera del dipolo a valores donde la resistencia es positiva. Este dipolo,
conocido como dominio Gunn, al alcanzar el nodo, generan un peak de corriente a travs del diodo
que eleva momentneamente el campo, creando con esto un nuevo dipolo en el ctodo que se comienza
a propagar, generando con esto una oscilacin autosostenida que es vista en un osciloscopio de la
forma:

Figura 31: Oscilacin de corriente generada por un diodo Gunn entre sus terminales.

La frecuencia de oscilacin de un diodo Gunn viene dada por la relacin:

arrastre
v
L
f =

donde L es la distancia entre los terminales del semiconductor, y
arrastre
v es la velocidad de arrastre del
dipolo dentro del material (una caracterstica de ste). En el caso de GaAs, esta velocidad es del orden

40
40
de
s
cms
7
10 , por lo que, si se usa un diodo de longitud
3
10
cms., se obtendr una frecuencia de

oscilacin de 10GHz, es decir, en banda X.

Con el fin de lograr estabilidad en la operacin del oscilador, los osciladores comerciales
basados en diodos Gunn incluyen un circuito regulador de tensin conformado por un desacoplador de
continua (conformado por un condensador y una resistencia en paralelo) y una referencia de voltaje
sumamente precisa, que es lograda mediante el uso de un diodo Zener. El montaje se realiza de acuerdo
a como se aprecia en la figura siguiente.

Figura 32: Montaje comercial de un diodo Gunn.

Un diodo Gunn suele complementarse con el uso de cavidades resonantes que permiten regular
su frecuencia de oscilacin y acoplarla a elementos de gua de onda para introducir dicha seal a un
circuito de microondas. Un esquema tpico de montaje de un diodo Gunn en estas condiciones es el
siguiente.


41
41

Figura 33: Montaje de un diodo Gunn para su uso en circuito de microondas.

En este caso la cavidad resonante se comportar como un circuito RLC, cuyos parmetros
(especialmente L y C) dependern de la geometra de la cavidad. El montaje descrito en las figuras 32 y
33 puede ser modelado de la siguiente forma:

Figura 34: Circuito equivalente de una cavidad resonante que incluye un diodo Gunn.

En dicho circuito, si el voltaje aplicado permite llevar al diodo Gunn a la zona de resistencia
negativa, se tendr que ste se comportar sencillamente como una resistencia de valor negativo. Con
ello, la ecuacin de voltajes en el bucle ser:


42
42
( ) 0
1
= + +
dt i
C
i R R
dt
di
L
Gunn L

Cuya solucin viene dada por:

( )
t K
e K t i
2
1
=

donde
( )
L
C
L
R R R R
K
Gunn L L Gunn
2
4
2
2

= . Si
Gunn L
R R
C
L
>
4
, la solucin de la ecuacin se
vuelve compleja, y por tanto, oscilante.

En el caso de la cavidad, sin embargo, es ms simple obtener la frecuencia de oscilacin a partir
de las caractersticas geomtricas de sta. Como se ha visto, el diodo por s solo posee una frecuencia
de oscilacin lmite, determinada por su tamao y el material que lo compone. Sin embargo, en
presencia de un circuito externo, como la cavidad resonante, es posible poner restricciones a la
oscilacin natural, enclavando con esto la frecuencia a un valor ajustable.

En la cavidad resonante, toda onda generada en el diodo tomar un tiempo
c
l
t
2
= en llegar al
lmite de la cavidad y retornar al diodo. l es la longitud de la cavidad, c es la velocidad a la que se
propaga una onda electromagntica dentro de ella. Por tanto, para lograr un efecto de resonancia, el
diodo necesariamente debe oscilar a una frecuencia que cumpla con la relacin
l
cn
f
2
= , donde n es el
nmero de medias ondas que pueden ser contenidas en la cavidad. Por otra parte, dado que el diodo
tiene un tiempo de respuesta
d
t , no es posible generar oscilaciones con una frecuencia mayor a dicho
tiempo de respuesta. Tomando en cuenta estas restricciones, n queda limitado por
d
t c
l
n
1 .
Agregando la limitacin de tiempo de respuesta del diodo, se puede disear la cavidad resonante de tal
manera de lograr una mxima frecuencia imponiendo 1 =
d
t c
l
. Esta restriccin limita adems al
conjunto a una nica frecuencia de oscilacin. Ondas ms lentas (con longitud de onda ms larga) no
sern contenidas en la cavidad resonante (y sern por tanto, rpidamente atenuadas y disipadas),
mientras que ondas de mayor frecuencia no son capaces de ser manejadas por el diodo.

Los diodos Gunn asociados a cavidades resonantes han sido utilizado exitosamente para generar
oscilaciones directas (esto es, sin la presencia de multiplicadores) del orden de hasta 120GHz. Un
esquema tpico de montaje de diodo Gunn junto a una cavidad resonante y un pequeo regulador de
frecuencia se aprecia en la siguiente figura.


43
43

Figura 35: Montaje en operacin de un diodo Gunn en una cavidad resonante junto a su alimentacin y
la salida de microondas (coaxial conector).

Uno de los principales distribuidores de diodos Gunn es Microwave Device Technology, MDT.
Dentro de sus productos, cuyo aspecto comercial se aprecia en la siguiente figura, se puede seleccionar
para su uso en banda X los modelos MG1005-11, MG1006-11, MG1007-15 y MG1008-15[40].

(a) (b) (c)

Figura 36: Presentacin comercial de diodos Gunn. (a), (b) No incluyendo cavidad resonante; (c)
Incluyendo cavidad resonante.

Algunas especificaciones de estos osciladores son las siguientes (a 25[C]):

Frecuencia de operacin 9-11GHz
Potencia de operacin 50mW (MG100511) a 500mW (MG100815)

4.2.3 Osciladores por resonancia de dielctrico (Dielectric Resonator Oscillator)

Un resonador dielctrico (tambin conocido por sus siglas en ingls, DRO) es un dispositivo en
el cual el circuito RLC que pone en oscilacin una onda de corriente o voltaje es reemplazado por un
dielctrico, generalmente Titanato de Bario,
20 9 2
O Ti Ba u otro material que posea un alto coeficiente de
permitividad dielctrica ( [ ] 80 , 30 ). Dicho dielctrico nuevamente puede ser representado como una
red RLC en condicin de oscilacin:


44
44

Figura 37: Circuito equivalente de un DRO.

La principal ventaja de este tipo de osciladores con respecto a los diodos Gunn es su limpieza
con respecto a la generacin de frecuencias espurias. El rechazo tpico alcanza del orden de 80dBc en
DRO, mientras que en diodos Gunn dichos rechazos son de alrededor de 50dBc, lo que permite
sintonizaciones mucho ms finas, especialmente en el caso de estudio de lneas espectrales.

Uno de los principales distribuidores de resonadores dielctricos es Miteq. Dentro de los
modelos disponibles, cumple los requisitos de banda X el modelo PLDRO-13.050 (en la imagen se
muestra como referencia el modelo DRO-G-10000-ST)

Figura 38: Oscilador basado en resonador dielctrico Miteq DRO-G-10000-ST.

Las caractersticas del PLDRO-13.050 son:

Frecuencia de operacin fundamental 7 a 13GHz.
Potencia de salida 13dBm mnimo.
Potencia de las espurias Menos de 80dBc.

Adems de estos dos tipos de osciladores expuestos, tambin se utilizan en microondas otros
elementos, como por ejemplo, diodos avalancha, especialmente del tipo IMPATT. Sin embargo, el uso
de estos diodos est principalmente enfocado a potencias elevadas, y su uso por tanto est centrada en
estaciones terrenas de transmisin ms que en receptores de baja potencia como los usados en
radioastronoma. Por tanto no se ahondar en su descripcin en este informe.

Receptores de banda submilimtrica Receptores para Radio Astronoma

45
45
5 Receptores de banda submilimtrica

A medida que la tecnologa avanza, se ha logrado alcanzar cada vez frecuencias ms altas de
operacin en los dispositivos de microondas que conforman un radiotelescopio. Sumado a esto, se han
desarrollado nuevos proyectos que permiten la investigacin de bandas de frecuencias que en principio
no pueden ser captadas desde la superficie terrestre.

Como se sabe, la presencia de la atmsfera representa un potente filtro para ciertas bandas de
frecuencias. Entre otras, la atmsfera impide casi completamente la recepcin a nivel del mar de
cualquier seal electromagntica cuya longitud de onda se encuentre entre los 10 y los 1000m, o
equivalentemente, entre 300GHz y los 30THz, debido principalmente a la presencia de las molculas
que conforman la atmsfera (en especial, nitrgeno, oxgeno y dixido de carbono), que poseen
espectros de emisin coincidentes con esas bandas, o absorben por completo las radiaciones en dichas
frecuencias
7
.

Desafortunadamente, dentro de esa banda de frecuencia se encuentran los espectros de emisin
de algunos elementos cuyo estudio es de mucho inters para la ciencia, por ser parte o precursores de
molculas orgnicas, y que por tanto, podran dar alguna luz acerca de la presencia de vida en otros
lugares del universo. Un ejemplo de algunos de estos elementos, sus frecuencias de emisin y el
porcentaje de radiacin en dicha frecuencia que alcanza el suelo con respecto a una altura de 12300mts
se muestra en la siguiente tabla.

Molcula Frecuencia [GHz]
Transmisin atmosfrica [%]

Nivel del mar 12300[mts]
CH 536.76 0 97
O H
18
2
8
547.68 0 81
3
NH 572.5 0 94
O H
18
2

9
745.32 0 82
NH 974.48 0 96
+
O H
3
984.66 0 65
+
NH
998.90 0 95
HF 1232.48 0 30
+
D H
2
1370.09 0 94
+
N
1461.13 0 92
OH
16

1837.82 0 94
+
C
1900.54 0 88
2
CH 1917.66 0 99
CO 1956.02 0 90

7
Ver figura 10.
8
Segunda lnea de emisin del vapor de agua. Posee una primera alrededor de los 22.4GHz.
9
Tercera lnea de emisin del vapor de agua.

46
46
Tabla 1: Frecuencias de emisin de algunos elementos de inters, y su porcentaje de captacin a nivel
del mar y a 12300mts de altura.

Sin embargo, hoy en da ya se han desarrollado herramientas para la observacin de estas
bandas, superando tanto las limitaciones impuestas por la elevada frecuencia de operacin necesaria en
los receptores, como por la necesidad de contar con observatorios situados fuera de la atmsfera.

En la actualidad se estn desarrollando dos proyectos de gran envergadura en el rea de
frecuencias milimtricas y submilimtricas. Se trata de los proyectos SOFIA de la NASA, y FIRST,
ahora renombrado como HERSCHEL
10
, de la Agencia Espacial Europea.

SOFIA[60] (siglas en ingls para Stratospheric Observatory for Infrared Astronomy) es un
proyecto comn entre la NASA y la Agencia Espacial Alemana, consistente en un telescopio capaz de
operar en bandas ptica, de infrarrojo y submilimtrica, el cual es montado en un avin Boeing 747, y
llevado a una altitud de 12300mts para realizar sus observaciones. La labor de SOFIA ser reemplazar
al observatorio aerotransportado Kuiper, convirtindose adems en el mayor observatorio
aerotransportado del mundo. La ventaja de esta aerotransportacin es que, como se puede apreciar de la
tabla 1, a la altura de operacin de SOFIA es posible obtener mediciones para un gran conjunto de
molculas cuyas emisiones no llegan a los observatorios situados en tierra.

FIRST/ HERSCHEL[59] (siglas en ingls para Far InfraRed and Submillimeter Telescope), es
una misin de la Agencia Espacial Europea, y forma parte del programa cientfico Horizon 2000 de esa
misma agencia. Consiste en un satlite de 3300Kgs, el cual orbitar alrededor de la Tierra a una
distancia de 1.5 millones de kms., realizando mediciones de espectroscopa y fotometra en longitudes
de onda comprendidas entre los 80 y los 670m, lo que equivale a frecuencias entre 450GHz y
3.75THz.

Estos increbles avances en deteccin de frecuencias hasta hace poco vedadas a la exploracin
hacen interesante el conocer un poco ms en profundidad los principios de funcionamiento de los
elementos y dispositivos utilizados en esas bandas de frecuencia. A continuacin se pasa a describir
estos equipos, para frecuencias comprendidas entre 300GHz y 3THz, lo que equivale a longitudes de
onda entre 1mm y 0.1mm.

En el rango de frecuencia abordado en el presente informe (sobre los 300GHz) no existen hoy
en da amplificadores capaces de satisfacer las necesidades propias de los sistemas de radioastronoma,
es decir, cumplir con las especificaciones de temperatura de ruido del orden de 120[K] o menos (lo
que equivale a 1.5dB mximo, usando una temperatura de referencia de 300[K]), de modo de afectar
de la menor manera posible la ya dbil seal captada por la antena.

Es por este motivo que en este rango de operacin, el esquema tpico de receptor
superheterodino que se haba visto en frecuencias inferiores:

10
En honor a William Herschel, astrnomo alemn que en 1781 descubri el planeta Urano, entre otros logros.

47
47

Figura 40: Esquema de un receptor superheterodino a frecuencias del orden de los GHz o inferiores.

es modificado, y ahora su primera etapa no corresponde al amplificador lineal, sino que al mezclador,
un elemento altamente no lineal encargado de llevar la seal de entrada desde una frecuencia elevada
(en este caso, 300-3000GHz) a una frecuencia ms baja, llamada frecuencia intermedia, en el rango de
algunos GHz (en la literatura se describen frecuencias intermedias usadas de hasta 150GHz, siendo un
valor tpico alrededor de 8GHz), en la cual s existen tecnologas de amplificadores capaces de manejar
satisfactoriamente la seal.

Figura 41: Esquema de un receptor superheterodino a longitudes de onda milimtricas e inferiores.

48
48

Por este motivo, el presente informe se ha centrado en la descripcin de tecnologas de
mezcladores y osciladores, pues lo referente a amplificadores (la otra etapa del receptor dependiente de
la frecuencia de operacin), por el hecho de operar a frecuencias ms bajas, es cubierto por las
tecnologas vistas en informes previos, especialmente por transistores HMET sobre sustrato de GaAs, o
bien, InP o GaN como es el caso de las tecnologas de punta. En el pasado se utilizaron tambin
amplificadores paramtricos o masers (Microwave amplification stimulated by emission of radiation,
equivalente en frecuencias de microondas de los lasers pticos), pero estas tecnologas han sido
relegadas a segundo plano hoy en da, y por tanto, estn quedando obsoletas y no se realizan nuevos
desarrollos basados en ellas.

A continuacin se detalla cada una de las tecnologas ms comunes utilizadas en el mbito de
los mezcladores y osciladores para frecuencias elevadas.

5.1 Mezcladores

El proceso de mezclado de la seal consiste en la multiplicacin de la seal de entrada
(modelada por una sinusoidal de frecuencia central
s
f y con un ancho de banda f ) por una seal
sinusoidal de frecuencia pura generada localmente,
LO
f , con lo cual, se obtiene una nueva seal
centrada en torno a las frecuencias
LO
f f + y
LO
f f , que mantiene la caracterstica de ancho de
banda de la seal til de entrada, f . Esta seal es filtrada para obtener slo los componentes de baja
frecuencia deseados (
(

2 2
f
f f
f
f f
LO LO
K ).

La multiplicacin entre la seal til de entrada y la de referencia proveniente del oscilador local
se logra mediante el empleo de un elemento no lineal, que es el llamado mezclador. Este elemento se
caracteriza por tener una curva voltaje-corriente que puede ser descrita como una serie polinomial:

K + + +
3
2
2
1 0
V k V k V k I

Si el voltaje de entrada consta de una suma
11
entre el voltaje de la seal til, V (que se supone
compuesto por una suma de sinusoidales) y el voltaje de referencia del oscilador local,
LO
V , consistente
idealmente en una frecuencia pura, entonces la seal de salida tendr, entre otros componentes, uno que
corresponder a ( ) ( )
2 2
1
2
1
2
LO LO LO
V V V V k V V k + + = + . Los resultados cuadrticos puros (
2
V y
2
LO
V )
tendrn, por propiedad de la sinuosidad, sus frecuencias centradas en 0Hz y en f 2 o
LO
f 2
respectivamente, mientras que la multiplicacin entre ambas ser la seal deseada. Si el sistema es
diseado cuidadosamente, de modo de no traslapar frecuencias (es decir, teniendo la precaucin de que
0
2
>

f
f f
LO
y adems,
LO LO
f f
f
f f 2 , 2
2
<
+ ), es posible separar la seal de inters en la

nueva frecuencia completamente. Esta nueva frecuencia,
LO
f f , es comnmente llamada frecuencia
intermedia.

11
Lo que se consigue por ejemplo, combinando ambas seales a travs de guas de onda o con un resonador FabryPerot.

49
49
Existen 3 familias principales de dispositivos utilizados para el mezclado de seales en el rango
de frecuencias en estudio en el presente informe. Estos son los diodos Schottky, los dispositivos SIS y
los dispositivos HEB, que son descritos a continuacin.

5.1.1 Diodos Schottky

El diodo Schottky es el mezclador ms usado en la regin milimtrica[47]. Un esquema de este
dispositivo es el que se aprecia en la siguiente imagen[62].

Figura 42: Esquema de un diodo Schottky.

Un diodo Schottky consiste en un par de contactos metlicos (tpicamente oro y aluminio)
montados sobre extremos opuestos de un semiconductor dopado. Se usa preferentemente GaAs de tipo
n por sobre silicio debido a las propiedades de mayor velocidad de portadores en GaAs, lo que
redunda en dispositivos capacitados para funcionar a frecuencias ms elevadas. Un segundo factor que
inclina la eleccin del semiconductor a favor del GaAs
n , incluso por sobre del GaAs

+
n y otros
semiconductores como Ge o Si, es el hecho que es el material que presenta un mayor potencial de
barrera en la interfaz metalsemiconductor, tal como se aprecia en la siguiente tabla comparativa.

Metal
Potencial
Ag Al Au Cr Ni Pt W
Vaco 4.3 4.25 4.8 4.5 4.5 5.3 4.6
Ge
n
0.54 0.48 0.59 0.49 0.48
Ge
+
n
0.5 0.3
Si
n
0.78 0.72 0.8 0.61 0.61 0.9 0.67
Si
+
n
0.54 0.58 0.34 0.5 0.51 0.45
GaAs
n
0.88 0.8 0.9 0.84 0.8
GaAs
+
n
0.63 0.42

Tabla 2: Barreras de potencial para contactos metalsemiconductor (en Volts)[61].

En el contacto entre el metal superior (oro) y el semiconductor, se produce una barrera de
potencial debido a la diferencia en bandas de energa existentes entre esos materiales. Estas bandas de
energa representan un efecto anlogo a las bandas existentes en un diodo tradicional NP de silicio,
pero con la salvedad de que, debido a la presencia de un metal como uno de los constituyentes en lugar
de un semiconductor, la velocidad de respuesta de dicha juntura frente a un campo elctrico es mucho
ms rpida que en el caso de una juntura completamente compuesta por semiconductores. Es por este

50
50
motivo que en frecuencias elevadas como las de microondas se utiliza este tipo de dispositivos por
sobre aquellos compuestos por junturas bipolares.

Por otra parte, en el contacto inferior se construye lo que se ha denotado como un contacto
hmico, el cual consiste en la unin entre el semiconductor y un metal realizada de forma tal que la
cada de voltaje a travs de esa juntura sea lo ms lineal posible (de la misma forma como lo sera a
travs de un elemento puramente resistivo). De esta forma se asegura que la nica contribucin no
lineal al sistema venga dada por la juntura andica.

La no linealidad de un diodo Schottky, que es la caracterstica que en definitiva permite su uso
como mezclador, es explicada por la relacin corrientevoltaje del diodo. sta es de la forma:

kT
eV
s
e I I

=

donde
s
I es la corriente de saturacin del diodo, e es la carga del electrn, V es el voltaje aplicado a
travs de los terminales del diodo, es un factor que denota la eficiencia del diodo (que vara
generalmente entre 1 y 10 para las temperaturas de operacin tpicas de un diodo Schottky), k es la
constante de Boltzmann (
(

K
J
o
23
10 38 . 1 ) y T es la temperatura del diodo. Esta no linealidad en la
relacin corriente v/s voltaje del diodo es la que permite su uso como mezclador.

La frecuencia mxima de trabajo de un diodo Schottky est determinada principalmente por
efectos parsitos de capacitancia y resistencia de los materiales que lo constituyen. La frecuencia de
corte del diodo viene dada por:

0
2
1
j s
c
C R
f
=

donde
s
R representa la resistencia shunt, esto es, la resistencia serie entre los terminales del diodo, y
0 j
C es la capacitancia de barrera, formada por acumulacin parsita de cargas en el semiconductor,
cuando no hay voltaje presente[50]. Para las dimensiones tpicas de un diodo como el que se aprecia en
la siguiente figura:


51
51

Figura 43: Dimensiones tpicas de un diodo Schottky.

estos efectos parsitos sitan la frecuencia de corte en el rango de 2 a 3THz.

Los diodos Schottky presentan adems el efecto parsito inherente de los semiconductores,
consistente en la presencia de una corriente trmica, independiente de la presencia de voltaje entre sus
terminales, y que genera una fuente de ruido no despreciable a priori. Sin embargo, el efecto de esta
corriente puede ser casi despreciado en el caso de diodos operados en condiciones de criogenizacin.

En la siguiente imagen se muestra un esquema de montaje de un diodo Schottky en operacin
en un radiotelescopio sintonizado a 345GHz. El subsistema mezclador se aprecia abajo a la derecha, y
ha sido criogenizado a 20[K]. La seal del oscilador local es combinada con la captada por la antena
mediante el uso de un sistema cuasiptico de espejos.


52
52
Figura 44: Esquema de un radiotelescopio mezclado mediante diodo Schottky, y con estabilizacin de
frecuencia va PLL.

5.1.2 Superconductor-Insulator-Superconductor, SIS

Los diodos Schottky presentan una limitante muy importante en el rango de la banda
milimtrica y submilimtrica. La diferencia entre las bandas de energa del metal y el semiconductor es
del orden de los miliwatt a la frecuencia de operacin, por lo que necesitan de potencias de oscilacin
de ese orden para que los electrones puedan superar dicha barrera de energa. Si bien esa potencia
puede parecer poca, en la actualidad no existen o son escasos los osciladores capaces de generar dicho
nivel de potencia en esa banda[53].

Es por este motivo que alrededor de 1985 se desarroll un anlogo del diodo Schottky,
consistente en 2 lminas de superconductor (tpicamente NbN o NbTiN) separadas por un aislante de
unos pocos nanmetros (generalmente xido de aluminio de 2nm)

Figura 45: Esquema de una juntura SIS[58].

En esta situacin, si entre ambos superconductores se aplica un voltaje continuo de base
(sumado a las seales en estudio propiamente tales), es posible hacer desaparecer la brecha existente
entre las bandas de energa de dichos superconductores y el aislador, permitiendo con esto el paso de
electrones desde un electrodo al otro por efecto tnel, incluso en el caso de seales muy dbiles
aplicadas anexas al voltaje de polarizacin.


53
53

Figura 46: Esquema de bandas de energa en un dispositivo SIS, y eleccin del punto de operacin.

Para una operacin exitosa del SIS, si dicho voltaje de polarizacin coincide con la diferencia
de potencial entre las bandas de energa de los superconductotes, esto es,
e
2
en la imagen, la curva de
voltaje v/s corriente ser altamente no lineal, lo que permitir la operacin del dispositivo como
mezclador.

Un esquema del montaje prctico de un SIS es expuesto en la siguiente figura:

Figura 47: Esquema de montaje de un SIS, donde se aprecia la entrada de alta frecuencia y la salida de
IF.

Las principales ventajas de un SIS por sobre el diodo Schottky son:

Las potencias requeridas por parte del oscilador local estn el rango de los microwatt en lugar
de los miliwatt.


54
54
No poseen resistencia serie y la capacitancia serie es independiente del voltaje.

Poseen la figura de ruido ms baja de todos los detectores del rango milimtrico y
submilimtrico, estando slo limitados por el principio de incertidumbre de Heisenberg, esto es,
su temperatura de ruido puede ser descrita como:

2 ln k
hv
T
M
=

donde h es la constante de Planck ( [ ] s J
34
10 63 . 6 ), es la frecuencia de operacin y k es la
constante de Boltzmann (
(

K
J
o
23
10 38 . 1 ). Este bajsimo nivel de ruido representa, por
ejemplo, una temperatura de ruido de slo 70[K] a 1THz.

Sin embargo, un SIS tambin presenta desventajas en su operacin:

Su nivel de saturacin es muy bajo, lo que si bien puede ser un punto obviable, dadas los
nfimos niveles de potencia usados en radioastronoma, limita su posible uso en otras ramas de
la tecnologa (como por ejemplo, sistemas de comunicaciones de alta frecuencia).

Slo funcionan al nivel de superconduccin, esto es, a 4.2[K], mientras que los diodos
Schottky solo requieren criogenizacin para reducir sus figuras de ruido, pero an pueden ser
operados a temperatura ambiente.

5.1.3 Hot-Electron Bolometers, HEB

Los HEB son dispositivos consistentes en un material superconductor unido a 2 electrodos y
depositado sobre un sustrato aislante, el cual presenta una curva resistencia v/s temperatura altamente
no lineal y muy sensible a la temperatura en el rango de operacin (4.2[K]). Funciona en base al
principio de la radiacin detectada, la que modifica la temperatura del aparato, y con ello, la relacin
corriente-voltaje entre su entrada y su salida, para lo cual es crtico mantener la temperatura de
operacin en un valor muy preciso, lo cual se logra mediante el empleo de criostatos de helio
lquido[49].


55
55

(a) (b)

Figura 48: (a) Esquema de montaje de un bolmetro; (b) Curva tpica de resistencia v/s temperatura de
un bolmetro.

A diferencia de los diodos Schottky y los SIS, que responden a la combinacin entre la seal del
oscilador local y la seal obtenida desde la antena, un HEB responde a la potencia de dichas seales.
Un incremento en dicha potencia resulta en un incremento en la temperatura del detector. Este
incremento en la temperatura incrementa la movilidad del gas de electrones (denotada como
e
)
presente en la juntura, en una relacin del tipo
3
T k
e
= . Si se mantiene un esquema de operacin de
corriente constante, el voltaje a travs de la juntura ser por tanto una funcin de la temperatura en la
juntura, y con ello, una funcin de la potencia de entrada al detector. Valores tpicos para la operacin
de un HEB son: temperatura, 4.2[K], corriente, 130 A, resistencia, 150[].

Figura 49: Microfotografa de un HEB, de 1m de longitud, montado sobre sustrato de SiO, y su curva
voltaje v/s corriente para la temperatura de operacin[57].

56
56

Se distinguen principalmente 2 tipos de HEB:

1. Phononcooled HEB: En este tipo de dispositivos, los fotones incidentes generan electrones por
efecto fotoelctrico en el material. Estos electrones transfieren en parte su energa al detector en
s, mientras que otra parte de sta es emitida como fonones, los cuales a su vez la transfieren al
sustrato sobre el cual se encuentra montado el superconductor.

2. Diffusioncooled HEB: En ste segundo tipo, toda la energa recibida por el material es liberada
a travs del desplazamiento de electrones hacia los electrodos.

Figura 50: Esquema de un phononcooled bolometer y un diffusioncooled bolometer.

Los primeros dispositivos de este tipo usados en la radioastronoma (alrededor de 1970) estaban
basados en Antimoniato de Indio (InSb), el cual, si bien posee caractersticas de sensibilidad y figura de
ruido apropiadas, no es capaz de responder a priori a las frecuencias de la banda en estudio, debido a
que el tiempo de respuesta del gas de electrones presente en l, denotado como
e
, es tpicamente del
orden de
7
10
segundos, significativamente mayor que el periodo de la onda incidente (

12 9
10 ~ 10

segundos). Sin embargo, en presencia de una seal adicional proveniente del oscilador local, de
frecuencia comparable a la velocidad de respuesta del material, ocurre el proceso de mezclado,
generando voltajes de salida en frecuencias del orden de
e
1
(es decir, de las decenas de MHz). Dado
este hecho (frecuencias de salida relativamente bajas), estos detectores eran usados en el estudio de
bandas estrechas, especialmente lneas espectrales de emisin, de hasta 5MHz de ancho de banda.

En la actualidad, se ha dejado de lado el uso de InSb, siendo reemplazado por dispositivos
basados en Niobio (Nb), enfriados hasta la temperatura de superconduccin. Este material presenta la
ventaja con respecto al InSb de poseer tiempos de respuesta muchsimo menores, en el rango
11 9
10 ~ 10

segundos, lo que se traduce en la capacidad para realizar mediciones en anchos de banda
de incluso varios GHz.


57
57

Figura 51: Dispositivo HEB en base a NbTiN. El tamao real de la imagen es de 8[m], y la distancia
entre los electrodos es de 1[m][55].

Figura 52: Macrofotografa de un HEB construido en base a Nb. El marco de la izquierda es una
ampliacin del bolmetro, inserto sobre una metalizacin de oro, al que adems se han agregado etapas
de adaptacin de impedancias (que se aprecian con forma de H en la fotografa).

Los HEB basados puramente en Nb son tiles hasta frecuencias de alrededor de 700GHz, ya
que por sobre sta, sus prdidas aumentan de tal forma que los hacen incompatibles con los estndares
de ruido requeridos para la radioastronoma. Para frecuencias superiores an se usa Nb como material
principal, pero combinado con otros elementos, como es el caso de Nitrato de Nb (NbN), o bien Nitrato
de TitanioNiobio (NbTiN), los cuales no son afectados por los problemas de prdidas del Nb puro. En
la actualidad se trabaja en nuevos compuestos capaces de trabajar a frecuencias an ms elevadas,
como AlTiN, entre otros.

En resumen, los HEB presentan mltiples caractersticas que los hacen apropiados para el uso
en bandas milimtricas y submilimtricas, como son:

Anchos de banda elevados, del orden de 1GHz o ms.

Requieren potencias de oscilacin local extremadamente bajas para operar, del orden del
nanowatt.


58
58

En el rango de operacin se comportan esencialmente como dispositivos resistivos, con una
resistencia variable entre 20 a 200[], independiente de la frecuencia de la seal en estudio, y
dependiente, como se ha visto, slo de la potencia de dicha seal.

Comparados a su vez con los dispositivos SIS, los HEB presentan varias ventajas para su
operacin a frecuencias por sobre 1.2THz, a saber:

Los SIS presentan un lmite terico de operacin a 1.2THz, dado por las separaciones de las
bandas de energa de los materiales que los componen, lo que no ocurre en los HEB.

La potencia de oscilacin local requerida es, como se ha visto, rdenes de magnitud inferior en
el caso de los HEB (nanowatts v/s microwatts).

La impedancia del dispositivo HEB es siempre real e independiente de la frecuencia de
operacin, pues est basada completamente en un elemento resistivo, y no en un elemento
capacitivo como es el caso de la juntura superconductora del SIS.

El desempeo de estos tres tipos de mezcladores se resume en el siguiente cuadro
comparativo[51]:

Diodo Schottky SIS HEB
Frecuencias de
operacin
Hasta 3THz Hasta 1.2THz Hasta frecuencias de
infrarrojo cercano
Potencias del
oscilador local
Del orden de los
miliwatts
Del orden de los
microwatts
Del orden de los
nanowatts
Uso preferente
en la actualidad
Frecuencias bajo los
600GHz, por falta de
osciladores capaces de
satisfacer sus
requerimientos de
potencia.
Frecuencias bajo
700GHz para el caso de
SIS basados en Nb. Hasta
1.2THz si se usa NbN o
NbTiN
Frecuencias sobre
1.2THz, pues bajo esa
frecuencia los SIS tienen
mejores figuras de ruido.
Caracterstica
principal
Simplicidad de
operacin, no requiere
criogenizacin extrema
Mejor figura de ruido
existente en la
actualidad.
Mayores frecuencias de
operacin disponibles.

Tabla 3: Comparacin entre diversos dispositivos mezcladores para la banda milimtrica y
submilimtrica.

Un problema importante con respecto a los dispositivos utilizados en el estudio de banda
submilimtrica es el hecho de que, por tratarse de un rea de desarrollo relativamente nueva, no posee
an desarrollos comerciales asociados, como es el caso de bandas inferiores como las bandas X, Ku o
de hidrgeno, frecuencias en las cuales hoy en da es posible encontrar sistemas de comunicaciones
operando, lo que redunda en la existencia de un mercado de dispositivos para dichas bandas de
frecuencia. En el caso de la banda submilimtrica, slo existe hoy en da 1 telescopio operativo en el

59
59
mundo
12
, por lo que todo el desarrollo de dispositivos de deteccin para esta banda es llevado a cabo en
forma casi individual por los distintos centros que realizan proyectos en esta banda de frecuencia
(principalmente Harvard[47], el Institute for RadioAstronomie Milimetrique, IRAM y el California
Institute of Technology, Caltech), y no es por tanto factible an de localizarse estos dispositivos en el
mercado tradicional de proveedores de equipos para microondas.

Figura 53: Cuadro comparativo de las diferentes tecnologas de mezcladores existentes en la
actualidad para banda milimtrica y submilimtrica.

5.2 Osciladores

A la frecuencia de la banda milimtrica y submilimtrica no existe an tecnologa de
osciladores capaces de entregar armnicas fundamentales en dicho rango. En la actualidad los
osciladores que son capaces de proveer las frecuencias ms altas son los tubos Klystron y los
osciladores Gunn, pero ambos estn limitados a unos 150GHz mximo. Para lograr armnicos en
frecuencias superiores, se recurre al uso de multiplicadores.

Los multiplicadores ms usados en el rango de las microondas son los diodos Schottky
utilizados en configuracin de varactores. Este tipo de diodo, tambin conocido como varicap (debido
a su capacidad de emular un condensador variable) es un diodo operado en polarizacin inversa, en el
cual, su capacitancia es una funcin de la raz del voltaje aplicado entre sus electrodos. Dichos
elementos, al igual que en el caso de los mezcladores, son altamente no lineales, generando en su salida
armnicos de la frecuencia aplicada en su entrada. Un ejemplo de estos circuitos se muestra a
continuacin, en el cual, 4 diodos Schottky en cascada permiten construir un multiplicador de
frecuencia de factor 16, con una potencia de salida de 16W[48].

12
Se trata del observatorio RLT, perteneciente al instituto Harvard-Smithsonian. Este observatorio se encuentra situado en
el cerro Sairecabur, en el norte de Chile.

60
60

Figura 54: Circuito multiplicador de frecuencia construido en base a una cascada de diodos Schottky.

5.3 Criostatos

El criostato es una cmara compuesta por dos o ms receptculos en los cuales se disponen
elementos de refrigeracin (tpicamente nitrgeno y helio lquido) que rodean los materiales que
conforman los diferentes mdulos del radiotelescopio, y que son, de esta forma, enfriados a
temperaturas que permiten su correcto funcionamiento. Por ejemplo, los diodos Schottky deben ser
generalmente enfriados a temperaturas menores a 40[K] para entregar cifras de ruido aceptable,
mientras que tanto SIS como HEB deben ser llevados a la temperatura del helio lquido, 4.2[K] para
que los materiales que los componen se vuelvan superconductores y permitan el funcionamiento del
dispositivo.

Figura 55: Esquema del criostato en uso en el radiotelescopio RLT situado en el cerro Sairecabur[46].

61
61

Los criostatos no son elementos restringidos a la radioastronoma, encontrndose por ejemplo
en resonadores magnticos, donde un criostato permite llevar una cermica interna a la temperatura de
superconduccin, logrando con esto que conduzca corrientes elevadas y que genere por tanto, campos
magnticos potentes necesarios para tales dispositivos.

La disposicin tpica de un criostato es la siguiente: la cmara ms prxima al superconductor
est llena con helio lquido, el cual mantiene el material de inters (Nb o alguno de sus derivados) a la
temperatura de superconduccin (~4[K]). Sin embargo, la mantencin del helio a esta temperatura es
sumamente complicada y requiere una constante recarga. Con el fin de reducir el calentamiento de ste,
la cmara de helio est a su vez rodeada por otra al vaco o por un material mal conductor del calor,
como el Goretex por ejemplo, la que a su vez est encerrada entre otras dos llenas con nitrgeno
lquido, el cual no requiere temperaturas tan bajas para mantenerse en ese estado (~97[K]), y
proporciona un gradiente de temperaturas ms gradual que una interfaz helioaire directa. Adems, los
equipos de nitrgeno lquido son ms comunes y baratos de mantener que los de helio lquido.
Finalmente, una nueva cmara de vaco completa el sandwich que asla al superconductor del aire, de
forma de minimizar las transferencias de calor desde el medio externo a la cermica, sacndola con ello
del estado de superconduccin.

La calidad de un criostato suele medirse en trminos del tiempo que es capaz de mantener una
carga de helio lquido en esa condicin sin necesidad de una recarga. Los criostatos utilizados en
radioastronoma poseen valores del orden de 2.8lts de helio cada 24 horas.

Bibliografa Receptores para Radio Astronoma

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62
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= es el coeficiente de reflexin de un circuito constituido por el amplificador y

cms., se obtendr una frecuencia de

+ ), es posible separar la seal de inters en la

n , incluso por sobre del GaAs

segundos, significativamente mayor que el periodo de la onda incidente (

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