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1.1 Concepto de estado slido , 13 1.2 Celdas unitarias y redes de Bravais, 14 1.3 Algunas estructuras cristalinas simples, 18 1.4 Planos cristalinos e ndices de Miller, 23 1.5 Espaciam iento de los planos en las redes cristalinas, 25 1.6 Clasificacin general de los cristales, 27
Contenido 9
Captulo 7 Teora del electrn libre de los metales
7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 Introduccin, 203 La ecuacin de Boltzm ann y la trayectoria libre m edia, 204 C onductividad elctrica de un gas de electrones libres, 209 Conductividad trm ica y efectos term oelctricos en sistemas de electrones libres, 215 Procesos de dispersin, 219 El efecto de Hall y otros efectos galvanom agnticos, 222 Capacidad trm ica de sistemas de electrones libres, 225
203
281
Contenido 10
Captulo 10 Exceso de portadores en semiconductores
10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 Introduccin, 347 C om portam iento de transporte de los portadores excedentes; las ecuaciones de continuidad, 348 Algunas soluciones particulares de la ecuacin de continuidad, 361 Movilidad de arrastre y el experim ento de Haynes-Shockley, 371 Recom binacin superficial y condiciones de frontera superficiales, 374 Fotoconductividad de estado estacionario, 379 F otoconductividad transitoria; tiem po de vida de los portadores en excedentes, 383 M ecanismos de recom binacin; la teo ra de recom binacin de Shockley-Read, 390
347
401
421
La unin p-n, 421 El potencial de contacto interno de equilibrio, 424 Potenciales y campos en las cercanas de una unin p-n, 426 M odelo m atem tico sim plificado de la unin p-n abrupta, 429 Capacitancia de unin; determ inacin del potencial interno, 435
439
Contenido 11
C aptulo 14 14.1 14.2 14.3 Uniones p-n a niveles altos de c o m en te; el rectificare p-i-n, 479
Uniones p-n a densidades altas de corriente, 479 El anlisis del rectificador p+ n+ a niveles i altos de corriente, 481 Rectificadores p n; la cada de voltaje en sentido directo i com o una funcin de la tem peratura, 490 O tros dispositivos sem iconductores, 495
El efecto fotovoltaico p-n y las celdas fotovoltaicas de unin p-n, 495 O tros dispositivos sensibles a la luz; fototransistores, detectores de partculas y detectores infrarrojos, 502 Rectificadores controlados p-n-p-n, 503 Diodos tnel, 506 Transistores de efecto de cam po o unipolares, 509
CAPITULO 16 CONTACTOS METAL-SEMICONDUCTOR Y SUPERFICIES DE SEMICONDUCTORES, 513 16.1 16.2 16.3 16.4 16.5 C ontactos m etal-sem iconductor en equilibrio, 513 Rectificacin por contacto m etal-sem iconductor, 517 Estados superficiales y rectificacin independiente de las funciones de trabajo, 520 Potencial, cam po y carga en la capa superficial de un sem iconductor, 524 Conductividad superficial, efecto de cam po y m ovilidad superficial; propiedades de superficies de sem iconductores reales, 531 535 537 541 543
A pndice a la funcin & dirac A pndice b anlisis tensorial Indice de nom bres Indice de tem as
*v
CAPITULO
Desde un punto de vista general, el trmino slido se aplica a substancias elsticas rgidas, es decir, a substancias que tienen un comportamiento elstico no slo cuando se les somete a fuerzas hidrostticas, sino tambin a esfuerzos de ten sin y cortantes. Por supuesto, existen algunos materiales cuyo comportamiento es tanto elstico como plstico o viscoso, de modo que esta clasificacin no es del todo rigurosa. No obstante, se adoptar como criterio de lo que es una substancia slida, reconociendo que existe un tipo de substancias que, al mismo tiempo, se comporta como slido y como fluido. Los materiales que se pueden considerar como slidos de acuerdo con esta definicin, se dividen en dos categoras: los amorfos y los cristalinos. Entre las substancias amorfas, los tomos o molculas pueden estar enlazados con bastante firmeza entre s; pero poseen poca o ninguna regularidad o periodicidad geomtrica, en la forma en que los tomos estn dispuestos o acomodados en el espacio. Estas substancias son casi siempre viscoelsticas y se pueden considerar como lquidos sobreenfriados. En la figura 1.1 se muestra una representacin bidimensional de un material amorfo.
*o *o 9o *o *o *o
0*0 o o o o o o o o o o 9o o o
Cristalino
o* o* o* o* o* o* o*
0 * 0 . o*\ * o . o o. o o o o O . . O . o o e o o o o 0 0 o o o
Am orfo
Figura 1.1.
Representacin esquemtica en dos dimensiones, que muestra la diferencia existente entre el arreglo atmico de un slido cristalino y otro amorfo.
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1.2 CELDAS UNITARIAS Y REDES DE BRAVAIS En la figura 1.2 se describe la estructura reticular de un cristal bidimensional que se utilizar como ejemplo para explicar ciertos trminos cristalogrficos funda mentales. En relacin con esta figura, se puede seleccionar el paralelogramo ABCD como una celda unitaria de dicha estructura reticular o red, la cual est determinada por los vectores base a y b. Todas las traslaciones del paralelogramo ABCD mediante mltiplos enteros de los vectores a y b a lo largo de las direcciones a y b, darn como resultado su traslacin a una regin del cristal exactamente igual a la original. As pues, todo el cristal se puede reproducir sencillamente si se reproduce la super-
Figu?" 1.2.
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ficie ABCD que se traslada sobre las direcciones a y b mediante todas las combina ciones posibles de mltiplos de los vectores base a y b. En otras palabras, cada punto de la red del cristal se puede describir por medio de un vector r tal que r = /ia + kb, (1.2-1)
en donde h y k son enteros. Evidentemente, este procedimiento se puede ampliar con suma facilidad para determinar celdas unitarias y vectores base en redes crista linas tridimensionales. Por tanto, se puede llegar a las siguientes definiciones: Celda unitaria: una regin del cristal definida por tres vectores, a, b y c, que al trasladarse por medio de cualquier mltiplo entero de dichos vectores reproduce una regin similar del cristal, Vectores base: conjunto de vectores linealmente independientes a, b, c, que se pueden usar para definir una celda unitaria, Celda unitaria primitiva: la celda unitaria ms pequea (en volumen) que se puede definir para una red dada, Vectores base primitivos: conjunto de vectores linealmente independientes que definen una celda unitaria primitiva. De acuerdo con las anteriores definiciones, en este caso tambin es evidente que cada punto reticular de una red cristalina tridimensional se puede describir mediante un vector de la forma r - h& + kb + le (h, k, l enteros) (1.2-2)
Conviene observar que la celda unitaria se puede definir de varias maneras, poi ejemplo, A'B'C D ' y A "B "C "D son otras posibilidades que describen la celda uni taria ilustrada en la figura 1.2. Estas tres celdas unitarias son de tipo primitivo para esta red y, por ende, existe una ambigedad correspondiente en la seleccin de un conjunto de vectores base primitivos. Cualquiera de los vectores (a, b) o (a', b') podra servir de igual manera. La celda de mayor tamao EFGH de la misma figura es un ejemplo de una celda unitaria que no es primitiva. Se puede demostrar que existen 14 formas de acomodar los puntos en las redes cristalinas, de tal modo que todos los puntos de dichas redes tengan exacta mente el mismo medio circundante. Estas estructuras reticulares conocidas como redes de Bravais se ilustran en la figura 1.3. En el caso de una de estas redes, un observador que ve el cristal desde uno de los puntos de la red, vera exactamente la misma disposicin o arreglo de los puntos circundantes de la red, sea cual fuere el punto que haya seleccionado para observar. A primera vista podra parecer que puede existir otra red de Bravais; por ejemplo, en las 14 redes de Bravais de la figura 1.3 no se incluye un arreglo tetragonal centrado en la cara. La razn de ello es que esta estructura tetragonal centrada en la cara equivale a una red tetragonal_ centrada en el cuerpo, en la que el lado de la base de la celda unitaria es l\/2 veces su valor correspondiente a la disposicin centrada en la cara. La demostracin de este postulado, y la pregunta acerca de por qu las estructuras cbicas centrada en la cara y centrada en el cuerpo son distintas, se le dejan al lector como ejercicio. Estas 14 redes se pueden agrupar en siete sistemas cristalinos, cada uno de los cuales tiene en comn ciertos elementos de simetra caractersticos. Los elementos de simetra que se han escogido para especificar estos siete sistemas son los si guientes:
Cbica simple
Cbica centrada en la
Tetragonal simple
Ortorrmbica simple
Triclnica
Trigonal
Hexagonal
Figura 1.3.
(1) Eje de rotacin de orden n: la rotacin alrededor de un eje de este tipo a un ngulo de 2tt/n radianes no produce ningn cambio en la estructura reticular. En este caso, n puede tener los valores 1, 2 ,3 ,4 y 6. La simetra rotacional de 5 veces en una red cristalina es imposible. (2) Plano de simetra: una mitad del cristal reflejada en un [dao semejante que pasa por un punto de la red, reproduce la otra mitad.
17
(3) Centro de inversin: un punto de la red alrededor del cual la operacin r -* r (en donde r es un vector a cualquier otro punto de la red) deja a la estructura reticular sin sufrir cambio alguno. (4) Eje de rotacin-inversin: la rotacin alrededor de este eje a lit/n radianes {n = 1, 2, 3, 4, 6) seguida de una inversin alrededor de un punto de la red por el que pasa el eje de rotacin, no produce ningn cambio en la red. Existen otras formas posibles de operaciones de simetra; pero se puede demos trar que todas son equivalentes a combinaciones lineales de estas cuatro. Los siete sistemas cristalinos con sus elementos de simetra representativos y sus caractersticas de celda unitaria aparecen en la tabla 1.1. En la figura 1.4 se describe la notacin que se emplea para las dimensiones y los ngulos de la celda unitaria.
Sistema
Red de Bravais Simple Simple Centrada en la base Simple Centrada en la base Centrada en el cuerpo Centrada en la cara Simple Centrada en el cuerpo Simple Centrada en el cuerpo Centrada en la cara Simple
Triclnico Monoclnico
Ortorrmbico
Tetragonal
Un eje de rotacin cudruple o un eje de rotacin-inversin cudruple Cuatro ejes de rotacin triple (diagonales cbicas)
a =b a. = y = 90 a= b= c a = = y = 90
Cbico
Hexagonal
a =b = c a = 120 = y = 90 a b c a = i3 = y # 9 0 o
Trigonal (Rombohdrico)
Simple
*Por supuesto, pueden existir otras propiedades de simetra en casos individuales, aqu se indican slo los ms peculiares de cada sistema cristalino en particular.
Figura 1.4.
Conviene recordar que, por lo general, los puntos de la red de una estructura reticular no representan a un solo tomo, sino ms bien a un grupo de tomos o molcula. En consecuencia, adems de las propiedades de simetra de los puntos reticulares propiamente dichos, se necesita tomar en cuenta las propiedades de sime tra de las molculas o grupos de tomos en cada punto reticular alrededor de los puntos de red propiamente dichos, a fin de enumerar totalmente todas las estruc turas cristalinas posibles. Cuando esto se hace, se descubre que hay 230 patrones repetitivos bsicamente diferentes en los que los elementos se pueden acomodar para formar posibles estructuras cristalinas. Las limitaciones de este libro no permiten estudiar y enumerar todas estas posibilidades en detalle. Si el lector desea obtener datos ms detallados sobre este tema, convendr que consulte una de las obras que tratan sobre cristalografa y que se citan al final de este captulo.
1.3
De acuerdo con la figura 1.3, es evidente que existen tres redes cbicas posi bles, es decir, la cbica simple, la cbica centrada en el cuerpo y la cbica centrada en la cara. La celda cbica unitaria que se ilustra en la figura 1.3 como la red cbica simple, constituye tambin la celda unitaria primitiva, dado que contiene el mnimo irreductible de un tomo por cada celda. Este resultado se obtiene obser vando que en la celda cbica simple se tienen ocho tomos en los ocho vrtices de la celda, donde, cada tomo es compartido en la misma forma por ocho celdas unitarias adyacentes a cada vrtice. Por tanto, se puede decir que se tienen 8 tomos en las esquinas y que 1/8 de cada uno de stos pertenece a esta celda en particular, dando un total de un tomo por celda unitaria. La celda cbica correspondiente a la estructura cbica centrada en la cara, contiene 8 tomos en los vrtices, compartidos por 8 celdas y 6 tomos centrados en la cara, que son compartidos por dos celdas, lo cual da un total de 8(1/8) + 6(1/2), o bien, 4 tomos dentro de la celda cbica. En la celda cbica correspondiente a la estructura cbica centrada en el cuerpo, se tienen 8 tomos en los vrtices compartidos por 8 celdas y un tomo central que pertenece exclusivamente a dicha celda, dando un total de 8(1/8)+ 1 2 tomos dentro de la celda cbica. Para estructuras simples que contienen tomos de un solo tipo, la celda unitaria primitiva contiene casi siempre un solo tomo y, por tanto, se puede llegar a la conclusin de que la celda cbica centrada en la cara y la centrada en el cuerpo no son primitivas. En efecto, este es el caso; las celdas primitivas para las estructuras cbica centrada en la cara y cbica centrada en el cuerpo, se ilustran
V .' >
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Figura 1.5.
en la figura 1.5. Cada celda primitiva contiene un solo tomo. Como siempre, estas celdas primitivas no son las nicas que se pueden definir, ya que existen muchas opciones posibles de grupos de vectores base primitivos para cualquiera de las estruc turas. La celda primitiva para la estructura cbica centrada en la cara que se ilustra en la figura 1.5 es, obviamente, un caso especial de una estructura trigonal en la que a = (3 = y = 60. Para este valor particular de a, la estructura trigonal posee una simetra cbica y se reduce a la red cbica centrada en la cara. Por supuesto, se puede hacer caso omiso de la celda cbica de la red cbica centrada en la cara y considerar que la estructura sea de tipo trigonal con a = 60, empleando slo la celda primitiva de la figura 1.5. Sin embargo, casi siempre conviene considerar la mayor celda cbica como la base del cristal, en lugar de utilizar la celda primitiva, ya que esto permite representar la estructura reticular en un sistema de coordenadas ortogonales (.x, y, z) cual es mucho ms simple que un sistema oblicuoy porque el la red tiene todas las propiedades de simetra relacionadas con la estructura cbica simple. En el caso de la estructura cbica centrada en el cuerpo, por similares consideraciones, se aconseja usar, siempre que sea posible, la mayor celda cbica como la base del cristal. No obstante, para ciertos fines ser absolutamente necesario emplear la celda primitiva; pero estos casos especiales se sealarn cuando surjan. Cuando se tienen esferas iguales dentro de un recipiente, el empaquetamiento ms cerrado o compacto que se puede lograr es tener una capa en la base en la que cada esfera est rodeada por otras seis adyacentes, con capas exactamente iguales encima de ella, tilizando los intersticios triangulares entre las esferas de la capa inferior para acomodar las que se van agregando en la capa inmediatamente superior. Es obvio que en un arreglo de empaquetamiento compacto cada esfera slo tiene 12 vecinas adyacentes, seis que la rodean en la misma capa, 3 en la superior y 3 en la inferior. Cualquier estructura que tiene un empaquetamiento compacto en este sen tido, se caracteriza por la propiedad de que cada tomo tiene 12 vecinos adyacentes y, por lo contrario, no hay otra estructura en la que cada tomo tenga ms de 12 vecinos cercanos.
ira 1.6.
Arreglo de capas de empaquetamiento compacto en las redes cbica centrada en la cara con empaquetamiento compacto y la hexagonal con empaquetamiento com pacto. [Tomado con autorizacin de L. V. Azaroff, Introduction to Solids, Mc Graw-Hill (i9 6 0 ), pgina 60.]
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Para tener una estructura con esta clase de empaquetamiento compacto, se puede colocar una capa inferior A, luego una segunda capa B como se describi tal en el prrafo anterior despus se pone una tercera capa en la que los tomos , quedan directamente arriba de los de la capa A, a continuacin, la cuarta capa cuyos tomos se ubican directamente arriba de los de la capa B, y as sucesivamente hasta formar un arreglo de capas ABABABAB . . . , como se ilustra en la figura 1.6. Esta estructura tiene una simetra hexagonal y se le conoce con el nombre de estructura hexagonal de empaquetamiento compacto (h.e.c.). De igual modo, se pue den colocar los tomos de la tercera capa ya no directamente encima de los de la primera, sino en una tercera gama de posiciones como se ilustra en la figura 1.6, formando la tercera capa C cuyos tomos quedan arriba, en una posicin diferente a los de las capas A y B. A continuacin se agrega la cuarta capa en las posiciones correspondientes a la capa i y se forma una disposicin de capas ABCABCABC. . . Esta segunda estructura posible de empaquetamiento compacto es sencillamente, la cbica centrada en la cara, que es la normal en las capas de empaquetamiento compacto de la estructura diagonal cbica. De acuerdo con la figura 1.3, se puede ver claramente que cada tomo de la estructura juiblca centrada en la cara tiene slo 12 vecinos contiguos, a una distancia de >2/2 veces el lado del cubo, por lo que la estructura debe ser de empaquetamiento compacto, .Por el -contrario, en la estructura .cbica centrada_en el cuerpo, cada tomo tiene slo 8 vecinos adyacentes a una distancia de ^ 3 /2 veces el lado del cubo; si los puntos reticulares de la estructura cbica centrada en el cuerpo se observaran como si fueran esferas en expansin, stas tocaran el borde del cubo antes de rozar la diagonal y la estructura resultante no tendra un empaquetamiento- tan compacto. En la figura 1.7 se muestran las estructuras de NaCl y CsCl. La estructura del NaCl tiene tomos alternantes de Na y C1 en los puntos reticulares de una red cbica simple. Los tomos de Na quedan en los puntos reticulares de una estructura cbica centrada en la cara, al igual que los tomos de Cl. La estructura del CsCl es bsicamente centrada en el cuerpo y, en ella, los tomos de Cs quedan en las posiciones centradas en el cuerpo y los de Cl en los vrtices del cubo (o viceversa). Hay un gran nmero de cristales inicos que cristalizan en cualquiera de estas dos formas reticulares.
Figura 1.1.
En la figura 1.8 se ilustran las estructuras del diamante y la zincblenda. Las lneas que conectan los tomos de estas estructuras representan los enlaces covalentes de los pares de electrones que estn dispuestos tetrahdricamente alrededor de cada tomo. En estas dos estructuras, cada tomo tiene cuatro vecinos contiguos. En el caso del diamante, la estructura se puede considerar como dos redes cbicas centra das en la cara que se intercalan una en la otra, desplazndose entre s a lo largo de la diagonal del cubo en 1/4 de la longitud de dicha diagonal. Por tanto, la red tiene
Figura 1.8.
Figura 1.9.
Diagrama de la estructura reticular de la zincblenda en donde se muestran los contornos de la celda unitaria cbica.
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una simetra cbica. La descripcin anterior de la red del diamante se puede en tender mejor estudiando la figura 1.9 en donde se muestra cmo la red del diaman te se puede describir mediante una celda unitaria cbica. El silicio, el germanio y el estao ex- (gris) se cristalizan tambin en la estructura del diamante. La estructura de la zincblenda est ntimamente relacionada con la del diamante. En el caso de la zincblenda, la estructura se puede representar como dos redes cbicas centradas en la cara que tienen una interpenetracin, al igual que el diamante, excepto que una de las redes cbicas centradas en la cara se compone por completo de tomos de zinc y la obra est constituida totalmente por tomos de S. Por supuesto, esta estructura reticular tambin tiene simetra cbica. Los compuestos semiconductores III-V, InSb, GaAs, GaSb, InP, GaP, etc., se cristalizan con esta misma estructura. Lo compacto del empaquetamiento de los tomos en cualquier estructura dada se puede inferir del nmero de vecinos ms cercanos que rodean a cada tomo. Esta cifra, que con frecuencia se denomina nmero de coordinacin del cristal, puede variar de un mximo de 12 en las estructuras de empaquetamiento compacto hasta el 4, en el caso del diamante y la zincblenda, cuyas estructuras son relativa mente abiertas .
1.4
En un cristal de red peridica regular, con frecuencia es necesario mencionar el sistema de planos dentro del cristal que corren en ciertas direcciones, cortando varios ^conjuntos de tomos. As pues, las capas con empaquetamiento compacto de las redes cbicas centradas en la cara y hexagonal con empaquetamiento compacto, forman sistemas muy definidos e importantes de planos cristalinos. La orientacin de estos sistemas de planos dentro del cristal se especifica mediante tres nmeros deno minados ndices de Miller, que se pueden determinar como sigue: (1) Se toma como origen cualquier tomo del cristal y se levantan ejes de coordenadas a partir de dicho tomo en las direcciones de los vectores base. (2) Se encuentran las intersecciones de un plano que pertenece al sistema, expresndolos como mltiplos enteros de los vectores base a lo largo de los ejes cristalinos. (3) Se sacan los recprocos de estos nmeros y se 'reducen a la trada ms pequea de enteros h, k, l, que tienen la misma relacin. De donde, la cantidad (hkl) constituye los ndices de Miller de dicho sistema de planos. Por ejemplo, en la figura 1.10 se muestra un plano cuyas intersecciones son el doble de la distancia reticular a,, tres veces la distancia reticular i y 4 veces la distancia reticular c. Los ndices de Miller de la familia a la que pertenece este plano se obtienen sacando los recprocos de estos nmeros, es decir, 1/2, 1/3, 1/4, y reducindolos a la trada ms pequea posible de enteros que tengan la misma relacin. Esto se logra multiplicando cada uno de los recprocos por doce, que en este caso dan 6 ,4 ,3 . Los ndices de Miller se escriben simplemente encerrando estos 'tres nmeros entre parntesis; en este ejemplo, el plano forma parte de una familia de planos (643) o sea, un plano. Puede haber un nmero de sistemas de planos cuyos ndices de Miller difieran *por permutacin de los nmeros o de signos menos y, sin embargo, ser todos cristalogrficamente equivalentes en lo que respecta a densidad de tomos y espa-
ciamiento interplanar. Por ejemplo, en una red ortogonal, los siguientes planos (hkl), (hkl), (hkl), (hkl), (hkl), (hkl), etc., obtenidos al asignar varias combinaciones de signos menos a los ndices de Miller, son equivalentes en este sentido. (Se acostum bra escribir los signos menos encima y no antes de los ndices de Miller.) De igual modo, en una estructura reticular cbica, todos los planos representados por permu taciones de los tres ndices de Miller entre s mismos, tales como (hkl), (khl), (hk), etctera, al igual que los que se obtienen tomando varias combinaciones de signos me nos, son cristalogrficamente equivalentes. Cuando se hace referencia a un grupo , completo de planos cristalogrficamente equivalentes, de los cuales (hkl) es un miem bro, se acostumbra encerrar los ndices de Miller entre llaves, o sea, {hkl}. Si el plano es paralelo a uno o dos de los vectores a, b,c, una o dos de las intersecciones se localizarn en el infinito; los ndices de Miller correspondientes son, por tanto, cero. Por ejemplo, si el plano que se ilustra en la figura 1.10 se hace girar alrededor de la lnea AB hasta que queda paralelo a c, las intersecciones se convierten en 2 ,3 , y los ndices de Miller son, en consecuencia (320). Si se hace girar ms todava alrededor de una lnea perpendicular al plano a y b pasando por el punto A hasta que quede en paralelo a b, las intersecciones sern 2, , <, y los ndices de Miller son (100). El lector debe conocer a fondo las familias de planos {100} (planos de cara cbica), {110} y de {111} para las redes cbicas. Los ndices de una direccin dentro de un cristal se pueden expresar como un conjunto de enteros que tienen la misma relacin que los componentes de un vector en esa direccin, expresados como mltiplos de los vectores base a, b, c. Por tanto, el ndice de direccin de un vector ha + kb + lc es, en todo caso, [hkl). Los parn tesis cuadrados que encierran las tres cifras sealan los tres ndices de direccin. Por supuesto, las direcciones con distintos ndices direccionales pueden ser cristalogr ficamente diferentes en la misma forma que los planos cristalinos con distintos ndices de Miller; sobre todo las normales a los planos cristalogrficamente equiva lentes tambin deben tener direcciones cristalogrficamente equivalentes. El conjunto completo de direcciones cristalogrficamente equivalentes de las cuales [hkl] es un miembro, se expresa encerrando los ndices de direccin en la siguiente forma: (hkl). En cristales cbicos, una direccin con ndices direccionales [hkl\ es normal a un plano cuyos ndices de Miller son (hkl); pero, por lo general, esto no se aplica a otros sistemas. Esta es otra de las razones aceptables para relacionar las redes cbicas centradas en el cuerpo y la centrada en la cara con estructuras cbicas ms que con celdas unitarias primitivas. El comprobar este resultado queda como ejercicio para el lector. La posicin de los puntos de una celda unitaria se especifica en funcin de las partes fraccinales de las magnitudes de los vectores de base a lo largo de las direcciones de coordenadas correspondientes, tomando siempre como origen el tomo
25
de un vrtice. Por ejemplo, las coordenadas del punto central de una celda unitaria son (1/2, 1/2,1/2) y las coordenadas de los centros de las caras son (1/2, 1/2, 0), (0, 1/2, 1/2), (1/2, 0, 1/2), (1/2, 1/2, 1), (1, 1/2, 1/2) y (1/2, 1, 1/2).
1.5
De acuerdo con la figura 1.10, se podra pensar que el espaciamiento existente entre los planos vecinos del sistema (hkl) sera simplemente igual a la longitud de la normal al plano definida por las intersecciones dadas y el origen. Sin embargo, generalmente no es as y la razn es que al determinar la ubicacin de un plano (hkl) desde ciertas distancias de interseccin, el origen se podra tomar como cual quier punto reticular del cristal, por lo qu'e un plano (hkl) debe pasar por cada punto reticular del cristal. Esto se ilustra grficamente en la figura 1.11 para el caso de un conjunto de planos en una estructura reticular bidimensional. El sistema de planos es el que determinan las intersecciones 3a y 2b a lo largo de los ejes, a y b, respectivamente. En consecuencia, ls ndices de Miller son (23) (o bien, (230) si se piensa que los planos son paralelos a un eje c que sale del plano de la hoja de papel en un cristal tridimensional). Los planos que estn delineados con lneas ms gruesas son los que se determinan "por medio de las distancias de interseccin (3a, 2b) y el origen se escoge en O. No obstante, el origen podra haberse escogido en el punto reticular nmero 1 , en cuyo caso se habran definido los planos de trazo ms ligero marcados con 1, utilizando el mismo conjunto de distancias de interseccin. De igual manera, el origen se podra haber ubicado en los puntos reticulares 2, 3, 4 5, en cuyo caso, usando todava el mismo conjunto de distancias de interseccin, el conjunto de planos nmeros 2, 3, 4 y 5 habran quedado definidos. Sin embargo, ahora se tiene un plano de esta familia que pasa por cada tomo del cristal, entre
(3 z ~) \V W s. -- i i 3 ~ c
h.
2 '
Figura 1.11.
Una representacin de todas las lneas (23) dentro de una red bidimensional. Si existe uij eie c- normal al nlano del papel, este sistema de lneas se puede consi derar como los trazos de planos (230) (que son normales a la pgina) en el plano del papel. Observe que slo se tiene una lnea (o plano) del sistema que pasa por cada punto reticular.
__ c
b k
Figura 1.12.
27
a-, b- y c-, y encontrando la distancia perpendicular existente entre este origen y el plano cuyas intersecciones con el eje son a/h, b/k. y c/l. En relacin con la fi gura 1.12, es obvio que d = OP = - eos a = - eos p = - eos y,
a h b k e l
(1-5-1)
/ici\
en donde a,@ ,y son los ngulos que hay entre la normal al plano y los ejes a-, by c-, respectivamente. No obstante, si n es el vector unitario normal al plano, se tiene que n a = a eos a, etc., y
i,
"J ,
k
-C l
(1.5-2)
En una red ortogonal, tomando el eje de la coordenada x a lo largo de a, el eje y sobre b y el eje z sobre c, la ecuacin del plano (hkl) cuyas intersecciones con los -ejes son a/h, b/k, c/l, es
f < x ,y ,z )- - + -g + - = l .
hx
ky
Iz
(1. )
...
Si f(x, y , z) = constante es la ecuacin de una superficie, entonces \ f es un vector norml a dicha superficie y la unidad normal n est dada por
Yf
"=wr
d=
w y
., 1
V a 2 + b 2 + c2
~1
....,
h K+ - + t a b cf
2 2
(1.5-5)
de acuerdo con (1.5-2). En este punto conviene observar que a, b y c no son vectores unitarios, en este ejemplo, a = a\x , b = biy y c = ciz , en donde ix , iy e iz son la trada usual de vectores unitarios a lo largo de las direcciones x-, y- y z-, respectivamente. En estructuras reticulares no ortogonales, el problema de encontrar el espaciamiento existente entre planos adyacentes en trminos explcitos de los espaciamientos y los ngulos reticulares se hace ms complejo y no se estudiar en esta obra, aunque las expresiones generales (1.5-1) y (1.5-2) son correctas tanto para sistemas ortogonales como para los no ortogonales.
1.6
Para darle al lector una imagen inicial amplia de las propiedades y las caracters ticas de varios tipos de materiales cristalinos, se har un repaso breve de algunas de las caractersticas ms sobresalientes de varias clases de cristales. Por supuesto, se pueden
Clasificacin general de los cristales TABLA 1.2. Cristales covalentes y inicos Compuestos III-V Compuestos II-VI Compuestos' (inicos) I-VII LiF LiCl NaF NaCl KF KC1 LiBr KBr Nal RbCl RbBr KF Rbl CsBr
29
Si
Ge
a-Sn
BeO BeS MgO MgS CaO CaS ZnS CaSe ZnSe CdS CdSe ZnTe CdTe
sistema peridico y forman cristales completamente covalentes. Los compuestos de la cuarta columna de la tabla son de I y VII y estn constituidos de tomos muy electropositivos y electronegativos y los cristales de estos compuestos son muy ini cos. La segunda y la tercera columnas contienen compuestos (II-VI y III-V) que son intermedios entre estos dos extremos y tienen naturaleza tanto inica como covalente. Por supuesto, los compuestos III-V son un poco ms covalentes que los com puestos II-VI. Los compuestos intermetlicos III-V forman, a pesar de su carcter ligeramente inico, una serie de semiconductores cuyas propiedades son similares en muchas formas a las de los materiales correspondientes del grupo IV. Los elementos metlicos en estado libre forman cristales metlicos en los que estn presentes electrones libres. El hecho de que haya tales electrones libres explica la elevada conductividad elctrica y trmica de los metales. A su vez, a esta elevada conductividad elctrica se deben directamente los elevados coeficientes de reflexin y absorcin pticas que son las propiedades pticas ms tpicas de los metales. Las propiedades elctricas y trmicas de los metales que se deben a la existencia de los electrones libres, se pueden explicar fcilmente si se supone que el cristal metlico es un recipiente lleno de un gas ideal de electrones libres . La energa de enlace de metales ideales tales como los metales alcalinos, se originan en la interaccin del gas de electrones libres con iones positivos de la red, aunque para muchos otros metales esta imagen es mucho ms compleja. Las energas de enlace reales de los cristales metlicos pueden ser muy bajas, como sucede en el caso de los metales alcalinos, que tienen puntos de ebullicin y fusin relativamente bajos o muy eleva dos, como el tungsteno, cuyo punto de fusin es muy alto. Los cristales moleculares son aquellos en los que el enlace entre tomos o las molculas no es inico ni covalente, sino que se origina exclusivamente en fuerzas dipolares existentes entre los tomos o las molculas del cristal. A pesar de que un tomo o una molcula no tiene un momento dipolar promedio, por lo general tendr un momento dipolar instantneo y fluctuante que se origina en las posiciones instant
EJERCICIOS
' 1. Demuestre geomtricamente que la estructura tetragonal centrada en la cara es equiva lente a una red tetragonal centrada en el cuerpo en la que el lado de la base de la celda unitaria es 1/\J2 veces la magnitud que tiene para la disposicin centrada en la cara. Por qu son distintas las estructuras cbicas centrada en la cara y la centrada en el cuerpo? / 2. Demuestre que la proporcin mxima de espacio que se puede llenar con esferas slidas acomodadas en varias estructuras es la siguiente para cada arreglo:
Cbica simple Cbica centrada en el cuerpo Cbica centrada en la cara Hexagonal con empaquetamiento compacto Estructura del diamante
77\ / 3/16.
3. Analice desde el punto de vista fsico el porqu un cristal real no puede tener un eje de un mltiplo de cinco de simetra rotativa. 4. (a) Dibuje los bosquejos que ilustren los planos (100), (110) y (111) para una celda unitaria cbica. (b) Cuntos planos equivalentes {100'}, {110} y {111} existen en un cristal cbico? Considere que los planos (h kl) y (h kl) son idnticos. 5. (a) Cuntos planos, equivalentes {123} existen en un cristal cbico? (b) Cuntos planos equivalentes {.111} existen en un cristal ortorrmbico? (e) Cuntos planos equivalentes {123} existen en un cristal ortorrmbico? En todos estos pasos se considerar que los planos {hkl) y {hkl) son idnticos. 6. Demuestre que en un cristal cbico la direccin \hkl\ es normal al plano {hkl). 7. Demuestre que las intersecciones entre los ejes y los planos adyacentes {hkl) a lo largo de los ejes, a-, b- y c- dentro de una estructura tridimensional son a/h, b /k y c/l, respectiva mente, utilizando una extensin de los mtodos que se usaron en el caso bidimensional de la seccin 1.5. 8. Demuestre que para las fuerzas de van der Waals, la energa de interaccin de los tomos y las molculas desciende en la forma 1/r6 , en donde r es la distancia que hay entre los tomos o las molculas interactuantes. Nota: principie teniendo en cuenta la energa potencial de un dipolo elctrico en un campo elctrico externo. 9. De acuerdo con los resultados de la teora electromagntica de Maxwell para ondas planas, demuestre que en. el caso de un conductor muy bueno (ff->-, K O = conductividad, K = constante dielctrica) se debe esperar un alto grado de reflectividad superficial y una gran absorcin interna.